KR101303594B1 - 표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용한 박막형 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용한 박막형 태양전지 및 이의 제조방법{THIN FILM TYPE SOLAR CELL USING GLASS SUBSTRATE WITH SURFACE TEXTURE AND PREPARATION METHOD THEREOF}
본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용한 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환시키는 장치로서, 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.
태양전지는 n-형 반도체와 p-형 반도체를 접합한 구성으로 이루어지며, n-형은 큰 전자밀도와 작은 정공밀도를 가지고 있는 반면에 p-형은 작은 전자밀도와 큰 정공밀도를 가지고 있다. 이러한 p-n 접합 다이오드는 일반적인 열적 평형상태에서 캐리어의 확산이 일어나지 않지만, 구성물질의 전도대와 가전자대 사이의 에너지 차이인 밴드갭 에너지 이상의 빛이 가해질 경우 전자들이 가전자대에서 전도대로 여기된다. 전도대로 여기된 전자들은 자유롭게 이동하고, 전자들이 빠져나간 가전자대에는 정공이 형성된다. 빛에너지에 의하여 p-형 영역에서 여기된 전자들과 n-형 영역에서 만들어진 정공을 접합전의 캐리어(주요캐리어)에 대비하여 소수캐리어라고 부른다. 주요캐리어는 전기장으로 생긴 에너지장벽 때문에 흐르지 못하지만, 소수캐리어는 계속하여 흐르기 때문에 이를 외부 회로에 연결하여 태양전지로 사용할 수 있는 것이다.
특히, 광흡수층으로 실리콘을 사용하는 태양전지는 결정질 기판형 태양전지와, 비정질의 박막형 태양전지로 구분된다. 결정질 기판형 태양전지의 경우 고가의 실리콘 웨이퍼를 사용하여 생산 원가가 높다는 문제가 있어, 건물의 외장재나 모바일 기기 등에 적용할 수 있는 박막형 태양전지에 대한 연구가 활발하다. 박막형 태양전지는 얇은 두께로 제작되므로 재료의 소모량이 적고, 무게가 가볍기 때문에 활용범위가 넓다. 이러한 박막형 태양전지의 재료로는 비정질 실리콘과 CdTe, CIS 또는 CIGS에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
그러나 박막형 태양전지는 기존의 결정질 실리콘 태양전지에 비해 에너지 변환효율이 낮고 초기 설비투자비가 높으며, 기술표준화를 달성하지 못했다는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 종래의 박막형 태양전지에 비해 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있는, 표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용한 박막형 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은 에너지 변환 효율이 향상된 박막형 태양전지를 개발하기 위한 연구를 거듭한 결과, 표면 텍스처링된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 빛 가둠(light trapping) 효과 및 단락전류 특성이 향상되어 초고효율을 나타낼 수 있다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 표면에 다수의 텍스처가 형성된 유리기판; 상기 유리기판의 상면에 형성되는 전면 투명전도성 산화막층; 상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 형성되는 p-i-n 구조의 박막 적층체; 상기 p-i-n 구조의 박막 적층체의 상면에 형성되는 후면 투명전도성 산화막층 및 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면과 상기 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 형성되는 후면전극층을 포함하는 박막형 태양전지를 제공한다.
또한, 본 발명은 표면 상에 텍스처가 다수 형성되도록 유리기판을 표면 텍스처링하는 단계(단계 1); 상기 유리기판의 상면에 전면 투명전도성 산화막층을 형성하는 단계(단계 2); 상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p-i-n 구조의 박막 적층체를 형성하는 단계(단계 3); 상기 p-i-n 구조의 박막 적층체의 상면에 후면 투명전도성 산화막층을 형성하는 단계(단계 4) 및 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 후면전극층을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유리기판 상에 형성된 텍스처는 사각형 육면체, 사다리꼴 육면체, 피라미드형 텍스처 또는 이들의 상부에 오목부가 형성된 텍스처일 수 있다.
상기 유리기판의 상면에 형성되는 전면 투명전도성 산화막층으로는 ZnO:Al 박막을 사용할 수 있다.
상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 형성되는 p-i-n 구조의 박막 적층체는 상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층을 순차적으로 증착시켜 형성될 수 있다.
상기 p-i-n 구조의 박막 적층체의 상면에 형성되는 상기 후면 투명전도성 산화막층으로는 ZnO:Al 박막 또는 ITO 박막을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 박막형 태양전지에서 후면전극층은 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 형성되며 알루미늄 혹은 은을 열증착기를 이용하여 증착하거나 혹은 각각의 금속 페이스트를 사용하여 도포한 후 상온 내지 저온 열처리하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 박막형 태양전지는 상기 전면 투명전도성 산화막층과 p-i-n 구조의 박막 적층체 사이에 완충층을 더 포함할 수 있으며, 상기 완충층으로는 p형 미세결정 산화 실리콘 박막을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 빛 가둠 효과 및 단락전류 특성이 향상되어 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 태양전지의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 개략적으로 나타낸 공정 흐름도이다.
도 3은 유리기판의 에칭시간에 따른 태양전지의 표면사진을 나타낸 것이다.
도 4는 유리기판 에칭시간에 따른 면저항값의 변화를 나타낸 것이다.
도 5는 유리기판 에칭시간에 따른 광투과율의 변화를 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조된 태양전지의 출력 특성 그래프를 나타낸 것이다.
도 7은 비교예 1 내지 비교예 3에 따라 제조된 태양전지의 출력 특성 그래프를 나타낸 것이다.
도 8은 실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조된 태양전지의 양자효율 그래프를 나타낸 것이다.
이하 본 발명에 따른 박막형 태양전지를 도 1을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 태양전지(200)는 표면에 다수의 텍스처가 형성된 유리기판(100); 상기 유리기판의 상면에 형성되는 전면 투명전도성 산화막층(110); 상기 전면 투명전도성 산화막층의 상면의 일부에 형성되는 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150); 상기 p-i-n 구조의 박막 적층체의 상면에 형성되는 후면 투명전도성 산화막층(160) 및 상기 후면 투명전도성 산화막층 상면과 상기 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 형성되는 후면전극층(170)을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 박막형 태양전지(200)의 제조시 표면 텍스처링되어 표면에 텍스처가 다수 형성된 유리기판(100)을 사용한다.
본 발명에 따른 박막형 태양전지(200)는 종횡비가 높은 텍스처가 표면에 다수 형성되어 단면적이 향상된 유리기판(100)을 사용하여 제조됨으로써 3차원 형태의 유리기판(100)에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 박막형 태양전지(200) 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 빛 가둠 효과 및 단락전류 특성을 향상시켜 초고효율을 달성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 텍스처링된 유리기판(100)의 표면에 형성된 텍스처는 사각형 육면체, 사다리꼴 육면체, 피라미드형 텍스처 또는 이들의 상부에 반원구형과 같은 오목부가 형성된 텍스처일 수 있다.
상기 표면 텍스처링된 유리기판(100)의 상면에 형성되는 전면 투명전도성 산화막층(110)으로는 ZnO:Al 박막을 사용할 수 있다.
상기 ZnO:Al 박막은 알루미늄이 0.5∼2 중량%로 포함된 산화아연을 사용하여 상기 유리기판(100)의 상면에 증착시켜 형성될 수 있다.
상기 전면 투명전도성 산화막층(110)의 상면에는 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)가 형성된다.
상기 pin 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)는 상기 전면 투명전도성 산화막층(110)의 일부면에 형성되며, p형 반도체층(130), i형 반도체층(140) 및 n형 반도체층(150)이 순차적으로 증착되어 형성된다.
상기 p형 반도체층(130)으로는 p-타입 보론(B) 억셉터 불순물이 도핑된 수소화된 비정질 실리콘 박막 또는 산화질소 가스를 주입하여 형성된 수소화된 실리콘 산화막(a-SiOX:H)을 사용할 수 있다.
상기 i형 반도체층(140)은 광흡수층이며, i형의 수소화된 비정질 실리콘(i-type a-Si:H) 박막을 사용할 수 있다.
상기 n형 반도체층(150)으로는 n-타입 포스핀(P) 억셉터 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 박막을 사용할 수 있다.
상기 pin 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)의 상면에는 후면 투명전도성 산화막층(160)이 형성된다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 후면 투명전도성 산화막층(160)으로는 ITO 박막 또는 ZnO:Al 박막을 사용할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 상기 후면전극층(170)은 상기 후면 투명전도성 산화막층 상면과 상기 전면 투명전도성 산화막층의 상면의 2개의 부분에 형성되며, 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면에 형성된 후면전극층(170)은 후면전계를 형성하며, 상기 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 형성된 후면전극층(170)은 그리드 전극 역할을 한다.
상기 후면전극층(170)은 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 알루미늄 혹은 은을 열 증착기로 도포하거나 페이스트를 스크린 프린팅을 이용하여 도포하여 상온 또는 저온 열처리를 통해 형성될 수 있다.
상기 후면 투명전도성 산화막층(160)과 이의 상면에 형성된 후면전극(170)은 다른 반사 지수를 갖게 되고, 이에 의해 흡수 손실이 적어지게 되어 본 발명에 따른 박막형 태양전지(200)는 단락 전류 밀도가 개선될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 박막형 태양전지(200)는 상기 전면 투명전도성 산화막층(110)과 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150) 사이에 완충층(120)을 더 포함할 수 있다.
상기 완충층(120)은 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)의 p형 반도체층(130)과 동일한 타입의 불순물로 도핑된 미세결정 산화 실리콘 박막을 사용할 수 있는데, 이는 경계면 부근의 결합상태를 줄이기 위해 완충층을 형성하여 광학적 손실을 줄이고자 하는 것이다.
이하 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 도 2를 참조하여 상세히 설명한다.
우선, 표면상에 텍스처가 다수 형성되도록 유리기판(100)을 표면 텍스처링한다(단계 1).
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 유리기판(100)을 표면 텍스처링하여 표면에 텍스처를 다수 형성하기 위해서, 유리기판(100)을 증류수:산=10:3~10:7의 몰비로 혼합된 용액에 30분 내지 5시간 동안 침지시킨 후 회수하고, 증류수를 이용하여 세척함으로써 표면상에 텍스처가 다수 형성된 유리기판(100)을 얻을 수 있다. 여기서, 상기 산은 불산 등을 적용할 수 있다.
다음으로, 상기 유리기판(100)의 상면에 전면 투명전도성 산화막층(110)을 형성한다(단계 2).
상기 전면 투명전도성 산화막층(110)은 표면 텍스처링된 유리기판(100)의 상면에 알루미늄이 0.5∼2 중량% 첨가된 알루미늄 산화아연(AZO)을 마그네트론 스퍼터링 방법 등을 사용하여 600 ~ 1000 nm의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 전면 투명전도성 산화막층(110)의 상면에 완충층(120)을 더 형성할 수 있다.
상기 완충층(120)은 p형 미세결정 산화 실리콘을 화학기상 증착법(CVD) 등을 사용하여 30 nm의 두께로 형성될 수 있다.
다음으로, 단계 2에서 제조된 전면 투명전도성 산화막층(110)의 일부면에 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)를 형성한다(단계 3).
상기 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)는 전면 투명전도성 산화막층(110)의 일부면에 형성되며, 전면 투명전도성 산화막층(110)의 나머지 일부분에는 후면전극층(170)이 형성된다.
상기 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)는 상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층을 플라즈마 화학기상 증착법(PECVD) 등을 사용하여 순차적으로 증착시켜 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 p형 반도체층은 SiH4, H2, B2H6를 주입하여 PECVD에 의해 10∼15 nm의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 i형 반도체층은 SiH4, H2를 주입하여 PECVD에 의해 300∼400 nm의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 SiH4, H2, PH3을 가스 주입하여 PECVD에 의해 20∼25 nm의 두께로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 pin 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)의 상면에 후면 투명전도성 산화막층(160)을 형성한다(단계 4).
상기 후면 투명전도성 산화막층(160)은 p-i-n 구조의 박막 적층체(130, 140 및 150)의 상면에 알루미늄 산화아연(AZO) 또는 인듐 산화주석(ITO)을 마그네트론 스퍼터링 방법 등을 사용하여 80∼160 nm의 두께로 형성될 수 있다.
마지막으로, 상기 후면 투명전도성 산화막층(160)의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층(110)의 상면에 후면전극층(170)을 형성한다(단계 5).
상기 후면전극층(170)은 상기 후면 투명전도성 산화막층(160)의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층(110)의 상면에 알루미늄 혹은 은을 열증착기로 도포하거나 페이스트를 스크린 프린팅하여 도포한 후 100~200 ℃의 저온에서 열처리로 형성할 수 있으며, 이에 의해 후면 전계층 및 후면전극이 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따라 표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용하여 박막형 태양전지를 제조하는 경우, 종래의 박막형 태양전지의 제조방법에서와 같이 투명전도성 산화막층을 형성한 후 텍스처링하는 과정을 생략할 수 있어 공정 비용을 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 들어 설명하도록 한다.
유리기판(Eagle 2000)을 준비하여 증류수 20ml와 불산 10ml을 혼합한 불산 수용액에 30분간 침지시켜 에칭(표면 텍스처링)을 수행하였다. 이후, 에칭에 의해 표면이 텍스처링된 유리기판상에 알루미늄이 2중량% 첨가된 AZO를 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 1㎛ 두께로 증착하였다. 증착된 AZO 위에 p-type의 비정질 산화 실리콘 박막 10nm, 진성층 비정질 실리콘 박막 350nm 및 n-type의 비정질 실리콘 박막 25nm를 다중 반응실 (multi-cluster PECVD) 내에서 차례로 증착하였다. 이때, RF 및 VHF의 플라즈마 소스를 활용하였다.
실시예 1에서와 다른 조건은 동일하게 하되, 유리기판의 에칭을 60분간 수행하여 태양전지를 제조하였다.
실시예 1에서와 다른 조건은 동일하게 하되, 유리기판의 에칭을 90분간 수행하여 태양전지를 제조하였다.
실시예 1에서와 다른 조건은 동일하게 하되, 유리기판의 에칭을 120분간 수행하여 태양전지를 제조하였다.
[비교예 1]
상기 실시예 1과 다른 조건을 동일하게 하되, 텍스처링된 유리기판 대신 일본 Asahi glass사 제품인 FTO(Fluor Tin Oxide) 기판(# 2)을 사용하여 태양전지를 제조하였다.
[비교예 2]
상기 실시예 1과 다른 조건을 동일하게 하되, 텍스처링된 유리기판 대신 Asahi glass사 제품인 FTO 기판(# 8)을 사용하여 태양전지를 제조하였다.
[비교예 3]
상기 실시예 1과 다른 조건을 동일하게 하되, 텍스처링된 유리기판 대신 Asahi glass사 제품인 FTO 기판(# 15)을 사용하여 태양전지를 제조하였다.
실험예 1: 유리기판의 에칭시간에 따른 면저항 및 광투과율
상기 실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조된 태양전지의 면저항값과 광투과율을 측정했다. 이때, 면저항은 4침법(4-point probe)에 의해 측정하였으며, 광투과도는 분광광도계(SCINCO 사, S-3100)을 이용하여 측정하였으며, 400~1000nm 파장 대역에서 관찰하였다.
유리기판의 에칭시간에 따른 태양전지의 표면사진을 도 3에 나타내었고, 유리기판 에칭시간에 따른 면저항값의 변화 및 광투과율의 변화를 도 4 및 도 5에 각각 나타내었다.
도 4에 따르면, 태양전지의 면저항값의 평균값은 약 8Ω/□로 나타났으며, 에칭시간이 120분일 때 면저항값이 다소 높게 나타난 것을 확인할 수 있었다.
또한, 도 5에 따르면, 유리기판의 에칭시간이 길어질수록 태양전지의 광투과율이 점차 낮아지는 것으로 나타났다. 이는 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 높아져 입사된 빛의 이용률이 높아지며, 이에 따라, 태양전지의 에너지 효율을 더 높일 수 있을 것으로 판단된다.
실험예 2: 유리기판 에칭시간에 따른 태양전지의 효율
실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조된 태양전지 및 비교예 1 내지 비교예 3에 따라 제조된 태양전지의 효율을 측정하였다.
실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조된 태양전지의 출력 특성 그래프 도 6에 나타내었고, 비교예 1 내지 비교예 3에 따라 제조된 태양전지의 출력 특성 그래프를 도 7에 나타내었다. 또한, 실시예 1 내지 실시예 4에 따라 제조된 태양전지의 양자효율 그래프를 도 8에 나타내었다.
도 6 내지 도 8에 따르면, 에칭시간이 30분, 120분인 경우 3.5%, 60 분인 경우 2%, 90분인 경우 3.8% 로 각각 나타났다. 여기서, 에칭시간이 90분인 경우에 120분인 경우보다 에너지 효율이 약간 높게 나타났는데, 이는 유리기판의 에칭이 다소 지나치게 일어남으로써 면저항값이 증가하였기 때문인 것으로 판단된다.
또한, FTO 기판을 사용한 태양전지와 본 발명의 텍스처링된 유리기판을 사용한 태양전지의 에너지 효율을 비교하면, 본 발명의 태양전지가 FTO기판 태양전지에 비해 약간 효율이 떨어지는 것으로 보이는데, 이와 같은 문제는 텍스처링의 정도로 조절할 수 있을 것으로 기대된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표면 텍스처링된 유리기판
110: 전면 투명전도성 산화막층 120: 완충층
130: p형 반도체층 140: i형 반도체층
150: n형 반도체층 160: 후면 투명전도성 산화막층
170: 후면전극층 200: 박막형 태양전지

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  13. 표면 상에 텍스처가 다수 형성되도록 유리기판을 표면 텍스처링하는 단계(단계 1);
    상기 유리기판의 상면에 전면 투명전도성 산화막층을 형성하는 단계(단계 2);
    상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p-i-n 구조의 박막 적층체를 형성하는 단계(단계 3);
    상기 p-i-n 구조의 박막 적층체의 상면에 후면 투명전도성 산화막층을 형성하는 단계(단계 4); 및
    상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면과 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 후면전극층을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하며,
    상기 단계 1에서는 유리기판을 증류수:불산=10:3~10:7의 몰비로 혼합된 용액에 30분 내지 120분 동안 침지시킨 후, 회수하여 증류수를 이용하여 세척함으로써 표면 텍스처링하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
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  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 단계 2에서 표면 텍스처링된 유리기판의 상면에 알루미늄이 0.5∼2 중량% 첨가된 산화아연을 600∼1000 nm의 두께로 증착시켜 전면 투명전도성 산화막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 단계 3에서 상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층을 순차적으로 증착시켜 p-i-n 구조의 박막 적층체를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 p형 반도체층은 SiH4, H2, B2H6를 주입하여 PECVD에 의해 10∼15 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 i형 반도체층은 SiH4, H2를 주입하여 PECVD에 의해 300∼400 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  19. 청구항 16에 있어서,
    상기 n형 반도체층은 SiH4, H2, PH3을 가스 주입하여 PECVD에 의해 20∼25 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  20. 청구항 13에 있어서,
    상기 후면 투명전도성 산화막층은 pin 구조의 박막 적층체의 상면에 알루미늄 산화아연(AZO) 또는 인듐 산화주석(ITO)을 80∼160 nm의 두께로 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  21. 청구항 13에 있어서,
    상기 후면전극은 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 알루미늄 혹은 은을 열증착기로 도포하거나 페이스트를 이용하여 스크린 프린팅법으로 100~200 ℃의 저온에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
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