KR101240788B1 - Condenser element and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

소결에 의해 성형되는 칩체와, 상기 칩체의 외부면에 적층되는 카본층과, 도전성이 향상되도록 상기 카본층의 외측에 적층되는 은페이스트층 및 상기 카본층의 외측에 적층되어 상기 은페이스트층이 미적층된 부분에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 감소시키는 금속층을 포함하며, 상기 금속층은 상기 은페이스트층 상에 적층되는 콘덴서 소자가 개시된다.A chip body formed by sintering, a carbon layer laminated on an outer surface of the chip body, a silver paste layer laminated on the outer side of the carbon layer so as to improve conductivity, and a carbon paste laminated on the outer side of the carbon layer so that the silver paste layer is aesthetic. Disclosed is a capacitor device comprising a metal layer for reducing a decrease in electrical resistance characteristics caused by a layered portion, wherein the metal layer is laminated on the silver paste layer.

Description

콘덴서 소자 및 그 제조방법{Condenser element and method for manufacturing the same}Condenser element and method for manufacturing the same

본 발명은 콘덴서 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소결에 의해 성형되는 칩체를 구비하는 콘덴서 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitor element and a method for manufacturing the same, and relates to a capacitor element including a chip body molded by sintering and a method for manufacturing the same.

일반적으로 고체 전해 콘덴서는 전기를 축적하는 기능 이외에 직류 전류를 차단하고 교류 전류를 통과시키려는 목적으로 사용되는 전자부품 중의 하나로서, 이러한 고체 전해 콘덴서 중 대표적으로 탄탈륨 콘덴서가 제작되고 있다.In general, a solid electrolytic capacitor is one of electronic components used for the purpose of blocking a direct current and passing an alternating current in addition to a function of accumulating electricity. Among these solid electrolytic capacitors, a tantalum capacitor is typically manufactured.

탄탈륨 콘덴서는 일반 산업기기용은 물론 정격전압 사용 범위가 낮은 응용회로에 사용되며, 특히 주파수 특성이 문제되는 회로나 휴대 통신기기의 노이즈 감소를 위하여 많이 사용된다.Tantalum capacitors are used not only for general industrial equipment but also for application circuits with low rated voltage range, especially for noise reduction in circuits or mobile communication devices where frequency characteristics are a problem.

한편, 고체 전해 콘덴서에는 콘덴서 소자가 구비되며, 콘덴서 소자는 양극 와이어가 삽입 장착된 칩체에 절연층과 음극층을 형성한 후, 외부표면에 카본층과 은페이스트층을 적층하여 제조된다.On the other hand, the solid electrolytic capacitor is provided with a capacitor element, and the capacitor element is formed by forming an insulating layer and a cathode layer on a chip body in which an anode wire is inserted, and then laminating a carbon layer and a silver paste layer on the outer surface.

그리고, 은페이스트층은 은 입자가 열가소성 수지 또는 열경화성 수지에 혼합되어 소량의 용제에 분산되어 있는 은페이스트를 이용하여 적층된다. 또한, 은페이스트층은 일반적으로 침지 도장(dip coating) 방식을 많이 사용하며, 칩체의 침지 후 소자에 남은 과량의 은 페이스트를 제거하기 위하여 블로팅(blotting) 고정을 추가하기도 한다.The silver paste layer is laminated using silver paste in which silver particles are mixed with a thermoplastic resin or a thermosetting resin and dispersed in a small amount of solvent. In addition, the silver paste layer generally uses a dip coating method and adds blotting fixing to remove excess silver paste left in the device after immersion of the chip body.

한편, 최근 제품의 크기가 점점 작아지고 있으며, 낮은 전기저항특성을 요구하는 제품들이 제조되고 있으며, 이에 따라 점점 은페이스트층의 적층 두께가 얇아지고 있다.On the other hand, in recent years, the size of the product is getting smaller, and products requiring low electrical resistance characteristics have been manufactured, and accordingly, the lamination thickness of the silver paste layer is getting thinner.

그런데, 상기한 바와 같이 은페이스트의 도포에 의해 적층되기 때문에 칩체의 모서리부분에는 은페이스트층이 도포되지 않아 전기저항특성이 저하되는 나빠지는 문제가 있다.However, as described above, since the silver paste layer is not applied to the edge portion of the chip body because it is laminated by application of the silver paste, there is a problem in that the electrical resistance characteristic is degraded.

본 발명은 은페이스트층의 미적층에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 억제할 수 있는 콘덴서 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a condenser element and a method for manufacturing the same, which can suppress a decrease in electrical resistance characteristics caused by unlamination of a silver paste layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자는 소결에 의해 성형되는 칩체와, 상기 칩체의 외부면에 적층되는 카본층과, 도전성이 향상되도록 상기 카본층의 외측에 적층되는 은페이스트층 및 상기 카본층의 외측에 적층되어 상기 은페이스트층이 미적층된 부분에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 감소시키는 금속층을 포함하며, 상기 금속층은 상기 은페이스트층 상에 적층될 수 있다.The condenser element according to the embodiment of the present invention includes a chip body formed by sintering, a carbon layer laminated on an outer surface of the chip body, a silver paste layer and the carbon layer laminated outside the carbon layer to improve conductivity. The metal layer may be stacked on the outside of the metal layer to reduce a decrease in electrical resistance characteristics caused by the unlaminated portion of the silver paste layer, and the metal layer may be stacked on the silver paste layer.

상기 금속층은 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나의 방식에 의해 적층될 수 있다.The metal layer may be deposited by any one of electroless plating, vapor deposition or electroplating.

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상기 금속층은 상기 카본층 상에 적층되는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 상에 적층되는 상기 은페이스트층 상에 적층되는 제2 금속층을 구비할 수 있다.The metal layer may include a first metal layer stacked on the carbon layer and a second metal layer stacked on the silver paste layer stacked on the first metal layer.

상기 금속층은 상기 은페이스트층이 다른 영역보다 얇게 적층되는 상기 칩체의 모서리와 인접한 영역에만 적층되거나 다른 영역보다 두껍게 적층될 수 있다.The metal layer may be stacked only in an area adjacent to an edge of the chip body in which the silver paste layer is thinner than other areas or thicker than other areas.

본 발명에 따른 콘덴서 소자의 제조방법은 소결에 의해 칩체를 성형하는 공정과, 상기 칩체의 외부면에 카본층을 적층하는 공정, 및 상기 카본층의 외측에 은페이스트층과 상기 은페이스트층의 미적층에 의한 전기저항특성 저하를 감소시키도록 금속층을 적층하는 공정을 포함하며, 상기 은페이스트층이 다른 영역보다 얇게 적층되는 상기 칩체의 모서리와 인접한 영역에만 적층되거나 다른 영역보다 두껍게 적층될 수 있다.A method of manufacturing a capacitor device according to the present invention includes a step of forming a chip body by sintering, a step of laminating a carbon layer on an outer surface of the chip body, and an aesthetic of a silver paste layer and the silver paste layer on an outer side of the carbon layer. Laminating a metal layer to reduce the electrical resistance characteristics due to the layer, wherein the silver paste layer may be laminated only in an area adjacent to the edge of the chip body is thinner than other areas, or thicker than other areas.

본 발명에 따르면, 금속층을 통해 은페이스트층의 미적층 영역에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 억제할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect capable of suppressing a decrease in the electrical resistance characteristic caused by the unlaminated region of the silver paste layer through the metal layer.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 설명도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a capacitor device according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing a capacitor device according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing a capacitor device according to still another embodiment of the present invention.
4 to 6 are process explanatory diagrams for explaining a method of manufacturing a capacitor device according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안한 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept. Other embodiments which fall within the scope of the inventive concept may be easily suggested, but are also included within the scope of the present invention.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a capacitor device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자(100)는 칩체(110), 양극와이어(120), 카본층(130), 은페이스트층(140) 및 금속층(150)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a capacitor device 100 according to an embodiment of the present invention includes a chip body 110, an anode wire 120, a carbon layer 130, a silver paste layer 140, and a metal layer 150. It can be configured.

칩체(110)는 소결에 의해 성형된다. 즉, 칩체(110)는 탄탈, 또는 니비오(Nb) 산화물과 같은 재질을 이용하여 소결 제작될 수 있다. 탄탈 재질을 이용하여 칩체(110)를 제작하는 경우에 대해서 예를 들어 살펴보면, 탄탈 파우더와 바인더를 일정비율로 혼합 교반시키고, 혼합 파우더를 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작된다.The chip body 110 is molded by sintering. That is, the chip body 110 may be manufactured by sintering using a material such as tantalum or niobium (Nb) oxide. For example, when the chip body 110 is manufactured using a tantalum material, the tantalum powder and the binder are mixed and stirred at a predetermined ratio, the mixed powder is compressed and molded into a rectangular parallelepiped, and then sintered under high temperature and high vibration. Is produced.

그리고, 양극와이어(120)는 혼합 파우더를 압축하기 전, 중심으로부터 편심되도록 삽입 장착된다.The anode wire 120 is inserted and mounted so as to be eccentric from the center before compressing the mixed powder.

또한, 칩체(110)에는 절연층(미도시)과 음극층(미도시)이 형성될 수 있으며, 절연층은 칩체(110)의 외부면에 형성되고 음극층은 절연층 상에 형성될 수 있다.In addition, an insulating layer (not shown) and a cathode layer (not shown) may be formed on the chip body 110, and the insulating layer may be formed on an outer surface of the chip body 110 and the cathode layer may be formed on the insulating layer. .

즉, 절연층은 전기화학 반응을 이용한 화성공정에 의해서 칩체(110)의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 성장시켜 형성할 수 있다. 이때 절연층은 칩체(110)를 유전체로 변화시키게 된다.That is, the insulating layer may be formed by growing an oxide film Ta 2 O 5 on the surface of the chip body 110 by a chemical conversion process using an electrochemical reaction. In this case, the insulating layer changes the chip body 110 into a dielectric material.

그리고, 음극층은 절연층 상에 적층되며 이산화망간(MnO2)으로 이루어질 수 있다. 즉, 질산-망간 용액에 절연층으로 포밍된 칩체(110)를 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층인 음극층이 형성될 수 있다.The cathode layer is stacked on the insulating layer and may be made of manganese dioxide (MnO 2 ). That is, a negative electrode layer, which is a manganese dioxide (MnO 2 ) layer having a negative electrode, may be formed by impregnating a chip body 110 formed of an insulating layer into a nitric acid-manganese solution to apply a nitric acid-manganese solution to an outer surface thereof and then firing the same. have.

카본층(130)은 음극층 상에 적층되며, 카본 분말을 에폭시계의 수지를 포함하는 유기 용매에 용해하여, 카본 분말이 용해된 용액에 칩체(110)를 함침한 후 유기 용매를 휘발시키기 위해 소정 온도로 건조함으로써 적층된다.The carbon layer 130 is laminated on the negative electrode layer, and dissolves the carbon powder in an organic solvent containing an epoxy resin, to impregnate the chip body 110 in a solution in which the carbon powder is dissolved, and then volatilize the organic solvent. It laminates by drying to predetermined temperature.

또한, 카본층(130)은 은 이온이 통과되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.In addition, the carbon layer 130 serves to prevent the silver ions from passing through.

한편, 은페이스트층(140)은 도전성이 향상되도록 카본층(130)의 외측에 적층될 수 있다. 그리고, 은 페이스트층(140)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결이 용이하게 한다.Meanwhile, the silver paste layer 140 may be stacked outside the carbon layer 130 to improve conductivity. In addition, the silver paste layer 140 facilitates electrical connection for polarity transfer by improving conductivity of the polarity of the negative electrode layer.

그리고, 은페이스트층(140)도 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층된다. 따라서, 은페이스트층(140)은 칩체(110)의 중앙부분과 비교하여 모서리측이 얇은 두께를 가지도록 적층된다.The silver paste layer 140 is also laminated by dip coating. Therefore, the silver paste layer 140 is stacked such that the edge side has a thin thickness as compared with the central portion of the chip body 110.

금속층(150)은 카본층(130)의 외측에 적층되어 은페이스트층(140)이 미적층된 부분에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 감소시킨다. 즉, 금속층(150)은 카본층(130)과 은페이스트층(140) 사이에 개재되도록 적층될 수 있다.The metal layer 150 is laminated on the outer side of the carbon layer 130 to reduce the degradation of the electrical resistance characteristics caused by the unpasted portion of the silver paste layer 140. That is, the metal layer 150 may be stacked to be interposed between the carbon layer 130 and the silver paste layer 140.

한편, 도 1에는 금속층(150)이 카본층(130) 외측 전영역에 적층되는 경우를 예를 들어 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 금속층(150)은 은페이스트층(140)이 다른 영역보다 얇게 적층되는 칩체(110)의 모서리와 인접한 영역에만 적층될 수 있다. 이에 따라, 은페이스트층(140)의 적층 후 콘덴서 소자(100)의 평탄도가 향상될 수 있다.Meanwhile, FIG. 1 illustrates a case in which the metal layer 150 is stacked on the entire outer region of the carbon layer 130, for example. However, the present invention is not limited thereto, and the metal layer 150 has a silver paste layer 140 thinner than other regions. It may be stacked only in an area adjacent to an edge of the stacked chip body 110. Accordingly, the flatness of the condenser element 100 may be improved after the silver paste layer 140 is stacked.

결국, 콘덴서 소자(100)의 표면이 평탄하여 복수개의 콘덴서 소자(100)를 적층하는 경우에도 콘덴서 소자(100)가 기울어지는 것을 감소시킬 수 있다.As a result, even when the surface of the condenser element 100 is flat and the plurality of condenser elements 100 are stacked, the inclination of the condenser element 100 can be reduced.

또한, 금속층(150)에 의해 제조 중 은페이스트층(140)이 칩체(110)의 모서리 측에 적층되지 않더라도 전기저항특성이 높아지는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 금속층(150)에 의해 은페이스트층(140)의 미적층에 의한 전기저항특성의 저하를 감소시킬 수 있다.In addition, even if the silver paste layer 140 is not laminated on the edge side of the chip body 110 during manufacture by the metal layer 150, a phenomenon in which the electrical resistance characteristic is increased may be prevented. In other words, the metal layer 150 can reduce the decrease in the electrical resistance characteristics caused by the unlamination of the silver paste layer 140.

한편, 금속층(150)은 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나의 방식으로 적층될 수 있다. 즉 은페이스트층(140)이 다른 영역보다 얇게 적층되는 칩체(110)의 모서리와 인접한 영역에만 국부적으로 금속층(150)을 적층할 수 있으며, 적층되는 금속층(150)의 두께도 제어할 수 있도록 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나의 방식으로 적층될 수 있다.On the other hand, the metal layer 150 may be laminated by any one method of electroless plating, deposition or electroplating. That is, the metal paste 150 may be locally deposited only in an area adjacent to the edge of the chip body 110 in which the silver paste layer 140 is thinner than other areas, and the radio layer 140 may also control the thickness of the metal layer 150. It may be laminated by any of the plating, deposition or electroplating methods.

상기한 바와 같이, 금속층(150)을 통해 은페이스트층(140)이 칩체(110)의 모서리측에 도포되지 않더라도 은페이스트층(140)의 미적층에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 억제할 수 있다.As described above, even if the silver paste layer 140 is not applied to the edge side of the chip body 110 through the metal layer 150, it is possible to suppress the deterioration of the electrical resistance characteristic caused by the non-lamination of the silver paste layer 140. Can be.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자에 대하여 설명하기로 한다. 한편, 상기한 실시예에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 상기한 설명에 갈음하고 자세한 설명을 생략하기로 한다. 즉, 이하에서는 상기한 실시예에서와 차이가 있는 부분에 대해서만 설명하기로 한다.Hereinafter, a capacitor device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. On the other hand, for the same configuration as the configuration described in the above embodiment will be replaced with the above description and detailed description will be omitted. That is, hereinafter, only portions that differ from the above embodiment will be described.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자를 나타내는 개략 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing a capacitor device according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자(200)는 칩체(210), 양극 와이어(220), 카본층(230), 은페이스트층(240) 및 금속층(250)을 포함하여 구성될 수 있다.2, the capacitor 200 according to another embodiment of the present invention includes a chip body 210, an anode wire 220, a carbon layer 230, a silver paste layer 240, and a metal layer 250. It can be configured.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자(200)의 칩체(210), 양극 와이어(220), 카본층(230), 은페이스트층(240) 및 금속층(250)은 상기한 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자(100)의 칩체(110), 양극 와이어(120), 카본층(130), 은페이스트층(140) 및 금속층(150)과 동일한 구성요소로서 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.Meanwhile, the chip body 210, the anode wire 220, the carbon layer 230, the silver paste layer 240, and the metal layer 250 of the condenser element 200 according to another embodiment of the present invention are described above. The same elements as the chip body 110, the anode wire 120, the carbon layer 130, the silver paste layer 140, and the metal layer 150 of the condenser element 100 according to an exemplary embodiment will be omitted. Shall be.

다만, 금속층(250)은 은페이스트층(240) 상에 적층되는 것이 상기한 실시예에서와 차이점이다. 즉, 금속층(250)은 은페이스트층(240)이 적층된 이후에 은페이스트층(240)의 적층 두께를 감안하여 적층될 수 있으므로, 금속층(250)의 적층두께를 조절하여 콘덴서 소자(100)의 외부면 평탄도를 향상시킬 수 있다.However, the metal layer 250 is stacked on the silver paste layer 240, which is different from the above embodiment. That is, since the metal layer 250 may be stacked in consideration of the thickness of the silver paste layer 240 after the silver paste layer 240 is laminated, the capacitor thickness of the metal layer 250 may be adjusted by adjusting the thickness of the metal layer 250. It can improve the outer surface flatness.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자를 나타내는 개략 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing a capacitor device according to still another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자(300)는 칩체(310), 양극 와이어(320), 카본층(330), 은페이스트층(340) 및 금속층(350)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the capacitor 300 according to another embodiment of the present invention may include a chip body 310, an anode wire 320, a carbon layer 330, a silver paste layer 340, and a metal layer 350. It can be configured to include.

한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 콘덴서 소자(300)의 칩체(310), 양극 와이어(320), 카본층(330) 및 은페이스트층(340)은 상기한 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자(100)의 칩체(110), 양극 와이어(120), 카본층(130) 및 은페이스트층(140)과 동일한 구성요소로서 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.Meanwhile, the chip body 310, the anode wire 320, the carbon layer 330, and the silver paste layer 340 of the condenser element 300 according to another embodiment of the present invention are described in one embodiment of the present invention. The same components as the chip body 110, the anode wire 120, the carbon layer 130, and the silver paste layer 140 of the condenser element 100 according to the description will be omitted here.

다만, 금속층(350)은 카본층(330) 상에 적층되는 제1 금속층(352)와, 제1 금속층(354) 상에 적층되는 은페이스트층(340) 상에 적층되는 제2 금속층(354)를 구비한다.However, the metal layer 350 may include the first metal layer 352 stacked on the carbon layer 330 and the second metal layer 354 stacked on the silver paste layer 340 stacked on the first metal layer 354. It is provided.

이에 따라, 은페이스트층(340)의 미적층에 의한 전기저항특성 저하를 보다 더 확실하게 감소시킬 수 있다.Thereby, the fall of the electrical resistance characteristic by the non-lamination of the silver paste layer 340 can be reduced more reliably.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다. 다만, 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 상기에서 사용한 도면부호를 사용하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a capacitor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the same components as those described above will be described using the reference numerals used above.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 설명도이다.4 to 7 are process explanatory diagrams for explaining a method of manufacturing a capacitor device according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 먼저 도 4에 도시된 바와 같이 양극와이어(220)가 삽입 장착된 칩체(210)가 소결에 의해 성형된다. 즉, 칩체(210)는 탄탈 또는 니비오(Nb) 산화물과 같은 재질을 이용하여 소결 제작될 수 있다. 탄탈 재질을 이용하여 칩체(210)를 제작하는 경우에 대해서 예를 들어 살펴보면, 탄탈 파우더와 바인더를 일정비율로 혼합 교반시키고, 혼합 파우더를 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작된다.4 to 7, first, as shown in FIG. 4, the chip body 210 in which the anode wire 220 is inserted is formed by sintering. That is, the chip body 210 may be manufactured by sintering using a material such as tantalum or niobium (Nb) oxide. For example, when the chip body 210 is manufactured using a tantalum material, the tantalum powder and the binder are mixed and stirred at a predetermined ratio, the mixed powder is compressed and molded into a rectangular parallelepiped, and then sintered under high temperature and high vibration. Is produced.

그리고, 양극와이어(220)는 혼합 파우더를 압축하기 전에 칩체(210)의 중앙에 삽입 장착된다.The anode wire 220 is inserted and mounted in the center of the chip body 210 before compressing the mixed powder.

또한, 칩체(210)에는 절연층(미도시)이 칩체(210)의 외부면에 형성되는데, 절연층은 전기화학 반응을 이용한 화성공정에 의해서 칩체(210)의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 성장시켜 형성할 수 있다. 이때 절연층은 칩체(210)를 유전체로 변화시키게 된다.Further, chipche 210 has an insulating layer (not shown) is formed on the outer surface of the chipche 210, the insulating layer is the oxide film on the surface of the chipche 210 by a chemical conversion process using an electrochemical reaction (Ta 2 O 5 ) can be formed by growing. In this case, the insulating layer changes the chip body 210 into a dielectric material.

그리고, 절연층 상에 음극층(미도시)이 형성되며, 음극층은 이산화망간(MnO2)층으로 이루어질 수 있다. 즉, 질산-망간 용액에 절연층으로 포밍된 칩체(210)를 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층인 음극층이 형성될 수 있다.In addition, a cathode layer (not shown) is formed on the insulating layer, and the cathode layer may be formed of a manganese dioxide (MnO 2 ) layer. That is, a negative electrode layer, which is a manganese dioxide (MnO 2 ) layer having a negative electrode, may be formed by impregnating a chip body 210 formed of an insulating layer in a nitric acid-manganese solution to apply a nitric acid-manganese solution to an outer surface thereof, and then firing it. have.

이후, 도 5에 도시된 바와 같이 음극층 상에 카본층(230)이 적층된다. 카본층(230)은 카본 분말을 에폭시계의 수지를 포함하는 유기 용매에 용해하여 카본 분말이 용해된 용액에 칩체(210)를 함침한 후 유기 용매를 휘발시키기 위해 소정 온도로 건조함으로써 적층될 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 5, the carbon layer 230 is stacked on the cathode layer. The carbon layer 230 may be laminated by dissolving the carbon powder in an organic solvent containing an epoxy resin, impregnating the chip body 210 in a solution in which the carbon powder is dissolved, and then drying it to a predetermined temperature to volatilize the organic solvent. have.

이후, 도 5에 도시된 바와 같이 은페이스트층(240)이 카본층(230)의 외측에 적층될 수 있다. 한편, 은페이스트층(240)은 침지도장 방식에 의해 적층되므로 칩체(210)의 중앙부분과 비교하여 모서리측은 얇은 두께를 가지도록 적층될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 5, the silver paste layer 240 may be stacked on the outer side of the carbon layer 230. On the other hand, since the silver paste layer 240 is laminated by the immersion coating method, the edge side may be laminated to have a thin thickness as compared with the central portion of the chip body 210.

이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 금속층(250)이 은페이스트층(240)의 미적층 영역에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 감소시키도록 적층된다. 이때 금속층(250)은 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나의 방식으로 적층될 수 있다. 즉 은페이스트층(240)이 다른 영역보다 얇게 적층되는 칩체(210)의 모서리와 인접한 영역에 보다 두껍게 금속층(250)이 적층될 수 있도록 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나의 방식으로 적층될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 6, the metal layer 250 is stacked to reduce the degradation of the electrical resistance characteristics caused by the unlaid regions of the silver paste layer 240. In this case, the metal layer 250 may be laminated by any one method of electroless plating, deposition, or electroplating. That is, the silver paste layer 240 is laminated by any one of electroless plating, vapor deposition, or electroplating so that the metal layer 250 may be thicker than the edge of the chip body 210 in which the silver paste layer 240 is laminated thinner than other regions. Can be.

한편, 금속층(250)이 칩체(210)의 모서리와 인접한 영역에 보다 두껍게 적층되는 경우를 한정하는 것은 아니며, 금속층(250)은 은페이스트층(240)의 칩체(210)의 모서리와 인접한 영역에만 적층될 수 있다.The metal layer 250 is not limited to the case where the metal layer 250 is thicker than the edge of the chip body 210, and the metal layer 250 is disposed only in the area adjacent to the edge of the chip body 210 of the silver paste layer 240. Can be stacked.

상기한 바와 같이, 금속층(250)의 적층에 의해 은페이스트층(240)이 칩체(210)의 모서리측에 적층되지 않더라도 은페이스트층(240)의 미적층에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 억제할 수 있는 콘덴서 소자(200)를 제공할 수 있다.As described above, even if the silver paste layer 240 is not laminated on the edge side of the chip body 210 by the lamination of the metal layer 250, the decrease in the electrical resistance characteristics caused by the unlamination of the silver paste layer 240 is prevented. The capacitor | condenser element 200 which can be suppressed can be provided.

더하여, 금속층(250)의 적층에 의해 은페이스트층(240)의 미적층에 의해 발생되는 콘덴서 소자(200)의 외부면 평탄도를 향상시킬 수 있는 콘덴서 소자(200)를 제공할 수 있다.In addition, the condenser element 200 capable of improving the flatness of the outer surface of the condenser element 200 generated by the lamination of the silver paste layer 240 by the lamination of the metal layer 250 may be provided.

100, 200, 300 : 콘덴서 소자
110, 210, 310 : 칩체
120, 220, 320 : 양극와이어
130, 230, 330 : 카본층
140, 240, 340 : 은페이스트층
150, 250, 350 : 금속층100, 200, 300: capacitor element
110, 210, 310: chip body
120, 220, 320: anode wire
130, 230, 330: carbon layer
140, 240, 340: silver paste layer
150, 250, 350: metal layer

Claims (11)

소결에 의해 성형되는 칩체;
상기 칩체의 외부면에 적층되는 카본층;
도전성이 향상되도록 상기 카본층의 외측에 적층되는 은페이스트층; 및
상기 카본층의 외측에 적층되어 상기 은페이스트층이 미적층된 부분에 의해 발생되는 전기저항특성의 저하를 감소시키는 금속층;
을 포함하며,
상기 금속층은 상기 은페이스트층 상에 적층되는 콘덴서 소자.A chip body molded by sintering;
A carbon layer laminated on an outer surface of the chip body;
A silver paste layer laminated on the outer side of the carbon layer to improve conductivity; And
A metal layer laminated on an outer side of the carbon layer to reduce a decrease in electrical resistance characteristics caused by an unlaminated portion of the silver paste layer;
/ RTI >
And the metal layer is stacked on the silver paste layer. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나의 방식에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 콘덴서 소자.The capacitor device of claim 1, wherein the metal layer is laminated by any one of electroless plating, vapor deposition, and electroplating. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 금속층은
상기 카본층 상에 적층되는 제1 금속층; 및
상기 제1 금속층 상에 적층되는 상기 은페이스트층 상에 적층되는 제2 금속층;
을 구비하는 것을 특징으로 하는 콘덴서 소자.The method of claim 1, wherein the metal layer
A first metal layer laminated on the carbon layer; And
A second metal layer laminated on the silver paste layer laminated on the first metal layer;
Capacitor device comprising a. 제1항에 있어서,
상기 금속층은 상기 은페이스트층이 다른 영역보다 얇게 적층되는 상기 칩체의 모서리와 인접한 영역에만 적층되거나 다른 영역보다 두껍게 적층되는 것을 특징으로 하는 콘덴서 소자.The method of claim 1,
The metal layer is a capacitor device, characterized in that the silver paste layer is laminated only in an area adjacent to the edge of the chip body that is laminated thinner than other areas or thicker than other areas. 소결에 의해 칩체를 성형하는 공정;
상기 칩체의 외부면에 카본층을 적층하는 공정; 및
상기 카본층의 외측에 은페이스트층과 상기 은페이스트층의 미적층에 의한 전기저항특성 저하를 감소시키도록 금속층을 적층하는 공정;
을 포함하며,
상기 은페이스트층이 다른 영역보다 얇게 적층되는 상기 칩체의 모서리와 인접한 영역에만 적층되거나 다른 영역보다 두껍게 적층되는 콘덴서 소자의 제조방법.Forming a chip body by sintering;
Laminating a carbon layer on an outer surface of the chip body; And
Stacking a metal layer on the outer side of the carbon layer so as to reduce a decrease in electrical resistance characteristics caused by unlamination of the silver paste layer and the silver paste layer;
/ RTI >
And the silver paste layer is laminated only in an area adjacent to an edge of the chip body which is laminated thinner than other areas or is thicker than other areas. 제7항에 있어서,
상기 금속층은 무전해 도금, 증착 또는 전기도금 중 어느 하나에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 콘덴서 소자의 제조방법.The method of claim 7, wherein
The metal layer is a method of manufacturing a capacitor device, characterized in that the lamination by any one of electroless plating, vapor deposition or electroplating. 삭제delete 삭제delete 제7항에 있어서, 상기 금속층은
상기 카본층 상에 적층되는 제1 금속층; 및
상기 제1 금속층 상에 적층되는 상기 은페이스트층 상에 적층되는 제2 금속층;
을 구비하는 것을 특징으로 하는 콘덴서 소자의 제조방법.The method of claim 7, wherein the metal layer is
A first metal layer laminated on the carbon layer; And
A second metal layer laminated on the silver paste layer laminated on the first metal layer;
Method for producing a capacitor device characterized in that it comprises a.
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