KR101259158B1 - Crystallizable frit composition for forming electrode - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극 형성용 결정화 프릿 조성물에 관한 것으로서, 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 Bi2O3 70 내지 90중량부와, SiO2 0.5 내지 5중량부, B2O3 10 내지 20중량부 및 Al2O3 0.2 내지 3중량부를 포함하는 유리형성제를 포함하는 비스무스계 유리 조성물; P205, ZrO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 보조제 0.2 내지 10중량부; Li2O, Na2O 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 결정화제 0.2 내지 10중량부; 및 착색제 1 내지 5중량부를 포함하며, 상기 유리형성제(F), 결정화제(A) 및 착색제(C)의 중량비(F+C)/A가 4.2 내지 90이다.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 납 성분을 포함하지 않아 친환경적이고, PbO 대신 Bi2O3를 주성분으로 프릿을 얻기 위한 함량을 제공하며, 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용 가능하다.The present invention relates to a crystallized frit composition for forming an electrode, wherein the crystallized frit composition for forming an electrode is 70 to 90 parts by weight of Bi 2 O 3 , 0.5 to 5 parts by weight of SiO 2 , 10 to 20 parts by weight of B 2 O 3 , and A bismuth-based glass composition comprising a glass former including 0.2 to 3 parts by weight of Al 2 O 3 ; 0.2 to 10 parts by weight of an adjuvant selected from the group consisting of P 2 O 5 , ZrO 2, and mixtures thereof; 0.2 to 10 parts by weight of a crystallizer selected from the group consisting of Li 2 O, Na 2 O, and mixtures thereof; And 1 to 5 parts by weight of a coloring agent, wherein the weight ratio (F + C) / A of the glass forming agent (F), the crystallizing agent (A), and the coloring agent (C) is 4.2 to 90.
The crystallized frit composition for forming an electrode is environmentally friendly because it does not contain a lead component, provides a content for obtaining a frit with Bi 2 O 3 instead of PbO as a main component, and is applicable to a low firing process of 600 ° C. or less.
Description
본 발명은 전극 형성용 결정화 프릿 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 납 성분을 포함하지 않아 친환경적이고, 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용 가능한 전극 형성용 결정화 프릿 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a crystallization frit composition for forming an electrode, and more particularly, to a crystallization frit composition for forming an electrode, which is environmentally friendly because it does not contain a lead component and is applicable to a low firing process of 600 ° C. or lower.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전에 의해 형성된 플라즈마로부터 방사되는 진공자외선(vacuum ultraviolet, VUV)이 형광체층을 여기시킴으로써 발생되는 가시광을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 소자이다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시 장치로 각광받고 있다.In general, a plasma display panel (PDP) is a display device that realizes an image by using visible light generated by vacuum ultraviolet (VUV) radiation emitted from a plasma formed by gas discharge to excite a phosphor layer. The plasma display panel has a high resolution and large screen configuration, and has been spotlighted as a next generation thin display device.
플라즈마 디스플레이 패널의 일반적인 구조는 3 전극 면방전형 구조이다. 3 전극 면방전형 구조는 두 개의 전극으로 구성되는 표시 전극이 형성되는 전면기판과 상기 기판으로부터 소정의 거리로 떨어져서 어드레스 전극이 형성되는 배면 기판을 포함하고, 이때 표시 전극은 유전층으로 덮혀지는 구성을 갖는다. 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이의 공간은 격벽에 의해 다수의 방전셀로 구획되고, 방전셀 내부에는 방전 가스가 주입되고 배면 기판 측으로 형광체 층이 형성된다.The general structure of the plasma display panel is a three-electrode surface discharge type structure. The three-electrode surface discharge structure includes a front substrate on which a display electrode composed of two electrodes is formed, and a back substrate on which an address electrode is formed at a predetermined distance from the substrate, wherein the display electrode is covered with a dielectric layer. . The space between the front substrate and the rear substrate is partitioned into a plurality of discharge cells by partition walls, discharge gas is injected into the discharge cells, and a phosphor layer is formed on the rear substrate side.
도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판(100)의 일 부분을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a part of a
상기 도 1을 참조하면, 현재 상용화되고 있는 플라즈마 디스플레이 패널용 버스 전극(130)은 은(Ag) 전극(132)과 블랙 전극(131)의 2층 구조로 되어 있다. 상기 은 전극(132)은 전기 저항이 낮아, 상기 은 전극(132)과 전기적으로 접촉하고 있는 투명 전극(120)의 도전성을 보완하여 전류가 원활히 흐르도록 한다. 따라서, 상기 은 전극(132)은 낮은 저항, 유리 기판(110) 및 투명 전극(120)과의 접착성, 선폭의 균일도, 내열성, 및 유전체층(140)과의 양호한 부합 특성이 요구된다. Referring to FIG. 1, a plasma display
상기 블랙 전극(131)은 높은 콘트라스트를 얻기 위해 흑색 안료를 첨가하여 제조되고 있으며, 상기 은 전극(132)과의 양호한 부합 특성. 선폭의 균일도, 또는 내열성 등의 특성이 요구된다. The
한편, 기존의 전극 형성용 프릿 조성물은 PbO, SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO 등을 주성분으로 하는 것이 알려져 있으나, 인체에 유해한 납(Pb) 성분이 다량 함유되어 있다. 상기 납은 노후한 전자 제품의 폐기 시에 산과 알카리 용액 등과 화학 반응하여 환경을 오염시키는 문제점이 있다. On the other hand, the conventional frit composition for forming electrodes is known to have PbO, SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 , ZnO and the like as a main component, it contains a large amount of lead (Pb) harmful to the human body. The lead has a problem of contaminating the environment by chemically reacting with acid and alkaline solution when disposing of old electronic products.
또한, 상기 버스 전극은 파우더, 비히클, 및 프릿으로 이루어진 은 전극과 흑색 안료, 비히클, 및 프릿으로 이루어진 블랙 전극의 2층 구조로 되어 있어, 반복적인 제조 공정이 진행되어야 하기 때문에 공정 비용 및 재료의 손실이 발생하고 있다. In addition, the bus electrode has a two-layer structure of a silver electrode made of powder, a vehicle, and a frit and a black electrode made of a black pigment, a vehicle, and a frit. The loss is occurring.
본 발명의 일 구현예는 납 성분을 포함하지 않아 친환경적이고, 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용 가능한 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 제공하는 것이다.One embodiment of the present invention is to provide a crystallized frit composition for forming an electrode that is environmentally-friendly and applicable to a low firing process of less than 600 ℃ do not contain a lead component.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 이용하여 제조된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a plasma display panel including an electrode manufactured using the crystallization frit composition for forming an electrode.
본 발명의 일 구현예에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은, Bi2O3 70 내지 90중량부와, SiO2 0.5 내지 5중량부, B2O3 10 내지 20중량부 및 Al2O3 0.2 내지 3중량부를 포함하는 유리형성제를 포함하는 비스무스계 유리 조성물; P205, ZrO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 보조제 0.2 내지 10중량부; Li2O, Na2O 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 결정화제 0.2 내지 10중량부; 및 착색제 1 내지 5중량부를 포함하며, 상기 유리형성제(F), 결정화제(A) 및 착색제(C)의 중량비(F+C)/A가 4.2 내지 90이다.Crystallization frit composition for forming an electrode according to an embodiment of the present invention, Bi 2 O 3 70 to 90 parts by weight, SiO 2 0.5 to 5 parts by weight, B 2 O 3 10 to 20 parts by weight and Al 2 O 3 0.2 A bismuth-based glass composition comprising a glass forming agent including about 3 parts by weight; 0.2 to 10 parts by weight of an adjuvant selected from the group consisting of P 2 O 5 , ZrO 2, and mixtures thereof; 0.2 to 10 parts by weight of a crystallizer selected from the group consisting of Li 2 O, Na 2 O, and mixtures thereof; And 1 to 5 parts by weight of a coloring agent, wherein the weight ratio (F + C) / A of the glass forming agent (F), the crystallizing agent (A), and the coloring agent (C) is 4.2 to 90.
상기 유리형성제(F), 결정화제(A) 및 착색제(C)의 중량비(F+C)/A가 4.5 내지 80일 수 있다.The weight ratio (F + C) / A of the glass forming agent (F), the crystallizing agent (A) and the coloring agent (C) may be 4.5 to 80.
상기 비스무스계 유리 조성물은 Bi2O3 73 내지 87중량부와, SiO2 0.5 내지 3.5중량부, B2O3 10 내지 18중량부 및 Al2O3 0.2 내지 1.5중량부를 포함하는 유리형성제를 포함할 수 있다.The bismuth-based glass composition includes a glass forming agent comprising 73 to 87 parts by weight of Bi 2 O 3 , 0.5 to 3.5 parts by weight of SiO 2 , 10 to 18 parts by weight of B 2 O 3 , and 0.2 to 1.5 parts by weight of Al 2 O 3 . It may include.
상기 보조제는 P205 0.2 내지 4중량부, ZrO2 0.2 내지 3중량부, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The adjuvant may be selected from the group consisting of P 2 0 5 0.2 to 4 parts by weight, ZrO 2 0.2 to 3 parts by weight, and mixtures thereof.
상기 보조제는 P205 0.2 내지 2.5중량부, ZrO2 0.2 내지 2중량부, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The adjuvant may be selected from the group consisting of P 2 0 5 0.2 to 2.5 parts by weight, ZrO 2 0.2 to 2 parts by weight, and mixtures thereof.
상기 결정화제는 Li2O 0.2 내지 3중량부, Na2O 0.2 내지 5중량부 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The crystallization agent may be selected from the group consisting of 0.2 to 3 parts by weight of Li 2 O, 0.2 to 5 parts by weight of Na 2 O, and a mixture thereof.
상기 결정화제는 상기 Li2O 0.2 내지 1.5중량부, Na2O 0.5 내지 1.5 중량부 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. The crystallization agent may be selected from the group consisting of 0.2 to 1.5 parts by weight of Li 2 O, 0.5 to 1.5 parts by weight of Na 2 O, and mixtures thereof.
상기 착색제는 Cr2O3, MnO2, Fe2O3, CoO, NiO, CuO 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다. The colorant may be selected from the group consisting of Cr 2 O 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , CoO, NiO, CuO and mixtures thereof.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도(Tx)는 485 내지 550℃일 수 있다.The crystallization start temperature (T x ) of the crystallization frit composition for forming an electrode may be 485 to 550 ° C.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 연화온도(Tdsp)는 385 내지 415℃일 수 있다.The softening temperature (T dsp ) of the crystallization frit composition for forming an electrode may be 385 to 415 ° C.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도(Tx)와 연화온도(Tdsp)의 차이(Tx-Tdsp)가 85℃ 이상일 수 있다.The difference (T x -T dsp ) between the crystallization start temperature (T x ) and the softening temperature (T dsp ) of the crystallization frit composition for forming an electrode may be 85 ° C. or more.
본 발명의 다른 일 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 이용하여 제조된 전극을 포함한다.A plasma display panel according to another embodiment of the present invention includes an electrode manufactured using the crystallization frit composition for forming the electrode.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specific details of embodiments of the present invention are included in the following detailed description.
본 발명에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 납 성분을 포함하지 않아 친환경적이고, PbO 대신 Bi2O3를 주성분으로 프릿을 얻기 위한 함량을 제공하며, 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용 가능하다.The crystallized frit composition for forming an electrode according to the present invention is eco-friendly because it does not contain a lead component, provides a content for obtaining a frit with Bi 2 O 3 as a main component instead of PbO, and is applicable to a low firing process of 600 ° C. or less.
도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판의 일 부분을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a part of a front substrate of a conventional plasma display panel.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.
본 발명의 일 구현예에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은, Bi2O3와 유리형성제를 포함하는 비스무스계 유리 조성물, 보조제, 결정화제 및 착색제를 포함하며, 상기 비스무스계 유리 조성물의 유리 형성제, 상기 결정화제, 및 상기 착색제를 최적 함량비로 포함하는 것을 특징으로 한다.Crystallization frit composition for forming an electrode according to an embodiment of the present invention, a bismuth-based glass composition comprising a Bi 2 O 3 and a glass forming agent, an adjuvant, a crystallization agent and a colorant, and glass formation of the bismuth-based glass composition First, the crystallization agent, and characterized in that it comprises the colorant in an optimum content ratio.
이하 각 성분별로 상세히 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.
상기 비스무스계 유리 조성물은 Bi2O3 70 내지 90중량부, 및 유리형성제로서 SiO2 0.5 내지 5중량부, B2O3 10 내지 20중량부 및 Al2O3 0.2 내지 3중량부를 포함한다. 바람직하게는 상기 비스무스계 유리 조성물은 Bi2O3 73 내지 87중량부, 및 유리형성제로서 SiO2 0.5 내지 3.5중량부, B2O3 10 내지 18중량부 및 Al2O3 0.2 내지 1.5중량부를 포함할 수 있다.The bismuth-based glass composition includes 70 to 90 parts by weight of Bi 2 O 3 , and 0.5 to 5 parts by weight of SiO 2 , 10 to 20 parts by weight of B 2 O 3 , and 0.2 to 3 parts by weight of Al 2 O 3 as a glass forming agent. . Preferably the bismuth-based glass composition is 73 to 87 parts by weight of Bi 2 O 3 , 0.5 to 3.5 parts by weight of SiO 2 , 10 to 18 parts by weight of B 2 O 3 and 0.2 to 1.5 parts by weight of Al 2 O 3 as a glass forming agent It may include wealth.
상기 비스무스계 유리 조성물이 각각의 구성 성분을 상기 함량 범위내로 포함함으로써 485 내지 550℃ 사이에서 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화가 발생하고, 투과율이 낮아져 바람직하다. 또한, 상기 비스무스계 유리 조성물은 인체에 유해한 납 성분을 포함하지 않고서도 종래 전극 형성용 유연 프릿 조성물과 동등한 물성 및 품질을 나타낼 수 있다.Since the bismuth-based glass composition includes each component within the above content range, crystallization of the crystallization frit composition for forming an electrode occurs between 485 and 550 ° C, and the transmittance is low, which is preferable. In addition, the bismuth-based glass composition may exhibit properties and quality equivalent to those of the flexible frit composition for forming electrodes without including a lead component harmful to a human body.
상기 보조제는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화를 촉진하는 역할을 하는 것으로, P205, ZrO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.The auxiliary agent serves to promote crystallization of the crystallization frit composition for forming an electrode, and may be selected from the group consisting of P 2 O 5 , ZrO 2, and mixtures thereof.
상기 보조제는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물 중에 0.2 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 구체적으로, 보조제로서 P205를 사용하는 경우, 상기 P205는 0.2 내지 4중량부, 바람직하게는 0.2 내지 2.5중량부로 포함될 수 있으며, 보조제로서 ZrO2를 사용하는 경우, 상기 ZrO2는 0.2 내지 3중량부, 바람직하게는 ZrO2 0.2 내지 2중량부로 포함될 수 있다.The auxiliary agent may be included in an amount of 0.2 to 10 parts by weight in the crystallization frit composition for forming an electrode. Specifically, if an adjuvant using a P 2 0 5, if the P 2 0 5 may be included as part of 0.2 to 4 parts by weight, preferably 0.2 to 2.5 parts by weight, using ZrO 2 as an adjuvant, wherein the ZrO 2 May be included in an amount of 0.2 to 3 parts by weight, preferably 0.2 to 2 parts by weight of ZrO 2 .
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물 중에 포함되는 보조제의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우, 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화가 억제되고, 결정화 시작온도가 485 내지 550℃를 벗어나며, 특히 ZrO2의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우 미 용융물이 발생하여 바람직하지 않다.When the content of the adjuvant included in the crystallization frit composition for forming the electrode is out of the above range, the crystallization of the crystallization frit composition for forming the electrode is suppressed, the crystallization start temperature is out of 485 to 550 ° C, in particular, the content of ZrO 2 is Out of range unmelt occurs and is undesirable.
상기 결정화제는 연화온도(Tdsp) 및 결정화 시작온도를 낮추어 유동성을 증가시키고 결정화를 촉진하는 역할을 하는 것으로, Li2O, Na2O 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.The crystallization agent serves to increase fluidity and promote crystallization by lowering the softening temperature (T dsp ) and the crystallization start temperature, and may be selected from the group consisting of Li 2 O, Na 2 O, and mixtures thereof. .
상기 결정화제는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물 중에 0.2 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 구체적으로, 결정화제로서 Li2O를 사용하는 경우, 상기 Li2O는 0.2 내지 3중량부, 바람직하게는 0.2 내지 1.5중량부로 포함될 수 있으며, 보조제로서 Na2O를 사용하는 경우, 상기 Na2O는 0.2 내지 5중량부, 바람직하게는 Na2O 0.5 내지 1.5중량부로 포함될 수 있다.The crystallization agent may be included in an amount of 0.2 to 10 parts by weight in the crystallization frit composition for forming an electrode. Specifically, when using Li 2 O as the crystallization agent, the Li 2 O may be included in 0.2 to 3 parts by weight, preferably 0.2 to 1.5 parts by weight, when using Na 2 O as an auxiliary agent, the Na 2 O may be included in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, preferably 0.5 to 1.5 parts by weight of Na 2 O.
결정화제의 함량이 상기 범위를 벗어날 경우 결정화 시작온도(Tx)와 연화온도(Tdsp)의 차이(Tx-Tdsp)가 85℃ 미만으로 감소하여 유동성을 저하시킬 우려가 있다.If the content of the crystallization agent is out of the above range, the difference (T x -T dsp ) between the crystallization start temperature (T x ) and the softening temperature (T dsp ) is reduced to less than 85 ° C, which may lower the fluidity.
상기 착색제는 흑색안료 대신하여 흑색도를 증가시킴으로써 흑색안료의 사용량을 감소시키는 동시에 결정화 시작온도(Tx)와 연화온도(Tdsp)의 차이(Tx-Tdsp)를 증가시키는 역할을 한다. 또한, 상기 착색제를 포함하는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 사용하면 은 파우더, 비히클, 및 프릿을 포함하는 은 전극과 흑색 안료, 비히클, 및 프릿을 포함하는 블랙 전극의 2층 구조로 되어 있는 버스 전극의 반복적인 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. 즉, 상기 착색제를 포함하는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 은 전극의 프릿 역할과 블랙 전극의 프릿 역할을 동시에 할 수 있어, 은 전극과 블랙 전극을 일체화시킬 수 있으며, 이에 따른 공정을 단순화시킬 수 있고, 재료비를 절감할 수 있다.The colorant decreases the amount of black pigment used by increasing blackness in place of black pigment and increases the difference (T x -T dsp ) between the crystallization start temperature (T x ) and the softening temperature (T dsp ). In addition, when the crystallization frit composition for forming an electrode including the colorant is used, a bus electrode having a two-layer structure of a silver electrode including silver powder, a vehicle, and a frit, and a black electrode including a black pigment, a vehicle, and a frit Iterative manufacturing process of can be simplified. That is, the crystallization frit composition for forming an electrode including the colorant may simultaneously act as a frit of a silver electrode and a frit of a black electrode, thereby integrating the silver electrode and the black electrode, thereby simplifying the process. The cost of materials can be reduced.
상기 착색제로는 Cr2O3, MnO2, Fe2O3, CoO, NiO, CuO 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다. The colorant may be selected from the group consisting of Cr 2 O 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , CoO, NiO, CuO, and mixtures thereof.
상기 착색제는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물 중에 1 내지 5중량부로 포함될 수 있다. 착색제가 상기 함량 범위로 포함되는 경우 전극 형성용 결정화 프릿 조성물이 블랙 전극 형성용 프릿 조성물에 사용되는 경우 블랙 전극의 콘트라스트를 향상시켜 주고, 흑색 안료의 역할을 일부 대신할 수 있다. The colorant may be included in an amount of 1 to 5 parts by weight in the crystallization frit composition for forming an electrode. When the colorant is included in the content range, when the crystallization frit composition for forming the electrode is used in the frit composition for forming the black electrode, it may improve the contrast of the black electrode and may partially replace the role of the black pigment.
상기 유리형성제, 결정화제 및 착색제는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물 중에 최적화된 함량비로 포함된다. 구체적으로 상기 유리형성제(F), 결정화제(A) 및 착색제(C)의 중량비(F+C)/A는 4.2 내지 90이며, 바람직하게는 4.5 내지 80이다.The glass forming agent, crystallization agent and colorant are included in an optimized content ratio in the crystallization frit composition for forming an electrode. Specifically, the weight ratio (F + C) / A of the glass forming agent (F), crystallization agent (A) and colorant (C) is 4.2 to 90, preferably 4.5 to 80.
상기 유리형성제, 결정화제 및 착색제를 상기와 같은 최적화된 중량비로 포함함으로써 1단계에 비교적 낮은 연화온도 특성으로 낮은 온도 영역에서 소성 완료가 가능하며, 2단계에 높은 결정화 온도 특성으로 1단계 소성이 충분히 완료된 후, 소성 최고 온도 영역에서 결정화가 진행되면서 결정화에 따른 흑색도 증가 효과를 나타낸다. 그 결과 본 발명에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 연화온도와 결정화 시작온도와의 차이가 크므로 소성할 수 있는 충분한 조건이 됨과 동시에 최종 요구되는 결정화를 최고 소성 온도로서 600℃ 이하의 낮은 소정 공정에도 적용이 가능하다.By including the glass former, the crystallization agent and the colorant in the optimized weight ratio as described above, it is possible to complete the firing at a low temperature region with relatively low softening temperature characteristics in the first stage, and to perform the first stage firing with the high crystallization temperature characteristic in the second stage. After sufficient completion, the crystallization proceeds in the highest firing temperature range, and the blackness increases according to the crystallization. As a result, the crystallization frit composition for forming an electrode according to the present invention has a large difference between the softening temperature and the crystallization starting temperature, which is a sufficient condition for firing, and at the same time, a predetermined process having a final required crystallization as a maximum firing temperature of 600 ° C. or lower. It is also applicable to.
구체적으로 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도(Tx)는 485 내지 550℃이고, 연화온도(Tdsp)는 385 내지 415℃이다.Specifically, the crystallization start temperature (T x ) of the crystallization frit composition for forming an electrode is 485 to 550 ° C, and the softening temperature (T dsp ) is 385 to 415 ° C.
또한 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도(Tx)와 연화온도(Tdsp)의 차이(Tx-Tdsp)는 85℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 100 내지 145℃이다. 이와 같이 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도와 연화온도의 차이가 상기 범위 내인 경우 충분한 유동성을 가져, 은 전극이 요구하는 낮은 저항, 및 유리 기판 또는 투명 전극과의 접착성을 충족시킬 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 평판 표시 소자에 있어서의 전극, 특히 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서의 버스 전극 형성에 유용하다.In addition, the difference (T x -T dsp ) between the crystallization start temperature (T x ) and the softening temperature (T dsp ) of the crystallization frit composition for forming an electrode is 85 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 100 to 145 ° C. As such, when the difference between the crystallization start temperature and the softening temperature of the crystallization frit composition for forming an electrode is within the above range, it has sufficient fluidity to satisfy low resistance required by the silver electrode and adhesion to a glass substrate or a transparent electrode. . Accordingly, the crystallization frit composition for forming an electrode according to the present invention is useful for forming an electrode in a flat panel display element, particularly a bus electrode in a plasma display panel.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 이용하여 전극을 제조하는 방법으로는 종래의 어떠한 방법도 사용 가능하며, 특히 인쇄법, 잉크젯법, 감광성 페이스트법, 오프-셋(off-set)법, 또는 TMT(transfer materials technology)법 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 방법을 이용하여 전극을 제조하는 방법은 당해 기술 분야의 평균적 기술자에게 잘 알려진 내용이므로 자세한 언급은 생략한다.As a method for preparing an electrode using the crystallization frit composition for forming an electrode, any conventional method may be used, and in particular, a printing method, an inkjet method, a photosensitive paste method, an off-set method, or a TMT ( transfer materials technology) and the like can be preferably used. Since the method of manufacturing the electrode using the above method is well known to the average person skilled in the art, detailed description thereof will be omitted.
구체적으로, 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 페이스트화하여 전극을 형성하는 경우, 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 전도성 금속 파우더 및 비히클과 혼합하여 전극 형성용 페이스트를 제조할 수 있다. Specifically, in the case of forming an electrode by pasting the crystallization frit composition for forming an electrode, the electrode forming paste may be prepared by mixing the crystallization frit composition for forming an electrode with a conductive metal powder and a vehicle.
상기 전도성 금속 파우더로는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 아연(Zn), 주석(Sn), 은-팔라듐 합금(Ag-Pd), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 바람직하게 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive metal powder may be silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), zinc (Zn), tin (Sn), silver-palladium alloy (Ag-Pd), and those selected from the group consisting of a combination thereof may be preferably used, but is not limited thereto.
상기 비히클로는 용매 및 바인더가 주로 사용된다. 상기 용매로는 에틸 카비톨, 부틸 카비톨, 에틸 카비톨 아세테이트, 부틸 카비톨 아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 에틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 트리프로필렌 글리콜 등을 1종 또는 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the vehicle, a solvent and a binder are mainly used. The solvent is ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, texanol, terpin oil, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol ethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, γ- Butyrolactone, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, tripropylene glycol, etc. can be used 1 type or in mixture of 1 or more types.
상기 바인더로는 셀룰로오즈, 히드록시 메틸 셀룰로오즈, 히드록시 에틸 셀룰로오즈, 카르복시 메틸 셀룰로오즈, 카르복시 에틸 셀룰로오즈, 카르복시 에틸 메틸 셀룰로오드 등의 셀룰로오즈 유도체를 1종 또는 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the binder, one or more kinds of cellulose derivatives such as cellulose, hydroxy methyl cellulose, hydroxy ethyl cellulose, carboxy methyl cellulose, carboxy ethyl cellulose and carboxy ethyl methyl cellulose may be used.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 이용하여 제조된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, a plasma display panel including an electrode manufactured using the crystallization frit composition for forming an electrode is provided.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, preferred embodiments and comparative examples of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention and the present invention is not limited by the following examples.
실시예Example 1 내지 7 및 1 to 7 and 비교예Comparative example 1 내지 4: 전극 형성용 결정화 1 to 4: crystallization for forming electrodes 프릿Frit 조성물의 제조 Preparation of the composition
하기 표 1에 기재된 바와 같은 조성으로 혼합하여 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4의 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 제조하였다.The crystallization frit compositions for forming electrodes of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared by mixing the compositions as shown in Table 1 below.
(SiO2+B2O3+Al2O3)Glass Forming Agent (F)
(SiO 2 + B 2 O 3 + Al 2 O 3 )
(Li2O+Na2O)Crystallization agent (A)
(Li 2 O + Na 2 O)
(Cr2O3+MnO+Fe2O3
+CoO+CuO)Colorant (C)
(Cr 2 O 3 + MnO + Fe 2 O 3
+ CoO + CuO)
(상기 표 1에서 각 구성 성분의 함량 단위는 중량%임)
(The content unit of each component in Table 1 is the weight percent)
실시예Example 8 내지 14 및 8 to 14 and 비교예Comparative example 5 내지 8: 전극 형성용 결정화 5 to 8: crystallization for forming electrodes 프릿Frit 조성물의 제조 Preparation of the composition
하기 표 2에 기재된 바와 같은 조성으로 혼합하여 실시예 8 내지 14 및 비교예 5 내지 8의 전극 형성용 결정화 프릿 조성물을 제조하였다.The crystallization frit compositions for forming electrodes of Examples 8 to 14 and Comparative Examples 5 to 8 were prepared by mixing the compositions as shown in Table 2 below.
(SiO2+B2O3+Al2O3)Glass Forming Agent (F)
(SiO 2 + B 2 O 3 + Al 2 O 3 )
(Li2O+Na2O)Crystallization agent (A)
(Li 2 O + Na 2 O)
(Cr2O3+MnO+Fe2O3
+CoO+CuO)Colorant (C)
(Cr 2 O 3 + MnO + Fe 2 O 3
+ CoO + CuO)
(상기 표 2에서 각 구성 성분의 함량 단위는 중량%임)
(The content unit of each component in Table 2 is weight%)
시험예Test Example 1: 전극 형성용 결정화 1: Crystallization for Electrode Formation 프릿Frit 조성물의 물성 평가 Evaluation of physical properties of the composition
상기 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 8에서 제조한 전극 형성용 결정화 프릿 조성물에 대하여 시차주사열량계(differential scanning calorimetry)를 이용하여 유리 전이 온도(Tg), 결정화 시작온도(Tx) 및 연화온도(Tdsp)를 측정하고, 그 결과를 하기 표 3과 표 4에 나타내었다. The glass transition temperature (T g ), the crystallization start temperature (T x ), and the crystallization frit compositions for electrode formation prepared in Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 8 using differential scanning calorimetry. Softening temperature (T dsp ) was measured, and the results are shown in Tables 3 and 4 below.
(상기 표 3에서 각 온도의 단위는 ℃임)(The unit of each temperature in Table 3 is ℃)
(상기 표 4에서 각 온도의 단위는 ℃임)(The unit of each temperature in Table 4 is ℃)
상기 표 3 및 표 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 연화점(Tdsp)이 385℃ 내지 415℃의 온도범위에서 유동성을 가지기 시작하기 때문에 낮은 소성 공정에 적용 가능함을 알 수 있다.Referring to Tables 3 and 4, the crystallization frit composition for forming an electrode according to an embodiment of the present invention is applied to a low firing process because the softening point (T dsp ) begins to have fluidity in the temperature range of 385 ℃ to 415 ℃ It can be seen that.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 전극 형성용 결정화 프릿 조성물은 485℃ 내지 550℃ 사이에서 결정화가 발생하여, 투과율을 저하시킬 수 있으며, 결정화 시작온도와 연화온도의 차이(Tx-Tdsp)가 85℃ 미만에서는 전도성 금속 파우더를 재배열 및 소성 촉진을 할 수 없으므로 최소 85℃ 이상의 차이 값을 가져야 함을 알 수 있다.In addition, the crystallization frit composition for forming an electrode according to an embodiment of the present invention crystallization occurs between 485 ℃ to 550 ℃, can reduce the transmittance, the difference between the crystallization start temperature and softening temperature (T x -T dsp ) If the less than 85 ℃ can not promote the rearrangement and plasticity of the conductive metal powder it can be seen that the minimum value of 85 ℃ or more.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
100 : 전면 기판 110 : 유리 기판
120 : 투명 전극 130 : 버스 전극
131 : 블랙 전극 132 : 은 전극
140 : 유전체층100: front substrate 110: glass substrate
120: transparent electrode 130: bus electrode
131: black electrode 132: silver electrode
140: dielectric layer
Claims (12)
P205, ZrO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 보조제 0.2 내지 10중량부;
Li2O, Na2O 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 결정화제 0.2 내지 10중량부; 및
착색제 1 내지 5중량부를 포함하며,
상기 유리형성제(F), 결정화제(A) 및 착색제(C)의 중량비(F+C)/A가 4.2 내지 90인 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.Bismuth-based glass composition containing a glass-former containing Bi 2 O 3 70 to 90 parts by weight, SiO 2 0.5 to 5 parts by weight, B 2 O 3 10 to 20 parts by weight and Al 2 O 3 0.2 to 3 parts by weight ;
0.2 to 10 parts by weight of an adjuvant selected from the group consisting of P 2 O 5 , ZrO 2, and mixtures thereof;
0.2 to 10 parts by weight of a crystallizer selected from the group consisting of Li 2 O, Na 2 O, and mixtures thereof; And
1 to 5 parts by weight of a colorant,
The crystallization frit composition for forming an electrode, wherein the weight ratio (F + C) / A of the glass forming agent (F), the crystallizing agent (A), and the coloring agent (C) is 4.2 to 90.
상기 유리형성제(F), 결정화제(A) 및 착색제(C)의 중량비(F+C)/A가 4.5 내지 80인 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The crystallization frit composition for forming an electrode, wherein the weight ratio (F + C) / A of the glass forming agent (F), the crystallizing agent (A), and the coloring agent (C) is 4.5 to 80.
상기 비스무스계 유리 조성물은 Bi2O3 73 내지 87중량부와, SiO2 0.5 내지 3.5중량부, B2O3 10 내지 18중량부 및 Al2O3 0.2 내지 1.5중량부를 포함하는 유리형성제를 포함하는 것인 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The bismuth-based glass composition includes a glass forming agent comprising 73 to 87 parts by weight of Bi 2 O 3 , 0.5 to 3.5 parts by weight of SiO 2 , 10 to 18 parts by weight of B 2 O 3 , and 0.2 to 1.5 parts by weight of Al 2 O 3 . Crystallization frit composition for forming an electrode.
상기 보조제는 P205 0.2 내지 4중량부, ZrO2 0.2 내지 3중량부, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The adjuvant is P 2 0 5 0.2 to 4 parts by weight, ZrO 2 0.2 to 3 parts by weight, and a crystallization frit composition for forming an electrode selected from the group consisting of.
상기 보조제는 P205 0.2 내지 2.5중량부, ZrO2 0.2 내지 2중량부, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The adjuvant is P 2 0 5 0.2 to 2.5 parts by weight, ZrO 2 0.2 to 2 parts by weight, and a crystallization frit composition for forming an electrode selected from the group consisting of.
상기 결정화제는 Li2O 0.2 내지 3중량부, Na2O 0.2 내지 5중량부 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The crystallization agent is a crystallization frit composition for forming electrodes selected from the group consisting of 0.2 to 3 parts by weight of Li 2 O, 0.2 to 5 parts by weight of Na 2 O and mixtures thereof.
상기 결정화제는 상기 Li2O 0.2 내지 1.5중량부, Na2O 0.5 내지 1.5 중량부 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The crystallization agent is a crystallization frit composition for forming an electrode selected from the group consisting of 0.2 to 1.5 parts by weight of Li 2 O, 0.5 to 1.5 parts by weight of Na 2 O and mixtures thereof.
상기 착색제는 Cr2O3, MnO2, Fe2O3, CoO, NiO, CuO 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The colorant is a crystallization frit composition for electrode formation selected from the group consisting of Cr 2 O 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , CoO, NiO, CuO and mixtures thereof.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도(Tx)가 485 내지 550℃인 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
Crystallization frit composition for electrode formation is the crystallization start temperature (T x ) of the crystallization frit composition for electrode formation is 485 ~ 550 ℃.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 연화온도(Tdsp)가 385 내지 415℃인 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The crystallization frit composition for forming an electrode, wherein the softening temperature (T dsp ) of the crystallization frit composition for forming an electrode is 385 to 415 ° C.
상기 전극 형성용 결정화 프릿 조성물의 결정화 시작온도(Tx)와 연화온도(Tdsp)의 차이(Tx-Tdsp)가 85℃ 이상인 전극 형성용 결정화 프릿 조성물.The method of claim 1,
The crystallization frit composition for electrode formation, wherein the difference (T x -T dsp ) between the crystallization start temperature (T x ) and the softening temperature (T dsp ) of the crystallization frit composition for electrode formation is 85 ° C. or more.
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