KR101322652B1 - ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 - Google Patents
ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101322652B1 KR101322652B1 KR1020120037165A KR20120037165A KR101322652B1 KR 101322652 B1 KR101322652 B1 KR 101322652B1 KR 1020120037165 A KR1020120037165 A KR 1020120037165A KR 20120037165 A KR20120037165 A KR 20120037165A KR 101322652 B1 KR101322652 B1 KR 101322652B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- zinc oxide
- zns
- thin film
- solar cell
- film solar
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 185
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 56
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 45
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
본 발명은 용액성장법(chemical bath deposition)으로 성장한 황화아연(ZnS) 버퍼층을 이용하여 고효율 Cu(In,Ga)Se2 (이하 CIGS) 박막태양전지를 제조하는 방법으로서, CIGS 박막 위에 얇은 황화아연 버퍼층을 증착한 후 산화아연(ZnO) 투명전도막을 증착하는 과정에서 스퍼터링에 의한 황화아연과 CIGS 광흡수층의 손상을 최소화하면서 비저항의 증가도 최소화하는 것이다. 이를 위해서 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어지는 이중층 산화아연 투명전도막의 구조와 그 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, CIGS 태양전지 제조시 버퍼층 위에 후속 증착되는 투명전도막의 스퍼터링법 증착에 의한 손상을 최소화하는 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 황화아연 버퍼층은 CIGS 박막 위에 용액성장법을 이용하여 균일한 두께로 얇게 성장되고, 그 위에 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어지는 이중층 구조의 산화아연 투명전도막의 제조방법에 관한 것이다.
CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 박막태양전지는 박막태양전지 중에서 가장 높은 효율을 보여 현재 각광을 받고 있다. 고효율을 보이는 CIGS 태양전지는 몰리브데늄(Mo)이 코팅된 유리기판 위에 p형 CIGS 광흡수층, 황화카드뮴(CdS) 버퍼층, 산화아연 투명전도막의 일반적인 구조를 기본으로 하고 있다. 하지만 황화카드뮴 버퍼층에 포함된 카드뮴은 환경오염 물질로 CIGS 박막태양전지의 상용화를 위해서는 다른 버퍼층 물질로 대체하여야 한다. 이에 따라 황화카드뮴을 대체하기 위해서 ZnS, ZnMgO, In2S3 등의 다양한 물질들이 개발되고 있다(Thin Solid Films, 480-481 (2005), pp. 99-109). 다양한 대체 물질 중 가장 높은 효율을 보이는 버퍼층 물질은 황화아연이며 황화아연 버퍼층을 이용하여 18.6%의 CIGS 박막태양전지 효율을 달성하였지만, 여전히 황화카드뮴 버퍼층을 이용하는 CIGS 태양전지보다는 효율이 낮다.
ZnS/CIGS 박막태양전지의 대표적인 제조방법에는 일본 Aoyama Gakuin 대학의 Nakada 그룹과 일본 Solar Frontier사의 방법이 있다. 일본 Aoyama Gakuin 대학의 Nakada 그룹에서는 CIGS 박막 위에 3번의 연속적인 용액성장법을 통하여 80-120 nm의 황화아연을 성장시키고, 그 위에 단일층 알루미늄이 도핑된 산화아연 투명전도막을 증착한다(Jpn. J. Appl. 41 (2002), pp. L165-L167). 그리고 일본 Solar Frontier사는 용액성장법으로 황화아연을 성장시키고, 그 위에 유기금속화확증착법(MOCVD)으로 단일층 보론이 도핑된 산화아연 투명전도막을 증착한다(Solar Energy Materials & Solar Cells, 75 (2003), pp. 179-184/대한민국 공개특허 10-2007-0089963).
상기의 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 중 일본 Aoyama Gakuin 대학의 Nakada 그룹의 방법은 스퍼터링법으로 산화아연 투명전도막을 증착 시 유발되는 손상을 두꺼운 황화아연 버퍼층을 통하여 줄였지만, 3번의 연속적인 용액성장법에서는 균일한 두께를 가지는 황화아연 버퍼층을 성장시키기 어렵고, 많은 시간이 소요된다. 그리고 Solar Frontier사는 스퍼터링법에 의한 손상이 없는 유기금속화학증착법으로 보론이 도핑된 산화아연 투명전도막을 증착하였지만, 비저항을 줄이기 위해서는 투명전도막의 두께를 크게 증가시켜야 하고, 유해한 유기금속 원료가스와 도핑을 위한 B2H6 가스를 사용해야한다. 이상 스퍼터링법에 비해 상대적으로 제조비용이 높다.
따라서, 버퍼층의 재료인 황화카드뮴이 사용되지 않고, 상술한 기존 기술의 문제점이 해결된, 높은 재현성의 고효율 ZnS/CIGS 박막태양전지 및 이의 제조방법이 요구되고 있다.
상술한 문제를 해결하기 위한 본 발명은 용액성장법으로 균일한 얇은 황화아연 버퍼층을 성장시키고, 그 위에 스퍼터링법으로 증착하는 산화아연 투명전도막의 스퍼터링 증착에 의한 손상을 최소화시키며 비저항 증가를 최소화하여 고효율 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제조하는 데에 그 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 박막태양전지를 성장시키는 기판; 상기 기판 위에 형성되는 후면 전극; 상기 후면 전극 위에 형성되는 CIGS 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성되는 황화아연(ZnS) 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성되는 투명전도막;을 포함하며, 상기 투명전도막은 낮은 스퍼터링법으로 증착하는 제 1 산화아연층 및 높은 스퍼터링법으로 증착하는 제 2 산화아연층을 포함하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 제 1 산화아연층의 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 이고, 상기 제 2 산화아연층의 스퍼터링 파워는 200 내지 500 W 인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 제 2 산화아연층은 상기 제 1 산화아연층보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 제 1 산화아연층은 5 내지 50 nm 의 두께로 증착하고, 상기 제 2 산화아연층은 150 내지 1000 nm 이상의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 버퍼층은 6 내지 8M 농도의 암모니아 반응용액에서 1회의 용액성장법으로 황화아연을 성장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 버퍼층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 투명전도막은 n형 반도체 특성을 띄는 산화아연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지에 있어서, 상기 산화아연은 ZnO:Al 또는 ZnO:Ga인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지를 제공한다.
본 발명은 기판 위에 후면전극층을 형성하는 1단계; 상기 후면전극층 위에 CIGS 광흡수층을 형성하는 2단계; 상기 광흡수층 위에 황화아연 버퍼층을 형성하는 3단계; 상기 버퍼층 위에 낮은 스프터링법으로 산화아연을 증착하는 4단계; 및 상기 4단계 이후에 높은 스퍼터링법으로 산화아연을 증착하는 5단계;를 포함하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 4단계의 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 이고, 상기 5단계의 스퍼터링 파워는 200 내지 1000 W 인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 5단계의 산화아연층은 상기 4단계의 산화아연층보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 4단계의 산화아연층은 5 내지 50 nm 의 두께로 증착하고, 상기 5단계의 산화아연층은 150 내지 1000 nm 의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 3단계는 6 내지 8M 농도의 암모니아 반응용액에서 1회의 용액성장법으로 황화아연을 성장하여 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 버퍼층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 4단계 및 5단계의 산화아연은 n형 반도체 특성을 띄는 산화아연인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법에 있어서, 상기 산화아연은 ZnO:Al 또는 ZnO:Ga인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층의 이중층으로 이루어지는 산화아연 투명전도막 구조 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법은, 종래의 제조방법과 비교하여, 얇은 황화아연 버퍼층 위에 스퍼터링법으로 산화아연 투명전도막을 증착시키기 때문에 상용화에 더욱 용이하고, 연속적인 양산 공정에 적용하기 쉬운 구조를 가지고 있으며, 이를 적용함으로써 고효율 ZnS/CIGS 박막태양전지를 높은 재현성으로 제조할 수 있는 효과가 있다.
본 발명이 속한 분양에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층으로 이루어진 CIGS 박막태양전지의 구성을 보여주는 개략적인 단면도.
도 2는 종래의 다층으로 이루어진 CIGS 박막태양전지의 구성을 보여주는 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 얇은 황화아연 버퍼층 위에 산화아연 투명전도막이 적층된 주사전자현미경(SEM)의 단면 사진을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 얇은 황화아연 버퍼층 위에 스퍼터링 파워를 감소시키면서 산화아연 증착한 CIGS 박막태양전지의 전류-전압 곡선과 양자 효율 곡선을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라서 유리기판 위에 스퍼터링 파워를 감소시켜 증착한 단일층과 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어진 이중층 구조의 산화아연 투명전도막의 비저항을 나타낸 표.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 얇은 황화아연 버퍼층 위에 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어진 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 증착한 CIGS 박막태양전지의 전류-전압 곡선과 양자 효율 곡선을 나타낸 도면.
도 2는 종래의 다층으로 이루어진 CIGS 박막태양전지의 구성을 보여주는 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 얇은 황화아연 버퍼층 위에 산화아연 투명전도막이 적층된 주사전자현미경(SEM)의 단면 사진을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 얇은 황화아연 버퍼층 위에 스퍼터링 파워를 감소시키면서 산화아연 증착한 CIGS 박막태양전지의 전류-전압 곡선과 양자 효율 곡선을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라서 유리기판 위에 스퍼터링 파워를 감소시켜 증착한 단일층과 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어진 이중층 구조의 산화아연 투명전도막의 비저항을 나타낸 표.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 얇은 황화아연 버퍼층 위에 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어진 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 증착한 CIGS 박막태양전지의 전류-전압 곡선과 양자 효율 곡선을 나타낸 도면.
본 발명의 일 실시예에 따른 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법은 CIGS 박막 위에 용액성장법을 이용하여 균일한 얇은 황화아연을 성장시키고, 그 위에 산화아연 투명전도막을 스퍼터링법으로 증착하면서 야기되는 손상을 최소화시키기 위해서 스퍼터링 파워를 변화시키고, 새로운 구조를 적용하는 일련의 과정을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 한 번의 용액성장법으로 균일한 얇은 황화아연 버퍼층을 성장시키고, 그 위에 산화아연 투명전도막 증착 시 스퍼터링 파워를 줄여 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 스프터링 파워를 높여 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층의 이중층 구조로 증착하는 방법은 산화아연 투명전도층 증착 시 유발되는 손상을 최소화시키는 스퍼터링법으로 상용화 공정에 적용하기 매우 용이하다.
도 1에는 본 발명의 제조방법에 따른 다층으로 이루어진 CIGS 박막태양전지의 구성을 보여주는 단면도가 개략적으로 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 CIGS 박막태양전지는 기판(1), 후면전극층인 몰리브데늄(2), 광흡수층(3)인 CIGS, 버퍼층인 황화아연(4), 이중층 구조의 산화아연 투명전도막(5,6)이 순차적으로 적층되어 있는 구조로 이루어져 있다.
기판(1)은 일반적인 태양전지의 기판으로 많이 사용되는 유리 혹은 유연성을 보이는 스테인레스, 폴리이미드 등이 사용될 수 있다.
후면전극층(2)은 태양전지에서 발생한 전기를 전달하는 기능을 하며, 몰리브데늄, 탄탈륨 등 금속을 사용할 수 있다. 후면전극층(2)의 재료로는 이에 한정되는 것은 아니지만, 몰리브데늄을 사용하는 것이 바람직하다.
광흡수층(3)인 CIGS는 진공에서 증착하는 방법, 혹은 비진공에서 전구체 물질을 증착 후 셀레늄 열처리하는 방법 등으로 제조할 수 있다.
CIGS 박막 위에 성장되는 황화아연 버퍼층(4)은 용액성장법을 이용하여 성장시킬 수 있다. 본 실시예에서는 용액성장법으로 황화아연 버퍼층을 성장하기 위한 시약으로 ZnSO4를 Zn2 + 이온의 소스로 사용하고, (NH2)2CS는 S2 - 이온의 소스로 사용하고, NH3는 complex agent로 사용한다. 상기의 시약을 증류수와 혼합한 반응용액과 기판이 담긴 반응용기를 80로 유지된 중탕용기에 넣고, 20분 동안 반응용액을 45부터 반응온도까지 승온시킨 후, 20분간 반응용액의 온도를 일정하게 유지시키면서 황화아연 버퍼층을 성장시킨다.
황화아연 버퍼층(4)은 고농도 NH3의 반응용액 조건에서 불균일핵생성이 용이해져 표면에 결함이 없고 우수하게 도포된다. 상기 반응용액의 암모니아의 농도는, 이에 한정되는 것은 아니나, 6 내지 8M 농도의 암모니아 용액인 것이 바람직하다. 반응시간을 조절함으로써 황화아연 버퍼층의 두께를 10 내지 50 nm로 조절할 수 있는데, 황화아연 물질은 전기전도도가 매우 작기 때문에 직렬저항을 줄이기 위해서 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다.
도 2에는 종래의 제조방법에 따른 다층으로 이루어진 CIGS 박막태양전지의 구성을 보여주는 단면도가 개략적으로 도시되어 있다. 도 2a는 두꺼운 황화아연 버퍼층 위에 단일층 알루미늄이 도핑된 산화아연 투명전도막을 스퍼터링법으로 증착한 경우이고, 도 2b는 얇은 황화아연 버퍼층 위에 보론이 도핑된 산화아연 투명전도막을 유기금속화확증착법으로 증착한 경우이다.
도 3에는 본 발명의 제조방법에 따른 얇은 황화아연 버퍼층(4) 위에 산화아연 투명전도층(5, 6)이 적층된 주사전자현미경(SEM)의 단면 사진이 도시되어 있다. 용액성장법으로 성장된 황화아연 버퍼층(4)은 25-30 nm의 두께로 기존의 황화카드뮴 최적 두께인 50 nm보다 얇다. 그리고 그 위에 스퍼터링법으로 증착된 150-200 nm의 산화아연 투명전도막이 균일한 두께를 보인다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 얇은 황화아연 버퍼층(4) 위에 스퍼터링법으로 산화아연 투명전도막을 증착시, 산화아연 투명전도막 증착시 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층(제 1 산화아연층, 5)과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층(제 2 산화아연층, 6)의 이중층 구조를 통하여 스퍼터링법으로 산화아연 투명전도막 증착 시 유발되는 손상을 최소화시킬 수 있다. 본 실시예에서는 얇은 황화아연 버퍼층(4) 위에 산화아연 투명전도막(5,6) 증착시 스퍼터링 파워를 줄이는 방법을 제시하며, 이런 스퍼터링 파워의 감소는 증착되는 산화아연이 황화아연 버퍼층(4)에 주는 충격의 감소에 상응한다.
제 1 산화아연층(5)은 ZnS 버퍼층이 스퍼터링법으로 증착 시 손상을 최소화하기 위해서 10 내지 50 W에서 증착한다. 10 내지 50 W로 산화아연층을 증착할 경우 스퍼터링 파워에 비례하는 증착속도가 매우 낮아지고, 비저항이 크게 증가하기 때문에 제 1 산화아연층(6)의 두께를 줄임으로써 전체 산화아연층의 증착시간을 줄이면서, 전체 산화아연층의 비저항의 증가를 최소화할 수 있다. 반대로 스퍼터링의 파워가 증가할수록 증착속도은 증가하고, 비저항은 감소하므로 제 2 산화아연층(6)은 투명전도막으로써 중요한 물성인 비저항을 줄이기 위해서 200 내지 500 W의 높은 스퍼터링 파워에서 증착한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 산화아연층(5)은 5 내 50 nm의 두께를 가지면, 제 2 산화아연층(6)은 150 내지 1000 nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 낮은 스퍼터링파워로 형성되는 제 1 산화아연층(5)이 두꺼울 경우 비저항이 증가하므로 이를 얇게 형성하고, 일단 제 1 산화아연층(5)이 형성되고 버퍼층(4)이 보호되고난 후에는 높은 스퍼터링파워로 비저항이 줄어든 제 2 산화아연층(6)을 상대적으로 두껍게 형성할 수 있다. 즉, 버퍼층(4)의 손상을 최소화하고 비저항의 증가를 최소화기 위하여 제 1 산화아연층(5)은 얇게 형성하고, 제 2 산화아연층(6)은 제 1 산화아연층(5)보다 상대적으로 두껍게 형성하는 것이다.
CIGS 태양전지 구조 특성상 투명전도막(5,6)은 빛을 투과하면서 n형의 반도체 특성을 가져야한다. 투명전도막 물질로는 인듐이 도핑된 산화주석이 있지만, 산화아연은 인듐이 도핑된 산화주석과 같이 우수한 투명전도막 특성을 보이면서 가격이 저렴하기 때문에 산화아연을 이용하는 것이 바람직하다.
n형 반도체 특성을 띄는 산화아연을 만들기 위해서는 산화아연에 알루미늄이 도핑되거나 갈륨이 도핑되어야 한다. 알루미늄 혹은 갈륨이 도핑된 산화아연 (ZnO:Al, ZnO:Ga)은 광투과도와 비저항이 모두 우수하고, 이를 스퍼터링법으로 증착하기도 매우 용이하다. 그러므로 이런 우수한 물성을 가지는 물질을 ZnS/CIGS 태양전지의 투명전도막으로 이용하면 태양전지의 비용을 줄일 수 있고, 고효율화를 달성할 수 있다.
도 4에는 본 발명의 일 실시예인 얇은 황화아연 버퍼층(4) 위에 스퍼터링 파워를 감소시키면서 산화아연 투명전도막(5)을 증착한 CIGS 박막태양전지의 전류-전압 곡선 (a)와 양자 효율 곡선 (b)가 도시되어 있다.
도 4a를 보면 산화아연 투명전도막 증착 시 스퍼터링 파워를 감소시키면 ZnS/CIGS 박막태양전지의 단락전류, 개방전압, 충실도 모두 증가되면서 효율이 증가함을 알 수 있다.
도 4b을 참조하면, 얇은 황화아연 버퍼층(4) 위에 스퍼터링 파워를 감소시킴에 따라 양자 효율 곡선에서 장파장 영역의 값이 상승한다. 이는 스퍼터링 파워의 감소에 따라 CIGS 광흡수층과 황화아연 버퍼층(4)에 가해지는 손상이 감소하는 것에 상응한다. 그래서 CIGS 태양전지의 효율 특히 단락전류를 저하시키는 결함이 감소하게 된다. 도 4b을 참조하면, 양자 효율 곡선에서 단파장 영역의 값이 모두 작은 것을 보인다. 이는 스퍼터링 파워 400 W에서 150 W까지 감소시키면 장파장 영역의 양자 효율은 증가하나 단파장 영역의 효율은 여전히 낮음을 알 수 있다. 산화아연 투명전도층(5) 증착 시 유발되는 손상을 더욱 줄이기 위해서 추가적으로 스퍼터링 파워를 줄이는 것이 바람직하지만, 스퍼터링의 파워가 감소하면 산화아연의 비저항이 증가하는 새로운 문제점이 야기된다.
본 발명의 일 실시예는 상기한 스퍼터링 파워 감소에 따른 비저항 증가의 문제점을 극복하고, 산화아연 투명전도층 증착 시 유발되는 손상을 최소화하기 위해서 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층(5)과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층(6)의 이중층 구조의 산화아연 투명전도막(5,6)을 포함한다.
도 5에는 유리기판 위에 스퍼터링 파워를 감소시켜 증착한 단일층 산화아연 투명전도막 (스퍼터링 파워: 150, 200, 400 W)과 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층(5)과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층(6)으로 이루어진 이중층 구조의 산화아연 투명전도막 (스퍼터링 파워: 50 W + 200 W)의 비저항이 정리된 표가 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 앞에서 설명한 바와 같이, 스퍼터링 파워가 감소함에 따라 산화아연의 비저항은 증가한다. 하지만 본 발명의 제조방법인 50 W + 200 W 스퍼터링 파워를 이용한 이중층 구조 산화아연의 비저항은 50 W에서 산화아연 투명전도막을 얇게 증착하기 때문에 더 이상 증가하지 않는다. 이러한 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 형성하기 위한 낮은 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 정도, 높은 스퍼터링 파워는 200 내지 500 W 정도가 바람직하다.
도 6에는 본 발명의 제조방법 중 하나의 실시예인 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 증착한 CIGS 박막태양전지의 전류-전압 곡선과 양자 효율 곡선이 도시되어 있다.
도 6a를 참조하면, 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 사용한 ZnS/CIGS 박막태양전지는 단락전류, 개방전압, 충실도 모두 증가하였고, 효율이 14.7%를 달성하였다. 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 사용함으로 단락전류이 증가하였고, 특히 개방전압이 크게 증가하였다.
도 6b를 참조하면, 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 증착한 CIGS 박막 태양전지의 양자 효율 곡선에서 단파장 영역의 값이 상승한다. 이는 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 통하여 황화아연 버퍼층과 CIGS 광흡수층에 가해지는 스퍼터링 손상을 완전히 해결하였음을 의미한다. 그 결과 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 증착한 CIGS 박막태양전지는 단락전류밀도, 개방전압, 충실도 모두 상승하였다.
상기와 같은 이중층 구조의 산화아연 투명전도막을 적용한 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법은 기존의 상용화에 용이한 스퍼터링법을 이용함으로써, 고효율과 높은 재현성을 확보할 수 있다.
본 발명의 상기 제조방법에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 기타의 과정이 추가될 수도 있으며, 이들은 모두 본 발명의 범주에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
1 : 기판
2 : 몰리브데늄 후면전극층
3 : Cu(In,Ga)Se2 광흡수층
4 : 황화아연 버퍼층
5 : 낮은 스퍼터링 파워에서 증착된 산화아연 투명전도막
6 : 높은 스퍼터링 파워에서 증착된 산화아연 투명전도막
7 : 스퍼터링법으로 증착된 알루미늄이 도핑된 산화아연 투명전도막
8 : 유기금속화확증착법으로 증착된 보론이 도핑된 산화아연 투명전도막
2 : 몰리브데늄 후면전극층
3 : Cu(In,Ga)Se2 광흡수층
4 : 황화아연 버퍼층
5 : 낮은 스퍼터링 파워에서 증착된 산화아연 투명전도막
6 : 높은 스퍼터링 파워에서 증착된 산화아연 투명전도막
7 : 스퍼터링법으로 증착된 알루미늄이 도핑된 산화아연 투명전도막
8 : 유기금속화확증착법으로 증착된 보론이 도핑된 산화아연 투명전도막
Claims (16)
- 박막태양전지를 성장시키는 기판;
상기 기판 위에 형성되는 후면 전극;
상기 후면 전극 위에 형성되는 CIGS 광흡수층;
상기 광흡수층 위에 형성되는 황화아연(ZnS) 버퍼층; 및
상기 버퍼층 위에 형성되는 투명전도막;을 포함하며,
상기 투명전도막은 낮은 스퍼터링법으로 증착하는 제 1 산화아연층 및 높은 스퍼터링법으로 증착하는 제 2 산화아연층을 포함하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 1 산화아연층의 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 이하이고,
상기 제 2 산화아연층의 스퍼터링 파워는 200 내지 500 W 이상인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 2 산화아연층은 상기 제 1 산화아연층보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 3항에 있어서,
상기 제 1 산화아연층은 5 내지 50 nm의 두께로 증착하고,
상기 제 2 산화아연층은 150 내지 1000 nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 1항에 있어서,
상기 버퍼층은 6 내지 8M 농도의 암모니아 반응용액에서 1회의 용액성장법으로 황화아연을 성장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 5항에 있어서,
상기 버퍼층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 1항에 있어서,
상기 투명전도막은 n형 반도체 특성을 띄는 산화아연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 제 7항에 있어서,
상기 산화아연은 ZnO:Al 또는 ZnO:Ga인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지.
- 기판 위에 후면전극층을 형성하는 1단계;
상기 후면전극층 위에 CIGS 광흡수층을 형성하는 2단계;
상기 광흡수층 위에 황화아연 버퍼층을 형성하는 3단계;
상기 버퍼층 위에 낮은 스프터링법으로 산화아연을 증착하는 4단계; 및
상기 4단계 이후에 높은 스퍼터링법으로 산화아연을 증착하는 5단계;를 포함하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 9항에 있어서,
상기 4단계의 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 이고,
상기 5단계의 스퍼터링 파워는 200 내지 500 W 인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 10항에 있어서,
상기 5단계의 산화아연층은 상기 4단계의 산화아연층보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 4단계의 산화아연층은 5 내지 50 nm 의 두께로 증착하고,
상기 5단계의 산화아연층은 150 내지 1000 nm 의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 9항에 있어서,
상기 3단계는 6 내지 8M 농도의 암모니아 반응용액에서 1회의 용액성장법으로 황화아연을 성장하여 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 13항에 있어서,
상기 버퍼층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 9항에 있어서,
상기 4단계 및 5단계의 산화아연은 n형 반도체 특성을 띄는 산화아연인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
- 제 15항에 있어서,
상기 산화아연은 ZnO:Al 또는 ZnO:Ga인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120037165A KR101322652B1 (ko) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120037165A KR101322652B1 (ko) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130114826A KR20130114826A (ko) | 2013-10-21 |
| KR101322652B1 true KR101322652B1 (ko) | 2013-10-29 |
Family
ID=49634637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120037165A KR101322652B1 (ko) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101322652B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101662993B1 (ko) | 2015-06-25 | 2016-10-14 | 인하대학교 산학협력단 | 스퍼터링 증착을 이용한 Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）박막의 제조방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101638462B1 (ko) * | 2015-02-27 | 2016-07-11 | 영남대학교 산학협력단 | 황화아연 박막의 제조방법 및 이를 이용한 박막태양전지 |
| KR101951019B1 (ko) * | 2018-03-23 | 2019-02-21 | 영남대학교 산학협력단 | Cigs 박막 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR102633284B1 (ko) * | 2021-11-17 | 2024-02-07 | 한국생산기술연구원 | 균열 길이 제어 가능한 금속 고분자 하이브리드 나노 구조 투명유연전극 및 그 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007317885A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| KR20110001755A (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR20110118067A (ko) * | 2010-04-22 | 2011-10-28 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 칼코겐화물 반도체 흡수체 형성 |
| KR20120018136A (ko) * | 2009-04-13 | 2012-02-29 | 미아솔 | 박막 광전지 재료를 위한 제어 가능한 나트륨 전달 방법과 장치 |
-
2012
- 2012-04-10 KR KR1020120037165A patent/KR101322652B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007317885A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| KR20120018136A (ko) * | 2009-04-13 | 2012-02-29 | 미아솔 | 박막 광전지 재료를 위한 제어 가능한 나트륨 전달 방법과 장치 |
| KR20110001755A (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR20110118067A (ko) * | 2010-04-22 | 2011-10-28 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 칼코겐화물 반도체 흡수체 형성 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101662993B1 (ko) | 2015-06-25 | 2016-10-14 | 인하대학교 산학협력단 | 스퍼터링 증착을 이용한 Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）박막의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130114826A (ko) | 2013-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20110240123A1 (en) | Photovoltaic Cells With Improved Electrical Contact | |
| JP2010087105A (ja) | 太陽電池 | |
| Sinha et al. | A review on atomic layer deposited buffer layers for Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) thin film solar cells: Past, present, and future | |
| US8283187B2 (en) | Photovoltaic device and method for making | |
| JP2005228975A (ja) | 太陽電池 | |
| US10319871B2 (en) | Photovoltaic device based on Ag2ZnSn(S,Se)4 absorber | |
| KR101322652B1 (ko) | ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 | |
| US20150027896A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING Cu2ZnSnS4-xSex (0 LESS THAN-EQUAL TO X LESS THAN-EQUAL TO 4) THIN FILM BY ONE STEP ELECTRODEPOSITION IN ELECTROLYTIC BATH CONTAINING IONIC LIQUID | |
| US8916411B1 (en) | Absorber layer for a thin film photovoltaic device with a double-graded band gap | |
| KR101870236B1 (ko) | 투명 전도 산화막 기판을 이용한 양면 czts계 태양전지의 제조방법 및 이로부터 제조된 태양전지 | |
| Saha | A status review on Cu2ZnSn (S, Se) 4-based thin-film solar cells | |
| Lakshmanan et al. | Recent advances in cuprous oxide thin film based photovoltaics | |
| US20120180858A1 (en) | Method for making semiconducting film and photovoltaic device | |
| WO2011123117A1 (en) | Photovoltaic cells with improved electrical contact | |
| JP5764016B2 (ja) | Ｃｉｇｓ膜の製法およびそれを用いるｃｉｇｓ太陽電池の製法 | |
| KR101210171B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| JP2014154762A (ja) | Ｃｉｇｓ膜の製法およびそれを用いるｃｉｇｓ太陽電池の製法 | |
| US20150087107A1 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion device | |
| US8809105B2 (en) | Method of processing a semiconductor assembly | |
| CN112071941B (zh) | 功能模组及其制备方法和应用 | |
| CN105789353B (zh) | 具有掺杂缓冲层的太阳能电池和制造太阳能电池的方法 | |
| Chander et al. | Nontoxic and earth-abundant Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film solar cells: A review on high throughput processed methods | |
| KR102057234B1 (ko) | Cigs 박막 태양전지의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 cigs 박막 태양전지 | |
| US20120080306A1 (en) | Photovoltaic device and method for making | |
| CN107735867B (zh) | 一种光伏电池及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161004 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 6 |