KR101264865B1 - Method of fabricating organic electroluminescence display device - Google Patents
Method of fabricating organic electroluminescence display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR101264865B1 KR101264865B1 KR1020060057726A KR20060057726A KR101264865B1 KR 101264865 B1 KR101264865 B1 KR 101264865B1 KR 1020060057726 A KR1020060057726 A KR 1020060057726A KR 20060057726 A KR20060057726 A KR 20060057726A KR 101264865 B1 KR101264865 B1 KR 101264865B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photosensitive film
- forming
- pattern
- insulating
- light emitting
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 방법은 절연 기판 상에 제 1전극을 형성하고, 제 1전극 상의 소정 위치에 절연 패턴을 형성하고, 절연 패턴을 가진 기판 상에 감광막을 형성하고, 감광막에 선택적으로 이온도핑을 실시하여 이온도핑부를 형성하고, 이온도핑부를 갖는 감광막을 노광 및 현상하여 상기 절연패턴 상에 격벽패턴을 형성하고, 절연 패턴 사이의 상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층 상에 제 2전극을 형성하는 것을 포함한다. 따라서, 상기한 구성에 의하면, 본 발명에서는 상기 격벽 패턴들의 측면 프로파일을 역 테이퍼지도록 형성 가능함으로써, 이후의 제 2전극들을 형성하는 공정에서 상기 제 2전극들이 단락되는 현상을 방지할 수 있다. 이로써, 생산비용을 절감하여 생산 수율을 높일 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device. The disclosed method forms an first electrode on an insulating substrate, forms an insulating pattern at a predetermined position on the first electrode, forms a photosensitive film on the substrate having the insulating pattern, and selectively ionizes the photosensitive film to ion doping. Forming a portion, exposing and developing a photosensitive film having an ion doping portion to form a partition pattern on the insulating pattern, forming an organic light emitting layer on the first electrode between the insulating patterns, and forming a second electrode on the organic light emitting layer. It involves doing. Therefore, according to the above configuration, in the present invention, the side profiles of the barrier rib patterns may be formed to reverse taper, thereby preventing a short circuit of the second electrodes in a subsequent process of forming the second electrodes. As a result, there is an advantage that can increase the production yield by reducing the production cost.
Description
도 1a 내지 도 1e는 종래 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.1A to 1E are cross-sectional views of processes for explaining a method of manufacturing a conventional organic light emitting device.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.2A to 2F are cross-sectional views for each process for explaining a method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention.
본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 격벽 패턴을 가진 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting device having a partition pattern.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 유기 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다. 이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저전력, 고휘도, 고반응속도, 저중량)을 나타낸다. 이러한 특성 때문에 유기전계 발광소자는 이동통신 단말기, CHS, PDA, Camcorder, Palm PC등 대부분의 consumer전자 응용제품에 사용될 수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다. 또한, 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다. In general, an organic light emitting device injects electrons and holes into an organic emission layer from an electron injection electrode and a hole injection electrode, respectively. It is a device that emits light when an exciton, which is a combination of electrons and holes, drops from an excited state to a ground state. Due to this principle, unlike the conventional thin film liquid crystal display device, since a separate light source is not required, there is an advantage in that the volume and weight of the device can be reduced. In addition, the organic EL device exhibits high quality panel characteristics (low power, high brightness, high reaction rate, low weight). Because of these characteristics, organic light emitting diodes are considered to be powerful next-generation displays that can be used in most consumer electronic applications such as mobile communication terminals, CHS, PDA, Camcorder, Palm PC. In addition, since the manufacturing process is simple, there is an advantage that can reduce the production cost much more than the conventional liquid crystal display device.
도 1a 내지 도 1e는 종래 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing a conventional organic light emitting device.
도 1a에 도시된 바와 같이, 다수의 화소영역(P)들이 정의된 절연기판(1)을 제공한다. 상기 기판(1) 상에 투명 도전성 금속막을 형성한다. 상기 금속막을 패터닝하여 양극전극(anode electrode)인 제 1전극(3)들을 형성한다. 상기 제 1전극(3)들은 스트라이프 형태로 패터닝될 수 있다. 상기 제 1전극(3)들을 가진 기판 상에 절연막(5) 및 제 1감광막(7)을 차례로 형성한다. 상기 절연막(5)은 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 제 1감광막(7)은 네거티브한 타입으로서, 이후의 공정에서 노광된 부분이 현상 후 잔류하게 된다. 계속하여, 상기 제 1감광막(7)을 가진 기판 상부에 소정의 제 1마스크(M1)을 준비한다. 상기 제 1마스크(M1)는 상기 화소영역(P)과 대응된 부위를 덮도록 패터닝될 수 있다. 상기 제 1마스크(M1)의 상부에 광을 조사하여 제 1감광막 노광 공정을 진행한다.As shown in FIG. 1A, an
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 노광된 제 1감광막을 현상한다. 그 결과, 화소영역(P)을 노출하는 제 1감광막 패턴(8)을 형성한다.As shown in FIG. 1B, the exposed first photosensitive film is developed. As a result, the first photosensitive film pattern 8 that exposes the pixel region P is formed.
도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 제 1감광막 패턴을 이용하여 상기 절연막을 식각하여 절연 패턴(5P)들을 형성한다. 상기 절연 패턴(5P)들은 상기 화소영역(P)을 사이에 두고 일정 간격으로 이격 배치되며, 일방향으로 길게 배열된다. 이어, 상기 제 1감광막 패턴을 제거한다. 그 다음, 상기 절연 패턴(5P)들이 형성된 기판 전면에 제 2감광막(9)을 도포한다. 상기 제 2감광막(9)은 네거티브 타입 감광막일 수 있다. 상기 제 2감광막(9)을 가진 기판 상부에 소정의 제 2마스크(M2)을 준비한다. 상기 제 2마스크(M2)는 상기 화소영역(P)와 대응된 부위를 덮도록 패터닝될 수 있다. 상기 제 2마스크(M2)의 상부에 광을 조사하여 제 2감광막 노광 공정을 진행한다.As illustrated in FIG. 1C, the insulating layer is etched using the first photoresist layer pattern to form
도 1d에 도시한 바와 같이, 상기 노광 공정이 완료된 제 2감광막을 현상한다. 그 결과, 상기 절연 패턴(5P) 상부에 격벽패턴(10)들이 형성된다. 상기 격벽패턴(10)들은 현상 후 잔류된 제 2감광막에 해당된다. 상기 격벽 패턴(10)들은 역 테이퍼(taper)진 측면 프로파일을 가질 수 있다. 상기 격벽 패턴(10)들은 역 테이퍼진 측면 프로파일을 가짐으로써, 이후의 공정에서 제 2전극들이 상기 제 1전극(3)들과 접촉되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. As shown in Fig. 1D, the second photosensitive film on which the exposure process is completed is developed. As a result,
도 1e에 도시한 바와 같이, 상기 격벽 패턴(10)들 사이의 제 1 전극(3)들 상부에 유기 발광층(11)들을 형성한다. 상기 유기 발광층(11)들은 단일 물질로 제작할 수 있으나, 일반적으로 여러 유기 물질의 다층 구조를 주로 사용한다. 여기서, 상기 격벽 패턴(10)들을 형성하고 나서 유기 발광층(11)을 형성하게 되면, 도시된 바와 같이, 유기 발광층(11)들은 격벽 패턴(5P)의 측면에는 증착되지 않고 상기 격 벽 패턴(10)들의 상부와 상기 제 1전극(3)들의 상부에만 형성된다. 이어, 상기 유기 발광층(11)들의 상부에 증착공정을 통해 제 2전극(13)들을 형성한다. 상기 제 2 전극(13)들은 음극 전극(cathode electrode)으로서, 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al)등으로 구성된 금속 중 하나를 선택하여 형성하거나, 리튬 플로우린/알루미늄(LiF/Al)과 같은 이중 금속층으로 형성할 수 있다. As shown in FIG. 1E, the organic emission layers 11 are formed on the
한편, 상기 제 1 전극(3)들은 상기 유기 발광층(11)들에 홀(hole)을 주입하는 홀 주입전극에 해당되고, 상기 제 2 전극(13)들은 상기 유기발광층(11)들에 전자(electron)를 주입하는 전자 주입전극에 해당된다. Meanwhile, the
상술한 종래 기술에서 상기 격벽 패턴들은 감광막을 이용하여 측면 프로파일이 역 테이퍼진 형상을 갖도록 패터닝되어야 한다. 그러나, 현재 노광 장비의 노광량 및 노광 세기가 수시로 변하기 때문에 상기 격벽 패턴들은 측면 프로파일이 불균일하게 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 격벽 패턴들의 재료로 감광막을 사용하게 되는데, 상기 감광막 재료 특성에 의해 상기 격벽 패턴들의 측면 프로파일이 어느 정도 결정될 수 있다. 즉, 상기 감광막을 이용하여 완전한 역 테이퍼진 측면 프로파일을 구현하기가 어렵다. 그 결과, 이후의 제 2전극들 형성 시, 상기 제 2전극들이 쇼트(short)되는 문제점이 있다. In the above-described prior art, the barrier rib patterns must be patterned to have an inverse tapered shape using a photosensitive film. However, since the exposure amount and the exposure intensity of the current exposure equipment change frequently, the partition patterns may be non-uniformly patterned in the side profile. In addition, a photosensitive film is used as a material of the barrier rib patterns, and a side profile of the barrier rib patterns may be determined to some extent by the photosensitive film material property. In other words, it is difficult to realize a complete reverse tapered side profile using the photoresist. As a result, when the second electrodes are formed, the second electrodes are shorted.
상기 문제점을 해결하고자, 본 발명의 과제는 격벽 패턴의 측면 프로파일이 역 테이퍼지도록 형성함으로써, 이후의 공정에서 제 2전극들이 쇼트을 방지할 수 있는 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공하려는 것이다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic light emitting device in which the side profile of the partition pattern is tapered in reverse, so that the second electrodes can prevent the short circuit in a subsequent process.
상기 과제를 달성하고자, 본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 절연 기판 상에 제 1전극을 형성하고, 제 1전극 상의 소정 위치에 절연 패턴을 형성하고, 절연 패턴을 가진 기판 상에 감광막을 형성하고, 감광막 상부에 선택적으로 이온도핑을 실시하여 이온도핑부를 형성하고, 이온도핑부를 갖는 감광막을 노광 및 현상하여 상기 절연패턴 상에 이중의 격벽 패턴을 형성하고, 절연 패턴 사이의 상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층 상에 제 2전극을 형성하는 것을 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting device. The method comprises forming a first electrode on an insulating substrate, forming an insulating pattern at a predetermined position on the first electrode, forming a photosensitive film on the substrate having the insulating pattern, and selectively ionizing the photosensitive film on top of the ion. Forming a doped portion, exposing and developing a photosensitive film having an ion doped portion to form a double barrier rib pattern on the insulating pattern, forming an organic light emitting layer on the first electrode between the insulating patterns, and forming a second on the organic light emitting layer Forming an electrode.
상기 이온도핑 공정은 상기 이온의 도핑 농도를 1E14∼1E15 도우즈로 진행하고, 상기 이온의 도핑 에너지를 5∼200KeV 범위로 진행하는 것이 바람직하다. 상기 감광막은 네거티브 타입 감광막을 이용하는 것이 바람직하다.In the ion doping process, the doping concentration of the ions is advanced to 1E14 to 1E15 doses, and the doping energy of the ions is preferably performed in the range of 5 to 200 KeV. It is preferable that a negative photosensitive film is used for the said photosensitive film.
상기 격벽 패턴을 형성하는 것은 상기 이온도핑부를 갖는 감광막을 노광 및 현상하여 상기 이온도핑부 하부에 감광막을 잔류시키는 것을 포함한다.Forming the barrier rib pattern includes exposing and developing the photosensitive film having the ion doped portion to leave the photosensitive film under the ion doped portion.
상기 현상 공정은 상기 이온도핑부 하부에 잔류된 감광막을 과도 현상하는 것을 더 포함한다.The developing process may further include overdeveloping the photoresist film remaining under the ion doped portion.
상기 노광 및 현상한 후에, 상기 이온도핑부 하부에 잔류된 감광막을 에싱하여 제거하는 것을 더 포함한다.After the exposure and development, the method further includes ashing and removing the photoresist film remaining under the ion doping unit.
상기 격벽 패턴은 역 테이퍼진 형상을 갖도록 패터닝하는 것이 바람직하다.The barrier rib pattern is preferably patterned to have an inverse tapered shape.
(실시예)(Example)
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 대해 자세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting diode and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.2A through 2F are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention.
도 2a에 도시된 바와 같이, 다수의 화소영역(P1)가 정의된 절연 기판(51)을 제공한다. 상기 기판(51) 상에 투명 도전성 금속막을 형성한다. 상기 투명 도전성 금속막은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 일 함수(work function)가 큰 금속을 이용할 수 있다. 상기 금속막을 패터닝하여 양극전극(anode electrode)인 제 1전극(53)들을 형성한다. 상기 제 1전극(53)들은 스트라이프 형태로 패터닝될 수 있다. 상기 제 1전극(53)들을 가진 기판 상에 절연막(55) 및 제 1감광막(57)을 차례로 형성한다. 상기 절연막(55)은 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 제 1감광막(57)은 네거티브한 타입으로서, 이후의 공정에서 노광된 부분이 현상 후 잔류하게 된다. 계속하여, 상기 제 1감광막(57)을 가진 기판 상부에 소정의 제 1마스크(N1)을 준비한다. 상기 제 1마스크(N1)는 상기 화소영역(P1)을 덮도록 패터닝될 수 있다. 상기 제 1마스크(N1)의 상부에 광을 조사하여 제 1감광막 노광 공정을 진행한다.As shown in FIG. 2A, an insulating
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 노광된 제 1감광막을 현상한다. 그 결과, 화소영역(P1)을 노출하는 제 1감광막 패턴(58)을 형성한다.As shown in FIG. 2B, the exposed first photosensitive film is developed. As a result, the first
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 제 1감광막 패턴을 이용하여 상기 절연막을 식각하여 절연 패턴(55P)들을 형성한다. 상기 절연 패턴(55P)들은 상기 화소영역(P1)을 사이에 두고 일정 간격으로 이격 배치되며, 일방향으로 길게 배열된다. 이어, 상기 제 1감광막 패턴을 제거한다. 그 다음, 상기 절연 패턴(55P)들이 형성된 기판 전면에 제 2감광막(59)을 도포한다. 상기 제 2감광막(59)은 네거티브 타입 감광막일 수 있다. 이어, 상기 제 2감광막(59)을 가진 기판 상부에 소정의 제 2마스크(M2)을 준비한다. 상기 제 2마스크(M2)는 상기 화소영역(P1)을 덮고 상기 절연패턴(55P)들의 소정부위를 노출하도록 패터닝되어 있다. 상기 제 2마스크(M2)는 이온주입용 마스크일 수 있다. 상기 제 2마스크(M2)를 통해 상기 제 2감광막(59) 내에 이온도핑을 실시한다. 상기 도핑되는 이온으로는 N타입이든 P타입이든 무관하다. 상기 도핑 공정은 1E14∼1E15 도우즈(dose)의 도핑농도와 5∼200KeV 범위의 도핑 에너지를 가지고 진행할 수 있다. 상기 이온 도핑 결과, 상기 제 2감광막(59) 내 상부에는 이온도핑부(ion doping part; IDP)들이 형성된다. 상기 이온도핑부(IDP)들은 이온도핑에 의해 데미지를 받을 수 있다. 상기 데미지를 받은 상기 이온도핑부(IDP)들은 변성되어 경화되는 특성을 갖는다. As illustrated in FIG. 2C, the insulating layer is etched using the first photoresist layer pattern to form insulating
도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 이온도핑부(IDP)를 갖는 기판 상부에 소정의 제 3마스크(N3)를 준비한다. 상기 제 3마스크(N3)는 상기 이온도핑부(IDP)들을 노출하도록 패터닝된다. 상기 제 3마스크(N3)의 상부에 광을 조사하여 제 2감광막 노광 공정을 진행한다.As shown in FIG. 2D, a predetermined third mask N3 is prepared on the substrate having the ion doped portion IDP. The third mask N3 is patterned to expose the ion doped portions IDP. The second photoresist film exposing process is performed by irradiating light onto the third mask N3.
도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 노광 공정이 완료된 제 2감광막을 현상한다. 상기 이온도핑부(IDP)들은 이온도핑 공정에 의해 경화되었기 때문에 상기 현상 공정 시에도 제거되지 않는다. 그 결과, 상기 이온도핑부(IDP)들 및 상기 이온도핑부(IDP)들 하부에는 제 2감광막이 잔류된다. 이때, 상기 현상 공정을 과도하게 진 행하거나(over develop) 또는 에싱 공정을 진행하면, 상기 잔류된 제 2감광막은 상기 이온도핑부(IDP)들 측방향으로 과도하게 제거될 수 있다. 즉, 상기 과도 현상 공정 또는 에싱 공정을 통해 상기 격벽 패턴들(60)의 역 테이퍼진 형상 정도를 조절할 수 있다. 이로써, 상기 절연 패턴(55P)들 상부에 역 테이퍼진 격벽 패턴(60)들을 형성할 수 있다. 상기 격벽 패턴(60)들은 차례로 적층된 제 2감광막 패턴(59P)들 및 이온도핑부(IDP)들로 구성된다. As shown in Fig. 2E, the second photosensitive film on which the exposure process is completed is developed. The ion doped portions IDP are not removed even during the development process because they are cured by the ion doping process. As a result, a second photoresist film remains under the ion doped portions IDP and the ion doped portions IDP. In this case, when the developing process is excessively over developed or the ashing process is performed, the remaining second photoresist layer may be excessively removed in the lateral direction of the ion doped portions IDP. That is, the degree of inverse tapered shape of the
한편, 상기 격벽 패턴(60)들은 역 테이퍼진 측면 프로파일을 가짐으로써, 이후의 공정에서 제 2전극들이 상기 제 1전극(53)들과 접촉되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. The
도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 격벽 패턴(60)들 사이의 제 1 전극(53)들 상부에 유기 발광층(61)들을 형성한다. 상기 유기 발광층(61)들은 단일 물질로 제작할 수 있으나, 일반적으로 여러 유기 물질의 다층 구조를 주로 사용한다. 여기서, 상기 격벽 패턴(60)들을 형성하고 나서 유기 발광층(61)을 형성하게 되면, 도시된 바와 같이, 유기 발광층(61)들은 격벽 패턴(55P)의 측면에는 증착되지 않고 상기 격벽 패턴(60)들의 상부와 상기 제 1전극(53)들의 상부에만 선택적으로 형성된다. 이어, 상기 유기 발광층(61)들의 상부에 증착공정을 통해 제 2전극(63)들을 형성한다. 상기 제 2 전극(63)들은 음극 전극(cathode electrode)으로서, 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al)등으로 구성된 금속 중 하나를 선택하여 형성하거나, 리튬 플로우린/알루미늄(LiF/Al)과 같은 이중 금속층으로 형성할 수 있다. As illustrated in FIG. 2F, the organic emission layers 61 are formed on the
한편, 상기 제 1 전극(53)들은 상기 유기 발광층(61)들에 홀(hole)을 주입하 는 홀 주입전극에 해당되고, 상기 제 2 전극(63)들은 상기 유기발광층(61)들에 전자(electron)를 주입하는 전자 주입전극에 해당된다. Meanwhile, the
본 발명에 따르면, 차례로 적층된 감광막패턴 및 이온도핑부를 갖는 이중 격벽 패턴을 제공한다. 상기 감광막 패턴을 상기 이온도핑부의 측방향으로 과도하게 제거한다. 따라서, 본 발명에서는 상기 격벽 패턴들의 측면 프로파일을 역 테이퍼지도록 형성 가능함으로써, 이후의 제 2전극들을 형성하는 공정에서 상기 제 2전극들이 단락되는 현상을 방지할 수 있다. 이로써, 생산비용을 절감하여 생산 수율을 높일 수 있다.According to the present invention, there is provided a double partition pattern having a photoresist pattern and an ion doped portion stacked in sequence. The photoresist pattern is excessively removed in the lateral direction of the ion doped portion. Therefore, in the present invention, the side profiles of the barrier rib patterns may be formed to reverse taper, thereby preventing the short circuit of the second electrodes in the subsequent process of forming the second electrodes. As a result, the production cost can be reduced and the production yield can be increased.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060057726A KR101264865B1 (en) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | Method of fabricating organic electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060057726A KR101264865B1 (en) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | Method of fabricating organic electroluminescence display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070122336A KR20070122336A (en) | 2007-12-31 |
KR101264865B1 true KR101264865B1 (en) | 2013-05-14 |
Family
ID=39139262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060057726A KR101264865B1 (en) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | Method of fabricating organic electroluminescence display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101264865B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101349143B1 (en) * | 2010-03-30 | 2014-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method of manufacturing organic light emitting display device |
KR102389618B1 (en) | 2015-03-10 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Polarizer, method of manufacturing the polarizer and display panel having the polarizer |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08315981A (en) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display panel and its manufacture |
JP2000021579A (en) * | 1998-02-25 | 2000-01-21 | Toppan Printing Co Ltd | Substrate for organic electroluminescence display element and its manufacture and organic electroluminescence display element using it |
KR20000060588A (en) * | 1999-03-17 | 2000-10-16 | 구자홍 | method for fabricating rampart of Organic Electroluminescence display panel |
KR20030006225A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 주식회사 네오뷰 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
KR100586650B1 (en) * | 1998-02-25 | 2006-06-07 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | Circuit board for organic electroluminescent panel, method of manufacture, and electroluminescent panel |
-
2006
- 2006-06-26 KR KR1020060057726A patent/KR101264865B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08315981A (en) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display panel and its manufacture |
JP2000021579A (en) * | 1998-02-25 | 2000-01-21 | Toppan Printing Co Ltd | Substrate for organic electroluminescence display element and its manufacture and organic electroluminescence display element using it |
KR100586650B1 (en) * | 1998-02-25 | 2006-06-07 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | Circuit board for organic electroluminescent panel, method of manufacture, and electroluminescent panel |
KR20000060588A (en) * | 1999-03-17 | 2000-10-16 | 구자홍 | method for fabricating rampart of Organic Electroluminescence display panel |
KR20030006225A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 주식회사 네오뷰 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070122336A (en) | 2007-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5302261B2 (en) | Electroluminescence display device and manufacturing method thereof | |
US9666647B2 (en) | OLED display and method of manufacturing the same | |
TWI634686B (en) | Hydrophobic bank | |
KR100782461B1 (en) | TFT Panel and Method of fabricating the same and Organic Light Emitting Device with the same | |
CN111063697A (en) | Array substrate, preparation method thereof and display panel | |
CN104538357A (en) | Method for manufacturing array substrate and array substrate | |
CN108198838B (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
KR102024098B1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
KR102067968B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device And Manufacturing Method Of The Same | |
WO2011122481A1 (en) | Method of producing substrate for light-emitting device | |
KR100762121B1 (en) | Manufacturing process for organic electroluminescence display | |
US20170125486A1 (en) | Pixel unit and method for fabricating the same, display device | |
KR101264865B1 (en) | Method of fabricating organic electroluminescence display device | |
KR20150020142A (en) | Film profiles | |
CN115132941B (en) | Preparation method of display panel and display panel | |
KR20110081695A (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR101157263B1 (en) | Organic electroluminesence display device and fabrication method thereof | |
KR100611216B1 (en) | Flat Panel Display with Black Matrix and Fabrication Method thereof | |
KR100612118B1 (en) | Organic electroluminescence device having multiple partition structures and fabricating method thereof | |
KR101274152B1 (en) | Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same | |
KR102230529B1 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating of the same | |
KR20030006225A (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
KR20030021580A (en) | Organic EL Device and Method of Making the Same | |
CN107706227B (en) | Display substrate, preparation method thereof and display device | |
KR101381738B1 (en) | Method of manufacturing auxiliary electrode in organic light emitting diode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 7 |