KR101152660B1 - A iii-v group compound solar cell and a method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법은, 경사진 기판을 사용하여 광흡수부가 씨드층과 수직인 측면을 갖도록 성장됨으로써, 수광 면적을 넓히고 고효율화를 달성할 수 있다. 비교적 값이 싼 실리콘 기판을 사용함으로써 태양전지의 제조 비용을 절감시킬 수 있다. 결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법은, 태양광을 흡수하고자 하는 흡수 영역이 넓고, 시트 저항이 작아서 고효율화를 달성하고, 실리콘 기판을 사용함으로써 저비용 고효율화를 달성할 수 있다.Group III-V compound solar cell and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, by using the inclined substrate is grown so that the light absorbing portion has a side surface perpendicular to the seed layer, it is possible to widen the light receiving area and to achieve high efficiency have. By using a relatively inexpensive silicon substrate, the manufacturing cost of the solar cell can be reduced. As a result, the III-V compound solar cell and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, the absorption area to absorb sunlight, the sheet resistance is small to achieve high efficiency, and to use a silicon substrate, low cost and high efficiency Can be achieved.
Description
III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 더욱 상세하게는, 수광 면적이 넓어 고효율을 달성할 수 있는 III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다.
A III-V compound solar cell and a method of manufacturing the same are disclosed. More specifically, a group III-V compound solar cell and a method of manufacturing the same are disclosed which can achieve high efficiency due to a wide light receiving area.
전 세계적으로 화석연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 환경에 무해하고 고갈될 염려도 없는 대체에너지 및 청정에너지에 대한 연구 및 개발이 이루어지고 있다.To reduce dependence on fossil fuels worldwide, research and development are being conducted on alternative and clean energy sources that are harmless to the environment and are not depleted.
한 예로 원자력 발전이 대체에너지로 개발되어 높은 기여도를 보이기도 했으나, 불안정성과 사고로 인해 심각한 피해를 야기함으로써 점차 이에 대한 의존도는 감소하고 있으며, 반면 청정의 무한한 에너지원이라는 측면에서 태양에너지를 현실적으로 활용할 수 있는 방안이 제기되고 있다.For example, although nuclear power was developed as an alternative energy, it showed high contribution, but its dependence is gradually decreasing due to serious instability due to instability and accidents, while practically utilizing solar energy in terms of clean and infinite energy source. Plan is being raised.
태양전지에서는 효율을 높이기 위해 수광 면적이 넓어야 하며, 수광 면적을 넓히기 위해, 현재 III-V족 화합물 태양전지는 GaAs 또는 Ge와 같은 기판을 사용하고 있으나, GaAs 또는 Ge 기판은 값이 비싸기 때문에 제조 비용이 증가한다. 결국, 값이 싼 저가의 렌즈를 통해 집광함으로써 같은 전력 대비 비용을 맞추고 있는 실정이다.In solar cells, the light receiving area should be wide to increase the efficiency, and in order to increase the light receiving area, group III-V compound solar cells currently use substrates such as GaAs or Ge, but GaAs or Ge substrates are expensive, so the manufacturing cost is high. This increases. As a result, the light is collected through a low cost lens to meet the same power / cost ratio.
따라서, 저비용 뿐만 아니라 대면적화를 통한 고효율화를 달성할 수 있는 방안으로 실리콘 기판상에 태양전지를 형성하는 기술이 필요하다.
Therefore, there is a need for a technique for forming a solar cell on a silicon substrate as a method of achieving high efficiency through low area as well as low cost.
III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법이 제공된다.
A III-V compound solar cell and a method of manufacturing the same are provided.
본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지는, 기판, 상기 기판상에 형성된 씨드층, 상기 씨드층 상에 형성된 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층, 상기 제1 전극 패턴 상에 형성된 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층, 상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 성장된 복수의 광흡수부들을 포함하고, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직인 측면을 갖는 광흡수층 및 상기 광흡수층 상에 형성된 제2 전극층을 포함한다.Group III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention, a first electrode layer consisting of a substrate, a seed layer formed on the substrate, a first electrode pattern formed on the seed layer, on the first electrode pattern A dielectric layer comprising a formed dielectric pattern, the first electrode pattern, and a plurality of light absorbing portions grown from the seed layer exposed by the dielectric pattern, wherein the light absorbing portion is perpendicular to the seed layer with respect to an upper surface of the dielectric layer; A light absorbing layer having a phosphorus side and a second electrode layer formed on the light absorbing layer.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 광흡수부의 측면은 결정면 중 {110}면에 평행한 면일 수 있다.In the group III-V compound solar cell according to the present invention, the side of the light absorbing portion may be a plane parallel to the {110} plane of the crystal plane.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 기판은 5°~ 50°각도로 경사질 수 있다.In the III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the substrate may be inclined at an angle of 5 ° ~ 50 °.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 광흡수부는 상기 경사진 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.In the group III-V compound solar cell according to the present invention, the light absorbing portion may be formed extending in the inclined direction.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 기판은 실리콘 기판일 수 있다.In the III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the substrate may be a silicon substrate.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 광흡수부는 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어질 수 있다.In the III-V compound solar cell according to the aspect of the present invention, the light absorbing portion may be formed in a junction structure with a larger energy band gap as the distance from the substrate.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 광흡수부는 III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어질 수 있다.In the group III-V compound solar cell according to the present invention, the light absorbing portion may be formed of a single junction structure or a multi-junction structure of the Group III and Group V elements.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 씨드층은 p-GaAs로 형성될 수 있다.In the III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the seed layer may be formed of p-GaAs.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 제1 전극 패턴은 텅스텐(W)으로 형성될 수 있다.In the III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the first electrode pattern may be formed of tungsten (W).
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 유전체 패턴은 SiOx 및 SiNx로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.In the III-V compound solar cell according to one aspect of the present invention, the dielectric pattern may be selected from the group consisting of SiOx and SiNx.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 제2 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.In the III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the second electrode layer may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO) and zinc oxide (ZnO).
본 발명의 다른 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법은, 5°~ 50°각도로 경사진 기판상에 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층 상에 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극층 상에 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 복수의 광흡수부들을 성장시켜, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직한 측면을 갖도록 광흡수층을 형성하는 단계 및 상기 광흡수층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.In the III-V compound solar cell manufacturing method according to another embodiment of the present invention, forming a seed layer on a substrate inclined at an angle of 5 ° ~ 50 °, the first electrode pattern formed on the seed layer Forming a first electrode layer, forming a dielectric layer formed of a dielectric pattern on the first electrode layer, growing a plurality of light absorbing portions from the seed layer exposed by the first electrode pattern and the dielectric pattern, and And forming a light absorbing layer such that an absorber has a side surface perpendicular to the seed layer with respect to the upper surface of the dielectric layer, and forming a second electrode layer on the light absorbing layer.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법에서, 씨드층을 형성하는 단계는, 상기 기판을 700℃ ~ 1000℃에서 1차 열처리하는 단계, 400℃ ~ 500℃에서 GaAs를 성장시키는 단계 및 상기 성장된 GaAs를 600℃에서 700℃로 온도를 상승시키면서 2차 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.In the III-V compound solar cell manufacturing method according to an aspect of the present invention, the step of forming a seed layer, the first heat treatment of the substrate at 700 ℃ ~ 1000 ℃, growth of GaAs at 400 ℃ ~ 500 ℃ And a second heat treatment of the grown GaAs while raising the temperature from 600 ° C. to 700 ° C.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법에서, 광흡수부는 상기 경사진 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.In the III-V compound solar cell manufacturing method according to one side of the present invention, the light absorbing portion may be formed extending in the inclined direction.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법에서, 광흡수부는 상기 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어지도록 형성될 수 있다.In the method of manufacturing a III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the light absorbing portion may be formed to have a junction structure with a larger energy band gap as the distance from the substrate.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법에서, 광흡수부는, III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a group III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention, the light absorbing unit may be formed of a single junction structure or a multi-junction structure of group III and group V elements.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법에서, 기판은 실리콘 기판일 수 있다.In the method of manufacturing a III-V compound solar cell according to one side of the present invention, the substrate may be a silicon substrate.
본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지 제조방법에서, 씨드층은 p-GaAs로 형성될 수 있다.
In the III-V compound solar cell manufacturing method according to one side of the present invention, the seed layer may be formed of p-GaAs.
본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법은, 경사진 기판을 사용하여 광흡수부가 씨드층과 수직인 측면을 갖도록 성장됨으로써, 수광 면적을 넓히고 고효율화를 달성할 수 있다. 비교적 값이 싼 실리콘 기판을 사용함으로써 태양전지의 제조 비용을 절감시킬 수 있다.Group III-V compound solar cell and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, by using the inclined substrate is grown so that the light absorbing portion has a side surface perpendicular to the seed layer, it is possible to widen the light receiving area and to achieve high efficiency have. By using a relatively inexpensive silicon substrate, the manufacturing cost of the solar cell can be reduced.
결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지 및 이의 제조방법은, 태양광을 흡수하고자 하는 흡수 영역이 넓고, 시트 저항이 작아서 고효율화를 달성하고, 실리콘 기판을 사용함으로써 저비용 고효율화를 달성할 수 있다.
As a result, the III-V compound solar cell and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, the absorption area to absorb sunlight, the sheet resistance is small to achieve high efficiency, and to use a silicon substrate, low cost and high efficiency Can be achieved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 III-V족 화합물 태양전지에서 A-A' 방향으로 절단한 것을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 경사진 실리콘 기판을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 성장된 광흡수층을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 성장된 광흡수층의 접합 구조를 나타내는 도면이다.
도 6a는 광흡수부를 성장시키기 위한 패턴의 폭이 (a) 411, (b) 521, (c) 616, 그리고 (d) 718 nm 일 경우, 갈륨비소(GaAs) 기판상에서 성장된 GaAs 층들의 SEM 단면 이미지들을 나타낸다.
도 6b는 광흡수부를 성장시키기 위한 패턴의 폭이 (a) 537, (b) 568, (c) 591, 그리고 (d) 710 nm 일 경우, 5°각도로 경사진 실리콘(Si) 기판상에서 성장된 GaAs 층들의 SEM 단면 이미지들을 나타낸다.1 is a perspective view showing a group III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the III-V compound solar cell of FIG. 1 taken along the AA ′ direction. FIG.
3 is a view showing an inclined silicon substrate in a III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a light absorption layer grown in the III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a junction structure of the grown light absorption layer in the III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention.
6A shows SEM of GaAs layers grown on a gallium arsenide (GaAs) substrate when the width of the pattern for growing the light absorbing portion is (a) 411, (b) 521, (c) 616, and (d) 718 nm. Sectional images are shown.
6B shows growth on a silicon (Si) substrate inclined at a 5 ° angle when the width of the pattern for growing the light absorbing portion is (a) 537, (b) 568, (c) 591, and (d) 710 nm. SEM cross-sectional images of the GaAs layers are shown.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, in the case where each substrate, layer or pattern, etc. is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer or pattern, etc., the "on" ) "And" under "include both" directly "or" indirectly "through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings.
도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
이하에서는 하기의 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다.
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지를 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 III-V족 화합물 태양전지에서 A-A' 방향으로 절단한 것을 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 경사진 실리콘 기판을 나타내는 도면이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 성장된 광흡수층을 나타내는 도면이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 성장된 광흡수층의 접합 구조를 나타내는 도면이다.
1 is a perspective view showing a group III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the III-V compound solar cell of FIG. 1 taken along the AA ′ direction. FIG. 3 is a view showing an inclined silicon substrate in a III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention. 4 is a view showing a light absorption layer grown in the III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention. 5 is a view showing a junction structure of the grown light absorption layer in the III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지(100)는, 경사진 기판(110), 씨드층(120), 제1 전극 패턴(130), 유전체 패턴(140), 광흡수부(150)로 이루어진 광흡수층(50), 제2 전극층(160) 및 전극 패드(170)를 포함한다.
1 to 3, a group III-V compound
기판(110)은 일정한 각도(θ)로 기울어져 있다. 기판(110)을 경사지게 잘랐을 때, 기판(110)은 도 3에서와 같이 일정한 각도(θ)로 경사져 있다. 기판(110)은 윗면 방향(001)의 상부면이 z 방향으로 경사진다. 즉, 기판(110)의 경사진 방향은 z 방향이며, 경사 각도(θ)는 기판의 화학적 결합 구조(chemical bond structure)에서 알 수 있다. 상기 일정한 각도(θ)는 5°~ 50°일 수 있다. 기판(110)의 경사각이 클수록 하기의 광흡수부(150)의 {110}면은 기울어짐 없이 곧게 성장할 수 있다. 즉, 기판(110)의 경사각이 큰 것을 사용함으로써 광흡수부(150)의 수직 성장율을 높일 수 있다.The
기판(110)은 실리콘 기판일 수 있다. 상기 실리콘 기판은 값이 비교적 싸기 때문에, III-V족 화합물 태양전지의 제조비용을 절감시킬 수 있다.
The
씨드층(120)은 기판(110)상에 형성된다. 씨드층(120)은 하기의 광흡수부(150)을 성장시키는 역할을 한다. 씨드층(120)은 기판(110)의 윗면 방향(001)의 상부면에 형성되기 때문에, 씨드층(120)도 일정한 각도(θ)로 기울어져 있다. 씨드층(120)은 p-GaAs로 형성될 수 있다.
The
제1 전극 패턴(130)은 씨드층(120) 상에 형성된다. 제1 전극층은 복수의 제1 전극 패턴(130)들로 이루어진다. 제1 전극 패턴(130)은 텅스텐(W)으로 형성될 수 있다. 제1 전극 패턴(130)은 p형 전극 역할을 할 수 있다. 제1 전극 패턴(130)은 하기의 광흡수부(150)의 선택적 성장을 위한 마스크로 사용될 수 있다.
The
유전체 패턴(140)은 제1 전극 패턴(130) 상에 형성된다. 유전체층은 복수의 유전체 패턴(140)들로 이루어진다. 유전체 패턴(140)은 절연층 역할을 하며, 유전체 패턴(140)은 규소 산화물(SiOx) 및 규소 질화물(SiNx)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
The
광흡수부(150)는 씨드층(120) 상에서 수직으로 성장하여 형성된다. 광흡수층(50)은 복수의 광흡수부(150)들로 이루어진다. 광흡수부(150)는 제1 전극 패턴(130) 및 유전체 패턴(140)에 의하여 노출된 씨드층으로부터 성장된다. 광흡수부(150)는 유전체층 상부면을 기준으로 하여 씨드층(120)과 수직인 측면을 갖는다. 유전체층 상부면을 기준으로 하여 씨드층(120)과 수직인 광흡수부(150)의 측면은 결정면 중 {110}면에 평행한 면 또는 나란한 면일 수 있다. 광흡수부(150)는 z 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 광흡수부(150)는 일정한 각도로 경사진 기판의 방향으로 연장되어 스트라이프 모양으로 형성될 수 있다. 광흡수부(150)는 스트라이프(stripe) 모양의 나노 와이어 또는 나노 막대 형태로 형성될 수 있다.The
광흡수부(150)는 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어질 수 있다. 즉, 에너지 밴드갭이 큰 물질일수록 태양광의 흡수율이 높기 때문에, 넓은 태양광 스펙트럼에 해당하는 빛을 흡수할 수 있도록 에너지 밴드갭이 높은 물질이 기판과 멀리 떨어진 곳에 위치하게 된다.The
도 5에서와 같이, 광흡수부(150)은 III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, GaAs의 단일접합 구조, AlGaAs/GaAs 또는 InGaP/GaAs의 이중접합 구조, InGaP/GaAs/Ge의 삼중접합 구조, 그리고 III족 및 V족 원소의 다중접합 구조로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 여기서, III족 원소는 Al, Ga, In 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으며, V족 원소는 As, P 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.As shown in FIG. 5, the
광흡수부(150)에 대해서는 하기의 제조방법 설명 부분에서 더 상세하게 설명하기로 한다.
The
제2 전극층(160)은 광흡수부(150) 상에 형성된다. 제2 전극층(160)은 투명전극일 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 패턴에 의하여 선택적으로 형성된 태양전지의 바깥면은 n-GaAs로 이루어져 있고, 그 위에 ITO 또는 ZnO로 형성된 제2 전극은 n형 오믹 전극으로 사용될 수 있다.The
제2 전극층(160) 상에 전극 패드(170)가 형성될 수 있다. 전극 패드는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있다. Al 전극 패드는 충전기에 전력을 공급하기 위해 패드로 일정한 패턴을 통해 형성될 수 있다.
The
종래의 태양전지가 수평면만으로 이루어진 반면에, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지는, 경사진 실리콘 기판상에 수직형 나노 구조의 광흡수층을 성장시킴으로써, 빛의 입사방향과 수직방향 또는 수평방향을 다 이용할 수 있으며, 이로 인해 빛을 흡수하는 수광 면적을 넓힘으로써 광전류의 형성을 늘려서 효율을 증가시킬 수 있다. While the conventional solar cell is composed of only a horizontal plane, group III-V compound solar cell according to an embodiment of the present invention, by growing a light absorption layer of the vertical nanostructure on the inclined silicon substrate, Both vertical and horizontal directions may be used, thereby increasing the light-receiving area to increase light, thereby increasing the efficiency of the photocurrent.
또한, 종래의 III-V족 화합물 태양전지는 GaAs 또는 Ge 과 같은 값비싼 기판을 사용한 반면에, 본 발명의 일 측에 따른 III-V족 화합물 태양전지는 저가의 실리콘 기판을 사용함으로써 태양전지의 제조비용을 절감시킬 수 있다. In addition, while a conventional group III-V compound solar cell uses an expensive substrate such as GaAs or Ge, the group III-V compound solar cell according to one aspect of the present invention uses a low-cost silicon substrate to provide a solar cell. The manufacturing cost can be reduced.
또한, 나노 막대 형태의 광흡수층을 갖는 태양전지의 p형 부분이 패터닝된 전극 부분과 결합됨으로써 따로 전극을 구비할 필요가 없으며, 본 발명의 일 측에 따른 태양전지의 바깥면은 n-GaAs로 이루어져 있고, 그 위에 제2 전극인 ITO 또는 ZnO를 증착함으로써 소자에 직접적으로 이용할 수 있다.
In addition, the p-type portion of the solar cell having the light absorption layer of the nano-rod is combined with the patterned electrode portion does not need to have an electrode separately, the outer surface of the solar cell according to one side of the present invention is n-GaAs It can be used directly in an element by depositing ITO or ZnO which is a 2nd electrode thereon.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a III-V compound solar cell according to another embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 다른 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법은, 일정한 각도(θ)로 경사진 기판상에 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층 상에 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극층 상에 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 복수의 광흡수부들을 성장시켜, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직한 측면을 갖도록 광흡수층을 형성하는 단계 및 상기 광흡수층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
Method of manufacturing a III-V compound solar cell according to another embodiment of the present invention, forming a seed layer on a substrate inclined at a predetermined angle (θ), the first electrode pattern formed on the seed layer Forming a first electrode layer, forming a dielectric layer formed of a dielectric pattern on the first electrode layer, growing a plurality of light absorbing portions from the seed layer exposed by the first electrode pattern and the dielectric pattern, and And forming a light absorbing layer such that an absorber has a side surface perpendicular to the seed layer with respect to the upper surface of the dielectric layer, and forming a second electrode layer on the light absorbing layer.
먼저, 도 3에서와 같이 일정한 각도(θ)로 경사진 실리콘 기판 (001) 위에 GaAs와 같은 씨드층을 성장한다. 여기서, 일정한 각도(θ)는 5°~ 50°일 수 있다.First, a seed layer such as GaAs is grown on the
씨드층을 형성하는 단계는, 기판을 700℃ ~ 1000℃에서 1차 열처리하는 단계, 400℃ ~ 500℃에서 GaAs를 성장시키는 단계 및 상기 성장된 GaAs를 600℃에서 700℃로 온도를 상승시키면서 2차 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. 바람직하게, 1차 열처리 단계는 800℃ ~ 1000℃에서 수행되며, 상기 GaAs를 성장시키는 단계는 400℃ ~ 450℃에서 수행되며, 성장된 GaAs를 2차 열처리하는 단계는 650℃에서 700℃로 온도를 상승시키면서 수행될 수 있다.The seed layer may be formed by firstly heat treating a substrate at 700 ° C. to 1000 ° C., growing GaAs at 400 ° C. to 500 ° C., and increasing the temperature of the grown GaAs from 600 ° C. to 700 ° C. And further heat treating. Preferably, the first heat treatment step is performed at 800 ℃ ~ 1000 ℃, the step of growing the GaAs is carried out at 400 ℃ ~ 450 ℃, the second heat treatment step of the grown GaAs is a temperature from 650 ℃ to 700 ℃ It can be carried out while raising.
더 구체적으로 설명하면, 하기와 같은 공정으로 경사진 기판상에 씨드층이 형성된다. 경사진 실리콘 기판은 공기 중에 노출 시 SiO2와 같은 자연 산화막이 생성되므로, 유기금속화학증착(MOCVD) 장비에 넣기 전에 표면을 에칭 세척한다. 표면처리 용액은 HF 및 H2O2, H2O를 사용하여 실시한다. 표면 처리된 실리콘 기판을 유기금속화학증착 반응관에 넣고 800℃ 이상의 고온에서 자연 산화막을 제거한다. 그런 다음, 400℃ 정도의 낮은 온도에서 기판상에 갈륨비소(GaAs) 또는 갈륨인(GaP) 씨드층을 얇게 수십 nm로 성장시킨 후, 성장된 씨드층을 600℃에서 700℃로 온도를 상승시키면서 열처리한다.More specifically, the seed layer is formed on the inclined substrate by the following process. Inclined silicon substrates produce a native oxide film, such as SiO 2 , when exposed to air, so that the surface is etched and cleaned before entering into organometallic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment. Surface treatment solution is carried out using HF and H 2 O 2 , H 2 O. The surface-treated silicon substrate is placed in an organometallic chemical vapor deposition reactor and the natural oxide film is removed at a high temperature of 800 ° C. or higher. Then, a thin layer of gallium arsenide (GaAs) or gallium phosphorus (GaP) seed layer is grown to a few tens of nm on the substrate at a low temperature of about 400 ° C, and then the grown seed layer is raised from 600 ° C to 700 ° C. Heat treatment.
그런 다음, 플라즈마 스퍼터(plasma sputter) 장비로 약 40 nm 두께의 제1 전극을 증착하고, 제1 전극 상에 50 nm 두께의 유전체층을 증착한다. E-beam 리소그래피 공정을 통해 제1 전극 및 유전체층을 선택적으로 패터닝하여 p-GaAs 씨드층을 노출하고, 노출된 p-GaAs 씨드층에 광흡수부를 성장시킨다.Then, a first electrode about 40 nm thick is deposited by using a plasma sputter device, and a 50 nm thick dielectric layer is deposited on the first electrode. The first electrode and the dielectric layer are selectively patterned through an E-beam lithography process to expose the p-GaAs seed layer and grow a light absorbing part on the exposed p-GaAs seed layer.
제1 전극 및 유전체의 패턴은 스트라이프 형태이며, 그 폭은 포토 리소그래피인 경우 1 ㎛ 초과로 진행하고, E-beam인 경우에는 1 ㎛ 미만으로 진행할 수 있다. 시간을 적게 하기 위해서는 레이저의 회절을 이용하는 홀로 리소그래피(holo lithography) 또는 임프린트(Imprint) 방식 등을 사용할 수 있다. 이때, 패턴의 형태는 기판의 경사진 방향을 따라 주기적인 스트라이프 모양으로 형성할 수 있다.
The pattern of the first electrode and the dielectric may be in the form of a stripe, the width of which may be greater than 1 μm in the case of photolithography and less than 1 μm in the case of E-beam. To reduce the time, a holo lithography or an imprint method using laser diffraction may be used. In this case, the pattern may be formed in a periodic stripe shape along the inclined direction of the substrate.
도 4에서와 같이, GaAs의 성장형태는 메사(mesa) 형태로 윗면(001) 방향(151), 그 주위의 {113}A 면(153), {111}A 면(155), 그리고 {110}A 면(157)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 4, the growth pattern of GaAs is mesa in the
일반적으로 실리콘 기판의 경우, 윗면 방향(001)의 면이 {111}면 또는 {311}면보다 화학적 결합률이 크기 때문에 성장된 형태가 {111} 측면을 갖는 삼각형 형태를 갖게 된다. 윗면 방향(001)의 면 위로 올라오는 Ga 원자들은 탈착하게 되어 높이에 제한을 가져오게 되며, 이를 자기-제한 성장(self-limiting growth)이라 한다. 경사진 실리콘 기판을 이용할 경우, {111} 측면의 원자 스텝 사이트(atomic step site)에 의하여 화학적 결합률이 증가하여 윗쪽 방향(001)의 면으로 올라가는 Ga 원자들이 방해를 받는다. 따라서, 경사진 실리콘 기판의 경우에는, 측면 성장이 없는 기판과는 달리, {110} 측면을 갖게 되고 이는 수직성장을 형성하게 된다. 측면 성장은 경사각이 클수록 더욱 더 증가하여 수직성장을 이루게 된다. 즉, {110}A 면(157) 폭의 증가는 수직 성장율의 증가를 의미하며, 실리콘 기판의 경사각이 증가할수록 증가한다.In general, in the case of a silicon substrate, since the surface in the
결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지에서, 광흡수부(150)는 씨드층(120) 상에서 수직으로 성장하여 형성된다. 광흡수부(150)는 유전체층 상부면을 기준으로 하여 씨드층(120)과 수직인 측면을 갖도록 형성된다. 즉, 광흡수부(150)의 측면은 유전체층의 상부 영역에서도 씨드층과 수직으로 성장하여 형성된다. 이러한 광흡수부(150)의 측면은 결정면 중 {110}면에 평행한 면 또는 나란한 면일 수 있다. 광흡수부(150)는 z 방향으로 연장되어 형성되며, 즉 일정한 각도로 경사진 기판의 방향으로 연장되어 스트라이프 모양으로 형성될 수 있다.
As a result, in the III-V compound solar cell according to the exemplary embodiment of the present invention, the
도 5에서와 같이, 광흡수부(150)가 적층형 구조인 경우, 넓은 태양광 스펙트럼에 해당하는 빛을 흡수할 수 있도록 에너지 밴드갭이 높은 물질을 실리콘 기판과 먼 곳에 위치시킬 수 있다. 광흡수부(150)은 III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, GaAs의 단일접합 구조, AlGaAs/GaAs 또는 InGaP/GaAs의 이중접합 구조, InGaP/GaAs/Ge의 삼중접합 구조, 그리고 III족 및 V족 원소의 다중접합 구조로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 일반적으로, 흡수 파장 영역이 넓은 다중접합이 바람직하나, 성장된 층의 특성을 고려하여 적당한 구조가 선택될 수 있다. 즉, 광흡수부(150)는 AlGaAs/GaAs의 이중접합 구조 또는 InGaP/GaAs/Ge의 삼중접합 구조일 수 있으며, 태양전지 스펙트럼을 고려 III족(Al, Ga, In) 및 V족(As, P)을 적절히 결합하여 구성할 수 있다.
As shown in FIG. 5, when the
도 6a는 광흡수부를 성장시키기 위한 패턴의 폭이 (a) 411, (b) 521, (c) 616, 그리고 (d) 718 nm 일 경우, 갈륨비소(GaAs) 기판상에서 성장된 GaAs 층들의 SEM 단면 이미지들을 나타낸다.6A shows SEM of GaAs layers grown on a gallium arsenide (GaAs) substrate when the width of the pattern for growing the light absorbing portion is (a) 411, (b) 521, (c) 616, and (d) 718 nm. Sectional images are shown.
도 6b는 광흡수부를 성장시키기 위한 패턴의 폭이 (a) 537, (b) 568, (c) 591, 그리고 (d) 710 nm 일 경우, 5°각도로 경사진 실리콘(Si) 기판상에서 성장된 GaAs 층들의 SEM 단면 이미지들을 나타낸다.6B shows growth on a silicon (Si) substrate inclined at a 5 ° angle when the width of the pattern for growing the light absorbing portion is (a) 537, (b) 568, (c) 591, and (d) 710 nm. SEM cross-sectional images of the GaAs layers are shown.
도 6a에서 보는 바와 같이, 갈륨비소(GaAs) 기판상에서 성장된 GaAs 층들의 경우, 일반적으로 삼각형의 성장형태를 갖게 된다. 그 이후는 윗쪽 방향(001)의 면이 화학적 결합률이 가장 높고 {111}면이 가장 낮기 때문에 Ga 원자들은 위쪽 방향(001)의 면으로 향하고 결국 삼각형을 다 이룰 경우, 나머지 Ga 원자들은 탈착을 하게 되어 더 이상 높이가 커지지 않는다. 상기에서 살펴본 바와 같이, 이를 자기-제한 성장(self-limiting growth)이라 한다. As shown in FIG. 6A, GaAs layers grown on a gallium arsenide (GaAs) substrate generally have a triangular growth pattern. After that, the Ga atoms are directed toward the plane of the upward direction (001), and the remaining Ga atoms are desorbed if the plane in the upward direction (001) has the highest chemical bonding rate and the {111} plane is the lowest. The height no longer increases. As discussed above, this is referred to as self-limiting growth.
이에 반해, 도 6b에서 보는 바와 같이 경사진 실리콘(Si) 기판상에서 성장된 GaAs 층들의, 윗쪽 방향(001)의 면 및 {111}면 외에 경사면에 의한 테라스(terrace) 및 스텝(step)에 의한 화학적 결합률이 증가하므로, {111}면에서 윗쪽 방향(001)의 면으로 Ga가 이동하는 것을 방해하게 된다. 그러므로, 도 5a에서는 볼 수 없는 {110}면이 생기게 된다. 즉, {110}면은 스텝(step)에 의한 화학적 결합이 없으므로 이면이 새롭게 가장 결합률이 낮은 면이 된다. 따라서, 경사진 실리콘 기판을 사용하는 경우, 경사각 방향(z방향)에 평행하게 스트라이프 패턴을 할 경우, 수직으로 계속 성장시킬 수 있다. In contrast, as shown in FIG. 6B, the GaAs layers grown on the inclined silicon (Si) substrate are formed by a terrace and a step by an inclined surface in addition to the plane of the
상기에서 설명한 바와 같이, 제1 전극층은 리프트 오프(Lift-off)에 의하여 유전체층 아래에 형성되며, p형 GaAs와 접촉하여 p-type 전극을 형성할 수 있다. 패턴에 의하여 선택적으로 형성된 태양전지의 바깥면은 n-GaAs로 이루어져 있고, 그 위에 ITO 또는 ZnO 등의 제2 전극이 형성되어 접촉됨으로써 n형 오믹 전극으로 사용될 수 있다. 제2 전극 상에 Al(알루미늄)을 증착하여 전극 패드를 형성한다. Al 전극 패드는 충전기에 전력을 공급하기 위해 패드로 일정한 패턴을 통해 형성된다.As described above, the first electrode layer is formed under the dielectric layer by lift-off and may contact the p-type GaAs to form a p-type electrode. The outer surface of the solar cell selectively formed by the pattern is made of n-GaAs, and a second electrode such as ITO or ZnO is formed thereon and may be used as the n-type ohmic electrode. Al (aluminum) is deposited on the second electrode to form an electrode pad. Al electrode pads are formed through a constant pattern of pads to power the charger.
결국, 본 발명의 다른 실시예에 따른 III-V족 화합물 반도체 제조방법은, 경사진 실리콘 기판 상에서 GaAs 씨드층을 성장시키며, 이때 성장된 GaAs 씨드층도 경사진 층을 이룬다. 실리콘 기판의 경사면에 평행한 방향으로 제1 전극층 및 유전체층을 스트라이프 모양의 패턴으로 형성함으로써, 노출된 GaAs 씨드층에서 광흡수부를 성장시킨다.As a result, the III-V compound semiconductor manufacturing method according to another embodiment of the present invention grows a GaAs seed layer on an inclined silicon substrate, and the grown GaAs seed layer also forms an inclined layer. The light absorbing portion is grown on the exposed GaAs seed layer by forming the first electrode layer and the dielectric layer in a stripe pattern in a direction parallel to the inclined surface of the silicon substrate.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지는, 경사진 실리콘 기판상에 수직형 나노 구조의 광흡수부를 성장시킴으로써 넓은 수광 면적 및 낮은 시트 저항으로 인해 고효율화를 달성할 수 있다. 또한, 값이 싼 실리콘 기판을 사용함으로써 태양전지의 제조비용을 절감시킬 수 있다.
Therefore, the III-V compound solar cell according to the embodiment of the present invention can achieve high efficiency due to the large light receiving area and the low sheet resistance by growing the light absorbing portion of the vertical nanostructure on the inclined silicon substrate. . In addition, using a low-cost silicon substrate can reduce the manufacturing cost of the solar cell.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 경사진 실리콘 기판상에 수직형 나노 구조의 광흡수층을 포함하는III-V족 화합물 태양전지 구조를 가짐으로써 저가화와 고효율을 동시에 달성할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 III-V족 화합물 태양전지는, 비용면에 있어서 지상화하기 위한 집광형 즉, 집광렌즈, 트렉커 기어의 소모전력 등이 필요없이 대면적 공정을 그대로 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 고효율화를 달성할 수 있는 차세대 III-V족 화합물 태양전지 구조로 광전 소자를 제조할 수 있는 기반 소재로 사용될 수 있다.
As described above, the present invention can achieve both low cost and high efficiency by having a III-V compound solar cell structure including a vertical nanostructured light absorption layer on an inclined silicon substrate. That is, the group III-V compound solar cell according to the embodiment of the present invention can use the large-area process without the need for condensing type, ie, condensing lens, power consumption of the tracker gear, etc. In addition, as a next-generation III-V compound solar cell structure capable of achieving high efficiency, it can be used as a base material for manufacturing an optoelectronic device.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
100 : III-V족 화합물 태양전지 110 : 기판
120 : 씨드층 130 : 제1 전극 패턴
140 : 유전체 패턴 150 : 광흡수부
160 : 제2 전극층 170 : 전극 패드
50: 광흡수층100: III-V group compound solar cell 110: substrate
120: seed layer 130: first electrode pattern
140: dielectric pattern 150: light absorption portion
160: second electrode layer 170: electrode pad
50: light absorption layer
Claims (18)
상기 기판상에 형성된 씨드층;
상기 씨드층 상에 형성된 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층;
상기 제1 전극 패턴 상에 형성된 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층;
상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 성장된 복수의 광흡수부들을 포함하고, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직인 측면을 갖는 광흡수층; 및
상기 광흡수층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하는 III-V족 화합물 태양전지.
Board;
A seed layer formed on the substrate;
A first electrode layer formed of a first electrode pattern formed on the seed layer;
A dielectric layer formed of a dielectric pattern formed on the first electrode pattern;
A light absorbing layer including a plurality of light absorbing portions grown from the seed layer exposed by the first electrode pattern and the dielectric pattern, the light absorbing portion having a side surface perpendicular to the seed layer with respect to the upper surface of the dielectric layer; And
Group III-V compound solar cell comprising a second electrode layer formed on the light absorption layer.
상기 측면은 결정면 중 {110}면에 평행한 면인 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The side surface is a group III-V compound solar cell that is parallel to the {110} plane of the crystal plane.
상기 기판은 5°~ 50°각도로 경사진 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The substrate is a III-V compound solar cell inclined at an angle of 5 ° ~ 50 °.
상기 광흡수부는 상기 경사진 방향으로 연장되어 형성된 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 3,
The light absorbing portion extends in the inclined direction formed III-V compound solar cell.
상기 기판은 실리콘 기판인 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The substrate is a III-V compound solar cell is a silicon substrate.
상기 광흡수부는 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어진 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The group III-V compound solar cell made of a junction structure having a larger energy band gap as the light absorbing portion moves away from the substrate.
상기 광흡수부는 III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어지는 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The light absorbing unit is a group III-V compound solar cell consisting of a single junction structure or a multi-junction structure of Group III and Group V elements.
상기 씨드층은 p-GaAs로 형성된 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The seed layer is a III-V compound solar cell formed of p-GaAs.
상기 제1 전극 패턴은 텅스텐(W)으로 형성되는 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The first electrode pattern is a III-V compound solar cell formed of tungsten (W).
상기 유전체 패턴은 SiOx 및 SiNx로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The dielectric pattern is a III-V compound solar cell selected from the group consisting of SiOx and SiNx.
상기 제2 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 III-V족 화합물 태양전지.
The method of claim 1,
The second electrode layer is a III-V compound solar cell selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO) and zinc oxide (ZnO).
상기 씨드층 상에 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층 상에 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 복수의 광흡수부들을 성장시켜, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직한 측면을 갖도록 광흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 광흡수층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
Forming a seed layer on the substrate inclined at an angle of 5 ° to 50 °;
Forming a first electrode layer formed of a first electrode pattern on the seed layer;
Forming a dielectric layer formed of a dielectric pattern on the first electrode layer;
Growing a plurality of light absorbing parts from the seed layer exposed by the first electrode pattern and the dielectric pattern to form a light absorbing layer such that the light absorbing part has a side surface perpendicular to the seed layer with respect to the upper surface of the dielectric layer; step; And
Method of manufacturing a III-V compound solar cell comprising the step of forming a second electrode layer on the light absorption layer.
상기 씨드층을 형성하는 단계는,
상기 기판을 700℃ ~ 1000℃에서 1차 열처리하는 단계;
400℃ ~ 500℃에서 GaAs를 성장시키는 단계; 및
상기 성장된 GaAs를 600℃에서 700℃로 온도를 상승시키면서 2차 열처리하는 단계를 포함하는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
The method of claim 12,
Forming the seed layer,
First heat treating the substrate at 700 ° C to 1000 ° C;
Growing GaAs at 400 ° C. to 500 ° C .; And
Method for manufacturing a III-V compound solar cell comprising the step of heat-treating the grown GaAs from 600 ℃ to 700 ℃ temperature.
상기 광흡수부는 상기 경사진 방향으로 연장되어 형성되는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
The method of claim 12,
The light absorbing portion is a method of manufacturing a III-V compound solar cell is formed extending in the inclined direction.
상기 광흡수부는 상기 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어지도록 형성되는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
The method of claim 12,
The light absorbing portion is formed to form a junction structure having a larger energy band gap toward the substrate away from the substrate III-V compound solar cell manufacturing method.
상기 광흡수부는, III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어진 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
The method of claim 12,
The light absorbing unit is a method of manufacturing a group III-V compound solar cell consisting of a single junction structure or a multi-junction structure of Group III and Group V elements.
상기 기판은 실리콘 기판인 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
The method of claim 12,
The substrate is a method of manufacturing a III-V compound solar cell is a silicon substrate.
상기 씨드층은 p-GaAs로 형성되는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법.
The method of claim 12,
The seed layer is a method of manufacturing a III-V compound solar cell formed of p-GaAs.
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| KR1020100108728A KR101152660B1 (en) | 2010-11-03 | 2010-11-03 | A iii-v group compound solar cell and a method for manufacturing the same |
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|---|---|---|---|---|
| KR20190101243A (en) | 2018-02-22 | 2019-08-30 | 전남과학대학교 산학협력단 | Concentrating Photovoltaic module adopted with Spherical Lens |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090035355A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | 한국전자통신연구원 | High efficiency solar cell and method for the same |
| KR20110023007A (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-08 | 삼성전자주식회사 | Thin film solar cell and method of manufacturing the same |
-
2010
- 2010-11-03 KR KR1020100108728A patent/KR101152660B1/en active IP Right Grant
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