KR101294362B1 - Method for graphene hybrid film comprising hexagonal boron nitride - Google Patents

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Abstract

육방정계 질화붕소층을 포함하는 그래핀 복합필름 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법은 무촉매 기판 상부에 육방정계 질화붕소층을 형성하는 제1 단계; 상기 육방정계 질화붕소층 상부에 금속 촉매층을 형성하는 제2 단계; 상기 금속 촉매층에 탄소를 공급하여 상기 금속 촉매층 하부에는 적어도 1층 이상의 하부그래핀층을 형성하고, 상기 금속 촉매층 상부에는 적어도 1층 이상의 상부그래핀층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 금속 촉매층 및 상기 상부그래핀층을 제거하는 제4 단계를 포함한다.A graphene composite film manufacturing method including a hexagonal boron nitride layer is disclosed. Graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises a first step of forming a hexagonal boron nitride layer on the catalyst-free substrate; A second step of forming a metal catalyst layer on the hexagonal boron nitride layer; Supplying carbon to the metal catalyst layer to form at least one or more lower graphene layers below the metal catalyst layer, and forming at least one or more upper graphene layers above the metal catalyst layer; And a fourth step of removing the metal catalyst layer and the upper graphene layer.

Description

육방정계 질화붕소층을 포함하는 그래핀 복합필름 제조방법{METHOD FOR GRAPHENE HYBRID FILM COMPRISING HEXAGONAL BORON NITRIDE}Graphene composite film manufacturing method comprising a hexagonal boron nitride layer {METHOD FOR GRAPHENE HYBRID FILM COMPRISING HEXAGONAL BORON NITRIDE}

본 발명은 그래핀 복합필름 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 육방정계 질화붕소층을 포함하는 그래핀 복합필름 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene composite film manufacturing method, and more particularly to a graphene composite film manufacturing method comprising a hexagonal boron nitride layer.

최근 각광받고 있는 그래핀(Graphene)은 유연하고 전기 전도도가 매우 높으며 투명하기 때문에, 투명하고 휘어지는 전극으로 사용하거나 전자 소자에서 전자 수송층과 같은 전자 전송 물질로 활용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다.Graphene (Graphene), which is in the spotlight recently, is flexible, has a very high electrical conductivity, and is transparent. Therefore, studies are being actively conducted to use it as a transparent and curved electrode or as an electron transport material such as an electron transport layer in an electronic device.

그러나, 그래핀 형성 공정상의 제약으로 인하여 그래핀을 적용시킨 전자 소자의 품질은 현실적으로 낮다는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점은 다양한 원인에서 기인할 수 있으나 대표적으로는 그래핀이 부착되는 절연체(기판)의 특성을 들 수 있다. However, due to the constraints on the graphene formation process, there is a problem in that the quality of the electronic device to which the graphene is applied is practically low. Such a problem may be due to various causes, but typically includes the characteristics of an insulator (substrate) to which graphene is attached.

보다 구체적으로, 그래핀이 부착되는 절연체로는 통상적으로 SiO2 기판이 이용되는데, 상기 SiO2 기판의 경우 그래핀과의 격자 미스매치(lattice mismatch)를 가지므로, 그래핀을 SiO2 기판상에 올려 놓을 경우에는 전자들이 SiO2의 일부에 트랩되어 그래핀의 전기적 특성에 변화가 발생하는 문제가 있었고, 이는 그래핀을 적용시킨 전자 소자의 품질저하로 나타났다.More specifically, as an insulator to which graphene is attached, a SiO 2 substrate is typically used. Since the SiO 2 substrate has a lattice mismatch with graphene, the graphene is deposited on the SiO 2 substrate. When put up, electrons were trapped in a part of SiO 2 and there was a problem that the electrical characteristics of the graphene were changed, which resulted in the degradation of the electronic device to which graphene was applied.

상술한 문제점을 해결하기 위해, 육방정계 질화붕소(h-BN, Hexagonal Boron Nitride)를 그래핀이 부착되는 절연체로 이용하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 상기 육방정계 질화붕소는 그래핀과의 격자 미스매치가 1.7%로 기판과 기판사이의 계면구조가 안정적이며 완전한 절연체의 성질을 가지고 있으므로, 그래핀을 전기적, 구조적으로 절연시킬 수 있다. 이와 관련하여, 최근 연구에서는 육방정계 질화붕소를 그래핀용 기판물질로 이용하는 경우, 그래핀의 전자이동도가 크게 개선될 수 있음이 밝혀졌다.In order to solve the above problems, studies have been made to use hexagonal boron nitride (h-BN, Hexagonal Boron Nitride) as an insulator to which graphene is attached. Since the hexagonal boron nitride has a lattice mismatch with graphene of 1.7% and the interface structure between the substrate and the substrate is stable and has a property of a complete insulator, the graphene may be electrically and structurally insulated. In this regard, recent studies have shown that when the hexagonal boron nitride is used as a substrate material for graphene, electron mobility of graphene can be greatly improved.

이와 같은 육방정계 질화붕소층을 형성하기 위해서는 종래 CVD(Chemical Vapor Deposition)법이 이용되어 왔으며, 이는 산화 실리콘 기판 위에 금속 촉매를 증착하고 보라진(H3B3N3H3)을 포함한 질소 버블 가스를 주입하고 추가적인 고온 어닐링 공정을 통하여 육방정계 질화붕소층을 형성하는 방법이다.In order to form such a hexagonal boron nitride layer, a conventional chemical vapor deposition (CVD) method has been used, which deposits a metal catalyst on a silicon oxide substrate and contains nitrogen bubbles containing borazine (H 3 B 3 N 3 H 3 ). It is a method of injecting gas and forming a hexagonal boron nitride layer through an additional high temperature annealing process.

그런데, 상술한 종래 방법에서는 육방정계 질화붕소층의 표면조도(roughness)가 상승하는 문제점이 있었으며, 금속 촉매를 기반으로 성장하는 것이므로 식각 및 전사 공정이 추가적으로 요구되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.However, in the above-described conventional method, there is a problem in that the surface roughness of the hexagonal boron nitride layer is increased, and since the growth is based on a metal catalyst, an etching and a transfer process are additionally required, resulting in a complicated process.

한편, 형성된 육방정계 질화붕소층에 그래핀을 합성하는 방법은 다양할 수 있으나, 통상적으로는 박리법(일명 스카치 테치프법) 또는 금속 촉매상에 그래핀을 직접 성장하는 방법이 이용되고 있다. On the other hand, the method for synthesizing the graphene on the formed hexagonal boron nitride layer may be various, typically, a method of growing the graphene directly on the peeling method (also known as Scotch Tetch) or a metal catalyst is used.

그런데, 박리법(exfolidation)의 경우에는, 기본적으로 우연에 기대하는 공정으로 스카치 테이프로 기판 위에 증착하는 과정에서 그래핀과 여러층의 그래파이트가 쉽게 부셔지면서 그래핀과 그래파이트 조각들이 기판위에 무질서하게 섞이는 문제점이 있었다. 또한, 금속 촉매상에 그래핀을 직접 성장시키는 방법의 경우에는 금속 촉매 역시 전도체이므로 금속 촉매 상부에 형성된 그래핀의 특성에 영향을 미친다는 문제점이 있었고, 금속 촉매를 에칭시키는 경우에도 금속 촉매 상부에 형성된 그래핀에 존재하는 오염물질의 완벽한 제거가 어렵다는 문제가 추가적으로 발생하였다. By the way, in the case of exfolidation, the graphene and the graphite pieces are randomly mixed on the substrate while graphene and multiple layers of graphite are easily broken in the process of depositing on the substrate with Scotch tape in a process that is expected by chance. There was a problem. In addition, in the method of directly growing graphene on the metal catalyst, since the metal catalyst is also a conductor, there is a problem in that it affects the characteristics of the graphene formed on the metal catalyst, and even when etching the metal catalyst, A further problem arises that it is difficult to completely remove the contaminants present in the formed graphene.

따라서, 본 발명의 발명자들은 그래핀 복합필름을 제조하는 데 있어서, 육방정계 질화붕소층 형성시 표면조도 상승 문제를 방지하고, 육방정계 질화붕소층에 그래핀을 보다 효과적으로 합성시킬 수 있는 방안을 강구하게 되었다.Therefore, the inventors of the present invention to prepare a graphene composite film, to prevent the problem of surface roughness when forming the hexagonal boron nitride layer, and to devise a way to more effectively synthesize the graphene on the hexagonal boron nitride layer Was done.

본 발명의 실시예들은 육방정계 질화붕소층을 별도의 촉매 없이 형성함으로써, 육방정계 질화붕소층의 표면조도 상승 문제를 방지가능한 그래핀 복합필름 제조방법을 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention to form a hexagonal boron nitride layer without a separate catalyst, to provide a graphene composite film manufacturing method capable of preventing the surface roughness increase problem of the hexagonal boron nitride layer.

또한, 금속 촉매 상하부에 그래핀을 형성하고 이 중 금속 촉매 하부에 형성된 그래핀층만을 이용함으로써, 보다 높은 품질의 그래핀을 형성시킬 수 있는 그래핀 복합필름 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, by forming a graphene on the upper and lower metal catalyst and using only the graphene layer formed under the metal catalyst of the above, to provide a graphene composite film manufacturing method that can form a higher quality graphene.

본 발명의 일 측면에 따르면, 무촉매 기판 상부에 육방정계 질화붕소층(H-BN, Hexagonal Boron Nitride)을 형성하는 제1 단계; 상기 육방정계 질화붕소층 상부에 금속 촉매층을 형성하는 제2 단계; 상기 금속 촉매층에 탄소를 공급하여 상기 금속 촉매층 하부에는 적어도 1층 이상의 하부그래핀층을 형성하고, 상기 금속 촉매층 상부에는 적어도 1층 이상의 상부그래핀층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 금속 촉매층 및 상기 상부그래핀층을 제거하는 제4 단계를 포함하는 그래핀 복합필름 제조방법이 제공될 수 있다. According to an aspect of the invention, the first step of forming a hexagonal boron nitride layer (H-BN, Hexagonal Boron Nitride) on the catalyst-free substrate; A second step of forming a metal catalyst layer on the hexagonal boron nitride layer; Supplying carbon to the metal catalyst layer to form at least one or more lower graphene layers below the metal catalyst layer, and forming at least one or more upper graphene layers above the metal catalyst layer; And a graphene composite film manufacturing method comprising a fourth step of removing the metal catalyst layer and the upper graphene layer may be provided.

여기에서, 상기 무촉매 기판은 Si 기판, Si/Si02 기판, 사파이어 기판, 쿼츠(Quartz) 기판 및 유리 기판 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. The non-catalyst substrate may be at least one selected from a Si substrate, a Si / Si0 2 substrate, a sapphire substrate, a quartz substrate, and a glass substrate.

한편, 상기 제1 단계는, 상기 무촉매 기판 상부에 암모니아 보란(ammonia borane, H3BNH3) 또는 보론트리옥사이드(Boron trioxide, B2O3)를 포함하는 고체 소스 및 B3N3H6, B3H3Cl3, B3N3Cl6, BF3 또는 BCL3을 포함하는 가스를 열분해하여 육방정계 질화붕소층을 형성하는 단계일 수 있다. Meanwhile, the first step may include a solid source including ammonia borane (H 3 BNH 3 ) or boron trioxide (B 2 O 3 ) and B 3 N 3 H 6 on the non-catalyst substrate. The method may include forming a hexagonal boron nitride layer by thermally decomposing a gas including B 3 H 3 Cl 3 , B 3 N 3 Cl 6 , BF 3, or BCL 3 .

또한, 상기 금속 촉매층은 실리콘, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동, 청동, 백동, 스테인리스 스틸 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 합금일 수 있다. In addition, the metal catalyst layer is silicon, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, brass, bronze, At least one metal or alloy selected from the group consisting of copper, stainless steel and Ge.

또한, 상기 금속 촉매층의 두께는 10nm 내지 100㎛일 수 있다. In addition, the thickness of the metal catalyst layer may be 10nm to 100㎛.

한편, 상기 제2 단계는, 상기 금속 촉매층을 패터닝하는 단계; 및 상기 금속 촉매층을 상기 육방정계 질화붕소층 상부에 증착하는 단계를 포함할 수 있다.On the other hand, the second step, the step of patterning the metal catalyst layer; And depositing the metal catalyst layer on the hexagonal boron nitride layer.

또한, 상기 금속 촉매층을 패터닝하는 단계는, 상기 금속 촉매층 양측부에 소스 영역 및 드레인 영역을 패터닝하고, 상기 금속 촉매층 중앙부에는 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 연결하는 채널 영역을 패터닝하는 단계일 수 있다.The patterning of the metal catalyst layer may include patterning a source region and a drain region at both sides of the metal catalyst layer, and patterning a channel region connecting the source region and the drain region at the center of the metal catalyst layer.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 본 발명의 일 측면에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 의해 제조되는 그래핀 복합필름이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a graphene composite film manufactured by the graphene composite film manufacturing method according to an aspect of the present invention may be provided.

본 발명의 실시예들은 표면조도가 매우 낮은 무촉매 기판을 사용하여 육방정계 질화붕소층을 형성함으로써, 육방정계 질화붕소층의 표면조도를 낮은 수준으로 유지할 수 있다. Embodiments of the present invention by using a catalyst having a very low surface roughness to form a hexagonal boron nitride layer, it is possible to maintain a low surface roughness of the hexagonal boron nitride layer.

또한, 금속 촉매층 상하부에 그래핀을 형성시킨 후에, 이 중 금속 촉매층 하부에 형성된 그래핀층만을 이용함으로써 육방정계 질화붕소층 상부에 보다 높은 품질의 그래핀을 형성시킬 수 있다.In addition, after forming the graphene on the upper and lower metal catalyst layer, it is possible to form a higher quality graphene on the hexagonal boron nitride layer by using only the graphene layer formed under the metal catalyst layer of the.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 의해 제조된 그래핀 복합필름에서 금속 촉매층 및 상부그래핀층을 제거하기 전의 모습을 도시한 사시도이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법의 공정도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에서 금속 촉매층의 모습을 도시한 도면이다.1 is a perspective view showing a state before removing the metal catalyst layer and the upper graphene layer in the graphene composite film prepared by the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
2a to 2f is a process chart of the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a state of the metal catalyst layer in the graphene composite film manufacturing method according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 의해 제조된 그래핀 복합필름에서 금속 촉매층 및 상부그래핀층을 제거하기 전의 모습을 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a state before removing the metal catalyst layer and the upper graphene layer in the graphene composite film prepared by the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 의해 제조된 그래핀 복합필름(100)은 무촉매 기판(110), 무촉매 기판(110) 상부에 형성되는 육방정계 질화붕소층(130), 육방정계 질화붕소층(130) 상부에 형성되는 금속 촉매층(150), 금속 촉매층(150) 하부에 형성되는 하부그래핀층(170) 및 금속 촉매층(150) 상부에 형성되는 상부그래핀층(190)에서 금속 촉매층(150)과 상부그래핀층(190)을 제거한 형태로 형성될 수 있다. 다만, 도 1에서는 설명의 편의를 위해서 금속 촉매층(150) 및 상부그래핀층(190)을 제거하기 전의 상태를 도시하였음을 밝혀둔다. 1, the graphene composite film 100 manufactured by the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention is a non-catalyst substrate 110, a hexagon formed on the non-catalytic substrate 110 Formed on top of the boron nitride layer 130, the metal catalyst layer 150 formed on the hexagonal boron nitride layer 130, the lower graphene layer 170 formed below the metal catalyst layer 150 and the metal catalyst layer 150 The upper graphene layer 190 may be formed in a form in which the metal catalyst layer 150 and the upper graphene layer 190 are removed. However, FIG. 1 shows the state before removing the metal catalyst layer 150 and the upper graphene layer 190 for convenience of description.

본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 의해 제조된 그래핀 복합필름(100)은 무촉매 기판(110)을 사용하여 육방정계 질화붕소층(130)을 형성함으로써, 종래 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 발생하는 표면조도 상승 문제를 방지할 수 있다. 또한, 금속 촉매층(150) 하부에 형성되는 하부그래핀층(170)만을 이용함으로써, 육방정계 질화붕소층(130) 상부에 보다 높은 품질의 그래핀을 형성시킬 수 있다. In the graphene composite film 100 manufactured by the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention, by forming a hexagonal boron nitride layer 130 using the non-catalyst substrate 110, the conventional CVD ( The problem of surface roughness increase caused by the Chemical Vapor Deposition method can be prevented. In addition, by using only the lower graphene layer 170 formed under the metal catalyst layer 150, higher quality graphene may be formed on the hexagonal boron nitride layer 130.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 대해 순차적으로 설명하도록 한다. Hereinafter, the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described sequentially.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법의 공정도이다.2a to 2f is a process chart of the graphene composite film manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 우선 무촉매 기판(110)을 준비한다. 무촉매 기판(110)은 특정 종류로 한정되지 않는다. 예를 들면, 무촉매 기판(110)은 Si 기판, Si/Si02 기판, 사파이어 기판, 쿼츠(Quartz) 기판 및 유리 기판 중에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 한편, 무촉매 기판(110)의 형상은 한정되지 않는다. 예를 들어, 무촉매 기판(110)은 시트(sheet), 막대(rod) 또는 와이어 형태를 가질 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위하여 이하에서는 무촉매 기판(110)이 시트형상으로 형성된 경우를 중심으로 설명하도록 한다. Referring to FIG. 2A, first, a noncatalytic substrate 110 is prepared. The noncatalytic substrate 110 is not limited to a particular kind. For example, the non-catalytic substrate 110 may use at least one selected from a Si substrate, a Si / Si0 2 substrate, a sapphire substrate, a quartz substrate, and a glass substrate. On the other hand, the shape of the non-catalyst substrate 110 is not limited. For example, the noncatalytic substrate 110 may have a sheet, rod, or wire form. However, for convenience of description, the following description will focus on the case where the non-catalyst substrate 110 is formed in a sheet shape.

다음으로 도 2b를 참조하면, 무촉매 기판(110) 상부에 육방정계 질화붕소층(h-BN, 130)을 형성한다. 구체적으로, 무촉매 기판(110)을 로(furnace)에 넣고, 암모니아 보란(ammonia borane, H3BNH3) 또는 보론트리옥사이드(Boron trioxide, B2O3)를 포함하는 고체 소스 및 B3N3H6, B3H3Cl3, B3N3Cl6, BF3 또는 BCL3을 포함하는 가스를 공급한 후에 상압에서 열처리 함(400℃ 내지 1000℃)으로써 육방정계 질화붕소층(130)을 형성할 수 있다. 한편, 반응 온도, 가스 압력 및 반응 시간 등의 반응 조건은 사용하는 가스의 종류에 따라 변화될 수 있다. Next, referring to FIG. 2B, a hexagonal boron nitride layer (h-BN) 130 is formed on the noncatalytic substrate 110. Specifically, the non-catalyst substrate 110 is placed in a furnace, and a solid source including ammonia borane (H 3 BNH 3 ) or boron trioxide (B 2 O 3 ) and B 3 N Hexagonal boron nitride layer 130 by supplying a gas containing 3 H 6 , B 3 H 3 Cl 3 , B 3 N 3 Cl 6 , BF 3 or BCL 3 and heat treatment at normal pressure (400 ℃ to 1000 ℃) ) Can be formed. Meanwhile, reaction conditions such as reaction temperature, gas pressure, and reaction time may vary depending on the type of gas used.

다음으로 도 2c를 참조하면, 육방정계 질화붕소층(130) 상부에 금속 촉매층(150)을 형성한다. 금속 촉매층(150)은 그래핀을 형성하기 위한 것으로, 실리콘, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동, 청동, 백동, 스테인리스 스틸 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금을 포함할 수 있다. Next, referring to FIG. 2C, a metal catalyst layer 150 is formed on the hexagonal boron nitride layer 130. The metal catalyst layer 150 is for forming graphene, and includes silicon, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, One or more metals or alloys selected from the group consisting of V, Zr, brass, bronze, cupronickel, stainless steel and Ge.

금속 촉매층(150)을 형성하는 방법은 한정되지 아니한다. 예를 들면, 스핀코팅, 딥코팅, 스프레이 코팅 등 통상의 코팅 방법 내지는 도포 방법을 사용하는 것이 가능하다. The method of forming the metal catalyst layer 150 is not limited. For example, it is possible to use conventional coating methods or application methods such as spin coating, dip coating and spray coating.

한편, 금속 촉매층(150)의 두께는 10nm 내지 100㎛일 수 있다. 금속 촉매층(150)의 두께가 10nm 미만인 경우에는 판상의 그래핀 복합필름을 제조하기 어렵다는 문제가 있으며, 금속 촉매층(150)의 두께가 100㎛를 초과하는 경우에는 그래핀 형성시 하부그래핀층(170)의 성장 속도가 낮아질 뿐만 아니라 품질이 저하되는 문제가 있다. On the other hand, the thickness of the metal catalyst layer 150 may be 10nm to 100㎛. If the thickness of the metal catalyst layer 150 is less than 10nm, there is a problem that it is difficult to manufacture a plate-shaped graphene composite film, if the thickness of the metal catalyst layer 150 exceeds 100㎛ lower graphene layer 170 when forming the graphene ) Has a problem that not only the growth rate is lowered but also the quality is lowered.

다음으로 도 2d를 참조하면, 금속 촉매층(150)에 탄소를 공급하여 금속 촉매층(150) 하부에는 적어도 1층 이상의 하부그래핀층(170)을 형성하고, 금속 촉매층(150) 상부에는 적어도 1층 이상의 상부그래핀층(190)을 형성한다. Next, referring to FIG. 2D, carbon is supplied to the metal catalyst layer 150 to form at least one or more lower graphene layers 170 below the metal catalyst layer 150, and at least one or more layers above the metal catalyst layer 150. An upper graphene layer 190 is formed.

하부그래핀층(170) 및 상부그래핀층(190)은 복수개의 탄소원자들이 서로 공유결합으로 연결되어 폴리시클릭 방향족 분자를 형성하는 그래핀이 층 또는 시트 형태를 형성한 것이다. The lower graphene layer 170 and the upper graphene layer 190 are graphenes in which a plurality of carbon atoms are covalently connected to each other to form polycyclic aromatic molecules to form a layer or sheet.

상기 공유결합으로 연결된 탄소원자들은 기본 반복단위로서 도 1에 도시된 바와 같이 6원환을 형성하나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 탄소원자들은 5원환, 7원환등으로 형성되는 것도 가능하다. The covalently linked carbon atoms form a 6-membered ring as shown in FIG. 1 as a basic repeating unit, but is not limited thereto. That is, the carbon atoms may be formed of five-membered rings, seven-membered rings, and the like.

한편, 하부그래핀층(170) 및 상부그래핀층(190)은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 복수층으로 형성되는 것도 가능하다. 예를 들면, 하부그래핀층(170) 또는 상부그래핀층(190) 중에서 적어도 하나는 50층으로 형성되는 것이 가능하다.The lower graphene layer 170 and the upper graphene layer 190 may be formed as a single layer, but are not limited thereto. For example, at least one of the lower graphene layer 170 or the upper graphene layer 190 may be formed of 50 layers.

또한, 하부그래핀층(170) 또는 상부그래핀층(190)은 대면적으로 형성될 수 있으며, 예를 들면 횡방향 또는 종방향의 길이가 약 1mm 이상 내지 1000m에 이르도록 형성되는 것이 가능하다. In addition, the lower graphene layer 170 or the upper graphene layer 190 may be formed in a large area. For example, the lower graphene layer 170 or the upper graphene layer 190 may be formed to have a length of about 1 mm or more and about 1000 m in a horizontal or longitudinal direction.

우선, 금속 촉매층(150)에 상부그래핀층(190)을 형성시키기 위한 방법으로는 통상의 화학기상증착법이 이용될 수 있다. 상기 화학기상증착법의 예로는 고온화학기상증착(RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 상압화학기상증착(APCVD), 금속 유기화학기상증착(MOCVD) 또는 화학기상증착(PECVD)등이 있을 수 있다.First, a conventional chemical vapor deposition method may be used as a method for forming the upper graphene layer 190 on the metal catalyst layer 150. Examples of chemical vapor deposition include high temperature chemical vapor deposition (RTCVD), inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). ) Or chemical vapor deposition (PECVD).

예를 들면, 금속 촉매층(150)을 로(furnace)에 넣고, 탄소 소스를 포함하는 반응가스를 공급하고 상압에서 열처리 함(300 내지 2000℃)으로써 상부그래핀층(190)을 성장시키는 것이 가능하다.For example, it is possible to grow the upper graphene layer 190 by placing the metal catalyst layer 150 in a furnace, supplying a reaction gas containing a carbon source, and heat-treating at atmospheric pressure (300 to 2000 ° C.). .

상기 탄소 소스의 예로는 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔 등이 있을 수 있다Examples of the carbon source may be carbon monoxide, carbon dioxide, methane, ethane, ethylene, ethanol, acetylene, propane, butane, butadiene, pentane, pentene, cyclopentadiene, hexane, cyclohexane, benzene, toluene and the like.

다음으로, 상기 탄소 소스를 포함하는 반응가스가 공급되어 적정 압력 조건 및 온도 조건 하에서 금속 촉매층(150)이 가열되면, 금속 촉매층(150) 내부에 탄소 원자가 확산된다. 이 상태에서 온도를 낮추면서 냉각시키면 금속 촉매층(150) 하부에는 금속 촉매층(150) 내부에 용해되어 있던 탄소가 응집되면서 하나 이상의 탄소층이 추가로 형성되어 하부그래핀층(170)이 형성될 수 있다. 이 때, 냉각속도는 한정되지 않으며 예를 들면, 20℃/min 내지 100℃/min일 수 있다.Next, when the reaction gas including the carbon source is supplied and the metal catalyst layer 150 is heated under an appropriate pressure condition and a temperature condition, carbon atoms diffuse into the metal catalyst layer 150. In this state, when cooling while lowering the temperature, one or more carbon layers may be additionally formed as the carbon dissolved in the metal catalyst layer 150 is agglomerated under the metal catalyst layer 150 to form the lower graphene layer 170. . At this time, the cooling rate is not limited and may be, for example, 20 ° C / min to 100 ° C / min.

다음으로 도 2e 및 도 2f를 참조하면, 금속 촉매층(150) 및 상부그래핀층(190)을 제거함으로써 그래핀 복합필름(100)을 완성한다. 이는 상부그래핀층(190)의 경우 전도체인 금속 촉매층(150)의 영향을 받아 특성이 저하되는 문제가 있으며, 금속 촉매층(150)만 제거하는 경우에도 상부그래핀층(190)의 경우 그래핀에 존재 가능한 오염물질의 완전한 제거가 어렵기 때문이다. 2E and 2F, the graphene composite film 100 is completed by removing the metal catalyst layer 150 and the upper graphene layer 190. This is a problem that the characteristics of the upper graphene layer 190 is affected by the metal catalyst layer 150, which is a conductor deteriorated, even in the case of removing only the metal catalyst layer 150 is present in the graphene layer 190 This is because complete removal of possible contaminants is difficult.

그래핀은 산소(O2) 또는 수소(H2) 기체를 이용하여 쉽게 제거가 가능하므로, 통상적인 방법을 이용하여 상부그래핀층(190)을 제거 가능하다. 또한, 금속 촉매층(150)의 경우에는 금속 촉매층(150)을 선택적으로 에칭시킬 수 있는 에칭액을 사용하여 제거 가능하다. 즉, 상기 에칭액은 금속 촉매층(150)의 종류에 따라 대응하여 선택될 수 있다. Since graphene can be easily removed using oxygen (O 2 ) or hydrogen (H 2 ) gas, the upper graphene layer 190 can be removed using a conventional method. In the case of the metal catalyst layer 150, the metal catalyst layer 150 may be removed using an etching solution capable of selectively etching the metal catalyst layer 150. That is, the etching solution may be selected correspondingly according to the type of the metal catalyst layer 150.

이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 대하여 설명하도록 한다. Hereinafter, a graphene composite film manufacturing method according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법은 전술한 실시예에서 금속 촉매층(150)을 패터닝하는 단계를 더 포함한다. 즉, 무촉매 기판(110) 상부에 육방정계 질화붕소층(130)을 형성하고, 육방정계 질화붕소층(130) 상부에 금속 촉매층(150)을 형성하는데, 이 때 금속 촉매층(150)을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. Graphene composite film manufacturing method according to another embodiment of the present invention further comprises the step of patterning the metal catalyst layer 150 in the above-described embodiment. That is, the hexagonal boron nitride layer 130 is formed on the non-catalyst substrate 110, and the metal catalyst layer 150 is formed on the hexagonal boron nitride layer 130, wherein the metal catalyst layer 150 is patterned. It may further comprise the step.

본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에서, 금속 촉매층(150)을 패터닝하는 단계를 제외한 나머지 공정은 전술한 실시예와 동일 또는 유사하므로 중복 설명은 생략하기로 한다. In the graphene composite film manufacturing method according to another embodiment of the present invention, the remaining processes except for patterning the metal catalyst layer 150 are the same as or similar to the above-described embodiment will be omitted.

금속 촉매층(150)을 패터닝하는 방법은 통상의 포토 리소그래피(photo lithohraphy) 공정 등을 사용할 수 있다. 예를 들면, 금속 촉매층(150) 표면에 포토레지스트 조성물을 코팅하고, 노광 공정 및 인쇄 공정을 이용하는 것이 가능하다. 상기 포토레지스트 조성물은 금속 촉매층(150)의 패터닝 후에, 제거될 수 있다. The method for patterning the metal catalyst layer 150 may use a conventional photo lithohraphy process or the like. For example, it is possible to coat the photoresist composition on the surface of the metal catalyst layer 150 and to use an exposure process and a printing process. The photoresist composition may be removed after patterning the metal catalyst layer 150.

한편, 금속 촉매층(150)의 패터닝 형상은 한정되지 않으며, 구현하고자 하는 전자 소자에 대응하여 패터닝 하는 것이 가능하다. On the other hand, the patterning shape of the metal catalyst layer 150 is not limited, it is possible to pattern corresponding to the electronic device to be implemented.

이와 관련하여, 도 3은 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에서 금속 촉매층(150)의 모습을 도시한 도면이다. In this regard, Figure 3 is a view showing the appearance of the metal catalyst layer 150 in the graphene composite film manufacturing method according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 금속 촉매층(150)의 패터닝 형상은 금속 촉매층(150) 양측부에 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D)을 패터닝하고, 금속 촉매층(150) 중앙부에는 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D)을 연결하는 채널 영역(C)을 패터닝하는 것이 가능하다. 이 때, 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D)은 패드(pad) 형태일 수 있고, 채널 영역(C)은 폭이 좁은 라인 형태로 형성하는 것이 가능하다. Referring to FIG. 3, the patterning shape of the metal catalyst layer 150 patterns the source region S and the drain region D on both sides of the metal catalyst layer 150, and the source region S at the center of the metal catalyst layer 150. And the channel region C connecting the drain region D. FIG. In this case, the source region S and the drain region D may be in the form of a pad, and the channel region C may be formed in the form of a narrow line.

상술한 바와 같이, 금속 촉매층(150)을 패터닝하는 경우에는 그래핀층들을 형성시킬 때, 원하는 모양으로 형성시킬 수 있으므로 하부그래핀층(170)을 전자 소자에서 전극, 인덕터, 배선, 센서등 다양한 목적으로 사용하는 것이 가능하다.
As described above, when the metal catalyst layer 150 is patterned, the graphene layers may be formed in a desired shape, so that the lower graphene layer 170 may be used for various purposes such as electrodes, inductors, wirings, and sensors in electronic devices. It is possible to use.

한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면 전술한 실시예들에 따른 그래핀 복합필름 제조방법에 따라 제조된 그래핀 복합필름이 제공될 수 있다. Meanwhile, according to another aspect of the present invention, a graphene composite film manufactured according to the graphene composite film manufacturing method according to the above embodiments may be provided.

상기 그래핀 복합필름은 유연성 및/또는 연신가능성이 요구되는 차세대 전계 효과 트랜지스터 또는 다이오드 등 각종 전자 전기 소자의 전극 제조(특히, 투명 전극), 또는 태양 전지, 터치 센서 및 관련된 유연성 전자 기술 분야에서 광전자기적 응용을 위한 그래핀 투명 전극으로 사용되는 것이 가능하다. The graphene composite film may be used in the manufacture of electrodes (especially transparent electrodes) of various electronic and electronic devices such as next-generation field effect transistors or diodes requiring flexibility and / or stretchability, or in photovoltaics, touch sensors, and related flexible electronic technologies. It is possible to be used as graphene transparent electrode for miracle applications.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들은 표면조도가 매우 낮은 무촉매 기판을 사용하여 육방정계 질화붕소층을 형성함으로써, 육방정계 질화붕소층의 표면조도를 낮은 수준으로 유지할 수 있으며, 금속 촉매층 상하부에 그래핀층을 형성시킨 후에, 이 중 금속 촉매층 하부에 형성된 그래핀층만을 이용함으로써 육방정계 질화붕소층 상부에 보다 높은 품질의 그래핀을 형성시킬 수 있다.As described above, the embodiments of the present invention form a hexagonal boron nitride layer by using a catalyst having a very low surface roughness, thereby maintaining a low surface roughness of the hexagonal boron nitride layer, and the upper and lower metal catalyst layers. After the graphene layer is formed on, by using only the graphene layer formed below the metal catalyst layer of the higher quality it can be formed on the hexagonal boron nitride layer upper graphene.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, many modifications and changes may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

100 : 그래핀 복합필름
110 : 무촉매 기판
130 : 육방정계 질화붕소층
150 : 금속 촉매층
170 : 하부그래핀층
190 : 상부그래핀층100: graphene composite film
110: noncatalytic substrate
130: hexagonal boron nitride layer
150: metal catalyst layer
170: lower graphene layer
190: upper graphene layer

Claims (8)

무촉매 기판 상부에 육방정계 질화붕소층(H-BN, Hexagonal Boron Nitride)을 형성하는 제1 단계;
상기 육방정계 질화붕소층 상부에 금속 촉매층을 형성하는 제2 단계;
상기 금속 촉매층에 탄소를 공급하여 상기 금속 촉매층 하부에는 적어도 1층 이상의 하부그래핀층을 형성하고, 상기 금속 촉매층 상부에는 적어도 1층 이상의 상부그래핀층을 형성하는 제3 단계; 및
상기 금속 촉매층 및 상기 상부그래핀층을 제거하는 제4 단계를 포함하는 그래핀 복합필름 제조방법.A first step of forming a hexagonal boron nitride layer (H-BN, Hexagonal Boron Nitride) on the non-catalyst substrate;
A second step of forming a metal catalyst layer on the hexagonal boron nitride layer;
Supplying carbon to the metal catalyst layer to form at least one or more lower graphene layers below the metal catalyst layer, and forming at least one or more upper graphene layers above the metal catalyst layer; And
Graphene composite film manufacturing method comprising a fourth step of removing the metal catalyst layer and the upper graphene layer. 제 1항에 있어서,
상기 무촉매 기판은 Si 기판, Si/Si02 기판, 사파이어 기판, 쿼츠(Quartz) 기판 및 유리 기판 중에서 선택되는 1종 이상인 그래핀 복합필름 제조방법.The method of claim 1,
The catalyst-free substrate is a graphene composite film manufacturing method of at least one selected from Si substrate, Si / SiO 2 substrate, sapphire substrate, quartz (Quartz) substrate and glass substrate. 제 1항에 있어서,
상기 제1 단계는,
상기 무촉매 기판 상부에 암모니아 보란(ammonia borane, H3BNH3) 또는 보론트리옥사이드(Boron trioxide, B2O3)를 포함하는 고체 소스 및 B3N3H6, B3H3Cl3, B3N3Cl6, BF3 또는 BCL3을 포함하는 가스를 열분해하여 육방정계 질화붕소층을 형성하는 단계인 그래핀 복합필름 제조방법.The method of claim 1,
In the first step,
A solid source comprising ammonia borane (H 3 BNH 3 ) or boron trioxide (B 2 O 3 ) and B 3 N 3 H 6 , B 3 H 3 Cl 3 , B 3 N 3 Cl 6 , BF 3 or BCL 3 A method for producing a graphene composite film which is a step of forming a hexagonal boron nitride layer by pyrolysis. 제 1항에 있어서,
상기 금속 촉매층은 실리콘, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동, 청동, 백동, 스테인리스 스틸 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 합금인 그래핀 복합필름 제조방법.The method of claim 1,
The metal catalyst layer is silicon, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, brass, bronze, cupronickel, Graphene composite film manufacturing method of at least one metal or alloy selected from the group consisting of stainless steel and Ge. 제 1항에 있어서,
상기 금속 촉매층의 두께는 10nm 내지 100㎛인 그래핀 복합필름 제조방법.The method of claim 1,
The thickness of the metal catalyst layer is a graphene composite film manufacturing method of 10nm to 100㎛. 제 1항에 있어서,
상기 제2 단계는,
상기 금속 촉매층을 패터닝하는 단계; 및
상기 금속 촉매층을 상기 육방정계 질화붕소층 상부에 증착하는 단계를 포함하는 그래핀 복합필름 제조방법.The method of claim 1,
The second step comprises:
Patterning the metal catalyst layer; And
Graphene composite film manufacturing method comprising the step of depositing the metal catalyst layer on the hexagonal boron nitride layer. 제 6항에 있어서,
상기 금속 촉매층을 패터닝하는 단계는,
상기 금속 촉매층 양측부에 소스 영역 및 드레인 영역을 패터닝하고, 상기 금속 촉매층 중앙부에는 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 연결하는 채널 영역을 패터닝하는 단계인 그래핀 복합필름 제조방법.The method according to claim 6,
Patterning the metal catalyst layer,
And patterning a source region and a drain region on both sides of the metal catalyst layer, and patterning a channel region connecting the source region and the drain region to a central portion of the metal catalyst layer. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101480817B1 (en) 2013-09-24 2015-01-13 한국과학기술연구원 Catalytic synthesis method of high quality hexagonal boron nitride from borazine oligomer precursors and high quality hexagonal boron nitride of the same
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KR102027042B1 (en) * 2017-12-27 2019-09-30 울산과학기술원 Array of graphene qunantum dots embedded in hexagonal boron nitride and manufacturing method for the same, electronic device comprising for the same
KR102123016B1 (en) * 2018-02-28 2020-06-16 한국에너지기술연구원 Deposition Coating Method of Boron Nitride by Vapor Reaction
CN108328585A (en) * 2018-05-03 2018-07-27 河北工业大学 A kind of preparation method of boron nitride coated graphite alkene nanometer sheet
KR20210027893A (en) * 2019-09-03 2021-03-11 삼성전자주식회사 Method of fabricating hexagonal boron nitride

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110043267A (en) * 2009-10-21 2011-04-27 삼성전자주식회사 Electronic device using 2d sheet material and fabrication method the same
US20110163298A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Chien-Min Sung Graphene and Hexagonal Boron Nitride Devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110043267A (en) * 2009-10-21 2011-04-27 삼성전자주식회사 Electronic device using 2d sheet material and fabrication method the same
US20110163298A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Chien-Min Sung Graphene and Hexagonal Boron Nitride Devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104211056A (en) * 2014-09-10 2014-12-17 浙江碳谷上希材料科技有限公司 Preparation method of high-strength graphene film

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