KR101294329B1 - Method for manufacturing large Sputtering Target material - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법에 관한 것으로, 다수의 스퍼터링 타겟재의 접합부분을 모따기하는 단계와, 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 예열하는 단계와, 예열된 스퍼터링 타겟재들의 접합부분을 타겟재 휘발 온도 이하로 가열하여 용접하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method for manufacturing a large sputtering target material, comprising the steps of chamfering a joining portion of a plurality of sputtering target material, preheating the chamfered sputtering target material, and the joining portion of the preheated sputtering target material as the target material volatilization temperature. It comprises the steps of heating and welding below.

대형, 스퍼터링, 타겟재, 제조방법, 용접, 용사, 모따기 Large, Sputtering, Target Material, Manufacturing Method, Welding, Spraying, Chamfering

Description

대형 스퍼터링 타겟재 제조방법{Method for manufacturing large Sputtering Target material}Method for manufacturing large sputtering target material

본 발명은 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법에 관한 것으로, 특히 다수의 스퍼터링 타겟재를 열충격에 의한 파괴없이 안전하게 접합하여 대형 스퍼터링 타겟재를 제조하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a large sputtering target material, and more particularly, to a technique for manufacturing a large sputtering target material by safely bonding a plurality of sputtering target material without destruction by thermal shock.

스퍼터링 공법은 진공용기 내에 예컨대 아르곤(Ar) 가스와 같은 비활성기체를 투입하여 스퍼터링 타겟재를 포함하는 캐소우드에 직류(DC) 전력 또는 고주파(RF)전력을 공급하여 글로우(glow) 방전을 발생시켜서 성막(成膜)하는 방법이다. The sputtering method generates a glow discharge by supplying direct current (DC) power or high frequency (RF) power to a cathode including a sputtering target material by injecting an inert gas such as argon (Ar) gas into a vacuum container. It is a method of film-forming.

스퍼터링 공법에 의한 성막은 부착력이 강한 박막을 용이하게 얻을 수 있고, 막두께의 제어가 용이하고, 합금의 박막화에 있어서의 재현성이 좋고, 고융점 재료의 박막화가 용이한 특징을 가지고 있으므로, 반도체 등의 전자ㆍ전기부품용재료의 성막, 예를 들면, 액정 디스플레이용 투명 도전막의 제작, 하드디스크의 기록층 제작, 반도체 메모리의 배선재료의 제작 등의 넓은 분야에서 사용되고 있다.The film formation by the sputtering method can easily obtain a thin film having strong adhesion, easy to control the film thickness, good reproducibility in thinning the alloy, and easy thinning of the high melting point material. Has been used in a wide range of fields such as the formation of materials for electronic and electrical components, for example, production of transparent conductive films for liquid crystal displays, production of recording layers for hard disks, and production of wiring materials for semiconductor memories.

한편, 기존의 스퍼터링 타겟재의 생산공정을 살펴보면, 도전성 분말을 습식으로 혼합하거나 두 가지 이상의 성분이 함유된 공침(coprecipitation) 분말을 제 조하는 분말 제조 공정과, 분말을 이용하여 필요로 하는 크기의 성형체를 냉간 정수압 성형(CIP: Cold Isossatatic Pressing)을 통해 형성하는 성형 공정과, 성형체를 대기 또는 불활성 기체 분위기에서 소결하여 소결체를 형성하는 소결 공정을 포함한다. 기존의 스퍼터링 타겟재의 생산공정을 거쳐 형성된 소결체를 백킹 플레이트(Backing plate)에 부착하면 하나의 스퍼터링 타겟이 완성된다. On the other hand, in the production process of the existing sputtering target material, a powder manufacturing process for wet mixing the conductive powder or manufacturing a coprecipitation powder containing two or more components, and a molded body having a size required by using the powder Forming process through cold isostatic pressing (CIP), and a sintering process of sintering the molded body in an air or inert gas atmosphere to form a sintered body. When the sintered body formed through the production process of the existing sputtering target material is attached to the backing plate, one sputtering target is completed.

최근 들어 평판 디스플레이 장치, 예를들어 LCD, PDP가 대형화됨에 따라 스퍼터링 공법에 사용되는 스퍼터링 타겟재도 대형 제품이 요구되고 있다. 그런데, 스퍼터링 타겟재가 대형화되려면 기존의 스퍼터링 타겟재의 생산공정 중 성형 공정에서 사용하는 성형기를 압력이 크고 무거운 대형 프레스로 대체해야 한다. 대형 프레스는 고가의 장비이고 또한 무겁고 크기 때문에 설치 시 건물구조도 개선해야 하는 어려움이 있다.Recently, as flat panel display devices such as LCDs and PDPs become larger, sputtering target materials used in the sputtering method are also required for large products. However, in order to increase the size of the sputtering target material, the molding machine used in the molding process of the existing sputtering target material production process needs to be replaced with a large pressure heavy press. Large presses are expensive equipment, and because of their heavy and large size, there is a difficulty in improving the building structure during installation.

이에 기존의 스퍼터링 타겟재의 생산공정에 따라 제조된 상대적으로 작은 크기의 스퍼터링 타겟재들을 접합시켜 제품을 만드는 방안이 제시되고 있다. 그런데 스퍼터링 타겟재 중에 세라믹으로 구현된 것은 일반적인 금속 용접 방법으로 접합시키는 것이 어려운 것으로 알려져 있다. 예컨대, 세라믹으로 구현된 스퍼터링 타겟재는 녹는점이 일반 금속보다 높고, 국부 가열 시 열충격에 의하여 파괴되는 문제점이 있다.Therefore, a method of making a product by bonding sputtering target materials of a relatively small size manufactured according to the existing production process of sputtering target materials has been proposed. However, it is known that the sputtering target material made of ceramic is difficult to be joined by a general metal welding method. For example, a sputtering target material made of ceramic has a problem that the melting point is higher than that of a general metal and is destroyed by thermal shock during local heating.

본 발명은 상기와 같은 배경에서 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 다수의 스퍼터링 타겟재를 열충격에 의한 파괴없이 안전하게 접합할 수 있는 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been proposed in the background as described above, and an object of the present invention is to provide a method for producing a large sputtering target material that can be safely bonded to a plurality of sputtering target material without destruction by thermal shock.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 양상에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법은, 다수의 스퍼터링 타겟재의 접합부분을 모따기하는 단계와, 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 예열하는 단계와, 예열된 스퍼터링 타겟재들의 접합부분을 타겟재 휘발 온도 이하로 가열하여 용접하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a large sputtering target material manufacturing method according to an aspect of the present invention, the step of chamfering the joint portion of the plurality of sputtering target material, the step of preheating the chamfered sputtering target material, and Welding the sputtered target materials to the junction portion below the target material volatilization temperature.

본 발명의 다른 양상에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법은, 접합할 스퍼터링 타겟재들을 일정한 틈을 두고 배치하는 단계, 스퍼터링 타겟재들 간의 틈에 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)를 충진하는 단계, 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 부분을 가열하는 단계, 접합할 스퍼터링 타겟재들의 양끝단에 압력을 가하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing a large sputtering target material includes: arranging sputtering target materials to be joined at a predetermined gap, filling a brazing material (BRAZING FILLER METAL) in the gaps between the sputtering target materials, and brazing material. Heating the portion filled with (BRAZING FILLER METAL), and applying pressure to both ends of the sputtering target materials to be joined.

본 발명의 다른 양상에 따른 스퍼터링 타겟재 제조방법에서, 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 부분을 가열하는 단계는, 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 스퍼터링 타겟재들을 고주파 가열 코일의 내부에 배치하는 단계와, 고주파 가열 코일에 교류전류를 걸어 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 부분을 가열하는 단계를 포함한다.In the method for manufacturing a sputtering target material according to another aspect of the present invention, the step of heating the portion filled with the brazing material (BRAZING FILLER METAL), the sputtering target material filled with the brazing material (BRAZING FILLER METAL) filled inside the high frequency heating coil And arranging an AC current in the high frequency heating coil to heat the portion filled with the brazing filler metal (BRAZING FILLER METAL).

본 발명의 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법은 접합시킬 다수의 스퍼터링 타겟재들을 예열시킨 후, 접합부분을 타겟재 휘발 온도 이하로 가열하여 용접하도록 구 현됨으로써, 다수의 스퍼터링 타겟재를 열충격에 의한 파괴없이 안전하게 접합할 수 있는 유용한 효과가 있다.The method for manufacturing a large sputtering target material of the present invention is implemented to preheat a plurality of sputtering target materials to be joined, and then to heat the welded portion to be welded to or below the target material volatilization temperature, thereby destroying the plurality of sputtering target materials without thermal shock. There is a useful effect that can be safely bonded.

또한, 본 발명의 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법은 다수의 스퍼터링 타겟재는 녹지 않고 접합할 스퍼터링 타겟재들 간의 틈에 충진된 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)만이 녹도록 가열하면서 접합할 스퍼터링 타겟재들의 양끝단에 압력을 가하도록 구현됨으로써, 다수의 스퍼터링 타겟재를 열충격에 의한 파괴없이 안전하게 접합할 수 있는 유용한 효과가 있다. In addition, the method for manufacturing a large sputtering target material of the present invention is a plurality of sputtering target material is not melted, but both ends of the sputtering target materials to be joined while heating so that only the brazing material (BRAZING FILLER METAL) filled in the gap between the sputtering target materials to be joined melt. By implementing the pressure to the, there is a useful effect that can be safely bonded to a plurality of sputtering target material without breaking by thermal shock.

또한, 본 발명의 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법은 다수의 스퍼터링 타겟재가 도전성을 갖는 경우 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 부분을 고주파 가열 코일에 교류전류를 걸어 가열하도록 구현됨으로써, 타겟재들 표면에 전류가 유도되어 타겟재 저항성분에서 열이 발생하고, 발생한 열이 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)를 녹이게 되어 다수의 스퍼터링 타겟재를 열충격에 의한 파괴없이 안전하게 접합할 수 있는 유용한 효과가 있다. In addition, the method for manufacturing a large sputtering target material of the present invention is implemented to heat a portion filled with brazing material (BRAZING FILLER METAL) by applying an alternating current to the high frequency heating coil when the plurality of sputtering target materials are conductive, thereby providing a surface of the target materials. The current is induced to generate heat in the resistance of the target material, and the generated heat melts the brazing material (BRAZING FILLER METAL), which has a useful effect of safely joining a plurality of sputtering target materials without destruction by thermal shock.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 전술한, 그리고 추가적인 양상을 기술되는 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the present embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout.

도 1 은 본 발명의 제1 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 통해 제조된 대형 스퍼터링 타겟재 예시도이다.1 is an exemplary view illustrating a large sputtering target material manufactured through a process for manufacturing a large sputtering target material according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 통해 제조된 대형 스퍼터링 타겟재는 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(11, 12)와, 접합부분이 모따기된 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(11, 12)를 접합부분이 맞닿게 한 상태에서, 예컨대 플라즈마 용접방식에 따라 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(11, 12)를 녹여 형성된 용접부(13)와, 용접된 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(11, 12) 간의 빈 공간에 용사물질이 충진되어 형성된 용사부(14)를 포함하여 구현될 수 있다.As shown, the large sputtering target material manufactured through the manufacturing process of the large sputtering target material according to the first embodiment of the present invention includes the first and second sputtering target materials 11 and 12 and the first and second chamfered portions. The welded part 13 formed by melting the 1st, 2nd sputtering target material 11, 12 according to the plasma welding method, for example, in the state which the joining part abuts the 2nd sputtering target material 11, 12, and the welded agent The first and second sputtering target materials 11 and 12 may be implemented by including a sprayed portion 14 formed by filling a sprayed material in an empty space.

도 2 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 도시한다. 2 shows a process for producing a large sputtering target material according to the first embodiment of the present invention.

먼저, 대형 스퍼터링 타겟재를 제조하기 위해, 다수의 스퍼터링 타겟재들의 접합부분을 모따기 처리한다(S21). 이후, 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 접합부분이 맞닿게 챔버 내에 설치한다(S22). 이후, 챔버를 일정 온도로 가열하여 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 예열한다(S23). 여기서, 챔버를 가열하는 온도는 600℃ 이상이고, 챔버를 가열하는 시간은 모따기된 스퍼터링 타겟재들 전체 온도가 주변온도와 동일한 온도에 도달될 때까지 지속하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 스퍼터링 타겟재들을 예열하기 위해 챔버를 사용하는 것을 예시하였지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다.First, in order to manufacture a large sputtering target material, the chamfering process of the joining part of several sputtering target materials is carried out (S21). Thereafter, the chamfered sputtering target materials are installed in the chamber so that the bonding portion abuts (S22). Thereafter, the chamber is heated to a predetermined temperature to preheat the chamfered sputtering target materials (S23). Here, the temperature for heating the chamber is 600 ° C. or higher, and the time for heating the chamber is preferably maintained until the total temperature of the chamfered sputtering target materials reaches a temperature equal to the ambient temperature. Although the present invention illustrates the use of a chamber to preheat the sputtering target materials, the present invention is not so limited.

이후, 예열된 스퍼터링 타겟재들의 접합부분을 집중적으로 가열하여 용접한다(S24). 일례로, 용접은 플라즈마 용접방식으로 구현될 수 있으며, 가열 온도는 타겟재 휘발 온도 이하, 예컨대 약 800℃가 될 수 있다. Thereafter, the joints of the preheated sputtering target materials are heated and welded intensively (S24). In one example, the welding may be implemented by plasma welding, the heating temperature may be below the target material volatilization temperature, such as about 800 ℃.

이후, 용접된 스퍼터링 타겟재들 간의 빈 공간에 용사물질을 충진한다(S25). 일 실시예에 있어서, 용접된 스퍼터링 타겟재들 간의 빈 공간에 용사물질을 충진하 는 단계 S25는, 예컨대, 아르곤을 주 가스로 헬륨 및 수소 가스를 보조 가스로 하는 열원 가스를 대기압 상태에서 플라즈마화 하는 단계와, 플라즈마화된 열원 가스를 이용하여 용사물질을 용융시키는 단계와, 용융된 용사물질을 용접된 스퍼터링 타겟재들 간의 빈 공간에 분사하는 단계를 포함하여 구현될 수 있다. Thereafter, the sprayed material is filled in the empty space between the welded sputtering target materials (S25). In one embodiment, the step S25 of filling the sprayed material into the void space between the welded sputtering target materials, for example, the plasma of the heat source gas containing argon as the main gas and helium and hydrogen gas as the auxiliary gas at atmospheric pressure And melting the sprayed material using the plasmalized heat source gas, and spraying the melted sprayed material into empty spaces between the welded sputtering target materials.

일례로, 용사물질은 금속, 세라믹, 유리 및 플라스틱 등의 재료로 구현될 수 있다. 바람직하게는, 용사물질은 스퍼터링 타겟재와 동일한 조성을 갖는 물질인 것을 특징으로 한다. 예컨대, 스퍼터링 타겟재가 인듐과 주석 및 산소로 이루어진 ITO 산화물(Indium-Tin Oxide)로 구현된 것인 경우, 용사물질도 인듐과 주석이 포함된 분말로 구현될 수 있다. 이와 같이 용사물질을 스퍼터링 타겟재와 동일한 조성을 갖는 물질로 구현하게 되면 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 대형 스퍼터링 타겟재를 사용하여 박막 형성시 박막의 순도를 높일 수 있게 된다.In one example, the thermal spraying material may be implemented with materials such as metal, ceramic, glass, and plastic. Preferably, the thermal spraying material is characterized in that the material having the same composition as the sputtering target material. For example, when the sputtering target material is implemented with ITO oxide (Indium-Tin Oxide) composed of indium, tin, and oxygen, the thermal spraying material may also be implemented with a powder containing indium and tin. When the thermal spray material is formed of a material having the same composition as that of the sputtering target material, the purity of the thin film may be increased when the thin film is formed using the large sputtering target material manufactured according to the manufacturing method of the present invention.

도 3 은 본 발명의 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 통해 제조된 대형 스퍼터링 타겟재 예시도이다. 3 is an exemplary view illustrating a large sputtering target material manufactured through a process for manufacturing a large sputtering target material according to a second embodiment of the present invention.

본 제2 실시예는 브레이징(BRAZING) 용접방식에 따라 제조되는 대형 스퍼터링 타겟재고, 여기서 스퍼터링 타겟재는 전기저항이 매우 낮은 도전성 재질로 구현된 것이다. 일반적으로 브레이징(BRAZING) 용접은 두 개의 스퍼터링 타겟재 사이에 비교적 용융점이 낮은 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)을 충진하고 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 녹도록 450℃ 이상의 온도에서 가열하되 스퍼터링 타겟재는 녹지 않도록 하는 온도 이하에서 가열하여 접합하는 방법이다. The second embodiment is a large sputtering target stock produced by a brazing welding method, wherein the sputtering target material is implemented with a conductive material having a very low electrical resistance. In general, brazing welding is performed by filling a brazing material with a relatively low melting point between two sputtering target materials and heating it at a temperature of 450 ° C. or higher to melt the brazing material (BRAZING FILLER METAL). It is a method of heating and joining below the temperature to avoid.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 통해 제조된 대형 스퍼터링 타겟재는 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(31, 32)와, 접합할 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(31, 32)를 일정한 틈을 두고 배치한 상태에서, 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(31, 32) 간의 틈에 충진된 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)(33)를 포함하여 구성된다. As shown, the large sputtering target material manufactured through the manufacturing process of the large sputtering target material according to the second embodiment of the present invention is the first and second sputtering target materials 31 and 32, and the first and second to be joined. It comprises a brazing material (BRAZING FILLER METAL) 33 filled in the gap between the first and second sputtering target material (31, 32) in a state where the sputtering target material (31, 32) is arranged with a predetermined gap do.

브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(31, 32)를 고주파 가열 코일(34)의 내부에 배치하고, 고주파 가열 코일에 교류전류를 걸어 주면서 제1, 제2 스퍼터링 타겟재(31, 32)의 양 끝단에 압력을 가하면 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재가 제조될 수 있다. The first and second sputtering target materials 31 and 32 filled with the brazing material (BRAZING FILLER METAL) are disposed inside the high frequency heating coil 34, and the first and second are applied while applying an AC current to the high frequency heating coil. Applying pressure to both ends of the sputtering target material (31, 32) can be produced a large sputtering target material according to the second embodiment.

도 4 는 본 발명의 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 도시한다.  4 illustrates a process for manufacturing a large sputtering target material according to a second embodiment of the present invention.

먼저, 대형 스퍼터링 타겟재를 제조하기 위해, 챔버 내에 접합할 스퍼터링 타겟재들을 일정한 틈을 두고 배치한다(S41). 이후 스퍼터링 타겟재들 간의 틈에 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)를 충진한다(S42). 일례로, 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)는 금속, 세라믹, 유리 및 플라스틱 등의 재료로 구현될 수 있다. 바람직하게는, 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)는 스퍼터링 타겟재와 동일한 조성을 갖는 물질인 것을 특징으로 한다. 예컨대, 스퍼터링 타겟재가 인듐과 주석 및 산소로 이루어진 ITO 산화물(Indium-Tin Oxide)로 구현된 것인 경우, 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)도 인듐과 주석이 포함된 분말로 구현된다. First, in order to manufacture a large sputtering target material, the sputtering target materials to be bonded in the chamber are disposed with a predetermined gap (S41). Thereafter, a brazing material (BRAZING FILLER METAL) is filled in the gap between the sputtering target materials (S42). In one example, the brazing material (BRAZING FILLER METAL) may be implemented with materials such as metal, ceramic, glass and plastic. Preferably, the brazing material (BRAZING FILLER METAL) is characterized in that the material having the same composition as the sputtering target material. For example, when the sputtering target material is implemented with ITO oxide (Indium-Tin Oxide) composed of indium, tin, and oxygen, the brazing material (BRAZING FILLER METAL) is also implemented with a powder containing indium and tin.

이후, 챔버를 일정 온도로 가열하여 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 스퍼터링 타겟재들을 예열한다(S43). 여기서, 챔버를 가열하는 온도는 600 ℃ 이상이고, 챔버를 가열하는 시간은 스퍼터링 타겟재들 전체 온도가 주변온도와 동일한 온도에 도달될 때까지 지속하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 스퍼터링 타겟재들을 예열하기 위해 챔버를 사용하는 것을 예시하였지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다.Thereafter, the chamber is heated to a predetermined temperature to preheat the sputtering target materials filled with the brazing material (BRAZING FILLER METAL) (S43). Here, the temperature for heating the chamber is 600 ° C. or more, and the time for heating the chamber is preferably continued until the entire temperature of the sputtering target materials reaches the same temperature as the ambient temperature. Although the present invention illustrates the use of a chamber to preheat the sputtering target materials, the present invention is not so limited.

이후, 예열된 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 스퍼터링 타겟재들을 고주파 가열 코일의 내부에 배치한다(S44). 이후, 고주파 가열 코일에 교류전류를 걸어 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 부분을 가열한다(S45). 여기서, 가열 코일에 가해지는 교류전류의 주파수가 높을수록 스퍼터링 타겟재들 표면에만 전류가 집중되는 현상이 심화되어 전기적 저항이 등가적으로 커지고 상대적인 효율도 좋아진다. 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 충진된 부분을 가열하는 온도는 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)가 녹고 스퍼터링 타겟재는 녹지 않는 온도 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.Subsequently, the sputtering target materials filled with the preheated brazing material (BRAZING FILLER METAL) are disposed in the high frequency heating coil (S44). Thereafter, an alternating current is applied to the high frequency heating coil to heat the portion filled with the brazing material (BRAZING FILLER METAL) (S45). Here, the higher the frequency of the alternating current applied to the heating coil, the deeper the phenomenon that the current is concentrated only on the surface of the sputtering target materials, so that the electrical resistance is equivalently large and the relative efficiency is also improved. The temperature for heating the portion filled with the brazing material (BRAZING FILLER METAL) is preferably such that the temperature of the brazing material (BRAZING FILLER METAL) is melted and the sputtering target material does not melt.

이후, 접합할 스퍼터링 타겟재들의 양끝단에 압력을 가한다(S46). 일례로 본 실시예서는 제어장치에 의해 제어되는 유압장치를 통하여 접합할 스퍼터링 타겟재들의 양끝단에 20∼80(MPa) 정도의 압력을 가하도록 구현될 수 있다. Thereafter, pressure is applied to both ends of the sputtering target materials to be joined (S46). For example, the present embodiment may be implemented to apply a pressure of about 20 to 80 (MPa) to both ends of the sputtering target materials to be joined through the hydraulic device controlled by the control device.

본 명세서에서는 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정에서 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)를 가열하는 방식으로 유도 코일 방식을 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 예컨대 적외선(Infrared)을 이용하여 브레이징 용재(BRAZING FILLER METAL)를 가열하는 방식으로 구현될 수 있다.In the present specification, the induction coil method is illustrated as a method of heating the brazing material (BRAZING FILLER METAL) in the manufacturing process of the large sputtering target material according to the second embodiment, but the present invention is not limited thereto, for example, using infrared (Infrared) It can be implemented by heating the brazing material (BRAZING FILLER METAL).

지금까지, 본 명세서에는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 지 닌 자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 도면에 도시한 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 실시예들로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.Thus far, the present specification has been described with reference to the embodiments shown in the drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily understand and reproduce the present invention, but these are merely exemplary, Those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from the embodiments of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined only by the appended claims.

도 1 은 본 발명의 제1 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 통해 제조된 대형 스퍼터링 타겟재 예시도이다.1 is an exemplary view illustrating a large sputtering target material manufactured through a process for manufacturing a large sputtering target material according to a first embodiment of the present invention.

도 2 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 도시한다.2 shows a process for producing a large sputtering target material according to the first embodiment of the present invention.

도 3 은 본 발명의 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 통해 제조된 대형 스퍼터링 타겟재 예시도이다.3 is an exemplary view illustrating a large sputtering target material manufactured through a process for manufacturing a large sputtering target material according to a second embodiment of the present invention.

도 4 는 본 발명의 제2 실시예에 따른 대형 스퍼터링 타겟재 제조 과정을 도시한다.4 illustrates a process for manufacturing a large sputtering target material according to a second embodiment of the present invention.

Claims (7)

다수의 스퍼터링 타겟재를 접합하여 대형 스퍼터링 타겟재를 제조하는 방법에 있어서, 상기 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법이:A method of manufacturing a large sputtering target material by joining a plurality of sputtering target materials, the method of manufacturing a large sputtering target material includes: A) 상기 다수의 스퍼터링 타겟재의 접합부분을 모따기하는 단계;A) chamfering the joint portions of the plurality of sputtering target materials; B) 상기 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 예열하는 단계;B) preheating the chamfered sputtering target materials; C) 상기 예열된 스퍼터링 타겟재들의 접합부분을 타겟재 휘발 온도 이하로 가열하여 용접하는 단계; 및C) heating the welded portions of the preheated sputtering target materials to below the target material volatilization temperature and welding them; And D) 상기 용접된 스퍼터링 타겟재들 간의 빈 공간에 용사물질을 충진하는 단계;D) filling the sprayed material into the void space between the welded sputtering target materials; 를 포함하되,, ≪ / RTI & 상기 D) 단계는,Step D) is 아르곤, 헬륨 및 수소를 포함하는 열원 가스를 대기압 상태에서 플라즈마화하는 단계,Plasmalizing a heat source gas comprising argon, helium and hydrogen at atmospheric pressure, 플라즈마화된 상기 열원 가스를 이용하여 상기 용사물질을 용융시키는 단계, 그리고Melting the thermal spray material using the plasmaized heat source gas, and 용융된 상기 용사물질을 상기 용접된 스퍼터링 타겟재들 간의 빈 공간에 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법.And spraying the molten sprayed material into an empty space between the welded sputtering target materials. 제 1 항에 있어서, 상기 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 예열하는 B) 단계가: The method of claim 1, wherein preheating the chamfered sputtering target materials comprises: B-1) 상기 모따기된 스퍼터링 타겟재들의 접합부분이 맞닿게 챔버 내에 설치하는 단계; 및 B-1) installing in the chamber such that the junction of the chamfered sputtering target materials abut; And B-2) 상기 챔버를 일정 온도로 가열하여 모따기된 스퍼터링 타겟재들을 가열하는 단계; B-2) heating the chamfered sputtering target materials by heating the chamber to a constant temperature; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 대형 스퍼터링 타겟재 제조방법.Large sputtering target material manufacturing method comprising a. 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 D)단계에서 상기 용사물질은 스퍼터링 타겟재와 동일한 조성을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟재 제조방법.The spraying material in step D) is a sputtering target material manufacturing method, characterized in that the material having the same composition as the sputtering target material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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