KR101200196B1

KR101200196B1 - 도전성 페이스트 조성물

Info

Publication number: KR101200196B1
Application number: KR20100114937A
Authority: KR
Inventors: 김삼민; 김모준; 권은미; 김병기
Original assignee: 금호석유화학 주식회사
Priority date: 2010-11-18
Filing date: 2010-11-18
Publication date: 2012-11-13
Also published as: KR20120053687A

Abstract

본 발명의 일실시예에 따르는 도전성 페이스트 조성물은 중량평균 분자량은 10,000 내지 100,000이고 유리전이온도는 5 내지 100℃인 베이스 수지와, 3관능 이상의 반응성 물질을 반응시켜 형성된 고분자 수지를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르는 도전성 페이스트 조성물은 도전성 분말 100 중량부, 베이스 수지와 3관능 이상의 반응성 물질을 반응시켜 형성된 고분자 수지 10 내지 50 중량부, 경화제 5 내지 20 중량부 및 용매 10 내지 40 중량부를 포함한다.

Description

도전성 페이스트 조성물{CONDUCTIVE PASTE COMPOSITIONS}

본 발명은 상기의 연성 기판에 적합한 우수한 굴곡성, 내용매성, 밀착성 및 도전성이 우수한 도전성 페이스트 조성물을 제공한다.

전자제품이 소형화 및 경량화되면서 개발된 연성인쇄회로기판(FPCB)은 작업성이 뛰어나고 내열성 및 내굴곡성, 내약품성이 강하여 모든 전자제품의 핵심부품으로서 카메라, 컴퓨터 및 주변기기, 휴대 전화기, 비디오 및 오디오 기기, 캠코더, 프린터, DVD, TFT LCD, 위성장비, 군사장비, 의료장비 등에서 폭넓게 사용되고 있다.

최근 비대칭 디지털 가입자선(ADSL)이 많이 보급되고 있고, 차세대 휴대폰이나 도로 교통 시스템(ITS)이 개시되는 등 전자파 차폐 대책을 필요로 하는 분야는 더욱 다양해지고 있다. 또한 소형화, 경량화 등의 추세를 보이고 있는 PC나 휴대폰, 디지털 기기의 급속한 보급은 전자 산업의 발전과 함께 전자파 장해의 위협이 지속적으로 높아지고 있다. 이러한 전자파로 인한 장해는 컴퓨터의 오동작에서부터 공장의 전소 사고에 이르기까지 다양하게 나타나고 있으며, 나아가 전자파가 인체에 부정적인 영향을 미치는 연구 결과가 지속적으로 발표되면서 건강에 대한 우려와 관심도 높아지고 있는 가운데, 선진국을 중심으로 전자파 장해에 대한 규제 강화와 대책 마련에 부심하고 있다. 따라서 다양한 전자 및 전기 제품에 대한 전자파차폐 기술은 전자파 산업의 핵심 기술 분야로 떠오르고 있으며, 도전성 페이스트는 이러한 전자파 차폐 재료로서 널리 사용되고 있다.

전자산업에도 환경에 대한 규제가 점차 강화되고, 원가 절감에 대한 요구가 높아지고 있다. 따라서 기존의 구리가 코팅된 기판에서 식각, 박리 공정을 통하여 패턴을 형성하는 습식 공정은 많은 폐액을 발생시키고, 복잡한 공정으로 인한 비용문제가 발생하였다. 하지만 최근에는 이러한 기존의 방식 대신에 도전성 페이스트를 이용하여 스크린 프린팅과 같은 단순한 인쇄공정을 통해 기재에 회로를 형성하는 연구가 진행되고 있으며, 이를 통해 공정비용을 낮추고 환경 규제에 대한 대응을 모색하고 있다. 최근에는 연성회로 기판의 적용이 확대되면서 스크린 프린팅 방식을 이용하여, 인쇄회로, 전극, 전자파 차폐 패턴 등으로 다양하게 적용되고 있어, 이러한 연성회로 기판에 적합한 도전성 페이스트의 개발이 요구되고 있다.

본 발명은 연성회로기판용 전자파 차폐제, 터치스크린용 전극, 인쇄 회로용 전극 등에 적합한 도전성 페이스트 조성물에 관한 것으로, 전기 전도성이 우수하고, 특히 내용매성과 굴곡 특성이 뛰어난 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.

본 발명의 일실시예에 따르는 도전성 페이스트 조성물은 중량평균 분자량은 10,000 내지 100,000이고 유리전이온도는 5 내지 100℃인 베이스 수지와, 3관능 이상의 반응성 물질을 반응시켜 형성된 고분자 수지를 포함한다.

본 발명의 일실시예에 따르는 도전성 페이스트 조성물은 도전성 분말 100 중량부, 베이스 수지와 3관능 이상의 반응성 물질을 반응시켜 형성된 고분자 수지 10 내지 50 중량부, 경화제 5 내지 20 중량부 및 용매 10 내지 40 중량부를 포함한다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 도전성 분말은 은, 니켈, 구리, 알루미늄, 금, 카본 블랙, 탄소나노튜브, 그래파이트, 흑연 및 그래핀 등의 도전성 물질을 포함한다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 베이스 수지의 중량평균 분자량은 10,000 내지 100,000이고, 유리전이온도는 5 내지 100℃이다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 베이스 수지는 폴리에스터 수지, 우레탄 수지, 폴리아크릴계 수지, 페녹시 수지, 에폭시계 수지 및 폴리이미드 수지 등의 수지를 포함한다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 반응성 물질은 아크릴계 화합물, 실란계 화합물, 티탄계 화합물, 에폭시계 화합물, 티올계 화합물, 아민계 화합물 및 이소시아네이트계 화합물 등의 화합물을 포함한다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 베이스 수지는 트리아세톡시(메틸)실란(triacetoxy(methyl)silane), 트리클로로(3-클로로크로필)실란(trichloro(3-chloropropyl)silane), 트리클로로(헥실)실란(trichloro(hexyl)silane), 트리에톡시(에틸)실란(triethoxy(ethyl)silane), 트리에톡시(옥틸)실란(triethoxy(octyl)silane), 비닐트리메톡시실란(vinyltrimethoxysilane), 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란(tris(2-methoxyethoxy)(vinyl)silane), (3-아미노프로필)트리스(트리메틸실록시)실란((3-aminopropyl)tris(trimethylsiloxy)silane), γ-글리시독시프로필-트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane), γ-머캅토프로필-트리메톡시실란(γ-mercaptopropyl-trimethoxysilane), 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트(isopropyl tri(dioctylphosphate) titanate), 이소프로필트리스테아릴티타네이트(isopropyl tristearyl titanate), 이소프로필 트리(도데실벤젠설포네이트)티타네이트(isopropyl tri(dodecylbenzenesulfonate) titanate), 티타늄(IV)부톡사이트(titanium (IV) butoxide) 등을 포함한다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 반응성 물질은 트리글리시딜 이소시안우레이트(triglycidyl isocyanurate), 트리글리시딜 트리멜리테이트(triglycidyl trimellitate), 트리에탄올 아민(triethanol amine), 헥사메틸올멜라민(hexamethylolmelamine), 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(trimethylol propane triacrylate), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 디펜다에리트리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexacrylate) 등을 포함한다.

본 발명의 일측에 따르면, 실리카 미립자 1 내지 5 중량부를 더 포함한다.

본 발명의 도전성 페이스트 조성물은 전기전도도가 우수한 도전성 분말을 사용하여 낮은 비저항을 구현하면서, 고분자 수지에 높은 밀도의 반응성 관능기를 형성시켜줌으로써 최종 경화도막의 경화 밀도 및 내용매성이 향상되고, 우수한 굴곡 특성을 갖는다.

이하 본 발명에 따른 복합 유황 폴리머에 대하여 자세히 설명하도록 한다. 그러나 이하의 내용들은 실시예적인 기재들이며 본 발명의 기술사상은 청구항 내용에 의하여 정의될 뿐 이하의 내용으로 제한되지 않는다.

본 발명의 일실시예에 따르는 도전성 페이스트 조성물은 중량평균 분자량은 10,000 내지 100,000이고 유리전이온도는 5 내지 100℃인 베이스 수지와, 3관능 이상의 반응성 물질을 반응시켜 형성된 고분자 수지를 포함한다. 상기 베이스 수지의 중량평균 분자량 및 유리전이온도가 상기 범위를 벗어날 경우, 플렉서블 PCB 기판 등 굴곡성을 요하는 부위에 사용될 경우 굴곡성이 현저히 떨어질 수 있다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 도전성 분말은 은, 니켈, 구리, 알루미늄, 금, 카본 블랙, 탄소나노튜브, 그래파이트, 흑연 및 그래핀 등의 도전성 물질을 포함한다. 전기전도성을 높이기 위해서, 본 발명에서는 평균입경이 2～10㎛인 편상의 은분말을 사용할 수 있다. 요구되는 전도성에 따라 구형, 침상형, 막대형의 은분말을 1종 혹은 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에 사용되는 도전성 분말의 입경과 형태는 특별히 제한을 두지 않으며, 사용되는 용도와 요구 특성에 따라 달라질 수 있다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 베이스 수지의 중량평균 분자량은 10,000 내지 100,000이고, 유리전이온도는 5 내지 100℃이다. 상기 베이스 수지는 폴리에스터계, 우레탄계, 폴리아크릴계, 페녹시계, 에폭시계, 폴리이미드계, 우레아계, 페놀계, 폴리스티렌계 등의 수지로 트리아세톡시(메틸)실란, 트리클로로(3-클로로크로필)실란, 트리클로로(헥실)실란, 트리에톡시(에틸)실란, 트리에톡시(옥틸)실란, 비닐트리메톡시실란, 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란, (3-아미노프로필)트리스(트리메틸실록시)실란, γ-글리시독시프로필-트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane), γ-머캅토프로필-트리메톡시실란, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리스테아릴티타네이트, 이소프로필 트리(도데실벤젠설포네이트)티타네이트, 티타늄(IV) 부톡사이트 등을 포함한다. 상기 베이스 수지 중 1종 또는 2종 이상의 수지를 혼합하여 사용될 수 있다. 상기 베이스 수지는 양쪽 말단기 혹은 사슬 중에 하이드록실기, 아민기, 아크릴기, 우레탄기, 우레아기, 아미드기, 에폭시기, 카르복실기 등 다양한 반응성 관능기들을 갖고 있지만, 그 밀도가 낮아 그대로 사용할 경우 최종 도막의 경화밀도가 낮아져 내용매성이 감소되는 것을 막기 위하여, 베이스 수지의 반응성 관능기의 수를 증가시키도록 3관능 이상의 관능기를 갖는 다관능성 모노머, 실란 또는 티탄계 커플링제, 다관능성 올리고머 중에서 1종 또는 2종 이상을 반응시켜 사용할 수 있다.

본 발명의 일측에 따르면, 상기 반응성 물질은 아크릴계, 실란계, 티탄계, 에폭시계, 티올계, 아민계 및 이소시아네이트계 등의 화합물로 트리글리시딜 이소시안우레이트, 트리글리시딜 트리멜리테이트, 트리에탄올 아민, 헥사메틸올멜라민, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜다에리트리톨 헥사아크릴레이트 등을 포함한다. 상기에 명시한 물질에 특별히 제한을 두지는 않으며, 이외에도 다양한 형태의 3관능 이상의 관능기를 갖는 물질이 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 고분자 수지 조성물은 1종 또는 2종 이상의 베이스 수지 혼합물, 다관능성 반응성 물질의 단량체, 용매, 촉매를 요구되는 몰비에 따라 반응 용기에 정량한 후, 반응기의 온도는 50～200℃로 유지시키고 1～10 시간 동안 교반 하면서 반응시켜 제조된다. 반응이 끝난 고분자 수지 조성물은 여과 후 도전성 페이스트 조성물에 정량하여 사용한다. 상기 반응성 물질의 함량은 10 내지 50 중량부의 비율로 사용될 수 있다.

경화제는 수지 조성물의 당량을 고려하여 투입할 수 있으며, 일액형 페이스트의 저장 안정성을 고려하여 말단기의 반응성 관능기가 블로킹되어 있는 잠재성 경화제를 요구되는 경화 온도에 따라 1종 또는 2종 이상 혼합 사용할 수 있다. 상기 경화제는 5 내지 20 중량부의 양으로 사용할 수 있다.

본 발명의 일측에 따르면, 실리카 미립자 1 내지 5 중량부를 더 포함한다. 상기에 명시된 것 이외에 도전성 페이스트 조성물의 물성 보조제로서 다양한 첨가제가 0.1 내지 5 중량부 범위 내에서 사용될 수 있다. 예를 들면 난반사와 명암비를 높이는 흑색의 전도성 안료인 카본블랙, 흑연, 탄소나노튜브, 그래핀 등을 첨가할 수 있다. 요변성을 높이기 위해서는 다양한 종류의 실리카 미립자를 첨가할 수 있다. 또한 인쇄특성을 향상시키기 위해 실리콘계, 아크릴계 소포제 또는 레벨링제를 첨가할 수 있다. 기재 밀착력을 보강하기 위해서 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 접착증진제를 포함할 수 있다. 본 발명에 사용된 은분말과 수지와의 상용성을 높이는 실란계 또는 티탄계 커플링제가 첨가될 수 있으며, 은분말의 분산효율 높이는 다양한 종류의 분산제가 첨가될 수 있다. 첨가제는 상기에 명시된 것에 국한되는 것이 아니라 이외에도 다양한 종류의 물질이 사용될 수 있다.

상기 용매로는 도전성 페이스트 조성물에 사용 가능한 것으로 알려진 임의의 용매를 특별한 제약 없이 사용할 수 있으며, 인쇄 작업성, 유동성, 점도 등을 고려하여 200℃ 미만의 저비점 용매와 200 ℃ 이상의 고비점 용매를 2종 이상 적정 혼합비로 혼합하여 사용할 수 있다. 예를 들면 에탄올, 이소프로판올, 테르피네올과 같은 알코올류, 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸카비톨아세테이트와 같은 아세테이트류, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로푸란과 같은 에테르류, 메틸에틸케톤, 아세톤, 1-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류, 헥산, 헵탄, 파라핀오일과 같은 탄화수소계, 벤젠, 톨루엔, 자일렌과 같은 방향족, 클로로포름, 메틸렌클로라이드와 같은 할로겐 치환 용매 등과 같은 일반 범용 용매를 2종 이상 혼용하여 사용할 수 있다. 상기 용매는 10 내지 40 중량부의 양으로 사용될 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.

여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야의 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.

실시예 1

반응기에 폴리에스터 수지(UE 3215, UNITIKA) 75g 과 용매 카비톨아세테이트 115g을 넣고 60℃에서 폴리에스터 수지가 완전히 녹을 때까지 교반했다. 수지가 완전히 녹으면 반응기에 3관능의 실란계 물질인 트리에톡시옥틸실란 2.6g, 촉매 디부틸틴디라울레이트 0.7g을 넣고 10시간 반응시켰다. 이렇게 합성된 수지 28g, 은분말 67g, 경화제 5g을 칭량하여 교반한 후, 3-롤-밀(3 roll mill)에 3회간 통과시켜 페이스트를 제조하였다.

실시예 2

반응기에 폴리에스터 수지(Vylon 200, TOYOBO) 75g 과 용매 카비톨아세테이트 115g을 넣고 60℃에서 폴리에스터 수지가 완전히 녹을 때까지 교반했다. 수지가 완전히 녹으면 반응기에 3관능의 실란계 물질인 트리에톡시옥틸실란 2.4g, 촉매 디부틸틴디라울레이트 0.7g을 넣고 10시간 반응시켰다. 이렇게 합성된 수지 28g, 은분말 67g, 경화제 5g을 칭량하여 교반한 후, 3-롤-밀에 3회간 통과시켜 페이스트를 제조하였다.

실시예 3

반응기에 아크릴계 수지(Neocryl B819, DSM) 75g 과 용매 카비톨아세테이트 115g을 넣고 60℃에서 폴리에스터 수지가 완전히 녹을 때까지 교반했다. 수지가 완전히 녹으면 반응기에 3관능의 실란계 물질인 트리에톡시옥틸실란 2.0g, 촉매 디부틸틴디라울레이트 0.7g을 넣고 10시간 반응시켰다. 이렇게 합성된 수지 28g, 은분말 67g, 경화제 5g을 칭량하여 교반한 후, 3-롤-밀에 3회간 통과시켜 페이스트를 제조하였다.

비교예 1

반응기에 폴리에스터 수지(UE 3215, UNITIKA) 75g 과 용매 카비톨아세테이트 115g을 넣고 60℃에서 폴리에스터 수지가 완전히 녹을 때까지 교반했다. 완전히 녹인 후, 수지 28g, 은분말 67g, 경화제 5g을 칭량하여 교반한 후, 3-롤-밀에 3회간 통과시켜 페이스트를 제조하였다.

비교예 2

반응기에 폴리에스터 수지(Vylon 200, TOYOBO) 75g 과 용매 카비톨아세테이트 115g을 넣고 60℃에서 폴리에스터 수지가 완전히 녹을 때까지 교반했다. 완전히 녹인 후, 수지 28g, 은분말 67g, 경화제 5g을 칭량하여 교반한 후, 3-롤-밀에 3회간 통과시켜 페이스트를 제조하였다.

비교예 3

반응기에 아크릴계 수지(Neocryl B819, DSM) 75g 과 용매 카비톨아세테이트 115g을 넣고 60℃에서 폴리에스터 수지가 완전히 녹을 때까지 교반했다. 완전히 녹인 후, 수지 28g, 은분말 67g, 경화제 5g을 칭량하여 교반한 후, 3-롤-밀에 3회간 통과시켜 페이스트를 제조하였다.

평가

실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3에서 제조된 페이스트를 패턴이 형성되어 있는 250 메쉬 폴리에스터 스크린 망을 통하여 폴리이미드 필름 위에 인쇄했다. 인쇄된 도막은 150℃ 열풍건조기에서 30분간 열경화 시켰다. 경화된 도막의 전기적 특성, 내굴곡성, 내용매성을 평가하여 표 1에 비교하였다.

평가항목	실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3
체적저항 [Ω?㎝]	7.6×10^-5	8.2×10^-5	1.3×10^-5	8.3×10^-5	8.7×10^-5	1.7×10^-5
내굴곡성 평가 후 저항변화 [초기×배]	2.6	3.4	2.1	5.3	5.8	4.2
내용매성 평가 후 저항 변화 [초기×배]	1.8	2.1	2.9	30 NG	30회 NG	20회 NG

1. 체적저항 측정법: 너비 1 cm, 길이 5 cm, 두께 10 ㎛ 의 도막을 PI 필름 위에 인쇄 경화 후 양쪽 말단에 단자를 찍어 저항을 측정 한 다음 체적저항으로 환산한다.

2. 내굴곡성 평가법: 너비 1cm, 길이 5 cm, 두께 10 ㎛ 의 도막을 PI 필름 위에 인쇄 경화 후, 180°로 접어 2 Kg의 추를 1분간 올려 놓는다. 앞뒤면 10회 반복 후 저항 변화를 측정한다.

3. 내용매성 평가법: 너비 1cm, 길이 5 cm, 두께 10 ㎛ 의 도막을 PI 필름 위에 인쇄 경화 후, 용매(프로필렌글리콜모노메틸에테르)에 적신 천을 테스트 시편 위에 놓고 그 위에 2 Kg의 추를 올려 1회 왕복으로 문지른 후, 표면에 남아있는 용매를 건조한다. 이와 같은 방법으로 50회 반복한 다음 저항 변화를 측정한다.

이상 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

삭제
도전성 분말 100 중량부;
중량 평균 분자량이 10,000 내지 100,000이고, 유리전이온도는 5 내지 100℃인 베이스 수지와 3관능 이상의 반응성 물질을 반응시켜 형성된 고분자 수지 10 내지 50 중량부;
경화제 5 내지 20 중량부; 및
용매 10 내지 40 중량부를 포함하는 도전성 페이스트 조성물.
제2항에 있어서,
상기 도전성 분말은 은, 니켈, 구리, 알루미늄, 금, 카본 블랙, 탄소나노튜브, 그래파이트, 흑연 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
삭제
제2항에 있어서,
상기 베이스 수지는 폴리에스터 수지, 우레탄 수지, 폴리아크릴계 수지, 페녹시 수지, 에폭시계 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수지를 포함하는 도전성 페이스트 조성물.
제2항에 있어서,
상기 반응성 물질은 아크릴계 화합물, 실란계 화합물, 티탄계 화합물, 에폭시계 화합물, 티올계 화합물, 아민계 화합물 및 이소시아네이트계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
제2항에 있어서,
상기 베이스 수지는 트리아세톡시(메틸)실란(triacetoxy(methyl)silane), 트리클로로(3-클로로크로필)실란(trichloro(3-chloropropyl)silane), 트리클로로(헥실)실란(trichloro(hexyl)silane), 트리에톡시(에틸)실란(triethoxy(ethyl)silane), 트리에톡시(옥틸)실란(triethoxy(octyl)silane), 비닐트리메톡시실란(vinyltrimethoxysilane), 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란(tris(2-methoxyethoxy)(vinyl)silane), (3-아미노프로필)트리스(트리메틸실록시)실란((3-aminopropyl)tris(trimethylsiloxy)silane), γ-글리시독시프로필-트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane), γ-머캅토프로필-트리메톡시실란(γ-mercaptopropyl-trimethoxysilane), 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트(isopropyl tri(dioctylphosphate) titanate), 이소프로필트리스테아릴티타네이트(isopropyl tristearyl titanate), 이소프로필 트리(도데실벤젠설포네이트)티타네이트(isopropyl tri(dodecylbenzenesulfonate) titanate), 티타늄(IV)부톡사이트(titanium (IV) butoxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
제2항에 있어서,
상기 반응성 물질은 트리글리시딜 이소시안우레이트(triglycidyl isocyanurate), 트리글리시딜 트리멜리테이트(triglycidyl trimellitate), 트리에탄올 아민(triethanol amine), 헥사메틸올멜라민(hexamethylolmelamine), 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(trimethylol propane triacrylate), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 디펜다에리트리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexacrylate)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
제2항에 있어서,
실리카 미립자 1 내지 5 중량부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.