KR101169001B1 - 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 - Google Patents
증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101169001B1 KR101169001B1 KR1020090063135A KR20090063135A KR101169001B1 KR 101169001 B1 KR101169001 B1 KR 101169001B1 KR 1020090063135 A KR1020090063135 A KR 1020090063135A KR 20090063135 A KR20090063135 A KR 20090063135A KR 101169001 B1 KR101169001 B1 KR 101169001B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- heating
- deposition
- substrate
- hole
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 125
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 325
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 154
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 136
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 22
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical class C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 AlNd Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODPYDILFQYARBK-UHFFFAOYSA-N 7-thiabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical class C1=CC=C2SC2=C1 ODPYDILFQYARBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- VIRZZYBEAHUHST-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-triene Chemical compound C1CC=2C1=CC=CC2.C2CC=1C2=CC=CC1 VIRZZYBEAHUHST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
- Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
- Y10T428/24545—Containing metal or metal compound
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고, 상기 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막을 형성하고, 상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부에 증착용 물질층을 형성하고, 상기 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 증착용 물질층을 주울 가열하는 것을 특징으로 하는증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
따라서, 본 발명은 대형 소자의 제작에 유리한 성막 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
증착, 성막, 주울 가열
Description
본 발명은 증착장치의 증착용 기판을 사용한 성막방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 도전층에 파워를 인가하여 주울 가열에 의해 일정한 막을 증착하기 위한 성막방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
상기 평판표시장치 또는 유기전계발광표시장치의 박막의 형성은 사용하는 재료와 공정에 따라 습식공정을 사용하는 고분자형 소자와 증착공정을 사용하는 저분자형 소자로 크게 나눌 수 있다.
예를 들어, 상기 고분자 또는 저분자 발광층의 형성 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다.
또한, 증착 공정에 의해 발광층을 형성하는 경우, 별도의 금속마스크를 사용하게 되는데, 상기 금속 마스크는 평판 표시 장치가 대형화가 될수록 금속 마스크도 대형화가 되어야 하며, 이때, 상기 금속 마스크는 대형화가 될수록 처짐 현상이 발생하는 문제점이 있어, 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.
도 1은 증착용 마스크를 구비한 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 마스크(1)를 이용하여 유기전계발광표시장치의 박막, 예를 들어, 발광층을 포함하는 유기막층을 증착하기 위해서는, 진공챔버(2)에 설치된 박막 증착 용기(crucible ; 3)와 대응되는 측에 마스크와 결합된 프레임(4)을 설치하고 이의 상부에 박막 등이 형성될 대상물(5)을 장착한다. 그리고 그 상부에는 프레임(4)에 지지된 마스크(1)를 박막 등이 형성될 대상물(5)에 밀착시키기 위한 마그네트 유니트(6)를 구동시켜 상기 마스크(1)가 상기 박막 등이 형성될 대상물(5)에 밀착되도록 한다. 이 상태에서 상기 박막 증착 용기(3)의 작동으로 이에 장착된 물질이 상기 대상물(5)에 증착되게 된다.
하지만, 상술한 바와 같이, 이러한 증착용 마스크를 구비한 증착장치에 의한 박막의 형성은 평판 표시 장치가 대형화가 될수록 상기 증착용 마스크도 대형화가 되어야 하며, 이 경우, 마스크의 처짐 현상 등으로 인하여 마스크와 대상물간의 어라인이 어려워 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 대형 소자의 제작에 유리한 새로운 성막 방법을 제공하는데 목적이 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 주울 가열용 발열 도전층; 상기 주울 가열용 발열 도전층 상에 형성되고, 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막; 및 상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부에 형성된 증착용 물질층을 포함하는 증착장치의 증착용 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홈 또는 홀은 상기 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홀을 구비하는 제1절연막 상에 형성되고, 요(凹)부를 포함하는 제2절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 요(凹)부는 상기 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고, 상기 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막을 형성하고, 상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부에 증착용 물질층을 형성하고, 상기 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 증착용 물질층을 주울 가열하는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홈 또는 홀은 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 증착용 물질층을 주울 가열하는 것은 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층인 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층의 증착용 물질이 증발하는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홀을 구비하는 제1절연막 상에 요(凹)부를 포함하는 제2절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 요(凹)부는 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 제1기판을 제공하고; 상기 제1기판의 상부에 제1전극층을 형성하고; 상기 제1전극층의 상부에 화소정의막을 형성하고; 상기 화소정의막 상에 제1전극층의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하고; 상기 제1전극층의 상부에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하고; 상기 유기막층의 상부에 제2전극층을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 유기전계발광표시장치의 적어도 어느 하나의 층은 상기 제1기판과 대응되는 제2기판을 제공하고, 상기 제2기판 상에 제 1 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고, 상기 제 1 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막을 형성하고, 상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부에 제 1 증착용 물질층을 형성하고, 상기 제 1 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 제 1 증착용 물질층을 주울 가열하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제1기판 상에 채널영역 및 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체층; 상기 반도체층의 채널영역과 대응되는 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극 또는 소오스/드레인 전극은 상기 제1기판과 대응되는 제3기판을 제공하고, 상기 제3기판 상에 제 2 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고, 상기 제 2 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제2절연막을 형성하고, 상기 홈 또는 홀을 구비하는 제2절연막의 상부에 제 2 증착용 물질층을 형성하고, 상기 제 2 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 제 2 증착용 물질층을 주울 가열하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 증착용 물질층을 주울 가열하는 것은 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층의 증착용 물질이 증발하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 홀을 구비하는 제1절연막 상에 요(凹)부를 포함하는 제3절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 요(凹)부는 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
따라서, 본 발명은 대형 소자의 제작에 유리한 성막 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 소자의 제작시 리소그라피 공정이나 별도의 쉐도우 마스크 없이 성막시 패터닝되는 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 종래의 성막 방법에 비하여, 비교적 짧은 시간 내에 성막을 할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 증착장치의 증착용 기판의 개략적인 구성을 나타내는 단면도이다. 이때, 도면에는 설명의 편의를 위하여 증착용 기판의 구성만을 도시하였을 뿐, 상기 증착용 기판은 진공챔버 내에 위치할 수 있다.
먼저, 도 2a를 참조하면, 유리, 세라믹 또는 플라스틱과 같은 기판(100) 상에 주울 가열용 발열 도전층(110)을 형성한다.
상기 주울 가열용 발열 도전층(110)은 전극에 파워를 인가하여 줄열을 발생시켜, 상기 발생된 줄열을 통하여 증착물질을 증발시키기 위한 것으로, 구체적인 설명은 후술할 바와 같다.
상기 기판(100) 상에 주울 가열용 발열 도전층(110)을 형성하는 것은 공지된 성막방법인 저압화학 증착법, 상압화학 증착법, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법, 스퍼터링법, 진공증착법(vacuum evaporation) 등의 방법에 의하여 형성할 수 있으며, 본 발명에서 상기 주울 가열용 발열 도전층(110)의 형성방법을 한정하는 것은 아니다.
또한, 주울 가열용 발열 도전층(110)의 재질은 금속 또는 금속합금을 사용할 수 있다. 상기 금속 또는 금속합금은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 티탄늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 몰리텅스텐(MoW) 등일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 주울 가열용 발열 도전층(110)의 재질을 한정하는 것은 아니다.
이어서, 도 2b를 참조하면, 상술한 바와 같은 공지된 성막방법에 의하여, 상기 주울 가열용 발열 도전층(110) 상에 절연막(120)을 형성하고, 상기 절연막(120) 의 일정영역을 제거하여 상기 절연막(120) 내에 홈(120a)을 형성한다.
상기 절연막(120)은 유기막 또는 무기막으로 이루어질 수 있으며, 상기 유기막은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin) , 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용할 수 있고, 상기 무기막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막을 사용하여 형성할 수 있으며, 본 발명에서 상기 절연막의 재질을 한정하는 것은 아니다.
또한, 상기 절연막(120)의 일정영역을 제거하여 상기 절연막(120) 내에 홈(120a)을 형성하는 것은 공지된 사진 식각공정에 의하여 진행할 수 있으며, 본 발명에서 상기 홈을 형성하는 방법을 한정하는 것은 아니다.
상기 절연막(120)은 도 2b에 도시된 바와 같이 t1의 두께를 가지며, 상기 홈(120a)이 형성된 영역에서의 절연막은 t2의 두께를 갖도록 형성된다. 이에 관하여는 후술하기로 한다.
이때, 본 발명에서 상기 절연막(120) 내에 홈(120a)을 형성하는 것은 본 발명에 따른 증착장치에 의하여 형성되는 일정한 막의 형상에 대응하여 형성한다.
예를 들어, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 게이트 전극을 형성한다고 가정하면, 상기 홈(120a)의 형상은 상기 게이트 전극의 형상에 대응하여 형성되며, 또는, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 유기막층을 형성한다고 가정하면, 상기 홈(120a)의 형상은 상기 유기막층의 형상에 대응하여 형성된다.
이때, 본 발명에서 일정한 막의 형상이라 함은 일정한 막의 평면구조의 형상을 의미할 수 있다.
계속해서, 도 2c를 참조하면, 상기 홈(120a)이 구비된 절연막(120) 상에 증착용 물질층(140)을 형성한다.
상기 증착용 물질층(140)은 공지된 성막방법인 저압화학 증착법, 상압화학 증착법, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법, 스퍼터링법, 진공증착법(vacuum evaporation) 등의 방법에 의하여 형성할 수 있으며, 본 발명에서 상기 증착용 물질층(140)의 형성방법을 한정하는 것은 아니다
상기 증착용 물질층(140)은 본 발명에 따른 증착장치에 의하여 형성되는 일정한 막의 재질에 해당하는 것으로, 예를 들어, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 게이트 전극을 형성한다고 가정하면, 상기 증착용 물질층(140)은 상기 게이트 전극의 재질을 사용하여 형성할 수 있으며, 또는, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 유기막층을 형성한다고 가정하면, 상기 증착용 물질층(140)은 상기 유기막층의 재질을 사용하여 형성하게 된다.
즉, 상기 증착용 물질층(140)의 재질은 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 성막하고자 하는 대상에 따라 달라지는 것으로, 유기막, 무기막 또는 금속막 등이 될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2실시예에 따른 증착장치의 증착용 기판의 개략적인 구성을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제2실시예에 따른 증착용 기판은 후술하는 것을 제외하고는 상기 제1실시예에 따른 증착용 기판과 동일할 수 있다. 또한, 도면에는 설명의 편의를 위하여 증착용 기판의 구성만을 도시하였을 뿐, 상기 증착용 기판은 진공챔버 내에 위치할 수 있다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 유리, 스테인레스 스틸 또는 플라스틱과 같은 기판(100) 상에 주울 가열용 발열 도전층(110)을 형성하고, 상술한 바와 같은 공지된 성막방법에 의하여, 상기 주울 가열용 발열 도전층(110) 상에 제1절연막(120')을 형성한다.
이때, 상기 제1절연막(120')의 일정영역을 제거하여 상기 제1절연막(120') 내에 홀(120b)을 형성한다.
상기 제1절연막(120')은 유기막 또는 무기막으로 이루어질 수 있으며, 상기 유기막은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin) , 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용할 수 있고, 상기 무기막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막을 사용하여 형성할 수 있으며, 본 발명에서 상기 제1절연막의 재질을 한정하는 것은 아니다.
또한, 상기 제1절연막(120')의 일정영역을 제거하여 상기 제1절연막(120') 내에 홀(120b)을 형성하는 것은 공지된 사진 식각공정에 의하여 진행할 수 있으며, 본 발명에서 상기 홀을 형성하는 방법을 한정하는 것은 아니다.
계속해서, 도 3b를 참조하면, 상술한 바와 같은 공지된 성막방법에 의하여, 상기 홀(120b)이 구비된 제1절연막(120') 상에 제2절연막(130)을 형성한다.
상기 제2절연막(130)은 상기 제1절연막(120')와 동일한 재질을 사용할 수 있으나, 상기 제2절연막(130)이 상기 제1절연막(120')에 형성된 홀(120b)의 프로파일을 반영하면서 형성될 수 있도록, 상기 제2절연막(130)은 무기막으로 이루어지는 것이 바람직하다.
즉, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2절연막(130)은 홀(120b)의 프로파일을 반영하면서 형성되므로, 상기 제2절연막(130)은 상기 홀(120b) 내에 형성된 요(凹)부(130b)를 포함하게 된다.
이때, 본 발명에서 상기 제2절연막(130)에 형성된 요(凹)부(130b)는 본 발명에 따른 증착장치에 의하여 형성되는 일정한 막의 형상에 대응하여 형성한다.
예를 들어, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 게이트 전극을 형성한다고 가정하면, 상기 요(凹)부(130b)의 형상은 상기 게이트 전극의 형상에 대응하여 형성되며, 또는, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 유기막층을 형성한다고 가정하면, 상기 요(凹)부(130b)의 형상은 상기 유기막층의 형상에 대응하여 형성된다.
이때, 본 발명에서 일정한 막의 형상이라 함은 일정한 막의 평면구조의 형상을 의미할 수 있다.
상기 제2절연막(130)은 도 3b에 도시된 바와 같이 t4의 두께를 가지며, 상기 제1절연막과 제2절연막이 형성된 영역에서는 t3의 두께를 갖도록 형성된다. 이에 관하여는 후술하기로 한다.
계속해서, 도 3c를 참조하면, 상기 요(凹)부(130b)가 구비된 제2절연막(130) 상에 증착용 물질층(140')을 형성한다.
한편, 도 3b 및 도 3c에서는 상기 홀(120b)이 구비된 제1절연막(120') 상에 제2절연막(130)을 형성하고, 상기 요(凹)부(130b)가 구비된 제2절연막(130) 상에 증착용 물질층(140')을 형성하는 것을 도시하고 있으나, 이와는 달리, 상기 홀이 구비된 제1절연막 상에 증착용 물질층을 형성하는 것도 가능하다.
즉, 도 3d는 본 발명의 제3실시예에 따른 증착장치의 증착용 기판의 개략적인 구성을 나타내는 단면도로써, 도 3d를 참조하면, 홀(120b)이 구비된 제1절연막(120') 상에 증착용 물질층(140'')이 형성되어 있으며, 상기 제1절연막(120')은 t5의 두께를 가지며, 상기 홀(120b)이 형성된 영역에서는 절연막이 형성되어 있지 않다. 이에 관하여는 후술하기로 한다.
이때, 본 발명에서 상기 절연막(120') 내에 홀(120b)을 형성하는 것은 본 발명에 따른 증착장치에 의하여 형성되는 일정한 막의 형상에 대응하여 형성한다.
예를 들어, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 게이트 전극을 형성한다고 가정하면, 상기 홀(120b)의 형상은 상기 게이트 전극의 형상에 대응하여 형성되며, 또는, 본 발명에 따른 증착장치를 사용하여 유기막층을 형성한다고 가정하면, 상기 홀(120b)의 형상은 상기 유기막층의 형상에 대응하여 형성된다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 제1실시예에 따른 증착용 기판을 사용한 성막 방법을 나타내는 개략적인 단면도이다. 이때, 도면에는 설명의 편의를 위하여 증착용 기판 및 소자 기판의 구성만을 도시하였을 뿐, 상기 성막 공정은 진공챔버 내에서 이루어질 수 있다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 소자기판(150)에 대응되도록 본 발명에 따른 증착용 기판을 어라인시킨다.
이때, 상기 증착용 기판은 상술한 바와 같이, 기판(100) 상에 주울 가열용 발열 도전층(110)이 형성되고, 상기 주울 가열용 발열 도전층(110) 상에 홈(120a)을 구비하는 절연막(120)이 형성되고, 상기 홈이 구비된 절연막(120) 상에 증착용 물질층(140)이 형성되어 있다.
이후, 증착용 기판의 주울 가열용 발열 도전층(110)에 파워를 인가한다. 상기 주울 가열용 발열 도전층(110)에 파워를 인가하여 증착용 물질층(140)을 주울 가열하게 된다.
이때, 상술한 바와 같이, 상기 절연막(120)은 t1의 두께를 가지며, 상기 홈(120a)이 형성된 영역에서의 절연막은 t2의 두께를 갖도록 형성되어 있다.
즉, 홈(120a)이 형성된 영역에서의 절연막의 두께가 홈이 형성되지 않은 영역에서의 절연막의 두께보다 얇게 형성되어 있으며, 따라서, 인가된 파워에 의하여 주울 가열되는 증착용 물질층(140)은 상기 홈과 대응되는 영역(140a)에 해당하고, 결국, 상기 홈과 대응되는 영역(140a)의 증착용 물질이 증발하게 된다.
계속해서 도 4b를 참조하면, 상기 증발된 증착용 물질이 소자 기판(150)에 증착되어, 성막하고자 하는 일정한 막(160)을 형성할 수 있다.
상기 주울 가열이란, 도체를 통하여 전류가 흐를 때 저항으로 인하여 발생되는 열을 이용하여 가열하는 것을 의미한다. 파워의 인가로 인한 주울 가열에 의해 도전층에 가해지는 단위 시간당 에너지량은 하기 식으로 표시될 수 있다.
W = V × I
상기 식에서, W 는 주울 가열의 단위 시간당 에너지량, V 는 도전층의 양단에 걸리는 전압, I 는 전류를 각각 의미한다.
상기 식으로부터 전압(V)이 증가할수록, 및/또는 전류(I)가 클수록, 주울 가열에 의해 도전층에 가해지는 단위 시간당 에너지량이 증가함을 알 수 있다. 주울 가열에 의해 도전층의 온도가 올라가면 도전층, 즉, 주울 가열용 발열 도전층의 상부에 위치하는 절연막을 통하여 증착용 물질층으로 열전도가 일어나게 되며, 전달된 열로 인하여 상기 홈과 대응되는 영역(140a)의 증착용 물질을 증발시킬 수 있다.
이때, 본 발명의 제1실시예에서는 절연막 내에 형성된 홈을 통하여 주울 가열용 발열 도전층으로부터 증착용 물질층까지의 열전도를 제어하게 되며, 상술한 바와 같이, 홈(120a)이 형성된 영역에서는 절연막의 두께가 얇기 때문에 증착용 물질층까지의 열전도가 일어나게 되나, 홈이 형성되지 않은 영역에서는 절연막의 두께가 두껍기 때문에 증착용 물질층까지의 열전도가 일어나지 않게 되고, 따라서, 홈과 대응되는 영역(140a)의 증착용 물질만을 증발시켜 일정한 막을 형성할 수 있다.
상기 주울 가열용 발열 도전층(110a)에 대한 파워 인가는 상기 홈과 대응되는 영역(140a)의 증발을 유도하기에 충분한 고열을 주울 가열에 의해 발생시킬 수 있는 파워 밀도(power density)의 에너지를 인가함으로써 행해진다. 상기 파워의 인가는 상기 주울 가열용 발열 도전층(110)의 저항, 길이, 두께 등 다양한 요소들에 의해 결정되므로 특정되기는 어렵다.
다만, 원활한 증발을 위해서는 상기 홈과 대응되는 영역(120a)에 가해지는 온도가 상기 증착용 물질의 녹는점 보다 10℃ 이상 높은 것이 바람직하며 주울 가열용 발열 도전층(110)의 녹는점 이하인 것이 바람직 하다, 이를 위하여 약 1 kW/㎠ 내지 1,000 kW/㎠ 의 파워를 인가하는 것이 바람직하다.
상기 온도가 증착용 물질의 녹는점 미만인 경우는 증착용 물질의 증발이 어려울 수 있으며, 또한, 상기 온도가 주울 가열용 발열 도전층(110)의 녹는점을 초과하는 경우는 정확한 패턴의 증착이 어렵게 된다.
즉, 본 발명에서 증발되어야 할 증착용 물질은 상기 홈과 대응되는 영역의 증착용 물질이어야 하나, 상기 온도가 주울 가열용 발열 도전층의 녹는점을 초과하는 경우는 상기 주울 가열용 발열 도전층도 증발이 일어나게 되므로, 성막하고자 하는 패턴의 조성, 두께 및 형상 등이 불균일 해지며, 심한 경우 도전층이 견디지 못하고 파괴되는 현상이 일어나게 된다.
이때, 인가되는 전류는 직류이거나 교류일 수 있으며, 파워의 1회 인가 시간은1/1,000,000 ~ 100 초일 수 있으며, 바람직하게는 1/1,000,000 ~ 10 초, 더욱 바람직하게는 1/1,000,000 ~ 1초이다.
이러한 파워의 인가는 규칙적 또는 불규칙적 단위로 수회 반복될 수 있다. 따라서 총 열처리 시간은 상기의 파워 인가 시간보다 클 수 있지만, 이는 적어도 종래의 성막 방법들과 비교하여 매우 짧은 시간이다.
또한, 종래의 성막방법 중 증착용 마스크를 구비한 증착장치에 의한 박막의 형성은 평판 표시 장치가 대형화가 될수록 상기 증착용 마스크도 대형화가 되어야 하며, 이 경우, 마스크의 처짐 현상 등으로 인하여 마스크와 대상물간의 어라인이 어려워 대형 소자의 제작에 어려움이 있었으나, 본 발명에 따른 증착용 기판을 사용하여 성막 공정을 실시하는 경우, 증착용 기판의 두께가 두껍기 때문에 평판 표시 장치가 대형화되더라도 기판의 처짐 현상 등은 발생하지 않게 되고, 따라서, 대형 소자의 제작이 가능하게 된다.
한편, 도 4a 및 도 4b에서는 제1실시예에 따른 증착용 기판을 사용한 성막 방법만을 도시하였으나, 이와 동일한 원리에 의하여 제2실시예에 따른 증착용 기판을 사용하여 성막하는 것이 가능하다.
즉, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2절연막(130)은 홀(120b)의 프로파일을 반영하면서 형성되므로, 상기 제2절연막(130)은 상기 홀(120b) 내에 형성된 요(凹)부(130b)를 포함하게 되며, 상기 제2절연막(130)은 t4의 두께를 가지며, 상기 제1절연막과 제2절연막이 형성된 영역에서는 t3의 두께를 갖도록 형성된다.
이때, 요(凹)부(130b)가 형성된 영역에서의 제2절연막의 두께가 요(凹)부(130b)가 형성되지 않은 영역에서의 제1절연막 및 제2절연막의 두께보다 얇게 형성되어 있으며, 따라서, 인가된 파워에 의하여 주울 가열되는 증착용 물질층(140)은 상기 요(凹)부(130b)와 대응되는 영역(140'a)에 해당하고, 결국, 상기 요(凹)부(130b)와 대응되는 영역(140'a)의 증착용 물질이 증발하게 된다.
즉, 본 발명의 제2실시예에서는 제2절연막의 요(凹)부를 통하여 주울 가열용 발열 도전층으로부터 증착용 물질층까지의 열전도를 제어하게 되며, 상술한 바와 같이, 요(凹)부가 형성된 영역에서는 제2절연막의 두께가 얇기 때문에 증착용 물질층까지의 열전도가 일어나게 되나, 요(凹)부가 형성되지 않은 영역에서는 제1절연막 및 제2절연막의 두께가 두껍기 때문에 증착용 물질층까지의 열전도가 일어나지 않게 되고, 따라서, 요(凹)부와 대응되는 영역(140'a)의 증착용 물질만을 증발시켜 일정한 막을 형성할 수 있다.
한편, 상술한 바와 동일한 원리에 의하여 제3실시예에 따른 증착용 기판을 사용하여 성막하는 것이 가능하다.
즉, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제1절연막(120')은 t5의 두께를 가지며, 상기 홀(120b)이 형성된 영역에서는 절연막이 형성되어 있지 않다.
이때, 홀(120b)이 형성된 영역에서는 절연막이 형성되어 있지 않고, 홀(120b)이 형성되지 않은 영역에서는 제1절연막이 형성되어 있으며, 따라서, 인가된 파워에 의하여 주울 가열되는 증착용 물질층(140'')은 상기 홀(120b)과 대응되는 영역(140''a)에 해당하고, 결국, 상기 홀(120b)과 대응되는 영역(140''a)의 증착용 물질이 증발하게 된다.
즉, 본 발명의 제3실시예에서는 제1절연막의 홀(120b)을 통하여 주울 가열용 발열 도전층으로부터 증착용 물질층까지의 열전도를 제어하게 된다.
도 5는 일반적인 구조의 유기전계발광표시장치를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 투명절연기판(200)의 전면에 실리콘산화물을 플라즈마-강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)방법으로 소정 두께의 버퍼층(210)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(210)은 후속 공정으로 형성되는 비정질실리콘층의 결정화 공정 시 상기 투명절연기판(200) 내의 불순물이 확산되는 것을 방지한다.
상기 버퍼층(210) 상부에 반도체층인 비정질실리콘층(도시안됨)을 소정두께 증착한다. 이어서, 상기 비정질실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법 등을 사용하여 결정화하고, 사진식각공정으로 패터닝하여 단위 화소 내의 반도체층 패턴을 형성한다.
상기 반도체층패턴을 포함하는 기판 전면에 게이트 절연막(230)을 형성한다. 이때, 상기 게이트절연막(230)은 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 형성할 수 있다.
상기 게이트 절연막(230) 상의 상기 반도체층 패턴의 채널영역(221)과 대응되는 일정영역에 게이트 전극(231)을 형성한다. 상기 게이트 전극(231)은 알루미 늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(Mo-alloy)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 형성할 수 있다.
그 다음, 상기 게이트전극(231)을 이온주입마스크로 사용하여 상기 반도체층패턴(220)에 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인영역(220a 220b)을 형성한다. 이때, 상기 이온주입공정은 n+ 또는 p+ 불순물을 도펀트로 이용하여 실시된다.
다음으로, 전체표면 상부에 소정 두께의 층간절연막(240)을 형성한다. 이때, 상기 층간절연막(240)은 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 형성할 수 있다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 층간절연막(240) 및 게이트절연막(230)을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220a, 220b)을 노출시키는 콘택홀을 형성한다.
다음, 상기 소오스/드레인영역(220a, 220b)에 접속되는 소오스/드레인전극(250a, 250b)을 형성한다. 이때, 상기 소오스/드레인 전극(250a, 250b)을 형성함에 있어, 상기 소오스/드레인 전극 물질로는 Mo, W, MoW, AlNd, Ti, Al, Al 합금, Ag 및 Ag 합금 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 단일층으로 형성하거나, 배선 저항을 줄이기 위해 저저항물질인 Mo, Al 또는 Ag의 2층 구조 또는 그 이상의 다중막 구조, 즉, Mo/Al/Mo, MoW/Al-Nd/MoW, Ti/Al/Ti, Mo/Ag/Mo 및 Mo/Ag-합금/Mo 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 적층구조로 형성한다.
상기 소오스/드레인 전극(250a, 250b) 상부에는 절연막이 위치하고, 상기 절연막은 무기막(260), 유기막(270) 또는 그들의 이중층일 수 있다. 또한, 상기 절연 막 내의 비아홀을 통하여 연결되는 제1전극층(280)이 상기 절연막 상에 위치한다.
상기 제1전극층(280)은 배면발광형의 경우에는 투명전극으로, 전면발광형의 경우에는 반사형전극으로 구비될 수 있다. 상기 제1전극층이 투명전극으로 사용될 때에는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나로 구비될 수 있고, 반사형전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 물질로 투명전극을 적층하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 제 1 전극층(280)은 전면발광형의 경우에 하부전극층(280a), 반사전극층(280b) 및 상부전극층(280c)의 적층구조로 하여 형성할 수 있다.
상기 하부전극층(280a)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나로 형성할 수 있다. 이때, 상기 하부전극층(280a)은 50 내지 100Å의 두께를 지니도록 형성한다. 상기 하부전극층(280a)의 두께가 50Å이하일 경우 균일도 확보가 어렵고, 100Å 이상일 경우 하부전극층 자체 스트레스 때문에 접착력이 약화된다.
상기 반사전극층(280b)은 Al, Al 합금, Ag 및 Ag 합금 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 이때, 반사전극층(280b)의 두께는 900～2000Å으로 형성할 수 있다. 두께가 900Å 이하인 경우 빛의 일부가 투과하게 되며, 1000Å 정도가 빛이 투과하지 않는 최소의 두께이다. 또한, 2000Å 이상일 경우 원가 측면이나 공정 시간 등에서 바람직하지 않다.
이때, 상기 반사전극층(280b)은 광 반사 역할을 하여 휘도와 광 효율을 증가시킬 수 있다.
상기 상부전극층(280c)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나로 형성할 수 있다. 이때, 상기 상부전극층(280c)의 두께는 50～100Å으로 형성한다. 상기 상부전극층(280c) 두께가 50Å이하일 경우 박막의 균일도를 보장할 수 없으며, 100Å이상일 경우 간섭효과로 인하여 블루 영역에서 특히 반사율이 10%～15% 이상 낮아지게 된다.
이어서, 상기 제1전극층(280) 상에 절연막을 형성한다. 이때, 상기 절연막은 화소정의막(pixel defined layer; 281)일 수 있다.
상기 화소정의막(281)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin) , 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 형성할 수 있다.
이때, 상기 화소정의막(281)은 상기 제1전극층의 일부를 노출시키는 개구 부(281a)를 포함하고 있다.
이어서, 상기 개구부(281a)에 의해 노출된 제1전극층 상에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층(291)을 형성하고, 이어서, 상기 유기막층(291) 상에 제2전극(292)을 형성한다.
구체적으로는 상기 유기막층(291)은 발광층을 포함하며 그 외에 홀주입층, 홀수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있으며, 본 발명에서는 상기 유기막층의 구성 및 물질에 관하여 한정하는 것은 아니다.
상기 홀 수송층을 형성하는 홀 수송성 물질로는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘{N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine:α-NPB}, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 등을 사용할 수 있다. 그리고 홀수송층의 막두께는 10 내지 50nm 범위로 형성할 수 있다. 상기 홀수송층의 두께 범위를 벗어나는 경우에는 홀 주입 특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.
이러한 홀수송층에는 홀수송성 물질이외에 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 부가할 수 있으며, 이러한 도펀트로는 4-(디시아노메틸렌)-2-터트-부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딜-9-에닐)-4H-피란(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran: DCJTB), 쿠마린6(Coumarin 6), 루브레네(Rubrene), DCM, DCJTB, 페닐렌(Perylene), 퀴나크리돈(Quinacridone) 등을 이용하며, 그 함량은 홀수송층 형성용 물질 총중량에 대하 여 0.1 내지 5중량%를 사용한다. 이와 같이 홀수송층 형성시 도펀트를 부가하면, 발광색을 도펀트 종류 및 함량에 따라 조절가능하며, 홀수송층의 열적 안정성을 개선하여 소자의 수명을 향상시키는 잇점이 있다.
또한, 상기 홀주입층은 스타버스트(starbust) 아민계 화합물을 이용하여 형성할 수 있으며, 홀 주입층의 두께는 30 내지 100nm로 형성할 수 있다. 상기 홀주입층의 두께 범위를 벗어나는 경우에는 홀 주입 특성이 불량하므로 바람직하지 못하다. 상기 홀주입층을 통하여 대향전극과 홀수송층간의 접촉저항을 감소시키고, 애노드전극의 홀 수송능력이 향상시켜 소자의 특성이 전반적으로 개선되는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 발광층의 형성재료는 특별히 제한되지는 않으며, 구체적인 예로서 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-biphenyl)을 들 수 있다.
본 발명의 발광층은 상술한 홀수송층과 마찬가지로 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 더 함유할 수 있으며, 이때, 도펀트 종류 및 함량은 홀수송층의 경우와 거의 동일한 수준이며, 상기 발광층의 막두께는 10 내지 40 nm 범위인 것이 바람직하다.
상기 전자수송층을 형성하는 전자수송성 물질로는 트리스(8-퀴놀리놀라토)-알루미늄(tris(8-quinolinolate)-aluminium: Alq 3 ), Almq 3 을 이용하며, 상술한 홀수송층과 마찬가지로 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 더 함유하기도 한다. 이때, 도펀트 종류 및 함량은 홀수송층의 경우와 거의 동일한 수준이며, 상기 전자수송층의 막두께는 30 내지 100nm 범위로 할 수 있다. 상기 전자수송 층의 두께 범위를 벗어나는 경우에는 효율 저하 및 구동전압이 상승하여 바람직하지 못하다.
상기 발광층과 전자수송층 사이에는 홀 장벽층(HBL)이 더 형성될 수 있다. 여기에서 홀 장벽층은 인광발광물질에서 형성되는 엑시톤이 전자수송층으로 이동되는것을 막아주거나 홀이 전자수송층으로 이동되는 것을 막아주는 역할을 하는 것으로, 상기 홀 장벽층 형성 재료로서 BAlq를 사용할 수 있다.
상기 전자주입층은 LiF로 이루어진 물질로 형성할 수 있으며, 이의 두께는 0.1 내지 10nm 범위로 형성할 수 있다. 상기 전자주입층층의 두께범위를 벗어나는 경우에는 구동전압이 상승하여 바람직하지 못하다.
상기 유기막층 상부에 형성된 제2전극(292)은 배면발광형인 경우, 반사형으로 구성되며, 반사형으로 구성되는 경우 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성할 수 있다.
또한, 상기 유기막층 상부에 형성된 제2전극(292)은 전면발광형인 경우, 반투과 캐소드형 또는 반투과 캐소드 형성 후 투과형 캐소드형를 적층한 구조로 구성되며, 상기 반투과 캐소드형은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 Mg 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질을 이용하여 이를 5 내지 30nm의 두께로 얇게 형성하여 구성할 수 있으며, 상기 반투과 캐소드 형성후 투과형 캐소드형을 구성하는 방법은 일 함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 Mg 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질을 이용하여 반투과형 캐소드를 형성한 후 저저항 특성을 갖는 ITO, IZO(Indium Zinc Oxide)등을 이용한 막을 추가적으로 형성하여 만든다. 이때, 반투과 캐소드의 두께가 5nm미만인 경우에는 저전압에서 전자주입을 못하고 만약 반투과 캐소드의 두께가 30nm 이상인 경우에는 경우에는 투과율이 현저하게 떨어져 바람직하지 못하다. 또한 반투과 캐소드와 투과형 캐소드를 합친 총두께는 10 내지 400nm의 두께가 적당하다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제1실시예에 따른 증착용 기판을 사용하여, 상기 도 5의 유기전계발광표시장치의 유기막층을 성막하는 공정을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 6a를 참조하면, 기판(300) 상에 주울 가열용 발열 도전층(310)이 형성되고, 상기 주울 가열용 발열 도전층(310) 상에 홈(340a)을 구비하는 절연막(320)이 형성되고, 상기 홈이 구비된 절연막(320) 상에 증착용 물질층(340)이 형성된 증착용 기판의 주울 가열용 발열 도전층(310)에 파워를 인가한다.
이때, 본 발명에 따른 증착용 기판을 사용하여, 상기 도 5의 유기전계발광표시장치의 유기막층을 형성하는 것이므로, 상기 홈(320a)의 형상은 상기 유기막층의 형상에 대응하여 패터닝되어 있다.
또한, 상기 증착용 물질층(340)은 상기 유기막층의 재질을 사용하여 형성하게 된다.
상술한 바와 같이, 유기막층은 발광층을 포함하며 그 외에 홀주입층, 홀수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있으므로, 예를 들어, 발광층을 성막하는 경우에는 상기 홈(320a)의 형상은 발광층의 형 상에 대응하여 형성되어 있고, 상기 증착용 물질층(340)은 상기 발광층의 재질을 사용하여 형성하게 된다.
이때, 인가된 파워에 의하여 주울 가열되는 증착용 물질층(340)은 상기 홈과 대응되는 영역(340a)에 해당하고, 따라서, 상기 홈과 대응되는 영역(340a)의 증착용 물질이 증발하게 된다.
계속해서, 도 6b를 참조하면, 상기 증발된 증착용 물질이 화소정의막(281)에 형성된 개구부에 의해 노출된 제1전극층 상에 증착되어, 유기막층을 형성할 수 있다.
다만, 도 6a 및 도 6b에서는 도 5의 유기막층을 형성하는 성막하는 공정만을 도시하였으나, 이와는 달리, 도 5의 게이트 전극(231), 소오스/드레인 전극(250a, 250b) 또는 제1전극층(280)을 상술한 바와 같은 방법에 의하여 형성할 수 있다.
이때, 게이트 전극(231)을 성막하는 경우에는 상기 홈의 형상은 게이트 전극의 형상에 대응하여 패터닝되고, 상기 증착용 물질층(340)은 상기 게이트 전극의 재질을 사용하여 형성하게 된다.
또한, 소오스/드레인 전극(250a, 250b)을 성막하는 경우에는 상기 홈의 형상은 소오스/드레인 전극의 형상에 대응하여 패터닝되고, 상기 증착용 물질층(340)은 상기 소오스/드레인 전극의 재질을 사용하여 형성하게 된다.
또한, 제1전극층(280)을 성막하는 경우에는 상기 홈의 형상은 제1전극층의 형상에 대응하여 패터닝되고, 상기 증착용 물질층(340)은 상기 제1전극층의 재질을 사용하여 형성하게 된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
도 1은 증착용 마스크를 구비한 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 증착장치의 증착용 기판의 개략적인 구성을 나타내는 단면도,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2실시예에 따른 증착장치의 증착용 기판의 개략적인 구성을 나타내는 단면도,
도 3d는 본 발명의 제3실시예에 따른 증착장치의 증착용 기판의 개략적인 구성을 나타내는 단면도,
도 4a 및 4b는 본 발명의 제1실시예에 따른 증착용 기판을 사용한 성막 방법을 나타내는 개략적인 단면도,
도 5는 일반적인 구조의 유기전계발광표시장치를 나타내는 단면도,
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제1실시예에 따른 증착용 기판을 사용하여, 상기 도 5의 유기전계발광표시장치의 유기막층을 성막하는 공정을 나타내는 개략적인 단면도이다.
<도면 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 300 : 기판
110 : 주울 가열용 발열 도전층 140 : 증착용 물질층
150, 200 : 소자 기판 210 : 버퍼층
220a : 소오스영역 220b : 드레인영역
221 : 채널영역 230 : 게이트절연막
231 : 게이트전극 240 : 층간절연막
150a : 소오스전극 150b : 드레인전극
260 : 무기막 270 : 유기막
280 : 제1전극층 281 : 화소정의막
291 : 유기막층 292 : 제2전극
Claims (29)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 주울 가열용 발열 도전층;상기 주울 가열용 발열 도전층 상에 형성되고, 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막; 및상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부에 형성되되, 상기 제1절연막의 상부 표면 전체를 따라 일정한 두께를 가지는 증착용 물질층을 포함하는 증착장치의 증착용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 재질은 유리, 세라믹 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 주울 가열용 발열 도전층의 재질은 금속 또는 금속합금인 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 홈 또는 홀은 상기 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 증착용 물질층의 재질은 유기막, 무기막 또는 금속막인 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 홀을 구비하는 제1절연막 상에 형성되고, 요(凹)부를 포함하는 제2절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판.
- 제 6 항에 있어서,상기 요(凹)부는 상기 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치의 증착용 기판.
- 기판을 제공하고,상기 기판 상에 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고,상기 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막을 형성하고,상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부 표면 전체에 일정한 두께로 증착용 물질층을 형성하고,상기 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 증착용 물질층을 주울 가열하되, 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역에서만 증착용 물질층이 증발하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 홈 또는 홀은 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 증착용 물질층을 주울 가열하는 것은 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 삭제
- 제 8 항에 있어서,상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층에 가해지는 온도는 상기 증착용 물질의 녹는점 보다 10℃ 이상이고, 상기 주울 가열용 발열 도전층의 녹는점 이하인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 주울 가열용 발열 도전층에 1 kW/㎠ 내지 1,000 kW/㎠의 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 파워의 인가 시간은 1/1,000,000 내지 100초인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 파워의 인가 시간은 1/1,000,000 내지 1초인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 홀을 구비하는 제1절연막 상에 요(凹)부를 포함하는 제2절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 요(凹)부는 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
- 제1기판을 제공하고; 상기 제1기판의 상부에 제1전극층을 형성하고; 상기 제1전극층의 상부에 화소정의막을 형성하고; 상기 화소정의막 상에 제1전극층의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하고; 상기 제1전극층의 상부에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하고; 상기 유기막층의 상부에 제2전극층을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법에 있어서,상기 유기전계발광표시장치의 적어도 어느 하나의 층은상기 제1기판과 대응되는 제2기판을 제공하고,상기 제2기판 상에 제 1 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고,상기 제 1 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막을 형성하고,상기 홈 또는 홀을 구비하는 제1절연막의 상부에 제 1 증착용 물질층을 형성하고,상기 제 1 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 제 1 증착용 물질층을 주울 가열하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 제1기판 상에 채널영역 및 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체층; 상기 반도체층의 채널영역과 대응되는 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정을 더 포함하고,상기 박막트랜지스터의 게이트 전극 또는 소오스/드레인 전극은상기 제1기판과 대응되는 제3기판을 제공하고,상기 제3기판 상에 제 2 주울 가열용 발열 도전층을 형성하고,상기 제 2 주울 가열용 발열 도전층 상에 홈 또는 홀을 구비하는 제2절연막을 형성하고,상기 홈 또는 홀을 구비하는 제2절연막의 상부에 제 2 증착용 물질층을 형성하고,상기 제 2 주울 가열용 발열 도전층에 파워를 인가하여 상기 제 2 증착용 물질층을 주울 가열하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 증착용 물질층을 주울 가열하는 것은 상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층의 증착용 물질이 증발하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 홈 또는 홀과 대응되는 영역의 증착용 물질층에 가해지는 온도는 상기 증착용 물질의 녹는점 보다 10℃ 이상이고, 상기 주울 가열용 발열 도전층의 녹는점 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 주울 가열용 발열 도전층에 1 kW/㎠ 내지 1,000 kW/㎠의 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 홀을 구비하는 제1절연막 상에 요(凹)부를 포함하는 제3절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 요(凹)부는 증착장치에 의하여 형성되는 막의 형상에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 제1절연막에 구비된 홀 또는 홈의 형상은 상기 유기막층의 형상에 대응하여 형성되고, 상기 제 1 증착용 물질층은 상기 유기막층의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 제1절연막에 구비된 홀 또는 홈의 형상은 상기 제1전극층의 형상에 대 응하여 형성되고, 상기 제 1 증착용 물질층은 상기 제1전극층의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 제2절연막에 구비된 홀 또는 홈의 형상은 상기 게이트 전극의 형상에 대응하여 형성되고, 상기 제 2 증착용 물질층은 상기 게이트 전극의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 제2절연막에 구비된 홀 또는 홈의 형상은 상기 소오스/드레인 전극의 형상에 대응하여 형성되고, 상기 제 2 증착용 물질층은 상기 소오스/드레인 전극의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090063135A KR101169001B1 (ko) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| TW099122161A TWI450989B (zh) | 2009-07-10 | 2010-07-06 | 蒸發裝置之蒸發供體基板，使用該基板之層之製造方法及有機發光二極管顯示器製造之方法 |
| US13/988,875 US8951891B2 (en) | 2009-07-10 | 2010-07-07 | Deposition substrate of deposition apparatus, method of forming layer using the same, and method of manufacturing organic light emitting diode display device |
| PCT/KR2010/004411 WO2011005021A2 (ko) | 2009-07-10 | 2010-07-07 | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090063135A KR101169001B1 (ko) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110005531A KR20110005531A (ko) | 2011-01-18 |
| KR101169001B1 true KR101169001B1 (ko) | 2012-07-26 |
Family
ID=43429672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090063135A KR101169001B1 (ko) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8951891B2 (ko) |
| KR (1) | KR101169001B1 (ko) |
| TW (1) | TWI450989B (ko) |
| WO (1) | WO2011005021A2 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160134528A (ko) | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 주식회사 다원시스 | 유기막 증착 장치와, 방법 및 유기막 장치 |
| KR20180046891A (ko) | 2016-10-28 | 2018-05-09 | 주식회사 다원시스 | 유기 발광 소자의 제조 시스템 및 제조 방법 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101971199B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140102518A (ko) * | 2013-02-14 | 2014-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
| JP2015069806A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| CN105132868B (zh) * | 2015-09-25 | 2019-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸发源及其制作方法、蒸镀方法 |
| TWI606132B (zh) * | 2016-01-27 | 2017-11-21 | 國立清華大學 | 有機發光元件之有機層的製作方法 |
| KR101671978B1 (ko) | 2016-03-08 | 2016-11-03 | 주식회사 다원시스 | 줄열을 이용하여 유기막을 증착하는 유기막증착용 도너기판 및 이의 제조방법 |
| KR101801548B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2017-11-27 | 한국과학기술원 | 방사선 손상에 대해 자가복구가 가능한 전계효과 트랜지스터 및 그의 손상복구 시스템 |
| KR20160128270A (ko) | 2016-10-26 | 2016-11-07 | 주식회사 다원시스 | 줄열을 이용하여 유기막을 증착하는 유기막증착용 도너기판 |
| WO2018139822A1 (ko) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 주식회사 다원시스 | 반도체 도너 기판과, 반도체 도너 기판의 제조 방법과, 유기 발광 장치의 제조 방법 및 도너 기판 모듈 |
| KR101967920B1 (ko) * | 2017-03-21 | 2019-04-10 | 주식회사 다원시스 | 반도체 도너 기판, 시스템 및 유기 발광 장치의 제조 방법 |
| CN110021715B (zh) | 2018-01-09 | 2021-12-28 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 蒸镀源及有机发光二极管显示面板的制造方法 |
| CN110600520A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-20 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN114597138A (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-07 | 群创光电股份有限公司 | 半导体封装的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001295027A (ja) | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Victor Co Of Japan Ltd | 蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2002302759A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Sony Corp | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 |
| JP2006202510A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| JP2008174783A (ja) | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | パターン状の蒸着膜の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006031017A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Jae-Sang Ro | Method for annealing silicon thin films using conductive layerand polycrystalline silicon thin films prepared therefrom |
| JP2009043572A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sony Corp | 蒸発源、蒸発源の製造方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| KR100946808B1 (ko) * | 2007-11-21 | 2010-03-11 | 주식회사 엔씰텍 | 다결정 실리콘 박막의 제조 방법, 이를 이용하여 제조된다결정 실리콘 박막, 및 이를 포함하는 박막트랜지스터 |
| US8080811B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device |
-
2009
- 2009-07-10 KR KR1020090063135A patent/KR101169001B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-06 TW TW099122161A patent/TWI450989B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-07-07 WO PCT/KR2010/004411 patent/WO2011005021A2/ko active Application Filing
- 2010-07-07 US US13/988,875 patent/US8951891B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001295027A (ja) | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Victor Co Of Japan Ltd | 蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2002302759A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Sony Corp | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 |
| JP2006202510A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| JP2008174783A (ja) | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | パターン状の蒸着膜の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160134528A (ko) | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 주식회사 다원시스 | 유기막 증착 장치와, 방법 및 유기막 장치 |
| KR20160134529A (ko) | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 주식회사 다원시스 | 유기 발광 소자의 인라인 제조 시스템과, 인라인 제조 방법과, 유기막 장치 및 도너 기판 세트 |
| KR20180046891A (ko) | 2016-10-28 | 2018-05-09 | 주식회사 다원시스 | 유기 발광 소자의 제조 시스템 및 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011005021A2 (ko) | 2011-01-13 |
| US8951891B2 (en) | 2015-02-10 |
| TWI450989B (zh) | 2014-09-01 |
| WO2011005021A3 (ko) | 2011-04-14 |
| TW201116640A (en) | 2011-05-16 |
| KR20110005531A (ko) | 2011-01-18 |
| US20130267055A1 (en) | 2013-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101169001B1 (ko) | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| KR100796618B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR100924137B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR100712111B1 (ko) | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 | |
| JP4440267B2 (ja) | ナノサイズの半球状凹部が形成された基板を用いた高効率の有機発光素子及びこの作製方法 | |
| US8502211B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| KR102416742B1 (ko) | 투명 표시 장치 | |
| US7939820B2 (en) | Organic light emitting display (OLED) and its method of fabrication | |
| JP5261414B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
| JP2006156390A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| US8421337B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| KR20110005530A (ko) | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| US20090167169A1 (en) | Organic light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| US20110042678A1 (en) | Pad area, organic light emitting diode display device having the same, and method of fabricating the same | |
| KR20120129507A (ko) | 주울 가열을 이용한 유기전계발광 표지장치의 제조방법 | |
| KR101879796B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| US9397297B2 (en) | Optical patterning mask and method of fabricating display device using the same | |
| KR20120031382A (ko) | 봉지박막 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| KR20160049610A (ko) | 광학 패터닝 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100685846B1 (ko) | 풀칼라 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR20090014620A (ko) | 혼합위상층을 구비한 백색 유기발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150610 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160704 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170719 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |