KR101263825B1 - Appratus for x-ray image detecting - Google Patents

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KR101263825B1 KR1020120027580A KR20120027580A KR101263825B1 KR 101263825 B1 KR101263825 B1 KR 101263825B1 KR 1020120027580 A KR1020120027580 A KR 1020120027580A KR 20120027580 A KR20120027580 A KR 20120027580A KR 101263825 B1 KR101263825 B1 KR 101263825B1
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이수길
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for detecting an X-ray image is provided to fill an optical coupling material of condensing visible light in a laminated lattice structure in a thin film transistor panel, and to prevent the diffusion of the visible light generated from an X-ray radiation. CONSTITUTION: A thin film transistor(10) outputs an electric signal according to the intensity of the visible light. A lattice structure(20) is laminated on the thin film transistor by a deposition and an etching process. An optical coupling material(70) is filled in an opening part(21) of the lattice structure. A fluorescent substance substrate(50) is laminated on the lattice structure and X-rays passes. A dam member(30) is laminated on the thin film transistor to surround the edge of the lattice structure.

Description

엑스선 영상 검출 장치{APPRATUS FOR X-RAY IMAGE DETECTING}X-ray image detection device {APPRATUS FOR X-RAY IMAGE DETECTING}

본 발명은 엑스선 영상 검출 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막트랜지스터 패널에 적층된 격자 구조체에 가시광을 집광시키는 광학결합물질을 충진함으로써, 엑스선 피폭에 의하여 발생되는 가시광선의 확산을 방지할 수 있는 엑스선 영상 검출 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an X-ray image detecting apparatus, and more particularly, by filling an optical coupling material for converging visible light in a lattice structure stacked on a thin film transistor panel, X-rays which can prevent the diffusion of visible light caused by X-ray exposure An image detecting apparatus.

필름을 이용한 아날로그 방식의 엑스선 영상 검출 장치는 이미지 형상화 작업에 시간이 걸리고 필름을 저장해야 하는 공간을 확보해야 하며, 필름 및 추가 인력에 대한 비용이 발생하는 단점이 있다.An analog X-ray image detection apparatus using a film takes a long time for image shaping and secures a space for storing the film, and has a disadvantage in that a film and additional manpower are incurred.

이러한 이유로 최근에는 박막트랜지스터(TFT, thin film transistor) 또는 CCD 또는 CMOS와 같은 이미지 센서를 이용하여 엑스선으로 촬영한 영상을 디지털 신호로 출력하는 디지털 방식의 엑스선 영상 검출 장치가 널리 사용되고 있다.For this reason, recently, a digital X-ray image detection apparatus using a thin film transistor (TFT) or an image sensor such as a CCD or a CMOS to output an image taken by X-ray as a digital signal has been widely used.

디지털 방식의 엑스선 영상 검출 장치는 엑스선을 가시광으로 변환하는 형광층과, 형광층을 보호하는 형광체기판과, 변환된 가시광을 받아들여 가시광의 세기에 따른 전기 신호를 출력하는 광전변환부가 배열된 박막트랜지스터 패널로 이루어진다.The digital X-ray image detecting apparatus includes a thin film transistor including a fluorescent layer that converts X-rays into visible light, a phosphor substrate that protects the fluorescent layer, and a photoelectric converter that receives the converted visible light and outputs an electrical signal according to the intensity of the visible light. It is made of panels.

한편 국내 특허 출원 제2010-0016143호 (출원일 : 2010. 02. 23.) 에는 "엑스선 검출장치 및 이의 제조방법"이 개시되어 있다.
Meanwhile, Korean Patent Application No. 2010-0016143 (filed date: February 23, 2010) discloses an "X-ray detecting apparatus and its manufacturing method".

일반적으로 디지털 방식의 엑스선 영상 검출 장치에서 보면, 형광층을 박막트랜지스터 패널에 직접 증착하는 경우에는 박막트랜지스터의 제작시 최대 온도가 섭씨 250도 이하에서 제조되고, 형광체 증착시에는 섭씨 600도 정도로 증착로를 가열하기 때문에 박막트랜지스터가 파괴되어 박막트랜지스터 패널의 불량을 초래한다.In general, in the digital X-ray image detection apparatus, when the fluorescent layer is directly deposited on the thin film transistor panel, the maximum temperature is manufactured at 250 degrees Celsius or less when the thin film transistor is manufactured, and when the phosphor is deposited, the deposition temperature is about 600 degrees Celsius. Because of the heating of the thin film transistor, the thin film transistor is destroyed, resulting in a defect of the thin film transistor panel.

또한, 박막트랜지스터 패널에 실란트(sealant) 또는 접착제를 이용하여 형광층을 고정하는 경우에는 형광층의 표면과 박막트랜지스터 사이에 공기층이 형성되기 때문에 형광층 표면에서 공기층에 의해 가시광이 확산되고, 출력되는 영상의 해상도와 계조를 저하시킨다.In addition, when the fluorescent layer is fixed to the thin film transistor panel using a sealant or an adhesive, an air layer is formed between the surface of the fluorescent layer and the thin film transistor so that visible light is diffused by the air layer on the surface of the fluorescent layer. This reduces the resolution and gradation of the image.

따라서, 이를 개선할 필요가 있다.Therefore, there is a need to improve this.

본 발명은 상기와 같은 필요성에 의해 창출된 것으로서, 가시광의 세기에 따라 전기 신호를 출력하는 광전변환부가 노출되도록 박막트랜지스터 패널에 개구부가 형성된 격자구조체를 적층하고, 개구부에 가시광을 집광시키는 광학결합물질을 충진시킴으로써, 박막트랜지스터 패널의 불량을 방지하고, 가시광의 확산을 방지함은 물론 출력되는 영상의 해상도와 계조를 향상시킬 수 있는 엑스선 영상 검출 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
The present invention has been created by the necessity as described above, an optical coupling material for laminating a lattice structure having an opening formed in a thin film transistor panel so as to expose a photoelectric conversion unit for outputting an electrical signal according to the intensity of visible light, and to collect the visible light in the opening The purpose of the present invention is to provide an X-ray image detection apparatus capable of preventing defects of a thin film transistor panel, preventing diffusion of visible light, and improving resolution and gray level of an output image.

본 발명에 따른 엑스선 영상 검출 장치는 가시광의 세기에 따른 전기 신호를 출력하도록 상기 가시광을 받아들이는 광전변환부가 마련된 박막트랜지스터 패널; 상기 박막트랜지스터 패널에 적층되되, 상기 가시광이 투과되도록 상기 광전변환부에 대응하여 개구부가 관통 형성된 격자구조체; 및 엑스선이 투과되도록 상기 격자구조체에 적층되되, 상기 엑스선을 상기 가시광으로 변환시키는 형광층이 마련된 형광체기판; 을 포함하고, 상기 개구부에는, 상기 가시광을 상기 광전변환부로 집광시키는 광학결합물질이 충진된다.An X-ray image detecting apparatus according to the present invention includes a thin film transistor panel provided with a photoelectric conversion unit for receiving the visible light to output an electric signal according to the intensity of visible light; A lattice structure stacked on the thin film transistor panel, the opening having a through portion corresponding to the photoelectric conversion part so as to transmit the visible light; And a phosphor substrate stacked on the lattice structure to transmit X-rays, the phosphor substrate having a phosphor layer converting the X-rays into the visible light. And an optical coupling material for condensing the visible light to the photoelectric conversion part.

여기서, 상기 격자구조체의 가장자리를 감싸도록 상기 박막트랜지스터 패널에 적층되는 댐부재; 가 더 포함된다.Here, the dam member is laminated on the thin film transistor panel to surround the edge of the lattice structure; .

여기서, 상기 댐부재의 적층 높이는 상기 격자구조체의 적층 높이와 같거나 크다.Here, the stacking height of the dam member is equal to or larger than the stacking height of the lattice structure.

여기서, 상기 박막트랜지스터 패널의 가장자리에 적층되는 격벽부재; 가 더 포함된다.Here, the partition member stacked on the edge of the thin film transistor panel; .

여기서, 상기 격벽부재의 적층 높이는 상기 격자구조체의 적층 높이와 같거나 크다.Here, the stacking height of the partition member is equal to or greater than the stacking height of the lattice structure.

여기서, 상기 격벽부재는 상기 댐부재와 이격되어 이격공간을 형성하고, 상기 이격공간에는 상기 광학결합물질이 충진된다.Here, the partition member is spaced apart from the dam member to form a separation space, the separation space is filled with the optical coupling material.

여기서, 상기 격자구조체는 조사되는 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 이루어진다.Here, the lattice structure is made of a photocurable material that is cured by the irradiated light.

여기서, 상기 박막트랜지스터 패널과 상기 형광체기판을 균일하게 접착 고정시키는 실링부재; 가 더 포함된다.Here, the sealing member for uniformly fixing the thin film transistor panel and the phosphor substrate; .

여기서, 상기 광학결합물질은 상기 형광층과 밀착된다.Here, the optical coupling material is in close contact with the fluorescent layer.

여기서, 상기 격자구조체는 상기 형광층에 선접촉된다.
Here, the lattice structure is in linear contact with the fluorescent layer.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 엑스선 영상 검출 장치는 가시광의 세기에 따라 전기 신호를 출력하는 광전변환부가 노출되도록 박막트랜지스터 패널에 개구부가 형성된 격자구조체를 적층하고, 개구부에 가시광을 집광시키는 광학결합물질을 충진시킴으로써, 박막트랜지스터 패널의 불량을 방지하고, 가시광의 확산을 방지함은 물론 출력되는 영상의 해상도와 계조를 향상시킬 수 있다.As described above, the X-ray image detecting apparatus according to the present invention stacks a lattice structure having an opening in a thin film transistor panel so as to expose a photoelectric conversion part that outputs an electrical signal according to the intensity of visible light, and collects visible light in the opening. By filling the bonding material, it is possible to prevent defects of the thin film transistor panel, to prevent diffusion of visible light, and to improve the resolution and gray level of the output image.

또한, 본 발명은 격자구조체를 통해 충진된 광학결합물질이 유동되는 것을 최소화하고, 박막트랜지스터 패널의 표면 또는 형광체기판의 표면에 흠집이 발생되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can minimize the flow of the optical coupling material filled through the lattice structure, and can prevent the scratches on the surface of the thin film transistor panel or the surface of the phosphor substrate.

또한, 본 발명은 격자구조체를 통해 외부 충격에 의한 파손에도 충진된 광학결합물질의 누출을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent the leakage of the optical coupling material filled even in the damage by the external impact through the lattice structure.

또한, 본 발명은 댐부재 또는 격벽부재를 통해 격자구조체가 파손되어도 충진된 광학결합물질의 누출을 방지하고, 박막트랜지스터 패널과 형광체기판 사이에 공기층이 형성되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent the leakage of the filled optical coupling material even if the lattice structure is damaged through the dam member or the partition wall member, it is possible to prevent the formation of an air layer between the thin film transistor panel and the phosphor substrate.

또한, 본 발명은 댐부재 또는 격벽부재를 통해 박막트랜지스터 패널에 형광체기판이 안정되게 적층될 수 있도록 할 수 있다.In addition, the present invention may enable the phosphor substrate to be stably stacked on the thin film transistor panel through the dam member or the partition wall member.

또한, 본 발명은 격벽부재를 통해 실링부재가 표면 장력에 의하여 흐르는 것을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent the sealing member from flowing by the surface tension through the partition member.

또한, 본 발명은 격자구조체와 형광체기판이 선접촉을 통해 안정되게 밀착될 수 있다.
In addition, the present invention can be stably in close contact with the lattice structure and the phosphor substrate through the line contact.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치를 도시한 도면,
도 2는 도 1의 엑스선 영상 검출 장치에서 댐부재를 도시한 도면,
도 3은 도 2의 엑스선 영상 검출 장치에서 격벽부재를 도시한 도면,
도 4는 도 3의 엑스선 영상 검출 장치에 형광체기판이 적층된 상태를 도시한 도면,
도 5는 도 4의 단면도이다.1 is a view showing an X-ray image detection apparatus according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a view illustrating a dam member in the X-ray image detecting apparatus of FIG. 1;
3 is a view illustrating a partition member in the X-ray image detecting apparatus of FIG. 2;
4 is a view showing a state in which a phosphor substrate is laminated on the X-ray image detecting apparatus of FIG. 3;
5 is a cross-sectional view of FIG. 4.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 엑스선 영상 검출 장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
Hereinafter, an embodiment of an X-ray image detecting apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of the lines and the sizes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or convention of a user or an operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 엑스선 영상 검출 장치에서 댐부재를 도시한 도면이며, 도 3은 도 2의 엑스선 영상 검출 장치에서 격벽부재를 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 엑스선 영상 검출 장치에 형광체기판이 적층된 상태를 도시한 도면이며, 도 5는 도 4의 단면도이다.1 is a view showing an X-ray image detection apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a dam member in the X-ray image detection apparatus of Figure 1, Figure 3 is an X-ray image detection apparatus of FIG. 4 is a view illustrating a partition member, and FIG. 4 is a view illustrating a state in which a phosphor substrate is stacked on the X-ray image detecting apparatus of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view of FIG. 4.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치는 박막트랜지스터 패널(10)과, 격자구조체(20)와, 형광체기판(50)을 포함한다.1 to 5, an X-ray image detecting apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor panel 10, a grating structure 20, and a phosphor substrate 50.

박막트랜지스터 패널(10)은 광전변환부(11)가 마련되어 가시광의 세기에 따른 전기 신호를 출력할 수 있도록 한다. 여기서 광전변환부(11)는 가시광을 받아들이는 영역으로써, 상호 이격되어 종횡으로 배열된다.The thin film transistor panel 10 is provided with a photoelectric conversion unit 11 to output an electric signal according to the intensity of visible light. In this case, the photoelectric conversion unit 11 is a region that receives visible light, and is arranged vertically and horizontally apart from each other.

격자구조체(20)는 박막트랜지스터 패널(10)에 적층된다. 이러한 격자구조체(20)는 가시광이 투과되도록 광전변환부(11)에 대응하여 개구부(21)가 관통 형성된 그물망 구조를 형성하게 된다.The lattice structure 20 is stacked on the thin film transistor panel 10. The lattice structure 20 forms a mesh structure in which the opening 21 penetrates through the photoelectric converter 11 so that visible light is transmitted.

본 실시예에 따른 격자구조체(20)에서 개구부(21)는 모두 동일한 면적으로 형성될 수 있거나, 서로 다른 면적으로 형성될 수 있으며, 개구부(21)의 면적에 따라 다양한 형상의 그물망 구조를 형성하는 격자구조체(20)를 구현할 수 있다.In the lattice structure 20 according to the present embodiment, the openings 21 may be all formed with the same area, or may be formed with different areas, and form a network structure having various shapes according to the area of the opening 21. The grid structure 20 can be implemented.

여기서 개구부(21)가 개방된 면적과 광전변환부(11)에서 가시광을 받아들이는 면적은 실질적으로 동일하게 형성되는 것이 유리하다. 다른 표현으로는, 격자구조체(20)가 광전변환부(11)에 적층되지 않도록 하는 것이 유리하다.Here, it is advantageous that the area where the opening 21 is opened and the area for receiving visible light in the photoelectric conversion unit 11 are substantially the same. In other words, it is advantageous to prevent the lattice structure 20 from being laminated to the photoelectric conversion section 11.

개구부(21)가 개방된 면적이 광전변환부(11)에서 가시광을 받아들이는 면적보다 큰 경우, 개구부(21)를 통과하는 가시광이 광전변환부(11)에 모두 수용될 수 없다.When the area where the opening 21 is opened is larger than the area for receiving visible light in the photoelectric conversion unit 11, all of the visible light passing through the opening 21 may not be accommodated in the photoelectric conversion unit 11.

또한, 개구부(21)가 개방된 면적이 광전변환부(11)에서 가시광을 받아들이는 면적보다 작은 경우, 광전변환부(11)에서 받아들이는 가시광의 양이 줄어들 수 있다.In addition, when the area in which the opening 21 is opened is smaller than the area receiving the visible light in the photoelectric conversion unit 11, the amount of visible light received by the photoelectric conversion unit 11 may be reduced.

격자구조체(20)는 조사되는 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 이루어진다. 여기서, 조사되는 빛은 박막트랜지스터 패널(10)에 적층된 격자구조체(20)를 경화시킬 수 있으면 충분하다. 또한, 격자구조체(20)는 광경화성 수지 또는 금속화합물 등과 같이 공지된 광경화성 물질로 이루어지며, 조사되는 빛에 의해 경화될 수 있으면 충분하다.The lattice structure 20 is made of a photocurable material that is cured by irradiated light. Here, the irradiated light is sufficient to be able to cure the lattice structure 20 laminated on the thin film transistor panel 10. In addition, the lattice structure 20 is made of a known photocurable material such as a photocurable resin or a metal compound, and it is sufficient that it can be cured by irradiated light.

격자구조체(20)는 1회의 적층 공정을 통해 통상 2 마이크로미터 내지 4 마이크로미터의 높이로 적층될 수 있고, 반복적인 적층 공정을 통해 최대 10 마이크로미터의 높이까지 증가시킬 수 있다. 격자구조체(20)는 높이 방향으로 폭이 줄어들도록 박막트랜지스터 패널(10)에 적층될 수 있다.The lattice structure 20 may be laminated to a height of 2 micrometers to 4 micrometers through a single lamination process, and may be increased to a height of up to 10 micrometers through an iterative lamination process. The grid structure 20 may be stacked on the thin film transistor panel 10 so that the width thereof is reduced in the height direction.

격자구조체(20)는 공지된 증착 및 식각 공정을 통해 적층될 수 있다.The lattice structure 20 may be deposited through known deposition and etching processes.

여기서, 격자구조체(20)의 개구부(21)에는 가시광을 광전변환부(11)로 집광시키는 광학결합물질(70)이 충진된다. 광학결합물질(70)은 공기보다 굴절률이 큰 매질이 사용됨으로써, 가시광의 집광을 용이하게 할 수 있다.Here, the opening 21 of the grating structure 20 is filled with an optical coupling material 70 for condensing visible light to the photoelectric conversion unit (11). The optical coupling material 70 may use a medium having a larger refractive index than air, thereby facilitating the collection of visible light.

이러한 광학결합물질(70)은 격자구조체(20)에 의해 구획되어 광학결합물질(70)이 유동되는 것을 방지 또는 억제하고, 광학결합물질(70)이 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다.The optical coupling material 70 may be partitioned by the grating structure 20 to prevent or inhibit the optical coupling material 70 from flowing and prevent the optical coupling material 70 from leaking to the outside.

형광체기판(50)은 엑스선이 투과되도록 격자구조체(20)에 적층된다. 형광체기판(50)에는 투과된 엑스선을 가시광으로 변화시키는 형광층(51)이 마련된다.The phosphor substrate 50 is stacked on the lattice structure 20 to transmit X-rays. The phosphor substrate 50 is provided with a phosphor layer 51 for converting transmitted X-rays into visible light.

이때, 개구부(21)에 충진된 광학결합물질(70)은 형광층(51)과 밀착됨으로써, 광학결합물질(70)과 형광층(51) 사이에 공기층이 형성되는 것을 방지함은 물론 광학결합물질(70)과 형광층(51) 사이의 공기층에 의해 가시광이 확산되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the optical coupling material 70 filled in the opening 21 is in close contact with the fluorescent layer 51 to prevent the formation of an air layer between the optical coupling material 70 and the fluorescent layer 51 as well as optical coupling. The diffusion of visible light by the air layer between the material 70 and the fluorescent layer 51 may be prevented.

또한, 격자구조체(20)는 형광층(51)에 선접촉되도록 한다. 격자구조체(20)는 높이 방향으로 폭이 줄어들도록 박막트랜지스터 패널(10)에 적층되기 때문에 광학결합물질(70)에 의한 가시광의 집광량을 증가시킬 수 있다.In addition, the grating structure 20 is in line contact with the fluorescent layer 51. Since the lattice structure 20 is stacked on the thin film transistor panel 10 so that the width thereof decreases in the height direction, the grating structure 20 may increase the amount of visible light collected by the optical coupling material 70.

형광층(51)과 광학결합물질(70)이 접촉되어도 형광층(51)과 광학결합물질(70)은 상호 화학적 또는 물리적으로 변형이 발생되지 않는다.
Even when the fluorescent layer 51 and the optical coupling material 70 are in contact with each other, the fluorescent layer 51 and the optical coupling material 70 are not chemically or physically modified with each other.

본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치는 댐부재(30)를 더 포함할 수 있다. 댐부재(30)는 도 2에 도시된 바와 같이 격자구조체(20)의 가장자리를 감싸도록 박막트랜지스터 패널(10)에 적층된다.X-ray image detection apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a dam member (30). The dam member 30 is stacked on the thin film transistor panel 10 to surround the edge of the lattice structure 20 as shown in FIG.

댐부재(30)는 격자구조체(20)와 동일하게 광경화성 물질의 반복적인 적층 공정을 통해 높이를 증가시킬 수 있다. 댐부재(30)는 격자구조체(20)가 적층될 때, 동시에 적층될 수 있다. 댐부재(30)는 높이 방향으로 폭이 줄어들도록 박막트랜지스터 패널(10)에 적층될 수 있다.The dam member 30 may increase in height through a repeating lamination process of the photocurable material, similar to the lattice structure 20. The dam member 30 may be stacked at the same time when the lattice structure 20 is stacked. The dam member 30 may be stacked on the thin film transistor panel 10 to reduce the width in the height direction.

이에 따라 댐부재(30)는 격자구조체(20)의 파손에 의한 광학결합물질(70)의 누출을 방지할 수 있다.Accordingly, the dam member 30 may prevent leakage of the optical coupling material 70 due to breakage of the grating structure 20.

이때, 댐부재(30)의 적층 높이는 격자구조체(20)의 적층 높이와 같거나 크게 형성될 수 있다. 특히, 댐부재(30)의 적층 높이가 격자구조체(20)의 적층 높이와 같은 경우에는, 박막트랜지스터 패널(10)과 형광체기판(50) 사이의 간격 유지를 용이하게 할 수 있다. 또한, 댐부재(30)의 적층 높이가 격자구조체(20)의 적층 높이보다 큰 경우에는 형광층(51)의 두께를 증가시키거나, 광학결합물질(70)의 충진량을 증가시킬 수 있다.
In this case, the stacking height of the dam member 30 may be the same as or larger than the stacking height of the grid structure 20. In particular, when the stacking height of the dam member 30 is the same as the stacking height of the lattice structure 20, it is easy to maintain the gap between the thin film transistor panel 10 and the phosphor substrate 50. In addition, when the stacking height of the dam member 30 is greater than the stacking height of the lattice structure 20, the thickness of the fluorescent layer 51 may be increased or the filling amount of the optical coupling material 70 may be increased.

본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치는 격벽부재(40)를 더 포함할 수 있다. 격벽부재(40)는 도 3에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터 패널(10)의 가장자리에 적층된다.The X-ray image detecting apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a partition member 40. The partition member 40 is stacked on the edge of the thin film transistor panel 10 as shown in FIG. 3.

격벽부재(40)는 격자구조체(20) 또는 댐부재(30)와 동일하게 광경화성 물질의 반복적인 적층 공정을 통해 높이를 증가시킬 수 있다. 격벽부재(40)는 격자구조체(20) 또는 댐부재(30)가 적층될 때, 동시에 적층될 수 있다. 격벽부재(40)는 높이 방향으로 폭이 줄어들도록 박막트랜지스터 패널(10)에 적층될 수 있다.The partition member 40 may increase in height through a repetitive lamination process of a photocurable material in the same manner as the lattice structure 20 or the dam member 30. The partition member 40 may be stacked at the same time when the lattice structure 20 or the dam member 30 is stacked. The partition member 40 may be stacked on the thin film transistor panel 10 to reduce the width in the height direction.

이에 따라 격벽부재(40)는 댐부재(30)의 파손에 의한 광학결합물질(70)의 누출을 방지할 수 있다.Accordingly, the partition member 40 may prevent the optical coupling material 70 from leaking due to damage of the dam member 30.

여기서 격벽부재(40)는 댐부재(30)와 이격되어 이격공간(41)을 형성할 수 있다. 이때, 이격공간(41)에는 광학결합물질(70)을 충진시킴으로서, 댐부재(30)의 파손에 의한 광학결합물질(70)의 누출을 방지하고, 누출에 의해 개구부(21)에서 공기층이 형성되는 것을 방지할 수 있다.The partition member 40 may be spaced apart from the dam member 30 to form a space 41. At this time, by filling the optical coupling material 70 in the separation space 41, to prevent the leakage of the optical coupling material 70 by the damage of the dam member 30, the air layer is formed in the opening 21 by the leakage. Can be prevented.

이때, 격벽부재(40)의 적층 높이는 격자구조체(20)의 적층 높이와 같거나 크게 형성될 수 있다.In this case, the stacking height of the partition member 40 may be equal to or larger than the stacking height of the lattice structure 20.

특히, 격벽부재(40)의 적층 높이가 격자구조체(20)의 적층 높이와 같은 경우에는 박막트랜지스터 패널(10)과 형광체기판(50) 사이의 간격 유지를 용이하게 할 수 있다. 또한, 격벽부재(40)의 적층 높이가 격자구조체(20)의 적층 높이보다 큰 경우에는 형광층(51)의 두께를 증가시키거나, 광학결합물질(70)의 충진량을 증가시킬 수 있다.In particular, when the stacking height of the partition member 40 is the same as the stacking height of the lattice structure 20, it is possible to easily maintain the gap between the thin film transistor panel 10 and the phosphor substrate 50. In addition, when the stacking height of the partition member 40 is greater than the stacking height of the lattice structure 20, the thickness of the fluorescent layer 51 may be increased or the filling amount of the optical coupling material 70 may be increased.

이에 따라 격벽부재(40)와 댐부재(30)의 적층 높이는 실질적으로 동일한 것이 유리하다.
Accordingly, it is advantageous that the stacking heights of the partition member 40 and the dam member 30 are substantially the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치는 실링부재(60)가 더 포함된다.The X-ray image detecting apparatus according to the embodiment of the present invention further includes a sealing member 60.

실링부재(60)는 박막트랜지스터 패널(10)과 형광체기판(50)을 균일하게 접착 고정시킨다. 실링부재(60)는 도 5에 도시된 바와 같이 격벽부재(40)와 형광체기판(50) 사이에 도포되어 충진된 광학결합물질(70)이 누출되는 것을 방지하고, 형광체기판(50)이 박막트랜지스터 패널(10)에 안정되게 고정되도록 한다.The sealing member 60 uniformly bonds and fixes the thin film transistor panel 10 and the phosphor substrate 50. The sealing member 60 is applied between the partition member 40 and the phosphor substrate 50 to prevent leakage of the filled optical coupling material 70 as shown in FIG. 5, and the phosphor substrate 50 is thin film. The transistor panel 10 is stably fixed to the transistor panel 10.

실링부재(60)는 이격공간(41)에 충진되어 박막트랜지스터 패널(10)과 형광체기판(50)을 균일하게 접착 고정시킬 수 있다.The sealing member 60 may be filled in the separation space 41 to uniformly fix the thin film transistor panel 10 and the phosphor substrate 50.

박막트랜지스터 패널(10)에 형광체기판(50)을 고정시키는 공정에서 실링부재(60)는 표면장력에 의해 박막트랜지스터 패널(10)이나 형광체기판(50)의 표면을 흐르지 않도록 한다. 특히, 격벽부재(40)는 실링부재(60)가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
In the process of fixing the phosphor substrate 50 to the thin film transistor panel 10, the sealing member 60 does not flow through the surface of the thin film transistor panel 10 or the phosphor substrate 50 by surface tension. In particular, the partition member 40 may prevent the sealing member 60 from flowing.

이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 영상 검출 장치에 엑스선이 조사되면, 조사된 엑스선은 형광체기판(50)을 투과하여 형광층(51)을 통해 가시광으로 변환되고, 변환된 가시광은 광학결합물질(70)을 통과하면서 광전변환부(11)로 집광되며, 박막트랜지스터 패널(10)에서는 광전변환부(11)에 집광된 가시광의 세기에 따라 전기 신호를 출력하게 된다.
Accordingly, when X-rays are irradiated to the X-ray image detecting apparatus according to an embodiment of the present invention, the irradiated X-rays are transmitted through the phosphor substrate 50 and converted into visible light through the fluorescent layer 51, and the converted visible light is optically coupled. The light is collected by the photoelectric converter 11 while passing through the material 70, and the thin film transistor panel 10 outputs an electrical signal according to the intensity of visible light collected by the photoelectric converter 11.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. I will understand.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be defined by the claims.

10: 박막트랜지스터 패널 11: 광전변환부
20: 격자구조체 21: 개구부
30: 댐부재 40: 격벽부재
41: 이격공간 50: 형광체기판
51: 형광층 60: 실링부재
70: 광학결합물질10: thin film transistor panel 11: photoelectric conversion unit
20: grid 21: opening
30: dam member 40: partition member
41: separation space 50: phosphor substrate
51: fluorescent layer 60: sealing member
70: optically coupled material

Claims (10)

가시광의 세기에 따른 전기 신호를 출력하도록 상기 가시광을 받아들이는 광전변환부가 마련된 박막트랜지스터 패널;
상기 박막트랜지스터 패널에 적층되되, 상기 가시광이 투과되도록 상기 광전변환부에 대응하여 개구부가 관통 형성된 격자구조체; 및
엑스선이 투과되도록 상기 격자구조체에 적층되되, 상기 엑스선을 상기 가시광으로 변환시키는 형광층이 마련된 형광체기판; 을 포함하고,
상기 개구부에는, 상기 가시광을 상기 광전변환부로 집광시키는 광학결합물질이 충진되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
A thin film transistor panel provided with a photoelectric conversion part for receiving the visible light so as to output an electric signal according to the intensity of visible light;
A lattice structure stacked on the thin film transistor panel, the opening having a through portion corresponding to the photoelectric conversion part so as to transmit the visible light; And
A phosphor substrate stacked on the lattice structure to transmit X-rays and having a phosphor layer converting the X-rays into the visible light; / RTI >
And the optical coupling material for condensing the visible light to the photoelectric conversion part is filled in the opening.
제1항에 있어서,
상기 격자구조체의 가장자리를 감싸도록 상기 박막트랜지스터 패널에 적층되는 댐부재; 가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
The method of claim 1,
A dam member stacked on the thin film transistor panel to surround an edge of the lattice structure; X-ray image detection apparatus further comprises.
제2항에 있어서,
상기 댐부재의 적층 높이는 상기 격자구조체의 적층 높이와 같거나 큰 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
The method of claim 2,
And a stacking height of the dam member is equal to or larger than a stacking height of the lattice structure.
제2항에 있어서,
상기 박막트랜지스터 패널의 가장자리에 적층되는 격벽부재; 가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
The method of claim 2,
Barrier rib members stacked on edges of the thin film transistor panel; X-ray image detection apparatus further comprises.
제4항에 있어서,
상기 격벽부재의 적층 높이는 상기 격자구조체의 적층 높이와 같거나 큰 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
5. The method of claim 4,
The stacking height of the partition member is the X-ray image detection apparatus, characterized in that the same as or greater than the stacking height of the lattice structure.
제4항에 있어서,
상기 격벽부재는 상기 댐부재와 이격되어 이격공간을 형성하고,
상기 이격공간에는 상기 광학결합물질이 충진되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
5. The method of claim 4,
The partition member is spaced apart from the dam member to form a separation space,
And the optical coupling material is filled in the separation space.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 격자구조체는 조사되는 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The grating structure is X-ray image detection apparatus, characterized in that made of a photocurable material that is cured by the irradiated light.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터 패널과 상기 형광체기판을 균일하게 접착 고정시키는 실링부재; 가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
A sealing member which uniformly adhesively fixes the thin film transistor panel and the phosphor substrate; X-ray image detection apparatus further comprises.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학결합물질은 상기 형광층과 밀착되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The optical coupling material is in close contact with the fluorescent layer X-ray image detection apparatus, characterized in that.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 격자구조체는 상기 형광층에 선접촉되는 것을 특징으로 하는 엑스선 영상 검출 장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And the grating structure is in line contact with the fluorescent layer.
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