KR101173647B1 - Chamber - Google Patents

Chamber Download PDF

Info

Publication number
KR101173647B1
KR101173647B1 KR1020050112442A KR20050112442A KR101173647B1 KR 101173647 B1 KR101173647 B1 KR 101173647B1 KR 1020050112442 A KR1020050112442 A KR 1020050112442A KR 20050112442 A KR20050112442 A KR 20050112442A KR 101173647 B1 KR101173647 B1 KR 101173647B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
shield plate
coupling
hole
gas
Prior art date
Application number
KR1020050112442A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070054442A (en
Inventor
이주일
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020050112442A priority Critical patent/KR101173647B1/en
Publication of KR20070054442A publication Critical patent/KR20070054442A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101173647B1 publication Critical patent/KR101173647B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 챔버에 관한 것으로, 챔버 본체와 챔버 리드로 구성되는 챔버를 포함하는 챔버에 있어서, 상기 챔버 리드는, 결합 관통공을 갖는 몸체와, 상기 결합 관통공과 대응되는 결합구를 갖는 실드판과, 상기 결합 관통공과 상기 결합구로 체결되는 체결수단을 포함하는 반도체 제조 장치를 제공한다. 이와 같이 몸체의 상단에서 체결수단을 삽입하여 하단의 실드판을 체결하여 실드판 하면으로 체결 수단이 노출되지 않도록 하여 체결 수단에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있고, 챔버 리드의 몸체와 실드판의 조립이 용이하여 실드판의 교체가 쉬워진다.The present invention relates to a chamber, comprising: a chamber including a chamber consisting of a chamber body and a chamber lid, wherein the chamber lid includes: a shield plate having a body having a coupling through hole and a coupling hole corresponding to the coupling through hole; And a fastening means fastened to the coupling through hole and the coupling hole. In this way, by inserting the fastening means at the upper end of the body to fasten the shield plate at the bottom so that the fastening means is not exposed to the lower surface of the shield plate to prevent the generation of particles by the fastening means, the assembly of the chamber lead body and the shield plate This facilitates the replacement of the shield plate.

챔버 본체, 챔버 리드, 결합 관통공, 결합구, 실드판, 체결 수단 Chamber Body, Chamber Lead, Through Hole, Coupler, Shield Plate, Fastening Means

Description

챔버{Chamber}Chamber {Chamber}

도 1은 종래의 실드판이 체결된 챔버 리드의 사시도. 1 is a perspective view of a chamber lid to which a conventional shield plate is fastened.

도 2는 종래의 챔버 리드의 단면도. 2 is a cross-sectional view of a conventional chamber lid.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 단면 개념도. 3 is a cross-sectional conceptual view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 챔버 리드의 체결을 설명하기 위한 단면 개념도. 4 is a cross-sectional conceptual view for explaining the fastening of the chamber lid.

도 5는 일 실시예에 따른 변형예를 설명하기 위한 챔버 리드의 단면 개념도.5 is a cross-sectional conceptual view of a chamber lid for explaining a modification according to an embodiment.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버 리드의 사시도.6 is a perspective view of a chamber lid according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버 리드의 배면도.7 is a rear view of the chamber lid in accordance with another embodiment of the present invention.

도 8은 챔버 리드의 단면도. 8 is a cross-sectional view of the chamber lid.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 다른 챔버 리드를 갖는 반도체 제조 장치의 단면도.9 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus having a chamber lead according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1, 100 : 챔버 리드 10, 120 : 몸체1, 100: chamber lid 10, 120: body

20, 110 : 실드판 30 : 볼트20, 110: shield plate 30: bolt

40, 300 : 가스 분사 수단 130 : 체결 수단40, 300: gas injection means 130: fastening means

210 : 챔버 본체부 400 : 지지부210: chamber body 400: support

본 발명은 챔버에 관한 것으로, 챔버 리드의 내측 하부면에 마련된 실드판과 챔버 리드와의 체결에 관한 것이다. The present invention relates to a chamber, and relates to fastening of a chamber plate and a shield plate provided on an inner lower surface of the chamber lid.

일반적으로 반도체 제조 장치 특히 소정의 공정 가스를 챔버 내부에 주입하여 기판상에 소정의 박막을 형성하는 박막 제조 장치의 경우, 챔버 내부에 공정가가스가 주입되기 때문에 기판뿐만 아니라 챔버의 내측벽 영역에도 공정 가스에 의한 박막이 형성되는 문제가 발생한다. 특히, 챔버의 내측 상부벽 영역에 박막이 형성될 경우 이는 파티클이 되어 공정 중에 하부의 기판 상으로 떨어지는 문제가 발생한다. 따라서 종래에는 상기 챔버 상부벽을 리드 형태로 제작하여, 챔버 리드를 챔버 본체로부터 주기적으로 분리하여 그 하부면에 증착된 박막을 제거하였다. In general, in the case of a semiconductor manufacturing apparatus, in particular, a thin film manufacturing apparatus in which a predetermined process gas is injected into a chamber to form a predetermined thin film on a substrate, a process gas is injected into the chamber, thereby processing not only the substrate but also the inner wall region of the chamber. There arises a problem that a thin film is formed by gas. In particular, when a thin film is formed in the inner upper wall region of the chamber, it becomes a particle and falls onto the lower substrate during the process. Therefore, in the related art, the chamber upper wall is manufactured in the form of a lead, and the chamber lead is periodically separated from the chamber body to remove the thin film deposited on the lower surface thereof.

하지만 이경우, 챔버 리드의 하부면에 형성된 박막을 제거하기 위해서는 챔버 리드를 챔버 본체로 부터 완전히 분리시킨 다음 이를 별도의 세정 장치를 이용하여 그 하부면에 형성된 박막을 제거하였다. 이는 챔버 리드를 분리하고, 이송하고, 세정하고, 다시 이송하여 체결하여야 하기 때문에 공정이 복잡하고, 챔버 리드 의 분리에서부터 체결까지 걸리는 시간이 길어지게 되어 제품의 양산성이 저하되는 문제가 발생하였다. However, in this case, in order to remove the thin film formed on the lower surface of the chamber lid, the chamber lead was completely separated from the chamber body, and then the thin film formed on the lower surface thereof was removed using a separate cleaning device. This is a complicated process because the chamber lead must be separated, transferred, cleaned, and transported and tightened again, and the time taken from the separation of the chamber lead to the fastening becomes long, resulting in a problem in that the mass productivity of the product is lowered.

따라서, 현재에는 상기 챔버 리드의 하부면에 별도의 실드판을 마련하여 이를 주기적으로 교체하여 챔버 리드 하부의 박막을 제거하는 세정 공정을 단순화 할 수 있었다. Therefore, at present, a separate shield plate may be provided on the lower surface of the chamber lid and periodically replaced, thereby simplifying the cleaning process of removing the thin film under the chamber lid.

도 1은 종래의 실드판이 체결된 챔버 리드의 사시도이다. 도 2는 종래의 챔버 리드의 단면도이다. 1 is a perspective view of a chamber lid to which a conventional shield plate is fastened. 2 is a cross-sectional view of a conventional chamber lid.

도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버 리드(1)는 다수의 체결공을 갖는 몸체(10)와, 상기 체결공과 대응하는 다수의 관통홈을 갖는 실드판(20)이 상기 몸체(10)에 체결된다. 이때, 상기 몸체(10)와 실드판(20)은 볼트(30)를 통해 체결된다. 1 and 2, the chamber lid 1 includes a body 10 having a plurality of fastening holes, and a shield plate 20 having a plurality of through grooves corresponding to the fastening holes. Is fastened. In this case, the body 10 and the shield plate 20 are fastened through the bolt 30.

종래의 실드판(20)은 도면에 도시된 바와 같이 중심이 개방되어 있는 원형 띄 형상으로 제작한다. 이는 몸체의 중앙 하단에 챔버 내부로 가스를 분사하는 가스 분사수단(40)이 결합되기 때문이다. The conventional shield plate 20 is manufactured in the shape of a circular float having an open center as shown in the drawing. This is because the gas injecting means 40 for injecting gas into the chamber is coupled to the lower center of the body.

상기 실드판(20)과 몸체(10)는 실드판(20)의 관통홈을 통과하여 상기 체결공 내부로 삽입 장착되는 다수의 볼트(30)에 의해 결합된다. 이러한 볼트 결합을 통해 상기 실드판(20)의 처짐이 발생하지 않게 된다. The shield plate 20 and the body 10 are coupled by a plurality of bolts 30 inserted through the through grooves of the shield plate 20 and inserted into the fastening holes. Through the bolt coupling, the deflection of the shield plate 20 does not occur.

상술한 바와 같이 상기 챔버 리드(1)는 그 내측 하면에 실드판(20)이 결합되어 있기 때문에 주기적으로 상기 실드판(20)을 교환하여 챔버 리드(1) 내측 하면에 형성되는 박막에 의해 파티클이 발생되는 문제를 해결할 수 있고, 챔버 리드(1) 자체를 세정할 때에 비하여 그 공정 시간을 단축할 수 있게 된다. As described above, since the shield plate 20 is coupled to the inner lower surface of the chamber lid 1, particles are formed by a thin film formed on the inner lower surface of the chamber lid 1 by periodically replacing the shield plate 20. This problem can be solved, and the process time can be shortened compared with when the chamber lid 1 itself is cleaned.

하지만, 실드판(20)과 몸체(10)를 결합하기 위한 볼트(30)가 챔버 내측으로 노출되어 있기 때문에 공정 가스가 상기 볼트(30)와 실드판(20) 및 몸체(10) 사이 즉, 상기 관통홈과 체결공 내부로 유입되어 상기 공간에 박막을 형성하게 된다. 이로인해 상기 실드판 교체 작업시 실드판(20)과 몸체(10)를 결합하는 볼트(30)가 쉽게 분리되지 않거나 심지어는 볼트(30)가 손상되어 부러지게 되는 문제가 발생한다. However, since the bolt 30 for coupling the shield plate 20 and the body 10 is exposed to the inside of the chamber, a process gas is formed between the bolt 30 and the shield plate 20 and the body 10. It is introduced into the through groove and the fastening hole to form a thin film in the space. This causes a problem that the bolt 30 that couples the shield plate 20 and the body 10 is not easily separated or even damaged due to damage to the shield plate 20 during the shield plate replacement operation.

더욱이 볼트의 표면에 형성된 파티클들 완전히 제거되지 않을 경우에는 이들이 공정 중에 기판으로 떨어지게 되는 문제가 발생한다. Moreover, if the particles formed on the surface of the bolt are not completely removed, a problem arises that they fall to the substrate during the process.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 챔버 리드 내의 몸체와 실드판의 체결 구조를 변경하여 파티클에 의한 기판의 손상을 방지하고, 실드판의 교체가 용이한 챔버를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to change the fastening structure of the body and the shield plate in the chamber lid in order to solve the above problems, to prevent damage to the substrate by the particles, and to provide a chamber that is easy to replace the shield plate. do.

본 발명에 따른 챔버 본체와 챔버 리드로 구성되는 챔버에 있어서, 상기 챔버 리드는, 결합 관통공을 갖는 몸체와, 상기 결합 관통공과 대응되며, 천공되지 않는 결합구를 갖는 실드판과, 상기 결합 관통공을 통하여 상기 결합구로 체결되는 체결수단을 포함하는 챔버를 제공한다. In the chamber consisting of a chamber main body and a chamber lid according to the present invention, the chamber lid includes a body having a coupling through hole, a shield plate having a coupling hole that is corresponding to the coupling through hole and is not perforated, and the coupling through. It provides a chamber including a fastening means fastened to the coupler through a ball.

여기서, 상기 실드판의 단부를 지지하는 지지부를 더 포함하는 것이 바람직 하다. Here, it is preferable to further include a support for supporting the end of the shield plate.

상기 지지부는, 상기 몸체의 하면 단부를 따라서 연장되는 돌출부와, 상기 실드판의 단부가 안착되는 상기 돌출부의 내주연을 따라 설치되는 측면구를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 지지부와 상기 실드판 단부 사이에 공정 가스의 침입을 방지하는 밀봉부재가 마련되는 것이 효과적이다. The support portion preferably includes a protrusion extending along an end surface of the lower surface of the body, and a side hole provided along an inner circumference of the protrusion on which an end of the shield plate is seated. At this time, it is effective to provide a sealing member for preventing the intrusion of the process gas between the support portion and the shield plate end.

상기의 지지부는 상기 챔버 본체부 및 상기 챔버 리드 중 적어도 하나와 착탈 가능하도록 제작되는 것이 효과적이다. It is effective that the support portion is made to be detachable from at least one of the chamber body portion and the chamber lid.

그리고, 상기 실드판에 돌출부를 형성되고 상기 돌출부 내에 상기 결합구가 형성되고, 상기 몸체에 상기 돌출부에 대응되는 오목부가 마련될 수 있다. A protrusion may be formed on the shield plate, the coupling hole may be formed in the protrusion, and a recess corresponding to the protrusion may be provided on the body.

상술한 상기 체결 수단으로 볼트를 포함하고, 상기 결합 관통공 및 상기 결합구의 내측에 상기 볼트에 대응되는 암나사가 형성되는 것이 바람직하다. It is preferable that the fastening means includes a bolt, and a female thread corresponding to the bolt is formed inside the coupling through hole and the coupling tool.

상술한 상기 챔버 리드를 관통하는 가스 유도부와, 상기 챔버 리드의 상기 몸체 상부에 마련되어 상기 가스 유도부를 고정 지지하는 하우징부와, 상기 가스 유도부와 연통하고, 상기 챔버 리드의 상기 실드판 하부에 마련된 가스 분사부를 포함하는 가스 공급 수단을 더 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 체결수단은 통해 상기 하우징, 상기 몸체 및 실드판을 동시에 체결하는 것이 효과적이다. A gas provided through the chamber lid described above, a housing provided on the body of the chamber lid to support and fix the gas guided portion, and a gas provided in communication with the gas guide, and provided below the shield plate of the chamber lid. It is preferable to further include a gas supply means including an injection part. Here, the fastening means is effective to simultaneously fasten the housing, the body and the shield plate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하 도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided for complete information. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 단면 개념도이다. 도 4는 챔버 리드의 체결을 설명하기 위한 단면 개념도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 변형예를 설명하기 위한 챔버 리드의 단면 개념도이다. 3 is a cross-sectional conceptual view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus in accordance with an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional conceptual view for explaining the fastening of the chamber lid. 5 is a cross-sectional conceptual view of a chamber lid for explaining a modification according to an embodiment.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 챔버 본체부(210)와, 결합구(111)를 갖는 실드판(110)과 상기 실드판(110) 상부에 마련되어 상기 결합구(111)에 대응되는 결합 관통공(121)을 갖는 몸체(120)와 결합 관통공(121)을 통하여 결합구(111)에 체결되는 체결수단(130)을 포함하는 챔버 리드(100)를 포함한다. 3 and 4, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present exemplary embodiment is provided on the shield plate 110 having a chamber main body 210, a coupling hole 111, and an upper portion of the shield plate 110. The chamber lid 100 includes a body 120 having a coupling through hole 121 corresponding to the sphere 111 and a fastening means 130 fastened to the coupling hole 111 through the coupling through hole 121. Include.

또한, 상기 챔버 본체부(210) 내에는 다수의 기판(230)이 안착되는 기판 지지 수단(220)이 마련되고, 상기 챔버 리드(100)를 관통하여 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단(300)을 더 포함한다. In addition, the chamber main body 210 is provided with a substrate support means 220 on which a plurality of substrates 230 are seated, and gas supply means for supplying process gas through the chamber lid 100 and into the chamber. It further includes 300.

이뿐만 아니라 도시되지는 않았지만, 챔버 본체부(210)와 챔버 리드(100)로 이루어진 챔버 내부의 압력을 조절하기 위한 압력 조절 수단과, 챔버 내부의 반응 부산물을 배기하기 위한 배기 수단과, 챔버 내부의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 수단을 더 포함할 수 있다. In addition to this, although not shown, pressure adjusting means for adjusting the pressure inside the chamber including the chamber main body 210 and the chamber lid 100, exhaust means for exhausting reaction by-products inside the chamber, and inside the chamber It may further include a temperature control means for adjusting the temperature of.

상기 챔버 본체부(210)는 그 상부가 개방되고, 소정의 내부 공간을 갖는 통 형상으로 제작하고, 챔버 리드(100)로 챔버 본체부(210) 상부를 덮어 내부 공간을 밀폐시킨다. 이때, 상기 챔버 본체부(210)와 챔버 리드(100) 사이에는 오링을 포함하는 밀봉 부재(미도시)가 개재될 수 있으며, 별도의 결합부재(미도시)을 통해 이들 사이를 밀봉 결합하는 것이 바람직하다.The upper portion of the chamber main body 210 is opened and manufactured in a cylindrical shape having a predetermined inner space, and the upper chamber body part 210 is covered with the chamber lid 100 to seal the inner space. In this case, a sealing member (not shown) including an O-ring may be interposed between the chamber main body 210 and the chamber lid 100, and sealingly coupling them therebetween through a separate coupling member (not shown). desirable.

그리고, 상기 챔버 본체부(210)의 일측에는 상기 기판 지지 수단(220) 상에 안착되는 기판(230)의 출입을 위한 출입구(미도시)가 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그리고 기판 지지 수단(220)상에는 기판(230)이 안착되는 다수의 서셉터가 마련된다. 기판 지지 수단(220)은 이를 승강 및 회전시키는 구동부를 더 포함하여 다수의 기판(230)을 상기 서셉터 상에 용이하게 장착시킬 수 있다. And, one side of the chamber main body 210 is preferably provided with an entrance (not shown) for the entrance and exit of the substrate 230 seated on the substrate support means 220. In addition, a plurality of susceptors on which the substrate 230 is seated is provided on the substrate support means 220. The substrate supporting unit 220 may further include a driving unit for elevating and rotating the substrate 220 to easily mount the plurality of substrates 230 on the susceptor.

챔버 리드(100)는 몸체(120)와 실드판(110)이 체결수단(130)에 의해 결합되어 있다. 이를 위해 몸체(120)의 일부에는 체결수단(130)이 결합 관통하는 결합 관통공(212)이 마련되고, 실드판(110)의 일부에는 체결수단(130)이 인입되어 결합되는 결합구(111)가 마련되는 것이 바람직하다. 상기 챔버 리드(100)의 실드판은 챔버의 상부 벽과 동일하거나 더 넓은 면적을 갖는 것이 효과적이다. The chamber lid 100 is coupled to the body 120 and the shield plate 110 by the fastening means 130. To this end, a part of the body 120 is provided with a coupling through-hole 212 through which the fastening means 130 is coupled, and a part of the shield plate 110 is coupled to the coupling tool 111 through which the fastening means 130 is inserted. Is preferably provided. It is effective that the shield plate of the chamber lid 100 has an area equal to or larger than the upper wall of the chamber.

여기서, 실드판(110)은 몸체(120)의 하단면에 공정 가스에 의한 박막을 방지하기 위해 얇은 판 형태로 상기 몸체(120)의 하단면에 배치되는 것이 바람직하다. 상기 실드판(110)은 몸체(120)와의 체결구조를 단순화하고, 체결수단(130)이 실드판(110)의 하단면 영역으로 노출되지 않도록 하기 위해 본 실시예에서는 앞서 설명한 바와 같이 실드판(110)의 일부에 체결 수단(130)과 결합되는 결합구(111)가 마련되어 실드판(110)과 몸체(120)를 결합시키게 된다. 이를 위해 도 3 및 4에 도시된 바와 같이 실드판(110)의 중심에 돌출부를 마련하고 상기 돌출부 내에 결합구 (111)를 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기의 체결 수단(130)으로 볼트를 사용할 경우 상기 결합구(111) 내측에는 볼트에 대응되는 암나사가 형성된 것이 효과적이다. Here, the shield plate 110 is preferably disposed on the bottom surface of the body 120 in the form of a thin plate to prevent a thin film by the process gas on the bottom surface of the body 120. The shield plate 110 simplifies the fastening structure with the body 120, and in order to prevent the fastening means 130 from being exposed to the lower surface area of the shield plate 110, in the present embodiment, as described above, the shield plate ( A coupler 111 coupled to the fastening means 130 is provided at a portion of the 110 to couple the shield plate 110 to the body 120. To this end, as shown in FIGS. 3 and 4, it is preferable to provide a protrusion at the center of the shield plate 110 and to form a coupler 111 in the protrusion. At this time, when the bolt is used as the fastening means 130, it is effective that a female screw corresponding to the bolt is formed inside the coupling sphere 111.

그리고, 실드판(110) 중심의 돌출부에 대응하는 오목부가 몸체(120)의 중심에 마련되어 실드판(110)의 돌출부가 오목부에 삽입 장착되도록 하여 실드판(110)과 몸체(120)가 밀착되도록 하는 것이 바람직하다. In addition, a recess corresponding to the protrusion of the center of the shield plate 110 is provided at the center of the body 120 so that the protrusion of the shield plate 110 is inserted into the recess to be closely attached to the shield plate 110 and the body 120. It is desirable to.

또한, 상기 몸체(120)의 중심에는 상기 실드판(110)의 결합구(111)에 대응되는 다수의 관통공이 마련되어 있다. In addition, a plurality of through holes corresponding to the coupling hole 111 of the shield plate 110 is provided at the center of the body 120.

이로인해 도 4에 도시된 바와 같이 체결수단(130)이 상기 몸체(120)의 결합 관통공(121)을 지나 실드판(110)의 결합구(111)와 결합됨으로 인해 상기 몸체(120)와 실드판(110)을 밀착 결합시킬 수 있다. 또한, 이와 반대로 상기 체결수단(130)을 상기 결합구(111)와 분리시킴으로 인해 몸체(120)와 실드판(110)을 용이하게 분리시킬 수 있게 된다. As a result, as shown in FIG. 4, the fastening means 130 passes through the coupling through hole 121 of the body 120 and is coupled with the coupling hole 111 of the shield plate 110. The shield plate 110 may be tightly coupled. On the contrary, the body 120 and the shield plate 110 can be easily separated by separating the fastening means 130 from the coupler 111.

이러한 체결 수단(130)으로 도면에 도시된 바와 같이 볼트 부재를 사용하는 것이 바람직하다. 이때, 체결수단(130)은 상부 헤더와 상기 헤더에서 연장된 돌출핀을 포함하고, 상기 돌출핀의 적어도 하부 영역에는 나사선과 같은 결합부재가 마련되어 상기 실드판(110)의 결합구와 결합되도록 하는 것이 바람직하다. 물론 상기 돌출핀 전체에 결합부재가 마련되어 상기 몸체(120)와 실드판(110) 모두와 결합될 수도 있다. As the fastening means 130, it is preferable to use a bolt member as shown in the figure. In this case, the fastening means 130 includes an upper header and a protruding pin extending from the header, and at least a lower region of the protruding pin is provided with a coupling member such as a screw thread so as to be coupled to the coupling hole of the shield plate 110. desirable. Of course, the coupling member is provided in the entire protruding pin may be coupled to both the body 120 and the shield plate 110.

상기 챔버 리드(100)의 중앙에는 소정의 관통공이 마련되고 상기 관통공을 관통하여 가스 공급 수단(300)이 마련된다. 가스 공급 수단(300)은 관통공 내부를 관통하는 가스 유도부(310)와, 상기 가스 유도부(310)와 연통하고 상기 실드판(110)의 하단에 배치된 가스 분사부(320)를 포함한다. 공정 가스는 가스 유도부(310)를 통해 공정 가스를 가스 분사부(320)에 공급하고, 공급된 공정 가스는 가스 분사부(320)에 의해 기판에 분사된다. A predetermined through hole is provided in the center of the chamber lid 100, and a gas supply means 300 is provided through the through hole. The gas supply means 300 includes a gas induction part 310 penetrating the inside of the through hole, and a gas injection part 320 communicating with the gas induction part 310 and disposed at a lower end of the shield plate 110. The process gas supplies the process gas to the gas injector 320 through the gas induction unit 310, and the supplied process gas is injected to the substrate by the gas injector 320.

본 실시예에서는, 상기 가스 유도부(310)는 회전하는 가스 유도축과 이를 밀봉하는 하우징을 포함하여, 상기 가스 분사부(320)를 회전시킬 수도 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 가스 분사부(320)를 고정시킨 상태에서 상기 기판 지지 수단(220)을 회전시킬 수도 있다. In the present embodiment, the gas guide part 310 may include a rotating gas guide shaft and a housing sealing the same, and may rotate the gas injection part 320. Of course, the present invention is not limited thereto, and the substrate support means 220 may be rotated while the gas injection unit 320 is fixed.

상기 실시예에서는 실드판(110)의 중앙 영역에 소정의 돌출부가 마련되어 상기 실드판(110)과 몸체(120)를 밀봉 결합하였다. 그러나 돌출부를 실드판(110)의 중심 뿐만 아니라 가장자리 영역에도 마련될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 실드판(110)의 중앙 영역 분만 아니라 실드판(110)의 가장자리 영역에도 결합구(111)가 형성된 돌출부를 형성하여 실드판(110)의 처짐을 방지할 수 있다. 상기 결합구(111)를 갖는 돌출부는 실드판(110)의 가장자리뿐만 아니라 중앙과 가장자리 사이의 어느 영역에서든지 형성될 수 있다. In the above embodiment, a predetermined protrusion is provided in the central region of the shield plate 110 to seal-bond the shield plate 110 and the body 120. However, the protrusion may be provided not only at the center of the shield plate 110 but also at the edge region. That is, as shown in FIG. 5, not only the central region of the shield plate 110 but also the protrusion of the coupling hole 111 is formed in the edge region of the shield plate 110 to prevent sagging of the shield plate 110. have. The protrusion having the coupler 111 may be formed in any region between the center and the edge as well as the edge of the shield plate 110.

또한, 이뿐만 아니라 실드판의 가장자리 둘레를 지지하는 별도의 지지부를 통해 실드판의 처짐을 방지할 수 있다. 하기에서는 실드판을 지지부를 갖는 챔버 리드를 포함하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. In addition, sagging of the shield plate can be prevented through a separate support part supporting the edge of the shield plate as well. Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention including a chamber lead having a shield plate, will be described. The description overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버 리드의 사시도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버 리드의 배면도이고, 도 8은 챔버 리드의 단면도이다. 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 다른 챔버 리드를 갖는 반도체 제조 장치의 단면도이다. 6 is a perspective view of a chamber lid according to another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a rear view of the chamber lid according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view of the chamber lid. 9 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus having a chamber lead according to another embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 본체부(210)와 챔버 리드(100)를 포함하는 챔버와, 챔버 내측에 마련된 기판 지지 수단(220)과, 상기 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 수단(300)을 포함한다. 6 to 9, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present exemplary embodiment includes a chamber including a main body 210 and a chamber lid 100, a substrate supporting means 220 provided inside the chamber, and an inside of the chamber. Process gas supply means 300 for supplying a process gas furnace is included.

여기서, 본 실시예에 따른 상기 챔버 리드(100)는 결합 관통공을 갖는 몸체(120)와, 상기 결합 관통공과 대응되는 결합구를 갖는 실드판(110)과, 상기 결함 관통공과 결합구를 통해 상기 몸체(120)와 실드판(110)을 결합시키는 체결수단(130)과, 상기 몸체(120)의 가장자리에 마련되어 실드판(110)의 끝단을 지지하는 지지부(400)를 포함한다. Here, the chamber lid 100 according to the present embodiment may include a body 120 having a coupling through hole, a shield plate 110 having a coupling hole corresponding to the coupling through hole, and a defect through hole and a coupling hole. It includes a fastening means 130 for coupling the body 120 and the shield plate 110, and a support portion 400 provided on the edge of the body 120 to support the end of the shield plate 110.

상기 몸체(120)의 결합 관통공과 실드판(110)의 결합구 사이에 체결 수단(130)을 인입하여 상기 몸체(120)와 실드판(110)을 밀착 결합시킬 수 있게 되고, 지지부(400)에 의해 실드판(110)의 가장자리영역을 지지할 수 있게 된다. By inserting the fastening means 130 between the coupling through-hole of the body 120 and the coupling hole of the shield plate 110, the body 120 and the shield plate 110 can be tightly coupled, and the support part 400 As a result, the edge region of the shield plate 110 can be supported.

여기서, 상기의 지지부(400)는 도 8에 도시된 바와 같이 몸체(120)의 하면 단부를 따라서 연장되는 돌출부(410)를 설치하고, 돌출부(410)의 내주연에 실드판(110)을 고정시킬 수 있는 측면구(420)을 포함한다. 이를 통해 실드판(110)의 끝단 부가 자중에 의해 처짐을 방지할 수 있고, 오히려 자중에 의해 처짐으로 인해 실드 판(110)과 단턱진 측면구(420) 사이의 결합을 강화시켜 공정가스의 침입을 방지할 수 있게 된다. 이때, 지지부(400)의 측면구(420)의 상부 면에는 실드판(110)과 결합하여 공정 가스의 침입을 방지하는 밀봉부재(미도시)가 마련될 수도 있다. 그리고, 상기 지지부(400)의 단턱의 높이는 실드판(110) 단부의 두께와 동일하거나 이보다 조금 두껍게 형성한다. 이는 동일한 두께를 통해 실드판(110)을 몸체에 밀착시킬 수 있고, 이보다 두껍게 하여 챔버 내의 온도 상승으로 인한 실드판(110)의 변형을 방지할 수 있다. Here, the support 400 is installed with a protrusion 410 extending along the lower end of the body 120, as shown in Figure 8, the shield plate 110 is fixed to the inner periphery of the protrusion 410 It includes a side sphere 420 that can be. Through this, the end portion of the shield plate 110 can be prevented from sagging by its own weight. Rather, due to the sag caused by its own weight, the coupling between the shield plate 110 and the stepped side opening 420 is enhanced, thereby invading the process gas. Can be prevented. In this case, a sealing member (not shown) may be provided on the upper surface of the side sphere 420 of the support part 400 to prevent the intrusion of the process gas by being coupled to the shield plate 110. In addition, the height of the stepped portion of the support part 400 is equal to or slightly thicker than the thickness of the end of the shield plate 110. This can be in close contact with the body of the shield plate 110 through the same thickness, it can be thicker than this to prevent deformation of the shield plate 110 due to the temperature rise in the chamber.

여기서 몸체(120)의 가장자리 영역에 돌출부(410)와 측면구(420)를 갖는 지지부(400)를 형성할 수 있지만 본 실시예에서는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 상기 몸체(120)의 가장자리 둘레에 상기 지지부(400)를 마련하는 것이 효과적이다. 지지부(400) 내측이 비어있는 띠 형상으로 제작하고, 상기 지지축의 내측 빈 공간으로 실드판(110)이 노출되어 챔버의 상부벽 역할을 하도록 하는 것이 효과적이다. 또한, 지지부(400)는 도 9에 도시된 바와 같이 챔버 본체부(210)와 몸체(120)가 결합되는 영역 사이에 마련되고, 상기 챔버 본체부(210)의 측벽 폭과 유사한 폭으로 제작한다. 이를 통해 상기 지지부(400)는 챔버의 측벽의 일부로써 작용하고 지지부(400)에 의해 지지되는 실드판(110)은 챔버의 상부벽 역할을 할 수 있게 된다. Here, the support part 400 having the protrusion 410 and the side sphere 420 may be formed in the edge region of the body 120, but in this embodiment, as shown in FIGS. 6 and 7, the body 120 may be formed. It is effective to provide the support 400 around the edge. It is effective to make the inner side of the support part 400 into an empty strip shape, and to expose the shield plate 110 to the inner empty space of the support shaft to serve as an upper wall of the chamber. In addition, as shown in FIG. 9, the support part 400 is provided between the chamber main body 210 and the region 120 to which the body 120 is coupled, and is manufactured to have a width similar to the sidewall width of the chamber main body 210. . Through this, the support part 400 serves as a part of the side wall of the chamber and the shield plate 110 supported by the support part 400 may serve as an upper wall of the chamber.

상기 지지부(400)는 별도로 제작된 다음 상기 챔버 리드(100)에 결합될 수도 있고, 상기 챔버 리드(100)와 일체로 제작될 수도 있다. 이뿐만 아니라 상기 지지부(400)는 상기 챔버 본체부(210)에 결합될 수도 있고, 상기 본체부(210)와 일체로 제작될 수도 있다. The support part 400 may be manufactured separately and then coupled to the chamber lead 100, or may be manufactured integrally with the chamber lead 100. In addition, the support 400 may be coupled to the chamber main body 210 or may be manufactured integrally with the main body 210.

본 실시예에 따른 가스 공급 수단(300)은 상기 챔버 리드(100)를 관통하는 가스 유도부(310)와, 상기 챔버 리드(100)의 몸체(120) 상부에 마련되어 상기 가스 유도부(310)를 고정 지지하는 하우징부(330)와, 상기 챔버 리드(100)의 실드판(110) 하부에 마련된 가스 분사부(320)를 포함한다.The gas supply means 300 according to the present exemplary embodiment is provided on the gas induction part 310 penetrating the chamber lead 100 and the body 120 of the chamber lead 100 to fix the gas induction part 310. It includes a housing unit 330 to support, and a gas injection unit 320 provided below the shield plate 110 of the chamber lid 100.

상기 가스 유도부(310) 내에는 복수의 가스 공급 유로(311)가 마련되고, 상기 가스 공급 유로(311)는 상기 가스 분사부(320)와 연통되어 있다. 그리고, 상기 하우징(330)은 상기 챔버 리드(100)의 몸체(120) 상에 배치되어 상기 가스 유도부(310)를 밀봉하도록 하여 가스 유도부(310)를 통한 챔버의 압력변화를 방지하고, 가스 유도부(310)를 고정 지지한다. 또한, 하우징(330)의 외측에는 외부 가스 공급부와 접속된 다수의 인젝터부(340)가 마련되어 상기 가스 유도부(310) 내의 가스 공급 유로(311)에 공정 가스를 공급한다. 그리고, 가스 분사부(320)는 챔버 내부의 기판(230) 상에 가스를 분사하는 분사 노즐부와, 상기 분사 노즐부와 가스 유도부 사이에 마련된 가스 공급관을 포함한다. A plurality of gas supply flow paths 311 are provided in the gas induction part 310, and the gas supply flow paths 311 communicate with the gas injection part 320. In addition, the housing 330 is disposed on the body 120 of the chamber lid 100 to seal the gas induction part 310 to prevent the pressure change of the chamber through the gas induction part 310, and the gas induction part. Fixed support 310. In addition, a plurality of injector parts 340 connected to an external gas supply part are provided outside the housing 330 to supply process gas to the gas supply passage 311 in the gas induction part 310. In addition, the gas injection unit 320 includes an injection nozzle unit for injecting gas onto the substrate 230 in the chamber, and a gas supply pipe provided between the injection nozzle unit and the gas induction unit.

이를 통해 외부의 가스 공급부로 부터 공급된 가스는 하우징(330)에 접속된 인젝터부(340)를 통해 가스 유도부(310) 내의 가스 공급 유로(311)에 공급되고, 가스 공급 유로(311)를 통해 가스 분사부(320)의 가스 공급관에 공급된다. 이후, 가스 공급관에 공급된 가스는 가스 공급관내에서 나누어져 직선 형상의 가스 분사 노즐부의 양 가장자리 영역으로 각기 가스를 공급한다. 이를 통해 상기 가스 분사 노즐 내부에 균일하게 가스가 공급될 수 있다. 이후, 가스 분사 노즐은 챔버의 기판 방향으로 가스를 분사하게 된다. Through this, the gas supplied from the external gas supply part is supplied to the gas supply flow path 311 in the gas induction part 310 through the injector part 340 connected to the housing 330, and through the gas supply flow path 311. It is supplied to the gas supply line of the gas injection part 320. Thereafter, the gas supplied to the gas supply pipe is divided in the gas supply pipe to supply gas to both edge regions of the linear gas injection nozzle unit. Through this, the gas may be uniformly supplied into the gas injection nozzle. The gas injection nozzle then injects gas toward the substrate of the chamber.

이때, 상기 하우징(330)은 상기 가스 유도부(310)가 관통하는 영역을 밀봉하여 챔버 내측의 압력을 일정하게 유지하고, 상기 가스 유도부(310)를 지지한다. 도면에 도시된 바와 같이 하우징(330)은 상기 몸체(120)의 결합 관통공 상부에 마련되기 때문에 앞서 설명한 챔버 리드(100)의 체결 수단(130)을 통해 챔버 리드(100)의 몸체(120)와 실드판(110) 그리고 하우징(330)을 동시에 체결하는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 몸체(120)와 실드판(110)은 제 1 체결 수단(130)을 통해 체결되고 상기 하우징(330)과 몸체(120)는 제 2 체결 수단(332)을 통해 체결될 수도 있다. In this case, the housing 330 seals an area through which the gas guide part 310 penetrates to maintain a constant pressure inside the chamber, and supports the gas guide part 310. As shown in the figure, the housing 330 is provided above the coupling through hole of the body 120, and thus, the body 120 of the chamber lid 100 through the fastening means 130 of the chamber lid 100 described above. It is preferable to fasten the shield plate 110 and the housing 330 at the same time. Of course, the present invention is not limited thereto, and as shown in FIG. 9, the body 120 and the shield plate 110 are fastened through the first fastening means 130, and the housing 330 and the body 120 are second fastened. It may be fastened via means 332.

상술한 구조를 갖는 본 발명의 챔버 리드의 실드판의 교체 방법에 관해 간략하게 설명한다. The method of replacing the shield plate of the chamber lid of the present invention having the above-described structure will be briefly described.

먼저, 챔버 본체부(210)와 챔버 리드(100)의 몸체(120)를 분리한다. 이후, 상기 챔버 리드(100) 하단에 마련된 가스 분사부(320)를 제거한 다음, 상기 몸체(120) 상단의 체결 수단(130)을 제거하여 상기 몸체(120)와 제거될 실드판(110)을 분리한다. 이후, 결합구를 갖는 새로운 실드판(110)을 몸체(120)에 장착한 다음 체결수단(130)을 이용하여 몸체(120)와 실드판(110)을 결합하고, 가스 분사부(320)를 결합한다. 이후, 상기 챔버 리드(100)의 몸체(120)와 챔버 본체부(210)를 결합하여 실드판(110)의 교체를 완료한다. First, the chamber body 210 and the body 120 of the chamber lid 100 are separated. Thereafter, the gas injector 320 provided at the bottom of the chamber lid 100 is removed, and then the fastening means 130 at the top of the body 120 is removed to remove the body 120 and the shield plate 110 to be removed. Separate. Thereafter, the new shield plate 110 having a coupler is mounted on the body 120, and then the body 120 and the shield plate 110 are combined using the fastening means 130, and the gas injection unit 320 is connected. To combine. Thereafter, the body 120 of the chamber lid 100 and the chamber body 210 are combined to complete the replacement of the shield plate 110.

여기서, 실드판(110)을 지지하는 지지부(400)가 마련될 경우, 상기 지지부(400)을 분리하여 상기 지지부(400)와 상기 몸체(120) 사이 공간으로 제거될 실드판(110)을 제거한 다음, 이 사이 영역으로 새로운 실드판(110)을 삽입하고, 체결 수단(130)을 통해 몸체(120)와 실드판(110)을 체결하여 실드판(110)을 교체하는 것이 바람직하다.In this case, when the support part 400 supporting the shield plate 110 is provided, the support part 400 is separated to remove the shield plate 110 to be removed into the space between the support part 400 and the body 120. Next, it is preferable to insert a new shield plate 110 into the intervening area, and to replace the shield plate 110 by fastening the body 120 and the shield plate 110 through the fastening means 130.

상술한 바와 같이 본 발명은 몸체의 상단에서 체결수단을 삽입하여 하단의 실드판을 체결하여 실드판 하면으로 체결 수단이 노출되지 않도록 할 수 있다. As described above, the present invention can insert the fastening means from the upper end of the body to fasten the lower shield plate so that the fastening means is not exposed to the lower surface of the shield plate.

실드판의 하면으로 체결 수단이 노출되지 않음으로 인해 체결 수단에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다. Since the fastening means is not exposed to the lower surface of the shield plate, it is possible to prevent particles from being generated by the fastening means.

또한, 체결 수단이 몸체의 상단으로 노출되기 때문에 챔버 리드의 몸체와 실드판의 조립이 용이하여 실드판의 교체가 쉬워진다.In addition, since the fastening means is exposed to the upper end of the body, the assembly of the chamber lid and the shield plate is easy, and the shield plate is easily replaced.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented in various forms. That is, the above embodiments are provided to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be understood by the claims of the present application. .

Claims (9)

챔버 본체와 챔버 리드로 구성되는 챔버에 있어서,In a chamber composed of a chamber body and a chamber lid, 상기 챔버 리드는,The chamber lead is, 몸체, 상기 몸체의 하면에 배치되는 실드판 및 상기 몸체와 상기 실드판을 체결하는 체결수단을 포함하고,A body, a shield plate disposed on a bottom surface of the body, and fastening means for fastening the body and the shield plate, 상기 몸체에는 상기 체결수단이 관통하는 결합 관통공이 마련되고,The body is provided with a coupling through hole through which the fastening means passes, 상기 실드판에는 상기 결합 관통공에 대응되며, 천공되지 않는 결합구가 마련되며,The shield plate is provided with a coupling hole corresponding to the coupling through hole and not perforated, 상기 체결수단은 상기 결합 관통공을 통하여 상기 결합구로 체결되며, 상기 실드판의 하면 영역으로 노출되지 않는 챔버.The fastening means is fastened to the coupling through the coupling through hole, the chamber is not exposed to the lower surface area of the shield plate. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 실드판의 단부를 지지하는 지지부를 더 포함하는 챔버.The chamber further comprises a support for supporting the end of the shield plate. 청구항 2에 있어서, 상기 지지부는,The method according to claim 2, The support portion, 상기 몸체의 하면 단부를 따라서 연장되는 돌출부;A protrusion extending along the bottom end of the body; 상기 실드판의 단부가 안착되는 상기 돌출부의 내주연을 따라 설치되는 측면구;A side hole installed along an inner circumference of the protrusion in which an end of the shield plate is seated; 를 포함하는 챔버.Chamber comprising a. 청구항 3에 있어서, The method of claim 3, 상기 지지부와 상기 실드판 단부 사이에 공정 가스의 침입을 방지하는 밀봉부재가 마련된 챔버. And a sealing member provided between the support portion and the shield plate end to prevent intrusion of process gas. 청구항 2에 있어서, The method according to claim 2, 상기 지지부는 상기 챔버 본체부 및 상기 챔버 리드 중 적어도 하나와 착탈 가능하도록 제작된 챔버.And the support part is made to be detachable from at least one of the chamber body part and the chamber lid. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 실드판에 돌출부를 형성되고 상기 돌출부 내에 상기 결합구가 형성되고, 상기 몸체에 상기 돌출부에 대응되는 오목부가 마련된 챔버.The chamber is provided with a protrusion on the shield plate, the coupling hole is formed in the protrusion, the body is provided with a recess corresponding to the protrusion. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 체결 수단으로 볼트를 포함하고, 상기 결합 관통공 및 상기 결합구의 내측에 상기 볼트에 대응되는 암나사가 형성된 챔버. And a bolt as the fastening means, and a female thread corresponding to the bolt is formed inside the coupling through hole and the coupling tool. 청구항 1 내지 청구항 7 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 챔버 리드를 관통하는 가스 유도부;A gas inducing part penetrating the chamber lead; 상기 챔버 리드의 상기 몸체 상부에 마련되어 상기 가스 유도부를 고정 지지하는 하우징부;A housing part provided on an upper portion of the body of the chamber lid to fix and support the gas induction part; 상기 가스 유도부와 연통하고, 상기 챔버 리드의 상기 실드판 하부에 마련된 가스 분사부를 포함하는 가스 공급 수단;Gas supply means communicating with the gas induction part and including a gas injection part provided below the shield plate of the chamber lid; 을 더 포함하는 챔버. The chamber further comprising. 청구항 8에 있어서, The method of claim 8, 상기 체결수단은 통해 상기 하우징, 상기 몸체 및 실드판을 동시에 체결하는 챔버.The fastening means is a chamber for fastening the housing, the body and the shield plate at the same time.
KR1020050112442A 2005-11-23 2005-11-23 Chamber KR101173647B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050112442A KR101173647B1 (en) 2005-11-23 2005-11-23 Chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050112442A KR101173647B1 (en) 2005-11-23 2005-11-23 Chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070054442A KR20070054442A (en) 2007-05-29
KR101173647B1 true KR101173647B1 (en) 2012-08-13

Family

ID=38276252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050112442A KR101173647B1 (en) 2005-11-23 2005-11-23 Chamber

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101173647B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070054442A (en) 2007-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102097109B1 (en) Deposition apparatus
KR101365113B1 (en) Etching chamber having flow equalizer and lower liner
US6827815B2 (en) Showerhead assembly for a processing chamber
KR100965758B1 (en) Showerhead Assembly of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition for Liquid Crystal Display Device
US5643394A (en) Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
TWI490910B (en) Cover plate fixture and induction coupling plasma processing device
JP2009062617A (en) Source gas flow path control in pecvd system to control by-product film deposition on inside chamber
KR100986961B1 (en) Semiconductor manufactruing apparatus
KR101173647B1 (en) Chamber
KR20070080768A (en) Apparatus for treating substrates
KR100945441B1 (en) Susceptor and Method of Manufacturing Susceptor
KR102411142B1 (en) Shower Head Structure and Apparatus for Processing Semiconductor Substrate Including The Same
KR100205541B1 (en) A gas port of cvd machine
KR20120040802A (en) Substrate supporting apparatus and thin film deposition apparatus comprising the same
KR101173646B1 (en) Chamber
KR20090078981A (en) Unit for injecting source material and apparatus for depositing thin film having the same
KR20120025643A (en) A gas supply unit of a chemical vapor deposition apparatus and a method for manufacturing thereof
KR20070038206A (en) Gas injection unit
KR100415435B1 (en) Apparatus for fabricating semiconductor devices
KR100925568B1 (en) A chamber of chemical vapor deposition
KR100600584B1 (en) Processing chamber for making semiconductor
KR200169709Y1 (en) Chamber assembly for etching apparatus
KR101207235B1 (en) A gas supply unit of a chemical vapor deposition apparatus
KR101473828B1 (en) Chemical Vapor Deposition apparatus for Flat Display
CN113302729A (en) Shower head and substrate processing apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150706

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160712

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170703

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180702

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 8