KR101155033B1

KR101155033B1 - Led package

Info

Publication number: KR101155033B1
Application number: KR1020100099786A
Authority: KR
Inventors: 조영태
Original assignee: 금호전기주식회사
Priority date: 2010-10-13
Filing date: 2010-10-13
Publication date: 2012-06-11
Also published as: KR20120038172A

Abstract

본 발명은, 하면 및 측면을 포함하는 상광하협의 트랜치 구조를 갖는 하우징과, 발광면이 상기 트랜치 구조의 측면을 향하도록 실장되는 LED 칩, 및 상기 트랜치 구조의 하면 및 측면에 형성된 엠보싱 반사부를 포함하는 LED 패키지를 제공할 수 있다.The present invention includes a housing having a trench structure of the upper and lower sides including a lower surface and a side surface, an LED chip mounted so that the light emitting surface faces the side surface of the trench structure, and an embossed reflecting portion formed on the lower surface and the side surface of the trench structure. LED packages can be provided.

Description

엘이디 패키지 {LED PACKAGE}LED Package {LED PACKAGE}

본 발명은 엘이디 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LED 칩을 측면으로 실장할 수 있는 엘이디 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to an LED package, and more particularly, to an LED package that can be mounted side-by-side LED chip.

엘이디(LED : Light Emitting Diode)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED 가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED 와 함께 정보통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되고 있다. LED (Light Emitting Diode) is a semiconductor light emitting device that converts electric current into light.In 1962, red LED using GaAsP compound semiconductor was commercialized. It is used as a light source for the display image of a device.

이러한 엘이디에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다. The wavelength of light emitted by these LEDs depends on the semiconductor material used to manufacture the LED. This is because the wavelength of the emitted light depends on the band-gap of the semiconductor material, which represents the energy difference between the valence band electrons and the conduction band electrons.

질화갈륨 화합물 반도체(Galliim Nitride : GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8~ 6.2 eV)에 의해 고출력 전자소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐, 알루미늄 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다. Gallium nitride compound semiconductors (Galliim Nitride: GaN) have attracted a lot of attention in the field of high power electronic device development due to their high thermal stability and wide bandgap (0.8-6.2 eV). One reason for this is that GaN can be combined with other elements (indium, aluminum, etc.) to produce semiconductor layers that emit green, blue and white light.

이와 같은 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출수 있다. 예를 들어, GaN 를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED 와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED 를 만들 수 있다.These emission wavelengths can be adjusted to match material characteristics to specific device characteristics. For example, GaN can be used to create white LEDs that can replace incandescent and blue LEDs that are beneficial for optical recording.

기술의 발달에 따라 디스플레이 소자뿐만 아니라 광통신 수단의 송신모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시장치의 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 조명장치 등에까지 엘이디의 응용이 확대되고 있다.
With the development of the technology, the application of LEDs is expanding not only to display devices but also to transmission modules of optical communication means, backlights of liquid crystal display (LCD) displays, and lighting devices that can replace fluorescent lamps or incandescent lamps.

도 1은, 종래기술에 따른 엘이디 패키지의 구성 단면도이다.1 is a cross-sectional view of the configuration of the LED package according to the prior art.

일반적인 엘이디 패키지(100)는, 하우징(120) 내에 엘이디 칩(110)이 실장된다. 상기 엘이디 칩은 사파이어 기판상에 질화물 반도체층을 적층시켜 형성할 수 있다. 종래의 엘이디 패키지는, 상기 엘이디 칩(110)의 사파이어 기판이 하우징의 하면(122)에 접하도록 실장시키고, 와이어 본딩에 의해 상기 엘이디 칩(110)과 하우징 내부의 전극을 전기적으로 연결하였다. In the general LED package 100, the LED chip 110 is mounted in the housing 120. The LED chip may be formed by stacking a nitride semiconductor layer on a sapphire substrate. In the conventional LED package, the sapphire substrate of the LED chip 110 is mounted to contact the bottom surface 122 of the housing, and the LED chip 110 and the electrode inside the housing are electrically connected by wire bonding.

상기 엘이디 칩(110)의 활성층에서 발광되는 빛은 상기 엘이디 칩의 전면 및 후면을 통해서 발산하게 되는데, 이러한 구조의 엘이디 패키지를 제조하는 경우, 활성층의 하면으로 발산되는 빛은 사파이어 기판의 측면을 통해서 나오는 빛을 제외하고는 외부로 발산하기가 어려운 문제점이 있으며, 근래들어, 이와 같이 활성층의 상면으로 발산되는 빛 뿐만 아니라 활성층의 하부로 발산되는 빛을 최대한 추출하기 위한 연구가 계속되고 있다.
The light emitted from the active layer of the LED chip 110 is emitted through the front and rear of the LED chip, when manufacturing the LED package of this structure, the light emitted to the bottom surface of the active layer through the side of the sapphire substrate Except for the light coming out, there is a problem that it is difficult to shed to the outside, and in recent years, research to extract the light emitted to the upper surface of the active layer as well as the light emitted to the bottom of the active layer continues to continue.

본 발명은, 하우징 내에 실장되는 엘이디 칩의 배열 및 하우징 내부의 구조를 변경하여, 엘이디 칩의 하부로 발산되는 광의 추출을 높이는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to change the arrangement of the LED chip mounted in the housing and the structure inside the housing to increase the extraction of light emitted to the lower part of the LED chip.

본 발명은, 하면 및 측면을 포함하는 상광하협의 트랜치 구조를 갖는 하우징과, 발광면이 상기 트랜치 구조의 측면을 향하도록 실장되는 LED 칩, 및 상기 트랜치 구조의 하면 및 측면에 형성된 엠보싱 반사부를 포함하는 LED 패키지를 제공할 수 있다.
The present invention includes a housing having a trench structure of the upper and lower sides including a lower surface and a side surface, an LED chip mounted so that the light emitting surface faces the side surface of the trench structure, and an embossed reflecting portion formed on the lower surface and the side surface of the trench structure. LED packages can be provided.

상기 엠보싱 반사부는, 상기 트랜치 구조의 상부에서 하부로 갈수록 엠보싱의 크기가 작아지는 것일 수 있다.
The embossing reflector may be one in which the size of the embossing decreases from the top to the bottom of the trench structure.

상기 LED 칩은, 적어도 일측면이 상기 트랜치 구조에 접하는 것일 수 있으며, 이 때, 상기 LED 칩의 양측면이 각각 상기 트랜치 구조의 측면과 접하는 것일 수 있다. At least one side of the LED chip may be in contact with the trench structure. At this time, both sides of the LED chip may be in contact with the side surface of the trench structure.

상기 하우징은, 상부에 원형의 개구부가 형성될 수 있다.
The housing may have a circular opening formed thereon.

상기 하우징은, 상부에 사각형의 개구부가 형성될 수 있으며, 이 때, 상기 트랜치 구조는, 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면의 상부간의 거리가 하부간의 거리보다 길게 형성되며, 서로 대향하는 제3 측면 및 제4측면의 상부간의 거리 및 하부간의 거리가 동일하게 형성될 수 있다.
The housing may have a quadrangular opening formed at an upper portion thereof, wherein the trench structure is formed such that a distance between an upper portion of a first side and a second side facing each other is formed longer than a distance between lower portions and opposes each other. The distance between the upper side and the lower side of the third side and the fourth side may be formed equally.

본 발명에 따르면, 패키지 하우징 내에서 엘이디 칩의 발광면인 양면을 모두 오픈시켜 실장함으로서, 엘이디 칩 자체에서 발생되는 광을 최대한 추출할 수 있는 엘이디 패키지를 얻을 수 있다.
According to the present invention, by opening and mounting both sides of the light emitting surface of the LED chip in the package housing, it is possible to obtain an LED package that can extract the light generated from the LED chip itself.

도 1은, 종래기술에 따른 엘이디 패키지의 단면도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 일실시형태에 따른 엘이디 패키지의 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 엘이디 패키지의 평면도이다.
도 4는, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 엘이디 패키지의 평면도이다. 1 is a cross-sectional view of an LED package according to the prior art.
(A) and (b) is sectional drawing of the LED package which concerns on one Embodiment of this invention.
3 is a plan view of an LED package according to another embodiment of the present invention.
4 is a plan view of an LED package according to still another embodiment of the present invention.

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2의 (a) 및 (b)는 본 발명의 일실시 형태에 따른 엘이디 패키지의 제1 단면도 및 제2 단면도이다. 2 (a) and 2 (b) are first and second cross-sectional views of the LED package according to the embodiment of the present invention.

도 2의 (a)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 엘이디 패키지(200)는, 하우징(220), 엘이디 칩(210) 및 엠보싱 반사부(230)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2A, the LED package 200 according to the present embodiment may include a housing 220, an LED chip 210, and an embossing reflector 230.

상기 하우징(220)에는, 하면(222) 및 측면(221)을 갖는 트랜치 구조가 형성되어 있다. 상기 트랜치 구조 내부에는 엘이디 칩(210)이 실장되며 상기 엘이디 칩에서 발광되는 광을 전면으로 반사시키기 위해서 상기 트랜치 구조는 상광하협의 형태로 형성될 수 있다. The housing 220 has a trench structure having a lower surface 222 and a side surface 221. An LED chip 210 may be mounted inside the trench structure, and the trench structure may be formed in the form of a light beam narrowing to reflect the light emitted from the LED chip to the front.

상기 엘이디 칩(210)은, 사파이어 기판상에 복수의 질화물반도체층을 성장 적층하여 형성할 수 있으며, 상기 적층층 중 활성층이 발광층 역할을 할 수 있다. 상기 활성층에서 발광되는 빛은, 상기 엘이디 칩의 상면 뿐만 아니라 하면으로도 발산될 수 있다. 여기서 엘이디 칩의 상면은 상기 질화물반도체가 적층된 최종층의 표면을 나타내며, 하면은 상기 사파이어 기판 중 반도체층이 성장되지 않은 하면을 나타낸다. 따라서, 상기 적층된 엘이디 칩의 상면 및 하면이 엘이디 칩의 발광면이 될 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 엘이디 칩의 발광면이 상기 트랜치 구조의 측면(221)을 향하도록 상기 엘이디 칩(210)을 실장할 수 있다. 즉, 상기 엘이디 칩의 측면이 상기 트랜치 구조의 하면에 접하도록 상기 엘이디 칩을 실장할 수 있다. The LED chip 210 may be formed by growing and stacking a plurality of nitride semiconductor layers on a sapphire substrate, and an active layer of the stacked layers may serve as a light emitting layer. Light emitted from the active layer may be emitted to the bottom surface as well as the top surface of the LED chip. Here, the upper surface of the LED chip represents the surface of the final layer on which the nitride semiconductor is stacked, and the lower surface represents the lower surface of the sapphire substrate on which the semiconductor layer is not grown. Therefore, the top and bottom surfaces of the stacked LED chips may be light emitting surfaces of the LED chip. In the present embodiment, the LED chip 210 may be mounted so that the light emitting surface of the LED chip faces the side surface 221 of the trench structure. That is, the LED chip may be mounted such that a side surface of the LED chip contacts a bottom surface of the trench structure.

이처럼, 엘이디 칩의 측면을 하우징에 접촉시키고, 엘이디 칩의 발광면을 오픈시키는 구조에 의해 상기 엘이디 칩에서 방출되는 빛을 최대한 추출할 수 있다. 즉, 실장된 엘이디 칩의 상면 및 하면으로 모두 광이 방출되므로 상면만을 통해서 빛을 추출하는 종래 구조에 비해 더 많은 빛을 추출할 수 있다. As such, the light emitted from the LED chip can be extracted as much as possible by contacting the side of the LED chip with the housing and opening the light emitting surface of the LED chip. That is, since light is emitted to both the top and bottom surfaces of the mounted LED chip, more light can be extracted than the conventional structure of extracting light only through the top surface.

상기 엘이디 칩(210)은, 상기 하우징(220) 내부에 형성된 전극(223)과 전기적으로 연결될 수 있다. 본 실시형태에서는 와이어 본딩에 의해 상기 엘이디 칩과 하우징 내부의 전극을 연결할 수 있다. 그러나, 상기 엘이디 칩의 전극 구조에 따라 상기 엘이디 칩과 하우징 내부의 전극과의 연결구조는 다양하게 구현될 수 있다. 상기 엘이디 칩과 연결된 내부전극(223)은 하우징의 내부를 통해 외부전극(224)에 연결된다. 상기 외부전극(224)은 상기 엘이디 패키지를 기판상에 실장하기 위한 단자로 사용될 수 있다.
The LED chip 210 may be electrically connected to the electrode 223 formed in the housing 220. In this embodiment, the LED chip and the electrode inside the housing can be connected by wire bonding. However, according to the electrode structure of the LED chip, the connection structure between the LED chip and the electrode inside the housing may be variously implemented. The internal electrode 223 connected to the LED chip is connected to the external electrode 224 through the interior of the housing. The external electrode 224 may be used as a terminal for mounting the LED package on a substrate.

상기 트랜치 구조의 하면 및 측면에는 엠보싱 반사부(230)가 형성될 수 있다. 상기 엠보싱 반사부(230)는, 상기 엘이디 칩(210)에서 발광되는 빛을 상기 하우징(220)의 상부로 반사시킬 수 있다. 트랜치 구조의 측면에 엠보싱 형태의 반사부(230)를 형성함으로서 상기 엘이디 칩(210)에서 발광되는 빛의 분산을 더 향상시킬 수 있다. 상기 엠보싱 반사부의 표면은 반사효율을 높이기 위해 Ag, Au 등의 반사율이 뛰어난 물질로 코팅될 수 있다.An embossing reflector 230 may be formed on the bottom and side surfaces of the trench structure. The embossing reflector 230 may reflect light emitted from the LED chip 210 to the upper portion of the housing 220. By forming an embossed reflector 230 on the side of the trench structure, dispersion of light emitted from the LED chip 210 may be further improved. The surface of the embossed reflector may be coated with a material having excellent reflectance, such as Ag or Au, to increase reflection efficiency.

본 실시형태에서는, 상기 엠보싱 반사부(230)의 엠보싱의 형태를 각각 다르게 형성할 수 있다. 즉, 상광하협의 형태를 가지는 트랜치 구조의 측면과 발광원인 엘이디칩과의 거리를 고려하여 상기 트랜치 구조의 상부쪽의 엠보싱을 하부쪽의 엠보싱보다 크게 형성할 수 있다. 또는 트랜치 구조의 상부쪽의 엠보싱을 하부쪽의 엠보싱보다 작게 형성할 수 있다. 또한, 상기 엠보싱의 굴곡 등의 형태를 다양하게 구현할 수 있다. In this embodiment, the form of the embossing of the embossing reflecting unit 230 can be formed differently. That is, in consideration of the distance between the side surface of the trench structure having the shape of a light beam and the LED chip as the light emitting source, the embossing on the upper side of the trench structure may be larger than the embossing on the lower side. Alternatively, the embossing on the upper side of the trench structure can be made smaller than the embossing on the lower side. In addition, it is possible to implement a variety of forms, such as bending of the embossing.

상기 엘이디 칩(210)이 실장된 하우징의 트랜치 구조에는 몰딩물질(240)을 도포할 수 있다. 상기 몰딩물질(240)은 형광체를 포함할 수 있다.
A molding material 240 may be applied to the trench structure of the housing in which the LED chip 210 is mounted. The molding material 240 may include a phosphor.

도 2의 (b)는 상기 엘이디 패키지의 다른 측면의 단면도이다. 2B is a cross-sectional view of another side of the LED package.

도 2의 (b)를 참조하면, 본 실시형태에 따른 엘이디 패키지에서 엘이디 칩(210)은, 하우징의 트랜치 구조에 대응하도록 역사다리꼴 형태일 수 있다. 이러한 엘이디 칩(210)을 적용시키는 경우, 상기 엘이디 칩(210)의 일측은 상기 트랜치 구조의 하면과 접하고, 엘이디 칩의 양 측면은 트랜치 구조의 측면에 접할 수 있다. 이처럼, 엘이디 칩과 하우징의 트랜치 구조의 접촉면을 확장시킴으로서 상기 엘이디 칩에서 발생되는 열을 보다 효율적으로 하우징으로 전달시켜 방열을 용이하게 할 수 있다.
Referring to FIG. 2B, in the LED package according to the present embodiment, the LED chip 210 may have an inverted trapezoidal shape to correspond to the trench structure of the housing. When the LED chip 210 is applied, one side of the LED chip 210 may be in contact with the bottom surface of the trench structure, and both sides of the LED chip may be in contact with the side surface of the trench structure. As such, by extending the contact surface between the LED chip and the trench structure of the housing, heat generated from the LED chip can be more efficiently transferred to the housing to facilitate heat dissipation.

도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 엘이디 패키지의 평면도이다.3 is a plan view of an LED package according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시형태에 따른 엘이디 패키지(300)는, 트랜치 구조가 형성된 하우징(320), 엘이디 칩(310) 및 엠보싱 반사부(미도시)를 포함할 수 있다. 본 실시형태에서는 트랜치 구조 및 엘이디 칩을 중점적으로 설명하기 위해 엠보싱 반사부의 도시는 생략하였다. Referring to FIG. 3, the LED package 300 according to the present embodiment may include a housing 320 in which a trench structure is formed, an LED chip 310, and an embossing reflector (not shown). In this embodiment, the illustration of the embossed reflector is omitted in order to focus on the trench structure and the LED chip.

본실시형태에 따른 엘이디 패키지의 하우징에는 사각형의 개구부가 형성될 수 있다. 상기 사각형의 개구부는 하우징의 트랜치 구조의 일부를 이룬다.A rectangular opening may be formed in the housing of the LED package according to the present embodiment. The rectangular opening forms part of the trench structure of the housing.

상기 하우징(320) 내의 트랜치 구조는 하면(322), 제1 측면(321a), 제2 측면(321b), 제3 측면(321c), 및 제4 측면(321d)을 포함할 수 있다. 상기 제1 측면(321a)과 제2 측면(321b)는 서로 대향하며 상기 하면(322)과 비스듬하게 형성되어 상기 트랜치 구조가 상광하협 형태를 이루도록 할 수 있다. 즉, 상기 제1 측면(321a)과 제2 측면(321b)의 상부끼리의 거리는 하부끼리의 거리보다 길게 형성될 수 있다. The trench structure in the housing 320 may include a bottom surface 322, a first side surface 321a, a second side surface 321b, a third side surface 321c, and a fourth side surface 321d. The first side surface 321a and the second side surface 321b may face each other and may be formed obliquely with the lower surface 322 to form the trench structure. That is, the distance between the upper portions of the first side surface 321a and the second side surface 321b may be longer than the distance between the lower portions.

상기 제3 측면(321c) 및 제4 측면(321d)은 서로 대향하며 상기 하면(322)에 수직으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제3 측면(321c)과 제4 측면(321d)의 상부끼리의 거리와 하부끼리의 거리는 동일하게 형성될 수 있다. The third side surface 321c and the fourth side surface 321d may face each other and may be formed perpendicular to the lower surface 322. That is, the distance between the upper portions and the lower portions of the third side surface 321c and the fourth side surface 321d may be the same.

본 실시형태에서 엘이디 칩(310)은 사각형 형태로 형성되며, 일측면은 상기 트랜치 구조의 하면(322)에 접하고, 상기 일측면과 접하는 두 개의 측면은 상기 트랜치 구조의 제3 측면(321c) 및 제4 측면(321d)에 각각 접하도록 실장될 수 있다. 본 실시형태에 따른 엘이디 패키지에서는 실장된 엘이디 칩의 발광면 방향의 트랜치 측면(321a, 321b)을 경사지게 형성하여 상기 엘이디 칩에서 발산되는 광을 반사시키도록 하였다. 또한, 트랜치 구조의 다른 측면 (321c, 321d)은 경사없이 형성함으로서, 기존의 엘이디 칩의 구조변경 없이도 엘이디 칩과 하우징과의 접촉을 용이하게 할 수 있다.
In the present embodiment, the LED chip 310 is formed in a quadrangular shape, one side of which is in contact with the bottom surface 322 of the trench structure, and two side surfaces of which are in contact with the one side surface of the third side surface 321c of the trench structure; It may be mounted to contact the fourth side surface 321d, respectively. In the LED package according to the present embodiment, the trench side surfaces 321a and 321b in the light emitting surface direction of the mounted LED chip are formed to be inclined to reflect the light emitted from the LED chip. In addition, the other side surfaces 321c and 321d of the trench structure may be formed without inclination, thereby facilitating contact between the LED chip and the housing without changing the structure of the existing LED chip.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 엘이디 패키지의 평면도이다. 4 is a plan view of an LED package according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시형태에 따른 엘이디 패키지의 하우징(420)에는 원형의 개구부가 형성될 수 있다. 상기 개구부는 하우징(420)내의 트랜치 구조의 일부를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 4, a circular opening may be formed in the housing 420 of the LED package according to the present embodiment. The opening may form part of the trench structure in the housing 420.

상기 하우징(420) 내의 트랜치 구조는 하면(422), 및 측면(421)을 포함할 수 있다. 본 실시형태에서, 상기 트랜치 구조의 측면(421)은 원형인 하면을 둘러싸는 하나의 면으로 형성되며, 상기 하면(422)과 경사를 이루도록 비스듬하게 형성되어 상광하협의 트랜치 구조를 형성할 수 있다. The trench structure in the housing 420 may include a lower surface 422 and a side surface 421. In the present exemplary embodiment, the side surface 421 of the trench structure may be formed as one surface surrounding a circular bottom surface, and may be formed obliquely to form an inclination with the bottom surface 422 to form a trench structure of a light beam subsidiary. .

본 실시형태에서 엘이디 칩(410)은 일측이 상기 트랜치 구조의 하면(422)의 지름에 해당하는 길이를 같고, 상기 일측에 대향하는 타측은 상기 개구된 영역의 지름에 해당하는 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 엘이디 칩의 두 개의 측면은 각각 상기 트랜치 구조의 경사진 측면(421)에 접하도록 형성될 수 있다. In this embodiment, the LED chip 410 is formed such that one side has the same length as the diameter of the lower surface 422 of the trench structure, and the other side opposite to the one side has a length corresponding to the diameter of the open area. Can be. That is, two side surfaces of the LED chip may be formed to contact the inclined side surface 421 of the trench structure.

이러한 구조로 엘이디 칩 및 하우징의 형태를 구성함으로서 발광효율 및 방열효율을 높일 수 있는 엘이디 패키지를 얻을 수 있다.
By configuring the shape of the LED chip and the housing in such a structure it is possible to obtain an LED package that can increase the luminous efficiency and heat dissipation efficiency.

본 명세서에서는 엘이디 칩이 실장되는 하우징 내부의 구체적인 구조 및 엘이디 칩의 구체적인 구조에 대해서는 명확히 서술하지는 않았으나, 다른 구성요소들은 다양한 형태로 변경가능하다. 예를 들어, 상기 엘이디 칩의 전극구조를 변경시켜 와이어본딩이 아닌 본딩패드에 의한 본딩도 가능할 것이다. 또한, 상기 트랜치 구조 내부에 형성되는 엠보싱 반사부의 형태는 다양하게 구현될 수 있다. 이러한 추가적인 구성요소들의 변형은 해당기술분야의 당업자에게 자명한 범위 내에서 다양하게 실시될 수 있다.
Although the specific structure of the LED chip and the specific structure of the LED chip are not specifically described in the present specification, other components may be changed in various forms. For example, the electrode structure of the LED chip may be changed to bond with a bonding pad instead of wire bonding. In addition, the form of the embossed reflector formed in the trench structure may be implemented in various ways. Modifications to these additional components can be carried out in various ways within the scope apparent to those skilled in the art.

210 : LED 칩 220 : 하우징
230 : 엠보싱 반사부 240 : 몰딩부210: LED chip 220: housing
230: embossed reflection portion 240: molding portion

Claims

하면 및 측면을 포함하는 상광하협의 트랜치 구조를 갖는 하우징;
발광면이 상기 트랜치 구조의 측면을 향하고 일측면이 상기 트랜치 구조의 하면에 접하도록 실장되는 LED 칩; 및
상기 트랜치 구조의 하면 및 측면에 형성된 엠보싱 반사부;
을 포함하는 LED 패키지.
A housing having a trench structure of a light-lower narrow including a lower surface and a side surface;
An LED chip on which a light emitting surface faces a side of the trench structure and one side thereof is in contact with a lower surface of the trench structure; And
An embossed reflector formed on the bottom and side surfaces of the trench structure;
LED package comprising a.

제1항에 있어서,
상기 엠보싱 반사부는,
상기 트랜치 구조의 상부에서 하부로 갈수록 엠보싱의 크기가 작아지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
The embossed reflector,
LED package, characterized in that the size of the embossing is smaller from the top to the bottom of the trench structure.

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제1항에 있어서,
상기 LED 칩은,
양측면이 각각 상기 트랜치 구조의 측면과 접하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
The LED chip,
LED package, characterized in that both sides are in contact with the side of the trench structure respectively.

제1항에 있어서,
상기 하우징은,
상부에 원형의 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
The housing,
LED package, characterized in that the circular opening is formed on the top.

제1항에 있어서,
상기 하우징은,
상부에 사각형의 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
The housing,
LED package, characterized in that the rectangular opening is formed on the top.

제6항에 있어서,
상기 트랜치 구조는,
서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면의 상부간의 거리가 하부간의 거리보다 길게 형성되며,
서로 대향하는 제3 측면 및 제4측면의 상부간의 거리 및 하부간의 거리가 동일하게 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지.The method of claim 6,
The trench structure,
The distance between the upper portion of the first side and the second side facing each other is formed longer than the distance between the lower,
The LED package, characterized in that the distance between the upper portion and the lower portion of the third side and the fourth side facing each other are the same.