KR101273695B1 - Method for forming graphene pattern and method for manufacturing electronic element having graphene pattern - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은, 촉매층의 표면에 촉매 패턴을 형성하는 단계, 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계, 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 촉매 패턴 위에 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 접착층의 일면에 접착하는 단계, 접착층을 촉매층으로부터 분리하여 그래핀 패턴을 접착층으로 전사하는 단계, 접착층에 전사된 그래핀 패턴에 금속이나 유기물을 도핑하여 그래핀 패턴의 일함수를 조정하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 촉매층에 형성된 그래핀 패턴을 접착층을 이용하여 간단하게 박리할 수 있으므로, 그래핀 패턴에 대한 후공정을 현격하게 줄일 수 있어 제품의 생산성을 높일 수 있고, 고가의 촉매층을 재활용함으로써 재료비의 크게 줄일 수 있다.In the method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention, forming a catalyst pattern on the surface of the catalyst layer, forming a graphene on the catalyst pattern, by coupling one surface of the adhesive layer on the catalyst layer surface and the catalyst on the catalyst pattern Adhering a graphene pattern formed in a shape corresponding to the pattern to one surface of the adhesive layer, separating the adhesive layer from the catalyst layer, transferring the graphene pattern to the adhesive layer, and doping the graphene pattern transferred to the adhesive layer with a metal or an organic material. Adjusting the work function of the pin pattern. According to the present invention, since the graphene pattern formed on the catalyst layer can be easily peeled off using the adhesive layer, the post-process for the graphene pattern can be greatly reduced, thereby increasing the productivity of the product, and recycling the expensive catalyst layer. Material cost can be greatly reduced.
Description
본 발명은 그래핀 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 촉매층 상에 그래핀 패턴을 형성하고 접착층을 이용하여 그래핀 패턴을 촉매층으로부터 박리할 수 있는 그래핀 패턴의 형성방법 및 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a graphene pattern, and more particularly, to a graphene pattern forming method and a graphene pattern which can form a graphene pattern on a catalyst layer and peel the graphene pattern from the catalyst layer using an adhesive layer. It relates to a method for manufacturing an electronic device having a.
잘 알려진 것과 같이, 그래핀(graphene)은 탄소 원자들이 2차원 상에서 벌집 모양의 배열을 이루면서 원자 한 층의 두께를 갖는 전도성 물질이다. 그래핀은 3차원으로 쌓이면 흑연, 1차원적으로 말리면 탄소나노튜브, 공 모양이 되면 0차원 구조인 풀러린(fullerene)을 이룬다.As is well known, graphene is a conductive material with carbon atoms in a honeycomb arrangement in two dimensions, with a layer thickness of one atom. Graphene forms graphite in three dimensions, carbon nanotubes in one dimension, and fullerene, a 0-dimensional structure, in the form of a ball.
그래핀은 구조적·화학적으로도 매우 안정적일 뿐 아니라, 뛰어난 전도체로서 실리콘보다 100배 빠르게 전자를 이동시키고, 구리보다도 100배가량 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있는 것으로 알려져 있다. 흑연으로부터 그래핀을 분리하는 방법이 발견되면서 그동안 예측되어 왔던 그래핀의 다양한 특성이 실험적으로 확인되고 있다. Graphene is not only structurally and chemically stable, but it is also known to be an excellent conductor that can move electrons 100 times faster than silicon and deliver 100 times more current than copper. As a method of separating graphene from graphite has been discovered, various characteristics of graphene which have been predicted for the past have been experimentally confirmed.
그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1차원 혹은 2차원 나노패턴을 가공하기가 매우 용이하며, 이를 활용하면 반도체-도체 성질을 조절할 수 있다. 뿐만 아니라 탄소가 가지는 화학결합의 다양성을 이용해 디스플레이, 센서, 메모리, 태양전지 등 광범위한 기능성 소자로 활용될 수 있을 것으로 기대되고 있다.Graphene is very easy to process one-dimensional or two-dimensional nanopatterns made of carbon, which is a relatively light element, and can be used to control semiconductor-conductor properties. In addition, it is expected to be used for a wide range of functional devices such as displays, sensors, memories, and solar cells by using the variety of chemical bonds of carbon.
그래핀을 만드는 방법은 크게 흑연 결정으로부터의 박리(exfoliation)를 이용한 방법, 고온에서 탄소가스를 증착시키는 방법으로 나뉠 수 있다. 박리법은 스카치 테이프 등을 이용한 기계적 박리법과 용액 상에서 계면활성제 등을 이용해 분산시키는 화학적 박리법이 있으며, 산화과정을 거쳐 수용액 상에서 산화 그래핀 상태로 분산시킨 후에 다시 그래핀으로 환원시키는 방법이 있다. 최근에는 단위체의 중합 과정을 통해 유기화학적인 접근으로 그래핀을 합성하는 방법이 시도되고 있다.Graphene can be largely classified into a method using exfoliation from graphite crystals and a method of depositing carbon gas at a high temperature. The peeling method includes a mechanical peeling method using a scotch tape or the like and a chemical peeling method to be dispersed in a solution using a surfactant, and the like, and there is a method of dispersing it into graphene oxide in an aqueous solution through an oxidation process and then reducing it back to graphene. Recently, a method of synthesizing graphene by an organic chemical approach through the polymerization of monomers has been attempted.
기계적 박리법은 흑연 결정에서 그래핀 층간의 약한 상호작용을 기계적인 힘으로 극복해 떼어내는 방법이다. 기계적 박리법은 간단한 시료 준비로 그래핀 연구를 빠르게 확산시키는데 결정적인 역할을 했지만, 그 크기가 마이크로미터 수준에 불과하기 때문에 실제 응용 측면에서는 많은 제약이 있다.Mechanical exfoliation is a method of mechanically overcoming the weak interactions between graphene layers in graphite crystals. Mechanical exfoliation has played a critical role in the rapid diffusion of graphene studies with simple sample preparation, but there are many limitations in practical applications because the size is only micrometers.
화학적 박리법은 흑연 결정에서 박리된 그래핀 조각을 산화-환원 혹은 계면활성제를 이용한 화학적 방법을 통해 용액 상에 분산시키는 단계를 포함한다. 이 경우에도 마이크로미터 크기의 작은 그래핀 조각 사이의 층간 저항(interlayer resistance)으로 실용적인 수준의 면 저항 특성을 보여주지 못한다.Chemical exfoliation involves dispersing the graphene fragments exfoliated from the graphite crystals in solution through a redox or chemical method using a surfactant. Even in this case, the interlayer resistance between the micrometer-sized pieces of graphene does not show practical surface resistance characteristics.
화학증기 증착법(Chemical Vapour Deposition: CVD)은 고온에서 탄소와 카바이드 합금을 잘 형성하거나 탄소를 잘 흡착하는 전이금속을 촉매층으로 이용해 그래핀을 합성하는 방법이다. 먼저 촉매 층으로 활용할 니켈, 구리 등을 기판 위에 증착하고, 약 1000℃의 고온에서 메탄, 수소 혼합가스와 반응시켜 적절한 양의 탄소가 촉매층에 녹아 들어가거나 흡착되도록 한다. 이후 냉각을 하면 촉매층에 포함되어 있던 탄소 원자들이 표면에서 결정화되면서 그래핀 결정 구조를 형성하게 된다. 이렇게 합성된 그래핀은 촉매층을 제거함으로써 기판으로부터 분리시킨 후 원하는 용도에 맞게 사용할 수 있다.Chemical Vapor Deposition (CVD) is a method of synthesizing graphene using a transition metal that forms carbon and carbide alloys or adsorbs carbon well at high temperatures as a catalyst layer. First, nickel, copper, and the like to be used as a catalyst layer are deposited on a substrate, and reacted with a methane and hydrogen mixed gas at a high temperature of about 1000 ° C. so that an appropriate amount of carbon is dissolved or adsorbed in the catalyst layer. After cooling, the carbon atoms included in the catalyst layer are crystallized on the surface to form a graphene crystal structure. The graphene thus synthesized may be separated from the substrate by removing the catalyst layer and then used according to a desired use.
에피택시(epitaxy) 합성법은 화학증기 증착법과 같이 고온에서 결정에 흡착되어 있거나 포함되어 있던 탄소가 표면의 결을 따라 그래핀으로 성장하는 것이다. 실리콘 카바이드(SiC) 경우는 고온에서 결정 내에 포함되어 있던 탄소가 표면으로 분리되면서 그래핀으로 성장한다. 이 방법을 이용하면 결정성이 웨이퍼 크기 정도까지 균일한 그래핀 필름을 합성할 수 있지만 기계적 박리법이나 화학증기 증착법에 의해 성장한 그래핀보다 상대적으로 전기적 특성이 좋지 못할 뿐 아니라 기판이 매우 비싸고 소자를 제작하기가 매우 어렵다는 단점이 있다.In epitaxy synthesis, carbon adsorbed or contained in crystals at high temperature, such as chemical vapor deposition, grows to graphene along the surface texture. In the case of silicon carbide (SiC), the carbon contained in the crystal grows to graphene at the high temperature as it is separated to the surface. Using this method, it is possible to synthesize graphene films with uniform crystallinity up to wafer size, but the electrical properties are not as good as those of graphene grown by mechanical exfoliation or chemical vapor deposition. The disadvantage is that it is very difficult to produce.
그래핀은 다양한 방법으로 합성이 가능한 것으로 알려져 있지만, 실질적으로 실리콘 반도체나 투명전극 등으로 활용되기 위해서는 소자화 기술, 화학적 기능화, 도핑 기술 등이 유기적으로 연계되어야 하며, 이에 대한 더 많은 연구가 요구되고 있다.Graphene is known to be synthesized in various ways, but in order to be practically used as a silicon semiconductor or a transparent electrode, device technology, chemical functionalization, doping technology, and the like must be organically linked, and further research is required. .
또한, 종래 그래핀 형성 방법은 생산성이 떨어지고 생산비용이 높은 한계가 있어 실용화에 어려움이 있다. 예컨대, 촉매층을 이용한 그래핀 생산 방법의 경우, 그래핀을 촉매층 상에 성장시킨 후 촉매층을 에칭하여 제거하여 그래핀을 얻기 때문에 촉매층 소모에 따른 비용 상승의 문제가 있다.In addition, the conventional graphene forming method is difficult in practical use because there is a limit in productivity and high production cost. For example, in the graphene production method using the catalyst layer, since graphene is grown on the catalyst layer and then the catalyst layer is etched and removed to obtain graphene, there is a problem of cost increase due to the consumption of the catalyst layer.
또한, 종래 그래핀 형성 방법은 그래핀을 평면 형태로 만든 후, 이를 사용 목적에 맞게 패터닝하는 등 다양한 후공정이 수반되어야 하므로, 생산성이 떨어지고 제조 시간 및 제조 비용이 증가하는 문제가 있다.In addition, the conventional graphene forming method has to be accompanied by a variety of post-processing, such as making the graphene in a flat form, patterning it for use purposes, there is a problem that the productivity is reduced, manufacturing time and manufacturing cost increases.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 고가의 재료비를 줄여 생산 비용을 줄이고 생산성을 높일 수 있는 그래핀 패턴의 형성방법 및 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve such a problem, an object of the present invention is to provide a method for forming a graphene pattern and a method for manufacturing an electronic device having a graphene pattern that can reduce the cost of materials and increase the production cost and productivity will be.
본 발명의 다른 목적은 그래핀을 응용한 다양한 전자소자의 분야를 개척할 수 있는 그래핀 패턴의 형성방법 및 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of forming a graphene pattern and a method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern, which can pioneer the field of various electronic devices using graphene.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 그래핀 패턴의 형성방법은, (a) 촉매층의 표면에 촉매 패턴을 형성하는 단계, (b) 상기 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계, (c) 상기 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 상기 접착층의 일면에 접착하는 단계, (d) 상기 접착층을 상기 촉매층으로부터 분리하여 상기 그래핀 패턴을 상기 촉매층으로부터 박리하는 단계를 포함한다.Method for forming a graphene pattern according to the present invention for achieving the above object, (a) forming a catalyst pattern on the surface of the catalyst layer, (b) forming a graphene on the catalyst pattern, (c) the Bonding one surface of the adhesive layer to the surface of the catalyst layer to bond the graphene pattern formed on the catalyst pattern in a shape corresponding to the catalyst pattern to one surface of the adhesive layer, (d) separating the adhesive layer from the catalyst layer to form the graphene pattern Peeling from the catalyst layer.
본 발명에 의한 그래핀 패턴의 형성방법은, 상기 (d) 단계 이후에 상기 그래핀 패턴이 박리된 상기 촉매층의 표면을 클리닝한 후, 상기 (b) 단계 이후의 단계를 반복할 수 있다.In the method for forming a graphene pattern according to the present invention, after cleaning the surface of the catalyst layer from which the graphene pattern is peeled off after the step (d), the step after the step (b) may be repeated.
상기 클리닝 단계는, O2 플라즈마를 이용하는 클리닝 방법, 피라냐솔류션을 이용하는 클리닝 방법, 드라이 에칭(dry etching)을 이용하는 클리닝 방법, 밀링(milling)을 이용하는 클리닝 방법, 브러시(brush)를 이용하는 클리닝 방법 중에서 선택된 방법을 이용할 수 있다.The cleaning step may be selected from a cleaning method using O 2 plasma, a cleaning method using piranha solution, a cleaning method using dry etching, a cleaning method using milling, and a cleaning method using brush. Method can be used.
상기 촉매층은 Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.The catalyst layer may include a material selected from Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr.
본 발명에 의한 그래핀 패턴의 형성방법은 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 상기 촉매층 표면의 상기 촉매 패턴을 제외한 부분에 상기 그래핀의 형성을 억제시키기 위한 배리어층(barrier layer)을 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다.The graphene pattern forming method according to the present invention is a barrier layer (barrier layer) for inhibiting the formation of the graphene in the portion except for the catalyst pattern on the surface of the catalyst layer between the step (a) and the step (b) It may further comprise the step of laminating.
상기 배리어층은 SiO2, HfO2, Al2O3, TiO2 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.The barrier layer may include a material selected from SiO 2 , HfO 2 , Al 2 O 3 , and TiO 2 .
상기 (b) 단계는 화학증기 증착법(Chemical Vapour Deposition: CVD)을 이용하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 그래핀을 성장시킬 수 있다.In the step (b), the graphene may be grown on the catalyst pattern by using chemical vapor deposition (CVD).
상기 (a) 단계는 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 촉매층의 표면에 상기 촉매 패턴을 형성할 수 있다.In the step (a), the catalyst pattern may be formed on the surface of the catalyst layer by using a photolithography process.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은, (a) 촉매층의 표면에 촉매 패턴을 형성하는 단계, (b) 상기 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계, (c) 상기 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 상기 접착층의 일면에 접착하는 단계, (d) 상기 접착층을 상기 촉매층으로부터 분리하여 상기 그래핀 패턴을 상기 접착층으로 전사하는 단계, (e) 상기 접착층에 전사된 상기 그래핀 패턴에 금속이나 유기물을 도핑하여 상기 그래핀 패턴의 일함수를 조정하는 단계를 포함한다.Method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention for achieving the above object, (a) forming a catalyst pattern on the surface of the catalyst layer, (b) forming a graphene on the catalyst pattern, (c) bonding one surface of the adhesive layer to the surface of the catalyst layer to bond a graphene pattern formed in a shape corresponding to the catalyst pattern on the catalyst pattern to one surface of the adhesive layer, and (d) separating the adhesive layer from the catalyst layer. Transferring the graphene pattern to the adhesive layer, and (e) adjusting a work function of the graphene pattern by doping a metal or an organic material to the graphene pattern transferred to the adhesive layer.
본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은 상기 (d) 단계 이후에 상기 그래핀 패턴이 박리된 상기 촉매층의 표면을 클리닝한 후, 상기 (b) 단계 이후의 단계를 반복할 수 있다.In the method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention, after cleaning the surface of the catalyst layer from which the graphene pattern is separated after step (d), the step after step (b) may be repeated. have.
본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은 상기 (c) 단계 이후 상기 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention may further include curing the adhesive layer after the step (c).
본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은 상기 (c) 단계 이전에, 상기 접착층의 타면에 기판을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention may further include coupling the substrate to the other surface of the adhesive layer before the step (c).
상기 그래핀 패턴에 도핑되는 금속은 알루미늄일 수 있다.The metal doped in the graphene pattern may be aluminum.
상기 그래핀 패턴에 도핑되는 유기물은 2,3,5,6-테트라플루오로(Tetrafluoro)-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(tetracyanoquinodimethane), 코퍼 헥사데카플루오로프탈로시아닌(copper hexadecafluorophthalocyanine), 코발트옥신(cobaltocene) 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.The organic material doped to the graphene pattern is 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, copper hexadecafluorophthalocyanine (copper) hexadecafluorophthalocyanine) and cobalt acex (cobaltocene) may include a material selected from.
본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 상기 촉매층 표면의 상기 촉매 패턴을 제외한 부분에 상기 그래핀의 형성을 억제시키기 위한 배리어층을 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention, a barrier layer for suppressing the formation of the graphene in a portion except for the catalyst pattern on the surface of the catalyst layer between the step (a) and the step (b) It may further comprise the step of laminating.
본 발명에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은 상기 (d) 단계 이후에, 상기 접착층에 부착된 상기 그래핀 패턴을 기판에 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention may further include, after the step (d), transferring the graphene pattern attached to the adhesive layer onto a substrate.
본 발명은 촉매층 상에 마련된 촉매 패턴대로 그래핀 패턴을 형성하고, 접착층을 이용하여 이를 촉매층으로부터 간단하게 박리할 수 있다. 따라서, 그래핀 패턴에 대한 후공정을 크게 줄일 수 있어 제조 시간 및 제조 비용을 크게 줄일 수 있고, 그래핀 패턴의 생산성을 높일 수 있다.The present invention can form a graphene pattern according to the catalyst pattern provided on the catalyst layer, it can be easily peeled off from the catalyst layer using an adhesive layer. Therefore, it is possible to greatly reduce the post-process for the graphene pattern can greatly reduce the manufacturing time and manufacturing cost, it is possible to increase the productivity of the graphene pattern.
또한, 본 발명은 그래핀 패턴을 박리한 후 촉매층을 지속적으로 그래핀 패턴 형성에 재활용할 수 있으므로, 종래와 같이 촉매층을 제거하는 수고를 덜 수 있고, 촉매층 소모에 따른 비용 상승을 막을 수 있다.In addition, the present invention, since the catalyst layer can be continuously recycled to the graphene pattern after peeling off the graphene pattern, it is possible to reduce the effort to remove the catalyst layer as in the prior art, and to prevent the cost increase due to the catalyst layer consumption.
또한, 본 발명은 그래핀을 각종 전자소자의 회로, OLED 구동회로, 유기태양전지의 Anode나 Cathode, Si 태양전지의 투명 전극, DSSC의 투명 전극, 터치패널의 투명 전극 안테나의 배선 등 다양한 분야에 실제 적용할 수 있는 실용화 가능성을 높이고, 그래핀을 응용한 다양한 전자소자의 개발을 이끌 수 있다.In addition, the present invention is applied to various fields such as graphene of various electronic devices, OLED driving circuit, Anode or Cathode of organic solar cell, transparent electrode of Si solar cell, transparent electrode of DSSC, wiring of transparent electrode antenna of touch panel, etc. The possibility of practical application can be increased, and the development of various electronic devices using graphene can be led.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3a 내지 도 3e는 촉매층으로 Cu 플레이트를 이용하고 Cu 플레이트 위에 화학증기 증착법으로 그래핀을 성장시킨 실시예의 SEM 이미지와, 그래핀 성장을 확인하기 위한 라만 스펙트럼(laman spectrum) 분석 결과를 나타낸 것이다.1 schematically illustrates a manufacturing process of an electronic device having a graphene pattern according to an embodiment of the present invention.
2 schematically illustrates a manufacturing process of an electronic device having a graphene pattern according to another embodiment of the present invention.
3A to 3E show SEM images of an example in which graphene is grown by using a Cu plate as a catalyst layer and chemical vapor deposition on a Cu plate, and a Raman spectrum analysis result for confirming graphene growth.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 그래핀 패턴의 형성방법 및 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a method for forming a graphene pattern and a method for manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to the present invention will be described in detail.
본 발명을 설명함에 있어서, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의를 위해 과장되거나 단순화되어 나타날 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.In describing the present invention, the sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated or simplified for clarity and convenience of explanation. In addition, terms defined in consideration of the configuration and operation of the present invention may be changed according to the intention or custom of the user, the operator. These terms are to be construed in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the contents throughout the present specification.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조과정을 개략적으로 나타낸 것이다. 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조과정에는 그래핀 패턴의 형성과정이 포함된다. 1 schematically illustrates a manufacturing process of an electronic device having a graphene pattern according to an embodiment of the present invention. The manufacturing process of the electronic device having the graphene pattern includes the formation of the graphene pattern.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법은, 촉매층(10)의 표면에 촉매 패턴(11)을 형성하는 단계, 촉매 패턴(11) 위에 그래핀을 성장시켜 그래핀 패턴(30)을 형성하는 단계, 그래핀 패턴(30)을 접착층(40)에 전사하는 단계, 그래핀 패턴(30)의 일함수를 조정하는 단계를 포함한다. 이에 대한 보다 구체적인 과정은 다음과 같다.Referring to FIG. 1, in the method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern according to an embodiment of the present invention, forming the
먼저, 도 1의 (a)에 도시된 것과 같이, 상부 표면이 평평한 촉매층(10)을 준비한다. 촉매층(10)으로는 Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 또는 이 이외의 그래핀을 성장시킬 수 있는 다양한 물질이 이용될 수 있다. 다음으로, 도 1의 (b)에 도시된 것과 같이, 촉매층(10)의 표면에 촉매 패턴(11)을 형성하고, 촉매 패턴(11)이 형성되지 않은 부분에 배리어층(barrier layer, 20)을 적층한다. 촉매 패턴(11)을 형성하는 방법으로는 각종 리소그래피 방법 등 다양한 금속 패터닝 기술이 이용될 수 있다.First, as shown in FIG. 1A, a
배리어층(20)은 촉매층(10)의 촉매 패턴(11)을 제외한 부분에서의 그래핀 성장을 억제시키기 위한 것이다. 배리어층(20)으로는 SiO2, HfO2, Al2O3, TiO2 등의 물질이 이용될 수 있다. 물론, 배리어층(20)의 소재로는 이러한 물질 이외에 그래핀의 성장을 억제시킬 수 있는 다른 물질이 이용될 수 있다. 배리어층(20)은 촉매 패턴(11) 위에만 그래핀이 성장하도록 함으로써, 접착층(40)이 촉매층(10) 위에 결합될 때 성장한 그래핀이 촉매 패턴(11) 형상대로 접착층(40)에 전사될 수 있도록 돕는다.The
촉매 패턴(11)의 형성 후, 도 1의 (c)에 도시된 것과 같이, 촉매 패턴(11) 위에 그래핀을 형성한다. 그래핀을 촉매층에 형성하는 방법으로는 다양한 방법이 있다. 예컨대, 화학증기 증착법을 이용하여 촉매 패턴(11) 위에 그래핀을 성장시킬 수 있다. 화학증기 증착법은 고온의 조건, 약 1000℃ 내외에서 CH4, EtOh, C2H4 등의 탄소 소스 가스를 흘려줌으로써 촉매층 표면에 탄소 결정이 형성되도록 하는 방법으로, 고온의 촉매층을 냉각시킬 때 촉매층에 포함되어 있던 탄소 원자들이 표면에서 결정화되면서 그래핀 결정 구조를 형성하게 된다. 이 밖에도, 촉매층과 액상 탄소계 물질을 접촉시킨 후, 예비 열처리에 의해 액상 탄소계 물질로부터 분해된 탄소를 촉매층 내부에 침투시키는 이른바 침탄 공정을 통하여 촉매층 상에 그래핀을 형성시키는 방법 등 다양한 그래핀 형성 방법이 이용될 수 있다.After the formation of the
촉매 패턴(11) 위에 그래핀을 형성하여 촉매 패턴(11)의 형상대로 그래핀 패턴(30)을 형성한 후, 도 1의 (d) 내지 (f)에 도시된 것과 같이, 접착층(40)이 마련된 기판(50)을 촉매층(10) 위에 결합하여 그래핀 패턴(30)을 접착층(40)에 전사한다. 촉매 패턴(11)과 그래핀 패턴(30)의 결합력은 약하므로, 촉매 패턴(11)과 그래핀 패턴(30)의 결합력보다 큰 접착력을 갖는 접착층(40)을 그래핀 패턴(30)에 접착한 후, 접착층(40)을 촉매층(10)으로부터 떼어내면 그래핀 패턴(30)을 촉매층(10)으로부터 박리할 수 있다. 접착층(40)으로는 Polyacidamide, Polyimide 등의 고분자 물질이나 접착성을 갖는 다양한 물질이 이용될 수 있다.After forming the graphene on the
마지막으로, 기판(50) 위에 전사된 그래핀 패턴(30)에 다양한 물질을 도핑하여 그래핀 패턴(30)의 일함수를 조정한다. 여기에서, 그래핀 패턴(30)의 일함수를 조정하기 위해 사용될 수 있는 물질로는, 알루미늄 등의 금속이나, 2,3,5,6-테트라플루오로(Tetrafluoro)-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(tetracyanoquinodimethane), 코퍼 헥사데카플루오로프탈로시아닌(copper hexadecafluorophthalocyanine), 코발트옥신(cobaltocene) 등의 유기물이 이용될 수 있다. 이러한 다양한 금속이나 유기물을 적정량 그래핀 패턴(30)에 도핑함으로써 그래핀 패턴(30)의 일함수를 사용 목적에 적합하게 조정할 수 있다.Finally, the work function of the
한편, 그래핀 패턴(30)을 기판(50)에 전사한 후, 촉매층(10)은 새로운 그래핀 패턴(30)의 형성을 위해 재활용될 수 있다. 그래핀 패턴(30)의 전사 후 촉매층(10)의 표면에는 그래핀 잔여물 등의 이물질이 남아 있을 수 있으므로, 촉매층(10)을 클리닝한 후 새로운 그래핀 패턴(30)을 형성하는 것이 좋다. 촉매층(10)을 클리닝 하는 방법으로는, O2 플라즈마를 이용하여 촉매층(10) 표면을 클리닝하는 방법, 피라냐솔류션을 이용하여 촉매층(10) 표면의 유기물을 제거하는 방법, 드라이 에칭(dry etching)을 이용하여 촉매층(10) 표면을 처리하는 방법, 밀링(milling)을 이용하여 촉매층(10) 표면을 미세하게 깎아내는 방법, 브러시(brush)를 이용하여 촉매층(10) 표면의 이물질을 제거하는 방법, 또는 그 이외의 촉매층(10) 표면의 이물질을 제거할 수 있는 다양한 방법이 이용될 수 있다.Meanwhile, after transferring the
본 발명에 있어서, 배리어층(20)을 형성하는 과정은 생략될 수 있다. 촉매 패턴(11)과 나머지 부분 사이의 단차가 충분히 클 경우, 촉매 패턴(11) 이외의 부분에 그래핀이 성장하더라도 촉매 패턴(11) 상에 형성된 그래핀 패턴(30)만 접착층(40)에 부착할 수 있어, 접착층(40)에 그래핀 패턴(30)을 촉매 패턴(11) 형상대로 원활하게 전사할 수 있다.In the present invention, the process of forming the
본 발명에 있어서, 촉매층(10) 표면에 형성된 그래핀 패턴(30)을 접착층(40)을 이용하여 박리한 후, 박리된 그래핀 패턴(30)을 다른 기판에 전사할 수도 있다. 이 경우, 접착층(40)을 기판(50)에 먼저 부착하지 않고, 접착층(40)만을 그래핀 패턴(30)이 형성된 촉매층(10) 표면에 적층하고, 접착층(40)을 촉매층(10)에서 분리하여 그래핀 패턴(30)을 촉매층(10)에서 분리한다. 그리고 그래핀 패턴(30)을 접착물질이 도포된 다른 기판에 부착하고, 접착층(40)은 에칭 등의 방법으로 제거한다.In the present invention, the
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조과정을 개략적으로 나타낸 것이다.2 schematically illustrates a manufacturing process of an electronic device having a graphene pattern according to another embodiment of the present invention.
먼저, 도 2의 (a)에 도시된 것과 같이, 상부 표면이 평평한 촉매층(10)을 준비한다. 다음으로, 도 2의 (b) 및 (c)에 도시된 것과 같이, 촉매층(10)의 표면에 포토레지스트(60)를 적층하고, 이를 패터닝하여 촉매층(10) 표면에 포토레지스트 패턴(61)을 형성한다. 이때, 촉매층(10) 표면의 포토레지스트 패턴(61)에 대응하는 부분을 제외한 부분을 포토레지스트(60)와 함께 에칭할 수 있다.First, as shown in FIG. 2A, a
다음으로, 도 2의 (d) 및 (e)에 도시된 것과 같이, 촉매층(10) 표면의 포토레지스트 패턴(61)을 제외한 부분에 배리어층(20)을 적층하고, 포토레지스트 패턴(61)을 제거한다. 이때, 배리어층(20) 위로 포토레지스트 패턴(61)에 대응하는 형상의 촉매 패턴(11)이 드러난다.Next, as shown in FIGS. 2D and 2E, the
계속해서, 도 2의 (f)에 도시된 것과 같이, 촉매 패턴(11) 위에 그래핀을 형성한다. 상술한 것과 같이, 그래핀을 형성하는 방법은 화학증기 증착법 등 다양한 방법이 이용될 수 있다. 촉매 패턴(11) 위에 그래핀을 형성하여 촉매 패턴(11)의 형상대로 그래핀 패턴(30)을 형성한 후, 도 2의 (g)에 도시된 것과 같이, 그래핀 패턴(30)이 형성된 촉매층(10) 표면에 접착층(40)을 적층한다. 접착층(40)은 반고체 형태로 되어 촉매층(10) 표면에 부착될 수도 있고, 액상 형태로 되어 촉매층(10) 표면에 일정 두께로 코팅될 수도 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 2F, graphene is formed on the
다음으로, 도 2의 (h)에 도시된 것과 같이, 접착층(40)을 촉매층(10)으로부터 분리한다. 이때, 그래핀 패턴(30)이 촉매층(10)으로부터 박리되어 접착층(40)에 전사된다. 접착층(40)의 종류에 따라 접착층(40)은 그래핀 패턴(30)을 전극이나 배선으로 갖는 기판으로 이용될 수 있다. 기판으로의 강도를 향상시키기 위해 접착층(40)은 경화 공정을 거칠 수 있다.Next, as shown in FIG. 2H, the
마지막으로, 접착층(40) 위에 전사된 그래핀 패턴(30)을 전극이나 배선으로 사용할 수 있도록 그래핀 패턴(30)에 금속이나 유기물을 도핑하여 그래핀 패턴(30)의 일함수를 조정한다. Finally, the work function of the
한편, 그래핀 패턴(30)을 기판(50)에 전사한 후, 촉매층(10)은 클리닝 과정 후 새로운 그래핀 패턴(30)의 형성을 위해 재활용될 수 있다.Meanwhile, after transferring the
도 3a 내지 도 3e는 촉매층으로 Cu 플레이트를 이용하고, Cu 플레이트 위에 화학증기 증착법으로 그래핀을 성장시킨 실시예의 SEM 이미지와, 그래핀 성장을 확인하기 위한 라만 스펙트럼(laman spectrum) 분석 결과를 나타낸 것이다.3A to 3E show SEM images of an example in which a Cu plate is used as a catalyst layer and graphene is grown on a Cu plate by chemical vapor deposition, and a Raman spectrum analysis result for confirming graphene growth. .
도 3a는 Cu 플레이트 표면을 나타낸 것으로, 이때 라만 스펙트럼 분석 결과 어떤 밴드에서도 피크가 나타나지 않음을 확인할 수 있다. 도 3b는 Cu 플레이트 표면에 화학증기 증착법으로 그래핀을 성장시킨 상태를 나타낸 것으로, 라만 스펙트럼 분석 결과 G 밴드와 2D 밴드에서 피크가 나타남을 확인할 수 있다. 이것은 Cu 플레이트 표면에 단층 그래핀이 형성되었음을 나타낸다.Figure 3a shows the surface of the Cu plate, in which Raman spectrum analysis it can be seen that no peak appears in any band. Figure 3b is a graph showing the growth of graphene by the chemical vapor deposition method on the surface of the Cu plate, it can be seen that the peak in the G band and 2D band as a result of Raman spectrum analysis. This indicates that monolayer graphene was formed on the Cu plate surface.
도 3c는 Cu 플레이트 표면에 형성된 단층 그래핀을 Polyimide 소재의 접착층으로 박리한 이미지이고, 도 3d는 그래핀이 박리된 Cu 플레이트의 표면 이미지이다. 그래핀이 박리된 Cu 플레이트 표면에 대한 라만 스펙트럼 분석 결과, 어떤 밴드에서도 피크가 나타나지 않음을 확인할 수 있고, 이것은 Cu 플레이트 표면으로부터 그래핀이 성공적으로 박리되었음을 나타낸다.3C is an image obtained by peeling single layer graphene formed on the surface of a Cu plate with an adhesive layer of polyimide material, and FIG. 3D is a surface image of a Cu plate peeled off graphene. Raman spectral analysis of the surface of the graphene peeled Cu plate shows that no peak appeared in any band, indicating that the graphene was successfully peeled from the surface of the Cu plate.
도 3e는 그래핀이 박리된 Cu 플레이트에 화학증기 증착법으로 새로운 그래핀을 성장시킨 이미지로, 라만 스펙트럼 분석 결과, G 밴드와 2D 밴드에서의 피크를 확인할 수 있다. 이것은 새로운 그래핀이 성공적으로 형성되었음을 나타낸다.3E is an image of new graphene grown by chemical vapor deposition on a graphene-peeled Cu plate. Raman spectrum analysis shows peaks in G bands and 2D bands. This indicates that new graphene has been successfully formed.
상술한 것과 같이, 본 발명에 의하면, 촉매층에 형성된 그래핀 패턴을 접착층을 이용하여 간단하게 박리할 수 있으므로, 그래핀 패턴에 대한 후공정을 현격하게 줄일 수 있어 제품의 생산성을 높일 수 있다. 또한, 고가의 촉매층을 재활용함으로써 재료비의 크게 줄일 수 있고, 그래핀 응용 소자의 경제성을 높일 수 있다.As described above, according to the present invention, since the graphene pattern formed on the catalyst layer can be easily peeled off using the adhesive layer, the post-process for the graphene pattern can be significantly reduced, thereby increasing the productivity of the product. In addition, by recycling the expensive catalyst layer, the material cost can be greatly reduced, and the economics of the graphene application element can be improved.
본 발명에 의해 형성된 그래핀 패턴은 각종 전자소자의 회로, OLED 구동회로, 유기태양전지의 Anode 및 Cathode, Si 태양전지의 투명 전극, DSSC의 투명 전극, 터치패널의 투명 전극 안테나의 배선 등 다양한 분야에 활용될 수 있다.The graphene pattern formed by the present invention has various fields such as circuits of various electronic devices, OLED driving circuits, Anode and Cathode of organic solar cells, transparent electrodes of Si solar cells, transparent electrodes of DSSC, and wiring of transparent electrode antennas of touch panels. It can be used for.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의해서만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 및 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 개량 및 변경은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.The embodiments of the present invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art can improve and modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, these modifications and variations are intended to fall within the scope of the present invention as long as it is obvious to those skilled in the art.
10 : 촉매층 11 : 촉매 패턴
20 : 배리어층 30 : 그래핀 패턴
40 : 접착층 50 : 기판
60 : 포토레지스트 61 : 포토레지스트 패턴10
20: barrier layer 30: graphene pattern
40: adhesive layer 50: substrate
60: photoresist 61: photoresist pattern
Claims (17)
(a1) 상기 촉매층 표면의 상기 촉매 패턴을 제외한 부분에 그래핀의 형성을 억제시키기 위한 배리어층(barrier layer)을 적층하는 단계;
(b) 상기 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계;
(c) 상기 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 상기 접착층의 일면에 접착하는 단계; 및
(d) 상기 접착층을 상기 촉매층으로부터 분리하여 상기 그래핀 패턴을 상기 촉매층으로부터 박리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.(a) forming a catalyst pattern on the surface of the catalyst layer;
(a1) depositing a barrier layer on the surface of the catalyst layer except for the catalyst pattern to suppress the formation of graphene;
(b) forming graphene on the catalyst pattern;
(c) bonding one surface of the adhesive layer to the surface of the catalyst layer to bond the graphene pattern formed on the catalyst pattern to a surface corresponding to the catalyst pattern to one surface of the adhesive layer; And
(d) separating the graphene pattern from the catalyst layer by separating the adhesive layer from the catalyst layer.
상기 (d) 단계 이후에 상기 그래핀 패턴이 박리된 상기 촉매층의 표면을 클리닝한 후, 상기 (b) 단계 이후의 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.The method of claim 1,
And cleaning the surface of the catalyst layer from which the graphene pattern is peeled off after the step (d), and repeating the steps after the step (b).
상기 클리닝 단계는, O2 플라즈마를 이용하는 클리닝 방법, 피라냐솔류션을 이용하는 클리닝 방법, 드라이 에칭(dry etching)을 이용하는 클리닝 방법, 밀링(milling)을 이용하는 클리닝 방법, 브러시(brush)를 이용하는 클리닝 방법 중에서 선택된 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.3. The method of claim 2,
The cleaning step may be selected from a cleaning method using O 2 plasma, a cleaning method using piranha solution, a cleaning method using dry etching, a cleaning method using milling, and a cleaning method using brush. Method of forming a graphene pattern, characterized in that using the method.
상기 촉매층은 Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.The method of claim 1,
The catalyst layer is characterized in that it comprises a material selected from Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr Method of forming a graphene pattern.
상기 배리어층은 SiO2, HfO2, Al2O3, TiO2 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.The method of claim 1,
The barrier layer is a graphene pattern forming method comprising a material selected from SiO 2 , HfO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 .
상기 (b) 단계는 화학증기 증착법(Chemical Vapour Deposition: CVD)을 이용하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 그래핀을 성장시키는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.The method of claim 1,
The step (b) is a graphene pattern forming method characterized in that the growth of the graphene on the catalyst pattern using a chemical vapor deposition (CVD).
상기 (a) 단계는 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 촉매층의 표면에 상기 촉매 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법.The method of claim 1,
Step (a) is a method of forming a graphene pattern, characterized in that to form the catalyst pattern on the surface of the catalyst layer using a photolithography process.
(b) 상기 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계;
(c) 상기 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 상기 접착층의 일면에 접착하는 단계;
(d) 상기 접착층을 상기 촉매층으로부터 분리하여 상기 그래핀 패턴을 상기 접착층으로 전사하는 단계; 및
(e) 상기 접착층에 전사된 상기 그래핀 패턴에 금속이나 유기물을 도핑하여 상기 그래핀 패턴의 일함수를 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.(a) forming a catalyst pattern on the surface of the catalyst layer;
(b) forming graphene on the catalyst pattern;
(c) bonding one surface of the adhesive layer to the surface of the catalyst layer to bond the graphene pattern formed on the catalyst pattern to a surface corresponding to the catalyst pattern to one surface of the adhesive layer;
(d) separating the adhesive layer from the catalyst layer and transferring the graphene pattern to the adhesive layer; And
(e) adjusting a work function of the graphene pattern by doping a metal or an organic material to the graphene pattern transferred to the adhesive layer.
상기 (d) 단계 이후에 상기 그래핀 패턴이 박리된 상기 촉매층의 표면을 클리닝한 후, 상기 (b) 단계 이후의 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
And cleaning the surface of the catalyst layer from which the graphene pattern is peeled off after the step (d), and repeating the steps after the step (b).
상기 클리닝 단계는, O2 플라즈마를 이용하는 클리닝 방법, 피라냐솔류션을 이용하는 클리닝 방법, 드라이 에칭(dry etching)을 이용하는 클리닝 방법, 밀링(milling)을 이용하는 클리닝 방법, 브러시(brush)를 이용하는 클리닝 방법 중에서 선택된 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.11. The method of claim 10,
The cleaning step may be selected from a cleaning method using O 2 plasma, a cleaning method using piranha solution, a cleaning method using dry etching, a cleaning method using milling, and a cleaning method using brush. Method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern, characterized in that using the method.
상기 (c) 단계 이후 상기 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
The method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern further comprising the step of curing the adhesive layer after the step (c).
상기 (c) 단계 이전에, 상기 접착층의 타면에 기판을 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
Before the step (c), the method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern, further comprising the step of bonding the substrate to the other surface of the adhesive layer.
상기 그래핀 패턴에 도핑되는 금속은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
The metal doped in the graphene pattern manufacturing method of an electronic device having a graphene pattern, characterized in that the aluminum.
상기 그래핀 패턴에 도핑되는 유기물은 2,3,5,6-테트라플루오로(Tetrafluoro)-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(tetracyanoquinodimethane), 코퍼 헥사데카플루오로프탈로시아닌(copper hexadecafluorophthalocyanine), 코발트옥신(cobaltocene) 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
The organic material doped to the graphene pattern is 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, copper hexadecafluorophthalocyanine (copper) Hexadecafluorophthalocyanine), Cobalt oxine (cobaltocene) method for manufacturing an electronic device having a graphene pattern, characterized in that it comprises a material selected from.
상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 상기 촉매층 표면의 상기 촉매 패턴을 제외한 부분에 상기 그래핀의 형성을 억제시키기 위한 배리어층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
Graphene pattern further comprising the step of laminating a barrier layer for inhibiting the formation of the graphene in the portion except for the catalyst pattern on the surface of the catalyst layer between the step (a) and (b) Method of manufacturing an electronic device having a.
상기 (d) 단계 이후에, 상기 접착층에 부착된 상기 그래핀 패턴을 기판에 전사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법.The method of claim 9,
After the step (d), further comprising the step of transferring the graphene pattern attached to the adhesive layer on a substrate.
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