KR101303590B1 - Complex conductive substrate and method of manufacturing thereof - Google Patents

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한종훈
신권우
강효경
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전자부품연구원
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Abstract

PURPOSE: A complex conductive substrate and a manufacturing method thereof are provided to position a metal structure under a carbon nano tube layer, thereby improving the electric conductance. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A metallic foil is formed on the substrate (S51). A carbon nanotube is dispersed on the metallic foil. The carbon nano tube layer of the network structure is formed (S53). The metallic foil is partly eliminated through the wet etching (S55). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S51) Form metallic foil on a substrate; (S53) Form a carbon nano tube layer of the network structure on the metallic foil; (S55) Eliminate metallic foil part exposed between carbon nano tubes of the carbon nano tube layer by wet etching

Description

복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법{Complex conductive substrate and method of manufacturing thereof}Composite conductive substrate and method of manufacturing thereof

본 발명은 복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복합 전도성 박막으로 네트워크 구조의 탄소나노튜브층과 금속 구조체를 구비하는 복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a composite conductive substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a composite conductive substrate having a carbon nanotube layer and a metal structure of the network structure as a composite conductive thin film and a method for manufacturing the same.

탄소나노튜브를 포함하는 전도성 박막은 탄소나노튜브에 친수성 작용기를 치환시키거나 또는 수용액계 계면활성제를 이용하여 수분산 탄소나노튜브 용액을 형성하여 기판에 코팅하거나, 또는 유기 용매를 이용하여 탄소나노튜브를 분산시켜 코팅하는 방법으로 형성된다. 이러한 도전성 박막이 형성된 전도성 기판은 투명전극, 면발열체, 정전기방제 및 흡수제, 전자파차폐 필름, 방열 소재, 트랜지스터, 센서 등 다양한 분야에 널리 사용되고 있다.The conductive thin film including carbon nanotubes may be coated on a substrate by substituting hydrophilic functional groups on the carbon nanotubes or forming a water-dispersible carbon nanotube solution using an aqueous surfactant, or using carbon nanotubes using an organic solvent. It is formed by a method of dispersing the coating. The conductive substrate on which the conductive thin film is formed is widely used in various fields such as a transparent electrode, a surface heating element, an electrostatic control and absorbent, an electromagnetic shielding film, a heat radiation material, a transistor, a sensor, and the like.

상술한 방법들은 비교적 간단한 방법으로 전도성 박막을 얻을 수 있으나 전기전도성이 낮아서 각종 제품에 적용되는데 어려움이 따르고 있다.Although the above-described methods can obtain a conductive thin film by a relatively simple method, it is difficult to be applied to various products due to low electrical conductivity.

이러한 문제점을 해결하기 위한 기존 종래 기술로는, 탄소나노튜브에 기능기를 치환하여 전도성 박막의 물성을 향상시키는 방법, 탄소나노튜브 분산 용액에 전도성을 향상시킬 수 있는 특정 물질을 첨가하는 방법, 탄소나노튜브층 형성 후 특정 물질로 후처리 코팅하여 탄소나노튜브의 전자구조를 제어하는 방법 등이 있다. Existing conventional techniques for solving this problem, a method for improving the physical properties of the conductive thin film by replacing a functional group on the carbon nanotubes, a method for adding a specific material that can improve the conductivity to the carbon nanotube dispersion solution, carbon nano After forming the tube layer, there is a method of controlling the electronic structure of carbon nanotubes by post-treatment coating with a specific material.

상술한 방법들은 그 개개의 방법에 따라 다음과 같은 특징이 있다. The above-described methods have the following characteristics according to their respective methods.

탄소나노튜브에 기능기를 치환하는 방법은 탄소나노튜브를 화학적 방법으로 특정 기능기를 치환함으로써 탄소나노튜브 상호간, 기판과 탄소나노튜브 사이에 화학적/물리적 결합을 유도시켜 전도성 박막의 물성을 확보할 수 있다. 그러나 이 방법은 탄소나노튜브에 기능기를 도입하는 과정에서 탄소나노튜브 자체의 전도도가 감소하는 문제가 발생할 수 있고, 탄소나노튜브가 외기에 노출됨으로써 환경 안정성이 여전히 취약한 면이 있다.The method of substituting functional groups on carbon nanotubes can secure the physical properties of conductive thin films by inducing chemical / physical bonds between carbon nanotubes and between substrates and carbon nanotubes by substituting specific functional groups for carbon nanotubes by chemical methods. . However, this method may cause a problem of reducing the conductivity of the carbon nanotubes in the process of introducing functional groups into the carbon nanotubes, and the environmental stability is still weak because the carbon nanotubes are exposed to the outside air.

탄소나노튜브 분산 용액에 전도성을 향상시킬 수 있는 특정 화학물질을 첨가하는 경우에는 탄소나노튜브 분산 용액의 분산성 유지가 어려울 수 있고, 첨가제 물질의 박막 잔존으로 인한 광투과도 저하, 헤이즈 발생의 문제가 따를 수 있고 전도성 향상 효과도 크지 않다.In the case of adding a specific chemical that can improve conductivity to the carbon nanotube dispersion solution, it may be difficult to maintain the dispersibility of the carbon nanotube dispersion solution, and the problem of light transmittance and haze generation due to the thin film remaining of the additive material may be difficult. It can be followed and the effect of improving conductivity is not great.

그리고 후처리 코팅하여 전도성막의 전도성을 향상시키는 방법은 주로 탄소나노튜브를 도핑할 수 있는 도펀트 물질을 탄소나노튜브 박막 위에 적용하는 방법이다. 이 방법은 탄소나노튜브의 전도성을 크게 개선할 수 있지만 반면 환경안정성이 취약하여 저항 특성이 시간에 따라 달라지는 특성이 있다.In addition, a method of improving the conductivity of the conductive film by post-treatment coating is mainly a method of applying a dopant material capable of doping carbon nanotubes on a thin film of carbon nanotubes. This method can greatly improve the conductivity of carbon nanotubes, but the environmental stability is weak, so the resistance characteristics vary with time.

따라서 본 발명의 목적은 탄소나노튜브를 이용하여 형성되는 전도성 박막의 전기전도성을 향상시킬 수 있는 복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a composite conductive substrate and a method of manufacturing the same that can improve the electrical conductivity of a conductive thin film formed using carbon nanotubes.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 위에 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 금속 박막 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조의 탄소나노튜브층을 형성하는 단계, 및 습식 식각을 통하여 상기 금속 박막을 부분적으로 제거하여 상기 탄소나노튜브층 아래에 부분적으로 상기 금속 박막 성분의 금속 구조체를 잔존시키는 단계를 포함하는 복합 전도성 기판의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of preparing a substrate, forming a metal thin film on the substrate, dispersing carbon nanotubes on the metal thin film to form a carbon nanotube layer of a network structure, And partially removing the metal thin film through wet etching to partially leave the metal structure of the metal thin film component under the carbon nanotube layer.

본 발명에 따른 복합 전도성 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 기판은 투명할 수 있다.In the method of manufacturing a composite conductive substrate according to the present invention, the substrate may be transparent.

본 발명에 따른 복합 전도성 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 금속 박막을 형성하는 단계에서, 상기 금속 박막의 소재는 은, 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 상기 금속 박막은 5~50nm의 두께로 형성될 수 있다.In the method of manufacturing a composite conductive substrate according to the present invention, in the forming of the metal thin film, the material of the metal thin film is silver, gold, nickel, copper, aluminum, iron, titanium, chromium, zinc, manganese, cobalt or Alloys of these may be used. The metal thin film may be formed to a thickness of 5 ~ 50nm.

본 발명에 따른 복합 전도성 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 금속 구조체를 잔존시키는 단계에서, 상기 금속 구조체는 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포할 수 있다.In the method of manufacturing a composite conductive substrate according to the present invention, in the remaining of the metal structure, the metal structure may be relatively distributed in a portion where the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer overlap.

본 발명은 또한, 기판 및 복합 전도성 박막을 포함하는 복합 전도성 기판을 제공한다. 이때 복합 전도성 박막은 탄소나노튜브층과 금속 구조체를 포함한다. 상기 탄소나노튜브층은 상기 기판 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조로 형성된다. 그리고 상기 금속 구조체는 상기 기판과 탄소나노튜브층 사이에 개재되며, 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브 아래에 불연속적으로 위치한다.The present invention also provides a composite conductive substrate comprising a substrate and a composite conductive thin film. In this case, the composite conductive thin film includes a carbon nanotube layer and a metal structure. The carbon nanotube layer is formed in a network structure by dispersing carbon nanotubes on the substrate. The metal structure is interposed between the substrate and the carbon nanotube layer and is discontinuously positioned under the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer.

본 발명에 따른 복합 전도성 기판에 있어서, 상기 금속 구조체는 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포할 수 있다.In the composite conductive substrate according to the present invention, the metal structure may be relatively distributed in a portion where the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer overlap.

본 발명에 따른 복합 전도성 기판에 있어서, 상기 금속 구조체는 은, 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금의 소재로, 상기 기판 위에 5~50nm의 두께로 형성될 수 있다.In the composite conductive substrate according to the present invention, the metal structure is made of silver, gold, nickel, copper, aluminum, iron, titanium, chromium, zinc, manganese, cobalt or an alloy thereof, and has a thickness of 5 to 50 nm on the substrate. It may be formed in a thickness.

그리고 본 발명에 따른 복합 전도성 기판에 있어서, 상기 기판의 소재는 광투과성을 갖는 투명한 소재가 사용될 수 있다.In the composite conductive substrate according to the present invention, a transparent material having light transmittance may be used as the material of the substrate.

본 발명에 따른 복합 전도성 기판은 네트워크 구조로 형성된 탄소나노튜브층과 투명한 기판 사이에 금속 구조체가 개재된 구조의 복합 전도성 박막을 구비하기 때문에, 복합 전도성 기판의 투명성을 유지하면서 탄소나노튜브를 이용한 복합 전도성 박막의 전기전도성을 향상시킬 수 있다.Since the composite conductive substrate according to the present invention includes a composite conductive thin film having a structure in which a metal structure is interposed between a carbon nanotube layer formed of a network structure and a transparent substrate, the composite using a carbon nanotube while maintaining transparency of the composite conductive substrate The electrical conductivity of the conductive thin film can be improved.

즉 복합 전도성 박막은 투명한 기판 위에 금속 박막을 형성하고, 그 위에 네트워크 구조의 탄소나노튜브층을 형성한 후, 습식 식각을 통하여 금속 박막을 부분적으로 제거하여 탄소나노튜브층 밑에 부분적으로 금속 구조체가 잔존하는 구조로 형성하기 때문에, 복합 전도성 기판의 투명성을 유지하면서 탄소나노튜브를 이용한 복합 전도성 박막의 전기전도성을 향상시킬 수 있다.That is, the composite conductive thin film forms a metal thin film on a transparent substrate, forms a carbon nanotube layer of a network structure thereon, and then partially removes the metal thin film by wet etching to partially retain the metal structure under the carbon nanotube layer. Since it is formed in the structure, it is possible to improve the electrical conductivity of the composite conductive thin film using carbon nanotubes while maintaining the transparency of the composite conductive substrate.

이와 같이 전기전도성이 향상되는 이유는, 복합 전도성 박막은 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브 간의 접촉 상태를 그대로 유지하면서, 탄소나노튜브층 아래에 금속 구조체가 위치하기 때문에, 금속 구조체에 의한 전기전도성이 탄소나노튜브층에 부가되어 복합 전도성 박막의 저항 감소 효과로 나타나기 때문이다.The reason why the electrical conductivity is improved is that the composite conductive thin film maintains the contact state between the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer, while the metal structure is located under the carbon nanotube layer. This is because the conductivity is added to the carbon nanotube layer, resulting in a resistance reduction effect of the composite conductive thin film.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판을 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판의 제조 방법에 따른 흐름도이다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면이다.
도 6은 비교예에 따른 전도성 기판을 보여주는 SEM 사진이다.
도 7은 도 2의 제조 방법으로 제조된 복합 전도성 기판을 보여주는 SEM 사진이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판 및 비교예에 따른 전도성 기판의 투과도와 면저항 특성을 비교한 그래프들이다.1 is a perspective view showing a composite conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a composite conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
3 to 5 are views showing each step according to the manufacturing method of FIG.
6 is a SEM photograph showing a conductive substrate according to a comparative example.
FIG. 7 is an SEM photograph showing a composite conductive substrate manufactured by the manufacturing method of FIG. 2.
8 to 12 are graphs comparing the transmittance and sheet resistance characteristics of the composite conductive substrate according to the embodiment of the present invention and the conductive substrate according to the comparative example.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판을 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view showing a composite conductive substrate according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 복합 전도성 기판(100)은 기판(10)과, 기판(10) 위에 형성된 복합 전도성 박막(40)을 포함한다. 복합 전도성 박막(40)은 금속 구조체(22)와 탄소나노튜브층(30)을 포함한다. 탄소나노튜브층(30)은 기판(10) 위에 탄소나노튜브(32)를 분산시켜 네트워크 구조로 형성한다. 그리고 금속 구조체(22)는 기판(10)과 탄소나노튜브층(30) 사이에 개재되며, 탄소나노튜브층(30)을 형성하는 탄소나노튜브(32) 아래에 불연속적으로 위치한다.Referring to FIG. 1, the composite conductive substrate 100 according to the present embodiment includes a substrate 10 and a composite conductive thin film 40 formed on the substrate 10. The composite conductive thin film 40 includes a metal structure 22 and a carbon nanotube layer 30. The carbon nanotube layer 30 is formed in a network structure by dispersing the carbon nanotubes 32 on the substrate 10. The metal structure 22 is interposed between the substrate 10 and the carbon nanotube layer 30, and is disposed discontinuously under the carbon nanotube 32 forming the carbon nanotube layer 30.

이와 같은 본 실시예에 따른 복합 전도성 기판(100)에 대해서 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the composite conductive substrate 100 according to this embodiment in detail as follows.

기판(10)은 광투과성을 갖는 투명한 소재로 제조될 수 있다. 예컨대 기판(10)의 소재로는 유리, 석영(quartz), 투명 플라스틱 기판, 투명 고분자 필름 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 투명 고분자 필름의 소재로는 PET, PC, PEN, PES, PMMA, PI, PEEK 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 투명 고분자 필름 소재의 기판(10)은 10 내지 10,000㎛의 두께를 가질 수 있다.The substrate 10 may be made of a transparent material having light transparency. For example, glass, quartz, a transparent plastic substrate, or a transparent polymer film may be used as a material of the substrate 10. As a material of the transparent polymer film, PET, PC, PEN, PES, PMMA, PI, PEEK, etc. may be used, but is not limited thereto. The substrate 10 of the transparent polymer film material may have a thickness of 10 to 10,000 μm.

금속 구조체(22)의 소재로는 전기전도성이 양호한 금속 소재가 사용될 수 있다. 예컨대 금속 구조체(22)의 소재로는 은(Ag), 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 이때 금속 구조체(22)는 기판(10) 위에 5~50nm의 두께로 형성될 수 있다. As a material of the metal structure 22, a metal material having good electrical conductivity may be used. For example, silver (Ag), gold, nickel, copper, aluminum, iron, titanium, chromium, zinc, manganese, cobalt, or an alloy thereof may be used as the material of the metal structure 22, but is not limited thereto. At this time, the metal structure 22 may be formed on the substrate 10 to a thickness of 5 ~ 50nm.

탄소나노튜브층(30) 아래에 형성되는 금속 구조체(22)는 기판(10) 위에 금속 박막을 형성하고, 그 위에 네트워크 구조의 탄소나노튜브층(30)을 형성한 후, 습식 식각을 통하여 금속 박막을 부분적으로 제거하여 탄소나노튜브층(30) 밑에 부분적으로 잔존시켜 형성할 수 있다. 이러한 금속 구조체(22)는 탄소나노튜브층(30)을 형성하는 탄소나노튜브(32)가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포하게 된다.The metal structure 22 formed under the carbon nanotube layer 30 forms a metal thin film on the substrate 10, forms a carbon nanotube layer 30 having a network structure thereon, and then wets the metal through wet etching. The thin film may be partially removed to partially remain under the carbon nanotube layer 30. The metal structure 22 is relatively distributed in a portion where the carbon nanotubes 32 forming the carbon nanotube layer 30 overlap each other.

그리고 탄소나노튜브층(30)은 금속 구조체(22)로 형성될 금속 박막을 형성한 이후에 금속 박막 위에 형성된다. 이때 탄소나노튜브(32)로는 직경이 1~30nm, 길이가 300nm~100㎛의 크기를 갖는, 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 등이 사용될 수 있다. 탄소나노튜브(32)는 분산제를 이용하여 초음파 분산함으로써 수분산액 형태의 분산액을 만들 수 있다. 분산제는 고분자 형태 또는 계면활성제 형태가 있으며 분산제의 특성에 따라 탄소나노튜브(32)의 분산성이 달라지며 기판(10)에 코팅했을 때 전도 특성도 달라진다. 주로 많이 사용되는 분산제로는 sodium dodecylbenzenesulfate(SDBS), sodium dodecyl sulfate(SDS), lithium dedecyl sulfate(LDS), dodecyl benzene sulfonic acid (DBSA), cetytrimethyl ammonium-bromide(CTAB), Dodecyl trimethyl ammonium-bromide(DTAB), polysaccharide, poly(vinyl pyrrolidone(PVP), Triton X-series, Brij-series, Tween-series, poly(acrylic acid), Polyvinyl alcohol, NMP 등이 있다.The carbon nanotube layer 30 is formed on the metal thin film after forming the metal thin film to be formed of the metal structure 22. In this case, the carbon nanotubes 32 may have a diameter of 1 to 30 nm and a length of 300 nm to 100 μm, such as single-walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, and multi-walled carbon nanotubes. The carbon nanotubes 32 may be dispersed in the form of an aqueous dispersion by ultrasonic dispersion using a dispersant. The dispersant may be in the form of a polymer or a surfactant, and the dispersibility of the carbon nanotubes 32 varies according to the properties of the dispersant, and when the coating is applied to the substrate 10, the conducting properties also vary. Commonly used dispersants include sodium dodecylbenzenesulfate (SDBS), sodium dodecyl sulfate (SDS), lithium dedecyl sulfate (LDS), dodecyl benzene sulfonic acid (DBSA), cetytrimethyl ammonium-bromide (CTAB), Dodecyl trimethyl ammonium-bromide (DTAB ), polysaccharide, poly (vinyl pyrrolidone (PVP), Triton X-series, Brij-series, Tween-series, poly (acrylic acid), Polyvinyl alcohol, NMP.

이러한 탄소나노튜브 분산액을 스프레이 코팅, 롤 코팅, 딥 코팅, 스핀 코팅의 방법으로 기판(10)에 코팅하여 네트워크 구조를 갖는 탄소나노튜브층(30)을 형성할 수 있다.The carbon nanotube dispersion may be coated on the substrate 10 by spray coating, roll coating, dip coating, or spin coating to form a carbon nanotube layer 30 having a network structure.

이와 같이 본 실시예에 따른 복합 전도성 기판(100)은 네트워크 구조로 형성된 탄소나노튜브층(30)과 투명한 기판(10) 사이에 금속 구조체(22)가 개재된 구조의 복합 전도성 박막(40)을 구비하기 때문에, 복합 전도성 기판(100)의 투명성을 유지하면서 탄소나노튜브(32)를 이용한 복합 전도성 박막(40)의 전기전도성을 향상시킬 수 있다.
As described above, the composite conductive substrate 100 according to the present embodiment includes a composite conductive thin film 40 having a metal structure 22 interposed between the carbon nanotube layer 30 and the transparent substrate 10 having a network structure. Since it is provided, the electrical conductivity of the composite conductive thin film 40 using the carbon nanotubes 32 can be improved while maintaining the transparency of the composite conductive substrate 100.

이와 같은 본 실시예에 따른 복합 전도성 박막(40)을 갖는 복합 전도성 기판(100)의 제조 방법에 대해서 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판(100)의 제조 방법에 따른 흐름도이다. 도 3 내지 도 5는 도 2의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면이다.A method of manufacturing the composite conductive substrate 100 having the composite conductive thin film 40 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 5 as follows. 2 is a flow chart according to the manufacturing method of the composite conductive substrate 100 according to the embodiment of the present invention. 3 to 5 are views showing each step according to the manufacturing method of FIG.

먼저 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 준비한다.First, as shown in FIG. 3, the substrate 10 is prepared.

다음으로 도 4에 도시된 바와 같이, S51단계에서 기판(10) 위에 금속 구조체로 형성될 금속 박막(20)을 형성한다. 금속 박막(20)은 기판(10) 위에 5~50nm의 두께(a)로 형성될 수 있다. Next, as shown in Figure 4, in step S51 to form a metal thin film 20 to be formed of a metal structure on the substrate 10. The metal thin film 20 may be formed on the substrate 10 to have a thickness a of 5 to 50 nm.

이어서 도 5에 도시된 바와 같이, S53단계에서 금속 박막(20) 위에 탄소나노튜브(32)를 분산시켜 네트워크 구조의 탄소나노튜브층(30)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5, in operation S53, the carbon nanotubes 32 are dispersed on the metal thin film 20 to form the carbon nanotube layer 30 having a network structure.

그리고 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, S53단계에서 탄소나노튜브층(30)을 형성하는 탄소나노튜브(32) 사이로 노출된 금속 박막(20) 부분을 식각하여 제거함으로써, 탄소나노튜브층(30) 아래에 금속 박막(20) 성분의 금속 구조체(22)가 잔존하는 복합 전도성 박막(40)을 형성할 수 있다. 즉 습식 식각을 통하여 금속 박막(20)을 부분적으로 제거하여 탄소나노튜브층(30) 아래에 부분적으로 금속 박막(20) 성분의 금속 구조체(30)를 잔존시킨다.5 and 6, by etching and removing portions of the metal thin film 20 exposed between the carbon nanotubes 32 forming the carbon nanotube layer 30 in step S53, the carbon nanotube layer is removed. The composite conductive thin film 40 in which the metal structure 22 of the metal thin film 20 component remains may be formed below the 30. That is, the metal thin film 20 is partially removed through wet etching, and the metal structure 30 of the metal thin film 20 component partially remains under the carbon nanotube layer 30.

이때 금속 박막(20)의 식각 시 탄소나노튜브층(30)은 일종의 식각 마스크로 작용하기 때문에, 금속 구조체(30)는 탄소나노튜브층(30) 중에서 탄소나노튜브(32)의 중첩율이 높은 부분에 잔존할 확률이 높기 때문에, 탄소나노튜브(32)의 중첩율이 높은 부분에 상대적으로 많이 분포하게 된다.At this time, since the carbon nanotube layer 30 acts as an etching mask when the metal thin film 20 is etched, the metal structure 30 has a high overlapping ratio of the carbon nanotubes 32 among the carbon nanotube layers 30. Since the probability of remaining in the portion is high, the carbon nanotubes 32 are relatively distributed in the portion where the overlap ratio of the carbon nanotubes 32 is high.

이때 식각에 사용되는 식각액은 사용되는 금속의 종류에 따라 차이가 있으며 주로 산성 또는 염기성 물질로 이루어진다. 식각 방법으로는 금속 박막(20) 위에 탄소나노튜브층(30)이 코팅된 기판(10)을 스핀 코터로 회전시키면서 금속 식각액을 기판(10) 위에 떨어뜨리는 방법을 사용할 수 있다. 금속 식각액의 농도 조절을 통하여 식각 속도를 조절할 수 있다.At this time, the etchant used for etching is different depending on the type of metal used and is mainly composed of an acidic or basic substance. As an etching method, a method of dropping a metal etchant on the substrate 10 while rotating the substrate 10 coated with the carbon nanotube layer 30 on the metal thin film 20 with a spin coater may be used. The etching rate may be controlled by controlling the concentration of the metal etchant.

이때 금속 박막(20)을 5~50nm의 두께로 형성한 이유는 다음과 같다. 먼저 금속 박막(20)의 두께가 5nm 이하인 경우, 형성될 금속 구조체(22)로 인한 전기전도성의 개선 효과가 미미할 수 있다. 반면에 금속 박막(20)의 두께가 50nm 이상인 경우, 습식 식각에 의해 탄소나노튜브층(30)이 기판(10)에서 박리되는 문제가 발생될 수 있다. 즉 습식 식각을 수행하면, 탄소나노튜브층(30)을 형성하는 탄소나노튜브(32) 사이로 노출된 금속 박막(20) 부분은 제거된다. 아울러 중첩율이 낮거나 중첩되지 않은 탄소나노튜브(32) 아래에 형성된 금속 박막(20) 부분도 일부 제거될 수 있다. 따라서 이러한 금속 박막(20)이 제거된 일부 탄소나노튜브(32) 부분에서는 탄소나노튜브(32)가 기판(10)에서 분리되는 문제가 발생될 수 있다.The reason for forming the metal thin film 20 to a thickness of 5 ~ 50nm is as follows. First, when the thickness of the metal thin film 20 is 5 nm or less, the effect of improving the electrical conductivity due to the metal structure 22 to be formed may be insignificant. On the other hand, when the thickness of the metal thin film 20 is 50nm or more, the carbon nanotube layer 30 may be peeled off from the substrate 10 by wet etching. That is, when the wet etching is performed, portions of the metal thin film 20 exposed between the carbon nanotubes 32 forming the carbon nanotube layer 30 are removed. In addition, a portion of the metal thin film 20 formed under the carbon nanotubes 32 having a low or non-overlapping rate may be partially removed. Therefore, in some carbon nanotubes 32 in which the metal thin film 20 is removed, the carbon nanotubes 32 may be separated from the substrate 10.

그런데 금속 박막(20)의 두께(a)가 5~50nm인 경우, 탄소나노튜브(32)와 기판(10) 사이에 금속 박막(20)이 제거되더라도 탄소나노튜브(30)와 기판(10) 간의 유격이 좁기 때문에, 탄소나노튜브(32)가 기판(10) 아래로 이동하여 기판(10)에 부착됨으로 탄소나노튜브층(30)이 기판(10)에서 박리되는 문제는 발생하지 않는다. 반면에 금속 박막(20)의 두께가 50nm 이상인 경우, 탄소나노튜브(32)와 기판(10) 사이에 금속 박막(20)이 제거되는 경우 탄소나노튜브(32)와 기판(10) 간의 유격이 크기 때문에, 기판(10)에서 탄소나노튜브층(30)이 박리되는 문제가 발생될 수 있다.However, when the thickness a of the metal thin film 20 is 5 to 50 nm, the carbon nanotube 30 and the substrate 10 may be removed even if the metal thin film 20 is removed between the carbon nanotube 32 and the substrate 10. Since the gap between the carbon nanotubes 32 is narrow, the carbon nanotubes 32 move below the substrate 10 and adhere to the substrate 10, so that the carbon nanotube layer 30 does not have a problem of being separated from the substrate 10. On the other hand, when the thickness of the metal thin film 20 is 50 nm or more, when the metal thin film 20 is removed between the carbon nanotubes 32 and the substrate 10, the gap between the carbon nanotubes 32 and the substrate 10 may be reduced. Due to the size, a problem may occur that the carbon nanotube layer 30 is peeled off from the substrate 10.

따라서 금속 구조체(22)로 인한 전기전도성의 개선과, 탄소나노튜브층(30)의 박리 문제를 고려할 때, 금속 박막(20)은 5~50nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.Therefore, in consideration of the improvement of the electrical conductivity due to the metal structure 22 and the peeling problem of the carbon nanotube layer 30, the metal thin film 20 is preferably formed to a thickness of 5 ~ 50nm.

이와 같이 본 실시예에 따른 복합 전도성 박막(40)은 투명한 기판(10) 위에 금속 박막(20)을 형성하고, 그 위에 네트워크 구조의 탄소나노튜브층(30)을 형성한 후, 습식 식각을 통하여 금속 박막(20)을 부분적으로 제거하여 탄소나노튜브층(30) 밑에 부분적으로 금속 구조체(22)가 잔존하는 구조로 형성하기 때문에, 복합 전도성 기판(100)의 투명성을 유지하면서 탄소나노튜브(32)를 이용한 복합 전도성 박막(40)의 전기전도성을 향상시킬 수 있다.As described above, the composite conductive thin film 40 according to the present embodiment forms the metal thin film 20 on the transparent substrate 10, and forms the carbon nanotube layer 30 having a network structure thereon, and then wet etching the same. Since the metal thin film 20 is partially removed to form a structure in which the metal structure 22 partially remains under the carbon nanotube layer 30, the carbon nanotube 32 is maintained while maintaining the transparency of the composite conductive substrate 100. The electrical conductivity of the composite conductive thin film 40 can be improved.

전기전도성이 향상되는 이유는, 복합 전도성 박막(40)은 탄소나노튜브층(30)을 형성하는 탄소나노튜브932) 간의 접촉 상태를 그대로 유지하면서, 탄소나노튜브층(30) 아래에 금속 구조체(22)가 위치하기 때문에, 금속 구조체(22)에 의한 전기전도성이 탄소나노튜브층(30)에 부가되어 복합 전도성 박막(40)의 저항 감소 효과로 나타나기 때문이다.The reason why the electrical conductivity is improved is that the composite conductive thin film 40 maintains the contact state between the carbon nanotubes 932 forming the carbon nanotube layer 30, while maintaining the contact state between the metal structures under the carbon nanotube layer 30. Since 22 is located, the electrical conductivity due to the metal structure 22 is added to the carbon nanotube layer 30, which results in the effect of reducing the resistance of the composite conductive thin film 40.

한편으로 탄소나노튜브와 금속입자가 혼합된 복합 소재를 기판에 코팅하여 복합 전도성 박막을 형성하는 방법도 고려해 볼 수 있지만, 이 경우 네트워크 구조로 형성되는 탄소나노튜브 사이에 금속입자가 끼어들기 때문에, 전기전도성의 향상 효과가 미미하거나 오히려 감소하는 경향이 있어 바람직하지 않다.
On the other hand, a method of forming a composite conductive thin film by coating a composite material mixed with carbon nanotubes and metal particles on a substrate may be considered. It is not preferable because the effect of improving electrical conductivity tends to be insignificant or rather reduced.

이와 같이 본 실시예에 따른 제조 방법으로 제조된 복합 전도성 기판(100)과, 비교예에 따른 전도성 기판이 도 6 및 도 7에 도시되어 있다. 여기서 도 6은 비교예에 따른 전도성 기판을 보여주는 SEM 사진이다. 도 7은 도 2의 제조 방법으로 제조된 복합 전도성 기판을 보여주는 SEM 사진이다.Thus, the composite conductive substrate 100 manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment and the conductive substrate according to the comparative example are shown in FIGS. 6 and 7. 6 is an SEM photograph showing a conductive substrate according to a comparative example. FIG. 7 is an SEM photograph showing a composite conductive substrate manufactured by the manufacturing method of FIG. 2.

도 6을 참조하면, 비교예에 따른 전도성 기판 표면을 보면 탄소나노튜브가 네트워크 구조를 이루고 있으며, 다공성의 전도성 박막을 형성하고 있으며 탄소나노튜브층 사이로 기판이 노출되어 있는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, when looking at the surface of the conductive substrate according to the comparative example, it can be seen that the carbon nanotubes form a network structure, form a porous conductive thin film, and the substrate is exposed between the carbon nanotube layers.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 복합 전도성 기판은 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브 사이로 금속 박막이 외기에 노출되게 되고 용액 공정을 통한 식각 시 노출된 부분은 쉽게 시각이 일어나게 된다. 반면 탄소나노튜브층 아래에 있는 금속 구조체는 식각 속도를 적절하게 조절할 때 기판에 잔존할 수 있게 된다. 이 잔존하는 금속 구조체는 다양한 형상의 입자로 형성되며 복합 전도막의 전기전도성 향상에 기여하게 된다.Referring to FIG. 7, in the composite conductive substrate according to the present embodiment, the metal thin film is exposed to the outside air between the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer, and the exposed portion is easily visualized during etching through a solution process. On the other hand, the metal structure under the carbon nanotube layer may remain on the substrate when the etching rate is properly adjusted. The remaining metal structure is formed of particles of various shapes and contributes to the improvement of the electrical conductivity of the composite conductive film.

이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판과, 비교예에 따른 전도성 기판의 투과도와 면저항 특성을 측정한 결과는 도 8 내지 도 12의 그래프와 같다. 여기서 도 8 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판 및 비교예에 따른 전도성 기판의 투과도와 면저항 특성을 비교한 그래프들이다.The results of measuring the transmittance and sheet resistance of the composite conductive substrate according to the embodiment of the present invention and the conductive substrate according to the comparative example are as shown in the graphs of FIGS. 8 to 12. 8 to 12 are graphs comparing the transmittance and sheet resistance characteristics of the composite conductive substrate according to the embodiment of the present invention and the conductive substrate according to the comparative example.

도 8 내지 도 12의 본 발명의 실시예에 따른 복합 전도성 기판을 구분하기 위해서, 도 8부터 시작해서 실시예1 내지 5로 구분하였다. 동일한 방식으로 비교예에 따른 전도성 기판도 도 8부터 시작해서 비교예1 내지 5로 구분하였다.In order to distinguish the composite conductive substrate according to the embodiment of the present invention of FIGS. 8 to 12, starting from FIG. 8, the examples are divided into Examples 1 to 5. In the same manner, the conductive substrate according to the comparative example was also divided into Comparative Examples 1 to 5 starting with FIG. 8.

도 8 내지 도 11에서는 기판으로 유리 기판을 사용하였고, 도 12에서는 PET 기판을 사용하였다. 금속 구조체의 소재로는 은(Ag)을 사용하였다.8 to 11, a glass substrate was used as a substrate, and in FIG. 12, a PET substrate was used. Silver (Ag) was used as a raw material of the metal structure.

실시예1 내지 5에 따른 복합 전도성 기판은 다음과 같이 제조하였다.Composite conductive substrates according to Examples 1 to 5 were prepared as follows.

기판 위에 은(Ag)을 코팅하여 은 박막을 형성한다.Silver (Ag) is coated on the substrate to form a silver thin film.

다음으로 분산제로써 SDBS 분산제를 사용하여 탄소나노튜브를 분산시켜 탄소나노튜브 분산액을 제조한다.Next, a carbon nanotube dispersion is prepared by dispersing carbon nanotubes using an SDBS dispersant as a dispersant.

이어서 탄소나노튜브 분산액을 은 박막이 코팅된 기판에 코팅하여 탄소나노튜브층을 형성한다.Subsequently, the carbon nanotube dispersion is coated on a silver-coated substrate to form a carbon nanotube layer.

그리고 탄소나노튜브층 및 은 박막이 형성된 기판에 은 식각액을 적용하여 본 실시예에 따른 복합 전도성 박막을 갖는 복합 전도성 기판을 제조하였다. 이때 은 식각액(type TFS)으로는 Transene company, INC. 제품을 사용하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 은 식각액은 증류수를 이용하여 40 내지 50%으로 희석한 희석 용액을 사용하였다. 식각 방법으로는 은 박막 위에 탄소나노튜브층이 코팅된 기판을 스핀 코터로 회전시키면서 은 식각액을 기판 위에 떨어뜨리는 방법을 사용하였다. 은 식각액의 농도 조절을 통하여 식각 속도를 조절하였다.Then, a silver conductive solution was applied to the substrate on which the carbon nanotube layer and the silver thin film were formed to prepare a composite conductive substrate having the composite conductive thin film according to the present embodiment. In this case, as the etchant (type TFS), Transene company, INC. Although a product was used, it is not limited to this. The silver etchant was diluted with 40 to 50% using distilled water. As an etching method, a silver etching solution was dropped on the substrate while rotating the substrate coated with the carbon nanotube layer on the silver thin film with a spin coater. The etching rate was controlled by controlling the concentration of the etchant.

예컨대 은 박막의 두께에 따라 식각 속도를 조절하기 위해 식각액의 농도를 증류수로 조절하였다. 은 박막 두께가 10nm 이하 일 때는 40% 희석된 식각액을 사용하였고 은 박막 두께가 20nm 이상 일 때는 50% 희석된 식각액을 사용하였다.For example, the concentration of the etchant was adjusted with distilled water to control the etching rate according to the thickness of the silver thin film. When the thickness of the silver thin film was 10 nm or less, 40% diluted etchant was used. When the thickness of the silver thin film was 20 nm or more, 50% diluted etchant was used.

은 박막 위에 탄소나노튜브층이 형성된 기판을 스핀코터 위에 올려두고 희석된 식각액을 기판 위에 떨어뜨려 1500rpm의 속력으로 60초 동안 스핀코팅을 하는 방법으로 식각을 진행하였다. 이후 곧바로 증류수로 세척하여 제거하여 잔류 식각액을 제거하였다.Etching was performed by placing a substrate on which a carbon nanotube layer was formed on a silver thin film on a spin coater, and dropping the diluted etchant onto the substrate, followed by spin coating at a speed of 1500 rpm for 60 seconds. Thereafter, the resultant was immediately washed with distilled water to remove residual etchant.

한편 실시예1 내지 5에 따른 복합 전도성 박막의 전기전도성 상승 효과를 비교하기 위해, 은 박막이 코팅되지 않은 PET와 유리 기판을 준비하여 동일한 조건으로 탄소나노튜브 분산액을 코팅하여 탄소나노튜브 전도막이 형성된 비교예1 내지 5에 따른 전도성 기판을 준비하였다.On the other hand, in order to compare the electrical conductivity of the composite conductive thin film according to Examples 1 to 5, a carbon nanotube conductive film is formed by coating a carbon nanotube dispersion under the same conditions by preparing a PET and a glass substrate is not coated with a silver thin film The conductive substrates according to Comparative Examples 1 to 5 were prepared.

그리고 실시예1 내지 5의 복합 전도성 박막과, 비교예1 내지 5의 전도성 박막(탄소나노튜브층)의 투과도와 면저항을 측정하였다.The transmittance and sheet resistance of the composite conductive thin films of Examples 1 to 5 and the conductive thin films (carbon nanotube layers) of Comparative Examples 1 to 5 were measured.

측정 결과, 도 8 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 실시예1 내지 5에 따른 복합 전도성 박막이 비교예1 내지 5에 따른 전도성 박막에 비해서 면저항 값이 낮게 측정되었으며, 동일한 탄소나노튜브층 형성 공정을 고려할 때 전기전도성이 크게 개선된 것을 알 수 있다.As a result, as shown in Figures 8 to 12, the composite conductive thin film according to Examples 1 to 5 was measured to have a low sheet resistance compared to the conductive thin film according to Comparative Examples 1 to 5, the same carbon nanotube layer forming process Considering this, it can be seen that the electrical conductivity is greatly improved.

이러한 경향은 은 박막의 두께에 따라 그 정도의 차이는 있지만, 은 박막의 두께가 10~50nm 일 때 면 저항이 감소하는 결과를 보여주었으며, 은 박막의 두께가 20~30nm에서 저항 감소율이 가장 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다.Although this tendency varies according to the thickness of the silver thin film, the surface resistance decreases when the thickness of the silver thin film is 10 to 50 nm, and the resistance reduction rate is the largest when the thickness of the silver thin film is 20 to 30 nm. You can see it appear.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

10 : 기판
20 : 금속 박막
22 : 금속 구조체
30 : 탄소나노튜브층
32 : 탄소나노튜브
40 : 복합 전도성 박막
100 : 복합 전도성 기판10: substrate
20: metal thin film
22: metal structure
30: carbon nanotube layer
32: carbon nanotube
40: composite conductive thin film
100: composite conductive substrate

Claims (8)

기판을 준비하는 단계;
상기 기판 위에 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 금속 박막 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조의 탄소나노튜브층을 형성하는 단계;
습식 식각을 통하여 상기 금속 박막을 부분적으로 제거하여 상기 탄소나노튜브층 아래에 부분적으로 상기 금속 박막 성분의 금속 구조체를 잔존시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법.Preparing a substrate;
Forming a metal thin film on the substrate;
Dispersing carbon nanotubes on the metal thin film to form a carbon nanotube layer having a network structure;
Partially removing the metal thin film through wet etching to partially leave the metal structure of the metal thin film component under the carbon nanotube layer;
Method for producing a composite conductive substrate comprising a. 제1항에 있어서,
상기 기판은 투명한 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
The substrate is a method for producing a composite conductive substrate, characterized in that the transparent. 제2항에 있어서, 상기 금속 박막을 형성하는 단계에서,
상기 금속 박막의 소재는 은, 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금이고,
상기 금속 박막은 5~50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법.The method of claim 2, wherein in the forming of the metal thin film,
The material of the metal thin film is silver, gold, nickel, copper, aluminum, iron, titanium, chromium, zinc, manganese, cobalt or alloys thereof,
The metal thin film is a method of manufacturing a composite conductive substrate, characterized in that formed in a thickness of 5 ~ 50nm. 제3항에 있어서, 상기 금속 구조체를 잔존시키는 단계에서,
상기 금속 구조체는 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법.The method of claim 3, wherein in the step of remaining the metal structure,
The metal structure is a method of manufacturing a composite conductive substrate, characterized in that the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer is relatively distributed in a relatively large portion overlapping. 기판;
상기 기판 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조로 형성된 탄소나노튜브층과,
상기 기판과 탄소나노튜브층 사이에 개재되며, 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브 아래에 불연속적으로 위치하는 금속 구조체를 구비하는 복합 전도성 박막;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판.Board;
A carbon nanotube layer formed of a network structure by dispersing carbon nanotubes on the substrate;
A composite conductive thin film interposed between the substrate and the carbon nanotube layer and having a metal structure discontinuously positioned under the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer;
Composite conductive substrate comprising a. 제5항에 있어서, 상기 금속 구조체는,
상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판.The method of claim 5, wherein the metal structure,
Composite conductive substrate, characterized in that the carbon nanotubes forming the carbon nanotube layer is relatively distributed in the overlapping portion. 제6항에 있어서, 상기 금속 구조체는,
은, 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금의 소재로, 상기 기판 위에 5~50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판.The method of claim 6, wherein the metal structure,
A composite conductive substrate, which is formed of silver, gold, nickel, copper, aluminum, iron, titanium, chromium, zinc, manganese, cobalt, or an alloy thereof, having a thickness of 5 to 50 nm on the substrate. 제5항에 있어서,
상기 기판의 소재는 광투과성을 갖는 투명한 소재인 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판.The method of claim 5,
The material of the substrate is a composite conductive substrate, characterized in that the transparent material having a light transmittance.
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