KR101268627B1 - Polishing pad of wafer notch portion - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 claims description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24D13/00—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 콧수염 형상체가 발생해도, 성장하기 전에 콧수염 형상체가 벗겨져 떨어지게 할 수 있는 웨이퍼 노치부(wafer notch portion)의 연마 패드를 제공하는 것을 과제로 하며, 연마 가공을 진행하는 동안에, 노치부(22)에 의해 연마 패드(1)의 외주연부(11)의 섬유의 일부가 깎여서 외주연부(11)에 보풀이 일고, 콧수염이 자란 듯한 콧수염 형상체(16, 17)가 만들어지기 시작하며, 콧수염 형상체(16, 17)가 연마 패드(1)의 중심 측으로 향하여 생기기 시작하면, 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 절입부(切入部)(145, 155)에 도달하여 콧수염 형상체(16, 17)는 연마 패드(1)로부터 벗겨져 떨어진다.An object of the present invention is to provide a polishing pad of a wafer notch portion which can cause the mustache-like body to peel off before growth even if a mustache-like body is generated, and the notch portion 22 during the polishing process. A part of the fibers of the outer circumferential edge 11 of the polishing pad 1 is cut off to cause lint on the outer circumferential edge 11, and a mustache shaped body 16, 17, in which a mustache grows, begins to be made. When the shapes 16 and 17 start to appear toward the center side of the polishing pad 1, the roots of the mustache shapes 16 and 17 reach the cutouts 145 and 155 to form the mustache shapes ( 16 and 17 peel off from the polishing pad 1.
노치부, 연마 패드, 콧수염 형상체, 절입부 Notch, Polishing Pad, Mustache Shape, Cutout
Description
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 외주연부에 형성된 노치부(notch portion)에 대하여 연마 가공을 행하는 웨이퍼 노치부의 연마 패드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 웨이퍼는, 판 두께가 얇은 원반형상을 가지고, 그 외주연부에는 치핑(chipping)을 없애기 위해 모따기부가 형성되어 있다. 또 반도체 웨이퍼의 외주연부의 일부에는, 결정 방위를 나타내기 위해, 직선 윤곽 형상의 오리엔테이션 플랫(Orientation flat), 또는 대략 V자 모양이나 대략 원호모양의 노치부(절결부)가 형성되어 있다. 이러한 오리엔테이션 플랫(Orientation Flat) 또는 노치부에는 모따기부에 연속하여 경사면 및 단면(端面: End Side)이 형성되어 있다.The semiconductor wafer has a disk shape with a thin plate thickness, and a chamfer portion is formed in the outer peripheral portion thereof in order to eliminate chipping. Moreover, in order to show a crystal orientation, a part of the outer periphery of the semiconductor wafer is provided with an orientation flat having a linear contour or a notch portion (notched portion) having a substantially V shape or an arc shape. In such an orientation flat or notch, an inclined surface and an end side are formed continuously in the chamfer portion.
노치부의 경사면 및 단면은, 반도체 제조상의 생산율(yield)을 향상시키기 위해, 반도체 웨이퍼의 패턴 형성면과 같이 경면(鏡面)연마된다. 노치부의 경사면 및 단면은, 노치부가 주위와 크게 다른 형상을 하고 있기 때문에, 노치부 전용의 연마 패드를 이용하여 경면 연마된다. 이러한 경면 연마 장치는, 예를 들면, 하기 특허 문헌 1에서 볼 수 있다.The inclined surface and the end surface of the notch portion are mirror polished like the pattern formation surface of the semiconductor wafer in order to improve the yield in semiconductor manufacturing. The inclined surface and the cross section of the notched portion are mirror-polished using a polishing pad dedicated to the notched portion because the notched portion has a shape that is significantly different from the surroundings. Such a mirror polishing apparatus can be seen, for example, in
이와 같은 경면 연마 장치의 연마 공구로서, 노치부의 윤곽과 거의 일치하지만, 약간 큰 대략 V자 모양이나 원호모양의 외주연부를 가지며, 부직포(不織布) 또는 직포(織布) 등으로 만든 환상(環狀)의 연마 패드가 이용된다. 연마시에는, 연마 패드의 외주연부와 노치부와의 접촉 부분에, 연마 입자를 분산시킨 슬러리(slurry)를 공급하는 동시에, 회전하는 연마 패드를 노치부에 누르면서 연마 가공을 행한다.The polishing tool of such a mirror polishing apparatus has a substantially V-shaped or arc-shaped outer circumferential edge that is substantially coincident with the contour of the notch portion, and has an annular shape made of a nonwoven fabric, a woven fabric, or the like. A polishing pad is used. At the time of grinding | polishing, the slurry which disperse | distributed abrasive particle | grains is supplied to the contact part of the outer peripheral part of a polishing pad and a notch part, and a grinding | polishing process is performed, pressing a rotating polishing pad to a notch part.
연마 패드는, 연마 가공을 진행하는 동안에, 노치부에 의해 섬유의 일부가 벗겨져 떨어지고, 외주연부에 보풀이 일어난다. 보풀이 일어난 섬유는, 각 섬유가 비교적 길어서 연마 패드와 분리하기 어렵기 때문에, 콧수염이 자란 듯한 콧수염 형상체를 형성한다. 이 콧수염 형상체는, 연마 패드의 외주연부 전체의 형태가 무너지고, 외주연부 전체를 정형(整形)하는데 필요한 시간보다도 훨씬 빠르게 발생한다.In the polishing pad, a part of the fiber is peeled off by the notch portion during the polishing process, and fluff occurs on the outer circumferential edge. The fluffed fibers form a mustache shaped like a mustache because each fiber is relatively long and difficult to separate from the polishing pad. This mustache-shape occurs much faster than the time required for shaping the entire outer circumferential edge of the polishing pad and shaping the entire outer circumferential edge.
상기 콧수염 형상체는, 연마 패드의 회전에 의해 휘둘리면서, 마치 채찍과 같이 반도체 웨이퍼 표면을 채찍질한다. 이 채찍질 현상에 의해, 채찍질된 부위는 연마 가공이 다른 장소와는 다른 조건으로 진행한다. 이것에 의해, 노치부와 반도체 웨이퍼의 외주연부와의 경계부로부터 패턴 형성면 중앙으로 향하여 표면 상태가 시각적으로 다른 영역이 발생한다. 이 표면 상태가 시각적으로 다른 영역이 있으면, 연마된 반도체 웨이퍼의 표면 정밀도(조도-組度)의 신뢰성에 대해 의문을 가져올 우려가 있다. The mustache-shaped body whips by the rotation of the polishing pad and whips the semiconductor wafer surface like a whip. By this lashing phenomenon, the whipped part advances on the conditions different from the place where grinding processing differs. As a result, a region where the surface state is visually different from the boundary between the notch portion and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer toward the pattern formation surface center is generated. If there is an area where the surface state is visually different, there is a concern that the surface precision (roughness) reliability of the polished semiconductor wafer may be questioned.
종래는, 특허 문헌 1에 도시한 바와 같이, 콧수염 형상체가 성장하면, 다이아몬드를 매입한 콧수염 제거 공구를 사용해서 연마 패드의 외주연부를 정형하는 것에 의해, 콧수염 형상체를 제거하였다.Conventionally, as shown in
그러나 콧수염 제거 공구를 사용하여 콧수염 형상체를 제거하는 종래 기술에서는, 연마 패드가 젖어 있으면, 콧수염 형상체의 제거 효율이 악화되어, 콧수염 형상체를 완전히 제거하는 것이 어려워진다.However, in the prior art in which the mustache shape is removed using a mustache removing tool, if the polishing pad is wet, the removal efficiency of the mustache shape is deteriorated, and it is difficult to completely remove the mustache shape.
또, 콧수염 제거 공구에 의한 콧수염 형상체의 제거 작업 중에는, 연마 패드에 의한 반도체 웨이퍼의 연마 가공이 중단되기 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 가공 능률이 저하된다. 또한, 콧수염 제거 공구 자체가 연마 패드에 의해 연마되기 때문에, 마모되어 그 수명이 짧아진다. 또, 다이아몬드를 매립(埋立)한 콧수염 제거 공구의 모재(母材)는 금속이므로, 이 금속이 연마 패드에 부착하여, 반도체 웨이퍼의 품질에 악영향을 줄 우려가 있다.In addition, during the removal operation of the mustache-shaped body by the mustache removing tool, the polishing processing of the semiconductor wafer by the polishing pad is stopped, so that the polishing processing efficiency of the semiconductor wafer is reduced. In addition, since the mustache removing tool itself is polished by the polishing pad, it wears out and the life thereof is shortened. Moreover, since the base material of the mustache removal tool which embedded the diamond is a metal, this metal adheres to a polishing pad and may adversely affect the quality of a semiconductor wafer.
[특허문헌 1] 일본국 특허공개 제2005-118903호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2005-118903
본 발명은 콧수염 형상체가 발생하여도, 성장하기 전에 콧수염 형상체가 벗겨져 떨어지는 기능을 갖는 웨이퍼 노치부(notch portion) 연마를 위한 연마 패드를 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a polishing pad for polishing a wafer notch portion having a function of peeling off a mustache shape before growth even if a mustache shape occurs.
상기 과제는 이하의 수단에 의해 해결된다. 즉, 제1의 발명은, 웨이퍼(wafer)의 외주연부에 형성한 노치부(notch portion)를 연마하기 위하여, 부직포(不織布)로 형성된 환상(環狀)의 연마 패드로서, 상기 노치부의 윤곽과 거의 일치하는 단면(斷面) 형상으로 형성된 외주연부, 및, 상기 연마 패드의 외주연부의 근방에서, 연마 패드의 양 측면에 형성되고, 연마 패드의 외주와 실질적으로 동심(同心)의, 연속 또는 단속(斷續)된 절입부(切入部)를 구비한 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다.The said subject is solved by the following means. That is, the first invention is an annular polishing pad formed of a nonwoven fabric in order to polish a notch portion formed on the outer peripheral edge of a wafer. The outer periphery formed in the substantially same cross-sectional shape, and in the vicinity of the outer periphery of the said polishing pad, it is formed in the both sides of a polishing pad, and is continuous or substantially concentric with the outer periphery of a polishing pad. It is the polishing pad of the wafer notch part provided with the interrupted cut-out part.
제2의 발명은, 제1의 발명의 웨이퍼 노치부의 연마패드에 있어서, 상기 절입부는, 연마 패드에 있어서의 동일 반경 위치에서 그 두께의 중앙부를 남기도록 하여 연마 패드의 양 측면으로부터 서로 마주보는 쌍을 이루어 형성되어 있는 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다. In the polishing pad of the wafer notch of the first invention, the second invention is a pair of cutout portions facing each other from both sides of the polishing pad such that the cutout portion is left at the same radial position in the polishing pad. It is a polishing pad of the wafer notch part formed in this way.
제3의 발명은 제2의 발명의 웨이퍼 노치부의 연마패드에 있어서, 상기 절입부는, 복수의 쌍이 있고, 각 쌍이 연마 패드에서 각각 다른 반경 위치에 형성되어 있는 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다.The third invention is the polishing pad of the wafer notch of the second invention, wherein the cutout portion is a polishing pad of the wafer notch, in which there are a plurality of pairs, and each pair is formed at a different radial position from the polishing pad.
제4의 발명은 제1의 발명의 웨이퍼 노치부의 연마패드에 있어서, 상기 절입부는, 연마 패드에서의 다른 반경 위치에서, 연마 패드의 양 측면에 대하여 교대로 형성되어 있는 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다.In the polishing pad of the wafer notch of the first invention, the cutout portion is a polishing pad of the wafer notch formed alternately with respect to both sides of the polishing pad at different radial positions of the polishing pad.
본 발명의 웨이퍼 노치부의 연마 패드는, 연마 패드의 외주연부의 근방에서, 연마 패드의 양 측면에 형성되고, 연마 패드의 외주와 거의 동심을 이루는 절입부를 구비하고 있다.The polishing pad of the wafer notch of the present invention is provided on both sides of the polishing pad near the outer circumferential edge of the polishing pad, and has a cutout portion which is substantially concentric with the outer circumference of the polishing pad.
따라서, 콧수염 형상체의 근원 인자가 발생하여도, 절입부의 존재에 의해 성장하기 전에 콧수염 형상체가 연마 패드로부터 벗겨져 떨어지기 때문에, 콧수염 형상체로까지는 성장하지 않는다. 그 때문에, 결과로서 채찍질 현상을 회피할 수 있고, 콧수염 제거공구에 의한 연마 패드의 정형(整形) 작업이 불필요하게 된다. 또한 연마 패드에 의한 반도체 웨이퍼의 연마 가공이 중단되지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 가공 능률이 향상된다. 또 콧수염 제거 공구의 모재(母材) 금속이, 연마 패드에 부착하여 반도체 웨이퍼의 품질에 악영향을 줄 우려도 없어진다.Therefore, even if the root factor of the mustache shape occurs, the mustache shape peels off from the polishing pad before growth due to the presence of the cutout portion, so that it does not grow to the mustache shape. Therefore, the whipping phenomenon can be avoided as a result, and shaping of the polishing pad by the mustache removing tool is unnecessary. In addition, since the polishing of the semiconductor wafer by the polishing pad is not interrupted, the polishing efficiency of the semiconductor wafer is improved. In addition, the base metal of the mustache removing tool adheres to the polishing pad, and there is no fear of adversely affecting the quality of the semiconductor wafer.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Example 1-Example 4 of this invention are demonstrated based on drawing.
[실시예 1]Example 1
도 1은, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, (1)은 연마 패드 단일체의 정면도, (2)는 (1)의 A-A단면도이다. 도 2는, 도 1(2)의 P부분 확대 단면도이다. 도 3(1)은 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로서 반도체 웨이퍼의 노치부를 연마하는 연마 장치를 도시하는 정면도, 도 3(2)은 도 3(1)의 Q부 상세도이며, 연마 패드의 외주연부와 반도체 웨이퍼 노치부의 접촉 부분의 확대 평면도이다.1 is a component diagram showing a polishing pad unitary body of Example 1 of the present invention, (1) is a front view of the polishing pad unitary body, and (2) is an A-A cross-sectional view of (1). FIG. 2 is an enlarged sectional view of portion P of FIG. 1 (2). Fig. 3 (1) is a front view showing a polishing apparatus for polishing the notch portion of a semiconductor wafer as the polishing pad of
도 1 내지 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드(1)는, 부직포(不織布) 또는 부직포의 섬유조직을 합성 수지로 굳힌 것으로 이루어지고, 환상(環狀, 도너츠 모양)으로 형성되어 있다.As shown in Fig. 1 to Fig. 3, the
도 3(1)에 도시한 바와 같이, 원반형의 반도체 웨이퍼(2)는, 웨이퍼 척 테이블(2, Wafer Chuck Table)의 윗면에, 수평으로 고정된다. 반도체 웨이퍼(2)는 판 두께가 얇은 원반 형상을 가지며, 그 외주연부(21)에는, 치핑(chipping)을 없애기 위해, 모따기부(도시 생략)가 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(2)의 외주연부(21)의 1개소에는, 반도체 웨이퍼(2)의 결정 방위를 나타내기 위해, 도 3(2)에 도시한 바와 같이, 대략 V자 모양의 노치부(22, 절취부)가 형성되어 있다. 노치부(22)의 형상은, 대략 V자 모양에 한정되지 않고, 대략 원호모양이라도 좋다.As shown in FIG. 3 (1), the disk-
도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)에는, 노치부(22)의 대략 V자 모양의 윤곽과 거의 일치하는 대략 V자 모양의 외주연부(11)가 형성되어 있다. 또 연마 패드(1)의 측면(12, 13)에는 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심으로, 외주연부(11)의 근방에, 원호모양의 복수(이 예에서는, 앞과 뒤 각 5개)의 절입부(切 入部)(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)가 각각 형성되어 있다. 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)는 연속된 원호모양(원형)으로 형성되어 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the
절입부 형성의 예를 간단히 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)의 절입부(141 ∼ 145)의 지름(D1 ∼ D5)과, 다른 쪽의 측면(13)의 절입부(151 ∼ 155)의 지름(D1 ∼ D5)은, 대등 위치(연마 패드의 동일 반경 위치)에 형성되어 있다. 또 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)의 깊이(H)는, 연마 패드(1)의 두께(T)의 절반(T/2) 미만으로 형성되어 있다. 이것에 의해 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)가 형성된 부분의 두께 방향 중앙부가 남겨지도록 이루어져 있다.An example of cutout formation will be briefly described. As shown in FIG. 2, the diameters D1 to D5 of the
연마 패드(1)의 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)는, 선삭 가공(旋削加工) 또는 프레스 가공으로 형성할 수 있다. 즉, 선삭 가공의 경우에는, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)을 윗 방향으로 해서 연마 패드(1)를 가공 테이블 등의 윗면에 고정한다. The
다음에, 가공 테이블 등을 회전시키면서, 칼끝이 예리한 칼날공구를, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에 대하여 직교하는 방향의 아랫쪽으로 이동하여 접근시키고, 칼날공구를 깊이(H)만큼 깊이 삽입하여, 절입부(145)를 형성한다. 다음에 연마 패드(1)의 반경 방향으로 칼날공구를 이동시키고, 동일한 공정을 행하여 절입부(144)를 형성한다. 이 동작을 반복하여 남은 절입부(143, 142, 141)를 형성한다.Next, while rotating the processing table or the like, the sharp edge of the blade tool is moved downward in the direction orthogonal to one
다음에, 연마 패드(1)를 뒤집고, 다른 쪽의 측면(13)을 윗 방향으로 해서, 연마 패드(1)를 가공 테이블 등의 윗면에 고정하고, 상기한 동작을 반복함으로써, 다른 쪽의 측면(13) 측의 절입부(151 ∼ 155)를 형성한다.Next, the
또 선삭 가공 외에, 연마 패드(1)를 회전시키지 않고, 복수의 원환상의 칼날을 연마 패드(1)의 측면(12,13)에 대하여 프레스 하는 프레스 가공에 의해, 절입부를 형성하는 것도 가능하다.In addition to turning, it is also possible to form an incision by press working in which a plurality of annular blades are pressed against the side surfaces 12 and 13 of the
또한, 절입부를 형성하는 부분 이외의 개소를 고정용 부재 등으로 고정하고, 연마 패드의 양 측면에서 칼날공구와 접촉시켜서 홈을 형성하는 것도 가능하다.In addition, it is also possible to fix a part other than the part which forms a cutout part with a fixing member etc., and to make a groove | channel by making it contact with a blade tool in both sides of a polishing pad.
도 3(1)에 도시한 바와 같이, 상기와 같이 작업한 형상의 연마 패드(1)를 도시하지 않은 스핀들에 부착하고, 도 3(1)의 지면에 평행으로 수직인 평면상에서 회전시킨다. 다음에, 볼 나사, 에어 실린더 등의 이동 수단(도시 생략)에 의해, 연마 패드(1) 또는 웨이퍼 척 테이블(3)을 이동하고, 도 3(2)에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 외주연부(11)를 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)에 끼워 넣고 눌러서 닿게 한다. 동시에, 외주연부(11)와 노치부(22)와의 접촉 부분에, 노즐(31)을 통하여 연마 입자를 분산시킨 슬러리를 공급한다.As shown in Fig. 3 (1), the
이것에 의해, 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)가 연마된다. 여기서 연마 패드(1)의 외주연부(11)를 노치부(22)에 눌러서 닿게 한 상태에서, 도 3(1)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(2)를 화살표(R) 방향으로 경사 이동시켜서 노치부(22)의 경사면 및 단면(端面)을 연마한다.As a result, the
도 4는, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드(1)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)를 연마하는 공정의 전반을 도시하는 설명도이다. 도 5는, 본 발명 의 실시예 1의 연마 패드(1)로, 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)를 연마하는 공정의 후반을 도시하는 설명도이다. 도 4(1)에 도시한 바와 같이, 연마 가공을 진행하는 동안에, 노치부(22)에 의해 연마 패드(1)의 외주연부(11)의 섬유의 일부가 깎여서 외주연부(11)가 보풀이 일어나고, 콧수염이 자란 듯한 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 만들어지기 시작한다.4 is an explanatory diagram showing the first half of a step of polishing the
도 4(2)에 도시한 바와 같이, 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 연마 패드(1)의 중심 측으로 향하여 성장하기 시작하면, 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 절입부(145, 155)에 도달하고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 콧수염 형상체(16, 17)는 연마 패드(1)로부터 벗겨져 떨어진다.As shown in Fig. 4 (2), when the roots of the mustache shaped
따라서, 콧수염 형상체가 성장하기 전에 연마 패드(1)로부터 확실히 벗겨져 떨어지기 때문에, 콧수염 형상체의 채찍질 현상을 회피할 수 있고, 콧수염 제거 공구를 이용하여 연마 패드로부터 콧수염을 제거하는 작업이 불필요해진다. 이러한 이유로, 연마 패드에 의한 반도체 웨이퍼의 연마 가공이 중단되지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 가공 능률이 향상된다. 또 콧수염 제거 공구의 모재(母材) 금속이 패드에 부착되어, 이것이 반도체 웨이퍼의 품질에 악영향을 줄 우려도 없어진다.Therefore, since the mustache shaped body is peeled off from the
[실시예 2][Example 2]
다음에 본 발명의 실시예 2에 대하여 설명한다. 도 6은, 본 발명의 실시예 2의 연마 패드(1) 단일체를 도시하는 부품도이고, 실시예 1의 도 2에 상당하는 도 면이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예 1과 다른 구조 부분과 작용에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 2 of the present invention will be described. FIG. 6 is a component diagram showing a single body of the
실시예 2는, 절입부를, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)과 다른 쪽 측면(13)에서, 서로 다른 치수의 지름으로 형성된 예이다. 즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 측면(12, 13)에는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심(同心)으로, 외주연부(11)의 근방에, 원형의 복수(5개)의 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)가 각각 형성되어 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)의 절입부(141 ∼ 145)의 지름(D1 ∼ D5)과, 다른 쪽의 측면(13)의 절입부(151 ∼ 155)의 지름(D1 ∼ D15)은, 다른 지름에 형성되어 있다. 또 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)의 깊이(H)는, 실시예 1과 마찬가지로, 연마 패드(1)의 두께(T)의 절반(T/2) 미만으로 형성되어 있다.As shown in FIG. 6, the diameters D1 to D5 of the
[실시예 3][Example 3]
다음에 본 발명의 실시예 3에 대하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시예 3의 연마 패드(1) 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예와 다른 구조 부분과 작용에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 3 of the present invention will be described. Fig. 7 is a part view showing a single body of the
실시예 3은, 절입부를 단속적(斷續的)인 원호모양으로 형성한 예이다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심으로, 외주연부(11)의 근방에 단속적인 원호모양(파선형)의 복수(5개)의 절입부(181 ∼ 185)가 형성되어 있다. 도시하지 않았지만, 다른 쪽의 측면(13)에도, 단속적인 원호모양의 복수(5개)의 절입부가 형성되어 있다.The third embodiment is an example in which the cutout portion is formed in an intermittent arc shape. That is, as shown in FIG. 7, one
실시예 1의 연속된 원호모양의 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)는, 프레스 가공 또는 선삭 가공으로 형성하고 있다. 실시예 3의 단속적인 원호모양의 절입부(181 ∼ 185)는, 절입부(181 ∼ 185)의 지름(D1 ∼ D5)과 동일한 지름의 원환상의 모든 형태의 칼날공구(칼날이 톱의 날처럼 단속적으로 형성되어 있다)를 사용하고, 이것을 두께 방향으로 밀어 넣음으로써 프레스 가공으로 형성할 수 있다.The continuous arc-shaped
[실시예 4]Example 4
다음에 본 발명의 실시예 4에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시예 4의 연마 패드(1) 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예와 다른 구조 부분과 작용에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 4 of the present invention will be described. Fig. 8 is a part view showing a single piece of the
실시예 4는, 절입부를 연속한 원호와 단속적(斷續的)인 원호를 연결한 형상으로 형성된 예이다. 즉, 도 8에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심으로, 외주연부(11)의 근방에, 연속한 원호와 단속적인 원호를 연결한 형상의 복수(5개)의 절입부(191 ∼ 195)가 형성되어 있다. 도시하지는 않았지만, 다른 쪽의 측면(13)에도, 연속한 원호와 단 속적인 원호를 연결한 형상의 복수(5개)의 절입부가 형성되어 있다.Example 4 is an example formed in the shape which connected the continuous circular arc and the intermittent circular arc. That is, as shown in FIG. 8, one
실시예 4의 연속한 원호와 단속적인 원호를 연결한 형상의 절입부(191 ∼ 915)는, 절입부(191 ∼ 195)의 지름(D1 ∼ D5)과 동일한 지름의 원환상의 모든 형태의 칼날공구를 사용하고, 실시예 3의 경우와 마찬가지로 프레스 가공으로 형성할 수 있다.The
[실시예 5][Example 5]
다음에 본 발명의 실시예 5에 대하여 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시예 5의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, (1)은 연마 패드 단일체의 정면도, (2)는 (1)의 B-B단면도이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예와 다른 구조 부분에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 5 of the present invention will be described. Fig. 9 is a part view showing the polishing pad unitary body of Embodiment 5 of the present invention, (1) is a front view of the polishing pad unitary body, and (2) is a B-B cross-sectional view of (1). In the following description, only the structural part different from the said embodiment is demonstrated, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, the same component is attached | subjected with the same number and demonstrated.
상기 실시예는, 지름이 다른 동심(同心) 모양의 복수의 절입부로 구성되어 있지만, 실시예 5는, 절입부를 소용돌이 모양으로 형성한 예이다. 즉, 도 9에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에는, 외주연부(11)의 근방에, 연마 패드(1)의 외주 측으로부터 내주 측으로 향하여, 한 개의 소용돌이 모양의 절입부(41)가 형성되어 있다. 도시하지는 않았지만, 다른 쪽의 측면(13)에도, 한 개의 소용돌이 모양의 절입부(42)가 형성되어 있다.Although the said Example is comprised from the some concentric incision part from which a diameter differs, Example 5 is an example in which the cutout part was formed in a vortex shape. That is, as shown in FIG. 9, in one
실시예 5의 소용돌이 모양의 절입부(41, 42)는, 소용돌이 모양의 절입부(41, 42)와 같은 형상의 소용돌이 모양으로된 모든 형태의 칼날공구를 이용하여 프레스 가공, 또는 선삭 가공으로 형성할 수 있다.The spiral cut-
상기 각 실시예에서는, 절입부는, 한쪽의 측면(12)과 다른 쪽의 측면(13)에, 각각 복수로 형성되어 있지만, 각각 1개만 형성하여도 좋다. 또 상기 실시예의 절입부는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심의 원호모양으로 형성되어 있지만, 외주연부(11)와 거의 동심의 원호모양이라면 좋다. 또 연속한 원호모양의 절입부, 단속적인 원호모양의 절입부, 연속한 원호와 단속적인 원호를 연결한 형상의 절입부 중의 2종류 또는 3종류의 절입부를 혼재시켜도 좋다.In each of the above embodiments, a plurality of cutout portions are formed on one
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 특허청구의 범위 및 본 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않고도 여러 가지 변경 및 변형이 가능함은 물론이다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the following claims and the technical idea of the present invention.
도 1은, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 도1(1)은 연마 패드 단일체의 정면도, 도1(2)는 도1(1)의 A-A단면도이다.Fig. 1 is a part diagram showing a polishing pad unitary body of
도 2는, 도 1(2)의 P부 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged sectional view of the P portion in FIG. 1 (2). FIG.
도 3(1)은, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로 반도체 웨이퍼의 노치부를 연마하는 연마 장치를 도시하는 정면도, 도3(2)는 도3(1)의 Q부 상세도이며, 연마 패드의 외주연부와 반도체 웨이퍼의 노치부와의 접촉 부분의 확대 평면도이다.Fig. 3 (1) is a front view showing a polishing apparatus for polishing the notched portion of a semiconductor wafer with the polishing pad of
도 4는, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로 웨이퍼의 노치부를 연마하는 공정의 전반을 도시하는 설명도이다.4 is an explanatory diagram showing the first half of a step of polishing a notch portion of a wafer with the polishing pad of Example 1 of the present invention.
도 5는, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로 웨이퍼의 노치부를 연마하는 공정의 후반을 도시하는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the latter half of the process of grinding | polishing the notch part of a wafer with the polishing pad of Example 1 of this invention.
도 6은, 본 발명의 실시예 2의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 도 2 상당도(相當圖)이다.FIG. 6 is a component diagram showing the polishing pad unitary body of the second embodiment of the present invention, and is equivalent to FIG. 2.
도 7은, 본 발명의 실시예 3의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다.Fig. 7 is a component diagram showing a polishing pad unitary body of a third embodiment of the present invention, and is a partially enlarged front view.
도 8은, 본 발명의 실시예 4의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다.Fig. 8 is a component diagram showing a polishing pad unit body according to a fourth embodiment of the present invention, and is a partially enlarged front view.
도 9는, 본 발명의 실시예 5의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 도9(1)은 연마 패드 단일체의 정면도, 도9(2)는 도9(1)의 B-B선 단면도이다.Fig. 9 is a part view showing the polishing pad unitary body of the fifth embodiment of the present invention, Fig. 9 (1) is a front view of the polishing pad unitary body, and Fig. 9 (2) is a sectional view taken along the line BB of Fig. 9 (1). .
※부호의 설명※※ Explanation of symbols ※
1…연마 패드One… Abrasive pad
11…외주연부11... Outsourcing
12, 13…측면12, 13... side
141, 142, 143, 144, 145…절입부141, 142, 143, 144, 145... Infeed
151, 152, 153, 154, 155…절입부151, 152, 153, 154, 155... Infeed
16, 17…콧수염 형상체16, 17... Mustache shapes
181, 182, 183, 184, 185…절입부181, 182, 183, 184, 185... Infeed
191, 192, 193, 194, 195…절입부191, 192, 193, 194, 195... Infeed
2…반도체 웨이퍼2… Semiconductor wafer
21…외주연부21 ... Outsourcing
22…노치부(notch portion)22 ... Notch portion
3…웨이퍼 척 테이블(wafer chuck table)3 ... Wafer chuck table
31…노즐31... Nozzle
41, 42…절입부41, 42... Infeed
Claims (4)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2008-255153 | 2008-09-30 | ||
JP2008255153A JP5230328B2 (en) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Wafer notch polishing pad |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100036959A KR20100036959A (en) | 2010-04-08 |
KR101268627B1 true KR101268627B1 (en) | 2013-05-29 |
Family
ID=42214375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090090887A KR101268627B1 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-25 | Polishing pad of wafer notch portion |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5230328B2 (en) |
KR (1) | KR101268627B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7091575B2 (en) * | 2017-03-03 | 2022-06-28 | スピードファム株式会社 | Notch part polishing pad and its manufacturing method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006187819A (en) | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Toho Engineering Kk | Polishing pad |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000317790A (en) * | 1999-05-12 | 2000-11-21 | Mitsubishi Materials Corp | Chamfered face polishing device for semiconductor wafer and its method |
JP3445237B2 (en) * | 2000-10-27 | 2003-09-08 | システム精工株式会社 | Polishing method and polishing apparatus for outer periphery of work |
JP4162567B2 (en) * | 2003-10-14 | 2008-10-08 | スピードファム株式会社 | Wafer notch mirror finishing machine |
JP5348966B2 (en) * | 2008-08-21 | 2013-11-20 | Sumco Techxiv株式会社 | Polishing pad |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008255153A patent/JP5230328B2/en active Active
-
2009
- 2009-09-25 KR KR1020090090887A patent/KR101268627B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006187819A (en) | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Toho Engineering Kk | Polishing pad |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100036959A (en) | 2010-04-08 |
JP2010082754A (en) | 2010-04-15 |
JP5230328B2 (en) | 2013-07-10 |
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