KR101207487B1 - 차단틀 및 그 제조방법 - Google Patents
차단틀 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101207487B1 KR101207487B1 KR1020110055690A KR20110055690A KR101207487B1 KR 101207487 B1 KR101207487 B1 KR 101207487B1 KR 1020110055690 A KR1020110055690 A KR 1020110055690A KR 20110055690 A KR20110055690 A KR 20110055690A KR 101207487 B1 KR101207487 B1 KR 101207487B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- frame
- welding
- shaped
- substrate
- blocking
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 11
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/12—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating the heat being generated by friction; Friction welding
- B23K20/122—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating the heat being generated by friction; Friction welding using a non-consumable tool, e.g. friction stir welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/24—Preliminary treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/26—Auxiliary equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
- B23K26/24—Seam welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
- B23K26/24—Seam welding
- B23K26/26—Seam welding of rectilinear seams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K28/00—Welding or cutting not covered by any of the preceding groups, e.g. electrolytic welding
- B23K28/02—Combined welding or cutting procedures or apparatus
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/18—Sheet panels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
- B23K2103/10—Aluminium or alloys thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
차단틀 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 차단틀은 광 반도체 프로세스에서 유리 기판을 고정하는데 쓰이고, 상기 차단틀과 상기 유리 기판을 지지하는 베이스는 서로 감합(嵌合)하여 상기 유리 기판을 고정하며, 여기서 상기 차단틀은 복수개의 틀모양 부재 및 용접부를 구비하고, 상기 복수개의 틀모양 부재는 용접부에 접합하여 상기 차단틀을 형성한다. 상기 차단틀 및 그 제조방법은 기재의 이용율을 제고할 수 있고, 기재의 낭비를 피할 수 있으며, 제조코스트를 줄일수 있다.
Description
본 발명은 차단틀 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 접합방식을 이용하여 실현하는 차단틀 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 광 반도체 프로세스에서, 유리 기판이 방해를 받아 프로세스의 순리로운 진행에 영향을 미치는 것을 피하기 위하여, 유리 기판에 전자회로 모듈을 제조할 때, 유리 기판을 고정해야 한다. 일반적으로 유리 기판의 크기와 비슷한 중공(中空)형의 틀(frame)을 그 위에 커버하여 고정하는데, 중공(中空)부분으로 노출된 구역이 유리 기판에 프로세스를 진행하는 구역이고, 상기 중공(中空)형의 틀(frame)을 일반적으로 차단틀（Sha dow Frame）이라 부른다.
아래에 반도체 프로세스에서 자주 쓰는 설비 － 플라즈마 보조 화학기상침적（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）설비를 예로 들어, 차단틀의 작용에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1은， 일반적인 플라즈마 보조 화학기상 증착 설비(1)의 장치 개약도를 나타낸다. PECVD설비(1)에서, 산광판（Diffuser）(12) 및 가열판（Susceptor）(14)을 두 전극으로 한다. 화학기상 침적을 진행 할 경우, 기체를 입구(11)로부터 도입하여, 균열（均熱）판 (17)을 통해 온도를 상승시킨 후, 산광판(12)의 복수개의 구멍을 통과시킨다. 산광판(12)과 가열판(14) 사이의 전압차는 기체를 이온화하여 플라즈마(16)를 형성하여 유리 기판(10)에 막으로 침적하며, 나머지 기체는 출구(19)를 통하여 배출된다.
도 2는, 도 1중의 유리 기판(10), 가열판(14) 및 차단틀(20)의 조립 개약도, 즉 도 1의 왼쪽 아래측 부분의 점선으로 이루어진 원형부분을 확대한 개약도를 나타낸다. 도 3은， 도 2에서의 차단틀(20)의 부시도를 나타낸다. 在PECVD 프로세스 진행중에서， 유리 기판(10)을 우선 가열판(14)에 위치시키고, 차단틀(20)로 덮는다. 차단틀(20)내측의 가장자리로 유리기판(10)을 막아 누르고, 차단틀(20)의 네개 변의 결합체（25）와 가열판(14)의 팁（미도시）을 서로 감합（嵌合）시킴으로써, 유리 기판(10)을 고정시킨다.
도4a 내지 도4c를 참조하여, 아래와 같이 종래의 차단틀 및 그 제조방법을 예로 들어 설명한다.
우선, 도4a에 도시한 바와 같이, 기재（40）를 제공하는데, 그 재질은 알루미늄이고, 알루미늄은 밀도가 작기 때문에, 쉽게 이동시킬 수 있는 장점이 있다. 이어서, 도4b에 도시한 바와 같이, 기판（40）의 중앙범위（42）（점선으로 에워싸인 구역）을 잘라 버리여, 기재40의 주변 부분만 남기며, 그 잘라 버린 범위는 적당한 설계를 거쳐, 차단틀의 사이즈 요구에 부합된다. 마지막으로, 도4c에 도시한 바와 같이, 절단이 완료되면 곧 차단틀44의 틀모양이 만들어 진다.
종래의 기술에 따른 차단틀의 틀모양은 일체성형한 구조로서, 틀모양에 단면이나 접합면은 없으나, 기재의 중심부분을 절단하는 방식을 이용하므로 인하여, 대면적의 기재 낭비를 조성하고, 제조코스트가 상승하며, 이러한 정황은 유리 기판의 사이즈가 클수록 더욱 현저하다.
패널공장이 발전하는 과정에서, 사용하는 유리 기판의 면적은 갈수록 커지고, 차단틀의 크기는 유리기판에 맞추어 설계하는 것으로써, 큰 사이즈 차단틀의 수요도 갈수록 높아진다. 현재 패널공장에서 사용하는 차단틀을 예로 들면, 제８대로 패널공장에서 사용하는 차단틀의 사이즈는 2800×2400mm이고, 제 １０대로 패널공장에서 사용하는 차단틀의 사이즈는 3300×3000mm로서, 차단틀의 사이즈에 대한 요구도 따라서 올라가고, 종래의 기술에 따른 차단틀의 제조방식으로 대량 생산할 경우, 기재의 낭비가 현저하며, 따라서 제조코스트도 대폭 증가하게 된다．
본 발명의 주요 목적은 기재의 이용률을 상승시키고, 기재의 낭비를 피하여, 제조코스트를 줄이는 차단틀 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서 차단틀을 제공하는데，상기 차단틀은 광 반도체 프로세스에서 유리 기판을 고정하는데 쓰이며, 상기 차단틀과 상기 유리기판을 지지하는 베이스가 서로 감합하여 상기 유리 기판을 고정하며, 여기서， 상기 차단틀은 복수개의 틀모양 부재 및 용접부를 구비하고, 상기 복수개의 틀모양 부재는 용접부에서 서로 접합하여 상기 차단틀을 형성한다.
여기서, 상기 틀모양 부재들 중 하나는 하나의 장변 및 하나의 단변을 구비하고, 상기 용접부는 상기 장변 또는 상기 단변에 위치한다.
여기서, 상기 틀모양 부재들 중 하나가 사변을 구비하고, 상기 용접부는 상기 사변에 위치한다.
여기서, 상기 용접부는 톱니모양의 용접면을 구비한다 .
여기서, 상기 틀모양 부재들은 막대기 형, 사다리형 및 L자형 틀모양 부재로 이루어진 그룹에서 선택한 것이다.
한면으로, 본 발명은 차단틀의 제조방법을 제공하는데, 광 반도체 프로세스에서 유리 기판을 고정하는데 쓰이며, 상기 차단틀은 상기 유리 기판을 지지하는 베이스와 서로 감합하여 상기 유리 기판을 고정하는 차단틀의 제조방법은, 기재를 제공하는 단계； 상기 기재를 절단하여 복수개의 적당한 사이즈의 틀모양 부재를 형성하는 단계； 및 상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하여， 서로 접합하여 상기 차단틀을 형성하도록 하는 단계를 포함한다．
여기서, 상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하는 단계에서, 마찰 교반 용접법（Friction Stir Welding,FSW） 또는 레이저 보조 마찰 교반 용접법（Laser Assisted Friction Stir Welding,LAFSW）을 사용한다.
여기서, 상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하는 단계의 후에, 상기 차단틀의 응력을 해제하는 단계를 더 포함한다.
여기서, 상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하는 단계의 후에,상기 차단틀에 대해 양극산화처리를 진행하는 단계를 더 포함한다.
여기서, 상기 기재를 절단하는 단계에서, 상기 기재를 막대기 형, 사다리형, L자형, 또는 상기 각종 모양의 조합의 틀모양 부재로 절단한다.
본 발명은 전체 기재를 모두 사용할 수 있어서, 기재의 이용률을 상승시킬 수 있고, 차단틀을 제조할 때 필요한 고비용과 기재의 낭비를 줄일 수 있으며, 용접방식을 사용하여 틀모양 부재를 접합할 경우, 그 용접 강도도 차단틀 구조의 강도의 표준에 달할 수 있다. 그외에도, 본 발명은 특별 사이즈의 기재를 주문 제작하는데 필요한 비용을 절약할 수 있다.
도1은 일반적인 플라즈마 보조 화학 기상 증착 설비의 장치개약도를 나타낸다.
도 2는, 도1에서의 유리 기판, 가열판 및 차단틀의 조립 개약도를 나타낸다.
도 3은 도2에서의 차단틀의 부시도를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4c는 종래기술의 차단틀 제조방법의 간단한 흐름도를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 차단틀 제조방법의 간단한 흐름도를 나타낸다.
도 6a내지 도 6d는 본 발명에 따른 차단틀의 구조 개약도를 나타낸다.
도 7은 본 발명에 따른 톱니모양의 용접면을 구비한 차단틀의 구조 개약도를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 차단틀 제조방법의 흐름도를 나타낸다.
도 2는, 도1에서의 유리 기판, 가열판 및 차단틀의 조립 개약도를 나타낸다.
도 3은 도2에서의 차단틀의 부시도를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4c는 종래기술의 차단틀 제조방법의 간단한 흐름도를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 차단틀 제조방법의 간단한 흐름도를 나타낸다.
도 6a내지 도 6d는 본 발명에 따른 차단틀의 구조 개약도를 나타낸다.
도 7은 본 발명에 따른 톱니모양의 용접면을 구비한 차단틀의 구조 개약도를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 차단틀 제조방법의 흐름도를 나타낸다.
아래에, 도면과 결합하여 본 발명이 제공하는 차단틀 및 그 제조방법의 실시방식에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 기재를 적당한 크기의 몇개 부재로 절단하고 이러한 부재들을 접합하여 차단틀의 틀모양을 형성함으로써, 기재를 충분히 이용하여 기재의 낭비로 인한 코스트 상승의 문제를 피할 수 있다.
아래에, 본 발명의 차단틀 제조방법의 개념에 대하여 간단히 설명한다.
우선, 도5a에서 도시한 바와 같이, 기재（50）를 제공하고, 그 재질은 알루미늄재이며, 기재（50）의 사이즈를 특별히 제한할 필요가 없고 적당한 크기의 사이즈면 된다.
이어서, 도5b에 도시한 바와 같이, 기재（50）를 절단하는데, 예를 들면, 구형(矩形)의 기재（50）를 네개 부분으로 절단하고, 매개 부분이 막대기형이며, 이러한 부분은 차단틀로 조합하기 위한 틀모양 부재（542）로서, 각 틀모양 부재（542）의 사이즈는 차단틀의 사이즈 요구에 따라 설계한 것이다.
그 다음, 도5c에서 도시한 바와 같이, 각 틀모양 부재（542）를 용접하여, 서로 접합되도록 하여 차단틀(54)을 형성하는데, 인접한 틀모양 부재（542）가 용접접합한 것이기 때문에, 그 사이에 용접면 또는 용접부（544）을 형성하게 된다.
본 발명은 기재를 유효하게 이용할 수 있고, 기재 전체를 모두 사용할 수 있어서, 기재의 이용률을 높일 수 있으며, 일체성형의 방식을 이용하여 차단틀을 제조할 때 잇따른 고비용과 기재의 낭비를 개선시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 기재의 사이즈 제한을 받지 않고, 작은 기재를 사용하여 여러번 용접접합하여 큰 사이즈의 차단틀을 구성할 수도 있으므로, 특별 사이즈의 기재를 주문 제작하는데 필요한 비용을 절약할 수 있다.
본 발명의 틀모양 부재（542）는 여러가지 모양일 수가 있는데, 예를 들면, 막대기 형, 사다리형 및 L자형 등이 있다. 용접부（544）는 각 틀모양 부재（542）의 인접하는 변에 형성하며, 틀모양 부재（542）가 장변 및 단변을 구비할 경우, 용접부（544）는 장변 또는 단변에 형성할 수 있고, 틀모양 부재（542）가 사변을 구비할 경우, 용접부（544）는 사변에 위치할 수 있다.
도5c에 도시한 바와 같이, 각 틀모양 부재（542）는 모두 구형이고, 그중 좌 우 두개의 틀모양 부재（542）의 장변과 중간 두개의 틀모양 부재（542）의 단변을 서로 용접하여, 적어도 하나의 틀모양 부재（542）가 한개 장변에 두개의 용접부（544）를 구비하고, 또는 적어도 하나의 틀모양 부재（542）가 두개의 단변에 모두 용접부（544）를 구비한다. 이러한 구조는 절단하는 방식을 간소화할 수 있고, 구조가 안정하며，차단틀（54）의 강도 요구에 부합된다.
도6a에 도시한 바와 같이, 각 틀모양 부재（542）는 모두 구형이고, 그중 각 틀모양 부재（542）의 장변은 인접하는 틀모양 부재（542）의 단변과 서로 용접하고, 각 틀모양 부재（542）의 단변은 인접하는 틀모양 부재（542）의 장변과 서로 용접하여, 적어도 하나의 틀모양 부재（542）가 하나의 장변 및 하나의 단변에 용접부（544）를 구비한다.
도6b에 도시한 바와 같이, 각 틀모양 부재（542）는 모두 사다리형이고 , 그중 인접하는 틀모양 부재（542）는 모두 사변에서 서로 용접하여, 적어도 하나의 틀모양 부재（542）가 사변에 용접부（544）를 구비한다.
도6c에 도시한 바와 같이, 각 틀모양 부재（542）는 모두 L자형이고, 그중 각 틀모양 부재（542）의 머리와 꼬리는 인접하는 틀모양 부재（542）와 서로 용접하여, 적어도 하나의 L자형 틀모양 부재（542）는 그 머리부분 또는 꼬리부분에 용접부（544）를 구비한다.
도6d에 도시한 바와 같이, 두개의 틀모양 부재（542）는 L자형이고, 또 다른 두개의 틀모양 부재（542）는 막대기 형이며, 그중 막대기 형 틀모양 부재（542）의 장변 및 단변은 L자형 틀모양 부재（542）의 머리부분 또는 꼬리부분과 서로 용접하며, 따라서 적어도 하나의 막대기 형 틀모양 부재（542） 및 하나의 L자형 틀모양 부재는 인접하는 변에 용접부（544）를 구비한다.
도7에 도시한 바와 같이, 두개의 인접하는 틀모양 부재（542）의 용접부（544）는 톱니모양을 구비한 용접면일 수 있으며, 톱니모양의 용접면이 큰 용접면적을 구비하기 때문에 용접강도를 상승시킬 수 있다. 이 톱니모양의 용접면을 상술한 차단틀의 구조에 실시하거나, 또는 기타 구조의 차단틀에 응용 할 수 있다.
본 발명에서, 용접부（544）는 사선의 방식을 취할 수 있으며, 직선의 방식에 제한하지 않는다.
본 발명에서, 차단틀（54）의 틀모양 부재（542）을 구성함에 있어서 한가지 모양에 제한되지 않고, 크기가 다른 틀모양 부재（542） 및 모양이 다른 틀모양 부재（542）도 차단틀（54）의 집합체를 구성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 하나의 기재（50）를 네개의 틀모양 구조（542）로 절단하여 하나의 틀（54）로 조합하는 방식에 제한하지 않고, 두개의 기재（50）를 제공하여, 매개의 기재（60）를 6개의 틀모양 구조（542）로 절단하여 세개의 차단틀（54）로 조합할 수도 있고, 기타 절단방식 또는 조합방식도 본 발명에 응용할 수 있다.
아래에, 도8을 참조하여 본 발명에 따른 차단틀의 제조방법에 대하여 설명한다.
단계S100：우선 기재를 제공하고, 알루미늄을 그 재료로 사용하며, 알루미늄의 밀도가 낮으므로, 쉽게 옮길 수 있는 장점을 가지여, 특히 유리 기판을 고정하는 기능을 가지는 차단틀을 제조하는데 적합하며, 광 반도체 프로세스에서 큰 사이즈 패널을 제조하는데 특히 적합하다. 기재의 사이즈는 특별히 제한할 필요가 없고, 적당한 크기의 사이즈면 된다.
단계S102：이어서, 차단틀의 사이즈 요구 및 제공한 기판의 사이즈에 따라, 각 틀모양 부재의 크기를 결정하며,절단후의 틀모양 부재의 크기가 요구에 맞도록 기판을 절단한다.
단계S104： 단계S102에서 절단한 틀모양 부재에 대하여 용접하여 서로가 접합하여 차단틀을 형성하도록 한다. 이 용접단계에서, 아래와 같은 몇가지 용접방식을 사용할 수 있다.（1）불활성가스 텅스텐 아크용접（Tungsten Inert Gas Welding, TIG Welding），（2）레이저 용접（Laser Welding），（3）마찰교반용접（Friction Stir Welding,FSW）, 여기서 마찰교반용접은 고상접합 방식으로서, 그는 압력을 통하여 용접하려는 대상의 표면을 긴밀하게 접촉하도록 하고, 마찰을 통하여 금속이 매우 높은 온도로 가열되도록 하며, 교반 연결장치에 의한 기계적 혼합하에 견고한 연결장치를 형성한다. 마찰교반용접은 전통적인 용접방식에 비하여 많은 장점이 있는데, 예를 들면 용접 틈새의 변형이 작고, 금이나 기공과 같은 용접결함이 없으며, 용접과정에서 다른 용접재료가 필요하지 않고, 환경에 대한 오염이 없는 등 장점이 있다.마찰교반용접은 알루미늄, 마그네슘, 납, 아연, 구리 및 그 합금 등 동종 또는 이종 재료에 특히 적합하며, 용접 입열량이 적고, 기다란 박판 대상의 용접후의 변형이 작기 때문에, 용접후의 교정 프로세스를 생략할 수 있다. 이 용접단계에서, 레이저 보조 마찰교반용접（Laser Assisted Friction Stir Welding, LAFSW）을 사용할 수도 있는데, 상기 방법은 먼저 레이저의 에너지를 사용하여 대상을 가열하고, 마찰교반용접을 진행하기 때문에, 자그마하게 교반 운동 에너지를 제공할 수 있으므로, 교반 용접연결장치(soldered joint)의 마모를 줄일 수 있다.
단계S108：이어서, 차단틀 틀모양에 대하여 정밀한 기계적 가공, 예를 들면 용접한 찌꺼기를 처리하거나, 틀모양의 표면에 대하여 그라인딩 및 단면교정 등을 진행한다.
단계S106 및 단계S110： 단계S104 및 단계S106의 후에, 응력을 해제하는 단계를 진행할 수 있다. 용접이나 기계적 가공을 진행할 때, 틀모양 부재 또는 전체 틀모양의 내응력을 불평형하게 할 수 있는데, 이때 진동 또는 가열하는 방식으로 부속품 내부의 응력을 해제시킬 수 있다.
단계S112： 차단틀 전체를 산액((酸液) 도금탱크에 넣어 양극 산화처리를 진행한다. 차단틀의 기재가 알루미늄일 경우, 양극산화처리 후 차단틀 표면에 산화 알루미늄층을 형성하는데, 이는 차단틀을 보호하여 프로세스중에서 이온 충격이 일으키는 표면파괴를 줄일 수 있다.
단계S114：마지막으로, 차단틀을 세정하여 검출하는데, 차단틀의 구조상 결함 여부를 검출하고 그 용접강도가 표준에 달하는지를 테스트한다.
단계S116：검출을 통과한 차단틀은 차단틀의 제작을 완료하고, 통과하지 못하면 완수（完修）하거나 또는 도태해야 한다.
상기에서 서술한 바와 같이, 본 발명은 바람직한 실시예로 상기와 같이 보여주었지만, 이는 본 발명을 제한하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면, 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않으면서 여러가지 변동과 변경을 할 수 있으므로, 본 발명의 보호범위는 아래에 첨부한 특허청구의 범위를 기준으로 한다.
Claims (10)
- 광 반도체 프로세스에서 유리 기판을 고정하는데 사용되는 차단틀에 있어서,
상기 차단틀과 상기 유리 기판을 지지하는 베이스를 서로 감합하여 상기 유리 기판을 고정하며,
상기 차단틀은 복수개의 틀모양 부재 및 용접부를 구비하며, 상기 복수개의 틀모양 부재는 용접부에서 서로 접합하여 상기 차단틀을 형성하는 것을 특징으로 하는 차단틀. - 제1항에 있어서,
상기 복수개의 틀모양 부재 모두가 하나의 장변 및 하나의 단변을 구비하며, 상기 용접부가 상기 장변 장변 또는 상기 단변에 위치하는 것을 특징으로 하는 차단틀. - 제1항에 있어서,
상기 복수개의 틀모양 부재 모두가 사변을 구비하며, 상기 용접부가 상기 사변에 위치하는 것을 특징으로 하는 차단틀. - 제1항에 있어서,
상기 용접부가 톱니모양의 용접면을 구비하는 것을 특징으로 하는 차단틀. - 제1항에 있어서,
상기 복수개의 틀모양 부재는 막대기 형, 사다리형 및 L자형 틀모양 부재로 조성된 그룹에서 선택하는 것을 특징으로 하는 차단틀. - 광 반도체 프로세스에서 유리 기판을 고정하는데 사용되는 차단틀의 제조방법에 있어서,
상기 차단틀과 상기 유리 기판을 지지하는 베이스가 서로 감합하여 상기 유리 기판을 고정하며,
기재를 제공하는 단계;
상기 기재를 절단하여 복수개의 적당한 크기의 틀모양 부재를 형성하는 단계；및
상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하여, 서로 접합하여 상기 차단틀을 형성하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차단틀의 제조방법. - 제 6항에 있어서,
상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하는 단계에서, 마찰교반용접법 또는 레이저 보조 마찰교반용접법을 이용하는 것을 특징으로 하는 차단틀의 제조방법. - 제 6항에 있어서,
상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하는 단계 후에, 상기 차단틀에 대한 응력을 해제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차단틀의 제조방법. - 제 6항에 있어서,
상기 복수개의 틀모양 부재를 용접하는 단계 후에, 상기 차단틀에 대해 양극산화처리를 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차단틀의 제조방법. - 제 6항에 있어서,
상기 기재를 절단하는 단계에서, 상기 기재를 막대기 형, 사다리형, L자형 또는 상기 모양들의 조합의 틀모양 부재로 절단하는 것을 특징으로 하는 차단틀의 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN099118749 | 2010-06-09 | ||
| TW099118749A TW201145440A (en) | 2010-06-09 | 2010-06-09 | Shadow frame and manufacturing method thereof |
| TW099118749 | 2010-06-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110134854A KR20110134854A (ko) | 2011-12-15 |
| KR101207487B1 true KR101207487B1 (ko) | 2012-12-03 |
Family
ID=45095599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110055690A KR101207487B1 (ko) | 2010-06-09 | 2011-06-09 | 차단틀 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110304086A1 (ko) |
| KR (1) | KR101207487B1 (ko) |
| TW (1) | TW201145440A (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10676817B2 (en) * | 2012-04-05 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Flip edge shadow frame |
| US20140251216A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Qunhua Wang | Flip edge shadow frame |
| WO2013151786A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Applied Materials, Inc. | Flip edge shadow frame |
| US20140250658A1 (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-11 | Applied Materials, Inc. | Vacuum chambers and components for semiconductor substrate processing and methods of fabrication |
| TWI491758B (zh) * | 2013-05-14 | 2015-07-11 | Global Material Science Co Ltd | 用於光電半導體製程的沉積設備及其遮覆框 |
| WO2015116244A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Applied Materials, Inc. | Corner spoiler for improving profile uniformity |
| WO2015116245A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Applied Materials, Inc. | Gas confiner assembly for eliminating shadow frame |
| US10266947B2 (en) | 2016-08-23 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Rotary friction welded blank for PECVD heated showerhead |
| CN107195580B (zh) * | 2017-05-23 | 2023-05-05 | 商洛学院 | 一种可在不同衬底块同步生长的两用mocvd衬底架托盘结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003324075A (ja) | 2002-04-25 | 2003-11-14 | Applied Materials Inc | 半導体装置用桟付きシャドウフレーム |
| US20060011137A1 (en) | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with mask panels |
| KR100875183B1 (ko) | 2002-04-26 | 2008-12-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학기상증착 장치 및 증착 방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2263037A (en) * | 1940-01-31 | 1941-11-18 | Gits Molding Corp | Method of and die for molding picture frames |
| US3138887A (en) * | 1962-05-23 | 1964-06-30 | Columbia Metal Frame Co | Picture frame |
| US3388491A (en) * | 1966-04-15 | 1968-06-18 | Metalcraft Corp | Large width metal picture frames and corner joint therefor |
| US3601650A (en) * | 1969-08-11 | 1971-08-24 | Zenith Radio Corp | Integrated shadow mask structure |
| US3676914A (en) * | 1970-05-01 | 1972-07-18 | Zenith Radio Corp | Manufacture of shadow mask color picture tube |
| DE3115799C2 (de) * | 1981-04-18 | 1985-05-30 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Farbauswahlelektrode für Farbfernsehröhren und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US4610636A (en) * | 1985-05-22 | 1986-09-09 | Rca Corporation | Frame centering apparatus |
| JPS6189420A (ja) * | 1985-10-11 | 1986-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子レンジのドア製造方法 |
| DE3614673A1 (de) * | 1986-04-30 | 1987-11-05 | Urban Maschinenbau | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von fensterrahmen od. dgl. |
| US4834686A (en) * | 1987-12-29 | 1989-05-30 | Zenith Electronics Corporation | Rail mapping method and apparatus |
| US5268241A (en) * | 1992-02-20 | 1993-12-07 | Electric Power Research Institute, Inc. | Multiple manifold fuel cell |
| JPH08302643A (ja) * | 1995-05-11 | 1996-11-19 | Nakabootec:Kk | 海生生物着生防止用溶解性電極の取付方法 |
| JPH09323126A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-12-16 | Nisshin Steel Co Ltd | シャドウマスクフレーム |
| DE19632415A1 (de) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Samsung Display Devices Co Ltd | Verfahren zur Herstellung von Maskenrahmen |
| US6209273B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-04-03 | Steelcase Development Inc. | Panel wall construction |
| FR2790140B1 (fr) * | 1999-02-19 | 2001-04-20 | Imphy Ugine Precision | Cadre support de masque d'ombre de tube de visualisation cathodique |
| JP2001185049A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Toshiba Corp | シャドウマスク、ブラウン管、ブラウン管の製造方法およびその製造装置 |
| WO2001064968A1 (fr) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Cadre de masque d'ecran cathodique couleur, plaque d'acier utile dans ce masque, procede de production de cette plaque, et ecran cathodique couleur dote de ce cadre |
| US6490828B1 (en) * | 2000-07-20 | 2002-12-10 | Steelcase Development Corporation | Partition wall system |
| KR100414481B1 (ko) * | 2001-04-21 | 2004-01-07 | 엘지전자 주식회사 | 칼라 음극선관용 프레임 |
| US7501161B2 (en) * | 2004-06-01 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing arcing during plasma processing |
| US7534301B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF grounding of cathode in process chamber |
| US20060207508A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Applied Materials, Inc. | Film deposition using a spring loaded contact finger type shadow frame |
| KR20070082317A (ko) * | 2006-02-16 | 2007-08-21 | 삼성전자주식회사 | 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2009297755A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Nippon Light Metal Co Ltd | 枠構造体の製造方法および枠構造体 |
-
2010
- 2010-06-09 TW TW099118749A patent/TW201145440A/zh unknown
-
2011
- 2011-03-29 US US13/075,174 patent/US20110304086A1/en not_active Abandoned
- 2011-06-09 KR KR1020110055690A patent/KR101207487B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003324075A (ja) | 2002-04-25 | 2003-11-14 | Applied Materials Inc | 半導体装置用桟付きシャドウフレーム |
| KR100875183B1 (ko) | 2002-04-26 | 2008-12-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학기상증착 장치 및 증착 방법 |
| US20060011137A1 (en) | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with mask panels |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201145440A (en) | 2011-12-16 |
| US20110304086A1 (en) | 2011-12-15 |
| KR20110134854A (ko) | 2011-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101207487B1 (ko) | 차단틀 및 그 제조방법 | |
| US6199259B1 (en) | Autoclave bonding of sputtering target assembly | |
| JP2011003730A (ja) | プラズマ処理装置用シリコンリング | |
| JP2010187054A (ja) | 圧電デバイス | |
| WO1996023085A1 (en) | Autoclave bonding of sputtering target assembly | |
| CN107570905A (zh) | 靶材组件的制造方法 | |
| KR102378968B1 (ko) | 전극용 링 | |
| JP5869560B2 (ja) | カソードユニット | |
| KR20190129878A (ko) | 전극용 링 | |
| KR101932749B1 (ko) | 박막 공정용 마스크 조립체를 위한 베이스 프레임 제조 방법 | |
| KR20190034590A (ko) | 링상 전극 | |
| JP2001168252A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TW201250810A (en) | Wafer and method of manufacturing package product | |
| WO2023059634A1 (en) | Window cavity wafers | |
| KR101334223B1 (ko) | 접착제, 히터 및 이를 이용한 히터의 제조 방법 | |
| WO1996020423A1 (fr) | Ensemble de dispositifs optiques pour isolateur optique et son procede de fabrication | |
| KR102517783B1 (ko) | 반도체 제조 공정용 또는 디스플레이 제조 공정용 프로세스 유체가 통과하는 접합부품 | |
| JP2018022866A (ja) | 電極用リング | |
| JP5721817B2 (ja) | カソード | |
| CN109564870B (zh) | 电极板 | |
| TWI809706B (zh) | 氣體擴散結構及其維修方法 | |
| TWI401769B (zh) | 遮覆框及其製造方法 | |
| TWI553814B (zh) | A multilayer element for a plasma reaction chamber and a method for manufacturing the same | |
| KR101378128B1 (ko) | 석영 유리 샌드위치 패널 제조 방법 | |
| JP6861900B1 (ja) | 光半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151113 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171113 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181015 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190820 Year of fee payment: 8 |