KR101155413B1 - Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus - Google Patents

Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101155413B1
KR101155413B1 KR1020090116397A KR20090116397A KR101155413B1 KR 101155413 B1 KR101155413 B1 KR 101155413B1 KR 1020090116397 A KR1020090116397 A KR 1020090116397A KR 20090116397 A KR20090116397 A KR 20090116397A KR 101155413 B1 KR101155413 B1 KR 101155413B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ingot
weight
load cell
support roller
seed
Prior art date
Application number
KR1020090116397A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110059944A (en
Inventor
박진섭
Original Assignee
(주)에스테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에스테크 filed Critical (주)에스테크
Priority to KR1020090116397A priority Critical patent/KR101155413B1/en
Publication of KR20110059944A publication Critical patent/KR20110059944A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101155413B1 publication Critical patent/KR101155413B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • C30B15/22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C30B15/28Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01GWEIGHING
    • G01G19/00Weighing apparatus or methods adapted for special purposes not provided for in the preceding groups
    • G01G19/52Weighing apparatus combined with other objects, e.g. furniture

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 잉곳성장장치에서 성장하는 잉곳(Ingot)의 무게를 측정하는 장치에 관한 것으로, 로드셀(Load cell)과 지지롤러(Roller)를 이용하여 성장중인 잉곳(Ingon)의 무게를 쉽고 정확하게 측정할 수 있어서 멜트 손실 및 시간 손실이 방지되며, 성장된 잉곳의 무게를 측정하는 공정을 생략할 수 있으며, 구조가 간단하며, 간편한 방법으로 잉곳의 무게를 실시간으로 정밀 측정할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a device for measuring the weight of the ingot (Ingot) growing in the ingot growth apparatus, by using a load cell (Load cell) and the support roller (Roller) to easily and accurately measure the weight of the ingot (Ingon) Melt loss and time loss can be avoided, and the process of measuring the weight of the grown ingot can be omitted, and the structure is simple, and the weight of the ingot can be precisely measured in real time in a simple manner.

잉곳성장장치, 인상케이블, 지지롤러, 무게, 로드셀, 스풀드럼, 모터, 잉곳 Ingot Growth Device, Impression Cable, Support Roller, Weight, Load Cell, Spool Drum, Motor, Ingot

Description

잉곳성장장치의 잉곳 무게 측정장치{INGOT WEIGHT MEASUREMENT DEVICE OF INGOT GROWING APPARATUS} INGOT WEIGHT MEASUREMENT DEVICE OF INGOT GROWING APPARATUS}

본 발명은 로드셀을 이용하여 성장하는 잉곳(Ingot)의 무게를 측정하는 잉곳성장장치의 잉곳 무게 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ingot weight measuring apparatus of an ingot growing apparatus for measuring the weight of an ingot growing by using a load cell.

일반적으로 단결정 잉곳(Ingot)은 초크랄스키(Czochralski) 결정 성장법(CZ 법)으로 제조되며, 핫죤 영역에 설치되는 도가니에 폴리 실리콘 등의 고체 원료를 충전하고 전열히터로 가열 및 용융시켜 융액(Melt)을 만든 다음, 단결정 시드(seed)를 시드 커넥터에 매달아 융액에 접촉시킨 후 서서히 회전 및 인상시키면, 네크부(neck part), 직경이 증가하는 숄더부(shoulder part), 직경이 일정한 원기둥 형태의 바디부(body part)의 순서로 인상되고, 마지막으로 직경이 감소하는 테일부(tail part)를 끝으로 단결정 잉곳이 얻어진다.In general, single crystal ingot is manufactured by Czochralski crystal growth method (CZ method), and a solid material such as polysilicon is charged into a crucible installed in a hot zone and heated and melted with an electrothermal heater to melt ( Melt), and then the single crystal seed is suspended on the seed connector and brought into contact with the melt, and then slowly rotated and pulled up to form a neck part, a shoulder part with increasing diameter, and a cylindrical shape with a constant diameter. A single crystal ingot is obtained at the end of the tail part, which is pulled up in the order of the body part of and finally reduced in diameter.

도 1은 초크랄스키법(Czochralski Method)으로 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키는 잉곳성장장치(1)를 도시한 것으로, 상기 잉곳성장장치(또는 잉곳생산장치)는 냉각수단이 구비된 제1 챔버(1)와, 베이스챔버(1) 내부에 설치되고 멜트(Melt:폴리 실리콘)(2)을 용융시키는 석영도가니 및 흑연도가니(3)와, 석영도가니와 흑연도가니를 지지하는 페데스탈(4)과, 상기 도가니(3)를 가열하는 전열히터(5)와, 상기 전열히터(5)로 대전력(大電力)을 공급하는 전원공급수단과, 상기 도가니(3) 및 페데스탈(4)을 지지ㆍ회전ㆍ상승ㆍ하강시키는 구동축(6) 및 구동수단(7)과, 제1 챔버(1) 상부에 설치되는 제2 챔버(8)와, 제2 챔버(8)의 상부에 설치되는 풀챔버(9)와, 상기 풀챔버(9)에 설치되는 잉곳(Ingot)(10) 인상용 시드(11)와 인상케이블(12) 및 인상수단(Seed Mechanism)(13)과, 뷰포트(14), 차열수단(15), 진공수단, 냉각수단, 감지수단, 제어수단 및 계측수단 등으로 구성된다.1 shows an ingot growth apparatus 1 for growing a single crystal ingot by the Czochralski method, wherein the ingot growth apparatus (or ingot production apparatus) includes a first chamber equipped with cooling means. (1), a quartz crucible and graphite crucible (3) installed inside the base chamber (1) to melt a melt (polysilicon) (2), a pedestal (4) for supporting a quartz crucible and a graphite crucible, and And a heat supply heater 5 for heating the crucible 3, power supply means for supplying a large electric power to the heat heater 5, and supporting the crucible 3 and the pedestal 4. Drive shaft 6 and drive means 7 for rotating, raising and lowering, a second chamber 8 provided above the first chamber 1, and a full chamber provided above the second chamber 8 ( 9), an ingot 10 to be installed in the full chamber 9, a seed 11 for pulling, a cable 12, a seed mechanism 13, a viewport 14, and a heat shield Sudan (1 5) vacuum means, cooling means, sensing means, control means and measuring means.

도 2는 초크랄스키법(Czochralski Method)으로 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키는 종래 잉곳성장장치(1)에서 풀챔버(9) 상부에 설치되는 잉곳 인상 메카니즘(13)을 도시한 것으로, 기밀(氣密) 구조의 챔버(14) 내부에 모터(15)와 동력전달수단(16)에 의해 회전하는 스풀드럼(17)이 축 설치되고, 스풀드럼(17)의 상부 일측에는 브라켓(18)으로 축 지지되는 지지롤러(19)가 설치되고, 상기 지지롤러(19) 하부에는 인상케이블(12)이 상승 및 하강하는 승강홀(20)이 형성되며, 상기 브라켓(18)은 챔버 바닥판(22)에 고정되거나, 챔버 측판에 고정된다. FIG. 2 shows an ingot pulling mechanism 13 installed above the full chamber 9 in the conventional ingot growing apparatus 1 for growing single crystal ingots by the Czochralski method. Iii) A spool drum 17 which is rotated by the motor 15 and the power transmission means 16 is axially installed in the chamber 14 of the structure, and a bracket 18 is provided on the upper side of the spool drum 17. A support roller 19 for supporting the shaft is installed, and a lifting hole 20 for raising and lowering the lifting cable 12 is formed in the lower portion of the support roller 19, and the bracket 18 is the chamber bottom plate 22. ) Or to the chamber side plate.

상기 인상케이블(12)은 스풀드럼(17)의 표면에 형성된 복수의 나선홈에 권취 되고, 지지롤러(19)의 외주홈에 권회된 다음 승강홀(20)을 통하여 멜트(2) 상부까지 하강하고, 인상케이블(12)의 단부에는 성장 잉곳(10)을 인상시킬 수 있게 시드(11) 및 시드척이 설치되며, 잉곳(10)이 성장함에 따라 모터(15)가 회전하고 스풀드럼(17)이 회전하면 인상케이블(12)이 스풀드럼(17)에 감기면서 성장 중인 잉곳(10)을 천천히 인상시키게된다.The pulling cable 12 is wound in a plurality of spiral grooves formed on the surface of the spool drum 17, wound around the outer circumferential groove of the support roller 19, and then lowered to the upper portion of the melt 2 through the lifting hole 20. At the end of the pulling cable 12, a seed 11 and a seed chuck are installed to raise the growth ingot 10, and as the ingot 10 grows, the motor 15 rotates and the spool drum 17 Rotating) raises the ingot 10, which is growing, while the pulling cable 12 is wound around the spool drum 17.

이때, 멜트(Melt)로부터 성장 및 인상되는 단결정 잉곳(10)의 무게를 정확히 측정하는 것은, 생산성 향상과 단결정 잉곳의 품질 확보를 위해서 필수적이다.At this time, accurately measuring the weight of the single crystal ingot 10 grown and pulled from the melt (Melt) is essential for improving the productivity and securing the quality of the single crystal ingot.

종래 잉곳성장장치(1)에는 잉곳의 무게를 측정하는 기능이나 수단이 없었기 때문에 성장중인 잉곳의 무게와 멜트 잔류무게를 계산하는 방법으로 잉곳 성장을 진행하거나, 또는 잉곳의 길이를 측정하여 잉곳 성장을 진행하였기 때문에 잉곳의 무게와 멜트 잔류무게가 설정값에 도달하는 경우, 또는 잉곳의 길이가 설정길이에 도달하는 경우 공정을 중단시키게 되므로 고가의 잔류 멜트가 많이 남게되며, 남는 잔류 멜트는 녹여 사용할 수 있으나 품질이 크게 떨어지게 되므로 재활용 하기에도 문제가 있어 자원활용측면에서 바람직하지 못하다.Since the conventional ingot growth apparatus 1 did not have a function or means for measuring the weight of the ingot, the ingot growth may be performed by calculating the weight of the ingot and the melt remaining weight, or the ingot growth may be measured by measuring the length of the ingot. Because the process has been performed, if the weight of the ingot and the residual weight of the melt reach the set value, or if the length of the ingot reaches the set length, the process is interrupted, leaving a lot of expensive residual melt. However, since the quality is greatly reduced, there is a problem in recycling, which is not preferable in terms of resource utilization.

한편, 성장 중인 잉곳의 직경은 자동으로 조절되지만 원하는 직경이 되도록 작업자가 디지털게이지로 측정하게되며, 상기 측정값은 작업자의 개인차에 의해 각각 달라질 수 있다.On the other hand, the diameter of the growing ingot is automatically adjusted, but the operator is measured by a digital gauge so as to the desired diameter, the measurement value may be varied by the individual differences of the operator.

예컨대, 작업자가 성장중인 잉곳의 직경을 잘못 측정하여 실제 직경보다 크게 측정한 경우(200㎜→202㎜), 잉곳의 길이가 설정길이에 도달하여 공정을 중단시켜면 멜트(Melt)가 모자랄 수 있고, 반대로, 작업자가 성장중인 잉곳의 직경을 잘못 측정하여 실제 직경보다 보다 작게 측정한 경우(200㎜→198㎜), 잉곳의 길이가 설정길이에 도달하여 공정을 중단시켜면 멜트(Melt)가 남아 낭비되는 문제점이 있어서 반복적인 공정진행이 어려운 문제점이 있다. For example, if an operator incorrectly measures the diameter of a growing ingot and measures it larger than the actual diameter (200mm → 202mm), if the ingot reaches the set length and stops the process, the melt may be insufficient. On the contrary, if the operator incorrectly measured the diameter of the growing ingot and measured the diameter smaller than the actual diameter (200 mm → 198 mm), the melt would stop when the length of the ingot reached the set length and the process was stopped. There is a problem that remains wasted is difficult to repeat the process progress.

따라서 공정 종료후에도 멜트가 남거나 모자라는 현상이 발생되지 않는 바람직한 방법이나 대책이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for a desirable method or countermeasure that the melt does not remain after the end of the process.

본 발명은 초크랄스키법(Czochralski Method)에 의해 성장되는 단결정 잉곳(Ingot)의 무게를 정확히 측정하여 종래 문제점들이 해소되도록 함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to accurately measure the weight of a single crystal ingot grown by the Czochralski method to solve the conventional problems.

본 발명은 잉곳성장장치의 시드 메카니즘과, 상기 시드 메카니즘 상부에 설치되는 하우징과, 상기 하우징 내상부에 위치하는 브라켓의 상단 수평부와, 상기 수평부에 고정되는 로드셀과, 상기 로드셀 하부에 고정되는 지지롤러를 포함하여 구성된다.The present invention is a seed mechanism of the ingot growth apparatus, a housing installed on the seed mechanism, the upper horizontal portion of the bracket located in the upper portion of the housing, a load cell fixed to the horizontal portion, fixed to the lower load cell It comprises a support roller.

상기 하우징 일측에는 신호선 인출용 피드스루(Feedthrough)가 설치되어 로드셀(Load Cell)이 감지한 무게값을 제어기로 전달할 수 있게 구성된다.One side of the housing is provided with a feed-through for feeding signal lines (Feedthrough) is configured to transfer the weight value detected by the load cell to the controller.

상기 지지롤러의 일측에 축설치되어 인상케이블에 구름접촉하는 장력롤러와 상기 장력롤러를 탄지하는 스프링을 더 포함한다.It further includes a tension roller installed on one side of the support roller in contact with the tension cable and the spring supporting the tension roller.

본 발명은 로드셀(Load cell)과 지지롤러(Roller)를 이용하여 성장중인 잉곳(Ingon)의 무게를 쉽고 정확하게 측정할 수 있어서 멜트 및 시간 손실이 방지되는 효과가 있다.The present invention can be measured easily and accurately the weight of the growing ingot (Ingon) using a load cell (Load cell) and a support roller (Roller) has the effect that the melt and time loss is prevented.

또한 본 발명은 성장된 잉곳의 무게를 측정하는 공정을 생략할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect that can omit the process of measuring the weight of the grown ingot.

또한 본 발명은 구조가 간단하며, 간편한 방법으로 잉곳의 무게를 실시간으로 정밀 측정할 수 있는 등의 효과가 있는 매우 유용한 발명이다.In addition, the present invention is a very useful invention with the effect that the structure is simple, and the weight of the ingot can be precisely measured in real time by a simple method.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부한 도면에 따라 상세히 설명하고자 한다. 본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어 도면들 중 동일한 구성 요소들은 가능한 한 동일 부호로 기재하고, 관련된 공지구성이나 기능에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지가 모호해지지 않도록 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the embodiments of the present invention, the same components in the drawings are denoted by the same reference numerals as much as possible, and detailed descriptions of related known configurations or functions will be omitted so as not to obscure the subject matter of the present invention.

도 3은 시드 메카니즘(Seed Mechanism)에 설치되는 본 발명 잉곳성장장치의 잉곳 무게 측정장치(30)를 도시한 것으로, 인상케이블(12)을 지지하는 지지롤러(19)의 하중을 로드셀(34)로 감지하여 잉곳(10)의 무게를 정밀 측정할 수 있도록 구성된다.Figure 3 shows the ingot weight measuring device 30 of the ingot growth apparatus of the present invention installed in the seed mechanism (Seed Mechanism), the load cell 34 to load the support roller 19 for supporting the pulling cable 12 By detecting as configured to accurately measure the weight of the ingot 10.

상기 시드 메카니즘(31) 상부에 기밀(氣密) 유지형 하우징이 설치되고, 하우징의 내상부에는 챔버(14) 바닥판(22) 또는 챔버(14) 측판에 고정되는 브라켓(18)이 상승 설치되고, 상기 브라켓(18)의 상단 수평부(33)에 로드셀(34)의 상부가 고정되고, 로드셀(34)의 하부에는 지지롤러(19)가 고정되고, 지지롤러(19) 외주홈에는 스풀드럼(17)에 권취되는 인상케이블(12)이 권회 된 다음 승강홀(20)을 통하여 멜트(2) 상부까지 하강하고, 인상케이블(12)의 단부에는 성장 잉곳(10)을 인상시킬 수 있게 시드(11) 및 시드척이 설치되며, 잉곳(10)이 성장함에 따라 모터(15)가 회전하고 동력전달수단(16)에 의해 스풀드럼(17)이 회전하면 인상케이블(12)이 지지롤러(19)를 지나 스풀드럼(17)에 감기면서 성장 중인 잉곳(10)을 천천히 인상시키게된다.An airtight housing is installed above the seed mechanism 31, and a bracket 18 fixed to the chamber 14 bottom plate 22 or the chamber 14 side plate is lifted on the inner upper portion of the housing. The upper portion of the load cell 34 is fixed to the upper horizontal portion 33 of the bracket 18, the support roller 19 is fixed to the lower portion of the load cell 34, the spool drum in the outer peripheral groove of the support roller 19 The impression cable 12 wound on the 17 is wound and then lowered to the upper part of the melt 2 through the lifting hole 20, and an end of the impression cable 12 is seeded to raise the growth ingot 10. 11 and the seed chuck is installed, and as the ingot 10 grows, the motor 15 rotates, and when the spool drum 17 rotates by the power transmission means 16, the lifting cable 12 supports the support roller ( Passing the 19 through the spool drum 17 is to slowly raise the growing ingot 10.

이때 로드셀(34)에 의해 지지롤러(19)로 인가되는 무게(하중)가 감지되며, 시드(11)와 시드척의 무게 및 인상케이블(12)의 무게를 제외하면 순수 잉곳(10)의 무게가 정밀 측정된다.At this time, the weight (load) applied to the support roller 19 by the load cell 34 is sensed, except the weight of the seed 11 and the seed chuck and the weight of the lifting cable 12 is the weight of the pure ingot 10 Precise measurement.

따라서 멜트(Melt)로부터 성장 및 인상되는 단결정 잉곳(10)의 무게를 매번 정확히 측정할 수 있어서 잉곳(10)의 생산성 향상과 단결정 잉곳의 품질이 확보된다. 또한 인상되는 잉곳(10)의 무게가 실시간으로 정밀 측정되어 반복적인 공정 진행이 달성되며, 멜트(2)의 손실과 시간손실을 줄일 수 있게된다.Therefore, the weight of the single crystal ingot 10 grown and drawn from the melt can be accurately measured every time, thereby improving productivity of the ingot 10 and securing the quality of the single crystal ingot. In addition, the weight of the ingot 10 to be pulled is precisely measured in real time to achieve repeated process progress, it is possible to reduce the loss and time loss of the melt (2).

본 발명에서 지지롤러(19)의 일측에 인상케이블(12)에 접하여 구름접촉하는 장력롤러(36)를 핀(37)으로 축 설치한 다음 스프링(38)으로 탄지시켜 인상케이블(12)이 지지롤러(19)를 이탈하거나 유동되지 않도록 함이 바람직하다. 즉, 인상케이블(12)의 길이는 적어도 4m 이상이어서 잉곳(10)이 타원운동할 수 있으나, 상기 장력롤러(36)에 의해 타원운동이 억제된다. In the present invention, the tension roller 36 in contact with the lifting cable 12 on the one side of the support roller 19 is axially installed with the pin 37, and then held by a spring 38 to support the lifting cable 12. It is preferable not to leave the roller 19 or to flow. That is, the length of the pulling cable 12 is at least 4m or more so that the ingot 10 can be elliptical movement, the elliptic movement is suppressed by the tension roller 36.

본 발명에서 공정 후반에 잉곳의 무게를 측정하는 공정이 있으나, 본 발명에서는 성장중인 잉곳의 무게가 실시간으로 정밀 측정되므로 상기 공정을 생략할 수 있다.In the present invention, there is a process for measuring the weight of the ingot in the second half of the process, but in the present invention, since the weight of the growing ingot is precisely measured in real time, the process may be omitted.

본 발명에서 하우징의 일측에는 로드셀(34)이 감지한 무게값을 제어기로 전달할 수 있게 기밀(氣密)이 유지되는 신호선 인출용 피드스루(Feedthrough)(35)가 구성된다.In the present invention, one side of the housing has a feed-through (35) for signal line extraction that maintains hermeticity so that the weight value sensed by the load cell 34 can be transmitted to the controller.

상기 피드스루(35)는 일반 O-ring을 겹겹이 실링(Sealing)하거나 피드스루(Feedthrough) 내부에 유체를 포함하여 실링(Sealing)하거나, 자성유체(磁性流體)를 이용하여 실링(Sealing)하기도 한다.The feedthrough 35 seals the general O-rings in a double layer, seals the fluid through the feedthrough, or seals the magnetic fluid using magnetic fluid. .

이상과 같이 설명한 본 발명은 본 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하며, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 자명한 것이다.The present invention as described above is not limited to the present embodiment and the accompanying drawings, various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention, which is usually in the art It is self-evident for those who have knowledge.

도 1 : 종래 잉곳성장장치의 구성도.1 is a block diagram of a conventional ingot growth apparatus.

도 2 : 종래 시드 메카니즘의 단면도.2 is a cross sectional view of a conventional seed mechanism.

도 3 : 본 발명 일 예로 도시한 시드 메카니즘의 단면도.3 is a cross-sectional view of the seed mechanism shown as an example of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

(30)--잉곳성장장치의 잉곳 무게 측정장치(30)-Ingot Weighing Device of Ingot Growth Apparatus

(10)--잉곳 (11)--시드(10)-Ingot (11)-Seed

(12)--인상케이블 (14)--챔버(12)-Impression Cable (14)-Chamber

(15)--모터 (17)--스풀드럼(15)-Motor (17)-Spool Drum

(18)--브라켓 (19)--지지롤러(18)-Bracket (19)-Support Roller

(20)--승강홀 (31)--시드 메카니즘(20)-Elevation Hall (31)-Seed Mechanism

(33)--수평부 (34)--로드셀
(35)--피드스루(Feedthrough) (36)--장력롤러
(37)--핀 (38)--스프링
(33)-Horizontal (34)-Load Cell
(35)-Feedthrough (36)-Tension Roller
(37)-pin (38)-spring

삭제delete

삭제delete

삭제delete

Claims (3)

잉곳성장장치의 시드 메카니즘에 설치되는 잉곳 인상케이블과, 상기 인상케이블의 하중을 로드셀로 감지하여 잉곳 무게를 측정하는 잉곳성장장치의 잉곳 무게 측정장치에 있어서;An ingot pulling cable installed on the seed mechanism of the ingot growing apparatus, and an ingot weight measuring apparatus of the ingot growing apparatus for measuring the ingot weight by detecting the load of the pulling cable with a load cell; 시드 메카니즘(31) 상부에 설치되는 기밀 유지형 하우징;An airtight housing installed above the seed mechanism 31; 상기 하우징의 내상부에 위치하는 브라켓(18);A bracket 18 positioned on an inner upper portion of the housing; 상기 브라켓(18)의 상단 수평부(33)에 고정되는 로드셀(34)의 상부;An upper portion of the load cell 34 fixed to the upper horizontal portion 33 of the bracket 18; 상기 로드셀(34)의 하부에 고정되는 지지롤러(19);A support roller 19 fixed to the lower portion of the load cell 34; 상기 지지롤러(19) 외주홈에 권회되고 스풀드럼(17)에 권취되는 인상케이블(12);An impression cable (12) wound on an outer circumferential groove of the support roller (19) and wound on a spool drum (17); 상기 인상케이블(12)의 단부에 설치되는 성장 잉곳(10) 인상용 시드(11) 및 시드척;Seed 11 and seed chuck for growth ingot 10 installed at the end of the pulling cable 12; 상기 지지롤러(19)의 일측에 핀(37)으로 축설치되고 인상케이블(12)에 접하여 구름접촉하는 장력롤러(36); A tension roller 36 axially installed at one side of the support roller 19 and in contact with the lifting cable 12 in contact with the rolling roller; 상기 장력롤러(36)를 탄지시켜 인상케이블(12)이 지지롤러(19)를 이탈하지 않도록 하는 스프링(38);A spring 38 for holding the tension roller 36 so that the pulling cable 12 does not leave the support roller 19; 상기 로드셀(34)이 감지한 무게값을 제어기로 전달할 수 있도록 상기 하우징 일측에 설치되는 신호선 인출용 피드스루(35);A signal line withdrawal feed-through 35 installed at one side of the housing so as to transmit the weight value sensed by the load cell 34 to a controller; 를 포함하는 잉곳성장장치의 잉곳 무게 측정장치.Ingot weight measuring apparatus of the ingot growth apparatus comprising a. 삭제delete 삭제delete
KR1020090116397A 2009-11-30 2009-11-30 Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus KR101155413B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090116397A KR101155413B1 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090116397A KR101155413B1 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110059944A KR20110059944A (en) 2011-06-08
KR101155413B1 true KR101155413B1 (en) 2012-06-21

Family

ID=44394790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090116397A KR101155413B1 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101155413B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101382247B1 (en) 2012-08-13 2014-04-07 디케이아즈텍 주식회사 Mount for fixing load cell of seed chuck in ingot grower
WO2015174665A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 (주)에스테크 Ingot growing apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101236359B1 (en) * 2011-06-20 2013-02-22 디케이아즈텍 주식회사 Weight measuring module in ingot grower

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09286693A (en) * 1996-04-22 1997-11-04 Komatsu Electron Metals Co Ltd Apparatus producing semiconductor single crystal

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09286693A (en) * 1996-04-22 1997-11-04 Komatsu Electron Metals Co Ltd Apparatus producing semiconductor single crystal

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101382247B1 (en) 2012-08-13 2014-04-07 디케이아즈텍 주식회사 Mount for fixing load cell of seed chuck in ingot grower
WO2015174665A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 (주)에스테크 Ingot growing apparatus
KR101574611B1 (en) 2014-05-14 2015-12-04 (주)에스테크 Ingot growing apparatus
US9410264B2 (en) 2014-05-14 2016-08-09 S-Tech Co., Ltd. Ingot growing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110059944A (en) 2011-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180126542A (en) Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal
KR101155413B1 (en) Ingot weight measurement device of ingot growing apparatus
JP6631468B2 (en) How to set the nozzle position of the remaining hot water suction device
US20080060572A1 (en) Magnetic Field Applied Pulling Method for Pulling Silicon Single Crystal
KR101283986B1 (en) Control point proffer device for melt level measuring of ingot growing apparatus
KR20100085470A (en) Method for growing single crystal improved in tail-process and grower for the same
JP2017014073A (en) Device and method for supplying silicon melt, and manufacturing apparatus of silicon single crystal
CN212316281U (en) Single crystal furnace
JP4360163B2 (en) Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method
CN105780111B (en) Polycrystalline silicon ingot casting furnace superintendent crystalline substance speed self-operated measuring unit
KR101153979B1 (en) Ingot grower
KR101078220B1 (en) Seed mcchanism auto weight balancing device of ingot growing apparatus
JP5404264B2 (en) Single crystal silicon manufacturing method and single crystal silicon manufacturing apparatus
CN210341126U (en) Magnetic control crystal pulling device for large-diameter efficient N-type monocrystalline silicon
WO2016167542A1 (en) Apparatus and method for growing single crystal silicon ingot
JP3702672B2 (en) Temperature measurement system for single crystal rod in puller
KR101723740B1 (en) Ingot grower
KR101724214B1 (en) Single crystal ingot growing apparatus
JP4815766B2 (en) Silicon single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method
WO2015174665A1 (en) Ingot growing apparatus
CN220788870U (en) Crystal pulling furnace and monocrystalline silicon rod
KR101528483B1 (en) A weight measuerment device for a growing crystal of crystal growth furmace
CN218175198U (en) Auxiliary liquid placement distance device
EP0416799A2 (en) A single crystal pulling apparatus
JP2012001386A (en) Single crystal production apparatus and method for detecting leakage of melt

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150527

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160518

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170511

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180628

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 8