KR101246566B1 - 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 메인 파워공급기와 보조 파워공급기를 이용하여, 하부 전극의 위치에 따라 RF 파워의 차이가 발생할 경우에 보상 RF 파워를 인가할 수 있도록 구성됨으로써, 하부 전극에 전체적으로 균일한 RF 파워의 인가가 가능하게 되어, 챔버 내에 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있고, 이에 따라 기판이 대면적화되더라도 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.

Description

플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법{Substrate treatment device using plasma and substrate treatment method thereof}

본 발명은 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면을 처리하는 기판처리장치에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼, 평판디스플레이 기판 등의 표면을 처리하는 기판처리장치는 공정 챔버 내부에 적절한 기체를 주입하고, 플라즈마(plasma)를 형성시킨 후, 이온화된 입자들을 기판 표면과 충돌시킴으로써 물리적 혹은 화학적 반응에 의해 물질을 제거하는 방법이다.

이러한 기판처리장치는 RF(Radio Frequency) 전극 구성에 따라 PE(Plasma Etching), RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), ECR(Electron-Cyclotron Resonance), DPS(Decoupled Plasma Source), TCP(Transformer Coupled Plasma), CCP(Capacitive Coupled Plasma), ICP(Induced Coupled Plasma), SWP(Surface Wave Plasma) 등의 여러 가지 방식으로 분류된다.

도 1은 PE타입의 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 것으로서, 상부전극(10)과 하부전극(20)이 구비되고, 상기 상부전극(10)에 RF전원 공급기(30)가 연결되어 있다.

도 2는 RIE타입의 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 것으로서, 하부전극(20)에 RF전원공급기(30)가 연결됨을 알 수 있다.

도 3은 CCP타입의 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 것으로서, 하부전극(20)에 두 개의 RF전원공급기(31,32)가 연결되어 구성된다. 즉, 서로 다른 주파수의 전원을 공급하는 두 개의 전원공급기(31,32)를 구비하고, 이들 각각의 주파수를 정합하여 제3의 혼합된 주파수를 공급하는 정합기가 구비된다.

그러나, 상기한 바와 같은 종래 기판처리장치에서, RIE타입 또는 CCP타입의 기판처리장치의 경우에는 하부 전극에 RF전원공급기(30)(31,32)로부터 RF 파워가 인가되나, 기판의 크기가 대면적화됨에 따라 하부 전극의 크기도 그만큼 커지게 되고, 이에 따라 하부 전극의 가운데(center) 부분과 둘레(edge) 부분 사이에 RF 파워 또는 바이어스 전압의 차이가 발생하여 기판 처리의 균일성(Uniformity)이 떨어지는 문제점이 발생되고 있다.

이상 설명한 배경기술의 내용은 이 건 출원의 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 하부 전극에 보상 RF 파워(또는 바이어스 전압)를 인가하여 전체적으로 균일한 RF 파워(또는 바이어스 전압)가 인가되도록 함으로써 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 목적이 있다.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치는, RF 파워가 인가되는 하부 전극과; 상기 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 메인 파워공급기와; 상기 하부 전극의 복수의 위치에 각각 구비되어 하부 전극에 인가되는 RF파워를 측정하는 복수의 디텍터와; 상기 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 보조 파워공급기와; 상기 복수의 디텍터의 측정 결과를 입력받아 상기 메인 파워공급기와 보조 파워공급기를 제어하는 콘트롤러를 포함한 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 하부 전극은 복수개로 분할되고, 그 사이에는 절연체가 설치되며, 상기 각 분할된 전극에는 상기 디텍터가 각각 설치되고, 상기 메인 파워공급기와 보조 파워공급기가 복수개로 분할된 하부 전극에 RF파워를 각각 인가할 수 있도록 구성될 수 있다.

이때, 상기 하부 전극은 중앙부와 이 중앙부 둘레의 주변부로 분할되어 구성되고, 상기 중앙부에는 상기 메인 파워공급기가 연결되고, 상기 주변부에는 상기 보조 파워공급기가 연결되는 것이 바람직하다.

상기 콘트롤러는 상기 복수의 디텍터를 통해 입력받은 복수 위치의 RF 파워 측정값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에, 상기 보조 파워공급기를 제어하여 하부 전극에, 복수 위치의 RF 파워 차이에 따른 보상 RF 파워를 인가하도록 제어하는 것이 바람직하다.

다음, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리방법은, 메인 파워공급기를 통해 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 동시에 복수의 위치에서 RF파워를 측정하는 제1단계와; 제1단계에서 측정한 복수의 위치의 RF 파워를 비교하여, 그 비교값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에 메인 파워공급기와 이와 별도로 구비된 보조 파워공급기를 제어하여 복수 위치의 RF 파워 차이값 만큼 보상하여 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 제2단계를 포함한 것을 특징으로 한다.

상기 제2단계는 하부 전극의 복수의 위치에서 다른 위치에 비하여 상대적으로 RF 파워가 떨어지는 위치 쪽의 하부 전극 부분에 상기 보조 파워공급기에서 보상 RF 파워를 인가할 수 있다.

상기 제2단계에서, 복수의 위치의 RF 파워 비교값이 기준 차이값 이상일 경우에 경보 수단을 작동시키거나, RF 파워를 인가하는 공정을 중단할 수 있다.

다음, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치는, 바이어스 전압이 인가되는 하부 전극과; 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 메인 전압공급기와; 상기 하부 전극의 복수의 위치에 각각 구비되어 하부 전극에 인가되는 바이어스 전압를 측정하는 복수의 디텍터와; 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 보조 전압공급기와; 상기 복수의 디텍터의 측정 결과를 입력받아 상기 메인 전압공급기와 보조 전압공급기를 제어하는 콘트롤러를 포함한 것을 특징으로 한다.

상기 하부 전극은 복수개로 분할되고, 그 사이에는 절연체가 설치되며, 상기 각 분할된 전극에는 상기 디텍터가 각각 설치되고, 상기 메인 전압공급기와 보조 전압공급기가 복수개로 분할된 하부 전극에 바이어스 전압을 각각 인가할 수 있도록 구성될 수 있다.

이때, 상기 하부 전극은 중앙부와 이 중앙부 둘레의 주변부로 분할되어 구성되고, 상기 중앙부에는 상기 메인 전압공급기가 연결되고, 상기 주변부에는 상기 보조 전압공급기가 연결되는 것이 바람직하다.

상기 콘트롤러는 상기 복수의 디텍터를 통해 입력받은 복수 위치의 바이어스 전압 측정값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에, 상기 보조 전압공급기를 제어하여 하부 전극에, 복수 위치의 바이어스 전압 차이에 따른 보상 바이어스 전압을 인가하도록 제어하는 것이 바람직하다.

다음, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리방법은, 메인 전압공급기를 통해 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 동시에 복수의 위치에서 바이어스 전압을 측정하는 제1단계와; 제1단계에서 측정한 복수의 위치의 바이어스 전압을 비교하여, 그 비교값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에 메인 전압공급기와 이와 별도로 구비된 보조 전압공급기를 제어하여 복수 위치의 바이어스 전압 차이값만큼 보상하여 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 제2단계를 포함한 것을 특징으로 한다.

상기 제2단계는 하부 전극의 복수의 위치에서, 다른 위치에 비하여 상대적으로 바이어스 전압이 떨어지는 위치 쪽의 하부 전극 부분에 상기 보조 전압공급기에서 보상 바이어스 전압을 인가하는 것이 바람직하다.

상기한 바와 같은 본 발명의 주요한 과제 해결 수단들은, 아래에서 설명될 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용', 또는 첨부된 '도면' 등의 예시를 통해 보다 구체적이고 명확하게 설명될 것이며, 이때 상기한 바와 같은 주요한 과제 해결 수단 외에도, 본 발명에 따른 다양한 과제 해결 수단들이 추가로 제시되어 설명될 것이다.

본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 메인 파워공급기와 보조 파워공급기를 이용하여, 하부 전극의 위치에 따라 RF 파워의 차이가 발생할 경우에 보상 RF 파워를 인가할 수 있도록 구성되기 때문에 전체적으로 균일한 RF 파워의 인가가 가능하게 되어, 챔버 내에 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있고, 이에 따라 기판이 대면적화되더라도 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한 본 발명은, 보상 RF 파워를 인가하는 방식과 동일한 방식으로 바이어스 전압을 인가할 때도 복수의 바이어스 전압공급기를 이용하여 하부 전극의 위치에 따라 바이어스 전압의 차이가 발생할 경우, 바이어스 전압을 보상해주도록 구성되기 때문에 기판 표면의 물리 화학적 처리를 보다 균일하게 진행할 수 있게 되고, 이에 따라 기판 처리 성능을 높일 수 있는 효과가 있다.

도 1 내지 도 3은 공지되어 있는 여러 타입의 기판처리장치를 보여주는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치가 도시된 구성도이다.
도 5는 도 4에 도시된 부분 중 하부 전극 부분을 중심으로 한 상세 구성도이다.
도 6은 본 발명에 따른 하부 전극 구성의 일 실시예를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 하부 전극 구성의 다른 실시예를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예에 따른 기판처리장치가 도시된 구성도이다.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하면 다음과 같다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치가 도시된 개략적인 구성도이고, 도 5는 도 4에 도시된 하부 전극 및 RF 파워 공급기 등의 주요부 상세도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 플라즈마를 생성시켜 기판(S)을 처리하는 공간을 제공하는 챔버(50)와, 이 챔버(50)의 내부 상측 및 하측에 각각 구비된 상부 전극(55) 및 하부 전극(60)을 포함한다.

여기서 상부 전극(55)은 RF 파워가 인가되지 않은 접지 전극으로 구성될 수 있다.

그리고 하부 전극(60)은, 상부 전극(55)과의 사이에서 플라즈마를 생성시킬 수 있도록 RF 파워를 인가하는 전극으로서, 그 상부에 기판(S)이 탑재될 수 있도록 구성된다.

하부 전극(60)은 일반적으로 기판 탑재대(56)에 설치되어 구성되며, 기판 탑재대(56)에는 기판(S)을 잡아주는 정전척(57), 정전척 및 전극을 냉각하는 냉각 플레이트(58) 등도 함께 구성될 수 있다. 본 실시예의 도면에서는 냉각 플레이트에 하부 전극이 구비된 구성을 예시하고 있다.

하부 전극(60)은 RF 파워를 인가하는 메인 파워공급기(70)와 연결된다. 물론, 하부 전극(60)과 메인 파워공급기(70) 사이에는 매칭박스(72)가 설치된다.

또한, 하부 전극(60)에는 보상 RF 파워를 인가할 수 있도록 보조 파워공급기(75)와도 연결된다. 이때에도 하부 전극(60)과 보조 파워공급기(75) 사이에는 매칭박스(77)가 구비된다.

여기서, 메인 파워공급기(70) 쪽은 하부 전극(60)의 가운데 부분(이하 '중앙부'라고도 함)으로 연결되어 RF 파워를 인가할 수 있도록 구성되고, 보조 파워공급기(75)는 하부 전극(60)의 주변 부분(이하 '주변부'라고도 함)에 연결되어 RF 파워를 인가할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.

하부 전극(60)에는 복수의 위치에 각각 구비되어 하부 전극(60)에 인가되는 RF파워를 측정하는 복수의 디텍터(81, 82)가 구비된다.

즉, 도면에 예시된 바와 같이 하부 전극(60)의 가운데 부분, 그리고 주변 부분에 각각 디텍터(81)(82)가 설치되어 하부 전극(60)에 인가되는 RF파워를 측정할 수 있도록 구성된다. 이때 디텍터(81)(82)의 개수는 하부 전극(60)의 전체 크기 등을 고려하여 2개 이상의 적절한 개수로 설치하여 구성할 수 있다. 바람직하게는 디텍터는 하부 전극(60)의 가운데 부분에 1개, 가운데 부분을 중심으로 주변부에 2~4개 정도 설치하여 구성할 수 있다. 도면에서는 하부 전극(60)의 중앙부에 설치된 제1디텍터(81)와 하부 전극(60)의 주변부에 설치된 제2디텍터(82)로 2개가 설치된 구성을 보여준다.

상기 복수의 디텍터(81, 82)는 측정 결과를 콘트롤러(90)에 입력할 수 있도록 구성된다. 이때 콘트롤러(90)는 도면에 예시된 바와 같이 디텍터(81, 82)로부터 측정 신호를 입력받는 데이터 콘트롤러(91)와, 이 데이터 콘트롤러(91)에 입력된 정보를 바탕으로 제어신호를 출력하는 메인 콘트롤러(93)로 구성될 수 있다.

콘트롤러(90)는 상기 복수의 디텍터(81, 82)의 측정 결과를 입력받아 상기 메인 파워공급기(70)와 보조 파워공급기(75)를 제어하도록 구성된다.

즉, 콘트롤러(90)는 상기 복수의 디텍터(81, 82)를 통해 입력받은 복수 위치의 RF 파워 측정값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에, 상기 보조 파워공급기(75)를 통해 하부 전극(60)에 복수 위치의 RF 파워 차이에 따른 보상 RF 파워를 인가하도록 제어하게 구성된다. 이는 통상적으로 메인 파워공급기(70)를 통해 하부 전극(60)에 RF 파워를 인가할 때, 하부 전극(60)의 중앙부는 상대적으로 RF 파워가 높게 형성되고, 주변부는 상대적으로 RF 파워가 낮게 형성되므로, 상대적으로 RF 파워가 낮게 형성되는 주변부 쪽에 보조 파워공급기(75)를 통해 RF 파워를 추가적으로 인가할 수 있도록 구성되는 것이다.

이와 같은 과정을 통해 하부 전극(60)에 전체적으로 균일한 RF 파워가 인가되면서 챔버 내에 보다 균일한 플라즈마를 생성시키게 되므로, 대형화되는 기판의 표면 처리시에도 식각 등의 표면처리 성능이 떨어지지 않고 우수한 처리 성능을 유지할 수 있게 된다.

한편, 하부 전극(60)은 도면에 예시된 바와 같이 복수개로 분할되어 구성될 수 있다. 이때 분할된 전극 사이에는 절연체(65)가 설치되는 것이 바람직하다.

절연체(65)는 분할된 하부 전극과 하부 전극 사이를 전기적으로 절연할 수 있도록 설치되고, 고온에 견딜 수 있는 재질로 이루어진다. 예를 들면 세라믹 재질 등으로 형성될 수 있다.

이와 같이 하부 전극(60)이 분할될 경우에 각 분할된 전극마다 상기 디텍터(81, 82)가 각각 설치되는 것이 바람직하다.

또한, 메인 파워공급기(70)와 보조 파워공급기(75)가 복수개로 분할된 하부 전극(60)에 RF파워를 각각 인가할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.

예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이 하부 전극(60)이 센터를 중심으로 일정 영역인 중앙부(61)와, 이 중앙부(61) 둘레의 주변부(62)로 분할되어 구성될 수 있다.

이때, 중앙부(61)와 주변부(62)는 절연체(65)를 통해 전기적으로 분리되며, 디텍터(81)(82)는 중앙부(61)와 주변부(62)에 적어도 각각 하나씩 설치되어 구성된다.

그리고 중앙부(61)에는 상기 메인 파워공급기(70)가 연결되고, 주변부(62)에는 상기 보조 파워공급기(75)가 연결되게 구성된다.

도 7은 주변부(62)가 추가로 더 분할된 구성을 보여주고 있다. 이때 더 분할된 주변부(62) 각각에 디텍터들이 설치될 수 있으며, 보조 파워공급기(75)도 분할된 주변부(62)의 하부 전극(60)에 각각 연결되게 복수개로 구성될 수 있다.

이제, 상기한 본 발명에 따른 기판처리장치를 이용한 기판처리방법을 설명한다.

먼저, 메인 파워공급기(70)를 통해 하부 전극(60)에 RF파워를 인가하는 동시에 복수의 디텍터(81,82)를 통해 하부 전극(60)의 복수의 위치에서 RF파워 인가 상태를 측정한다.

다음, 상기 콘트롤러(90)에서 복수의 디텍터(81,82)를 통해 측정한 하부 전극의 복수의 위치의 RF 파워 인가 상태를 비교하여, 그 비교값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에 상기 보조 파워공급기(75)를 작동하여 복수 위치의 RF 파워 차이값만큼 보상하여 하부 전극(60)에 RF 파워를 인가한다.

일례로, 하부 전극(60)에서 메인 파워공급기(70)를 통해 RF 파워가 인가되는 중앙부(61)에 비해 상대적으로 RF 파워가 떨어지는 하부 전극의 주변부(62)에 상기 보조 파워공급기(75)에서 보상 RF 파워를 인가함으로써 하부 전극(60)의 중앙부(61)와 주변부(62)에 RF 파워가 균일하게 인가될 수 있도록 제어하는 것이다.

만약, 하부 전극(60)의 복수의 위치의 RF 파워 비교값이 기준 차이값 이상일 경우에는 상기 보조 파워공급기(75)에서 보상 RF 파워를 인가하지 않고, 장비의 경보 수단을 작동시키거나, 메인 파워공급기(70) 및 보조 파워공급기(75)의 작동을 중지시켜 RF 파워를 인가하는 공정을 중단하는 것도 가능하다.

한편, 상기에서는, 하부 전극(60)에 RF 파워를 인가하는 구성을 중심으로 설명하였으나, 하부 전극(60) 측에 바이어스 전압을 인가하는 구성도 RF 파워를 인가하는 구성과 동일하게 구성하여 적용할 수 있다.

이때에는 메인 파워공급기(70), 보조 파워공급기(75), 매칭박스(72)(77) 등의 구성이 메인 바이어스전압 공급기(70'), 보조 바이어스전압 공급기(75'), 바이어스 전압조절기 등으로 달리하여 구성되고, 디텍터(81,82) 설치 구조, 하부 전극(60)의 분할 구조, 절연체(65) 설치 구조, 콘트롤러(90')의 제어 구조 등은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예와 동일 또는 유사하게 구성할 수 있으므로, 반복 설명은 생략한다.

상기의 여러 실시예에서는 하부 전극에 RF파워 인가하는 시스템과 바이어스 전압을 인가하는 시스템을 별도로 나누어서 설명하였으나, 두 시스템을 하나의 기판처리장치에 함께 구비하여 구성하는 것도 가능하다.

상기한 바와 같은, 본 발명의 실시예들에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (13)

1. RF 파워가 인가되는 하부 전극과;
   상기 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 메인 파워공급기와;
   상기 하부 전극의 복수의 위치에 각각 구비되어 하부 전극에 인가되는 RF파워를 측정하는 복수의 디텍터와;
   상기 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 보조 파워공급기와;
   상기 복수의 디텍터의 측정 결과를 입력받아, 상기 하부 전극의 복수의 위치에서의 RF 파워 측정값이 일정 이상 차이가 발생한 경우, 상기 하부 전극의 복수의 위치에 RF 파워 차이에 따른 보상 RF 파워를 인가하도록 상기 보조 파워공급기를 제어하는 콘트롤러를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
   
2. 청구항1에 있어서,
   상기 하부 전극은 복수개로 분할되고, 그 사이에는 절연체가 설치되며,
   상기 각 분할된 전극에는 상기 디텍터가 각각 설치되고,
   상기 메인 파워공급기와 보조 파워공급기가 복수개로 분할된 하부 전극에 RF파워를 각각 인가할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
   
3. 청구항2에 있어서,
   상기 하부 전극은 중앙부와 이 중앙부 둘레의 주변부로 분할되어 구성되고,
   상기 중앙부에는 상기 메인 파워공급기가 연결되고, 상기 주변부에는 상기 보조 파워공급기가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
   
4. 삭제
5. 메인 파워공급기를 통해 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 동시에 복수의 위치에서 RF파워를 측정하는 제1단계와;
   제1단계에서 측정한 복수의 위치의 RF 파워를 비교하여, 그 비교값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에 메인 파워공급기와 이와 별도로 구비된 보조 파워공급기를 제어하여 복수 위치의 RF 파워 차이값만큼 보상하여 하부 전극에 RF 파워를 인가하는 제2단계를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리방법.
   
6. 청구항5에 있어서,
   상기 제2단계는 하부 전극의 복수의 위치에서 다른 위치에 비하여 상대적으로 RF 파워가 떨어지는 위치 쪽의 하부 전극 부분에 상기 보조 파워공급기에서 보상 RF 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리방법.
   
7. 청구항5 또는 청구항6에 있어서,
   상기 제2단계에서, 복수의 위치의 RF 파워 비교값이 기준 차이값 이상일 경우에 경보 수단을 작동시키거나, RF 파워를 인가하는 공정을 중단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리방법.
   
8. 바이어스 전압이 인가되는 하부 전극과;
   상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 메인 전압공급기와;
   상기 하부 전극의 복수의 위치에 각각 구비되어 하부 전극에 인가되는 바이어스 전압를 측정하는 복수의 디텍터와;
   상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 보조 전압공급기와;
   상기 복수의 디텍터의 측정 결과를 입력받아, 상기 하부 전극의 복수의 위치에서의 바이어스 전압 측정값이 일정 이상 차이가 발생한 경우, 상기 하부 전극의 복수의 위치에 바이어스 전압 차이에 따른 보상 바이어스 전압을 인가하도록 상기 보조 전압공급기를 제어하는 콘트롤러를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
   
9. 청구항8에 있어서,
   상기 하부 전극은 복수개로 분할되고, 그 사이에는 절연체가 설치되며,
   상기 각 분할된 전극에는 상기 디텍터가 각각 설치되고,
   상기 메인 전압공급기와 보조 전압공급기가 복수개로 분할된 하부 전극에 바이어스 전압을 각각 인가할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
   
10. 청구항9에 있어서,
    상기 하부 전극은 중앙부와 이 중앙부 둘레의 주변부로 분할되어 구성되고,
    상기 중앙부에는 상기 메인 전압공급기가 연결되고, 상기 주변부에는 상기 보조 전압공급기가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
    
11. 삭제
12. 메인 전압공급기를 통해 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 동시에 복수의 위치에서 바이어스 전압을 측정하는 제1단계와;
    제1단계에서 측정한 복수의 위치의 바이어스 전압을 비교하여, 그 비교값이 일정 이상 차이가 발생할 경우에 메인 전압공급기와 이와 별도로 구비된 보조 전압공급기를 제어하여 복수 위치의 바이어스 전압 차이값만큼 보상하여 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하는 제2단계를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리방법.
    
13. 청구항12에 있어서,
    상기 제2단계는 하부 전극의 복수의 위치에서, 다른 위치에 비하여 상대적으로 바이어스 전압이 떨어지는 위치 쪽의 하부 전극 부분에 상기 보조 전압공급기에서 보상 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리방법.

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