KR101222271B1 - [n(cf3)2]- 음이온을 갖는 이온액 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비스(트리플루오로메틸)이미드 음이온 및 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온을 포함하는 염, 및 이의 제조 방법, 및 이온액으로서의 이의 용도에 관한 것이다.

Description

[N(CF3)2]- 음이온을 갖는 이온액 {IONIC LIQUIDS HAVING [N(CF3)2]- ANIONS}
본 발명은 비스(트리플루오로메틸)이미드 음이온 및, 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온을 포함하는 염, 이의 제조 방법, 및 이온액로서의 이의 용도에 관한 것이다.
이온액 또는 이온액 염은 유기 양이온 및 일반적으로는 무기 음이온으로 이루어진 이온 종이다. 이는 임의의 중성 분자를 함유하지 않으며 373 K 미만의 용융점을 갖는다. 이온액으로서 사용되는 다수의 화합물은 종래 기술 분야에 공지되어 있다. 특히, 이들은 또한 일련의 특허 및 특허 출원의 주제이다.
따라서, 무(無)용매 이온액은 Hurley 및 Wier 에 의해 일련의 US 특허 (US 2,446,331, US 2,446,339 및 US 2,446,350) 에 최초로 개시되었다. 이러한 "실온에서 용융되는 염" 은 AlCl3 및 다수의 n-알킬피리디늄 할라이드로 이루어져 있다.
US 5,827,602 에는, 전지 내의 전해질로서 사용되는 넓은 전기화학적 창 (a wide electrochemical window) 을 갖는 소수성 이온액이 기재되어 있다. 상기 염은 반 데르 발스 반경이 100 Å3 초과인 특정 5- 또는 6-원 헤테로시클릭 양이온 및 다원자 (polyatomic) 음이온, 예를 들어, 할로겐화 알킬술폰이미드, 모노- 또는 디퍼플루오로술포네이트, 플루오르화 알킬플루오로포스페이트를 가진다. .
또한, 최근 상기 주제에 관한 일부 평론 기사가 발행되었다 (R. Sheldon "Catalytic reactions in ionic liquids", Chem. Commun., 2001, 2399-2407; M.J. Earle, K.R. Seddon "Ionic liquids. Green solvent for the future", Pure Appl. Chem., 72 (2000), 1391-1398; P. Wasserscheid, W. Keim lonische Flussig-keiten neue Losungen fur die Ubergangsmetallkatalyse" [Ionic Liquids Novel Solutions for Transition-Metal Catalysis], Angew. Chem., 112 (2000), 3926-3945; T. Welton "Room temperature Ionic liquids. solvents for synthesis and catalysis", Chem. Rev., 92 (1999), 2071-2083; R. Hagiwara, Ya. Ito "Room temperature ionic liquids of alkylimidazolium cations and fluoroanions", Journal of fluorine Chem., 105 (2000), 221-227).
EP 1 081 129 에는 테트라알킬암모늄 및 유사 양이온을 갖는 안정한 N(CF3)2 - 염이 개시되어 있다. 헤테로시클릭 양이온 및 개시된 화합물의 이온액으로서의 용도는 모두 기재되어 있지 않다.
이온액의 특성, 예를 들어 용융점, 열적 및 전기화학적 안정성, 점도는 음이온의 특성에 크게 좌우된다. 이와 대조적으로, 극성 및 친수성 또는 친지질성은 양이온/음이온 쌍의 적절한 선택을 통해 변화될 수 있다. 따라서, 이의 용도에 관한 추가 가능성을 용이하게 하는 다양한 특성을 갖는 신규한 이온액이 요구 된다.
본 발명의 목적은, 이온액으로 사용될 수 있는 유용한 특성을 갖는 신규하고 안정한 화합물, 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은, 비스(트리플루오로메틸)이미드 음이온 또는 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온을 갖는, 하기 화학식 1 의 염의 제공에 의해 달성된다:
Figure 112005030813183-pct00001
상기 식에서,
X 는 N, P, O 또는 S 을 나타내고,
n 은, X 가 그의 원자가가 1 만큼 증가됨에 따라 포화되는 방식으로 0, 1 또는 2 로부터 선택된 정수를 나타내고,
A 는 하나를 제외한 모든 탄소 원자가 N, P, O 및 S 로부터 선택된 동일하거나 상이한 헤테로원자로 대체될 수 있고, 탄화수소쇄의 탄소 원자 및 탄화수소쇄에 존재하는 헤테로원자가 그의 원자가에 따라 치환기 R2 로 포화되는, 포화, 부분 또는 완전 불포화 3- 내지 8-원 탄화수소쇄를 나타내고,
R1, R2 는 하기를 나타내고:
-H (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
탄소수 1-20 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬
탄소수 2-20 및 하나 이상의 이중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알케닐
탄소수 2-20 및 하나 이상의 삼중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알키닐
탄소수 3-7 의 포화, 부분 또는 완전 불포화 시클로알킬
할로겐, 특히 플루오르 또는 염소 (단, X = N, O, S 인 경우, 할로겐-헤테로원자 결합이 없음),
-NO2 (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
-CN (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
헤테로시클릭 고리의 상이하고/하거나 동일한 위치에 있는 R2 및/또는 R1 는 각 경우 동일하거나 상이하고,
R2 및/또는 R1 은 단일 또는 이중 결합에 의해 서로 쌍으로 연결되고,
하나 이상의 R2 및/또는 R1 는 할로겐, 특히 -F 및/또는 -Cl 로 부분 또는 완전 치환되거나, 혹은 -CN 또는 -NO2 로 부분 치환될 수 있는데, 단, 모든 R2 및 R1 이 완전 할로겐화되는 것은 아니고,
R1 및/또는 R2 의 1 또는 2 개의 탄소 원자는 헤테로원자 및/또는 0-, -C(O)-, C(O)O-, -S-, -S(O)-, -SO 2 -, SO20, -N=, -P=, -NH-, -PH-, -NR' 및 -PR'- 의 군으로부터 선택된 원자군으로 대체될 수 있다 (여기서, R' = 비플루오르화, 부분 또는 과플루오르화된 C1- 내지 C6-알킬 또는 -C6F5 이고, X = O, S 인 경우 R1 의 α-위치는 치환되지 않는다).
본 발명의 목적에 있어서, 원자의 원자가는, 중성 원자로부터 발생하는 결합의 수 또는 중성 원자가 분자 내의 다른 원자와 공유하는 전자쌍의 수 및 전자 식의 단순화된 표시에서 원자가 대시 (dash) 로 표시되는 수를 의미하는 것으로 이해된다. 따라서, 본 발명에 따르면, 질소 또는 인 원자는 원자가 3 을 갖고, 산소 및 황 원자는 원자가 2 를 갖고 탄소 원자는 원자가 4 를 갖는다. 인 원자는가 양이온의 중성 원자인 경우, 이는 또한 원자가 5 를 가질 수 있다.
본 발명의 목적에 있어서, 완전 불포화 화합물 또는 치환기는 또한 방향족 화합물 또는 방향족 치환기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명에 따른 화합물은, N(CF3)2 - 음이온 및, 양이온으로서 포화 또는 불포화 헤테로시클릭 4- 내지 9-원 고리를 갖는 염이다. 여기서, 적합한 헤테로원자는 N, P, O 또는 S 이다. 양전하를 운반하는 헤테로원자 외에, 헤테로시클릭 고리는 또한 추가로, N, P, O 및 S 군으로부터 선택된 동일하거나 상이한 헤테로원자를 함유할 수 있지만; 상기 고리는 하나 이상의 탄소 원자를 함유한다.
본 발명에 따라 적합한 양이온은, 안정한, 특히 단리될 수 있는 헤테로시클릭 화합물이다.
헤테로시클릭 고리의 모든 원자는 각각 수많은 동일하거나 상이한 치환기 R1 또는 R2 를 가져, 그의 원자가에 따라 포화된다. 양으로 하전된 헤테로원자의 경우, 치환기의 수는 1 만큼 증가되는 원자가에 해당한다.
본 발명에 따른 고리 원자 당 치환기 수를 상술하기 위한 일부예가 하기에 주어진다: 단일포화 또는 방향족, 즉, sp2-혼성화된 (sp2-hybridised) 탄소 원자는 하나의 치환기를 가지며, 포화 sp3-혼성화된 탄소 원자는 두개의 치환기를 갖는다. 시클릭 고리 내에 단일 결합된 양전하를 갖지 않은 산소 또는 황 원자 또는 이중 결합에 의해 시클릭 고리 내로 결합된 양전하를 갖지 않은 인 원자처럼, 이중 결합에 의해 시클릭 고리 내에 결합되는 양전하를 운반하는 산소 또는 황 원자는 치환기를 갖지 않는다. 시클릭 고리 내에 단일 경합된 양전하를 갖는 산소 또는 황 원자 및 이중 결합에 의해 시클릭 고리 내에 결합된 양전하를 갖는 질소 또는 인 원자 및 시클릭 고리 내에 단일 결합된 양전하를 갖지 않는 질소 또는 인 원자는 하나의 치환기를 운반한다.
본 발명에 따르면, 수소 외에, 헤테로시클릭 고리의 적합한 치환기 R1, R2 는 C1- 내지 C20-, 특히 C1- 내지 C12-알킬기, C2- 내지 C20-, 특히 C2- 내지 C12-, 알 케닐 또는 알키닐기, 포화 또는 불포화, 즉, 방향족, C3- 내지 C7-시클로알킬기, NO2, CN 또는 할로겐이다. 그러나, 할로겐에 대해서는, 이것이 헤테로시클릭 고리의 탄소 또는 인 원자 상의 치환기로서만 발생하며, 헤테로 원자 N, O, S, H 상에서는 NO2 및 CN 이 양으로 하전된 헤테로원자의 치환기로서 발생하지 않는다는 제한이 있다.
치환기 R1, R2 는 또한 비- 또는 폴리시클릭 양이온이 생성되는 방식으로, 쌍으로 연결될 수도 있다. 상기 치환기들은 할로겐 원자, 특히 F 및/또는 Cl 에 의해 부분 또는 완전 치환될 수 있거나, CN or NO2 에 의해 부분 치환될 수 있으며, 하나 또는 두개의 헤테로원자 또는 O, C(O),C(O)O, S, S(O), SO2, SO2O, N, F, NH, PH, NR', PR' 군으로부터 선택된 원자군을 함유할 수 있다. 그러나, 완전 할로겐화의 경우, 존재하는 모든 치환기 R1 및 R2 가 완전 할로겐화될 수 있고, 즉, 하나 이상의 R1 및/또는 R2 가 과할로겐화되지 않는다.
보편성을 제한하지 않고, 헤테로시클릭 양이온의 본 발명에 따른 치환기의 예는 하기와 같다:
Figure 112005030813183-pct00002
-
Figure 112005030813183-pct00003
.
모델 계산에 따르면, [N(CF3)2]- 음이온은 반 데르 발스 반경이 90.90 Å3 이므로, 종래 기술로부터 공지된 이온액 음이온에 비해 비교적 작다.
본 발명에 따른 염은 소수성이 아니며, 즉, 이는 어느 정도로 물과 혼화성이다. 또한, 본 발명에 따른 염은 유리하게도 유기 용매에 매우 가용성이다.
공지의 액체 염에 비해, 본 발명에 따른 염은 놀랍게도 낮은 점도를 갖는다.
유리하게는, 본 발명에 따른 염은 안정하다. 이는 실온에서 단리 및 저장될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 염은 비교적 제조가 간편하며, 특히 종래 기술에 공지된 [N(SO2CF3)2]- 음이온은 입수하기가 어려우며 특히 매우 고가이다.
본 발명에 따라 바람직한 염에서, 양이온은 헤테로시클릭, 포화 또는 불포화 5-, 6- 또는 7-원 고리를 갖는다. 단지 하나의 탄소만을 갖는, 본 발명에 따른 5-원 고리의 예로는, 예를 들어, 하기에서의 테트라졸륨 양이온이다:
Figure 112005030813183-pct00004
.
본 발명에 따른 염의 또다른 바람직한 변형법에서, 양이온의 헤테로시클릭 고리는 N, P, O 또는 S 로부터 선택되는 총 3 개 이하의 헤테로원자를 함유한다. 다수의 헤테로원자의 경우, 최대 2 개의 헤테로원자만이 직접 접하도록 배열되는 것이 특히 바람직하다.
수소 원자 외에, 헤테로시클릭 고리에 바람직한 치환기는, 할로겐, 특히 플루오르이며, 이들이 인을 제외한 헤테로 원자에 결합되지 않는 한, 직쇄 또는 분지쇄 C1- 내지 C6-알킬기, 특히 -CH3, -C2H5, -n-C3H7, -CH(CH3)2, -n-C4H9, -n-C6H13 및 직쇄 또는 분지쇄, 부분 또는 과플루오르화된 C1- 내지 C6-알킬기, 특히 -CF3, -C2F5, -C4F9이다.
본 발명의 바람직한 구현예는, 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온이 하기 구조를 갖는 5- 또는 6-원 고리인 염이다:
Figure 112005030813183-pct00005
(식 중,
X 는 N, P, O 및 S 군으로부터 선택되고,
Y 는 각 경우, 서로 독립적으로, C, N, P, O 및 S 군으로부터 선택되고,
하나 이상의 Y 가 탄소 원자이고, 나머지 3 개 또는 4 개의 Y 는 탄소 또는 헤테로원자일 수 있다).
양으로 하전된 헤테로원자 X 상의 치환기 R1 의 수 (n) 는 1 만큼 증가하는 원자가에 대응하고, 즉, 불포화 산소 또는 황 원자는 치환기가 없으며, 포화 산소 및 황 원자는, 불포화 질소 및 인 원자와 같이, 하나의 치환기 R1 을 가지며, 포화 질소 및 인 원자는 두개의 치환기 R1 을 갖는다.
헤테로시클릭 고리의 나머지 원자들 (Y) 은 각각 수많은 (m 개의) 동일하거나 상이한 치환기 R2 를 가져 이들은 그의 원자가에 따라 포화되고, 즉, 포화 산소 및 황 원자는, 불포화 질소 및 인 원자와 같이, 치환기가 없고, 포화 질소 및 인 원자 및 불포화 sp2-혼성화된 탄소 원자는 하나의 치환기 R2 를 갖고 포화 sp3-혼성화된 탄소 원자는 두개의 치환기 R2 를 갖는다.
치환기 R1 및 R2 는 화학식 1 에서와 같이 정의된다.
본 구현예에서, 양이온의 포화 또는 불포화 5- 또는 6-원 고리의 헤테로원자가 하기 군으로부터 선택되는 방식으로 분포되는 변형법이 특히 바람직하다:
Figure 112005030813183-pct00006
(식 중, X 는 군 N, P, O 및 S 로부터 선택되고 Y 는 각 경우, 서로 독립적으로 군 C, N, P, O 및 S 로부터 선택된다. 양으로 하전된 헤테로원자 X 상의 치환기 R1, R2 의 수 n, m 는 5- 또는 6-원 고리 양이온에 대한 화학식에 따라 정의된다. 치환기 R1 및 R2 는 화학식 1 에서와 같이 정의된다).
보편성을 제한하지 않고, 5- 또는 6-원 고리를 갖는 본 발명에 따른 양이온의 예는 하기와 같다:
Figure 112005030813183-pct00007
(식 중, 치환기 R 은 서로 독립적으로, 화학식 1 에서의 R1 및 R2 와 같이 정의된다),
및 또한
Figure 112005030813183-pct00008
Figure 112005030813183-pct00009
.
또다른 바람직한 변형법에서, 본 발명에 따른 염은 융합 고리를 함유하는 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온, 즉 헤테로시클릭 고리의 두개의 인접 치환기가 서로 연결되어 있고 하기의 군으로부터 선택되는 양이온을 가진다:
Figure 112005030813183-pct00010
(식 중, X 는 각 경우 서로 독립적으로 군 N, P, O, S 및 C 으로부터 선택되고, 이 때 하나 이상의 X = N, P, O 또는 S 이다).
헤테로시클릭 고리의 원자는 각각 수많은 (n 개의) 동일하거나 상이한 치환 기 R1 을 가져 그의 원자가에 따라 포화되며, n 은 양전하를 운반하는 헤테로원자 X 에 대해 1 만큼 증가한다.
A' 은 포화, 부분 또는 완전 불포화 2- 내지 7-원 탄화수소쇄를 의미하며, 여기서 탄화수소쇄의 탄소 원자는 그의 원자가에 따라 치환기 R2 로 포화된다.
치환기 R1 및 R2 는 화학식 1 에서와 같이 정의되지만, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 α-위치에 있는 치환기 R1 은 헤테로시클릭 고리에 바로 인접한 메틸렌기를 갖지 않는다.
보편성을 제한하지 않고, 본 발명에 따른 양이온의 예는 하기와 같다:
Figure 112005030813183-pct00011
또한, 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온이 하기 구조를 갖는 본 발명에 따른 염이 바람직하다:
Figure 112005030813183-pct00012
.
상기에서, X 는 군 N 및 P 으로부터 선택되고 Y 는 N, P, O 및 S 로부터 선택된다.
헤테로원자 Y 상의 치환기 R1 의 수 (n) 는, 산소 또는 황 원자의 경우 0 이고 질소 또는 인 원자의 경우 1 이다.
A' 는 2- 내지 7-원 탄화수소쇄를 의미하고, B' 는 1- 내지 6-원 탄화수소쇄를 의미하고, 이 때 탄화수소쇄는 포화, 부분 또는 완전 불포화되고 하나를 제외한 모든 탄소 원자가 N, P, O 및 S 로부터 선택된 동일하거나 상이한 헤테로원자로 대체될 수 있고 탄화수소쇄 A' 및 B' 의 탄소 원자는 그의 원자가에 따라 치환기 R2 로 치환된다.
치환기 R1 및 R2 는 화학식 1 에서와 같이 정의된다.
보편성을 제한하지 않고, 본 발명에 따른 양이온의 예는 하기와 같다:
Figure 112005030813183-pct00013
Figure 112005030813183-pct00014
본 발명은 둘째로 비스(트리플루오로메틸)이미드 음이온 및 포화 또는 불포화, 헤테로시클릭 디(di)-양이온을 함유하는 하기 화학식 2 의 염, 즉, 포화 또는 불포화되고 두개의 양으로 하전된 헤테로원자를 함유하는 헤테로시클릭 4- 내지 9-원 고리에 관한 것이다:
Figure 112005030813183-pct00015
.
상기 식에서,
X, Y 는 각각 서로 독립적으로 N, P, O 또는 S 를 나타내고,
n, m 은, X, Y 가 각각 그의 원자가가 1 만큼 증가함에 따라 포화되는 방식으로 0, 1 또는 2 로부터 선택되는 정수를 나타내고,
A" 및 B" 은 포화, 부분 또는 완전 불포화 0- 내지 4-원 탄화수소쇄를 나타내고, 이 때 탄소 원자는 N, P, O 및 S 로부터 선택된 동일하거나 상이한 헤테로원자로 대체될 수 있고, 하나 이상의 탄소 원자는 탄화수소쇄 A" 및 B" 에 함께 존재하고, 탄화수소쇄 A" 및 B" 의 탄소 원자 및 그 안에 존재하는 헤테로원자는 그의 원자가에 따라 치환기 R2 로 포화되고,
R1, R2, R3 은 하기를 나타내고:
-H (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
탄소수 1-20 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬
탄소수 2-20 및 하나 이상의 이중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알케닐
탄소수 2-20 및 하나 이상의 삼중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알키닐
탄소수 3-7 의 포화, 부분 또는 완전 불포화 시클로알킬
할로겐, 특히 플루오르 또는 염소 (단, X = N, O, S 인 경우, 할로겐-헤테로원자 결합이 없음),
-NO2 (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
-CN (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
헤테로시클릭 고리의 상이하고/하거나 동일한 위치에 있는 R1, R2 및/또는 R3 은 각 경우 동일하거나 상이하고,
R1, R2 및/또는 R3 은 단일 또는 이중 결합에 의해 서로 쌍으로 연결될 수 있고,
하나 이상의 R1, R2 및/또는 R3 은 할로겐, 특히 -F 및/또는 -Cl 에 의해 부분 또는 완전 치환되거나, -CN 또는 -NO2 에 의해 부분 치환되는데, 단, 모든 R1, R2 및 R3 이 완전 할로겐화되는 것은 아니며,
R1, R2 및/또는 R3 의 하나 또는 두개의 탄소 원자는 헤테로원자 및/또는 군 -O-, -C(O)-, C(O)O-, -S-, -S(O)-, -SO2-, -SO2O-, -N=, -P=, -NH-, -PH-, -NR'- 및 -PR' (여기서, R' = 비플루오르화, 부분 또는 과플루오르화 C1- 내지 C6-알킬 또는 -C6F5) 으로부터 선택된 원자군으로 대체될 수 있고, X = O, S 또는 Y = O, S 인 경우 R1 및 R3 의 α-위치는 대체되지 않으며,
헤테로시클릭 디-양이온은 4-, 5-, 6-, 7-, 8- 또는 9-원 고리이다.
바람직한 염에서, 디-양이온은 헤테로시클릭, 포화 또는 불포화 5-, 6- 또는 7-원 고리를 가진다.
보편성을 제한하지 않고, 본 발명에 따른 디-양이온의 예는 하기와 같다:
Figure 112005030813183-pct00016
본 발명은 또한 비스(트리플루오로메틸)이미드 음이온 및 그 헤테로시클릭 6-원 고리가 탄소원자를 함유하지 않는 포화 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온을 함유하는 하기 화학식 3 의 염에 관한 것이다:
Figure 112005030813183-pct00017
상기 식에서,
X, Y 는 각각 서로 독립적으로 N, P, O 또는 S 를 나타내고,
n 은, X 가 각각 그의 원자가가 1 만큼 증가함에 따라 포화되는 방식으로 0, 1 또는 2 로부터 선택되는 정수를 나타내고,
m 은, Y 가 각각 그의 원자가가 1 만큼 증가함에 따라 포화되는 방식으로 0, 1 또는 2 로부터 선택되는 정수를 나타내고,
R1, R2 는 하기를 나타내고:
-H (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
탄소수 1-20 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬
탄소수 2-20 및 하나 이상의 이중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알케닐
탄소수 2-20 및 하나 이상의 삼중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알키닐
탄소수 3-7 의 포화, 부분 또는 완전 불포화 시클로알킬
할로겐, 특히 염소 (단, X = N, O, S 인 경우, 할로겐-헤테로원자 결합이 없음),
-OR (단, 치환된 헤테로원자는 O 또는 S 가 아님),
헤테로시클릭 고리의 상이하고/하거나 동일한 위치의 R2 및/또는 R1 은 각 경우 동일하거나 상이하고,
R2 및/또는 R1 은 단일 또는 이중 결합에 의해 서로 쌍으로 연결될 수 있고,
하나 이상의 R2 및/또는 R1 은 할로겐, 특히 -F 및/또는 -Cl 에 의해 부분 또는 완전 치환되거나, -CN 또는 -NO2 에 의해 부분 치환되는데, 단, 모든 R2 및 R1 이 완전 할로겐화되는 것은 아니며,
R1 및/또는 R2 의 하나 또는 두개의 탄소 원자는 헤테로원자 및/또는 군 -O-, -C(O)-, C(O)O-, -S-, -S(O)-, -SO2-, -SO2O-, -N=, -P=, -NH-, -PH-, -NR'- 및 -PR' (여기서, R' = 비플루오르화, 부분 또는 과플루오르화 C1- 내지 C6-알킬 또는 -C6F5) 으로부터 선택된 원자군으로 대체될 수 있고, X = O, S 인 경우 R1 의 α-위치는 대체되지 않는다.
보편성을 제한하지 않고, 본 발명에 따른 양이온의 예는 하기와 같다:
Figure 112005030813183-pct00018
.
본 발명에 따른 화합물은 온화한 조건 (mild conditions) 하에서 용이하게 합성될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 본 발명에 따른 염은 고수율로 단리된다.
이 때문에, 극성 용매 중에서 화학식 RFSO2N(CF3)2 또는 RFC(O)N(CF3)2 (식 중, RF = F 또는 CpF2p+1, p = 1 - 8) 의 화합물을 화학식 DF (식 중, D 는 알칼리 금속의 군으로부터 선택됨) 의 알칼리 금속 플루오라이드와 반응시키고, 연이어 또는 동시에, 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 4- 내지 9-원 모노- 또는 디-양이온 및 F-, Cl-, Br-, I-, BF4 -, Cl04 -, AsF6 -, SbF6 -, SbCl6 -, PF6 -, RFSO3 -, FSO3 -, (RF)2P(O)O-, RFP(O)2O-, RSO3 -, ROSO3 -, 1/2SO3 2-, CN-, SCN-, RFC(O)O-, RC(O)O-, 2,4-디니트로페놀레이트 및 2,4,6-트리니트로페놀레이트 (여기서, RF = 과플루오르화 C1 내지 C8-알킬기 또는 과플루오르화 아릴기이고 R = C1 내지 C8-알킬기 또는 아릴기임) 로부터 선택된 음이온 E- 를 갖는 하기 화학식 4 의 염 또는 하기 화학식 5 의 염을 첨가한다:
Figure 112005030813183-pct00019
Figure 112005030813183-pct00020
.
상기에서, 화학식 4 또는 5 의 염의 헤테로원자 X 및 Y, 변수 n 및 m, 탄화수소쇄 A, A" 및 B" 및 치환기 R1, R2 및 R3 은 화학식 1 및 2 에서 정의된 바와 같다.
상기 반응에서, 플루오로알킬화 술폰산 비스(트리플루오로메틸)아미드가 바람직하게 알칼리 금속 플루오라이드와의 반응에 사용된다.
본 발명에 따라 바람직한 변형법에서, 상기 과정은 단단계 (one-pot) 반응으로 수행되며, 즉, 알칼리 금속 플루오라이드 및 플루오로알킬화 술폰산 비스(트리플루오로메틸)아미드 또는 아실비스(트리플루오로메틸)아미드로부터의 중간체를 단리해내지 않고, 대신 화학식 4 또는 5 의 염과 직접 반응시킨다. 반응물은 바람직하게는 대략 등몰량으로 사용되고, 아실비스(트리플루오로메틸)아미드가 사용되는 경우에는 이는 등몰량의 2 배로 사용된다.
화학식 4 또는 5 의 염이 그의 플루오라이드 형태로 사용되는 경우, 즉, E- = F- 인 경우, 본 발명에 따른 반응은 단단계 반응으로 및 알칼리 금속 플루오라이 드 DF 의 첨가 없이 직접 수행될 수 있다.
휘발성 부산물을 형성한 후, 감압 하에 제거할 수 있다. 그러나, 통상적으로, 사용되는 용매에 불용성인 부산물을 형성하여 여과에 의해 분리한다. 필요시, 용매는 감압 하에 휘발성 부산물과 함께 제거된다. 본 발명에 다른 염은 일반적으로 80% 초과의 수율로 단리될 수 있다.
순도를 향상시키기 위해, 본 발명에 따른 염을 극성 유기 용매에 용해시키고 루비듐 이미드 Rb+N(CF3)2 - 로 처리할 수 있다. 형성된 루비듐 염을 침전시킨 후 여과하고, 용매를 감압 하에 제거하였다.
본 발명에 따라 사용되는 알칼리 금속 플루오라이드는 바람직하게는 칼륨 또는 루비듐 플루오라이드, 특히 바람직하게는 보다 저렴한 칼륨 플루오라이드이다.
본 발명에 따라 바람직한 극성 유기 용매는 아세토니트릴, 디메톡시에탄, 디메틸포름아미드 및 프로피오니트릴 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따른 반응은 바람직하게는 -40℃ 내지 80℃, 특히 0℃ 내지 40℃, 매우 특히 바람직하게는 실온에서 수행된다.
본 발명에 따른 모든 화합물은 염과 유사한 특징, 비교적 낮은 용융점 (통상 110℃ 미만) 을 갖고 이온액으로서 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 염은 수많은 합성 또는 촉매 반응, 예를 들어 Friedel-Crafts 아실화 및 알킬화 Diels-Alder 환첨가 (cycloaddition), 수소화 및 산화 반응, Heck 반응에서 용매로서 사용될 수 있다. 또한, 예를 들어, 2 차 및 1 차 전지용으로 플루오르화 용매를 합성할 수 있다.
이는 N(CF3)2 - 기의 도입용 시약으로서 적합하다. 예를 들어, N(CF3)2 -기는 유기 할로겐 화합물 중의 할로겐 원자를 치환시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 염은 액정 화합물, 및 활성 성분, 특히 약제 및 농작물-보호제에 대한 활성 성분의 제조를 위한 전구체로서 관심을 끌고 있다.
따라서 본 발명에 따른 화합물은, 필요시, 당업자에게 공지된 다른 전해질과 함께 비(非)수성 전해질로서 사용될 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 염은 상-전이 촉매 (phase-transfer catalyst) 로서 적합한 반응에서 비수성의 극성 물질로서 또는 균질한 촉매의 불균질화 (heterogeniation) 용 매질로서 사용될 수 있다.
상기 및 하기에 언급한 모든 출원, 특허 및 공보의 완전한 개시내용은 본원에 참조병합된다.
추가 언급이 없을 경우, 당업자는 상기 기재내용을 가장 넓은 범주로 이용할 수 있을 것이다. 따라서, 바람직한 구현예 및 실시예는 절대로 어떠한 의미로든 제한이 아닌 예시적 기술적 개시내용으로만 간주되어야 한다.
모든 NMR 스펙트럼은 Bruker Avance 300 분광기 상에서 측정하였다 (1H: 300.13 MHz, 19F: 282.40 MHz).
실시예 1
Figure 112005030813183-pct00021
건식 아세토니트릴 10cm3 중의 1.29 g (12.3 mmol) 의 RbF 및 3.63 g (12.7 mmol) 의 CF3SO2N(CF3)2 로부터 제조된 2.93 g (12.3 mmol) 의 Rb+N(CF3)2 의 용액을 실온에서 교반하면서, 건식 아세토니트릴 5 cm3 중의 2.15 g (12.3 mmol) 의 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 15 분간 교반하고, 침전된 RbCl 을 여과해내고 건식 아세토니트릴 (2 x 5 cm3) 로 세척하였다. 120 Pa 의 진공 하에 아세토니트릴을 제거하고, 잔류물을 50℃ 에서 감압 하에 2 시간 동안 건조하여, 3.24 g 의 오일 유사 물질을 수득하였다.
1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸)이미드, [C8H15N2]+N(CF3)2- 의 수율은 90.5% 였다.
19F-NMR (기준물질 (reference): CCl3F; 용매: CD3CN): -37.35 s
1H-NMR (기준물질: TMS ; 용매: CD3CN): 0.93 t (CH3); 1.32 m (CH2); 1.83 m (CH2); 3.87 s (CH3); 4.17 t (CH2); 7.46 dd (OH); 7.51 dd (CH); 9.08 br s (OH);
J3 H,H = 7.3 Hz; J3 H,H 7.4 Hz; JH,H = 1.8 Hz
실시예 2
Figure 112005030813183-pct00022
20 cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 2.05 g (19.6 mmol) 의 RbF 및 5.95 g (20.9 mmol) 의 CF3SO2N(CF3)2 로부터 제조된 4.65 g (19.6 mmol) 의 Rb+N(CF3)2 - 의 용액을 실온에서 교반하면서 20 cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 3.65 g (18.8 mmol) 의 N-메틸-N-에틸피롤리디늄 브로마이드의 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 15 분간 교반하고, 침전시킨 RbBr 을 여과해내고 건식 아세토니트릴 (2 x 5 cm3) 로 세척하였다. 아세토니트릴을 1.4 Pa 의 진공 하에 제거하고, 잔류물을 60-65℃ 에서 감압 하에 2 시간 동안 건조시켜, 4.68 g 의 고체 물질을 수득하였다. 용융점은 80-85℃ 였다.
N-메틸-N-에틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸)이미드, [C7H16N]+N(CF3)2 - 의 수율은 93.4% 였다.
19F-NMR (기준물질: CCl3F; 용매: CD3CN): -36.36 s
1H-NMR (기준물질: TMS ; 용매: CD3CN): 1.34 tm (CH3); 2.17 m (2CH2); 2.27 s (CH3); 3.38 q (CH2); 3.47 m (2CH2); J3 H,H = 7.3 Hz
실시예 3
Figure 112005030813183-pct00023
20 cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 2.05 g (29.2 mmol) 의 RbF 및 8.43 g (29.6 mmol) 의 CF3SO2N(CF3)2 로부터 제조된 6.93 g (29.2 mmol) 의 Rb+N(CF3)2 -용액을 실온에서 교반하면서, 15 cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 6.50 g (29.1 mmol) 의 N-부틸피리디늄 테트라플루오로보레이트 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 15 분간 교반하고, 침전된 RbBF4 를 여과해내고 건식 아세토니트릴 (2 x 5 cm3) 로 세척하였다. 1.4 Pa 의 진공 하에 아세토니트릴을 제거하고 잔류물을 60-65℃ 에서 감압 하에 2 시간 동안 건조시켜, 8.28 g 의 오일 유사 물질을 수득하였다.
N-부틸피리디늄 비스(트리플루오로메틸)이미드, [CgH14N]+N(CF3)2 - 의 수율은 98.7% 였다.
19F-NMR (기준물질: CCl3F; 용매: CD3CN): -36.23 s
1H-NMR (기준물질: TMS ; 용매: CD3CN): 0.95 t (CH3); 1.38 m (CH2); 1.96 m (CH2); 4.59 t (CH2); 8.06 m (20H); 8.54 tt (OH); 8.92 dm (20H); J3 H,H = 7.3 Hz; J3 H,H = 7.5 Hz; JH,H = 7.9 Hz; JH,H = 1.3 Hz
실시예 4
Figure 112005030813183-pct00024
25 cm3 의 건식 디메틸포름아미드 중의 1.90 g (32.7 mmol) 의 분무 건조된 칼륨 플루오라이드 KF 및 9.14 g (32.1 mmol) 의 CF3SO2N(CF3)2 로부터 제조된 K+ N(CF3)2 - 용액을 실온에서 교반하면서 10 cm3 의 건식 디메틸포름아미드 중의 6.28 g (31.7 mmol) 의 1-에틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트의 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 15 분간 교반하고, 이어서 얼음조 (ice bath) 를 사용하여 냉각시켰다. 침전시킨 KBF4 를 여과하고 건식 디메틸포름아미드 (10 cm3) 로 세척하였다. 30-35℃ 에서 1.3 Pa 의 진공 하에 용매를 제거하였다. 침전물로부터 액체를 분리하여, 7.8 g 의 적황색 오일 유사 물질을 수득하였다.
1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸)이미드, [C6H11N2]+ N(CF3)2 - 의 수율은 93.5% 였고 순도 (19F-NMR 측정에 따른) 는 86.5% 였다.
순도를 향상시키기 위해, 실온에서 상기 염을 10cm3 의 건식 아세토니트릴에 용해시키고 8 cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 1.35 g (5.7 mmol) 의 Rb+ N(CF3)2 - 의 용액으로 처리하였다. 침전시킨 RbBF4 를 여과하고 건식 아세토니트릴 (5 cm3) 로 세척하였다. 30-35℃ 에서 1.3 Pa 의 진공 하에 아세토니트릴을 제거하여, 순도 98% 의 7.8 g 의 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸)이미드, [C6H11N2]+ N(CF3)2 - 를 수득하였다.
19F-NMR (기준물질: CCl3F; 용매: CD3CN): -36.41 s
1H-NMR (기준물질: TMS ; 용매: CD3CN): 1.45 t(CH3); 3.84 s (CH3); 4.18 q (CH2); 7.40 t (OH); 7.46 t (OH); 8.92 br. s (OH); J3 H,H = 7.3 Hz; JH,H = 1.8 Hz
실시예 5
Figure 112005030813183-pct00025
5 cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 0.303 g (2.9 mmol) 의 루비듐 플루오라이드 RbF 및 0.83 g (2.9 mmol) 의 CF3SO2N(CF3)2 로부터 제조된 0.69 g (2.9 mmol) 의 Rb+ N(CF3)2 - 용액을 -35 내지 -38℃ 에서 교반하면서, 10cm3 의 건식 아세토니트릴 중의 0.71 g (2.9 mmol) 의 N-에틸벤조티아졸륨 브로마이드의 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 -35 내지 -38℃ 에서 15 분간 교반하고, 이어서 침전된 RbBr 을 상기 온도에서 여과하고 건식 아세토니트릴 (2 x 5 cm3) 로 세척하였다. 잔류물은 0.48 g 의 루비듐 브로마이드 (질산은을 갖는 양성 시료 및 1H 및 9F NMR 스펙트럼 내에 시그널이 없음). 저온 (-30℃) 에서의 아세토니트릴 용액의 NMR-분광 조사는 N-에틸벤조티아졸륨 비스(트리플루오로메틸)이미드의 형성을 나타냈다.
19F-NMR (기준물질: CCl3F; 용매: CD3CN): -39.15 s

Claims (24)

  1. 비스(트리플루오로메틸)이미드 음이온, N(CF3)2 - 을 갖고, 포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온을 갖는, 하기 화학식 1 의 염:
    [화학식 1]
    Figure 112012040271360-pct00026
    [식 중,
    Figure 112012040271360-pct00037
    는 하기 군으로부터 선택됨:
    Figure 112012040271360-pct00038
    {여기서,
    R1, R2 = -H (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
    탄소수 1-20 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬,
    탄소수 2-20 및 하나 이상의 이중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알케닐,
    탄소수 2-20 및 하나 이상의 삼중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알키닐, 또는
    탄소수 3-7 의 포화, 부분 또는 완전 불포화 시클로알킬이고,
    여기서 R2 는 각 경우 동일하거나 상이하고,
    여기서 R2 는 단일 또는 이중 결합에 의해 서로 쌍으로 연결될 수 있고,
    여기서 R1 은 할로겐으로 치환될 수 있고,
    여기서 하나 이상의 R2 은 할로겐으로 부분 또는 완전 치환될 수 있는데,
    단, 모든 R2 및 R1 이 완전 할로겐화되는 것은 아니다}].
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 따른 염의 제조 방법에 있어서, 극성 유기 용매 중에서 화학식 DF (식 중, D 는 알칼리 금속의 군으로부터 선택됨) 의 알칼리 금속 플루오라이드를 RFSO2N(CF3)2 또는 RFC(O)N(CF3)2 (식 중, RF = F 또는 CpF2p+1, p = 1 - 8) 및 하기 화학식 4 의 염과 반응시키고, 상기 반응이 단단계 (one-pot) 반응으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법:
    [화학식 4]
    Figure 112012040271360-pct00032
    [식 중,
    E- = F-, Cl-, Br-, I-, BF4 -, Cl04 -, AsF6 -, SbF6 -, SbCl6 -, PF6 -, RFSO3 -, FSO3 -, (RF)2P(O)O-, RFP(O)2O-, RSO3 -, ROSO3 -, 1/2SO3 2-, CN-, SCN-, RFC(O)O-, RC(O)O-, 2,4-디니트로페놀레이트 및 2,4,6-트리니트로페놀레이트 (여기서, RF 은 과플루오르화 C1 내지 C8-알킬기이고, R = C1 내지 C8-알킬기임) 이고,
    Figure 112012040271360-pct00039
    는 하기 군으로부터 선택됨:
    Figure 112012040271360-pct00040
    {여기서,
    R1, R2 = -H (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
    탄소수 1-20 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬,
    탄소수 2-20 및 하나 이상의 이중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알케닐,
    탄소수 2-20 및 하나 이상의 삼중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알키닐, 또는
    탄소수 3-7 의 포화, 부분 또는 완전 불포화 시클로알킬이고,
    여기서 R2 는 각 경우 동일하거나 상이하고,
    여기서 R2 는 단일 또는 이중 결합에 의해 서로 쌍으로 연결될 수 있고,
    여기서 R1 은 할로겐으로 치환될 수 있고,
    여기서 하나 이상의 R2 은 할로겐으로 부분 또는 완전 치환될 수 있는데,
    단, 모든 R2 및 R1 이 완전 할로겐화되는 것은 아니다}].
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서, 사용되는 알칼리 금속 플루오라이드가 KF 또는 RbF 인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 반응이 -40℃ 내지 80℃ 의 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 반응이 아세토니트릴, 디메톡시에탄, 디메틸포름아미드 및 프로피오니트릴 군으로부터 선택된 극성 유기 용매 중에서 일어나는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 삭제
  17. 제 11 항에 있어서, E- = F- 인 경우 반응이 알칼리 금속 플루오라이드 DF 의 첨가 없이 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 11 항에 있어서, 반응을 위한 출발 물질이 서로 등몰비로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 1 항에 있어서, 이온액으로 사용되는 염.
  20. 제 1 항에 있어서, 비수성 전해질로 사용되는 염.
  21. 제 1 항에 있어서, N(CF3)2 -기의 도입용 시약으로 사용되는 염.
  22. 제 1 항에 있어서, 상-전이 (phase-transfer) 촉매로 사용되는 염.
  23. 제 1 항에 있어서,
    R1 이 탄소수 1-6 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬이고;
    R2 가 각각 독립적으로, -H (단, 양으로 하전된 헤테로원자에 대한 결합이 없음),
    탄소수 1-6 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬, 또는
    부분적으로 퍼플루오르화된 탄소수 1-6 의 직쇄 또는 분지쇄 알킬인 염.
  24. 제 1 항 또는 제 23 항에 있어서,
    포화, 부분 또는 완전 불포화 헤테로시클릭 양이온이 하기 군으로부터 선택되는 염:
    Figure 112012040271360-pct00041
    (여기서, R1 및 R2 는 제 1 항 또는 제 23 항에서 정의된 바와 같음).
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