KR101182309B1 - Method of manufacturing an Liquid Crystal Display Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1기판 및 제2기판을 준비하는 공정; 상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 하나의 기판 상에 배향막을 도포하는 공정; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 러빙공정을 수행하는 공정; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 200nm 내지 300nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 기판 면에 대해서 0.05J/cm2 내지 0.7J/cm2의 에너지 밀도로 조사하는 공정; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, The present invention provides a process for preparing a first substrate and a second substrate; Applying an alignment layer on at least one of the first substrate and the second substrate; Performing a rubbing process on the substrate on which the alignment layer is applied; Step of the alignment film is irradiated with the polarized UV 200nm to 300nm wavelength range onto a substrate with an energy density of 0.05J / cm 2 to 0.7J / cm 2 to the substrate surface; And a process for forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate.

상기 본 발명에 의하면, 러빙공정과 더불어 편광된 UV조사공정을 수행함으로써, 러빙이 원활히 수행되지 못한다 하더라도 균일하게 정렬된 배향막을 얻을 수 있으며, 특히 본 발명은 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 UV를 조사함에 있어서 UV조사 조건을 제공함으로써, UV파워밀도(P), 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이(Ls), 및 기판의 이동 속도(v)를 적절히 제어하여 러빙공정시 발생한 러빙불량을 해소하면서 균일한 배향막을 얻을 수 있다. According to the present invention, by performing a polarized UV irradiation process in addition to the rubbing process, even if the rubbing is not performed smoothly can be obtained uniformly aligned alignment film, in particular the present invention by a scan method using a linear UV light source By providing UV irradiation conditions in irradiating UV, the rubbing process is appropriately controlled by controlling the UV power density (P), the length (Ls) of the linear UV light source in the direction in which the substrate moves, and the moving speed (v) of the substrate. A uniform alignment film can be obtained while eliminating rubbing defects generated at the time.

배향막, 빛샘 Alignment film, light leakage

Description

액정표시소자의 제조방법{Method of manufacturing an Liquid Crystal Display Device}Method of manufacturing an Liquid Crystal Display Device

도 1은 일반적인 IPS 모드 액정표시소자의 분해사시도이다. 1 is an exploded perspective view of a typical IPS mode liquid crystal display device.

도 2 및 도 3은 종래의 러빙배향법의 문제점을 보여주기 위한 도면이다. 2 and 3 is a view showing a problem of the conventional rubbing orientation method.

도 4는 본 발명에 따른 편광된 UV조사공정에 의해 배향막의 측쇄가 분해되는 모습을 보여주는 도면이다. Figure 4 is a view showing a side chain decomposition of the alignment film by a polarized UV irradiation process according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 선형의 UV광원의 조건을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the conditions of the linear UV light source according to the present invention.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 개략적인 단면도이다. 6A through 6E are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS FIG.

100: 제1기판 200: 제2기판100: first substrate 200: second substrate

120, 220: 배향막 300: 러빙롤120, 220: alignment film 300: rubbing roll

310: 러빙포 400: 선형의 UV광원310: rubbing cloth 400: linear UV light source

500: 액정층500: liquid crystal layer

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 액정표시소자에서 액정의 초기배향을 위한 배향막에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to an alignment layer for the initial alignment of the liquid crystal in the liquid crystal display device.

표시화면의 두께가 수 센치미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display) 중에서 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Among the ultra-thin flat panel displays, where the display screen is only a few centimeters (cm) thick, the liquid crystal display has a low operating voltage, so it has low power consumption and can be used as a portable device. The applications range from spacecraft to aircrafts.

액정표시소자는 일반적으로 컬러필터층이 형성된 컬러필터기판, 상기 컬러필터 기판과 대향되며 박막트랜지스터가 형성된 박막트랜지스터 기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.A liquid crystal display device generally includes a color filter substrate on which a color filter layer is formed, a thin film transistor substrate facing the color filter substrate and on which a thin film transistor is formed, and a liquid crystal layer formed between the two substrates.

이와 같은 액정표시소자는 상기 액정층의 배향방향이 전압인가에 의해 변경되어 빛의 투과도가 조절됨으로써 화상이 재현되게 된다. 따라서, 전압인가를 위해서 상기 박막트랜지스터 기판 및 컬러필터 기판에 전극이 형성되게 되는데, 박막트랜지스터 기판에 화소전극이 배치되고 컬러필터기판에 공통전극이 배치되어 양 기판 사이에 수직의 전계가 형성되는 경우(예로, TN(Twisted nematic)모드)도 있고, 박막트랜지스터 기판에 화소전극과 공통전극이 평행하게 배치되어 수평의 전계가 형성되는 경우(예로, IPS(In-plane Switching) 모드)도 있다. In such a liquid crystal display device, the alignment direction of the liquid crystal layer is changed by applying a voltage, and the light transmittance is adjusted to reproduce an image. Therefore, an electrode is formed on the thin film transistor substrate and the color filter substrate for voltage application. A pixel electrode is disposed on the thin film transistor substrate and a common electrode is disposed on the color filter substrate, thereby forming a vertical electric field between the two substrates. (Twisted nematic (TN) mode) is also a case where a pixel electrode and a common electrode are arranged in parallel on a thin film transistor substrate to form a horizontal electric field (for example, an in-plane switching mode (IPS)).

도 1은 일반적인 IPS 모드 액정표시소자의 분해 사시도를 나타낸 것이다. 1 is an exploded perspective view of a general IPS mode liquid crystal display device.

도 1에서 알 수 있듯이, 박막트랜지스터 기판(10)에는 게이트 라인(12) 및 데이터 라인(14)이 교차 형성되어 있고, 그 교차영역에 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며, 박막트랜지스터(T)와 연결되어 화소전극(16)이 형성되어 있다. 또한, 화소전극(16)과 평행하게 배열되도록 공통전극(25)이 형성되어 있다. 그리고, 컬러필터기판(20)에는 빛의 누설을 방지하기 위한 차광층(22)이 형성되어 있고, 그 사이에 R, G, B의 컬러필터층(24)이 형성되어 있으며, 그 위에 기판 평탄화를 위한 오버코트층(27)이 형성되어 있다. 이 경우, 박막트랜지스터 기판(10)에 형성된 화소전극(16) 및 공통전극(25) 사이에서 수평의 전계가 형성되고, 그에 따라 액정의 배향 방향이 조절되게 된다.As can be seen in FIG. 1, the gate line 12 and the data line 14 cross each other in the thin film transistor substrate 10, and the thin film transistor T is formed in the intersection region of the thin film transistor T. Connected to the pixel electrode 16. In addition, the common electrode 25 is formed to be arranged in parallel with the pixel electrode 16. In addition, a light shielding layer 22 is formed on the color filter substrate 20 to prevent leakage of light, and color filter layers 24 of R, G, and B are formed therebetween, and planarization of the substrate is performed thereon. The overcoat layer 27 for this is formed. In this case, a horizontal electric field is formed between the pixel electrode 16 and the common electrode 25 formed on the thin film transistor substrate 10, thereby adjusting the alignment direction of the liquid crystal.

상기 구조의 양 기판(10, 20)은 그 후 합착 되어 하나의 액정패널을 형성하며, 이때, 양 기판(10, 20) 사이에는 액정층이 형성되게 된다. Both substrates 10 and 20 of the above structure are then bonded together to form one liquid crystal panel. At this time, a liquid crystal layer is formed between the two substrates 10 and 20.

한편, 상기 액정층이 양 기판(10, 20) 사이에서 임의로 배열되어 있으면 액정층의 일관된 분자배열을 얻기가 어려우므로, 도시하지는 않았지만, 박막트랜지스터기판(10) 및 컬러필터기판(20)에 액정의 초기 배향을 위한 배향막이 형성된다. On the other hand, if the liquid crystal layer is arbitrarily arranged between both substrates (10, 20) it is difficult to obtain a consistent molecular arrangement of the liquid crystal layer, although not shown, the liquid crystal on the thin film transistor substrate 10 and the color filter substrate 20 An alignment film for initial orientation of is formed.

이와 같은 액정의 초기 배향을 위한 배향막은 종래에는 주로 러빙배향법을 이용하여 형성하였다. An alignment film for the initial alignment of such liquid crystal is conventionally formed mainly using a rubbing alignment method.

상기 러빙배향법은 기판 상에 폴리이미드와 같은 유기 고분자를 박막의 형태로 도포하고 경화시킨 후, 러빙포가 감겨진 러빙롤을 회전시켜 상기 박막 형태의 유기 고분자를 문지름으로써 유기 고분자의 고리방향을 일정하게 정렬시키는 공정으로 이루어진다. In the rubbing orientation method, an organic polymer, such as polyimide, is coated on a substrate and cured, and then a rubbing roll wound with a rubbing cloth is rotated to rub the organic polymer in the thin film form, thereby fixing the ring direction of the organic polymer. It is made to align the process.

상기 러빙배향법에 의해 유기 고분자의 고리가 정렬된 방향으로 액정이 배향되게 되며, 따라서, 러빙롤의 이동방향이 액정의 배향방향이 되는 것이다.By the rubbing orientation method, the liquid crystal is aligned in the direction in which the rings of the organic polymer are aligned, and thus, the moving direction of the rubbing roll becomes the alignment direction of the liquid crystal.

그러나, 러빙배향법은 다음과 같은 단점이 있다. However, the rubbing orientation method has the following disadvantages.

첫째, 러빙포의 배열이 흐트러질 경우 빛샘의 문제가 발생될 수 있다. First, a problem of light leakage may occur when the arrangement of the rubbing cloth is disturbed.

도 2는 러빙포의 배열이 흐트러지는 경우를 보여주기 위한 개략적 사시도이다.2 is a schematic perspective view for showing a case where the arrangement of the rubbing cloth is disturbed.

전술한 바와 같이 기판 위에는 박막트랜지스터, 컬러필터층, 및 전극층과 같은 구조물이 형성되어 있으므로, 도 2에서 알 수 있듯이, 러빙롤(30)이 기판(10 또는 20) 위에 형성된 상기 구조물 위를 회전할 때 러빙롤(30)에 감겨진 러빙포(32)의 일부(32a)에서 그 배열이 흐트러질 수 있다. 그와 같이 러빙포가 흐트러지면 흐트러진 러빙포에 의해 러빙된 기판 상의 영역은 유기 고분자가 정렬하지 못하게 되어, 결국, 그 영역에서 액정의 배향이 균일하지 못하여 빛샘이 발생되게 된다. As described above, since structures such as a thin film transistor, a color filter layer, and an electrode layer are formed on the substrate, as shown in FIG. 2, when the rubbing roll 30 rotates on the structure formed on the substrate 10 or 20. The arrangement may be disturbed in the part 32a of the rubbing cloth 32 wound on the rubbing roll 30. As such, when the rubbing cloth is disturbed, the region on the substrate rubbed by the disturbed rubbing cloth becomes unable to align the organic polymer. As a result, the alignment of the liquid crystal in the area is not uniform, resulting in light leakage.

둘째, 러빙포가 기판과 접촉하지 못할 경우 빛샘의 문제가 발생할 수 있다. Second, when the rubbing cloth does not come into contact with the substrate, light leakage may occur.

도 3은 러빙포가 기판과 접촉하지 못하는 경우의 액정배열 상태를 보여주기 위한 개략적 사시도이다. 3 is a schematic perspective view illustrating a liquid crystal array in a case in which the rubbing cloth does not contact the substrate.

전술한 바와 같이 기판 위에는 화소전극 및 공통전극과 같은 전극층이 형성되어 있다. 따라서, 도 3과 같이, 기판(10) 위의 전극층의 단차로 인해서 러빙포(32)가 기판과 접촉하지 못하는 영역(A 영역)이 생기게 된다. 이 경우는 그 영역(A 영역)에서 액정의 배향이 균일하지 못하게 되어 결국 빛샘 현상이 발생되게 된다. As described above, an electrode layer such as a pixel electrode and a common electrode is formed on the substrate. Therefore, as shown in FIG. 3, due to the step difference between the electrode layers on the substrate 10, a region A region in which the rubbing cloth 32 does not come into contact with the substrate is generated. In this case, the alignment of the liquid crystal is not uniform in the region (region A), resulting in light leakage.

이와 같이, 러빙배향법은 러빙포의 배열이 흐트러지거나 또는 러빙포가 기판과 접촉하지 못하여 러빙이 원활히 수행되지 못함으로써 결국 빛샘이 발생되는 문제점을 안고 있다. As described above, the rubbing orientation method has a problem in that light leakage is generated because rubbing of the rubbing cloth is disturbed or the rubbing cloth does not come into contact with the substrate and rubbing is not performed smoothly.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해서 고안된 것으로서, The present invention is designed to solve the above problems,

본 발명의 목적은 러빙공정이 원활히 수행되지 못해 발생하는 빛샘문제를 해결할 수 있는 액정표시소자의 제조방법을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device that can solve the problem of light leakage caused by the rubbing process is not performed smoothly.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 제1기판 및 제2기판을 준비하는 공정; 상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 하나의 기판 상에 배향막을 도포하는 공정; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 러빙공정을 수행하는 공정; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 편광된 UV를 조사하는 공정; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, 이때, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법을 제공한다. The present invention is a process for preparing a first substrate and a second substrate in order to achieve the above object; Applying an alignment layer on at least one of the first substrate and the second substrate; Performing a rubbing process on the substrate on which the alignment layer is applied; Irradiating the polarized UV on the substrate on which the alignment layer is applied; And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, wherein the polarized UV irradiation is performed by a scan method using a linear UV light source. Provided is a method of manufacturing a liquid crystal display device.

1. 본 발명의 첫 번째 특징은 러빙공정에 의해 발생되는 빛샘 문제를 UV조사공정을 통해 해결하도록 한 데 있다. 1. The first feature of the present invention is to solve the light leakage problem caused by the rubbing process through the UV irradiation process.

도 4에서 알 수 있듯이, 배향막에 편광된 UV를 조사하면 편광방향에 위치한 측쇄의 결합이 분해되어 결국 편광방향에 수직한 방향의 측쇄 만이 남게 되어 그 방향으로 액정이 배향될 수 있게 된다. 따라서, 러빙공정 후 정렬되지 못한 배향막에 편광방향을 조절하여 UV를 조사할 경우 균일한 액정배향막을 얻을 수 있어 빛샘 문제가 해결될 수 있다. As can be seen in Figure 4, irradiating the polarized UV light on the alignment film is the bond of the side chains located in the polarization direction is decomposed and eventually only the side chains in the direction perpendicular to the polarization direction is left so that the liquid crystal can be aligned in that direction. Therefore, when the UV is irradiated by adjusting the polarization direction to the alignment layer that is not aligned after the rubbing process, a uniform liquid crystal alignment layer may be obtained, thereby solving the light leakage problem.

2. 본 발명의 두 번째 특징은 편광된 UV를 조사함에 있어서 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 수행하는 데 있다.2. The second aspect of the present invention is to perform a scanning method using a linear UV light source in irradiating polarized UV.

기판의 크기가 대형화됨에 따라 기판의 크기에 대응하는 UV광원의 제작이 어려우므로 본 발명은 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 UV를 조사할 수 있도록 한 것이다. As the size of the substrate increases in size, it is difficult to manufacture a UV light source corresponding to the size of the substrate, and the present invention allows UV irradiation using a linear UV light source.

3. 본 발명의 세 번째 특징은 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 UV를 조사함에 있어서 UV조사 조건을 제공하는 데 있다. 이하, 세 번째 특징에 대해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 3. A third aspect of the present invention is to provide UV irradiation conditions in irradiating UV by a scanning method using a linear UV light source. Hereinafter, the third feature will be described in more detail.

(1) 우선, 본 발명은 편광된 UV의 파장범위와 그에 따른 에너지 밀도 범위를 제공한다. (1) First, the present invention provides a wavelength range of polarized UV and thus an energy density range.

구체적으로, 200nm 내지 300nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV는 기판 면에 대해서 0.05J/cm2 내지 0.7J/cm2의 에너지 밀도로 조사되는 것이 바람직하고, 300nm 내지 400nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV는 0.2J/cm2 내지 2.8J/cm2의 에너지 밀도로 조사되는 것이 바람직하다. Specifically, polarized UV having a wavelength range of 200nm to 300nm is preferably irradiated with an energy density of 0.05J / cm 2 to 0.7J / cm 2 to the substrate surface, polarized light having a wavelength range of 300nm to 400nm UV is preferably irradiated at an energy density of 0.2 J / cm 2 to 2.8 J / cm 2 .

전술한 바와 같이, 편광된 UV를 조사할 경우 편광방향에 위치한 측쇄의 결합이 분해되고 편광방향에 수직한 방향의 측쇄 만이 남게 되어 그 방향으로 액정이 배향될 수 있게 되는데, 조사되는 UV의 에너지 밀도가 너무 작을 경우에는 측쇄의 분해능이 떨어져 원하는 효과를 얻을 수 없고, 조사되는 UV의 에너지 밀도가 너무 클 경우에는 원하지 않는 측쇄까지 분해될 수 있어 오히려 배향성에 악영향을 미칠 수 있다.As described above, when irradiated with polarized UV, the bonds of the side chains located in the polarization direction are decomposed and only the side chains in the direction perpendicular to the polarization direction remain so that the liquid crystal can be oriented in that direction. When is too small, the resolution of the side chain is poor to obtain the desired effect, and when the energy density of the irradiated UV is too large it may be decomposed to the unwanted side chain may adversely affect the orientation.

따라서, 본 발명은 각각의 파장범위에서 최적의 에너지 밀도 범위를 제공하 는 것이다. Accordingly, the present invention provides an optimal energy density range in each wavelength range.

(2) 다음으로, 본 발명은 상기 파장범위에서 최적의 에너지 밀도를 적용하기 위한 선형의 UV광원의 조건을 제공한다.(2) Next, the present invention provides a condition of a linear UV light source for applying an optimal energy density in the wavelength range.

구체적으로, 파장범위가 200nm 내지 300nm의 경우에는 0.05J/cm2 ≤(P×Ls)/V≤0.7J/cm2를 만족하도록 선형의 UV광원을 설정하는 것이 바람직하고, 300nm 내지 400nm의 경우에는 0.2J/cm2 ≤(P×Ls)/V≤ 2.8J/cm2를 만족하도록 선형의 UV광원을 설정하는 것이 바람직하다. Specifically, when the wavelength range is 200nm to 300nm, it is preferable to set the linear UV light source to satisfy 0.05J / cm 2 ≤ (P × Ls) /V≤0.7J/cm 2 , and in the case of 300nm to 400nm It is preferable to set a linear UV light source so as to satisfy 0.2 J / cm 2 ? (P x Ls) / V? 2.8 J / cm 2 .

여기서, 상기 P는 선형의 UV광원의 UV파워밀도(J/cm2ㆍs)를 의미하는 것으로 편광시스템을 통과한 후의 UV파워밀도를 의미하고, Ls는 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이를 의미하고, V는 기판의 이동 속도를 의미한다. Here, P means the UV power density (J / cm 2 · s) of the linear UV light source means the UV power density after passing through the polarization system, Ls is a linear UV in the direction in which the substrate moves The length of the light source, and V means the moving speed of the substrate.

이에 대해서, 도 5를 참조로 보다 구체적으로 설명한다. This will be described in more detail with reference to FIG. 5.

시간 T 동안에 선형의 UV광원의 총 UV 에너지(Us)는 하기 식 1과 같다. The total UV energy (Us) of the linear UV light source over time T is given by Equation 1 below.

식 1Equation 1

Us = P × Ls × Ds × TUs = P × Ls × Ds × T

(여기서, (here,

Us는 선형의 UV광원의 총 UV 에너지로서 편광시스템을 통과한 후의 총 UV에너지를 의미하고, Us is the total UV energy of the linear UV light source, which means the total UV energy after passing through the polarization system.

P는 선형의 UV광원의 UV파워밀도(J/cm2ㆍs)를 의미하는 것으로 편광시스템을 통과한 후의 UV파워밀도(이하에서는 편의상 UV파워밀도로 지칭함)를 의미하고, P means the UV power density (J / cm 2 · s) of the linear UV light source means the UV power density after passing through the polarization system (hereinafter referred to as UV power density for convenience),

Ls는 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이를 의미하고, Ls means the length of the linear UV light source in the direction in which the substrate moves,

Ds는 기판이 이동하는 방향과 수직한 방향에서의 선형의 UV광원의 길이를 의미하고, Ds means the length of the linear UV light source in the direction perpendicular to the direction in which the substrate moves,

T는 기판 1매를 처리하는데 걸리는 시간을 의미한다).T means the time taken to process one substrate).

또한, 파장범위가 200nm 내지 300nm의 경우에 있어서, 시간 T 동안에 기판이 필요로 하는 총 UV 에너지(Ug)는 하기 식 2와 같다. In the case where the wavelength range is 200 nm to 300 nm, the total UV energy (Ug) required by the substrate during the time T is given by Equation 2 below.

식 2Equation 2

0.05 J/cm2 × Lg × Dg ≤ Ug ≤ 0.7 J/cm2 × Lg × Dg0.05 J / cm 2 × Lg × Dg ≤ Ug ≤ 0.7 J / cm 2 × Lg × Dg

(여기서, Ug는 안정적으로 배향막 측쇄를 분해하기 위해 필요한 총 UV에너지를 의미하고, Where Ug is the total UV energy needed to reliably decompose the alignment layer side chain,

Lg는 기판이 이동하는 방향에서의 기판 길이를 의미하고, Lg means the length of the substrate in the direction in which the substrate moves,

Dg는 기판이 이동하는 방향과 수직한 방향에서의 기판 길이를 의미한다). Dg means the length of the substrate in the direction perpendicular to the direction in which the substrate is moved).

여기서, Us = Ug를 만족해야 하므로, 상기 식 1을 상기 식 2에 대입하면 하기 식 3과 같다. Since Us = Ug must be satisfied, Substituting Equation 1 into Equation 2 is as follows.

식 3Equation 3

0.05 J/cm2 × Lg × Dg ≤ P × Ls × Ds × T ≤0.7 J/cm2 × Lg × Dg 0.05 J / cm 2 × Lg × Dg ≤ P × Ls × Ds × T ≤ 0.7 J / cm 2 × Lg × Dg

여기서, Dg = Ds를 만족하므로, 식 4와 같은 공식이 성립된다. Here, since Dg = Ds is satisfied, a formula similar to Equation 4 is established.

식 4Equation 4

0.05 J/cm2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤0.7 J/cm2 0.05 J / cm 2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤0.7 J / cm 2

상기 T/Lg = 1/ V(여기서, V는 기판의 이동속도를 의미한다)를 만족하므로, 결국 식 5와 같은 식이 성립된다. Since T / Lg = 1 / V (where V denotes a moving speed of the substrate) is satisfied, an equation such as Equation 5 is established.

식 5Equation 5

0.05 J/cm2 ≤ (P × Ls) / V ≤ 0.7 J/cm2 0.05 J / cm 2 ≤ (P × Ls) / V ≤ 0.7 J / cm 2

한편, 파장범위가 300nm 내지 400nm의 경우에 있어서도 동일한 방식을 통해 식 6과 같은 식이 성립된다. On the other hand, even in the case where the wavelength range is 300nm to 400nm, the same formula as Formula 6 is established through the same method.

식 6Equation 6

0.2 J/cm2 ≤ (P × Ls) / V ≤ 2.8 J/cm2 0.2 J / cm 2 ≤ (P × Ls) / V ≤ 2.8 J / cm 2

이상과 같이 본 발명은 파장범위가 200nm 내지 300nm의 경우에는 0.05J/cm2 ≤(P×Ls)/V≤0.7J/cm2, 파장범위가 300nm 내지 400nm의 경우에는 0.2J/cm2 ≤(P×Ls)/V≤ 2.8J/cm2의 선형의 UV광원의 조건을 제공한다. The present invention as described above in the case of a wavelength range of 200nm to 300nm is 0.05J / cm 2 ≤ (P × Ls) /V≤0.7J/cm 2, if the wavelength range of 300nm to 400nm is 0.2J / cm 2 ≤ (P × Ls) /V≦2.8 J / cm 2 to provide a linear UV light condition.

한편, 이상 설명한 바와 같은 스캔 방식의 UV조사조건은 일괄노광방식에도 적용이 가능하다. On the other hand, the UV irradiation conditions of the scanning method as described above can be applied to the batch exposure method.

다만, 일괄노광방식의 경우는 기판이 이동하지 않기 때문에, 파장범위가 200nm 내지 300nm의 경우에 있어서는 상기 식 4와 같이 0.05 J/cm2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤0.7 J/cm2 와 같은 식이 성립되고, 파장범위가 300nm 내지 400nm의 경우에 있어서는 0.2 J/cm2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤ 2.8 J/cm2와 같은 식이 성립된다.However, in the case of the batch exposure method, since the substrate does not move, when the wavelength range is 200 nm to 300 nm, 0.05 J / cm 2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤ 0.7 J / cm 2 as in Equation 4 above. The same equation holds, and in the case where the wavelength range is 300 nm to 400 nm, an equation such as 0.2 J / cm 2 ? P × Ls × T / Lg? 2.8 J / cm 2 is established.

여기서, P는 UV파워밀도이고, Ls는 선형의 UV광원의 일변의 길이이고, T는 기판 1매를 처리하는데 걸리는 시간이고, Lg는 상기 Ls에 대응되는 기판의 일변의 길이이다.  Where P is the UV power density, Ls is the length of one side of the linear UV light source, T is the time taken to process one substrate, and Lg is the length of one side of the substrate corresponding to Ls.

실시예Example

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 개략적인 단면도이다. 6A through 6E are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 6a와 같이, 제1기판(100) 및 제2기판(200)을 준비한다. First, as shown in FIG. 6A, a first substrate 100 and a second substrate 200 are prepared.

도시하지는 않았지만, 상기 제1기판(100) 상에는 서로 교차 형성되어 화소영역을 정의하도록 게이트 배선 및 데이터 배선이 형성되어 있고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차영역에 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하여 구성된 박막트랜지스터가 형성되어 있고, 그리고 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되도록 상기 화소영역에 화소전극이 형성되어 있다. Although not shown, a gate line and a data line are formed on the first substrate 100 so as to cross each other to define a pixel area, and a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode are formed at an intersection area of the gate line and the data line. A thin film transistor including a thin film transistor is formed, and a pixel electrode is formed in the pixel region so as to be connected to the drain electrode of the thin film transistor.

상기 제2기판(200) 상에는 빛의 누설을 방지하는 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 녹색, 적색, 및 청색의 컬러필터층이 형성되어 있고, 그리고 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다. A light blocking layer is formed on the second substrate 200 to prevent light leakage, green, red, and blue color filter layers are formed on the light blocking layer, and a common electrode is formed on the color filter layer. have.

다만, 소위 IPS(In-plane switching) 모드 액정표시소자의 경우에는 상기 공 통전극이 상기 제2기판(200)에 형성되지 않고 상기 제1기판(100) 상에서 상기 화소전극과 평행하게 배열되어 횡전계를 유도하게 된다. However, in the case of a so-called IPS (In-plane switching) mode liquid crystal display device, the common electrode is not formed on the second substrate 200, but is arranged in parallel with the pixel electrode on the first substrate 100 so as to be horizontal. Induce an electric field.

그 후, 도 6b와 같이 제1기판(100) 상에 배향막(120)을 도포한다.Thereafter, the alignment layer 120 is coated on the first substrate 100 as shown in FIG. 6B.

도면에는 제1기판(100) 상에 배향막(120)을 도포하는 공정만을 도시하였지만, 제2기판(200) 상에도 배향막을 도포할 수 있다. Although only the process of applying the alignment layer 120 on the first substrate 100 is illustrated in the drawing, the alignment layer may also be applied on the second substrate 200.

상기 배향막(120)은 상기 후술할 러빙공정 및 UV조사공정에 의해 배향방향이 정렬될 수 있는 물질이면 어느 것이나 가능하며, 바람직하기로는 폴리이미드(Polyimide), 폴리아믹 에시드(Polyamic acid), 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinnamate), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리아미드(Polyamide), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리스틸렌(Polystylene), 폴리페닐렌프탈아미드(Polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(Polyester), 폴리우레탄(Polyurethane), 및 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate)에서 선택된 고분자물질을 사용한다. The alignment layer 120 may be any material as long as the alignment direction may be aligned by a rubbing process and a UV irradiation process, which will be described later. Preferably, polyimide, polyamic acid, and polyvinyl. Cinnamate, polyazobenzene, Polyethyleneimine, Polyvinyl alcohol, Polyamide, Polyethylene, Polystylene, Polyphenylenephthalamide , A polymer material selected from polyester, polyurethane, and polymethyl methacrylate is used.

배향막(120) 도포공정은 전술한 바와 같은 고분자물질을 인쇄하는 공정 및 인쇄한 고분자물질을 경화하는 공정을 통해 수행될 수 있다. The coating process of the alignment layer 120 may be performed through a process of printing the polymer material as described above and a process of curing the printed polymer material.

그 후, 도 6c와 같이, 상기 배향막(120)이 도포된 제1기판(100) 상에 러빙공정을 수행한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 6C, a rubbing process is performed on the first substrate 100 to which the alignment layer 120 is applied.

상기 러빙공정은 러빙포(310)가 부착된 러빙롤(300)을 원하는 배향방향으로 회전시켜 수행한다. The rubbing process is performed by rotating the rubbing roll 300 to which the rubbing cloth 310 is attached in a desired orientation direction.

그 후, 도 6d에서와 같이, 상기 제1기판(100)에 선형의 UV광원(400)을 이용하여 편광된 UV를 조사한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 6D, the first substrate 100 is irradiated with polarized UV by using a linear UV light source 400.

상기 편광된 UV는 스캔방식으로 조사되는데, 이를 위해서 도시한 바와 같이 상기 제1기판(100)을 이동시키고 선형의 UV광원(400)은 고정시킬 수도 있지만, 그에 한정되는 것은 아니고 제1기판(100)을 고정시키고 선형의 UV광원(400)을 이동시킬 수도 있다. The polarized UV is irradiated by a scan method, but for this purpose, the first substrate 100 may be moved and the linear UV light source 400 may be fixed, but is not limited thereto. ) And move the linear UV light source 400.

상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 200nm 내지 300nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 이용할 경우에는 기판 면에 대해서 0.05J/cm2 내지 0.7J/cm2의 에너지 밀도로 조사하는 것이 바람직하고, 300nm 내지 400nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 이용할 경우에는 기판 면에 대해서 0.2J/cm2 내지 2.8J/cm2의 에너지 밀도로 조사하는 것이 바람직하다. The step of irradiating the polarized UV is when using polarized UV having a wavelength range of 200nm to 300nm and is preferably irradiated with an energy density of 0.05J / cm 2 to 0.7J / cm 2 with respect to the substrate surface, 300nm In the case of using polarized UV having a wavelength range of 400 nm to 400 nm, it is preferable to irradiate the substrate surface at an energy density of 0.2 J / cm 2 to 2.8 J / cm 2 .

상기 200nm 내지 300nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 이용할 경우에는 전술한 바와 같이 0.05J/cm2 ≤(P×Ls)/V≤0.7J/cm2를 만족하도록, UV파워밀도(P), 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이(Ls), 및 기판의 이동 속도(V)를 제어하여 수행하는 것이 바람직하다. When using a polarized UV having a wavelength range of 200nm and above 300nm is as described above 0.05J / cm 2 ≤ (P × Ls), UV power so as to satisfy the /V≤0.7J/cm 2 density (P), It is preferable to carry out by controlling the length Ls of the linear UV light source in the direction in which the substrate moves and the moving speed V of the substrate.

상기 300nm 내지 400nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 이용할 경우에는 전술한 바와 같이 0.2J/cm2 ≤(P×Ls)/V ≤ 2.8J/cm2를 만족하도록, UV파워밀도(P), 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이(Ls), 및 기판의 이동 속도(V)를 제어하는 것이 바람직하다. When using the polarized UV having a wavelength range of 300nm to 400nm, UV power density (P), so as to satisfy 0.2J / cm 2 ≤ (P × Ls) / V ≤ 2.8J / cm 2 as described above It is preferable to control the length Ls of the linear UV light source and the moving speed V of the substrate in the direction in which the substrate moves.

상기 편광된 UV조사공정은 상기 러빙공정을 수행한 후에 수행하는 것이 바람직하지만, 반듯이 이에 한정되는 것은 아니고, UV조사공정과 러빙공정을 동시에 수행할 수도 있으며, UV조사공정을 먼저 수행하고 그 후에 러빙공정을 수행하는 것도 가능하다. The polarized UV irradiation process is preferably performed after the rubbing process, but is not limited thereto, and may also simultaneously perform the UV irradiation process and the rubbing process, and then perform the UV irradiation process first and then rubbing. It is also possible to carry out the process.

상기 편광된 UV조사공정은 러빙공정 후에도 배향방향으로 정렬하지 못한 배향막을 정렬하기 위한 것이므로 그 영역에만 편광된 UV를 조사하는 것도 가능하지만, 기판 전면에 편광된 UV를 조사하는 것이 공정을 단순화할 수 있어 보다 바람직하다. Since the polarized UV irradiation process is for aligning the alignment layer that is not aligned in the alignment direction even after the rubbing process, it is also possible to irradiate polarized UV only to the area, but irradiating polarized UV on the entire surface of the substrate may simplify the process. It is more preferable.

상기 러빙공정에 의한 배향막의 배향방향과 상기 편광된 UV 조사공정에 의한 배향막의 배향방향은 서로 일치해야 하므로, 편광된 UV조사공정시 편광방향을 적절히 선택해서 수행해야 한다. Since the alignment direction of the alignment layer by the rubbing process and the alignment direction of the alignment layer by the polarized UV irradiation process should coincide with each other, the polarization direction should be appropriately selected and performed during the polarized UV irradiation process.

상기 편광된 UV조사공정은 부분편광 또는 선편광된 UV를 이용하여 수행할 수 있다. The polarized UV irradiation process may be performed using partially polarized or linearly polarized UV.

그 후, 도 6e와 같이, 배향막(120, 220)이 각각 형성된 제1기판(100) 및 제2기판(200) 사이에 액정층(500)을 형성하여 액정표시소자를 완성한다. Thereafter, as shown in FIG. 6E, the liquid crystal layer 500 is formed between the first substrate 100 and the second substrate 200 on which the alignment layers 120 and 220 are formed, thereby completing the liquid crystal display device.

상기 액정층(500)을 형성하는 공정은 진공주입법 또는 액정적하법을 이용하여 수행할 수 있다. The process of forming the liquid crystal layer 500 may be performed using a vacuum injection method or a liquid crystal dropping method.

진공주입법은 상기 양 기판(100, 200) 중 어느 하나의 기판 상에 주입구 있는 씨일재를 형성하고, 상기 양 기판(100, 200)을 합착한 후, 상기 주입구를 통해 액정을 주입시키는 방법이다. In the vacuum injection method, a sealing material having an injection hole is formed on one of the two substrates 100 and 200, the two substrates 100 and 200 are bonded together, and then a liquid crystal is injected through the injection hole.

액정적하법은 상기 양 기판(100, 200) 중 어느 하나의 기판 상에 주입구 없는 씨일재를 형성하고, 상기 양 기판(100, 200) 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하한 후, 상기 양 기판(100, 200)을 합착하는 방법이다. In the liquid crystal dropping method, a sealing material without an injection hole is formed on one of the two substrates 100 and 200, and after the liquid crystal is dropped on one of the two substrates 100 and 200, This is a method for bonding the substrates 100 and 200 together.

또한, 본 발명은 전술한 스캔 방식의 UV조사조건을 적용하여 일괄노광방식으로 액정표시소자를 제조하는 방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a method for manufacturing a liquid crystal display device in a batch exposure method by applying the above-described UV irradiation conditions of the scanning method.

일괄노광방식의 경우는 기판이 이동하지 않기 때문에, 파장범위가 200nm 내지 300nm의 경우에 있어서는 0.05 J/cm2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤0.7 J/cm2 와 같은 식이 성립되고, 파장범위가 300nm 내지 400nm의 경우에 있어서는 0.2 J/cm2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤ 2.8 J/cm2와 같은 식이 성립된다.In the case of the batch exposure method, since the substrate does not move, when the wavelength range is 200 nm to 300 nm, an expression such as 0.05 J / cm 2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤ 0.7 J / cm 2 is established and the wavelength range is established. When 300 nm to 400 nm, an equation such as 0.2 J / cm 2 ≦ P × Ls × T / Lg ≦ 2.8 J / cm 2 is established.

여기서, P는 UV파워밀도이고, Ls는 선형의 UV광원의 일변의 길이이고, T는 기판 1매를 처리하는데 걸리는 시간이고, Lg는 상기 Ls에 대응되는 기판의 일변의 길이이다.  Where P is the UV power density, Ls is the length of one side of the linear UV light source, T is the time taken to process one substrate, and Lg is the length of one side of the substrate corresponding to Ls.

그 외에는 전술한 스캔방식과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다. Other details are the same as the above-described scan method, and thus detailed description thereof will be omitted.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 당업자에게 자명한 범위 내에서 변경실시할 수 있는 범위내이다. As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, It is within the range which can be changed within the range apparent to those skilled in the art.

상기 본 발명에 의하면, 러빙공정과 더불어 편광된 UV조사공정을 수행함으로 써, 러빙공정시 러빙포의 배열이 흐트러지거나 또는 러빙포가 기판과 접촉하지 못하여 러빙이 원활히 수행되지 못한다 하더라도 균일하게 정렬된 배향막을 얻을 수 있어, 결국 빛샘의 발생을 방지할 수 있다. According to the present invention, by performing a polarized UV irradiation process in addition to the rubbing process, evenly aligned alignment film even if the rubbing of the rubbing cloth array or rubbing cloth is not in contact with the substrate does not perform smooth rubbing Can be obtained, and eventually, light leakage can be prevented.

또한, 본 발명은 편광된 UV를 조사함에 있어서 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 수행함으로써 기판의 크기가 대형화되어도 그 적용이 용이하다. In addition, the present invention is easy to apply even if the size of the substrate is increased by performing a scan method using a linear UV light source in irradiating the polarized UV.

또한, 본 발명은 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 UV를 조사함에 있어서 UV조사 조건을 제공함으로써, UV파워밀도(P), 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이(Ls), 및 기판의 이동 속도(V)를 적절히 제어하여 러빙공정시 발생한 러빙불량을 해소하면서 균일한 배향막을 얻을 수 있어, 결국 빛샘의 발생을 방지할 수 있다. In addition, the present invention by providing a UV irradiation conditions in the irradiation of UV by a scanning method using a linear UV light source, UV power density (P), the length of the linear UV light source (Ls) in the direction in which the substrate moves By appropriately controlling the moving speed V of the substrate and the substrate, it is possible to obtain a uniform alignment film while eliminating the rubbing defect generated during the rubbing process, thereby preventing generation of light leakage.

Claims (18)

제1기판 및 제2기판을 준비하는 공정;Preparing a first substrate and a second substrate; 상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 하나의 기판 상에 배향막을 도포하는 공정;Applying an alignment layer on at least one of the first substrate and the second substrate; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 러빙공정을 수행하는 공정;Performing a rubbing process on the substrate on which the alignment layer is applied; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 200nm 내지 300nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 기판 면에 대해서 0.05J/cm2 내지 0.7J/cm2의 에너지 밀도로 조사하는 공정; 및Step of the alignment film is irradiated with the polarized UV 200nm to 300nm wavelength range onto a substrate with an energy density of 0.05J / cm 2 to 0.7J / cm 2 to the substrate surface; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 선형의 UV광원을 이용하여 스캔방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The process of irradiating the polarized UV is a manufacturing method of the liquid crystal display device, characterized in that performed by a scanning method using a linear UV light source. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 0.05J/cm2 ≤(P×Ls)/V≤0.7J/cm2를 만족하도록, UV파워밀도(P), 기판이 이동하는 방향에서의 선형의 UV광원의 길이(Ls), 및 기판의 이동 속도(v)를 제어하여 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. A step of irradiating the polarized UV is 0.05J / cm 2 ≤ (P × Ls) /V≤0.7J/cm linear UV light source in the direction in which the, UV power density (P), the substrate movement so as to satisfy the 2 And controlling the length Ls and the moving speed v of the substrate. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 러빙공정과 편광된 UV 조사공정은 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. And the rubbing process and the polarized UV irradiation process are performed at the same time. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 러빙공정이 상기 편광된 UV 조사공정 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. And the rubbing process is performed before the polarized UV irradiation process. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 러빙공정이 상기 편광된 UV 조사공정 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. And the rubbing process is performed after the polarized UV irradiation process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 러빙공정에 의해 상기 배향막의 배향방향과 상기 편광된 UV 조사공정에 의한 상기 배향막의 배향방향은 서로 일치하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. And an alignment direction of the alignment layer by the rubbing process and an alignment direction of the alignment layer by the polarized UV irradiation process coincide with each other. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 부분편광 또는 선편광된 UV를 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The process of irradiating the polarized UV is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that for irradiating partial or linearly polarized UV. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 기판을 이동시키고 선형의 UV광원은 고정시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The process of irradiating the polarized UV is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that performed by moving the substrate and fixing a linear UV light source. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 기판은 고정시키고 선형의 UV광원을 이동시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The process of irradiating the polarized UV is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that performed by fixing the substrate and moving a linear UV light source. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 배향막을 도포하는 공정은 폴리이미드(Polyimide), 폴리아믹 에시드(Polyamic acid), 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinnamate), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리아미드(Polyamide), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리스틸렌(Polystylene), 폴리페닐렌프탈아미드(Polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(Polyester), 폴리우레탄(Polyurethane), 및 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate)로 구성된 군에서 선택된 고분자물질을 도포하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. The process of applying the alignment layer is polyimide, polyamic acid, polyvinylcinnamate, polyazobenzene, polyethyleneimine, polyvinyl alcohol, polyvinyl alcohol. Polyamide, Polyethylene, Polystylene, Polyphenylenephthalamide, Polyester, Polyurethane, and Polymethyl methacrylate A method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that the coating of the selected polymer material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정은The process of forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate is 상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 하나의 기판 상에 주입구 없는 씨일재를 형성하는 공정; Forming a sealing material without an injection hole on any one of the first substrate and the second substrate; 상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정; 및 Dropping liquid crystal onto any one of the first substrate and the second substrate; And 상기 제1기판 및 제2기판을 합착하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. And a step of bonding the first substrate and the second substrate together. 제1기판 및 제2기판을 준비하는 공정;Preparing a first substrate and a second substrate; 상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 하나의 기판 상에 배향막을 도포하는 공정;Applying an alignment layer on at least one of the first substrate and the second substrate; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 러빙공정을 수행하는 공정;Performing a rubbing process on the substrate on which the alignment layer is applied; 상기 배향막이 도포된 기판 상에 편광된 UV를 조사하는 공정; 및Irradiating the polarized UV on the substrate on which the alignment layer is applied; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 선형의 UV광원을 일괄노광방식으로, 200nm 내지 300nm의 파장범위를 갖는 편광된 UV를 기판 면에 대해서 0.05J/cm2 내지 0.7J/cm2의 에너지 밀도로 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.A step of irradiating the polarized UV is a linear UV light source in a batch exposure method, the 200nm-polarized UV having a wavelength range of 300nm to an energy density of 0.05J / cm 2 to 0.7J / cm 2 to the substrate surface A method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized by irradiating. 제15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 상기 편광된 UV를 조사하는 공정은 0.05J/cm2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤0.7J/cm2를 만족하도록, UV파워밀도(P), 선형의 UV광원의 일변의 길이(Ls), 기판 1매를 처리하는데 걸리는 시간(T), 및 상기 Ls에 대응되는 기판의 일변의 길이(Lg)를 제어하여 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법. The process of irradiating the polarized UV is UV power density (P), length of one side of the linear UV light source (Ls) to satisfy 0.05J / cm 2 ≤ P × Ls × T / Lg ≤ 0.7 J / cm 2 And controlling the time (T) taken to process one substrate and the length (Lg) of one side of the substrate corresponding to Ls. 삭제delete 삭제delete
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