KR101317501B1 - Novel compound, derivatives thereof and organic electronic device using the same - Google Patents

Abstract

본 발명은 신규한 화합물, 그의 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 신규한 화합물은 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자에서 정공주입, 정공 수송, 전자 주입 및 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 본 발명에 따른 소자는 효율, 구동전압, 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.The present invention relates to a novel compound, a derivative thereof, and an organic electronic device using the same, and the novel compound according to the present invention provides hole injection, hole transport, electron injection and transport, or light emitting material in an organic electronic device including an organic light emitting device. In addition, the device according to the present invention exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, and stability.

유기전자소자 Organic electronic device

Description

신규한 화합물, 그 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자{NOVEL COMPOUND, DERIVATIVES THEREOF AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}Novel compounds, derivatives thereof, and organic electronic devices using the same {NOVEL COMPOUND, DERIVATIVES THEREOF AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 신규한 화합물, 그 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것이다.The present invention relates to novel compounds, derivatives thereof and organic electronic devices using the same.

유기전자소자란 정공 및/또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자 소자이다.An organic electronic device means an element requiring charge exchange between an electrode and an organic material using holes and / or electrons. The organic electronic device can be divided into two types according to the operation principle. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electronic device. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor that interfaces with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.

유기전자소자의 예로는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기전자소자들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor, and the like. These devices may be used as a hole injecting or transporting material, an electron injecting or transporting material, need. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail. However, in the organic electronic devices, hole injecting or transporting materials, electron injecting or transporting materials, or light emitting materials act on a similar principle.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기발광소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기발광소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to enhance the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layered structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-emission, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.

유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.A material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions. In addition, the light emitting material may be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to achieve a better natural color according to the light emitting color. On the other hand, when only one material is used as the light emitting material, the maximum emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the emission attenuation effect. In order to increase the light emitting efficiency through the light emitting material, a host / dopant system may be used.

유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기전자소자에서도 마찬가지이다.In order for the organic light emitting device to fully exhibit the above-mentioned excellent characteristics, it is supported that a material that forms the organic material layer in the device, such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc. is supported by a stable and efficient material. Although it should be preceded, the development of a stable and efficient organic material layer for an organic light emitting device has not been made yet. Therefore, development of new materials is continuously required, and the necessity of developing such materials is the same in other organic electronic devices described above.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 유기전자소자에서 정공주입, 정공 수송, 전자 주입 및 수송, 또는 발광 물질로 작용시 계면 특성 및 전하 수송 능력이 우수한 신규 화합물 및 그 유도체를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is excellent in interfacial properties and charge transport ability when acting as a hole injection, hole transport, electron injection and transport, or a light emitting material in an organic electronic device It is to provide a novel compound and derivatives thereof.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 신규 화합물 및 그 유도체를 이용하여 제조된 유기전자소자를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an organic electronic device manufactured using the novel compound and its derivatives.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 이용하여 제조된 유전자소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a compound represented by the following formula (1) and a gene device manufactured using the same.

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

X는 S, SO₂, O, 또는 NR 이고,X is S, SO ₂ , O, or NR,

Ar₁₁ 내지 Ar₁₄, Ar₃ 내지 Ar₆ 및 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C₁~C₁₂의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C₆~C₁₂의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₁~C₁₂의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₁₂의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C₁~C₃₀의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 실리콘기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 실란기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 할로겐기, 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며,Ar ₁₁ to Ar ₁₄ , Ar ₃ to Ar _6, and R 1 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C ₁ to C ₁₂ alkoxy group, a substituted or unsubstituted C ₆ to C ₁₂ aryloxy group , Substituted or unsubstituted C ₁ to C ₁₂ alkylthioxy group, substituted or unsubstituted C ₅ to C ₁₂ arylthioxy group, substituted or unsubstituted C ₁ to C ₃₀ alkylamine group, substituted or unsubstituted a C ₅ ~ C ₃₀ aryl amine group, a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ aryl group, a substituted or unsubstituted, and C ₃ ~ having a heteroatom as O, N or S C ₃₀ heteroaryl group, a substituted Or an unsubstituted silicone group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted silane group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a halogen group, an amide group and an ester group, and are adjacent to each other and an aliphatic group. To form condensed rings of aromatic, aliphatic or aromatic hetero or to form spiro bonds. It can rule

상기 R, Ar₁₁ 내지 Ar₁₄, Ar₃ 내지 Ar₆ 및 R1 내지 R8에서 상기 C₁~C₁₂의 알콕시기, C₆~C₁₂의 아릴옥시기, C₁~C₁₂의 알킬티옥시기, C₅~C₁₂의 아릴티옥시기, C₁~C₃₀의 알킬아민기, C₅~C₃₀의 아릴아민기, C₅~C₃₀의 아릴기, C₃~C₃₀의 헤테로아릴기, 실리콘기, 붕소기 또는 실란기가 치환되는 경우, 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C₁~C₃₀의 알킬기, C₂~C₃₀의 알케닐기, C₁~C₃₀의 알콕시기, C₃~C₃₀의 시클로알킬 기, 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로시클로알킬기, C₅~C₃₀의 아릴기, C₅~C₃₀의 아릴아민기 및 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환된다.In the above R, Ar _{11 To} Ar ₁₄ , Ar _{3 To} Ar ₆ And R _{1 To} R 8 The C ₁ ~ C ₁₂ alkoxy group, C ₆ ~ C ₁₂ Aryloxy group, C ₁ ~ C ₁₂ Alkylthioxy group, C ₅ to C ₁₂ arylthioxy group, C ₁ to C ₃₀ alkylamine group, C ₅ to C ₃₀ arylamine group, C ₅ to C ₃₀ aryl group, C ₃ to C ₃₀ heteroaryl group, silicone group , When a boron group or a silane group is substituted, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C ₁ to C ₃₀ alkyl group, a C ₂ to C ₃₀ alkenyl group, a C ₁ to C ₃₀ alkoxy group, C ₃ to as cycloalkyl group of C _30, heteroatoms O, N, or an aryl group of the heterocycloalkyl group of C ₃ ~ C ₃₀ having the _{S, C 5 ~ C 30,} C 5 ~ C 30 aryl amine groups and heteroatom as O, N Or a C ₃ to C ₃₀ having a S heteroaryl group.

본 발명에 따른 신규한 화합물은 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자에서 정공주입, 정공 수송, 전자 주입 및 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 본 발명에 따른 소자는 효율, 구동전압, 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.The novel compounds according to the present invention may serve as hole injection, hole transport, electron injection and transport, or light emitting materials in organic electronic devices including organic light emitting devices, and the device according to the present invention has efficiency, driving voltage, and stability. Shows excellent properties.

이하, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically.

본 발명의 일 측면은, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 관한 것이다.One aspect of the present invention relates to a compound represented by Chemical Formula 1.

본 발명에서 사용되는 치환기들의 정의는 하기와 같다.Definitions of the substituents used in the present invention are as follows.

상기 알킬기는 탄소수 1 내지 30의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.It is preferable that the alkyl group does not give a steric hindrance of 1 to 30 carbon atoms. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and heptyl.

상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 30의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하며, 구체적인 예로는 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기가 더욱 바람직하나, 이들에 한정되지 않는다.It is preferable that the cycloalkyl group does not interfere with the steric hindrance of 3 to 30 carbon atoms, and a specific example is more preferably a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, but is not limited thereto.

상기 알케닐기의 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 연결된 알케닐기가 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, alkenyl groups in which aryl groups such as stylbenyl and styrenyl are connected.

상기 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기, 파이레닐기, 페릴렌기, 플루오레닐기 및 이들의 유도체 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the aryl group include, but are not limited to, phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, biphenyl group, pyrenyl group, perylene group, fluorenyl group and derivatives thereof.

상기 아릴아민일기의 예로는 페닐아민일기, 나프틸아민일기, 비페닐아민일기, 안트라세닐아민일기, 3-메틸-페닐아민일기, 4-메틸-나프틸아민일기, 2-메틸-비페닐아민일기, 9-메틸-안트라세닐아민일기, 디페닐 아민기일기, 페닐 나프틸 아민일기, 디톨릴 아민일기, 페닐 톨릴 아민일기, 카바졸릴기 및 트리페닐 아민일기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the arylamineyl group are phenylamineyl group, naphthylamineyl group, biphenylamineyl group, anthracenylamineyl group, 3-methyl-phenylamineyl group, 4-methyl-naphthylamineyl group, 2-methyl-biphenylamine Diary, 9-methyl-anthracenylamineyl group, diphenyl amine groupyl group, phenyl naphthyl amineyl group, ditolyl amineyl group, phenyl tolyl amineyl group, carbazolyl group and triphenyl amineyl group, but are not limited thereto. .

상기 헤테로아릴기의 예로는 오각형 고리 내에 질소원자를 1개 내지 3개 포함하는 피롤기, 피라졸기, 카바졸기, 인돌기 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 벤즈이미다졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈티아졸기 등의 헤테로아릴기; 육각형 고리 내에 질소 원자를 1개 내지 3개 포함하는 피리딜기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 피라진기, 퀴놀리진기, 펜아진기, 페노티아진기, 트리아진기 등의 헤테로아릴기; 및 티오펜기, 퓨라닐기, 비피리딜기, 아크리딜기, 이소퀴놀릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the heteroaryl group include a pyrrole group, a pyrazole group, a carbazole group, an indole group imidazole group, an oxazole group, a thiazole group, a triazole group, a benzimidazole group, and a benz containing 1 to 3 nitrogen atoms in a pentagonal ring. Heteroaryl groups such as oxazole group and benzthiazole group; Heteroaryl groups such as a pyridyl group, quinoline group, isoquinoline group, pyrazine group, quinolizine group, phenazine group, phenothiazine group, triazine group and the like containing one to three nitrogen atoms in a hexagonal ring; And thiophene groups, furanyl groups, bipyridyl groups, acridil groups, isoquinolyl groups, and the like, but are not limited thereto.

상기 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the halogen group include, but are not limited to, fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 발명에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 6 중 하나로 표시되는 것이 바람직하다.In the present invention, the compound represented by Chemical Formula 1 is preferably represented by one of the following Chemical Formulas 2 to 6.

여기서 Ar₃ 내지 Ar₉는 상기 화학식 1의 Ar₃ 내지 Ar₆에 대한 정의와 같다.Wherein Ar ₃ to Ar ₉ are the same as defined for Ar ₃ to Ar ₆ of Chemical Formula 1.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 상기 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴아민기 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 C₅~C₃₀의 아릴아민기 또는 C₅~C₃₀의 아릴기가 치환되는 경우, 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C₁~C₃₀의 알킬기, C₂~C₃₀의 알케닐기, C₁~C₃₀의 알콕시기, C₃~C₃₀의 시클로알킬기, 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로시클로알킬기, C₅~C₃₀의 아릴기 및 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.In addition, in the compound represented by Formula 1, R1 to R8 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ arylamine group and a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ aryl group When selected from the group consisting of, when the C ₅ ~ C ₃₀ arylamine group or C ₅ ~ C ₃₀ aryl group is substituted, halogen atom, amino group, nitrile group, nitro group, C ₁ ~ C ₃₀ Alkyl group, C ₂ C ₃₀ -C ₃₀ alkenyl group, C ₁ -C ₃₀ alkoxy group, C ₃ -C ₃₀ cycloalkyl group, C ₃ -C ₃₀ heterocycloalkyl group having O, N or S as a hetero atom, C ₅ -C ₃₀ It is preferably selected from the group consisting of an aryl group and a C ₃ ~ C ₃₀ heteroaryl group having O, N or S as a hetero atom.

화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 1-1 내지 표 1-3에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.When Chemical Formula 1 has the following structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compounds described in Tables 1-1 to 1-3 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 2-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 2-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 3-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 3-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 4-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 4-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 5-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것 은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 5-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 6-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 6-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 7-1 내지 표 7-3에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Tables 7-1 to 7-3 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합 물은 하기 표 8-1 내지 표 8-3에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Chemical Formula 1 has a structure as follows, the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compounds described in Tables 8-1 to 8-3 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 9-1 내지 표 9-5에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Tables 9-1 to 9-9 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 10-1 내지 표 10-4에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Chemical Formula 1 has the structure as follows, the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compounds described in Tables 10-1 to 10-4, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 11-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Chemical Formula 1 has the following structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compounds described in Table 11-1 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 12-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 12-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 13-1 및 표 13-2에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 13-1 and Table 13-2, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 14-1 및 표 14-2에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Tables 14-1 and 14-2, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 15-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 15-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 16-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 16-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 17-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 17-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 18-1 및 표 18-2에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Tables 18-1 and 18-2 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 19-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 19-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 20-1 및 표 20-2에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 20-1 and Table 20-2, but is not limited to these examples.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 21-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 21-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 30-1 및 표 30-2에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Tables 30-1 and 30-2 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 35-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 35-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합 물은 하기 표 37-1 내지 표 37-3에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Chemical Formula 1 has a structure as follows, the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compounds described in Tables 37-1 to 37-3 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 310-1 내지 표 310-3에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Chemical Formula 1 has a structure as follows, the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compounds described in Tables 310-1 to 310-3 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 313-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 313-1, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 314-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 314-1 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 315-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 315-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 316-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 316-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 317-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 317-1 below, but is not limited thereto.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 318-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 318-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 319-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 319-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 화학식 1이 하기와 같은 구조인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 320-1에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, when Formula 1 has the following structure, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Table 320-1 below, but is not limited to these examples.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 표 321-1 내지 표 321-4에 기재된 화합물들을 포함할 수 있으나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by Formula 1 may include the compounds described in Tables 321-1 to 321-4, but is not limited thereto.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일반적인 제조방법은 하기 반응식 1 또는 반응식 2와 같은 순서로 제조될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A general method for preparing a compound represented by Chemical Formula 1 may be prepared in the same order as in Scheme 1 or Scheme 2, but is not limited thereto.

상기 반응식 1에서, Ar₁ 내지 Ar₈은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In Reaction Scheme 1, Ar ₁ to Ar ₈ are as defined in the formula (1).

상기 반응식 1에 따르면, [화학식 S]을 무수용매에 녹인 후 alkylbutyllithium으로 lithiation한 후 치환 또는 비치환된 9-플루오렌과 반응 시켜 알코올을 합성한다. NBS 또는 Br₂로 브로모(Bromo)기가 도입된 화합물을 합성하고, 이와 같이 합성된 브로모기가 도입된 화합물을 보론산 또는 보론에스테르화합물을 Pd 촉매 하에서 Suzuki 커플링한다. 이와 같이 제조된 화합물에 아세트산을 넣고 소량(1~2mL)의 황산을 가해 가열 교반하여 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 제조할 수 있다.According to Scheme 1, [Formula S] is dissolved in an anhydrous solvent, lithiated with alkylbutyllithium, and then reacted with substituted or unsubstituted 9-fluorene to synthesize an alcohol. A compound in which a bromo group is introduced into NBS or Br ₂ is synthesized, and a boronic acid or boron ester compound is suzuki-coupled to the compound in which the bromo group is thus introduced under a Pd catalyst. Acetic acid was added to the compound prepared as described above, and a small amount (1-2 mL) of sulfuric acid was added thereto, followed by heating and stirring to prepare a compound of Chemical Formula 1 according to the present invention.

상기 반응식 2에서, Ar₁ 내지 Ar₈은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In Scheme 2, Ar ₁ to Ar ₈ are as defined in the formula (1).

상기 반응식 2에 따르면, [화학식 S]에 보론산 또는 보론에스테르화합물을 Pd 촉매 하에서 Suzuki 커플링한다. 이와 같이 제조된 화합물 5각형의 2-위치에 alkyllithium을 사용하여 Lithiation한 후, 플루오렌과 반응시켜 알코올을 합성한다. 제조된 알코올에 아세트산을 넣고 소량(1~2mL)의 황산을 가해 가열 교반하여 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 제조할 수 있다.According to Scheme 2, Suzuki is coupled to boronic acid or a boron ester compound in the formula [S] under a Pd catalyst. Lithiation using alkyllithium at the 2-position of the compound pentagon prepared as described above is followed by reaction with fluorene to synthesize an alcohol. Acetic acid was added to the prepared alcohol, and a small amount (1-2 mL) of sulfuric acid was added thereto, followed by heating and stirring to prepare a compound of Chemical Formula 1 according to the present invention.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물들은 상기 화학식에 표시된 코어 구조에 다양한 치환체를 도입함으로써 유기 발광 소자에서 사용되는 유기물층으로 사용되기에 적합한 특성을 가질 수 있다.The compounds represented by the formula (1) may have properties suitable for use as an organic layer used in an organic light emitting device by introducing various substituents into the core structure represented by the formula.

화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1로 표시된 화합물들의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 이는 에너지 밴드 갭이 작은 성질에서부터 큰 성질을 갖는다.The conjugation length of the compound and the energy band gap are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy bandgap. As described above, since the cores of the compounds represented by Formula 1 contain limited conjugation, they have properties ranging from small energy band gaps to large properties.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기발광소자 제조 시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송층 물질들은 HOMO를 따라 정공을 전달해 줄 수 있을 만큼의 에너지 준위를 갖게 하며, 발광층으로부터 LUMO를 따라 넘어오는 전자를 막아 줄 정도의 에너지 준위를 가질 수 있는 화합물이 될 수 있다. 특히 본 화합물의 코어 구조는 전자에 안정적인 특성을 보여 소자의 수명 향상에 기여할 수 있다. 발광층 및 전자수송 증 물질에 사용되도록 치환체들을 도입하여 이루어진 유도체들은 다양한 아릴아민계 도펀트, 아릴계 도펀트, 금속을 함유한 도펀트 등에 적당한 에너지 밴드갭을 갖도록 제조가 가능하다.Further, by introducing various substituents into the core structure having the above structure, it is possible to synthesize a compound having the intrinsic characteristics of the substituent introduced. For example, the hole injection layer material and the hole transport layer material used in the manufacture of the organic light emitting device have an energy level sufficient to transfer holes along the HOMO, and an energy level sufficient to block electrons passing along the LUMO from the light emitting layer. It may be a compound which may have. In particular, the core structure of the present compound shows stable properties to the electrons and may contribute to improving the life of the device. Derivatives made by introducing substituents to be used in the light emitting layer and the electron transport increasing material may be manufactured to have an appropriate energy band gap in various arylamine dopants, aryl dopants, metal dopants, and the like.

또한, 상기 코어구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드 갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.Further, by introducing various substituent groups into the core structure, it is possible to finely control the energy band gap, and the characteristics at the interface between the organic materials can be improved and the use of the materials can be diversified.

한편, 상기 화학식 1의 화합물들은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.On the other hand, the compounds of Formula 1 have a high glass transition temperature (Tg) is excellent in thermal stability. This increase in thermal stability is an important factor in providing drive stability to the device.

본 발명의 두 번째 측면은 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자에 관한 것이다.A second aspect of the present invention is an organic electrical device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers is represented by Formula 1 It is related with the organic electric element characterized by including the compound represented by.

상기 화학식 1의 화합물들은 유기 발광 소자의 제조 시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀코팅, 딥코팅, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. Compounds of Chemical Formula 1 may be formed as an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the manufacture of the organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

본 발명의 유기전자소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물들을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic electronic device of the present invention may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound of the present invention, that is, the compounds of Formula 1.

본 발명의 유기전자소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기전자소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전 자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기전자소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. The organic material layer of the organic electronic device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic electronic device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a total self-injection layer and the like as an organic material layer. However, the structure of the organic electronic device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers.

따라서, 본 발명의 유기전자소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함할 수 있고, 이 정공주입층 및 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.Therefore, in the organic electronic device of the present invention, the organic material layer may include a hole injection layer and a hole transport layer, the hole injection layer and the hole transport layer may include a compound represented by the formula (1).

또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 이 발광층이 상기화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.

이와 같은 다층 구조의 유기물층에서 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 정공주입/정공수송과 발광을 동시에 하는 층, 정공수송과 발광을 동시에 하는 층, 또는 전자수송과 발광을 동시에 하는 층 등에 포함될 수 있다.In the organic layer of the multilayer structure, the compound of Chemical Formula 1 may be included in a light emitting layer, a layer simultaneously performing hole injection / hole transport and light emission, a layer simultaneously performing hole transport and light emission, or a layer simultaneously performing electron transport and light emission.

예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 도 4에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.For example, the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in Figs. 1 to 4, but is not limited thereto.

도 1에는 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층(105)에 포함될 수 있다.FIG. 1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 102, a light emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the light emitting layer 105.

도 2에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공주입/정공수송 및 발광층(105), 전자수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 정공주입/정공수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.2 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 102, a hole injection / hole transport and emission layer 105, an electron transport layer 106, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the hole injection / hole transport and the light emitting layer 105.

도 3에는 기판(101), 양극(102), 정공주입층(103), 정공수송 및 발광 층(105), 전자수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 상기 화학식 1의 화합물은 정공주입/정공수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.3 illustrates a structure of an organic light emitting device in which a substrate 101, an anode 102, a hole injection layer 103, a hole transport and emission layer 105, an electron transport layer 106, and a cathode 107 are sequentially stacked. Is illustrated. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the hole injection / hole transport and the light emitting layer 105.

도 4에는 기판(101), 양극(102), 정공주입층(103), 정공수송층(104), 전자수송 및 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 전자수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.4 illustrates a structure of an organic light emitting device in which a substrate 101, an anode 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, an electron transport and a light emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked. It is. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the electron transport and the light emitting layer 105.

예컨대, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present invention may be formed by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal oxide or a metal oxide having conductivity on the substrate, To form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer is formed on the anode, and a material which can be used as a cathode is deposited thereon. In addition to the above method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multi-layer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure. The organic material layer may be formed using a variety of polymeric materials by a method such as a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, Layer.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수 가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO₂:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸화합물의), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)화합물의](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the cathode material, a material having a large work function is generally preferred to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO _2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methyl compounds), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) compounds] (PEDT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO₂/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO ₂ / Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고화합물의, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리화합물의 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligo-compound, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based Organic compounds, anthraquinones and polyaniline and poly-compounds of conductive polymers, and the like, but are not limited thereto.

상기 정공수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발 광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transport material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to be transferred to the light emitting layer is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq₃); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq ₃ ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq₃를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq ₃ ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.

본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

본 발명에 따른 화합물은 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors, and the like.

따라서, 상기 유기 전기 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.Therefore, the organic electric device may be selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphorescent device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.

이하, 실시예를 통하여 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물들의 제조 방법 및 이들을 이용한 유기전기소자의 제조 방법 및 성능에 대하여 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 설명을 위한 것이며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the method of preparing the compounds represented by Chemical Formula 1 of the present invention and the method and performance of the organic electric device using the same will be described in detail through Examples. However, the following examples are for illustrative purposes only, and the scope of the present invention is not limited by the following examples.

실시예에 있어서 평가 방법은 하기와 같다.The evaluation method in the examples is as follows.

1. 구동전압: Kethley 236(source measure unit)을 사용하여 측정1. Driving voltage: measured using Kethley 236 (source measure unit)

2. 전류효율: SpectraScan Pr-650을 사용하여 측정2. Current efficiency: measured using SpectraScan Pr-650

3. 색좌표: SpectraScan Pr-650을 사용하여 측정3. Color Coordinates: Measured using SpectraScan Pr-650

<< 실시예Example >>

제조예Manufacturing example

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 일반적으로 다단계 화학 반응으로 제조될 수 있다. 즉, 일부 중간체 화합물이 먼저 제조되고, 그 중간체 화합물들로부터 화학식 1의 화합물이 제조된다. 예증적인 중간체 화합물들은 하기 표에 실려 있는 화합물들이다.The compound represented by formula (1) according to the present invention can be generally prepared by a multistage chemical reaction. That is, some of the intermediate compounds are first prepared, and the compounds of formula (1) are prepared from the intermediate compounds. Illustrative intermediate compounds are those listed in the following table.

제조예Manufacturing example 1 One

1. 화합물 A-1의 제조1. Preparation of Compound A-1

2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane(10 g, 18.0 mmol), 3-bromobenzthiophene(3.8 g, 18.0 mmol) 및 탄산나트륨(5.0 g, 35.9 mmol)을 테트라히드로퓨란(300 mL) 및 물(100 mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.4 g, 0.36 mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 혼합물을 환류에서 약 24 시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 생성된 고체를 여과한 THF/EtOH로 정제하여 화합물 A-1(5.6 g, 수율 56 %)를 제조하였다.2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5, tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (10 g, 18.0 mmol), 3-bromobenzthiophene (3.8 g , 18.0 mmol) and sodium carbonate (5.0 g, 35.9 mmol) were suspended in a mixture of tetrahydrofuran (300 mL) and water (100 mL). Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g, 0.36 mmol) was added to the suspension. The mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The resulting solid was purified by filtered THF / EtOH to give compound A-1 (5.6 g, yield 56%).

MS [M+H]⁺ = 563MS [M + H] ⁺ = 563

2. 화합물 B-1의 제조2. Preparation of Compound B-1

상기 1에서 합성한 화합물 A-1(5.6 g, 10 mmol)을 질소 분위기하에서 무수 THF(100mL)를 넣고, -78^oC로 반응 온도를 유지하였다. n-BuLi(2.5M in HEX, 4.7mL, 12mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 fluorenone(1.8 g, 10 mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기 층을 건조시킨 후, 에틸에테르를 가해 교반시켜 고체화합물을 얻었다.Compound A-1 (5.6 g, 10 mmol) synthesized in the above 1 was added with anhydrous THF (100 mL) under a nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at −78 ^° C. n-BuLi (2.5 M in HEX, 4.7 mL, 12 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, fluorenone (1.8 g, 10 mmol) was added to the reaction mixture and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. After drying the organic layer with anhydrous magnesium sulfate, ethyl ether was added and stirred to obtain a solid compound.

3. 화합물 7-2-1 의 제조3. Preparation of Compound 7-2-1

상기 2에서 얻은 화합물 B-1를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 50mL를 가 해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80도에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물 7-1-1(6.6 g, 수율 91 %)를 제조하였다. Compound B-1 obtained in the above 2 was no longer purified, but 50 mL of acetic acid was added and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the yellow solid produced by cooling to room temperature was filtered, washed with water and ethanol and dried to prepare compound 7-1-1 (6.6 g, 91% yield).

MS [M+H]⁺ = 725MS [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 725

제조예Manufacturing example 2 2

1. 화합물 A-2의 제조1. Preparation of Compound A-2

페닐 보론산(phenyl boronic acid)(3.4 g, 11.8 mmol), 3-브로모벤즈티오펜 (2.13 g, 10.0 mmol), 및 탄산나트륨(2.8 g, 20.0 mmol)을 테트라히드로퓨란(100 mL) 및 물(50 mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 (0.1 g, 0.1 mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 혼합물을 환류에서 약 24 시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 생성된 고체를 여과한 THF/EtOH로 정제하여 화합물 A-2 (2.5 g, 수율 67%)를 제조하였다.Phenyl boronic acid (3.4 g, 11.8 mmol), 3-bromobenzthiophene (2.13 g, 10.0 mmol), and sodium carbonate (2.8 g, 20.0 mmol) were added to tetrahydrofuran (100 mL) and water. (50 mL) was suspended in a mixture. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.1 g, 0.1 mmol) was added to the suspension. The mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The resulting solid was purified by filtered THF / EtOH to give compound A-2 (2.5 g, yield 67%).

MS [M+H]⁺ =376MS [M + H] ⁺ = 376

2. 화합물 B-2의 제조2. Preparation of Compound B-2

질소분위기 하에서 상기 화합물 A-2(2.5 g, 6.7 mmol)을 정제된 THF(40 ㎖)에 녹이고 -78 ?로 냉각한 후 터셔리-부틸리튬(7.9 ㎖, 1.7 M 펜탄용액, 13.4 mmol)을 천천히 가하였다. 동일 온도에서 40 분간 교반한 후 2,7-di(2-naphthyl)fluorenone(2.9 g, 6.7 mmol)을 동일온도에서 고체상태로 적가하였다. 냉각용기를 제거한 후 반응물을 상온에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액(40 ㎖)를 천천히 가하여 주고 40 분간 상온에서 교반하였다. 이 물질을 진공 건조하여 알코올화합물 B-2(4.4 g, 수율 82 %)를 제조하였다.Compound A-2 (2.5 g, 6.7 mmol) was dissolved in purified THF (40 mL) under nitrogen atmosphere, cooled to -78 ° C and then tert-butyllithium (7.9 mL, 1.7 M pentane solution, 13.4 mmol) was added. Slowly added. After stirring for 40 minutes at the same temperature, 2,7-di (2-naphthyl) fluorenone (2.9 g, 6.7 mmol) was added dropwise to the solid state at the same temperature. After removing the cooling vessel, the reaction was stirred at room temperature for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution (40 mL) was slowly added to the reaction mixture, which was then stirred at room temperature for 40 minutes. This material was dried in vacuo to prepare alcohol compound B-2 (4.4 g, yield 82%).

3. 화합물 12-1-10 의 제조3. Preparation of Compound 12-1-10

상기 2에서 얻은 고체화합물 B-2(4.4 g, 6.7 mmol)를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 50 mL를 가해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80도에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물 12-1-10(4.0 g, 수율 93 %)를 제조하였다. Solid compound B-2 (4.4 g, 6.7 mmol) obtained in the above 2 was no longer purified, but 50 mL of acetic acid was added thereto and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the yellow solid produced by cooling to room temperature was filtered, washed with water and ethanol and dried to prepare compound 12-1-10 (4.0 g, yield 93%).

MS [M+H]⁺ = 790MS [M + H] ⁺ = 790

제조예Manufacturing example 3 3

1. 화합물 A-3의 제조1. Preparation of Compound A-3

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 pyren-1-yl-1-boronic acid(8.8 g, 36.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응시켜 화합물 A-3(10.5 g, 수율 87 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, Instead of reacting in the same manner except using pyren-1-yl-1-boronic acid (8.8 g, 36.0 mmol) Compound A-3 (10.5 g, 87% yield) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 335MS [M + H] ⁺ = 335

2. 화합물 B-3의 제조2. Preparation of Compound B-3

상기 제조예 1의 B-1의 제조예에 있어서, 화합물 A-1 대신에 화합물 A-3(3.3 g, 10 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-3(4.8 g, 수율 94 %)을 제조하였다In Preparation Example B-1 of Preparation Example 1, except that Compound A-3 (3.3 g, 10 mmol) was used instead of Compound A-1, and reacted in the same manner to obtain Compound B-3 (4.8 g, yield) 94%) was prepared)

3. 화합물 9-4-1의 제조3. Preparation of Compound 9-4-1

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-3(4.8 g, 9.3 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 9-4-1(3.0 g, 수율 65 %)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 9-4-1 was reacted in the same manner except that Compound B-3 (4.8 g, 9.3 mmol) was used instead of Compound B-1. (3.0 g, yield 65%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 497MS [M + H] ⁺ = 497

제조예Manufacturing example 4 4

1. 화합물 B-4의 제조1. Preparation of Compound B-4

상기 제조예 1에 있어서, 화합물 A-1 대신에 화합물 A-3(3.3 g, 10 mmol)를 사용하고, 상기 화합물 B-3의 fluorenone 대신에 2,7-di(2-naphthyl)fluorenone(4.3 g, 10 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-4(6.0 g, 수율 78 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, Compound A-3 (3.3 g, 10 mmol) was used instead of Compound A-1, and 2,7-di (2-naphthyl) fluorenone (4.3 instead of fluorenone of Compound B-3 was used. Except for using g, 10 mmol), the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 to obtain Compound B-4 (6.0 g, yield 78%).

2. 화합물 9-4-3의 제조2. Preparation of Compound 9-4-3

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-4(4.8 g, 9.3 mmol)를 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 9-4-3(4.5 g, 수율 65 %)를 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 9-4-3 was reacted in the same manner except for using Compound B-4 (4.8 g, 9.3 mmol) instead of Compound B-1. (4.5 g, yield 65%) was prepared.

제조예Manufacturing example 5 5

1. 화합물 B-5의 제조1. Preparation of Compound B-5

상기 제조예 3에 있어서, 상기 화합물 B-3의 fluorenone 대신에 2,7-bi(diphenylamino)fluorenone(5.1 g, 10 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-5(4.6 g, 수율 54 %)을 제조하였다.In Preparation Example 3, except that 2,7-bi (diphenylamino) fluorenone (5.1 g, 10 mmol) was used instead of fluorenone of Compound B-3, to prepare Compound B-1 of Preparation Example 1 In the same manner as the reaction to Compound B-5 (4.6 g, yield 54%) was prepared.

2. 화합물 9-4-6의 제조2. Preparation of Compound 9-4-6

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-5(4.6 g, 5.4 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 9-4-6(3.6 g, 수율 77 %)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 9-4-6 was reacted in the same manner except that Compound B-5 (4.6 g, 5.4 mmol) was used instead of Compound B-1. (3.6 g, yield 77%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 831MS [M + H] ⁺ = 831

제조예Manufacturing example 6 6

1. 화합물 A-4의 제조1. Preparation of Compound A-4

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 1-나프틸보론산(17.2 g, 10.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-4(19.8 g, 수율 76 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, Instead of using 1-naphthylboronic acid (17.2 g, 10.0 mmol) in the same manner as a reaction to prepare a compound A-4 (19.8 g, yield 76%).

MS [M+H]⁺ = 261MS [M + H] ⁺ = 261

2. 화합물 B-6의 제조2. Preparation of Compound B-6

상기 제조예 3에 있어서, 상기 화합물 B-3의 fluorenone 대신에 2,7-bi(diphenylamino)fluorenone(5.2 g, 20 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-6(10.7 g, 수율 69 %)을 제조하였다.In Preparation Example 3, except that 2,7-bi (diphenylamino) fluorenone (5.2 g, 20 mmol) was used instead of fluorenone of Compound B-3, to prepare Compound B-1 of Preparation Example 1 In the same manner as the reaction to Compound B-6 (10.7 g, yield 69%) was prepared.

3. 화합물 18-2-16의 제조3. Preparation of Compound 18-2-16

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-6(10.7 g, 13.8 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 18-2-16(9.4 g, 수율 68%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 18-2-16 was reacted in the same manner except for using Compound B-6 (10.7 g, 13.8 mmol) instead of Compound B-1. (9.4 g, yield 68%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 757MS [M + H] ⁺ = 757

제조예Manufacturing example 7 7

1. 화합물 A-7의 제조1. Preparation of Compound A-7

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 1-나프틸보론산(5.1 g, 10.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-7( 4.5 g, 수율 88 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5, -tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Compound A-7 (4.5 g, yield 88%) was prepared by reaction in the same manner except that 1-naphthylboronic acid (5.1 g, 10.0 mmol) was used instead.

MS [M+H]⁺ = 513MS [M + H] ⁺ = 513

2. 화합물 B-7의 제조2. Preparation of Compound B-7

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물A-7(4.5 g, 6.5 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-7(6.0g, 수율 93 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-7 (4.5 g, 6.5 mmol) was used instead of Compound A-1, the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 Compound B-7 (6.0 g, 93% yield) was prepared.

3. 화합물 20-2-21의 제조3. Preparation of Compound 20-2-21

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-7(6.0 g, 8.7 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 20-2-21(5.3 g, 수율 90%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 20-2-21 was reacted in the same manner except for using Compound B-7 (6.0 g, 8.7 mmol) instead of Compound B-1. (5.3 g, yield 90%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 675MS [M + H] ⁺ = 675

제조예Manufacturing example 8 8

1. 화합물 A-8의 제조1. Preparation of Compound A-8

3-Bromobenzthiophene(5.5 g, 25.8 mmol)을 질소 분위기하에서 무수 THF(100mL)를 넣고, -78^oC로 반응 온도를 유지하였다. N-BuLi(2.5M in HEX, 10.3mL, 25.8 mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 fluorenone(4.6 g, 25.8 mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기 층을 건조 시켜 liquid인 혼합물을 얻었으며, EA/HEX =1/7 용매로 전개하여 관크로마토그래피 정제하여 화합물 A-8(3.8 g, 수율 46.8 %)를 제조하였다.3-Bromobenzthiophene (5.5 g, 25.8 mmol) was added anhydrous THF (100 mL) under nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at -78 ^° C. N-BuLi (2.5M in HEX, 10.3 mL, 25.8 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, fluorenone (4.6 g, 25.8 mmol) was added to the reaction mixture and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate to obtain a liquid mixture. Compound A-8 (3.8 g, yield 46.8%) was prepared by column chromatography using EA / HEX = 1/7 solvent.

MS [M+H-H₂O]⁺ = 299MS [M + HH ₂ O] ⁺ = 299

2. 화합물 B-8의 제조2. Preparation of Compound B-8

상기 1에서 제조한 화합물 A-8 (3.8 g, 12.1 mmol)을 클로로포름 60mL에 녹인 후, NBS(2.15g, 12.1mmol)을 가해 2시간 동안 상온에서 교반하였다. 물 100mL를 가해 유기층을 씻어 준 후, 층 분리하고, 이어서 무수 황산마그네슘으로 건조하였다. EA/HEX =1/7 용매로 전개하여 관크로마토그래피 정제하여 화합물 B-8(6.1g, 수율 87%)을 얻었다.Compound A-8 (3.8 g, 12.1 mmol) prepared in 1 was dissolved in 60 mL of chloroform, and NBS (2.15 g, 12.1 mmol) was added thereto, followed by stirring at room temperature for 2 hours. 100 mL of water was added, the organic layer was washed, the layers were separated, and then dried over anhydrous magnesium sulfate. Compound B-8 (6.1 g, yield 87%) was obtained by column chromatography using EA / HEX = 1/7 solvent.

MS [M]⁺ = 393MS [M] ⁺ = 393

제조예Manufacturing example 9 9

1. 화합물 A-9 의 제조1. Preparation of Compound A-9

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 4,4,5,5-tetramethyl-2-(4-(10-(naphthalen-1-yl)anthracen-9-yl)phenyl)-1,3,2-dioxaborolane (5.1 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 상기 화합물 B-8(3.5 g, 8.9 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-9( 2.8 g, 수율 46 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5, -tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Instead of 4,4,5,5-tetramethyl-2- (4- (10- (naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) phenyl) -1,3,2-dioxaborolane (5.1 g, 10.0 mmol ) Was reacted in the same manner except for using Compound B-8 (3.5 g, 8.9 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene to prepare Compound A-9 (2.8 g, yield 46%).

MS [M+H]⁺ = 693MS [M + H] ⁺ = 693

2. 화합물 19-1-18의 제조2. Preparation of Compound 19-1-18

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 A-9(2.8 g, 4.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 19-1-18(1.2 g, 수율 43%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 19-1-18 was reacted in the same manner except for using Compound A-9 (2.8 g, 4.0 mmol) instead of Compound B-1. (1.2 g, yield 43%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 675MS [M + H] ⁺ = 675

제조예Manufacturing example 10 10

1. 화합물 B-9의 제조 1. Preparation of Compound B-9

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2- anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 화합물 S-1(5.8 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 상기 화합물 B-8(3.5 g, 8.9 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-9(5.0 g, 수율 73 %)을 제조하였다.In Production Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, Instead of reacting Compound S-1 (5.8 g, 10.0 mmol) with Compound B-8 (3.5 g, 8.9 mmol) in place of 3-Bromobenzthiophene, Compound B-9 (5.0 g, Yield 73%) was prepared.

MS [M+H-H₂O]⁺ = 751MS [M + HH ₂ O] ⁺ = 751

2. 화합물 16-1-21 의 제조2. Preparation of Compound 16-1-21

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-9(5.0 g, 6.5 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 16-1-21(4.2 g, 수율 87%)을 제조하였다.In the Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 16-1-21 was reacted in the same manner except for using Compound B-9 (5.0 g, 6.5 mmol) instead of Compound B-1. (4.2 g, yield 87%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 751MS [M + H] ⁺ = 751

제조예Manufacturing example 10 10

1. 화합물 B-10의 제조1. Preparation of Compound B-10

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 1-나프틸보론산(4.6 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 상기 화합물 B-8(3.5 g, 8.9 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-10(3.8 g, 수율 67 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5, -tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane , Instead of 1-naphthylboronic acid (4.6 g, 10.0 mmol), in the same manner except for using the compound B-8 (3.5 g, 8.9 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene Compound B-10 ( 3.8 g, yield 67%) was prepared.

MS [M+H-H₂O]⁺ = 625MS [M + HH ₂ O] ⁺ = 625

2. 화합물 16-1-31의 제조2. Preparation of Compound 16-1-31

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합 물 B-10(3.8 g, 6.1 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 16-1-31(3.5 g, 수율 93%)을 제조하였다.In the preparation of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, except that Compound B-10 (3.8 g, 6.1 mmol) was used in place of Compound B-1 and reacted in the same manner to Compound 16-1- 31 (3.5 g, 93% yield) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 625MS [M + H] ⁺ = 625

제조예Manufacturing example 11 11

1. 화합물 A-12 의 제조1. Preparation of Compound A-12

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 2-Benzofuranboronic acid(1.6 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene(4.5 g, 8.9 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-12( 4.1 g, 수율 84 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5, -tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane , Instead of 2-Benzofuranboronic acid (1.6 g, 10.0 mmol) and 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene (4.5 g, 8.9 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene to react Compound A- 12 (4.1 g, yield 84%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 547MS [M + H] ⁺ = 547

2. 화합물 B-20 의 제조2. Preparation of Compound B-20

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물 A-12(4.1 g, 7.5 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-12(3.7 g, 수율 67 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-12 (4.1 g, 7.5 mmol) was used instead of Compound A-1, the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 Compound B-12 (3.7 g, yield 67%) was prepared.

3. 화합물 8-2-10의 제조3. Preparation of Compound 8-2-10

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-20(3.7 g, 5.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 8-2-10(3.5 g, 수율 93%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 8-2-10 was reacted in the same manner except that Compound B-20 (3.7 g, 5.0 mmol) was used instead of Compound B-1. (3.5 g, 93% yield) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 709MS [M + H] ⁺ = 709

제조예Manufacturing example 12 12

1. 화합물 A-13의 제조1. Preparation of Compound A-13

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane 대신에 2-Benzofuranboronic acid(1.6 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 9-(4-bromo)-10-(1-naphthyl)anthracene(4.6 g, 10.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-13(4.7 g, 수율 94 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane In the same manner except for using 2-Benzofuranboronic acid (1.6 g, 10.0 mmol) and 9- (4-bromo) -10- (1-naphthyl) anthracene (4.6 g, 10.0 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene The reaction was carried out to prepare Compound A-13 (4.7 g, 94% yield).

MS [M+H]⁺ = 497MS [M + H] ⁺ = 497

2. 화합물 B-13의 제조2. Preparation of Compound B-13

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물 A-21(4.7 g, 9.5 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-13(5.7 g, 수율 88 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-21 (4.7 g, 9.5 mmol) was used instead of Compound A-1, the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 Compound B-13 (5.7 g, yield 88%) was prepared.

3. 화합물 16-1-47의 제조3. Preparation of Compound 16-1-47

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-13(5.7 g, 8.4 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 16-1-47(4.0 g, 수율 72%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 16-1-47 was reacted in the same manner except for using Compound B-13 (5.7 g, 8.4 mmol) instead of Compound B-1. (4.0 g, 72% yield) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 659MS [M + H] ⁺ = 659

제조예Manufacturing example 13 13

1. 화합물 A-14의 제조1. Preparation of Compound A-14

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane 대신에 2-Benzofuranboronic acid(1.6 g, 10.0 mmol)를, 3-Bromobenzthiophene 대신에 9-(4-bromo)-10-(1-naphthyl)anthracene(5.4 g, 10.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-14( 2.6 g, 수율 48 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane In the same manner except for using 2-Benzofuranboronic acid (1.6 g, 10.0 mmol) and 9- (4-bromo) -10- (1-naphthyl) anthracene (5.4 g, 10.0 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene The reaction was carried out to prepare Compound A-14 (2.6 g, 48% yield).

MS [M+H]⁺ = 573MS [M + H] ⁺ = 573

2. 화합물 B-22의 제조2. Preparation of Compound B-22

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물 A-14(2.6 g, 4.5 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-14(1.9 g, 수율 56 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-14 (2.6 g, 4.5 mmol) was used instead of Compound A-1, the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 Compound B-14 (1.9 g, yield 56%) was prepared.

3. 화합물 16-1-54의 제조3. Preparation of Compound 16-1-54

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-22(1.9 g, 2.5 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물(1.5 g, 수율 82 %)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound B-22 (1.9 g, 2.5 mmol) was used instead of Compound B-1 to react in the same manner to obtain a compound (1.5 g, yield). 82%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 735MS [M + H] ⁺ = 735

제조예Manufacturing example 14 14

1. 화합물 A-14 의 제조1. Preparation of Compound A-14

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane 대신에 2-Benzofuranboronic acid(1.6 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 9-(4-bromo)-10-(1-naphthyl)anthracene(4.1 g, 10.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-14(3.4 g, 수율 76 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane In the same manner except for using 2-Benzofuranboronic acid (1.6 g, 10.0 mmol) and 9- (4-bromo) -10- (1-naphthyl) anthracene (4.1 g, 10.0 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene The reaction was carried out to prepare Compound A-14 (3.4 g, 76% yield).

MS [M+H]⁺ = 447MS [M + H] ⁺ = 447

2. 화합물 B-14의 제조2. Preparation of Compound B-14

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물 A-30(3.4 g, 7.6 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-14(2.8 g, 수율 59%)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-30 (3.4 g, 7.6 mmol) was used instead of Compound A-1, the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 Compound B-14 (2.8 g, yield 59%) was prepared.

3. 화합물 16-1-62의 제조3. Preparation of Compound 16-1-62

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-14(2.8 g, 4.7 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 16-1-62 (2.2 g, 수율 77 %)을 제조하였다.In the preparation of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, except that Compound B-14 (2.8 g, 4.7 mmol) was used in place of Compound B-1 and reacted in the same manner to Compound 16-1-62 (2.2 g, yield 77%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 609MS [M + H] ⁺ = 609

제조예Manufacturing example 15 15

1. 화합물 A-15의 제조1. Preparation of Compound A-15

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane 대신에 2-Benzofuranboronic acid(1.6 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 9-(4-bromo)-10-(1-naphthyl)anthracene(4.3 g, 10.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-15(3.9 g, 수율 84 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane In the same manner except for 2-Benzofuranboronic acid (1.6 g, 10.0 mmol) and 9- (4-bromo) -10- (1-naphthyl) anthracene (4.3 g, 10.0 mmol) instead of 3-Bromobenzthiophene The reaction was carried out to prepare Compound A-15 (3.9 g, 84% yield).

MS [M+H]⁺ = 464MS [M + H] ⁺ = 464

2. 화합물 B-30의 제조2. Preparation of Compound B-30

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물A-15(3.9 g, 8.4 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-15(2.7 g, 수율 50 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-15 (3.9 g, 8.4 mmol) was used instead of Compound A-1, the reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 1 Compound B-15 (2.7 g, yield 50%) was prepared.

2. 화합물 16-1-63의 제조2. Preparation of Compound 16-1-63

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-15(2.7 g, 5.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 16-1-63(1.6 g, 수율 51 %)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 16-1-63 was reacted in the same manner except for using Compound B-15 (2.7 g, 5.0 mmol) instead of Compound B-1. (1.6 g, yield 51%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 626MS [M + H] ⁺ = 626

제조예Manufacturing example 16 16

1. 화합물 A-16의 제조1. Preparation of Compound A-16

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane 대신에 9-phenanthreneboronic acid(10.0 g, 45.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 A-16(10.0 g, 수율 72 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane To react with the same method as 9-phenanthreneboronic acid (10.0 g, 45.0 mmol) in the compound A-16 (10.0 g, yield 72%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 311MS [M + H] ⁺ = 311

2. 화합물 B-16의 제조2. Preparation of Compound B-16

상기 제조예 1에 있어서, 상기 화합물 A-1 대신에, 상기 화합물 A-17(10.0 g, 32.2 mmol)과 2,7-di(2-naphthyl)fluorenone(13.8 g, 32.2 mmol)을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1의 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-16(18.7 g, 수율 78 %)을 제조하였다.In Preparation Example 1, except that Compound A-17 (10.0 g, 32.2 mmol) and 2,7-di (2-naphthyl) fluorenone (13.8 g, 32.2 mmol) were used instead of Compound A-1. Then, the compound B-16 (18.7 g, yield 78%) was prepared by the same method as the preparation method of compound B-1 of Preparation Example 1.

2. 화합물 14-2-3의 제조2. Preparation of Compound 14-2-3

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-16(18.7 g, 25.17mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 14-2-3(17.2 g, 수율 94%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 14-2-3 was reacted in the same manner except that Compound B-16 (18.7 g, 25.17 mmol) was used instead of Compound B-1. (17.2 g, yield 94%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 725MS [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 725

제조예Manufacturing example 17 17

1. 화합물 A-17 의 제조1. Preparation of Compound A-17

상기 제조예 1의 A-1의 제조예에 있어서, 2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 대신에 화합물 2,2'-(1,5-naphthalenediyl)-bis[4,4,5,5-tetramethyl-1,3-2-dioxaborolane](3.8 g, 10.0 mmol)을, 3-Bromobenzthiophene 대신에 상기 화합물 B-8(8.64 g, 22.0 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 B-17(4.29 g, 수율 57 %)을 제조하였다.In Preparation Example A-1 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5, -tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane , Instead of compound 2,2 '-(1,5-naphthalenediyl) -bis [4,4,5,5-tetramethyl-1,3-2-dioxaborolane] (3.8 g, 10.0 mmol), instead of 3-Bromobenzthiophene Compound B-17 (4.29 g, yield 57%) was prepared by reaction in the same manner except that Compound B-8 (8.64 g, 22.0 mmol) was used.

2. 화합물 321-4-2의 제조2. Preparation of Compound 321-4-2

상기 제조예 1의 화합물 7-1-1의 제조예에 있어서, 화합물 B-1 대신에 화합물 B-17(4.29 g, 5.7 mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 321-4-2 (4.1 g, 수율 88%)을 제조하였다.In Preparation Example of Compound 7-1-1 of Preparation Example 1, Compound 321-4-2 was reacted in the same manner except that Compound B-17 (4.29 g, 5.7 mmol) was used instead of Compound B-1. (4.1 g, yield 88%) was prepared.

MS [M+H]⁺ = 717MS [M + H] ⁺ = 717

<< 실험예Experimental Example 1-1> 1-1>

ITO(indium tin oxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔(Fischer Co.)사의 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어(Millipore Co.)사 제품의 필터(Filter)로 2 차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) thin film with a thickness of 1500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co.'s product was used as a detergent, and distilled water was filtered secondly as a filter of Millipore Co.'s product. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated 10 times with distilled water twice. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. The substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexanitrile hexaazatriphenylene)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 NPB(400Å)를 진공증착한 후 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer. NPB (400 Å), which is a hole transporting material, was vacuum deposited thereon, and a host H1 and a dopant D1 compound were vacuum deposited as a light emitting layer to a thickness of 300 Å.

상기 발광층 위에 상기 실시예에서 제조한 화합물 16-1-63을 200Å의 두께로 진공증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자주입 및 수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께의 리튬 플루라이드 (LiF)와 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.Compound 16-1-63 prepared in Example was vacuum-deposited on the emission layer to a thickness of 200 kPa to form an electron injection and transport layer. A cathode was formed by sequentially depositing 12 Å thick lithium fluoride (LiF) and 2000 Å thick aluminum on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3~7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å / sec, the lithium fluoride was 0.2 Å / sec, and the aluminum was maintained at a deposition rate of 3-7 Å / sec.

<< 실험예Experimental Example 1-2> 1-2>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 실시예에서 제조한 화합물 16-1-63 대신 화합물 15-1-63 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 15-1-63 instead of the compound 16-1-63 prepared in the above Example 1-1 on the light emitting layer in the experiment was the same.

<< 실험예Experimental Example 1-3> 1-3>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 실시예에서 제조한 화합물 16-1-63 대신 화합물 15-1-64 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 15-1-64 instead of the compound 16-1-63 prepared in the above Example 1-1 on the light emitting layer in the experiment was the same.

<< 비교예Comparative Example 1> 1>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 실시예에서 제조한 화합물 16-1-63 대신 하기 Alq₃를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except that Alq ₃ was used in place of Compound 16-1-63 prepared in Example in Experimental Example 1-1, except that Alq ₃ was used.

상기 실험예 1-1, 1-2, 1-3과 같이 각각의 화합물을 전자 주입 및 수송 층 물질로 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 실험한 결과를 하기 결과표 1에 나타내었다.Experimental results of the organic light emitting device manufactured by using each compound as the electron injection and transport layer material as in Experimental Examples 1-1, 1-2, and 1-3 are shown in Table 1 below.

상기 결과 표 1 에서 볼 수 있듯이, 실험예 1-1 내지 1-3의 소자가 비교예 1 의 소자보다 저전압 및 효율 면에서 특성이 향상 됨을 얻을 수 있었다.As can be seen in Table 1 above, the devices of Experimental Examples 1-1 to 1-3 were able to obtain improved characteristics in terms of low voltage and efficiency than the devices of Comparative Example 1.

<< 실험예Experimental Example 2-1> 2-1>

ITO(indium tin oxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔(Fischer Co.)사의 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어(Millipore Co.)사 제품의 필터(Filter)로 2 차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) thin film with a thickness of 1500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co.'s product was used as a detergent, and distilled water was filtered secondly as a filter of Millipore Co.'s product. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. The substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexanitrile hexaazatriphenylene)을 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 NPB(400 Å)를 진공증착한 후 발광층으로 상기 실시예 1에서 제조한 화합물 7-1-1을 호스트로 화합물을 300 Å의 두께로 진공 증착하고 도판트 D1을 도핑하였다. 상기 발광 층 위에 상기 E1을 200 Å의 두께로 진공증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께의 리튬 플루라이드(LiF)와 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기발광소자를 제조하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer. NPB (400 kPa), which is a material for transporting holes, was vacuum deposited thereon, and the compound 7-1-1 prepared in Example 1 was vacuum deposited to a light emitting layer, and the compound was vacuum deposited to a thickness of 300 kPa. Doped. The E1 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa on the emission layer to form an electron injection and transport layer. 12 Å thick lithium fluoride (LiF) and 2000 Å thick aluminum were sequentially deposited on the electron transport layer to form a cathode, thereby manufacturing an organic light emitting device.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 x 10^-7~ 5 x 10^-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, aluminum is 2 Å / sec, the vacuum degree during deposition is 2 x 10 ^-7 to 5 x 10 ^-8 torr was maintained.

<< 실험예Experimental Example 2-2> 2-2>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 12-1-10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 12-1-10 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-3> 2-3>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 9-4-1을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 9-4-1 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-4> 2-4>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 9-4-3을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 9-4-3 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-5> 2-5>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 20-2-21을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 20-2-21 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-6> 2-6>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 19-1-18을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 19-1-18 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-7> 2-7>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 16-1-21을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 16-1-21 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-8> 2-8>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 16-1-31을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 16-1-31 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-9> 2-9>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 8-2-10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except for using the compound 8-2-10 instead of the compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1.

<< 실험예Experimental Example 2-10> 2-10>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 9-4-6을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 9-4-6 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-11> 2-11>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 18-2-16을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 18-2-16 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-12> 2-12>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 16-1-47을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 16-1-47 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-13> 2-13>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 16-1-54을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 16-1-54 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-14> 2-14>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 16-1-62을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 16-1-62 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 실험예Experimental Example 2-15> 2-15>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 16-1-63을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound 16-1-63 instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

<< 비교예Comparative Example 2> 2>

상기 실험예 2-1에서 화합물 7-1-1 대신 상기 화합물 GH를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.Except for using the compound GH instead of compound 7-1-1 in Experimental Example 2-1 was the same experiment.

상기 실험예 2-1 내지 2-13과 같이 각각의 화합물들을 발광 층으로 사용하여 제조한 유기 발광소자를 실험한 결과를 결과표 2에 나타내었다.Experimental results of the organic light emitting device manufactured by using each compound as a light emitting layer as in Experimental Examples 2-1 to 2-13 are shown in Table 2 as a result.

상기 결과표 2에서 볼 수 있듯이 실험예 2-1 내지 2-15의 화합물은 도펀트를 사용하여 발광 층으로 이용될 수 있으며, 적당한 치환체로 도입된 경우, 비교예 보다 우수한 특성을 나타내었다.As can be seen in Table 2, the compounds of Experimental Examples 2-1 to 2-15 can be used as a light emitting layer using a dopant, and when introduced into an appropriate substituent, showed better properties than the comparative example.

<< 실험예Experimental Example 3-1> 3-1>

ITO(indium tin oxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔(Fischer Co.)사의 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어(Millipore Co.)사 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) thin film with a thickness of 1500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co.'s product was used as a detergent, and distilled water was filtered secondly as a filter of Millipore Co.'s product. After washing ITO for 30 minutes, the ultrasonic cleaning was repeated twice with distilled water for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. The substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexanitrile hexaazatriphenylene)을 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 NPB(400 Å)를 진공증착한 후 발광층으로 상기 실시예 1에서 제조한 화합물 12-1-10을 호스트로 화합물을 300 Å의 두께로 진공 증착하고 도판트 D2을 도핑하였다. 상기 발광 층 위에 상기 E1을 200 Å의 두께로 진공증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께의 리튬 플루라이드(LiF)와 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기발광소자를 제조하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer. NPB (400 kPa), which is a material for transporting holes, was vacuum-deposited, and then compound 12-1-10 prepared in Example 1 was vacuum deposited to a light emitting layer, and the compound was vacuum deposited to a thickness of 300 kPa. Doped. The E1 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa on the emission layer to form an electron injection and transport layer. 12 Å thick lithium fluoride (LiF) and 2000 Å thick aluminum were sequentially deposited on the electron transport layer to form a cathode, thereby manufacturing an organic light emitting device.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 x 10^-7~ 5 x 10^-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, aluminum is 2 Å / sec, the vacuum degree during deposition is 2 x 10 ^-7 to 5 x 10 ^-8 torr was maintained.

상기 실험예 3-1에서 화합물 12-1-10 대신 각각 상기 화합물 7-4-1, 9-4-3, 20-2-21, 19-1-18, 16-1-21, 16-1-31, 16-1-47, 16,1-62, 14-2-3 및 321-4-2을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하여 <실험예 3-2>, <실험예 3-3>, <실험예 3-4>, <실험예 3-5>, <실험예 3-6>, <실험예 3-7>, <실험예 3-8>, <실험예 3-9>, <실험예 3-10> 및 <실험예 3-11>을 실시하였고, 상기 화합물 H2로 <비교예 3>을 실시하였다. 이와 같은 결과를 결과표 3에 나타내었다.Compound 7-4-1, 9-4-3, 20-2-21, 19-1-18, 16-1-21, 16-1, instead of compound 12-1-10 in Experimental Example 3-1 Except for the use of -31, 16-1-47, 16,1-62, 14-2-3 and 321-4-2 was carried out in the same manner as in <Experimental Example 3-2>, <Experimental Example 3-3 >, <Experimental Example 3-4>, <Experimental Example 3-5>, <Experimental Example 3-6>, <Experimental Example 3-7>, <Experimental Example 3-8>, <Experimental Example 3-9>, <Experimental Example 3-10> and <Experimental Example 3-11> were performed, and <Comparative Example 3> was performed with the compound H2. These results are shown in Table 3 below.

도 1은 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.1 is an example of an organic light emitting device structure in which an anode 102, a light emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101.

도 2는 기판(101) 위에 양극(102), 정공주입/정공수송 및 발광층(105), 전자수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.2 is an example of an organic light emitting device structure in which an anode 102, a hole injection / hole transporting and light emitting layer 105, an electron transporting layer 106, and a cathode 107 are sequentially laminated on a substrate 101.

도 3은 기판(101), 양극(102), 정공주입층(103), 정공수송 및 발광층(105), 전자수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.3 is an example of an organic light emitting device structure in which a substrate 101, an anode 102, a hole injecting layer 103, a hole transporting and emitting layer 105, an electron transporting layer 106, and a cathode 107 are sequentially stacked .

도 4는 기판(101), 양극(102), 정공주입층(103), 정공수송층(104), 전자수송 및 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.4 is an example of an organic light emitting device structure in which a substrate 101, an anode 102, a hole injecting layer 103, a hole transporting layer 104, an electron transporting and emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked .

도 5는 화합물 7-1-1의 MS 스펙트럼이다.5 is an MS spectrum of Compound 7-1-1.

Claims (12)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:A compound represented by the following formula (1):

상기 화학식 1에서,In Formula 1, X는 S 또는 O이고,X is S or O, Ar₁₁ 내지 Ar₁₄, Ar₃ 내지 Ar₆ 및 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자; 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴기; 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며,Ar ₁₁ to Ar ₁₄ , Ar ₃ to Ar _6, and R 1 to R 8 are each independently a hydrogen atom; Substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ An arylamine group; Substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ An aryl group; Substituted or unsubstituted and selected from the group consisting of C ₃ to C ₃₀ heteroaryl group having O, N or S as a hetero atom, and forming a condensed ring of aliphatic, aromatic, aliphatic hetero or aromatic hetero groups with adjacent groups Can be achieved, 상기 Ar₁₁ 내지 Ar₁₄, Ar₃ 내지 Ar₆ 및 R1 내지 R8에서의 치환기는 상기 C₁~C₁₂의 알콕시기, C₆~C₁₂의 아릴옥시기, C₁~C₁₂의 알킬티옥시기, C₅~C₁₂의 아릴티옥시기, C₁~C₃₀의 알킬아민기, C₅~C₃₀의 아릴아민기, C₅~C₃₀의 아릴기, C₃~C₃₀의 헤테로아릴기, 실리콘기, 붕소기 또는 실란기가 치환되는 경우, 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C₁~C₃₀의 알킬기, C₂~C₃₀의 알케닐기, C₁~C₃₀의 알콕시기, C₃~C₃₀의 시클로알킬기, 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로시클로알킬기, C₅~C₃₀의 아릴기, C₅~C₃₀의 아릴아민기 및 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환된다.Substituents at Ar ₁₁ to Ar ₁₄ , Ar ₃ to Ar _6, and R 1 to R 8 may be each C ₁ to C ₁₂ alkoxy group, C ₆ to C ₁₂ aryloxy group, C ₁ to C ₁₂ alkylthioxy group, C ₅ ~ C ₁₂ arylthioxy group, C ₁ ~ C ₃₀ alkylamine group, C ₅ ~ C ₃₀ arylamine group, C ₅ ~ C ₃₀ aryl group, C ₃ ~ C ₃₀ heteroaryl group, silicone When a group, a boron group, or a silane group is substituted, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C ₁ -C ₃₀ alkyl group, a C ₂ -C ₃₀ alkenyl group, a C ₁ -C ₃₀ alkoxy group, C ₃ - a cycloalkyl group, a heteroatom in the C ₃₀ as O, N, or an aryl group of the heterocycloalkyl group of C ₃ ~ C ₃₀ having the S, C ₅ ~ C _30, C ₅ ~ C ₃₀ aryl amine groups and heteroatom as O, N Or a C ₃ to C ₃₀ having a S heteroaryl group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 6 중 하나로 표시되는 것인, 화합물:The compound of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 1 is represented by one of the following Chemical Formulas 2 to 6.

상기 화학식 2 내지 6에서, In the above formulas 2 to 6, Ar₃ 내지 Ar₆은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,Ar ₃ to Ar ₆ is the same as defined in Formula 1, Ar₇ 내지 Ar₁₀은 상기 화학식 1의 Ar₃ 내지 Ar₆의 같으며,Ar ₇ to Ar ₁₀ is the same as Ar ₃ to Ar ₆ of Formula 1, Ar₁₁ 내지 Ar₁₄는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,Ar ₁₁ to Ar ₁₄ are the same as defined in Formula 1, Ar₁ 및 Ar₂는 상기 화학식 1의 Ar₁₁ 내지 Ar₁₄의 정의와 같으며,Ar ₁ and Ar ₂ are the same as defined in Ar ₁₁ to Ar ₁₄ of Formula 1, R1 내지 R8은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,R1 to R8 are the same as defined in Formula 1, R9 내지 R16은 상기 화학식 1의 R1 내지 R8의 정의와 같다.R9 to R16 is the same as the definition of R1 to R8 of the formula (1). 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴아민기 및 치환 또는 비치환된 C₅~C₃₀의 아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 C₅~C₃₀의 아릴아민기 또는 C₅~C₃₀의 아릴기가 치환되는 경우, 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C₁~C₃₀의 알킬기, C₂~C₃₀의 알케닐기, C₁~C₃₀의 알콕시기, C₃~C₃₀의 시클로알킬기, 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로시클로알킬기, C₅~C₃₀의 아릴기 및 이종원자로 O, N 또는 S를 갖는 C₃~C₃₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 화합물.The method according to claim 1, wherein R1 to R8 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ arylamine group and a substituted or unsubstituted C ₅ ~ C ₃₀ aryl group, When the C ₅ to C ₃₀ arylamine group or C ₅ to C ₃₀ aryl group is substituted, halogen atom, amino group, nitrile group, nitro group, C ₁ ~ C ₃₀ alkyl group, C ₂ ~ C ₃₀ alkenyl group , A C ₁ to C ₃₀ alkoxy group, a C ₃ to C ₃₀ cycloalkyl group, a hetero atom as a hetero atom, a C ₃ to C ₃₀ heterocycloalkyl group having N or S, a C ₅ to C ₃₀ aryl group and a hetero atom as O , C ₃ ~ C ₃₀ having a N or S heteroaryl group, characterized in that selected from the group consisting of. 청구항 1에 있어서, 상기 아릴기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐 기, 파이레닐기, 페릴렌기, 플루오레닐기 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 화합물.The compound according to claim 1, wherein the aryl group is selected from the group consisting of phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, biphenyl group, pyrenyl group, perylene group, fluorenyl group and derivatives thereof. 청구항 1에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 피롤기, 피라졸기, 카바졸기, 인돌기 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 벤즈이미다졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈티아졸기, 피리딜기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 피라진기, 퀴놀리진기, 펜아진기, 페노티아진기, 트리아진기 티오펜기, 퓨라닐기, 비피리딜기, 아크리딜기 및 이소퀴놀릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 화합물.The heteroaryl group according to claim 1, wherein the heteroaryl group is a pyrrole group, a pyrazole group, a carbazole group, an indole imidazole group, an oxazole group, a thiazole group, a triazole group, a benzimidazole group, a benzoxazole group, a benzthiazole group, a pyridyl group, quinoline A compound selected from the group consisting of groups, isoquinoline groups, pyrazine groups, quinolysine groups, phenazine groups, phenothiazine groups, triazine group thiophene groups, furanyl groups, bipyridyl groups, acridil groups and isoquinolyl groups . 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식 중 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는, 화합물.The compound of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 1 is represented by one of the following structural formulas.

상기 구조식에서, X, R2 및 R7은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고, Ar₃, Ar₅, Ar₇, Ar₈, Ar₁₀₁ 및 Ar₁₀₃은 상기 화학식 1의 Ar₃ 내지 Ar₆의 정의와 같다.In the above structural formula, X, R2 and R7 are the same as defined in Formula 1, Ar ₃ , Ar ₅ , Ar ₇ , Ar ₈ , Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₃ are the same as defined in Ar ₃ to Ar ₆ of the formula (1). . 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자.An organic electric element comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is any one of claims 1 to 6. An organic electric device comprising the compound represented by the formula (1) described. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 이 정공주입층 및 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자.The organic electric device according to claim 7, wherein the organic material layer includes a hole injection layer and a hole transport layer, and the hole injection layer and the hole transport layer include a compound represented by Chemical Formula 1. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자.The organic electric device according to claim 7, wherein the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes a compound represented by Chemical Formula 1. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 전기 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자.The organic electric device according to claim 7, wherein the organic electric device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphor device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 이 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물, 또는 이 화합물에 열 경화성 또는 광경화성 작용기가 도입된 화합물을 포함하는 것인, 유기 전기 소자. The organic electric device of claim 7, wherein the organic material layer includes a hole transport layer, and the hole transport layer includes a compound represented by Chemical Formula 1 or a compound in which a thermosetting or photocurable functional group is introduced into the compound. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물, 또는 이 화합물에 열경화성 또는 광경화성 작용기가 도입된 화합물을 포함하는 것인, 유기 전기 소자.The organic electric device of claim 7, wherein the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes a compound represented by Chemical Formula 1 or a compound having a thermosetting or photocurable functional group introduced therein.

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