KR101199953B1 - Method for forming thin film - Google Patents

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Abstract

본 발명은 원자층 박막 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 증착 방법은 반응 챔버 내의 서셉터 상에 복수개의 기판을 안착시키는 단계; 제1 가스, 제2 가스, 제3 가스, 제4 가스를 독립적으로 분사하는 가스 분사기가 소정의 시간 간격을 두고 상기 복수개의 기판 위로 순환하는 단계; 및 상기 제1 가스, 제2 가스, 제3 가스, 제4 가스를 상기 반응 챔버로 동시에 유입하여 상기 복수개의 기판 상에 증착 물질이 성막되는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 원자층 증착 방법에 따라서, 화학 기상 증착 방법이 갖는 시간당 처리할 수 있는 웨이퍼의 수량에 근접하는 생산량을 가지면서 화학 기상 증착 방법이 갖는 단점을 극복할 수 있다.The present invention relates to a method for forming an atomic layer thin film. The thin film deposition method of the present invention comprises the steps of: depositing a plurality of substrates on a susceptor in the reaction chamber; Circulating a gas injector for independently injecting a first gas, a second gas, a third gas, and a fourth gas over the plurality of substrates at predetermined time intervals; And simultaneously depositing the first gas, the second gas, the third gas, and the fourth gas into the reaction chamber to deposit a deposition material on the plurality of substrates. According to the atomic layer deposition method according to the present invention, it is possible to overcome the disadvantages of the chemical vapor deposition method while having a production amount close to the number of wafers that can be processed per hour of the chemical vapor deposition method.

원자층, 박막,전구체, 퍼지, 반응 가스, 증착, 화학 기상 증착, 웨이퍼 Atomic layer, thin film, precursor, purge, reactive gas, deposition, chemical vapor deposition, wafer

Description

박막 형성 방법 {METHOD FOR FORMING THIN FILM}Thin Film Formation Method {METHOD FOR FORMING THIN FILM}

도1은 종래 기술에 따른 원자층 박막 형성을 위한 반응기의 개략 종단면도.1 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a reactor for forming an atomic layer thin film according to the prior art;

도2는 종래 기술에 따른 원자층 박막 형성 방법을 위한 전구체, 퍼지가스 및 반응 가스의 공급을 나타내는 공정도.Figure 2 is a process diagram showing the supply of precursor, purge gas and reaction gas for the atomic layer thin film formation method according to the prior art.

도3은 본 발명에 따른 원자층 박막 형성을 위한 반응기의 개략 종단면도.3 is a schematic longitudinal sectional view of a reactor for forming an atomic layer thin film according to the present invention;

도4는 도 3에 도시된 회전형 분사 장치의 하우징과 구동축을 도시한 종단면도.Figure 4 is a longitudinal sectional view showing the housing and the drive shaft of the rotary injection device shown in FIG.

도5는 도 3에 도시된 회전형 분사 장치의 하우징을 도시한 단면사시도.FIG. 5 is a cross-sectional perspective view showing a housing of the rotatable spray device shown in FIG. 3; FIG.

도6은 도 3에 도시된 회전형 분사 장치의 구동축에 연결된 가스 분사기를 도시한 사시도.6 is a perspective view showing a gas injector connected to a drive shaft of the rotary injector shown in FIG. 3;

도7은 본 발명에 따른 원자층 박막 형성을 위한 반응기의 개략 횡단면도.7 is a schematic cross-sectional view of a reactor for forming an atomic layer thin film according to the present invention.

도8은 본 발명에 따른 원자층 박막 형성 방법을 위한 전구체, 퍼지가스 및 반응 가스의 공급 예들을 나타내는 공정도.8 is a process diagram showing examples of supplying a precursor, a purge gas and a reactant gas for the method for forming an atomic layer thin film according to the present invention.

도9a 내지 도13b는 본 발명에 따른 원자층 박막 형성 방법을 위한 전구체, 퍼지가스 및 반응 가스의 다른 공급 예들을 나타내는 공정도.9A to 13B are process diagrams showing other examples of supply of precursor, purge gas and reactant gas for the method for forming an atomic layer thin film according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 반응기 100: reactor

110: 반응 챔버 110: reaction chamber

120: 서셉터 120: susceptor

140: 가스 분사 장치 140: gas injector

146: 가스 공급관 146: gas supply pipe

156: 가스 분사기 156: gas injector

160: 배출구 160: outlet

180: 히터 180: heater

본 발명은 반도체용 박막 제조 방법의 하나인 원자층 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 기존의 원자층 증착 방법과 달리 전구체와 반응 가스를 연속적으로 반응면에 흡착시켜 박막을 형성하는 방법으로 높은 증착률을 갖지며, 상질의 원자층을 형성할 수 있는 원자층 박막 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming an atomic layer thin film, which is one of the methods for manufacturing a thin film for semiconductors. In particular, unlike the conventional atomic layer deposition method, a high deposition rate is obtained by forming a thin film by continuously adsorbing a precursor and a reaction gas to a reaction surface It has a, and relates to the atomic layer thin film formation method which can form a good atomic layer.

반도체 제조 공정에서 박막 증착 공정은 크게 물리 증착 방법과 화학 증착 방법으로 나눌 수 있다. 화학 증착 방법을 이용한 박막 형성 방법은 박막이 형성되는 하부막의 구조가 3차원 구조인 경우, 화학종들의 균일한 전달이 가능하여 물리 증착 방법에 비하여 우수한 단차 피복성(step coverage)과 함께 높은 박막 증착율을 얻을 수 있다는 장점을 갖는다. In the semiconductor manufacturing process, the thin film deposition process can be roughly divided into physical vapor deposition and chemical vapor deposition. In the thin film formation method using the chemical vapor deposition method, when the structure of the lower layer on which the thin film is formed is a three-dimensional structure, it is possible to uniformly transfer the chemical species, and have a higher step deposition rate and higher step coverage than the physical vapor deposition method. Has the advantage of being obtained.

최근의 반도체 디바이스의 고집적화 추세에 따라, 박막이 형성되는 하부막의 종횡비(aspect ratio)가 더욱 커질 뿐만 아니라 구조 자체도 더욱 복잡해지고 있다. 이와 같이, 하부 구조가 복잡해지면 하부막 안쪽 영역으로 공급되는 화학종의 물질 전달 속도가 누센 확산에 의해 지배되므로 화학종의 분자량에 반비례하여 물질 전달 속도가 결정된다. 이것은 화학종이 하부막의 전면에 고르게 퍼지기 어려워 우수한 단차 피복성을 갖는 박막을 형성하기 어렵다는 것을 의미한다. 또한 박막 형성에 필요한 반응 가스가 동시에 공급되므로, 반응가스의 반응성이 높은 경우반응 가스가 기판에 도달되기 전에 이미 기상에서의 반응을 가지게 되어 기판 상에 도달될 때에는 원하지 않는 입자로 형성된다. 따라서, 반응 소자의 집적화에 따른 기존의 화학 증착 방법의 문제점들을 개선하기 위하여, 원자층 증착 방법이 티. 선톨라(T. Suntola) 등에 의해 제안되었고, 현재 이와 관련된 많은 연구와 양산화가 진행되고 있다.With the recent trend of higher integration of semiconductor devices, not only the aspect ratio of the lower layer on which the thin film is formed is increased but also the structure itself becomes more complicated. As such, when the lower structure becomes more complicated, the mass transfer rate of the chemical species supplied to the inner region of the lower layer is controlled by NuCene diffusion, and thus the mass transfer rate is determined in inverse proportion to the molecular weight of the chemical species. This means that it is difficult to form a thin film having excellent step coverage because the species is difficult to spread evenly over the entire surface of the lower layer. In addition, since the reaction gas necessary for forming the thin film is simultaneously supplied, when the reaction gas is highly reactive, the reaction gas already has a reaction in the gaseous phase before reaching the substrate, and is formed as unwanted particles when reaching the substrate. Therefore, in order to improve the problems of the conventional chemical vapor deposition method due to the integration of the reaction device, the atomic layer deposition method is required. It has been proposed by T. Suntola et al., And a lot of research and mass production are in progress.

도 1은 종래 기술에 따라 원자층 박막을 형성하기 위한 반응기를 도시한다. 도 1에 도시된 원자층 형성용 반응기는 반응 챔버(20)와, (도시되지 않은) 웨이퍼가 안착되는 서셉터(22)와, 반응 챔버(20) 내에 반응 가스가 공급되는 가스 유입구(24)와, 챔버 내의 압력을 조절하고 반응이 완료된 가스를 배출하기 위한 배출구(26)를 포함한다. 이러한 반응기에서 웨이퍼 상에 원자층 박막을 형성하기 위하여, 먼저 서셉터(22)에 웨이퍼를 로딩한 후 공급되는 화학종의 활성을 위하여 섭씨 400 내지 500도의 온도로 유지한다. 이후, 원자층 형성용 전구체와 이의 리간드를 분해시키기 위한 반응 가스를 유입구(24)를 통하여 반응 챔버(20) 내에 순차적으로 공급한다. 반응 챔버(20) 내에 유입된 전구체 및 반응 가스는 서셉터(22) 위를 통 과하여 배출구(26)를 통하여 배출된다. 1 shows a reactor for forming an atomic layer thin film according to the prior art. The reactor for forming an atomic layer shown in FIG. 1 includes a reaction chamber 20, a susceptor 22 on which a wafer (not shown) is seated, and a gas inlet 24 through which a reaction gas is supplied into the reaction chamber 20. And an outlet 26 for adjusting the pressure in the chamber and for discharging the gas after the reaction is completed. In order to form an atomic layer thin film on the wafer in such a reactor, the wafer is first loaded on the susceptor 22 and then maintained at a temperature of 400 to 500 degrees Celsius for the activity of the chemical species supplied. Thereafter, the precursor for forming an atomic layer and a reaction gas for decomposing the ligand thereof are sequentially supplied into the reaction chamber 20 through the inlet 24. The precursor and the reactant gas introduced into the reaction chamber 20 pass through the susceptor 22 and are discharged through the outlet 26.

이때, 도 2에 도시된 바와 같이 종래 기술에 따른 원자층 형성용 반응법에서는 유입되는 전구체와 반응 가스 사이의 접촉을 방지 하기 위하여 전구체와 반응 가스는 소정의 시간차를 두고 유입된다. 즉, 전구체가 유입되고 반응 가스가 유입되기 전에 시간 차이를 두고 번갈아 공급된다는 것이다. 따라서, 전구체가 반응 챔버에 공급되어 기판 상에 전구체의 원자층이 형성된 후에 반응 가스가 챔버 내에 공급되어 이미 형성된 전구체의 원자층과 반응하여 원하는 조성의 원자층을 적층한다.At this time, in the reaction method for forming an atomic layer according to the prior art as shown in FIG. 2, the precursor and the reaction gas are introduced at a predetermined time difference to prevent contact between the precursor and the reaction gas. In other words, the precursor is introduced and alternately supplied with time difference before the reaction gas is introduced. Thus, after the precursor is supplied to the reaction chamber to form an atomic layer of the precursor on the substrate, the reaction gas is supplied into the chamber to react with the atomic layer of the precursor already formed to deposit an atomic layer of the desired composition.

이때, 응축성이 강한 전구체의 경우, 전구체가 유입되고 반응 가스가 유입되기 전에 이미 유입된 전구체의 가스를 희석 및 배출시키기 위하여 비반응 가스를 사용하여 퍼지를 행함으로써 유입되는 전구체와 반응 가스가 배출구(26) 이전의 반응 챔버(20)에서 접촉되는 것이 방지된다. 즉, 전구체의 물리적 흡착에 의한 원자층을 넘어서는 클러스터링(clustering) 및 반응 가스의 공급 후 반응에 의하여 발생되는 부산물의 잔류를 방지하기 위하여 퍼지(purge) 공정이 수반된다.At this time, in the case of a precursor having a strong condensation, the precursor and the reactant gas introduced by the unreacted gas are purged using a non-reacted gas to dilute and discharge the gas of the precursor already introduced before the precursor is introduced and the reaction gas is introduced. (26) Contact in the previous reaction chamber 20 is prevented. That is, a purge process is involved in order to prevent clustering beyond the atomic layer by the physical adsorption of the precursor and the remaining of by-products generated by the reaction after the supply of the reaction gas.

그러나, 이러한 원자층 증착 방법은 전구체와 반응 가스가 단계적으로 공급되고 퍼지 공정을 통하여 화학 증착된 원자층을 제외한 물리 흡착을 배제하는 방법이므로 기존의 화학 증착 방법에 비해 박막 증착율이 떨어지고, 퍼지 공정 후에도 전구체가 반응 챔버 내에 잔류되는 경우 원하지 않은 기상 반응이 발생되어 박막의 질이 저하되는 문제가 나타날 수 있다. 따라서, 90nm 이하의 공정에 양산적 개념으로 원자층 증착 방법이 사용되기 위해서는 물리 증착법이나 화학 기상 증착법에 버금가는 증착율을 가지면서도 상대적으로 낮은 온도에서 양질의 박막을 증착하는 기술이 필요하다.However, since the atomic layer deposition method is a method of supplying the precursor and the reaction gas in stages and excluding physical adsorption except for the chemically deposited atomic layer through the purge process, the thin film deposition rate is lower than that of the conventional chemical vapor deposition method, and even after the purge process If the precursor remains in the reaction chamber, an undesirable gaseous reaction may occur, resulting in a problem that the quality of the thin film is degraded. Therefore, in order to use the atomic layer deposition method in a mass production concept for a process of 90 nm or less, a technique for depositing a high quality thin film at a relatively low temperature while having a deposition rate comparable to that of a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method is required.

더욱이, 이와 같은 종래 기술에 따른 원자층 형성용 반응 방법에는 몇 가지 문제점이 있다. 그 중 양산 적용에 있어 가장 큰 문제점은 원자층 형성 과정에서 서셉터(22)에서 전구체 및 반응 가스가 기상에서 만나지 않도록 하기 위하여 이들의 공급 사이에 시간 간격을 두거나 혹은 이들 사이에 퍼지 공정을 수행함으로써 낮은 증착율을 나타낸다는 점이다. 이는 단위 시간당 처리할 수 있는 웨이퍼의 매수에 제한을 두게 됨으로써 우수한 막질을 갖게 하는 원자층 증착 방법의 양산 적용에 걸림돌로 작용한다.Moreover, there are some problems in the reaction method for forming an atomic layer according to the prior art. One of the biggest problems in mass production applications is to allow a time interval between their supply or to perform a purge process between them in order to prevent the precursor and reactant gas from meeting in the gas phase in the susceptor 22 during atomic layer formation. Low deposition rate. This limits the number of wafers that can be processed per unit time, which is an obstacle to mass production of the atomic layer deposition method which has excellent film quality.

본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 원자층의 증착 속도를 높일 수 있는 원자층 박막 형성 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to provide a method for forming an atomic layer thin film that can increase the deposition rate of the atomic layer.

본 발명의 다른 목적은 높은 증착률과 우수한 막질을 갖게 하면서도 양산화를 가능하게 하는 원자층 박막 형성 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for forming an atomic layer thin film, which enables mass production while having a high deposition rate and excellent film quality.

전술된 본 발명의 목적을 달성하기 위한 박막 증착 방법은 반응 챔버 내의 서셉터 상에 복수개의 기판을 안착시키는 단계; 제1 가스, 제2 가스, 제3 가스, 제4 가스를 독립적으로 분사하는 가스 분사기가 소정의 시간 간격을 두고 상기 복수개의 기판 위로 순환하는 단계; 및 상기 제1 가스, 제2 가스, 제3 가스, 제4 가스를 상기 반응 챔버로 동시에 유입하여 상기 복수개의 기판 상에 증착 물질이 성막 되는 단계를 포함한다.A thin film deposition method for achieving the above object of the present invention comprises the steps of: mounting a plurality of substrates on a susceptor in the reaction chamber; Circulating a gas injector for independently injecting a first gas, a second gas, a third gas, and a fourth gas over the plurality of substrates at predetermined time intervals; And simultaneously depositing the first gas, the second gas, the third gas, and the fourth gas into the reaction chamber to deposit a deposition material on the plurality of substrates.

상기 제1 가스는 소스 가스, 제2 가스는 퍼지 가스, 제3 가스는 반응 가스, 제4 가스는 퍼지 가스인 것이 바람직하다.Preferably, the first gas is a source gas, the second gas is a purge gas, the third gas is a reaction gas, and the fourth gas is a purge gas.

상기 제1 가스는 소정의 시간을 두고 분사가 중단될 수 있으며, 이 경우 상기 소정의 시간은 상기 가스 분사기가 상기 복수개의 기판 모두를 지나가는 주기단위의 배수가 되고, 상기 제1 가스의 분사가 중단되는 동안 제2 가스의 분사도 중단될 수 있다.The injection of the first gas may be stopped for a predetermined time, in which case the predetermined time is a multiple of a cycle unit in which the gas injector passes through all of the plurality of substrates, and the injection of the first gas is stopped. The injection of the second gas can also be stopped during the process.

한편, 상기 서셉터와 상기 가스 분사기 중 적어도 하나가 회전할 수 있다.Meanwhile, at least one of the susceptor and the gas injector may rotate.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 원자층 박막 형성을 위한 반응기를 도시한다. 도면을 참조하면, 도시된 반응기(100)는 반응 챔버(110)와, (도시되지 않은) 기판 또는 웨이퍼가 안착되는 복수개의 (예를 들어 4개의) 서셉터(120)와, 반응 챔버(110) 내에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치(140)와, 챔버 내의 압력을 조절하고 반응이 완료된 가스를 배출하기 위한 배출구(160)를 포함한다. 상기 서셉터(120)에는 (도시되지 않은) 히터가 구비되어, 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위해 주입된 가스의 반응성을 유지하기 위하여 서셉터(120) 상에 안착되는 웨이퍼를 소정의 활성 온도로 유지시킨다. 상기 배출구(160)는 복수개가 서셉터(120) 각각의 둘레의 챔버(110) 바닥에 형성되어, 각각의 서셉터(120)에서 반응 완료 및 퍼지된 가스, 즉 처리 완료된 가스가 즉시 외부로 배출될 수 있게 배열 및 형성된다. 3 illustrates a reactor for forming an atomic layer thin film according to the present invention. Referring to the drawings, the illustrated reactor 100 includes a reaction chamber 110, a plurality of (eg four) susceptors 120 on which a substrate or wafer (not shown) is seated, and a reaction chamber 110. ), A gas injection device 140 for supplying a reaction gas, and an outlet 160 for adjusting the pressure in the chamber and discharging the gas after the reaction is completed. The susceptor 120 is provided with a heater (not shown) to bring the wafer seated on the susceptor 120 to a predetermined active temperature in order to maintain the reactivity of the gas injected to form a thin film on the wafer. Keep it. A plurality of outlets 160 are formed at the bottom of the chamber 110 around each of the susceptors 120, so that the reaction-completed and purged gas, that is, the treated gas, is immediately discharged to the outside in each susceptor 120. Can be arranged and formed.

상기 가스 분사 장치(140)는 복수개의 가스 공급관(146)으로부터 가스를 공급받아 다채널의 가스 분사기(156)를 통하여 서셉터(120) 위로 공급한다. 이때, 가스 분사기(156)의 각각은 챔버의 중심에서 방사상으로 길게 연장된 형상이고, 가스 분사기(156)의 하부에는 다수 개의 분사공(157)이 형성되어 이를 통하여 가스가 분사된다. 한편, 서셉터(120)의 각각은 그 위에 안착되는 웨이퍼가 하나의 가스 분사기(156)에서 분사되는 가스를 공급받을 수 있는 크기 및 위치를 가져야 한다. The gas injection device 140 receives gas from the plurality of gas supply pipes 146 and supplies the gas to the susceptor 120 through the multi-channel gas injector 156. At this time, each of the gas injector 156 has a shape extending radially long from the center of the chamber, a plurality of injection holes 157 is formed in the lower portion of the gas injector 156, the gas is injected through this. On the other hand, each of the susceptors 120 should have a size and position that allows the wafer seated thereon to receive the gas injected from one gas injector 156.

가스가 서셉터(120) 상에 안착된 웨이퍼에 도달하기 전에 챔버(110)의 상판(112)에 부착되거나 가스 분사 장치(140)의 내면에 부착될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 가스 공급관(146)을 통하여 챔버(110) 내에 유입된 가스는 유입된 후에도 활성 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 이를 위하여 히터(180)가 마련된다. 이러한 히터(180)는 챔버의 외측 둘레를 감싸는 형태로 배치되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 히터는 상기 상판(112)에 균일하게 내재된 절연선이 바람직하고, 유입되는 가스와 접촉되는 상판(112)의 표면에 구비된 가열판 또는 전열판일 수 있으며, 외부의 고온 유체를 통하여 가스를 가열하는 형태일 수도 있다. 예를 들어, TiCl4와 NH3의 반응을 이용한 TiN 박막인 경우, 섭씨 150 내지 200도의 온도 구간에서 TiCl4와 NH3는 TiN 박막으로 반응하지 않으므로, 상기 히터(180)는 챔버(110) 및 상판(112) 등을 섭씨 150 내지 200도로 유지하여 반응 영역 이외의 영역에서 부수적인 반응에 의한 박막 형성을 방지한다. The gas may be attached to the top plate 112 of the chamber 110 or to the inner surface of the gas injection device 140 before reaching the wafer seated on the susceptor 120. In order to prevent this, the gas introduced into the chamber 110 through the gas supply pipe 146 may be maintained in an active state even after being introduced. To this end, a heater 180 is provided. The heater 180 is disposed in a form surrounding the outer circumference of the chamber, but is not limited thereto. That is, the heater is preferably an insulation wire uniformly embedded in the upper plate 112, may be a heating plate or a heating plate provided on the surface of the upper plate 112 in contact with the incoming gas, and heats the gas through an external hot fluid It may be in the form of. For example, TiCl 4 and NH, if the third reaction TiN Thin Films of Celsius of 150 to 200 degrees interval TiCl 4 and NH 3 does not respond to the TiN thin film, the heater 180 includes a chamber 110 and a The upper plate 112 and the like are maintained at 150 to 200 degrees Celsius to prevent the formation of a thin film due to an incidental reaction in a region other than the reaction region.

한편, 본 발명의 실시예에서 사용되는 상기 가스 분사 장치(140)는 회전형 분사 장치로서, 이하에서는 이에 대하여 설명한다. 도 4 내지 도 6은 회전형 분사 장치를 설명하기 위한 것이다. 도 4를 참조하면, 내부에 다수의 공급관(154)이 형성되어 있는 구동축(141)과, 구동축(141)의 외부를 둘러싸는 원통 형상의 하우징(142)과, 상기 하우징(142)의 측벽 일부에 형성되어 상기 복수개의 가스 공급관(146)과 각각 연결되는 주입공(151)과, 하우징(142)과 챔버(110)를 결합하는 플랜지부(150)와, 상기 구동축(141)과 하우징(142) 사이에 고리 모양으로 형성되는 다수의 마그네틱 시일(152, Magnetic Seal)로 구성된다. 구동축(141)은 하우징(142) 내벽에 삽입되어 챔버(110) 내부로 수직하게 내삽된다. 하우징(142)은 챔버(110)의 상부 외벽인 상판(112)에 수직하게 플랜지 결합된다. 하우징(142)에는 챔버의 상판(112)과 밀착되는 부분에서 리크(leak)가 발생하지 않도록 오링(153)이 마련된다. On the other hand, the gas injection device 140 used in the embodiment of the present invention is a rotary injection device, it will be described below. 4 to 6 are for explaining the rotary injection device. Referring to FIG. 4, a drive shaft 141 having a plurality of supply pipes 154 formed therein, a cylindrical housing 142 surrounding the outside of the drive shaft 141, and a part of sidewalls of the housing 142. An injection hole 151 formed in the plurality of gas supply pipes 146 and connected to the plurality of gas supply pipes 146, a flange 150 coupling the housing 142 and the chamber 110, the drive shaft 141 and the housing 142. It is composed of a plurality of magnetic seals (152, Magnetic Seal) formed in a ring shape between the). The drive shaft 141 is inserted into the inner wall of the housing 142 and vertically interpolated into the chamber 110. The housing 142 is flanged perpendicular to the top plate 112, which is the upper outer wall of the chamber 110. The housing 142 is provided with an O-ring 153 so that leakage does not occur in a portion in close contact with the upper plate 112 of the chamber.

구동축(141)의 내부에는 각각이 길이 방향으로 연장된 4개의 공급관(154)이 90도씩 서로 이격 형성된다. 하우징(142)의 내벽 둘레를 따라서는 4개의 환형홈(155)이 형성되어 있다. 각각의 공급관(154)의 일단은 환형홈(155)과 연통되도록 설치된다. 하우징(142)의 측벽에는 측벽을 관통하여 4개의 환형홈(155)과 각각 연결되는 주입공(151)이 4개 마련된다. 환형홈(155) 및 공급관(154)은 서로 일대일 대응하도록 동일한 개수로 설치된다. Inside the drive shaft 141, four supply pipes 154 each extending in the longitudinal direction are formed to be spaced apart from each other by 90 degrees. Four annular grooves 155 are formed along the inner wall circumference of the housing 142. One end of each supply pipe 154 is installed to communicate with the annular groove (155). Four injection holes 151 are provided on the side wall of the housing 142 and are connected to the four annular grooves 155 through the side walls. The annular groove 155 and the supply pipe 154 are installed in the same number so as to correspond one to one.

도 5는 회전형 분사 장치의 하우징에 형성된 환형홈(155)과 이에 연결되는 주입공(151)을 도시한 단면사시도이다. 도 5에서는 이해를 돕기 위하여 복수개의 동일한 환형홈(155) 중에서 하나만을 도시하였다. 도면을 참조하여 가스의 공급에 대하여 설명하면, 하우징(142)의 측벽 일부에 형성된 주입공(151)을 통해 소정의 가스가 주입된다. 주입된 가스는 주입공(151)에 연통된 환형홈(155)을 통해 구동축(141)에 형성된 공급관(154)에 유입되고, 각 공급관(154)의 끝에 위치하는 가스 분사기(156)를 통하여 챔버(110) 내부로 분산된다. 구동축(141)이 회전하더라도, 4개의 가스 분사기(156)와 4개의 환형홈(155)은 일대일 대응 상태로 항상 연통하기 때문에, 상기의 가스 공급은 구동축(141)의 회전에 관계없이 항상 이루어진다. 구동축(141)은 하우징(142)과 밀착되면서 회전 운동할 수 있도록 설치된다. 구동축(141)이 용이하게 회전할 수 있도록 하우징(142)의 내벽에는 베어링이 설치되며, 구동축(141)과 하우징(142)은 마그네틱 실링(152)에 의해 서로 밀착된다. Figure 5 is a cross-sectional perspective view showing an annular groove 155 formed in the housing of the rotary injection device and the injection hole 151 connected thereto. In FIG. 5, only one of the plurality of identical annular grooves 155 is illustrated for clarity. The gas supply will be described with reference to the drawings. A predetermined gas is injected through the injection hole 151 formed in a part of the side wall of the housing 142. The injected gas flows into the supply pipe 154 formed in the drive shaft 141 through the annular groove 155 communicating with the injection hole 151, and through the gas injector 156 positioned at the end of each supply pipe 154, the chamber. 110 is dispersed inside. Even if the drive shaft 141 rotates, since the four gas injectors 156 and the four annular grooves 155 always communicate in a one-to-one correspondence state, the gas supply is always performed regardless of the rotation of the drive shaft 141. The drive shaft 141 is installed to be in close contact with the housing 142 to rotate. A bearing is installed on an inner wall of the housing 142 so that the driving shaft 141 can easily rotate, and the driving shaft 141 and the housing 142 are in close contact with each other by the magnetic sealing 152.

도 6은 회전형 분사 장치의 구동축의 하부와 그에 연결된 분사기를 도시한 사시도이다. 도면을 참조하면, 구동축(141)의 입 끝단에서는 공급관(154)과 각각 연결되어 수평하게 방사형으로 분기되는 4개의 가스 분사기(156)가 구비되며, 각각의 가스 분사기(156) 하부에는 다수 개의 분사공(157)이 마련된다. 상기 가스 분사기(156)는 구동축(141)의 회전 운동에 의해 수평 회전한다. 따라서, 주입공(151)으로 공급된 가스는 주입공(151)에 대응하는 환형홈(155)과, 이에 연통되는 공급관(154)을 거쳐, 최종적으로 분사기의 분사공(157)을 통하여 챔버(110)의 내부로 분사된다.6 is a perspective view illustrating a lower part of a drive shaft and an injector connected thereto in the rotary injection device. Referring to the drawings, at the mouth end of the drive shaft 141, four gas injectors 156 connected to the supply pipes 154 and branched horizontally radially are provided. A gong 157 is provided. The gas injector 156 rotates horizontally by the rotational movement of the drive shaft 141. Therefore, the gas supplied to the injection hole 151 passes through the annular groove 155 corresponding to the injection hole 151 and the supply pipe 154 communicating therewith, and finally through the injection hole 157 of the injector, the chamber ( 110 is injected into the interior.

본 발명의 경우, 상기와 같이 구성된 가스 분사 장치(140)에 의해 가스 분사기(156)를 일정 속도로 회전시키면서, 전구체와 퍼지 가스와 반응 가스를 챔버(110) 내로 동시에 유입시킨다. 즉, 4개의 가스 분사기(156)에서 각각 전구체, 퍼 지 가스, 반응 가스, 퍼지 가스가 분사되도록 상기 가스 분사 장치(140)의 주입공(151)에 해당 가스의 가스 공급관(146)을 연결시킨 후, 구동축(141)을 회전시킨다. 그에 따라서, 전구체의 원자층 흡착, 퍼지, 반응 가스에 의한 반응 후 원하는 박막의 원자층 형성, 반응 불순물의 퍼지의 4 단계를 각각의 웨이퍼에 대해 순차적으로 진행된다.In the case of the present invention, while the gas injector 156 is rotated at a constant speed by the gas injector 140 configured as described above, the precursor, the purge gas, and the reactant gas are simultaneously introduced into the chamber 110. That is, the gas supply pipe 146 of the corresponding gas is connected to the injection hole 151 of the gas injector 140 so that the precursor, purge gas, reactive gas, and purge gas are respectively injected from the four gas injectors 156. After that, the drive shaft 141 is rotated. Accordingly, the four steps of atomic layer adsorption of the precursor, purge, reaction of the desired thin film after formation of the atomic layer of the desired thin film, and purge of the reactive impurities are sequentially performed for each wafer.

챔버(110)의 내부를 도시한 도 7을 참조하여 전술된 공정을 설명한다. 도 7에서 4개의 가스 분사기(156)를 각각 제1 내지 제4 가스 분사기(156a 내지 156d)로 구분하고, 4개의 서셉터(120)를 각각 제1 내지 제4 서셉터(120a 내지 120d)로 구분하였다. 챔버 내에 원주 방향으로 배치된 제1 내지 제4 서셉터(120a 내지 120d)의 각각에는 웨이퍼가 안착되고, 제1 내지 제4 가스 분사기(156a 내지 156d)는 각각 전구체, 퍼지 가스, 반응 가스, 퍼지 가스를 분사하면서 도 7에 도시된 화살표 방향(반시계 방향)으로 회전한다. 이때 분사되는 각각의 가스는 도 8에 도시된 바와 같이 일정하게 공급된다. 따라서, 제1 가스 분사기(156a)가 제1 서셉터(120a)를 지나가면서 그 위에 안착된 웨이퍼 상에 전구체를 분사하고, 그 뒤를 이어서 제2 가스 분사기(156b)가 상기 제1 서셉터(120a)에 안착된 웨이퍼 상에 퍼지 가스를 분사하면서 지나가고, 다시 이어서 제3 및 제4 가스 분사기(156c 및 156d)가 상기 제1 서셉터(120a)에 안착된 웨이퍼 상에 반응 가스, 퍼지 가스를 분사한다. 따라서, 제1 서셉터(120a)에 안착된 웨이퍼에는 전구체, 퍼지 가스, 반응 가스, 퍼지 가스가 차례대로 분사되어, 전구체의 원자층 흡착, 퍼지, 반응 가스에 의한 반응 후 원하는 박막의 원자층 형성, 반응 불순물의 퍼지의 4 단계를 순차적으로 다수 회 반 복 진행하게 된다. 이는 제2 내지 제4 서셉터(120b 내지 120d)에 안착된 웨이퍼도 동일하게 이들 단계가 진행된다. 제1 내지 제4 가스 분사기(156a 내지 156d)에서 각각 전구체, 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 처음부터 분사되면, 제2 내지 제4 서셉터(120b 내지 120d)에 안착된 웨이퍼는 초기에 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 각각 분사되지만 이들에 의해서는 증착이 되지 않으므로, 이들 웨이퍼 상에서 증착은 제1 가스 분사기(156a)가 지나간 뒤부터 수행된다.The above-described process will be described with reference to FIG. 7, which shows the interior of the chamber 110. In FIG. 7, four gas injectors 156 are divided into first to fourth gas injectors 156a to 156d, and four susceptors 120 are respectively referred to as first to fourth susceptors 120a to 120d. Divided. A wafer is seated on each of the first to fourth susceptors 120a to 120d disposed in the circumferential direction in the chamber, and the first to fourth gas injectors 156a to 156d are respectively a precursor, a purge gas, a reaction gas, and a purge. It rotates in the arrow direction (counterclockwise direction) shown in FIG. 7, spraying gas. At this time, each gas injected is constantly supplied as shown in FIG. 8. Thus, the first gas injector 156a passes the first susceptor 120a and injects a precursor onto the wafer seated thereon, followed by a second gas injector 156b that the first susceptor 120a. Pass through the purge gas on the wafer seated on the wafer), and then the third and fourth gas injectors 156c and 156d spray the reaction gas and the purge gas onto the wafer seated on the first susceptor 120a. do. Therefore, a precursor, a purge gas, a reaction gas, and a purge gas are sequentially injected to the wafer seated on the first susceptor 120a to form an atomic layer of a desired thin film after atomic layer adsorption, purge, and reaction of the precursor gas. In this case, the four steps of purging the reaction impurities are sequentially repeated a plurality of times. This is the same for the wafer seated on the second to fourth susceptors 120b to 120d. When the precursor, purge gas, reactive gas, and purge gas are injected from the first in the first to fourth gas injectors 156a to 156d, the wafer seated on the second to fourth susceptors 120b to 120d is initially purged. Since gas, reactive gas, and purge gas are each injected but are not deposited by them, deposition on these wafers is performed after the first gas injector 156a has passed.

한편, 전구체를 공급하고 퍼지 후 반응 가스가 원자층을 충분히 형성하기 위해서는 일정 시간이 필요하게 된다. 이를 위하여, 도 9a에서는 제1 가스 분사기(156a)가 1회전하는 주기(T)동안 전구체를 공급한 후, 그 다음 1회전하는 주기(T)동안에 전구체의 공급을 중단하면, 웨이퍼 상에 전구체가 1회 공급된 후에 반응 가스가 추가로 1회 더 공급된다. 이때, 도시된 실시예와 같이 기판이 4개인 경우, 초기에 제1 서셉터(120a)에 안착된 웨이퍼에 전구체를 공급하는 동안, 제2 내지 제4 서셉터(120b 내지 120d)에 안착된 웨이퍼에는 도 9b에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스의 공급을 제한할 수 있다. 즉, 초기에 제2 내지 제4 서셉터(120b 내지 120d)에 안착된 웨이퍼에 공급되는 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스는 각각 T/4, T/2, 3T/4의 시간 지연을 두고 공급할 수 있다. 물론 공정이 완료될 때에도, 이와 유사하게 T/4의 시간 간격을 가지고 제1, 제2, 제3, 제4 가스 분사기(156a 내지 156d)의 순서대로 가스의 공급을 중단시킬 수 있다. 또한, 도 10a에서와 같이, 제1 가스 분사기(156a)가 1회전하는 주기(T)동안 전구체를 공급한 후, 그 다음 2회전하는 2주기(2T)동안에 전구체의 공급을 중단하면, 웨이퍼 상에 전구체가 1회 공급된 후에 반응 가스가 추가로 2회 더 공급된다. 이와 같이 전구체를 분사한 후 반응 가스를 분사하는 회수를 조절함으로써, 반응 가스가 원자층을 형성하기에 충분한 시간을 제어할 수 있다. 이때에도, 도 10b에 도시된 바와 같이, 초기에 제2 내지 제4 서셉터(120b 내지 120d)에 안착된 웨이퍼에 공급되는 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스는 각각 T/4, T/2, 3T/4의 시간 지연을 두고 공급할 수 있다.On the other hand, after supplying and purging the precursor, a predetermined time is required for the reaction gas to sufficiently form the atomic layer. For this purpose, in FIG. 9A, when the first gas injector 156a supplies the precursor during one rotation period T and then stops supplying the precursor during the next rotation period T, the precursor is deposited on the wafer. After being fed once, the reaction gas is further fed once more. In this case, in the case of four substrates as shown in the illustrated embodiment, the wafers initially seated on the second susceptors 120b to 120d while supplying precursors to the wafers seated on the first susceptor 120a. As shown in FIG. 9B, the supply of the purge gas, the reaction gas, and the purge gas may be restricted. That is, the purge gas, the reaction gas, and the purge gas that are initially supplied to the wafers seated on the second to fourth susceptors 120b to 120d may be supplied with time delays of T / 4, T / 2, and 3T / 4, respectively. Can be. Of course, when the process is completed, the supply of the gas may be similarly interrupted in the order of the first, second, third, and fourth gas injectors 156a to 156d at a time interval of T / 4. In addition, as shown in FIG. 10A, when the first gas injector 156a supplies the precursor during one rotation period T and then stops the supply of the precursor during two rotations 2T, the wafer phase is placed on the wafer. After the precursor is supplied once, the reaction gas is further supplied twice. By controlling the number of times of injecting the precursor gas after the precursor is injected, the time sufficient for the reaction gas to form the atomic layer can be controlled. In this case, as shown in FIG. 10B, the purge gas, the reaction gas, and the purge gas supplied to the wafer initially seated on the second to fourth susceptors 120b to 120d may be T / 4, T / 2, Can be supplied with a time delay of 3T / 4.

이때, 전구체의 공급이 중단된 동안에는 전구체를 퍼지할 필요는 없고, 반응 가스 공급후 반응 불순물의 퍼지만이 필요하게 된다. 따라서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 전구체의 공급이 중단된 동안에 반응 가스가 분사되기 전에 분사되는 퍼지 가스(즉, 제2 가스 분사기(156b)에서 분사되는 퍼지 가스)의 공급을 중단시킬 수 있다. 물론, 도 12a에 도시된 바와 같이, 제2 가스 분사기(156b)에서 분사되는 퍼지 가스는 계속적으로 공급하는 대신, 전구체의 공급이 중단되기 직전에 분사되는 퍼지 가스(즉, 제4 가스 분사기(156d)에서 분사되는 퍼지 가스)의 공급을 중단시킬 수도 있다. 또한, 제2 및 제4 가스 분사기(156b, 156d)의 퍼지 가스 공급을 교대로 중단시킬 수도 있다. 이때에도, 도 11b, 도 12b 및 도 13b 에 도시된 바와 같이, 초기에 제2 내지 제4 서셉터(120b 내지 120d)에 안착된 웨이퍼에 공급되는 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스는 각각 T/4, T/2, 3T/4의 시간 지연을 두고 공급할 수 있다.At this time, it is not necessary to purge the precursor while the supply of the precursor is stopped, but only purge of the reaction impurities after the supply of the reaction gas is necessary. Therefore, as shown in FIG. 11A, the supply of the purge gas (ie, the purge gas injected from the second gas injector 156b) that is injected before the reaction gas is injected while the supply of the precursor is stopped may be stopped. . Of course, as shown in FIG. 12A, instead of continuously supplying the purge gas injected from the second gas injector 156b, the purge gas injected immediately before the supply of the precursor is stopped (that is, the fourth gas injector 156d). Supply of the purge gas) may be stopped. In addition, purge gas supply to the second and fourth gas injectors 156b and 156d may be alternately stopped. In this case, as shown in FIGS. 11B, 12B, and 13B, the purge gas, the reaction gas, and the purge gas, which are initially supplied to the wafer seated on the second to fourth susceptors 120b to 120d, are respectively T /. Can be supplied with time delays of 4, T / 2 and 3T / 4.

한편, 전술된 실시예에서는 서셉터가 챔버 내에 고정되고 분사 장치가 회전하는 형태를 예로서 설명하였으나, 그에 한정되지 않고 서셉터가 챔버 내에서 회전 하고 분사 장치가 고정된 형태이거나, 이와 달리 서셉터 및 분사 장치가 챔버 내에서 반대 방향으로 또는 동일 방향으로 서로 다른 속도로 회전할 수도 있다. 더욱이, 상기 박막 형을 위하여 4개의 가스 분사기는 각각 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스, 퍼지 가스를 순차적으로 분사하였으나, 필요에 따라 이들 순서 또는 가스의 종류가 바뀔 수 있음은 물론이다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the susceptor is fixed in the chamber and the injection device is rotated as an example. However, the susceptor is rotated in the chamber and the injection device is fixed. And the injection device may be rotated in the chamber at different speeds in opposite directions or in the same direction. In addition, the four gas injectors for the thin film type, respectively, inject the source gas, purge gas, reaction gas, purge gas in sequence, but the order or type of gas can be changed as necessary.

낮은 증착율을 갖는 원자층 증착 방법의 양산 적용을 위한 높은 증착율을 갖는 원자층 증착 방법을 제공하기 위한 본 발명의 전술된 구성에 따라서, 원자층으로 형성되는 박막 성분이 동일한 범위에서 웨이퍼 상으로 공급되는 전구체 및 반응 가스를 시공분할함으로써 원자층 증착 방식을 유지하면서 챔버 내에서는 전구체와 반응 가스가 동시에 유입되어 전구체와 반응 가스 사이의 분리를 위한 시간을 단축하여 반응을 효과적으로 수행할 수 있다. 따라서, 종래의 원자층 증착 방법에 비하여 월등히 높은 증착율을 갖는 원자층 증착 방법을 제공할 수 있다. 더욱이, 반응 가스가 반응하기 위한 시간을 제어함으로써, 미반응 불순물을 최소화하여 면저항 값을 낮출 수 있어 박막의 특성을 향상시키고 단차 피복성의 향상도 꾀할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 원자층 증착 방법은 화학 기상 증착 방법이 갖는 시간당 처리할 수 있는 웨이퍼의 수량에 근접하는 생산량을 가지면서 화학 기상 증착 방법이 갖는 단점을 극복할 수 있다.According to the above-described configuration of the present invention for providing a high deposition rate atomic layer deposition method for mass production of a low deposition rate atomic layer deposition method, a thin film component formed of an atomic layer is supplied onto a wafer in the same range. By preliminarily dividing the precursor and the reactant gas, the precursor and the reactant gas are simultaneously introduced into the chamber while maintaining the atomic layer deposition method, thereby shortening the time for separation between the precursor and the reactant gas to effectively perform the reaction. Therefore, it is possible to provide an atomic layer deposition method having a much higher deposition rate than the conventional atomic layer deposition method. Furthermore, by controlling the time for the reaction gas to react, the surface resistance value can be reduced by minimizing unreacted impurities, thereby improving the characteristics of the thin film and improving the step coverage. Therefore, the atomic layer deposition method according to the present invention can overcome the disadvantages of the chemical vapor deposition method while having a production amount close to the number of wafers that can be processed per hour of the chemical vapor deposition method.

Claims (10)

반응 챔버 내의 서셉터 상에 복수개의 기판을 안착시키는 단계;Mounting a plurality of substrates on a susceptor in the reaction chamber; 제 1 가스, 제 2 가스, 제 3 가스, 제 4 가스를 각각 분사하는 복수의 가스 분사기가 소정의 간격을 두고 상기 복수개의 기판 위로 회전하는 단계;Rotating a plurality of gas injectors for injecting a first gas, a second gas, a third gas, and a fourth gas onto the plurality of substrates at predetermined intervals; 상기 제 1 가스, 제 2 가스, 제 3 가스 및 제 4 가스를 상기 반응 챔버로 유입하는 가스 유입 단계를 포함하고,A gas inflow step of introducing the first gas, the second gas, the third gas and the fourth gas into the reaction chamber, 상기 가스 유입 단계는 상기 가스 분사기가 상기 복수개의 기판 위로 초기 1회전하는 동안 순차적으로 유입하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.The gas inflow step is a thin film deposition method characterized in that the gas injector is sequentially introduced during one initial rotation over the plurality of substrates. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 가스는 소스 가스, 제2 가스는 퍼지 가스, 제3 가스는 반응 가스, 제4 가스는 퍼지 가스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.And the first gas is a source gas, the second gas is a purge gas, the third gas is a reaction gas, and the fourth gas is a purge gas. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 가스는 소정의 시간을 두고 분사가 중단되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.The first gas is thin film deposition method characterized in that the injection is stopped for a predetermined time. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 소정의 시간은 상기 가스 분사기가 상기 복수개의 기판 모두를 지나가는 주기단위의 배수가 되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.The predetermined time is thin film deposition method characterized in that the gas injector is a multiple of a cycle unit passing through all of the plurality of substrates. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제1 가스의 분사가 중단되는 동안 제2 가스의 분사도 중단되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.And the injection of the second gas is stopped while the injection of the first gas is stopped. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 서셉터와 상기 가스 분사기 중 적어도 하나가 회전하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.At least one of the susceptor and the gas injector is rotated. 반응 챔버 내의 서셉터 상에 복수개의 기판을 안착시키는 단계;Mounting a plurality of substrates on a susceptor in the reaction chamber; 제 1 가스, 제 2 가스, 제 3 가스, 제 4 가스를 각각 분사하는 복수의 가스 분사기가 소정의 시간 간격을 두고 상기 복수개의 기판 위로 회전하는 단계;Rotating a plurality of gas injectors each injecting a first gas, a second gas, a third gas, and a fourth gas onto the plurality of substrates at predetermined time intervals; 상기 제 1 가스, 제 2 가스, 제 3 가스 및 제 4 가스를 상기 반응 챔버로 유입하는 가스 유입 단계를 포함하고,A gas inflow step of introducing the first gas, the second gas, the third gas and the fourth gas into the reaction chamber, 상기 복수개의 기판 각각에는 상기 가스 분사기가 상기 복수개의 기판 위로 초기 1 회전하는 동안 상기 제 1 가스, 제 2 가스, 제 3 가스 및 제 4 가스가 순차적으로 유입되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.And the first gas, the second gas, the third gas, and the fourth gas are sequentially introduced into each of the plurality of substrates while the gas injector is initially rotated over the plurality of substrates. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 1 가스는 소스 가스, 제 2 가스는 퍼지 가스, 제 3 가스는 반응 가스, 제 4 가스는 퍼지 가스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.And the first gas is a source gas, the second gas is a purge gas, the third gas is a reaction gas, and the fourth gas is a purge gas. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 1 가스는 소정의 시간을 두고 분사가 중단되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.The first gas is thin film deposition method characterized in that the injection is stopped for a predetermined time. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 서셉터와 상기 가스 분사기 중 적어도 하나가 회전하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.At least one of the susceptor and the gas injector is rotated.
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