KR101141269B1 - Light emitting diode and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR101141269B1 KR1020080134263A KR20080134263A KR101141269B1 KR 101141269 B1 KR101141269 B1 KR 101141269B1 KR 1020080134263 A KR1020080134263 A KR 1020080134263A KR 20080134263 A KR20080134263 A KR 20080134263A KR 101141269 B1 KR101141269 B1 KR 101141269B1
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드를 제공한다. 상기 발광 다이오드는 기판과, 상기 기판과 발광층 사이에, 상기 기판의 상면으로부터 일정 길이 돌출 형성되는 다수개의 요철형상부들과, 상기 요철형상부들의 외면에 순차적으로 형성되는 다수개의 회절 패턴들로 형성되어, 입사되는 광을 상기 기판과 수직인 방향을 따라 직진성의 광으로 반사하는 패턴부를 구비한 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 상기 발광 다이오드의 제조 방법도 제공한다. 따라서, 본 발명은 회절 패턴의 패턴부를 기판 상에 형성함으로써, 전반사각을 없애고 수평 방향으로 도입되는 광을 외부로 커플링시키어 고추출 효율을 이룰 수 있다. The present invention provides a light emitting diode. The light emitting diode is formed of a plurality of diffraction patterns sequentially formed on a substrate, a plurality of irregularities protruding a predetermined length from an upper surface of the substrate, and a plurality of diffraction patterns sequentially formed on the outer surface of the irregularities between the substrate and the light emitting layer. And a pattern portion for reflecting the incident light as straight light along a direction perpendicular to the substrate. The present invention also provides a method of manufacturing the light emitting diode. Therefore, in the present invention, the pattern portion of the diffraction pattern is formed on the substrate, thereby eliminating the total reflection angle and coupling the light introduced in the horizontal direction to the outside, thereby achieving a high extraction efficiency.

회절, 전반사, 발광 다이오드 Diffraction, Total Reflection, Light Emitting Diode

Description

발광 다이오드 및 이의 제조 방법{Light emitting diode and method of manufacturing the same}Light emitting diode and method of manufacturing the same

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 회절 패턴을 구비함으로써 고추출효율을 이룰 수 있는 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode capable of achieving red pepper extraction efficiency by having a diffraction pattern and a manufacturing method thereof.

현대 사회에 있어서 발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하 'LED')는 표시용 광원에서 휴대폰용 백라이트 유닛(BLU), LCD TV용 백라이트 유닛, 광치료용 등으로 사용되고 있거나 시장진입이 활발하게 이루어지고 있는 실정이다. 또한 향후에는 백열전구나 형광등과 같은 일반 조명 분야에도 서서히 그 응용분야를 넓혀 가까운 시일 내에 반도체 조명시대가 도래될 것으로 전망되고 있다.In the modern society, light emitting diodes (LEDs) are used in display light sources for backlight units (BLUs) for mobile phones, backlight units for LCD TVs, and phototherapy, or are actively entering the market. to be. In addition, in the future, it is expected that the semiconductor lighting age will come in the near future by gradually expanding its application fields to general lighting fields such as incandescent lamps and fluorescent lamps.

일반적으로 LED는 단층 또는 다층의 칩에 전류를 인가하면 반도체층과 이들 반도체층 사이에 구비되는 활성층과 같은 발광층에서 여기된 전자-정공쌍이 결합되면서 전기에너지를 빛에너지로 방출한다.In general, when a current is applied to a chip of a single layer or a multilayer, an electron-hole pair excited in a light emitting layer such as a semiconductor layer and an active layer provided between the semiconductor layers is coupled to emit electrical energy as light energy.

주로 기판은 사파이어 기판이 사용되고 서로 다른 유형의 반도체층은 PN 접합을 이루는데 p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에는 발광층이 존재할 수 있다. Mainly, a sapphire substrate is used as a substrate, and different types of semiconductor layers form a PN junction, and a light emitting layer may exist between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer.

도 1a는 종래의 평면 기판을 사용한 발광 다이오드의 적층 구조를 보여주는 단면도이다. 도 1b는 종래의 패턴 기판을 사용한 발광 다이오드의 적층 구조를 보여주는 단면도이다. 1A is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of a light emitting diode using a conventional planar substrate. 1B is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of a light emitting diode using a conventional pattern substrate.

도 1a를 참조하면, 종래 발광다이오드부의 발광면인 기판(10) 상면이 평평한(flat)한 경우에, 발광다이오드부, 예컨대 GaN(굴절률: 2.6)과 몰딩재(예, 에폭시의굴절률: 1.5)의 큰 굴절률 차이에 의하여 LED 구조로부터 발생된 빛의 약 91% 정도가 외부로 방출되지 못하고 내부로 전반사되는 문제점이 있다. 미설명 부호 '20'은 발광층이다.Referring to FIG. 1A, when the upper surface of the substrate 10, which is a light emitting surface of a conventional light emitting diode portion, is flat, a light emitting diode portion such as GaN (refractive index: 2.6) and a molding material (for example, an epoxy refractive index: 1.5) Due to the large refractive index difference of about 91% of the light generated from the LED structure is not emitted to the outside there is a problem that the total internal reflection. Reference numeral 20 denotes an emission layer.

도 1b를 참조하면, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판(10) 표면에 습식 식각법을 수행하여 요철형상부(30)를 형성하려는 방법이 있었으나 요철형상부(30)의 깊이가 n형 GaN의 두께에 한정되는 문제점이 발생하였다.Referring to FIG. 1B, in order to solve such a problem, there was a method of forming a concave-convex portion 30 by performing a wet etching method on the surface of the substrate 10, but the depth of the concave-convex portion 30 has a thickness of n-type GaN. Problems confined to have occurred.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해, 회절 패턴의 패턴부를 기판 상에 구비하도록 함으로써, 전반사각을 없애고 수평 방향으로 도입되는 광을 외부로 커플링시키어 고추출효율을 이룰 수 있는 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.The present invention is to solve the above problems, by providing a pattern portion of the diffraction pattern on the substrate, to eliminate the total reflection angle and to couple the light introduced in the horizontal direction to the outside to achieve the light emitting diode and its It is to provide a manufacturing method.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 발광 다이오드를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting diode.

상기 발광 다이오드는 기판과, 상기 기판과 발광층 사이에, 상기 기판의 상면으로부터 일정 길이 돌출 형성되는 다수개의 요철형상부들과, 상기 요철형상부들의 외면에 순차적으로 형성되는 다수개의 회절 패턴들로 형성되어, 입사되는 광을 상기 기판과 수직인 방향을 따라 직진성의 광으로 반사하는 패턴부를 구비한 것을 특징으로 한다.The light emitting diode is formed of a plurality of diffraction patterns sequentially formed on a substrate, a plurality of irregularities protruding a predetermined length from an upper surface of the substrate, and a plurality of diffraction patterns sequentially formed on the outer surface of the irregularities between the substrate and the light emitting layer. And a pattern portion for reflecting the incident light as straight light along a direction perpendicular to the substrate.

그리고, 상기 요철형상부는 원뿔 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.The concave-convex portion preferably has a conical shape.

또한, 상기 회절 패턴은 상기 원뿔 형상의 요철형상부의 외면에서 서로 다른 직경을 갖는 다수개의 동심원 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the diffraction pattern is preferably formed in a plurality of concentric circles having different diameters on the outer surface of the concave-convex portion.

또한, 상기 요철형상부들은 격자 형태로 배치되는 것이 바람직하다.In addition, the uneven parts are preferably arranged in a grid form.

또한, 상기 요철형상부들 간의 형성 주기(λ)는 발광 파장(Λ)의 절반에 비례하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the formation period λ between the uneven portions is proportional to half of the emission wavelength Λ.

또한, 상기 기판을 기준으로 상기 요철형상부들의 수직 길이는 발광 파장의 1/4에 비례하는 것이 바람직하다.In addition, the vertical length of the concave-convex portions relative to the substrate is preferably proportional to one fourth of the emission wavelength.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a light emitting diode.

상기 발광 다이오드의 제조 방법은 기판을 준비하는 기판 준비 단계와, 상기 기판의 상면으로부터 일정 길이 돌출 형성되도록 다수개의 요철형상부들을 형성하고, 상기 요철형상부들의 외면에 순차적으로 다수개의 회절 패턴들을 형성하여, 상기 준비된 기판 상에 입사되는 광을 상기 기판과 수직인 방향을 따라 직진성의 광으로 반사하는 패턴부를 형성하는 패턴부 형성 단계 및 상기 패턴부 상에 발광층을 형성하는 발광층 형성 단계를 포함한다.The manufacturing method of the light emitting diode includes a substrate preparation step of preparing a substrate, a plurality of irregularities are formed to protrude a predetermined length from the upper surface of the substrate, and a plurality of diffraction patterns are sequentially formed on the outer surfaces of the irregularities. The pattern portion forming step of forming a pattern portion for reflecting the light incident on the prepared substrate with a straight light in a direction perpendicular to the substrate and a light emitting layer forming step of forming a light emitting layer on the pattern portion.

그리고, 상기 요철형상부를 원뿔 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.The concave-convex portion is preferably formed in a conical shape.

또한, 상기 회절 패턴을 상기 원뿔 형상의 요철형상부의 외면에 서로 다른 직경을 갖도록 다수개의 동심원 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the diffraction pattern is preferably formed in a plurality of concentric circles so as to have a different diameter on the outer surface of the concave-convex portion.

또한, 상기 요철형상부들을 상기 기판 상에 격자 형태로 배치하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the concave-convex portions are arranged in a lattice form on the substrate.

또한, 상기 요철형상부들 간의 형성 주기(λ)를 발광 파장(Λ)의 절반에 비례하도록 배치하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to arrange the formation period λ between the uneven portions in proportion to half of the emission wavelength Λ.

또한, 상기 기판의 상면을 기준으로 상기 요철형상부들의 수직 길이를 발광 파장의 1/4에 비례하도록 형성하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to form the vertical length of the concave-convex portions with respect to one fourth of the emission wavelength based on the upper surface of the substrate.

본 발명은 이에 반하여 Fresnel 형상을 갖는 패턴을 기판상에 형성하여 줌 으로서 전반사각을 넓혀주는 기존의 효과 이외에 Fresnel 효과에 의한 직진성 광자를 만들어줌으로서 전반사각을 원천적으로 없애주는 효과, Bragg 격자를 형성하여 줌으로써 수평방향으로 도파되는 빛을 외부로 coupling 시켜주는 효과, 0~90° 이내의 빛은 기판 표면에서 난반사하는 효과(surface roughening에 의한 scattering 효과)를 모두 가짐으로써 획기적으로 광추출효율을 향상시켜줄 수 있다. In contrast, the present invention creates a Bragg grating effect by eliminating the total reflection angle at the source by making a straight photon by the Fresnel effect in addition to the existing effect of widening the total reflection angle by forming a pattern having a Fresnel shape on a substrate. This allows the light to be guided to the outside in the horizontal direction, and the light within 0 ~ 90 ° has both the effect of diffuse reflection on the surface of the substrate (scattering effect by surface roughening), which will dramatically improve the light extraction efficiency. Can be.

이후, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 발광 다이오드의 적층 구조를 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 2의 패턴부를 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3의 표시부호 A의 확대 도면이다. 도 5는 본 발명에 따르는 기판 및 패턴부를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the laminated structure of the light emitting diode of the present invention. 3 is a plan view illustrating the pattern part of FIG. 2. 4 is an enlarged view of a symbol A of FIG. 3. 5 is a cross-sectional view showing a substrate and a pattern portion according to the present invention.

먼저, 본 발명의 발광 다이오드의 구조를 설명하도록 한다.First, the structure of the light emitting diode of the present invention will be described.

도 2를 참조 하면, 본 발명의 발광 다이오드는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성되며 입사되는 광을 상기 기판(100)으로부터 수직한 방향을 따라 직진성의 광으로 형성하는 패턴부(200)와, 상기 패턴부(200) 상에 배치되는 발광층(300)을 포함한다. 여기서, 상기 기판(100)은 사파이어 기판인 것이 좋다.Referring to FIG. 2, the light emitting diode of the present invention includes a substrate 100 and a pattern portion for forming incident light formed on the substrate 100 as straight light along a direction perpendicular to the substrate 100. And a light emitting layer 300 disposed on the pattern portion 200. Here, the substrate 100 is preferably a sapphire substrate.

도 2 내지 도 4를 참조 하면, 상기 패턴부(200)는 상기 기판(100)의 상면으로부터 일정 길이 돌출 형성되며 다수개의 요철형상부들(210)과, 상기 요철형상부들(210)의 외면에 순차적으로 형성되는 다수개의 회절 패턴들(220)을 갖는다. 여기서, 상기 회절 패턴(220)은 Fresnel 렌즈의 형상으로 이루어질 수 있다.2 to 4, the pattern part 200 is formed to protrude a predetermined length from the top surface of the substrate 100 and is sequentially formed on the plurality of uneven parts 210 and the outer surfaces of the uneven parts 210. It has a plurality of diffraction patterns 220 formed as. Here, the diffraction pattern 220 may be formed in the shape of a Fresnel lens.

그리고, 상기 요철형상부(210)는 원뿔 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 회절 패턴(220)은 상기 원뿔 형상의 요철형상부(210)의 외면에서 서로 다른 직경을 갖는 다수개의 동심원 형상으로 형성된다.In addition, the uneven portion 210 is preferably made of a conical shape. In addition, the diffraction pattern 220 is formed in a plurality of concentric circles having different diameters on the outer surface of the conical concave-convex portion 210.

이에 더하여, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 요철형상부들(210)은 격자 형태로 배치된다.In addition, the concave-convex portions 210 are arranged in a lattice form as shown in FIG. 3.

도 5를 참조 하면, 상기 요철형상부들(210) 간의 형성 주기(λ)는 발광 파장(Λ)의 절반에 비례하는 것이 좋다.Referring to FIG. 5, the formation period λ between the uneven parts 210 may be proportional to half of the emission wavelength Λ.

이에 더하여, 상기 기판(100)을 기준으로 상기 요철형상부들(210)의 수직 길이(λ)는 발광 파장의 1/4에 비례하는 것이 좋다.In addition, the vertical length λ of the uneven parts 210 based on the substrate 100 may be proportional to one fourth of the emission wavelength.

다음은, 상기와 같이 구성되는 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하도록 한다.Next, a method of manufacturing a light emitting diode configured as described above will be described.

먼저, 기판(100)을 준비한다. 여기서, 상기 기판(100)은 사파이어 기판일 수 있다.First, the substrate 100 is prepared. Here, the substrate 100 may be a sapphire substrate.

이어, 상기 기판(100)의 상면에 돌출 형상의 패턴부(200)를 형성한다.Subsequently, a protruding pattern portion 200 is formed on the upper surface of the substrate 100.

상기 패턴부(200)는 기판(100)의 상면에 다수개의 돌출되는 요철형상부들(210)을 형성한 이후에, 상기 요철형상부들(210)의 외면에 회절 패턴(220)을 형성함으로써 이루어진다.The pattern part 200 is formed by forming a diffraction pattern 220 on the outer surfaces of the uneven parts 210 after forming a plurality of protruding uneven parts 210 on the top surface of the substrate 100.

여기서, 상기 요철형상부들(210)을 상기 기판(100) 상에 격자 형태로 배치한다.Here, the concave-convex portions 210 are disposed on the substrate 100 in a lattice form.

그리고, 상기 요철형상부들(210)을 기판(100) 상으로부터 돌출되도록 형성됨 과 아울러 원뿔 형상을 이루도록 형성시킨다. The convex and concave portions 210 are formed to protrude from the substrate 100 and to form a conical shape.

이와 아울러, 상기 요철형상부들(210) 간의 형성 주기(λ)를 발광 파장(Λ)의 절반에 비례하도록 배치하고, 상기 기판(100)의 상면을 기준으로 상기 요철형상부들(210)의 수직 길이를 발광 파장의 1/4에 비례하도록 형성한다(Bragg 격자 형성).In addition, the formation period λ between the uneven parts 210 is disposed in proportion to half of the emission wavelength Λ, and the vertical lengths of the uneven parts 210 are based on the top surface of the substrate 100. Is formed in proportion to one quarter of the emission wavelength (Bragg lattice formation).

그리고, 상기 원뿔 형상의 요철형상부들(210) 외면에 회절 패턴(220)을 형성하되, 상기 회절 패턴(220)을 상기 요철형상부(210)의 외면에서 적층되는 형식으로 서로 다른 반경을 이루는 동심원들의 형상으로 형성시킨다(Fresnel 렌즈 형상).In addition, while forming a diffraction pattern 220 on the outer surface of the concave-convex portions 210, the concentric circles forming different radii in a form in which the diffraction pattern 220 is laminated on the outer surface of the concave-convex portion 210. It is formed in the shape of the (Fresnel lens shape).

여기서, 투광성 조절 입자로 사용되는 본 발명에 따르는 요철형상부들(210)은 구형, 원뿔 또는 사면체(삼각뿔) 이상의 다면체 형태로 제조될 수도 있다.Here, the concave-convex portions 210 according to the present invention used as light transmitting control particles may be manufactured in a polyhedral form of spherical, conical or tetrahedral (triangular pyramid) or more.

그리고, 삼각뿔이나 원뿔의 경우에 기판(100) 상면에 부착되는 영역이 넓기 때문에 광추출 효율을 더 높일 수도 있다.In addition, in the case of a triangular pyramid or a cone, since the area attached to the upper surface of the substrate 100 is wide, the light extraction efficiency may be further increased.

여기서, 상기 패턴부(200)는 사파이어기판을 식각하여 형성한다.Here, the pattern portion 200 is formed by etching the sapphire substrate.

상기와 같이 본 발명에서의 기판(100) 상에는 격자상의 돌출 형상의 다수개의 회절 패턴(220)을 갖는 요철형상부들(210)이 형성되기 때문에, 즉, Fresnel 형상을 갖는 패턴을 기판(100) 상에 형성하기 때문에 전반사각을 넓혀주는 종래의 효과 이외에 Fresnel 효과에 의한 직진성 광자를 이루도록 함으로써 전반사각을 없앨 수 있다.As described above, since the concave-convex portions 210 having the plurality of diffraction patterns 220 having a lattice protrusion shape are formed on the substrate 100, that is, a pattern having a Fresnel shape is formed on the substrate 100. In addition to the conventional effect of widening the total reflection angle, so as to form a straight photon by the Fresnel effect can be eliminated the total reflection angle.

또한, 본 발명에 따르는 패턴부(200)를 'Bragg 격자'를 형성하여 줌으로써 수평방향으로 도파되는 빛을 외부로 커플링(coupling)시킬 수 있다.In addition, by forming the 'Bragg grating' of the pattern unit 200 according to the present invention, the light guided in the horizontal direction may be coupled to the outside.

이에 따라, 본 발명에서는 내부로 전반사되는 빛의 양을 줄이기 위해서, 종래 평평한 발광면 대신 기판의 발광면 상에 Fresnel 렌즈 형상의 패턴부(200)를 도입함으로써 발광다이오드로부터 발생하는 빛의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the present invention, in order to reduce the amount of light totally reflected inside, by introducing the Fresnel lens-shaped pattern portion 200 on the light emitting surface of the substrate instead of the conventional flat light emitting surface to improve the extraction efficiency of light generated from the light emitting diodes Can be improved.

특히, 발광 파장의 1/2(λ/2) 간격으로 요철형상부들(210)이 배치되기 때문에, 산란(scattering)에 의해 외부로 방출되는 빛의 효율을 상승시킬 수 있다.In particular, since the concave-convex portions 210 are disposed at 1/2 (λ / 2) intervals of the emission wavelength, efficiency of light emitted to the outside by scattering may be increased.

도 1a는 종래의 평면 기판을 사용한 발광 다이오드의 적층 구조를 보여주는 단면도이다.1A is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of a light emitting diode using a conventional planar substrate.

도 1b는 종래의 패턴 기판을 사용한 발광 다이오드의 적층 구조를 보여주는 단면도이다.1B is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of a light emitting diode using a conventional pattern substrate.

도 2는 본 발명의 발광 다이오드의 적층 구조를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the laminated structure of the light emitting diode of the present invention.

도 3은 도 2의 패턴부를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view illustrating the pattern part of FIG. 2.

도 4는 도 3의 표시부호 A의 확대 도면이다.4 is an enlarged view of a symbol A of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 따르는 기판 및 패턴부를 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a substrate and a pattern portion according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판 200 : 패턴부100: substrate 200: pattern portion

210 : 요철형상부 220 : 회절 패턴210: uneven portion 220: diffraction pattern

300 : 발광층300: light emitting layer

Claims (14)

기판과 그 발광층을 포함하여 구성되는 것에 있어서,In what comprises a board | substrate and its light emitting layer, 상기 기판과 발광층 사이에, 상기 기판의 상면으로부터 일정 길이 돌출 형성되는 다수개의 요철형상부들과, 상기 요철형상부들의 외면에 순차적으로 형성된 패턴부를 구비하며, 상기 패턴부가 상기 요철형상부의 외면에서 서로 다른 직경을 갖는 다수개의 동심원 형상인 발광 다이오드.Between the substrate and the light emitting layer, a plurality of concave-convex portions protruding a predetermined length from the upper surface of the substrate and a pattern portion sequentially formed on the outer surface of the concave-convex portions, the pattern portion is different from the outer surface of the concave-convex portion A plurality of concentric shaped light emitting diodes having a diameter. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 요철형상부들은 격자 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The uneven parts are light emitting diodes, characterized in that arranged in the form of a lattice. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 요철형상부들 간의 형성 주기(λ)는 발광 파장(Λ)의 절반에 비례하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The formation period (λ) between the uneven parts is in proportion to half of the light emission wavelength (Λ). 제4항에 있어서.The method of claim 4. 상기 기판을 기준으로 상기 요철형상부들의 수직 길이는 발광 파장의 1/4에 비례하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The vertical length of the concave-convex portions relative to the substrate is in proportion to one quarter of the emission wavelength. 기판을 준비하는 기판 준비 단계;A substrate preparation step of preparing a substrate; 상기 기판의 상면으로부터 일정 길이 돌출 형성되도록 다수개의 요철형상부들을 형성하고, 상기 요철형상부들의 외면에 순차적으로 다수개의 회절 패턴들이 형성되며, 상기 회절 패턴을 상기 요철형상부의 외면에 서로 다른 직경을 갖도록 다수개의 동심원 형상으로 형성하는 패턴부 형성 단계; 및A plurality of concave-convex portions are formed to protrude a predetermined length from the upper surface of the substrate, and a plurality of diffraction patterns are sequentially formed on the outer surface of the concave-convex portions, and the diffraction pattern is formed to have different diameters on the outer surface of the concave-convex portion. A pattern portion forming step of forming a plurality of concentric shapes to have; And 상기 패턴부 상에 발광층을 형성하는 발광층 형성 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법.Method of manufacturing a light emitting diode comprising the step of forming a light emitting layer on the pattern portion. 삭제delete 삭제delete 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 요철형상부들을 상기 기판 상에 격자 형태로 배치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The uneven parts are arranged in a lattice form on the substrate manufacturing method of the light emitting diode. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 요철형상부들 간의 형성 주기(λ)를 발광 파장(Λ)의 절반에 비례하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.And a forming period (λ) between the uneven portions is proportional to half of the light emission wavelength (Λ). 제10항에 있어서.The method of claim 10. 상기 기판의 상면을 기준으로 상기 요철형상부들의 수직 길이를 발광 파장의 1/4에 비례하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting diode, characterized in that the vertical length of the concave-convex portions with respect to the upper surface of the substrate is formed in proportion to 1/4 of the emission wavelength. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패턴부가 프레넬(Fresnel) 렌즈 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The pattern portion is a light emitting diode, characterized in that the Fresnel (Fresnel) lens shape. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 회절 패턴이 프레넬(Fresnel) 렌즈 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.The diffraction pattern is formed in the shape of a Fresnel (Fresnel) lens manufacturing method of a light emitting diode.
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