KR101135853B1 - Atomic layer deposition apparatus - Google Patents

Atomic layer deposition apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101135853B1
KR101135853B1 KR1020090047519A KR20090047519A KR101135853B1 KR 101135853 B1 KR101135853 B1 KR 101135853B1 KR 1020090047519 A KR1020090047519 A KR 1020090047519A KR 20090047519 A KR20090047519 A KR 20090047519A KR 101135853 B1 KR101135853 B1 KR 101135853B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
substrates
loading
susceptor
Prior art date
Application number
KR1020090047519A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100128864A (en
Inventor
신인철
김경준
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020090047519A priority Critical patent/KR101135853B1/en
Priority to JP2009298157A priority patent/JP5295095B2/en
Priority to TW098145330A priority patent/TWI465599B/en
Priority to CN 200910265830 priority patent/CN101768731B/en
Priority to US12/649,234 priority patent/US8968476B2/en
Publication of KR20100128864A publication Critical patent/KR20100128864A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101135853B1 publication Critical patent/KR101135853B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

동시에 복수개의 기판을 로딩/언로딩 할 수 있는 원자층 증착장치가 개시된다. 복수개의 기판을 프로세스 모듈로 이동 시 복수개의 기판을 로딩/언로딩 가능한 원자층 증착장치는, 기판을 제공하는 로드포트, 기판을 로딩/언로딩하는 로딩/언로딩 모듈, 다수의 기판을 동시에 수용하여 증착공정이 수행되는 다수의 프로세스 챔버를 구비한 프로세스 모듈 및 복수의 기판을 동시에 파지하여 이송하는 진공 트랜스퍼 로봇을 구비하고 상기 로딩/언로딩 모듈과 상기 프로세스 모듈 사이에서 상기 기판을 이송하는 트랜스퍼 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.An atomic layer deposition apparatus capable of loading / unloading a plurality of substrates at the same time is disclosed. An atomic layer deposition apparatus capable of loading / unloading a plurality of substrates when moving a plurality of substrates to a process module includes a load port for providing a substrate, a loading / unloading module for loading / unloading a substrate, and simultaneously receiving a plurality of substrates. Transfer module for transporting the substrate between the loading / unloading module and the process module, having a process module having a plurality of process chambers and a vacuum transfer robot for simultaneously holding and transferring a plurality of substrates. It may be configured to include.

원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus, ALD), 듀얼 로딩(dual loading) Atomic layer deposition apparatus (ALD), dual loading

Description

원자층 증착장치{ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}Atomic Layer Deposition Apparatus {ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 원자층 증착장치에 관한 것으로, 동시에 복수개의 기판을 로딩 및 언로딩이 가능하여 스루풋을 향상시킬 수 있는 원자층 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus, and to an atomic layer deposition apparatus capable of simultaneously loading and unloading a plurality of substrates to improve throughput.

일반적으로, 반도체 기판이나 글래스 등의 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하기 위해서는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학 반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등을 이용한 박막 제조 방법이 사용된다.In general, in order to deposit a thin film having a predetermined thickness on a substrate such as a semiconductor substrate or glass, physical vapor deposition (PVD) using physical collision such as sputtering and chemical vapor deposition using chemical reaction thin film manufacturing method using (chemical vapor deposition, CVD) or the like is used.

반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐으로써 미세 패턴의 박막이 요구되었고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커지게 되었다. 이에 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 원자층 증착방법(atomic layer deposition, ALD)의 사용이 증대되고 있다.As the design rule of the semiconductor device is drastically fine, a thin film of a fine pattern is required, and the step of the region where the thin film is formed is also very large. Accordingly, the use of atomic layer deposition (ALD), which is capable of forming a very fine pattern of atomic layer thickness very uniformly and has excellent step coverage, has been increasing.

원자층 증착방법(ALD)은 기체 분자들 간의 화학 반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착방법과 유사하다. 하지만, 통상의 화학 기상 증착(CVD) 방법이 다수의 기체 분자들을 동시에 프로세스 챔버 내로 주입하여 기판 상부에서 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, 원자층 증착방법은 하나의 기체 물질을 프로세스 챔버 내로 주입한 후 이를 퍼지(purge)하여 가열된 기판의 표면에 물리적으로 흡착된 기체만을 잔류시키고, 이후 다른 기체 물질을 주입함으로써 기판 표면에서 발생되는 화학 반응 생성물을 증착시킨다는 점에서 상이하다. 이러한 원자층 증착방법을 통해 구현되는 박막은 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 구현하는 것이 가능한 장점을 갖고 있어 현재 널리 각광받고 있다.The atomic layer deposition method (ALD) is similar to the general chemical vapor deposition method in that it uses chemical reactions between gas molecules. However, unlike conventional chemical vapor deposition (CVD) methods injecting a plurality of gas molecules into the process chamber at the same time to deposit a reaction product generated on the substrate onto the substrate, atomic layer deposition method is a process chamber to deposit a single gaseous material It is different in that it is injected into and then purged to leave only the gas that is physically adsorbed on the surface of the heated substrate, followed by the deposition of other gaseous materials to deposit the chemical reaction product generated on the substrate surface. The thin film implemented through such an atomic layer deposition method has a very good step coverage characteristics and has the advantage that it is possible to implement a pure thin film with a low impurity content.

기존의 원자층 증착장치는 스루풋(throughput)을 향상시키기 위해서 다수 장의 기판에 대해 동시에 증착공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)이 개시되어 있다. 통상적으로 세미 배치 타입 원자층 증착장치는 서로 다른 종류의 증착가스가 분사되고 가스분사부 또는 서셉터의 고속회전에 의해 기판이 순차적으로 증착가스가 분사된 영역을 통과함에 따라 기판 표면에서 증착가스 사이의 화학 반응 생성물이 증착되어 박막이 형성된다.A conventional atomic layer deposition apparatus is disclosed in a semi-batch type in which a deposition process is simultaneously performed on a plurality of substrates in order to improve throughput. In general, a semi-batch type atomic layer deposition apparatus is formed by depositing different types of deposition gas and passing the deposition gas from the substrate surface as the substrate sequentially passes through the region in which the deposition gas is injected by the high speed rotation of the gas injection unit or the susceptor. The chemical reaction product of is deposited to form a thin film.

한편, 기존의 원자층 증착장치는 세미 배치 타입의 프로세스 챔버가 2개가 구비될 수 있으며, 예를 들어, 동시에 12장의 기판에 대해 증착공정이 수행될 수 있다.Meanwhile, in the conventional atomic layer deposition apparatus, two semi-batch type process chambers may be provided. For example, the deposition process may be performed on 12 substrates at the same time.

그러나 기존의 원자층 증착장치는 트랜스퍼 로봇 1대가 기판을 로딩/언로딩하고 이송하므로 기판의 로딩/언로딩 및 이송 시 시간이 많이 소요되고, 이와 같이 로딩/언로딩 및 이송 시 트랜스퍼 로봇에서 딜레이되는 시간만큼 증착공정이 수행되지 못하고 대기하게 되므로 증착공정 전체의 스루풋과 생산성이 저하되는 문제점 이 있다.However, in the conventional atomic layer deposition apparatus, since a single transfer robot loads / unloads and transfers a substrate, it takes a lot of time when loading / unloading and transferring a substrate. Since the deposition process is not performed as much as time, the throughput and productivity of the entire deposition process are deteriorated.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들은 기판의 로딩/언로딩 및 이송 시 딜레이가 발생하는 것을 방지할 수 있는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.Embodiments of the present invention for solving the above problems are to provide an atomic layer deposition apparatus that can prevent the delay occurs during loading / unloading and transfer of the substrate.

또한, 본 발명의 실시예들은 증착공정의 스루풋과 생산성을 향상시킬 수 있는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.In addition, embodiments of the present invention to provide an atomic layer deposition apparatus that can improve the throughput and productivity of the deposition process.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 복수개의 기판을 프로세스 모듈로 이동 시 복수개의 기판을 로딩/언로딩 가능한 원자층 증착장치는, 기판을 제공하는 로드포트, 기판을 로딩/언로딩하는 로딩/언로딩 모듈, 다수의 기판을 동시에 수용하여 증착공정이 수행되는 다수의 프로세스 챔버를 구비한 프로세스 모듈 및 복수의 기판을 동시에 파지하여 이송하는 진공 트랜스퍼 로봇을 구비하고 상기 로딩/언로딩 모듈과 상기 프로세스 모듈 사이에서 상기 기판을 이송하는 트랜스퍼 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, an atomic layer deposition apparatus capable of loading / unloading a plurality of substrates when moving a plurality of substrates to a process module, a load port for providing a substrate, A loading / unloading module for loading / unloading substrates, a process module having a plurality of process chambers for simultaneously accommodating a plurality of substrates, and a vacuum transfer robot for holding and transferring a plurality of substrates simultaneously; It may be configured to include a transfer module for transferring the substrate between the loading / unloading module and the process module.

여기서, 상기 로딩/언로딩 모듈은 다수의 기판이 저장된 로드 포트 및 버퍼부를 구비하고, 상기 버퍼부는 상기 로드 포트에 저장된 기판의 수와 상기 프로세스 챔버에 수용되는 기판의 수가 배수관계가 되도록 상기 기판의 로딩 시 부족한 수의 기판을 보충할 수 있다. 즉, 상기 버퍼부는 상기 기판의 로딩 시 로드 포트에서 부족한 장수의 기판을 보충하여 상기 로드 포트에 여분의 기판이 발생하는 것 을 방지하고 로딩 시 기판의 보충을 위해 딜레이가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼부는 상기 트랜스퍼 모듈 일측에 구비되며 상기 트랜스퍼 모듈로 상기 기판의 인출 시 상기 트랜스퍼 모듈의 진공이 진공이 파괴되는 것을 방지할 수 있도록 상기 버퍼부는 선택적으로 내부압을 감압/가압 가능하게 형성될 수 있다.The loading / unloading module may include a load port and a buffer unit in which a plurality of substrates are stored, and the buffer unit may have a multiple relationship between the number of substrates stored in the load port and the number of substrates accommodated in the process chamber. It can replenish an insufficient number of substrates upon loading. In other words, the buffer unit may supplement the long-term substrate which is insufficient in the load port when the substrate is loaded to prevent the occurrence of an extra substrate in the load port and to prevent the delay that is generated for the replenishment of the substrate during loading. . For example, the buffer unit may be provided on one side of the transfer module, and the buffer unit may selectively reduce / press the internal pressure to prevent the vacuum of the transfer module from being destroyed when the substrate is drawn out to the transfer module. Can be formed.

실시예에서, 상기 트랜스퍼 로봇은 한 장의 기판을 각각 파지하는 2개의 핸들링 암을 포함하고, 상기 핸들링 암은 상기 기판 하부에서 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 기판의 직경에 대응되어 상기 기판의 중심을 가로지르고 소정 너비를 갖는 바(bar) 또는 고리 형태를 가질 수 있다. 여기서, 상기 핸들링 암은 상기 기판의 로딩 시 상기 핸들링 암이 리프트 핀이나 다른 구조물과 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 트랜스퍼 로봇은 상기 기판의 이송 시에는 상기 2개의 핸들링 암이 상하 방향으로 겹쳐지고, 상기 프로세스 챔버에 상기 기판을 로딩 및 언로딩 시에는 상기 핸들링 암이 좌우로 'V'자 형태로 펼쳐진다.In an embodiment, the transfer robot includes two handling arms, each holding a sheet of substrate, the handling arm corresponding to a diameter of the substrate to support the substrate below the substrate so as to center the substrate. It may have a bar or ring shape that spans and has a predetermined width. Here, the handling arm may prevent the handling arm from interfering with the lift pin or another structure when the substrate is loaded. Here, in the transfer robot, the two handling arms overlap in the vertical direction when the substrate is transferred, and the handling arms are unfolded in a 'V' shape from side to side when loading and unloading the substrate into the process chamber. .

한편, 상기 트랜스퍼 모듈은 상기 트랜스퍼 로봇에 상기 기판이 정상적으로 안착되었는지 여부를 검사하는 센서가 구비되고, 상기 기판이 일부 겹쳐지도록 상기 핸들링 암이 좌우로 'V'자 형태로 펼쳐진 상태에서 상기 센서가 상기 기판의 안착 여부를 검사할 수 있다. 예를 들어, 상기 센서는 상기 트랜스퍼 모듈 하부에 구비되어 상기 핸들링 암에 안착된 상기 기판에 대해 광을 조사하여 상기 기판이 정상적으로 안착되었는지 여부를 확인하는 광센서를 포함할 수 있다.On the other hand, the transfer module is provided with a sensor for inspecting whether or not the substrate is normally seated on the transfer robot, the sensor in the state in which the handling arm is unfolded in a 'V' shape left and right so that the substrate is partially overlapped The seating of the substrate can be inspected. For example, the sensor may include an optical sensor provided below the transfer module to check whether the substrate is normally seated by irradiating light to the substrate seated on the handling arm.

실시예에서, 상기 프로세스 챔버는, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되어 상 기 기판 표면에 증착가스를 제공하는 가스분사부, 상기 다수의 기판이 수평 방향으로 안착 지지되고, 상기 가스분사부에 대해 상기 기판이 공전하도록 회전 가능하게 구비되며 상기 프로세스 챔버 내부에서 승강 이동 가능하게 구비되는 서셉터 유닛, 상기 서셉터 유닛 하부에 구비되어 상기 기판 및 상기 서셉터 유닛을 가열하는 히터 유닛 및 상기 서셉터 유닛에 구비되어 상기 기판이 안착되며, 상기 서셉터 유닛의 승강 이동에 의해 상기 서셉터 유닛 상부로 돌출되도록 승강 이동하는 리프트 핀을 포함하여 구성될 수 있다.In an embodiment, the process chamber may include a gas injection unit provided inside the process chamber to provide deposition gas to a surface of the substrate, and the plurality of substrates may be seated and supported in a horizontal direction, and the substrate may be disposed with respect to the gas injection unit. The susceptor unit is rotatably provided to revolve and is provided in the process chamber so as to move up and down within the process chamber, a heater unit provided below the susceptor unit, and provided in the susceptor unit to heat the substrate and the susceptor unit. The substrate may be seated, and may include a lift pin configured to move up and down to protrude upward from the susceptor unit by moving up and down of the susceptor unit.

여기서, 상기 리프트 핀은 상기 서셉터 유닛을 관통하여 상기 서셉터 유닛 하부로 연장되도록 구비되며, 상기 리프트 핀은 상기 서셉터 유닛의 하강 시 상기 리프트 핀의 하단부가 상기 히터 유닛에 접촉되어 상기 서셉터 유닛 상부로 돌출되며, 상기 서셉터 유닛의 상승 시 상기 리프트 핀의 자중에 의해 하강한다. 그리고 상기 히터 유닛은 상기 서셉터 유닛의 하강 시 상기 리프트 핀의 하단부를 수용하여 상기 리프트 핀이 돌출되지 않도록 하는 핀 가이드홀이 구비되고, 상기 핀 가이드홀은 상기 서셉터 유닛의 하강 시 상기 기판의 로딩/언로딩을 위한 2장의 기판을 제외한 나머지 기판에 대응되는 안착 위치의 리프트 핀을 수용하도록 형성된다. 즉, 상기 기판의 로딩/언로딩 시 상기 안착 위치의 리프트 핀은 돌출되지 않으므로 상기 기판이 상기 서셉터 유닛에 안착된 상태로 유지되고, 로딩 위치의 리프트 핀은 돌출되어 상기 리프트 핀에 상기 기판이 안착될 수 있다. 또한, 상기 핸들링 암은 상하로 겹쳐진 상태로 상기 기판을 이송할 수 있도록 형성되므로, 상기 기판의 로딩/언로딩 시 상기 핸들링 암에 안착된 상기 기판의 높이 차가 발생하고, 상 기 기판의 로딩/언로딩을 위한 2장의 기판에 대응되는 로딩 위치의 리프트 핀은 상기 기판의 로딩/언로딩 높이 차에 대응되도록 서로 다른 높이로 돌출된다.Here, the lift pin is provided to penetrate through the susceptor unit to extend below the susceptor unit, and the lift pin has a lower end of the lift pin contacting the heater unit when the susceptor unit is lowered. It protrudes above the unit, and is lowered by the weight of the lift pin when the susceptor unit is raised. And the heater unit is provided with a pin guide hole for receiving the lower end of the lift pin when the susceptor unit is lowered so that the lift pin does not protrude, the pin guide hole of the substrate when the susceptor unit is lowered It is configured to receive a lift pin in a seating position corresponding to the remaining substrates except for two substrates for loading / unloading. That is, since the lift pin of the seating position does not protrude during loading / unloading of the substrate, the substrate remains in the seated state on the susceptor unit, and the lift pin of the loading position protrudes so that the substrate is attached to the lift pin. Can be seated. In addition, since the handling arm is formed to transfer the substrate in a state of overlapping up and down, the height difference of the substrate seated on the handling arm occurs during loading / unloading of the substrate, the loading / unloading of the substrate The lift pins in the loading position corresponding to the two substrates for loading are projected to different heights so as to correspond to the loading / unloading height difference of the substrates.

실시예에서, 상기 히터 유닛은 내부가 밀폐된 하우징 내부에 전원이 인가되면 열을 발생시키는 와이어 형태 또는 필라멘트 형태의 발열소자가 매립되어 형성될 수 있다. 여기서, 상기 히터 유닛은 상기 기판에 대응되는 위치에 다수의 발열영역을 형성하도록 하나 또는 다수의 발열소자가 곡선형으로 배치되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 하우징은 상기 발열소자에서 발생된 열이 상기 히터 유닛 하부로 방출되는 것을 방지하도록 형성될 수 있다. 또는, 상기 하우징의 하부에 상기 발열소자에서 발생된 열이 상기 히터 유닛 하부로 방출되는 것을 방지하는 차폐재가 구비될 수 있다.In an embodiment, the heater unit may be formed by embedding a heating element in the form of a wire or filament that generates heat when power is applied to the inside of the sealed housing. Here, the heater unit may be formed by arranging one or a plurality of heat generating elements in a curved shape so as to form a plurality of heat generating regions at a position corresponding to the substrate. In addition, the housing may be formed to prevent the heat generated from the heating element is discharged to the lower portion of the heater unit. Alternatively, a shielding material may be provided under the housing to prevent heat generated from the heat generating element from being discharged to the lower portion of the heater unit.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 첫째, 2개의 핸들링 암이 구비된 트랜스퍼 로봇이 구비되어 두 장의 기판을 동시에 이송하고 로딩/언로딩하므로 기판의 로딩/언로딩 및 이송 시간을 효과적으로 단축시키고 트랜스퍼 로봇에서 딜레이가 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to embodiments of the present invention, first, a transfer robot having two handling arms is provided to simultaneously transfer and load / unload two substrates, thereby loading / unloading and transferring time of the substrate. Can effectively shorten the delay and prevent delays in the transfer robot.

또한, 버퍼부를 구비함으로써 로드 포트에 수용된 기판의 수와 프로세스 챔버에 동시에 수용되는 기판의 수로 인해, 기판의 로딩 및 언로딩 시 로드 포트에 일부 웨이퍼가 남는 것을 방지하고 여분 기판의 처리로 인해 공정이 딜레이되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the provision of a buffer unit prevents some wafers from remaining in the load port during loading and unloading of the substrate due to the number of substrates accommodated in the load port and the number of substrates simultaneously accommodated in the process chamber. Delay can be prevented.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for clarity of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9.

우선, 도 1을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 전체 시스템에 대하여 상세하게 설명한다. 참고적으로 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 평면도이다.First, the entire system of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1. For reference, Figure 1 is a plan view of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 원자층 증착장치는 로딩/언로딩 모듈(loading/unloading module)(10), 트랜스퍼 모듈(transfer module)(20) 및 프로세스 모듈(process module)(30)로 이루어진다.Referring to FIG. 1, an atomic layer deposition apparatus includes a loading / unloading module 10, a transfer module 20, and a process module 30.

로딩/언로딩 모듈(10)은 기판(1)을 원자층 증착장치에 로딩하고 증착공정이 완료된 기판(1)을 언로딩한다. 예를 들어, 로딩/언로딩 모듈(10)은 다수의 기판(1)이 수용 저장되는 로드 포트(load port)(11)와 로드 포트(11)에서 기판(1)을 인출 및 수납하기 위한 로드 버퍼 유닛(12), 그리고 로드 버퍼 유닛(12)과 트랜스퍼 모듈(20) 사이에 구비되어 기판(1)을 이송하기 위한 로드락 유닛(load-lock unit)(13)을 포함하여 구성될 수 있다.The loading / unloading module 10 loads the substrate 1 into the atomic layer deposition apparatus and unloads the substrate 1 on which the deposition process is completed. For example, the loading / unloading module 10 may include a load port 11 in which a plurality of substrates 1 are stored, and a load for drawing out and receiving the substrate 1 from the load port 11. And a load-lock unit 13 provided between the buffer unit 12 and the load buffer unit 12 and the transfer module 20 to transfer the substrate 1. .

여기서, 로딩/언로딩 모듈(10)의 각 구성요소들의 상세한 기술구성은 본 발 명의 요지가 아니므로, 자세한 설명 및 도시를 생략하고 주요 구성요소에 대해서만 간략하게 설명한다.Here, since the detailed technical configuration of each component of the loading / unloading module 10 is not the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted and only the main components will be briefly described.

여기서, 기판(1)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명의 대상이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 기판(1)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 기판(1)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.Here, the substrate 1 may be a silicon wafer. However, the object of the present invention is not limited to the silicon wafer, and the substrate 1 may be a transparent substrate including glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP). . In addition, the shape and size of the substrate 1 is not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes, such as circular and rectangular plates.

예를 들어, 로드 포트(11)는 다수의 기판이 수용 저장될 수 있는 장치로, 카세트(cassette) 또는 전방 개방 단일화 포드(front opening unified pod, FOUP)일 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(30)은 다수의 기판(1)에 대해 동시에 증착공정이 수행되므로, 로딩/언로딩 모듈(10)은 다수의 로드 포트(11a, l1b, 11c)가 구비될 수 있다.For example, the load port 11 is a device capable of receiving and storing a plurality of substrates, and may be a cassette or a front opening unified pod (FOUP). In addition, since the process module 30 is a deposition process is performed on a plurality of substrates at the same time, the loading / unloading module 10 may be provided with a plurality of load ports (11a, l1b, 11c).

로드 버퍼 유닛(12)은 로드 포트(11)에서 기판(1)을 인출하여 로드락 유닛(13)에 이송하고, 더불어, 로드락 유닛(13)에서 기판(1)을 로드 포트(11)로 이송하여 수납한다. 여기서, 로드 버퍼 유닛(12)은 로드 포트(11) 및 로드락 유닛(13)에서 기판(1)을 인출 수납하고 이송하기 위한 로봇(미도시)과 기판(1)의 인출 수납 시 기판(1)을 정렬시키기 위한 얼라이너(aligner)(미도시)가 구비될 수 있다.The load buffer unit 12 withdraws the substrate 1 from the load port 11 and transfers the substrate 1 to the load lock unit 13. In addition, the load buffer unit 12 transfers the substrate 1 from the load lock unit 13 to the load port 11. Transfer it and store it. Here, the load buffer unit 12 is a robot (not shown) for taking out and transporting the substrate 1 from the load port 11 and the load lock unit 13, and the substrate 1 at the time of taking out and storing the substrate 1. ), An aligner (not shown) may be provided.

여기서, 프로세스 모듈(30)은 원자층 증착공정의 특성상 고진공 상태가 유지되고 트랜스퍼 모듈(20) 역시 프로세스 모듈(30)에 기판(1)을 이송하기 위해서 프 로세스 모듈(30)과 유사한 정도의 고진공이 유지되는데, 기판(1)의 로딩/언로딩 시 트랜스퍼 모듈(20)과 대기측이 연통되어 트랜스퍼 모듈(20)의 진공이 파괴되는 것을 방지하기 위해서 로드락 유닛(13)이 구비된다. 즉, 로드락 유닛(13)은 로딩/언로딩 모듈(10) 및 트랜스퍼 모듈(20)과 선택적으로 연통되거나 밀폐/차단시킬 수 있도록 형성되며 내부의 압력을 로딩/언로딩 모듈(10) 및 트랜스퍼 모듈(20)에 맞게 감압 및 가압할 수 있도록 형성되어 로딩/언로딩 모듈(10) 및 트랜스퍼 모듈(20) 사이에서 트랜스퍼 모듈(20)의 진공이 파괴되는 것을 방지하면서 기판(1)을 이송할 수 있다.Here, the process module 30 maintains a high vacuum state due to the characteristics of the atomic layer deposition process, and the transfer module 20 also has a high vacuum similar to that of the process module 30 in order to transfer the substrate 1 to the process module 30. The load lock unit 13 is provided to prevent the vacuum of the transfer module 20 from being broken by communicating with the transfer module 20 and the atmospheric side during loading / unloading of the substrate 1. That is, the load lock unit 13 is formed to selectively communicate with or seal the / blocking of the loading / unloading module 10 and the transfer module 20 and the pressure inside the load / unloading module 10 and transfer It is formed to pressurize and pressurize the module 20 to transfer the substrate 1 while preventing the vacuum of the transfer module 20 from being broken between the loading / unloading module 10 and the transfer module 20. Can be.

트랜스퍼 모듈(20)은 동시에 2장의 기판(1)을 이송할 수 있는 트랜스퍼 로봇(21)이 구비된다. 트랜스퍼 로봇(21)의 기술구성에 대해서는 도 2 내지 도 3을 참조하여 후술한다.The transfer module 20 is provided with a transfer robot 21 capable of transferring two substrates 1 at the same time. The technical configuration of the transfer robot 21 will be described later with reference to FIGS. 2 to 3.

프로세스 모듈(30)은 기판(1)을 수용하여 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버(31)와 프로세스 챔버(31)에 증착을 위한 증착가스를 제공하는 소스가스 공급부(32)로 이루어진다. 예를 들어, 프로세스 모듈(30)은 각각 6장의 기판(1)이 수용되는 2개의 프로세스 챔버(31)를 구비할 수 있으며, 원자층 증착장치는 동시에 12장의 기판(1)에 대해 증착공정이 수행될 수 있다.The process module 30 may include a process chamber 31 in which a deposition process is performed by receiving a substrate 1 and a source gas supply part 32 providing a deposition gas for deposition in the process chamber 31. For example, the process module 30 may include two process chambers 31, each containing six substrates 1, and the atomic layer deposition apparatus may perform deposition on 12 substrates 1 at the same time. Can be performed.

한편, 프로세스 모듈(30)에서 동시에 증착공정이 수행되는 기판(1)의 수와 로드 포트(11)에 구비된 기판(1)의 수가 배수 관계가 성립하지 않으므로, 트랜스퍼 모듈(20)의 일측에는 기판(1)의 로딩/언로딩 시 로드 포트(11)와 프로세스 챔버(31)의 기판(1) 수를 배수 관계로 형성하여 로드 포트(11)에 일부 웨이퍼가 남거 나 부족하게 되는 것을 방지하기 위한 버퍼부(14)가 구비될 수 있다. 여기서, 버퍼부(14)는 로드 포트(11)와 유사하게 다수의 기판(1)을 수용 저장할 수 있는 장치로써, 트랜스퍼 모듈(20) 일측에 구비되어 트랜스퍼 로봇(21)이 버퍼부(14)에서 기판(1)을 인출할 수 있도록 형성된다. 또한, 트랜스퍼 모듈(20)과 기판(1) 이송 시 트랜스퍼 모듈(20)의 진공이 파괴되는 것을 방지할 수 있도록 버퍼부(14)는 로드락 유닛(13)과 유사하게 선택적으로 내부압을 감압/가압 가능하게 형성되며 트랜스퍼 모듈(20)과의 연결부를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 형성될 수 있다.On the other hand, since the drainage relationship does not hold between the number of the substrates 1 and the number of the substrates 1 provided in the load port 11 at which the deposition process is simultaneously performed in the process module 30, one side of the transfer module 20 In order to prevent the remaining or shortage of some wafers in the load port 11 by forming the load port 11 and the number of the substrates 1 of the process chamber 31 in a multiple relationship during loading / unloading of the substrate 1. A buffer unit 14 may be provided. Here, the buffer unit 14 is a device capable of accommodating and storing a plurality of substrates 1 similarly to the load port 11, and is provided at one side of the transfer module 20 so that the transfer robot 21 may have a buffer unit 14. Is formed so that the substrate 1 can be taken out. In addition, the buffer unit 14 selectively reduces the internal pressure similarly to the load lock unit 13 so as to prevent the vacuum of the transfer module 20 from being destroyed when transferring the transfer module 20 and the substrate 1. It is formed to be pressurized and may be formed to selectively seal the connection with the transfer module 20.

여기서, 원자층 증착장치에서 기판(1)을 로딩하는 방법을 간략하게 살펴보면 다음과 같다. 일 예로 도 1에 도시한 바와 같이, 프로세스 모듈(30)은 동시에 12장의 기판(1)을 수용하고, 로드 포트(11)는 25장의 기판(1)이 저장된 3개의 포트(11a, 11b, 11c)가 구비될 수 있다. 그리고 트랜스퍼 로봇(21)은 동시에 2장의 기판(1)을 이송하여 2개의 프로세스 챔버(31)에 각각 로딩한다.Here, the method of loading the substrate 1 in the atomic layer deposition apparatus will be briefly described as follows. As an example, as shown in FIG. 1, the process module 30 simultaneously accommodates 12 substrates 1, and the load port 11 has three ports 11a, 11b, 11c in which 25 substrates 1 are stored. ) May be provided. The transfer robot 21 simultaneously transfers two substrates 1 and loads them into the two process chambers 31, respectively.

이 경우, 기판(1)의 로딩은, 우선, 로드 버퍼 유닛(12)은 제1 내지 제3 포트(11a, 11b, 11c)에서 각각 2장씩 기판(1)을 인출하고, 로드락 유닛(13)에서는 로드 버퍼 유닛(12)에서 인출된 기판을 각각 한 장씩 트랜스퍼 로봇(21)에 로딩한다. 여기서, 로딩/언로딩 모듈(10)은 2개의 로드락 유닛(13)이 구비되어 있어서 각각 한 장의 기판(1)을 트랜스퍼 로봇(21)의 2개의 핸들링 암(handling arm)(211, 212)에 각각 로딩하고, 트랜스퍼 로봇(21)은 2개의 프로세스 챔버(31)에 순차적으로 2장씩 동시에 기판(1)을 로딩한다.In this case, in order to load the board | substrate 1, the load buffer unit 12 pulls out the board | substrate 1 by 2 sheets, respectively, from the 1st thru | or 3rd port 11a, 11b, 11c, and the load lock unit 13 ) Loads the substrates taken out from the load buffer unit 12 into the transfer robot 21 one by one. Here, the loading / unloading module 10 is provided with two load lock units 13 so that each one of the substrates 1 is provided with two handling arms 211 and 212 of the transfer robot 21. Are loaded into each of the two, and the transfer robot 21 simultaneously loads the substrate 1 into two process chambers 31 in sequence.

이와 같은 로드 포트(11)에서 기판을 인출하면 각 로드 포트(11a, 11b, 11c) 에는 2장씩 12회 인출된 후 한 장씩의 기판(1)이 남게 되는데, 남은 기판(1)들은 버퍼부(14)에 수용된 기판(1)을 인출함으로써 프로세스 챔버(31)를 채울 수 있다.When the substrate is withdrawn from such a load port 11, each of the load ports 11a, 11b, and 11c is withdrawn two times 12 times and one substrate 1 is left. The remaining substrates 1 are buffer parts ( The process chamber 31 can be filled by withdrawing the substrate 1 accommodated in 14.

즉, 본 실시예에 따르면 버퍼부(14)를 구비함으로써 프로세스 모듈(30)에 수용되는 기판(1)의 수와 로딩/언로딩 모듈(10)에 저장된 기판(1)의 수가 서로 배수 관계가 형성되지 않음으로써 로드 포트(11)에 기판(1)의 여분이 발생하는 것을 방지하고, 기판(1)을 보충하기 위해서 공정이 딜레이되는 것을 방지하여 스루풋을 향상시킬 수 있다.That is, according to the present exemplary embodiment, since the buffer unit 14 includes the buffer unit 14, the number of the substrates 1 accommodated in the process module 30 and the number of the substrates 1 stored in the loading / unloading module 10 have a multiple relationship. By not forming, the excess of the board | substrate 1 is prevented from occurring in the load port 11, and a process can be prevented from delaying in order to replenish the board | substrate 1, and a throughput can be improved.

그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 프로세스 챔버(31)에 수용되는 기판(1)의 수와 로드 포트(11)의 수 및 버퍼부(14)의 수와 위치, 버퍼부(14)에 수용되는 기판(1)의 수 등은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.However, the present invention is not limited by the drawings, the number of substrates 1, the number of load ports 11, the number and position of buffer portions 14, the buffer portion 14, and the number of substrates 1 accommodated in the process chamber 31. The number and the like of the substrate 1 accommodated in the can vary substantially.

이하, 도 2와 도 3을 참고하여 트랜스퍼 모듈(20) 및 트랜스퍼 로봇(21)에 대해 설명한다. 참고적으로, 도 2와 도 3은 도 1의 원자층 증착장치의 트랜스퍼 모듈에서 기판의 정상 안착 여부의 검출 동작을 설명하기 위한 도면들로써, 도 2는 트랜스퍼 로봇의 정면도, 도 3은 트랜스퍼 로봇의 요부 사시도이다.Hereinafter, the transfer module 20 and the transfer robot 21 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. For reference, FIGS. 2 and 3 are views for explaining a detection operation of whether the substrate is normally seated in the transfer module of the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1, FIG. 2 is a front view of the transfer robot, and FIG. 3 is a transfer robot. The main part of the is a perspective view.

도면을 참조하면, 트랜스퍼 로봇(21)은 2장의 기판(1)을 동시에 이송할 수 있도록 2개의 핸들링 암(211, 212)과 핸들링 암(211, 212)의 직선 이동, 회전 이동 및 승강 이동이 가능하도록 구동하는 구동 암(213, 214)과 구동부(215)로 이루어진다.Referring to the drawings, the transfer robot 21 has a linear movement, rotational movement and lifting movement of the two handling arms 211 and 212 and the handling arms 211 and 212 so as to simultaneously transfer two substrates 1. It consists of drive arms 213 and 214 and a drive unit 215 to be driven.

핸들링 암(211, 212)은 기판(1) 하부에서 기판(1)을 파지하여 이송할 수 있 도록 형성되며, 기판(1)의 직경에 대응되는 길이를 갖고 소정 너비와 크기를 가질 수 있다. 또한, 핸들링 암(211, 212)는 기판(1)의 하부를 안정적으로 지지하면서 기판(1)을 프로세스 모듈(30)에 로딩/언로딩 시 리프트 핀(321)과 간섭이 발생하지 않는 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 핸들링 암(211, 212)은 'C' 자 또는 'ㄷ'자 형상의 고리 형태를 가질 수 있다. 그러나 트랜스퍼 로봇(21) 및 핸들링 암(211, 212)의 형태가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 핸들링 암(211, 212)은 기판(1)의 하부 또는 에지를 접촉 지지할 수 있는 실질적으로 다양한 형태를 가질 수 있다.The handling arms 211 and 212 are formed to grip and transport the substrate 1 from the lower portion of the substrate 1, and have a length corresponding to the diameter of the substrate 1 and may have a predetermined width and size. In addition, the handling arms 211 and 212 stably support the lower portion of the substrate 1 and do not interfere with the lift pins 321 when loading / unloading the substrate 1 into the process module 30. Can have For example, the handling arms 211 and 212 may have a 'C' or 'c' shaped ring shape. However, the shapes of the transfer robot 21 and the handling arms 211 and 212 are not limited by the drawings, and the handling arms 211 and 212 may be substantially various shapes capable of contacting and supporting the bottom or edge of the substrate 1. It can have

구동 암(213, 214)과 구동부(215)는 핸들링 암(211, 212)의 직선 이동과 회전 이동이 가능하도록 핸들링 암(211, 212)에서 연결 형성되며 핸들링 암(211, 212)의 구동에 필요한 구동력을 공급하고 전달한다.The driving arms 213 and 214 and the driving unit 215 are connected to the handling arms 211 and 212 to enable the linear movement and the rotational movement of the handling arms 211 and 212. Supply and transmit the required driving force.

한편, 핸들링 암(211, 212)은 동시에 2장의 기판(1)을 이송하는데 기판(1)의 크기가 커질수록 트랜스퍼 모듈(20) 및 트랜스퍼 로봇(21)의 크기가 커지고 트랜스퍼 로봇(21)의 동작에 필요한 공간의 크기가 증가하게 된다. 본 실시예에서는 트랜스퍼 모듈(20) 및 트랜스퍼 로봇(21)의 크기를 줄일 수 있도록 핸들링 암(211, 212)이 상하로 소정 간격 이격되게 형성되어, 기판(1)의 이송 시에는 핸들링 암(211, 212)이 나란하게 상하 방향으로 겹쳐진 상태로 이동하고, 기판(1)의 로딩/언로딩 시에는 도 3 또는 도 6에 도시한 바와 같이 핸들링 암(211, 212)이 좌우로 소정 각도 회전하여 'V' 자 형태로 펼쳐지도록 형성된다.Meanwhile, the handling arms 211 and 212 simultaneously transfer two substrates 1, and as the size of the substrate 1 increases, the size of the transfer module 20 and the transfer robot 21 increases, and the size of the transfer robot 21 is increased. The amount of space required for the operation is increased. In the present embodiment, the handling arms 211 and 212 are formed to be spaced apart from each other by a predetermined interval so as to reduce the sizes of the transfer module 20 and the transfer robot 21, and the handling arm 211 when the substrate 1 is transferred. , 212 are moved side by side in the state of overlapping in the vertical direction, and when loading / unloading the substrate 1, the handling arms 211, 212 are rotated by a predetermined angle from side to side as shown in FIG. It is formed to unfold in 'V' shape.

여기서, 트랜스퍼 모듈(20)에는 트랜스퍼 로봇(21)에 기판(1) 2장이 정상적 으로 안착되었는지 여부를 확인하기 위한 센서(Sensor)(22)가 구비될 수 있다. 여기서, 기판(1)의 이송 시와 같이 겹쳐진 상태에서는 기판(1) 2장이 안착되었는지 여부를 확인하기가 어려우므로 센서(22)에서 안착 여부의 검사 시에는 2장의 기판(1)이 일부만 겹치도록 핸들링 암(211, 212)이 좌우로 소정 각도 회전한 상태에서 검사하게 된다.Here, the transfer module 20 may be provided with a sensor 22 for checking whether two substrates 1 are normally seated on the transfer robot 21. Here, it is difficult to check whether two sheets 1 are seated in the overlapped state as in the case of transferring the substrate 1, so that the two substrates 1 overlap only partly when the sensor 22 checks whether it is seated or not. The handling arms 211 and 212 are inspected while being rotated by a predetermined angle from side to side.

예를 들어, 도 2와 도 3에 도시한 바와 같이, 센서(22)는 기판(1)이 겹치지 않은 부분 및 핸들링 암(211, 212)에 의해 간섭이 발생하지 않을 위치에서 핸들링 암(211, 212)에 안착된 기판(1)을 향해 광을 조사할 수 있는 위치에 2개의 광센서가 구비될 수 있다. 여기서, 센서(22)에서 광을 조사하였을 때 2장의 기판(1) 중 어느 한 장이라도 정상적으로 안착되지 않은 경우에는 센서 제어부(221)에서 이상 신호를 발생시켜 공정을 중단시킬 수 있다.For example, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the sensor 22 may include the handling arm 211, at a position where interference will not occur by a portion where the substrate 1 does not overlap and the handling arms 211 and 212. Two optical sensors may be provided at positions where light may be irradiated toward the substrate 1 seated on the 212. When the sensor 22 irradiates light, when any one of the two substrates 1 is not normally seated, the sensor controller 221 may generate an abnormal signal to stop the process.

그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 센서(22)의 위치와 수는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있으며, 또한 센서(22)는 광센서 이외에도 기판(1)의 정상 안착 여부를 확인할 수 있는 실질적으로 다양한 수단이 사용될 수 있다.However, the present invention is not limited by the drawings, and the position and number of the sensors 22 may be changed in various ways, and the sensor 22 may check whether the substrate 1 is normally seated in addition to the optical sensor. Substantially various means may be used.

이하, 도 4 내지 도 9를 참조하여 프로세스 모듈(30)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 4는 도 1의 원자층 증착장치의 단면도이고, 도 5는 도 4의 원자층 증착장치에서 가스분사부의 평면도이다. 그리고 도 6은 도 4의 원자층 증착장치에서 트랜스퍼 로봇이 서셉터 유닛에 기판을 로딩하는 동작을 설명하기 위한 요부 사시도이고, 도 7은 도 4의 원자층 증착장치에서 히터 유닛의 사시도, 도 8은 도 7의 히터 유닛의 단면도, 도 9는 도 7의 히터 유닛에서 발열 소자 패턴의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.Hereinafter, the process module 30 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 9. For reference, FIG. 4 is a cross-sectional view of the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a plan view of the gas injection unit in the atomic layer deposition apparatus of FIG. 4. 6 is a perspective view illustrating main parts of the transfer robot loading a substrate into the susceptor unit in the atomic layer deposition apparatus of FIG. 4, and FIG. 7 is a perspective view of the heater unit in the atomic layer deposition apparatus of FIG. 4, and FIG. 8. 7 is a cross-sectional view of the heater unit of FIG. 7, and FIG. 9 is a plan view illustrating an example of a heating element pattern in the heater unit of FIG. 7.

상술한 바와 같이 트랜스퍼 로봇(21)은 2장의 기판(1)을 동시에 이송 및 로딩/언로딩하도록 형성된다.As described above, the transfer robot 21 is formed to simultaneously transfer and load / unload two substrates 1.

프로세스 모듈(30)은 6장의 기판(1)이 수용되어 증착공정이 수행되는 2개의 프로세스 챔버(31)를 포함하고, 프로세스 챔버(31) 내부에는 기판(1)가 안착되는 서셉터 유닛(320)과 기판(1)에 증착가스를 제공하는 가스분사부(310) 및 증착공정을 위한 열을 가하는 히터 유닛(330)이 구비된다. 여기서, 프로세스 모듈(30)의 상세한 기술구성은 본 발명의 요지가 아니므로, 자세한 설명 및 도시를 생략하고 주요 구성요소에 대해서만 간략하게 설명한다.The process module 30 includes two process chambers 31 in which six substrates 1 are accommodated and a deposition process is performed, and the susceptor unit 320 in which the substrate 1 is seated inside the process chamber 31. ) And a gas injection unit 310 for providing a deposition gas to the substrate 1 and a heater unit 330 for applying heat for the deposition process. Here, since the detailed technical configuration of the process module 30 is not the gist of the present invention, detailed description and illustration are omitted, and only the main components will be briefly described.

한편, 도 4에서 도면부호 301은 기판(1)의 로딩/언로딩 시 트랜스퍼 로봇(21)의 출입을 위한 출입구(301)이고, 도면부호 302는 출입구(301)의 개폐를 위한 도어부(302)이다. 즉, 기판(1)의 로딩/언로딩 시에는 도 4에 도시한 바와 같이, 출입구(301)가 개방되어 트랜스퍼 로봇(21)의 출입이 가능하고, 증착공정이 수행되는 동안에는 도어(302)가 출입구(301)를 폐쇄하여 프로세스 챔버(31)를 밀폐시킨다.Meanwhile, in FIG. 4, reference numeral 301 denotes an entrance 301 for entering and leaving the transfer robot 21 when loading and unloading the substrate 1, and reference numeral 302 denotes a door 302 for opening and closing of the entrance 301. )to be. That is, when loading / unloading the substrate 1, as shown in FIG. 4, the entrance 301 is opened to allow the transfer robot 21 to enter and exit, and the door 302 is opened while the deposition process is performed. The entrance 301 is closed to seal the process chamber 31.

가스분사부(310)는 프로세스 챔버(31) 상부에 구비되어 서셉터 유닛(320)에 지지된 기판(1)에 증착가스를 제공한다.The gas injection unit 310 is provided above the process chamber 31 to provide the deposition gas to the substrate 1 supported by the susceptor unit 320.

여기서, 원자층 증착방법은 박막을 형성하기 위한 소스 물질이 포함된 서로 다른 종류의 증착가스가 기판(1) 표면에서 반응함에 따라 소정의 박막이 형성되는데, 본 실시예에서는 가스분사부(310)가 고정되고 서셉터 유닛(320)이 가스분사부(310)에 대해 평행하게 구비되어 회전 가능하게 구비된다. 그리고 가스분사부(310)는 서셉터 유닛(320)이 회전함에 따라 기판(1)에 증착가스가 순차적으로 제공될 수 있도록 증착가스가 각각 분사되는 가스영역들이 형성된다. 예를 들어, 도 5에 도시한 바와 같이, 가스분사부(310)는 4종의 증착가스가 각각 분사되는 가스영역들이 부채꼴 형상으로 형성되며, 기판(1)의 이동 방향을 따라 제1 소스가스가 분사되는 제1 소스영역(SA1), 퍼지가스가 분사되는 제1 퍼지영역(PA1), 제2 소스가스가 분사되는 제2 소스영역(SA2) 및 퍼지가스가 분사되는 제2 퍼지영역(PA2)으로 이루어질 수 있다.Here, in the atomic layer deposition method, a predetermined thin film is formed by reacting different types of deposition gases including a source material for forming a thin film on the surface of the substrate 1. In this embodiment, the gas injection unit 310 is formed. Is fixed and the susceptor unit 320 is provided in parallel with the gas injection unit 310 to be rotatable. The gas injection unit 310 is formed with gas regions through which the deposition gas is sprayed so that the deposition gas may be sequentially provided to the substrate 1 as the susceptor unit 320 rotates. For example, as shown in FIG. 5, the gas injection unit 310 is formed in the shape of a fan shape in which gas regions in which four kinds of deposition gases are injected are formed in a fan shape, and the first source gas is moved along the moving direction of the substrate 1. First source area SA1 to which the gas is injected, first purge area PA1 to which the purge gas is injected, second source area SA2 to which the second source gas is injected, and second purge area PA2 to which the purge gas is injected. It can be made of).

참고적으로, 본 발명에서 증착가스라 함은 박막을 증착하는 공정에서 사용되는 가스들을 말하는 것으로, 기판(1)에 증착하고자 하는 박막을 구성하는 소스 물질을 포함하는 한 종류 이상의 소스가스와 소스가스를 기판(1)에 제거하기 위한 퍼지가스를 포함한다. 본 실시예에서는 서로 화학적으로 반응하여 박막을 형성하는 2 종의 소스가스와 소스가스의 퍼지를 위한 1종의 퍼지가스를 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 박막을 증착하기 위해서 제1 소스가스는 실리콘을 포함하는 실란(Silane, SiH4) 또는 디실란(Disilane, Si2H6), 4불화 실리콘(SiF4), 유기금속화합물(Metal organic chemical) 소스 중 어느 하나의 가스를 사용하고, 제2 소스가스는 산소(O2)나 오존(O3) 및 플라즈마(plasma)에 의해 분해된 반응성 가스를 사용할 수 있다. 그리고 퍼지가스는 제1 및 제2 소스가스, 그리고 기판(1)에 증착된 박막과 화학적으로 반응하지 않는 안정한 가스가 사용되며, 예를 들어, 아르곤(Ar)이나 질소(N2), 헬륨(He) 중 어느 하나의 가스 또는 둘 이상 혼합된 가스를 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 증착가스의 수와 종류는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.For reference, in the present invention, the deposition gas refers to gases used in a process of depositing a thin film, and at least one source gas and a source gas including a source material constituting the thin film to be deposited on the substrate 1. It includes a purge gas for removing to the substrate (1). In this embodiment, two kinds of source gases for chemically reacting with each other to form a thin film and one kind of purge gas for purging the source gases may be used. For example, in order to deposit a silicon thin film, the first source gas may be a silane (Silane, SiH4) or disilane (Disilane, Si2H6), silicon tetrafluoride (SiF4), or a metal organic chemical source containing silicon. Any one of the gases may be used, and the second source gas may use a reactive gas decomposed by oxygen (O 2), ozone (O 3), or plasma. As the purge gas, stable gases which do not chemically react with the first and second source gases and the thin film deposited on the substrate 1 are used, for example, argon (Ar), nitrogen (N 2), helium (He). May be used in any one gas or a mixture of two or more. However, the present invention is not limited thereto, and the number and type of deposition gases may be changed in various ways.

가스분사부(310)는 기판(1)에 대해 균일하게 증착가스를 제공할 수 있도록 분사홀(311)이 소정 패턴에 따라 형성된다. 일 예로, 도 5에 도시한 바와 같이, 분사홀(311)은 분사된 증착가스의 궤적이 서셉터 유닛(320)의 회전에 의한 기판(1)의 이동 시 기판(1) 표면 전체에 대해 동일하게 쓸 듯이 접촉될 수 있도록 형성된다. 예를 들어, 분사홀(311)은 기판(1)의 이동 방향에 대해 대략적으로 수직인 직선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 기판(1)과 분사홀(311)에서 분사된 증착가스는 직선 형태로 교차하므로 기판(1) 표면에서 증착가스와 접촉되는 시간을 일정하게 유지시킬 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 분사홀(311)의 크기와 형상은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The gas injection unit 310 has a spray hole 311 is formed in accordance with a predetermined pattern so as to uniformly provide the deposition gas to the substrate (1). For example, as shown in FIG. 5, the injection hole 311 has the same trajectory of the injected deposition gas with respect to the entire surface of the substrate 1 when the substrate 1 is moved by the rotation of the susceptor unit 320. It is formed so that it can be contacted like writing. For example, the injection holes 311 may be disposed in a straight line shape that is approximately perpendicular to the moving direction of the substrate 1. That is, since the deposition gas injected from the substrate 1 and the injection hole 311 crosses in a straight line, the contact time of the deposition gas on the surface of the substrate 1 may be kept constant. However, the present invention is not limited by the drawings, and the size and shape of the injection hole 311 may be changed in various ways.

한편, 가스분사부(310) 일측에는 프로세스 챔버(31) 내부의 배기가스를 배출시키기 위한 배기부(315)가 구비된다. 배기부(315)는 가스분사부(310)에 구비되어 프로세스 챔버(31) 내부의 배기가스를 기판(1) 상부로 흡입하여 외부로 배출시킨다. 배기부(315)는 프로세스 챔버(31) 내부와 연통되어 프로세스 챔버(31) 내부의 배기가스를 흡입하기 위한 다수의 배기홀(316)이 형성되며, 배기홀(316)은 배기부(315)의 길이 방향을 따라 소정 간격으로 형성된다.On the other hand, one side of the gas injection unit 310 is provided with an exhaust unit 315 for discharging the exhaust gas in the process chamber 31. The exhaust unit 315 is provided in the gas injection unit 310 to suck the exhaust gas inside the process chamber 31 into the upper portion of the substrate 1 and discharge the exhaust gas to the outside. The exhaust part 315 communicates with the inside of the process chamber 31 to form a plurality of exhaust holes 316 for sucking the exhaust gas inside the process chamber 31, and the exhaust hole 316 is an exhaust part 315. It is formed at predetermined intervals along the longitudinal direction of the.

여기서, 배기부(315)는 가스영역들(SA1, SA2, PA1, PA2) 경계 부분에 구비되 어 가스영역들(SA1, SA2, PA1, PA2)을 분리시키는 역할을 한다. 예를 들어, 배기부(315)는 4개의 부채꼴 형상의 가스영역들(SA1, SA2, PA1, PA2)의 경계를 따라 대략적으로 'V'자 형태를 갖는 2개의 배기부(315)가 형성된다. 또한, 소스영역(SA1, SA2)의 면적을 최대한 확보하되 소스영역(SA1, SA2) 사이에서 소스가스들이 혼합되는 것을 방지하는 물리적 장벽 역할을 하도록 2개의'V'자형 배기부(315)가 수평으로 대칭을 이루며 서로 마주하는'V'자의 꼭지점이 가스분사부(310)의 중심부에 위치하도록 형성될 수 있다.Here, the exhaust unit 315 is provided at the boundary between the gas regions SA1, SA2, PA1, and PA2 to separate the gas regions SA1, SA2, PA1, and PA2. For example, the exhaust part 315 is formed with two exhaust parts 315 having a substantially 'V' shape along a boundary between four fan-shaped gas regions SA1, SA2, PA1, and PA2. . In addition, the two 'V' shaped exhausts 315 are horizontally positioned to maximize the area of the source areas SA1 and SA2 and to serve as a physical barrier to prevent the source gases from being mixed between the source areas SA1 and SA2. The vertices of the 'V' facing each other in symmetry with respect to each other may be formed at the center of the gas injection part 310.

그러나 배기부(315)의 형상이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 배기부(315)의 위치와 형상은 반원 또는 반타원 형상 등 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 배기홀(316)의 크기와 형상 및 배기홀(316) 사이의 간격은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.However, the shape of the exhaust part 315 is not limited by the drawings, and the position and shape of the exhaust part 315 may be changed in various ways such as a semi-circle or semi-ellipse shape. In addition, the size and shape of the exhaust hole 316 and the distance between the exhaust hole 316 may be changed in various ways.

서셉터 유닛(320)은 스루풋(throughput)이 우수한 세미배치(semi-batch) 타입으로, 다수의 기판(1)을 서셉터 유닛(320) 상면에 수평으로 안착되되 서셉터 유닛(320)의 원주 방향을 따라 방사상으로 배치된다. 예를 들어, 서셉터 유닛(320)은 6장의 기판(1)가 서로 소정 간격 이격되어 안착되고, 서셉터 유닛(320)이 회전함에 따라 서셉터 유닛(320)의 중심점을 기준으로 기판(1)이 공전한다. 그리고 서셉터 유닛(320) 하부에는 서셉터 유닛(320)의 회전 및 기판(1)의 로딩/언로딩 시 서셉터 유닛(320)의 승강 이동을 위한 구동축(325)이 구비된다.The susceptor unit 320 is a semi-batch type with excellent throughput, and the plurality of substrates 1 are horizontally seated on the upper surface of the susceptor unit 320, but the circumference of the susceptor unit 320 is increased. Disposed radially along the direction. For example, the susceptor unit 320 may be seated with six substrates 1 spaced apart from each other at predetermined intervals, and the susceptor unit 320 may rotate as the susceptor unit 320 rotates. ) Idle. In addition, a driving shaft 325 is provided below the susceptor unit 320 to move the susceptor unit 320 up and down during rotation of the susceptor unit 320 and loading / unloading of the substrate 1.

서셉터 유닛(320)에는 기판(1)이 안착될 위치에 기판(1)이 안착되는 다수의 리프트 핀(321)이 구비된다. 예를 들어, 한 장의 기판(1)은 3개의 리프트 핀(321) 에 의해 삼각형 형태로 3점 지지되고, 서셉터 유닛(320)에서 기판(1)이 안착될 위치마다 3개씩의 리프트 핀(321)이 구비될 수 있다.The susceptor unit 320 is provided with a plurality of lift pins 321 on which the substrate 1 is seated at a position where the substrate 1 is to be seated. For example, one board 1 is supported by three lift pins 321 in a triangular shape and three lift pins (3) for each position where the substrate 1 is to be seated in the susceptor unit 320. 321 may be provided.

기판(1)은 트랜스퍼 로봇(21)에 의해 서셉터 유닛(320) 표면에 직접 안착되는 것이 아니라, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 로딩 시 리프트 핀(321)이 서셉터 유닛(320) 표면에서 소정 높이 돌출되어서 일차적으로 리프트 핀(321)에 안착된 후 리프트 핀(321)이 하강함에 따라 서셉터 유닛(320) 표면에 안착된다.The substrate 1 is not directly seated on the surface of the susceptor unit 320 by the transfer robot 21, but as shown in FIG. 6, the lift pins 321 are mounted on the susceptor unit when the substrate 1 is loaded. A predetermined height protrudes from the surface of 320 and is primarily seated on the lift pin 321, and then the lift pin 321 is seated on the surface of the susceptor unit 320 as it descends.

리프트 핀(321)은 서셉터 유닛(320)을 관통하여 구비되며, 서셉터 유닛(320)의 승강 이동에 의해 리프트 핀(321)의 하단부가 히터 유닛(330)에 접촉하면서 상기 리프트 핀(321)이 승강 이동하도록 구비된다. 상세하게는, 기판(1)의 로딩/언로딩 시는 도 4에 도시한 바와 같이, 서셉터 유닛(320)이 하부로 하강하여 서셉터 유닛(320)의 하부면이 히터 유닛(330)과 근접한 위치까지 하강한다. 이 경우, 리프트 핀(321)은 서셉터 유닛(320)을 관통하여 하부까지 일정 길이 연장되게 구비되므로, 서셉터 유닛(320)의 하강 시 히터 유닛(330)의 상면에 리프트 핀(321)의 하단부가 접촉되면서 리프트 핀(321)이 이동하지 않고 서셉터 유닛(320)만 하부로 이동하게 됨에 따라, 리프트 핀(321)이 서셉터 유닛(320) 상부로 소정 높이 돌출하게 된다. 그리고 증착공정을 위해서 서셉터 유닛(320)이 상승하는 동안 리프트 핀(321)의 자중에 의해 리프트 핀(321)이 하부로 이동하게 되고, 리프트 핀(321)이 완전히 서셉터 유닛(320) 표면에 안착되면 기판(1)이 서셉터 유닛(320) 표면에 안착될 수 있다. 여기서, 리프트 핀(321)이 서셉터 유닛(320) 하부로 추락하는 것을 방지할 수 있도록 리프트 핀(321)의 상단부가 서셉터 유닛(320)의 핀 가이드홀(321)에서 걸릴 수 있도록 리프트 핀(321)의 상단부 일부가 핀 가이드홀(321)의 직경보다 크게 확장된 형상을 가질 수 있다.The lift pins 321 are provided through the susceptor unit 320, and the lift pins 321 are contacted with the heater unit 330 by the lower end of the lift pins 321 by lifting and lowering of the susceptor unit 320. ) Is provided to move up and down. In detail, during loading / unloading of the substrate 1, as shown in FIG. 4, the susceptor unit 320 descends to the lower side so that the lower surface of the susceptor unit 320 is connected to the heater unit 330. Lower to the nearest position. In this case, since the lift pin 321 extends a predetermined length through the susceptor unit 320 to a lower portion, the lift pin 321 may be disposed on the upper surface of the heater unit 330 when the susceptor unit 320 descends. As the lift pin 321 does not move while the lower end contacts, only the susceptor unit 320 moves downward, so that the lift pin 321 protrudes a predetermined height above the susceptor unit 320. And while the susceptor unit 320 is raised for the deposition process, the lift pin 321 is moved downward by the weight of the lift pin 321, the lift pin 321 is completely surface of the susceptor unit 320 The substrate 1 may be seated on the susceptor unit 320 surface when it is seated on the substrate. Here, the lift pin 321 so that the upper end of the lift pin 321 can be caught in the pin guide hole 321 of the susceptor unit 320 so as to prevent the lift pin 321 from falling down the susceptor unit 320. A portion of the upper end of the 321 may have a shape that is larger than the diameter of the pin guide hole 321.

한편, 서셉터 유닛(320)에서 기판(1)의 로딩/언로딩 시 모든 리프트 핀(321)이 승강 이동되는 경우, 이미 로딩된 기판(1)이 리프트 핀(321)의 이동에 의해 자리 이탈 및 추락하는 사고가 발생할 수 있으므로 기판(1)이 로딩/언로딩 되는 위치의 2장의 기판(1)에 대해서만 리프트 핀(321)이 상승되도록 형성된다. 즉, 리프트 핀(321)의 승강 이동은 서셉터 유닛(320)의 승강 이동 시 히터 유닛(330)과의 접촉 여부에 의해 이루어지므로, 히터 유닛(330)에는 리프트 핀(321)이 승강 이동되지 않도록 히터 유닛(330)을 관통하여 핀 가이드홀(331)이 형성된다. 여기서, 설명의 편의를 위해 출입구(301)에서 트랜스퍼 로봇(21)에 의해 로딩/언로딩되는 위치의 2장의 기판(1)에 대응되는 위치를 로딩 위치(332a)라 하고, 나머지 4장의 기판(1)에 대응되는 위치를 안착 위치(332b)라 한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 히터 유닛(330)에서 로딩 위치(332a)에는 리프트 핀(321)을 돌출시킬 수 있도록 핀 가이드홀(331)이 형성되지 않은 반면, 나머지 안착 위치(332b)에는 핀 가이드홀(331)이 형성되어 있어서, 서셉터 유닛(320)의 하강 시 리프트 핀(321)의 하단부가 핀 가이드홀(331)을 통해 하부로 이동할 수 있어서 리프트 핀(321)이 돌출되지 않도록 한다.On the other hand, when all the lift pins 321 are moved up and down during loading / unloading of the substrate 1 in the susceptor unit 320, the board 1 already loaded is displaced by the movement of the lift pins 321. And since the fall accident may occur, the lift pins 321 are raised only with respect to the two substrates 1 at the position where the substrate 1 is loaded / unloaded. That is, the lifting pin 321 is moved up and down by the contact with the heater unit 330 during the lifting movement of the susceptor unit 320, the lift pin 321 is not moved up and down on the heater unit 330. The pin guide hole 331 is formed to penetrate the heater unit 330. Here, for convenience of description, a position corresponding to the two substrates 1 of the positions loaded / unloaded by the transfer robot 21 at the doorway 301 is called a loading position 332a, and the remaining four substrates ( The position corresponding to 1) is called a seating position 332b. As shown in FIG. 7, the fin guide hole 331 is not formed at the loading position 332a in the heater unit 330 to protrude the lift pin 321, while the fin is disposed at the remaining seating position 332b. Since the guide hole 331 is formed, the lower end of the lift pin 321 may move downward through the pin guide hole 331 when the susceptor unit 320 descends so that the lift pin 321 does not protrude. .

트랜스퍼 로봇(21)은 2장씩 기판(1)을 로딩/언로딩하고 서셉터 유닛(320)은 6장의 기판(1)이 안착되므로 서셉터 유닛(320)은 120° 간격으로 회전함에 따라 2장씩 기판(1)을 로딩/언로딩할 수 있다. 여기서, 리프트 핀(321)이 히터 유닛(330)의 핀 가이드홀(331)에 수용된 상태에서 서셉터 유닛(320)이 회전하는 경우 리프트 핀(321) 및 서셉터 유닛(320)과 히터 유닛(330) 등의 구성요소가 손상될 수 있으므로, 서셉터 유닛(320)의 회전 시는 리프트 핀(321)이 핀 가이드홀(331)에서 완전히 빠져나오도록 서셉터 유닛(320)이 상승한 상태에서 회전하고, 로딩 위치(332a)의 리프트 핀(321)은 돌출되어 기판(1)의 로딩/언로딩이 가능하고 나머지 안착 위치(332b)의 리프트 핀(321)은 핀 가이드 홀(331)에 수용되어 기판(1)이 안착된 상태를 유지시킬 수 있다.Since the transfer robot 21 loads / unloads the substrate 1 by two, and the susceptor unit 320 is mounted with six substrates 1, the susceptor unit 320 rotates at intervals of 120 ° two by two. The substrate 1 can be loaded / unloaded. Here, when the susceptor unit 320 rotates while the lift pin 321 is accommodated in the pin guide hole 331 of the heater unit 330, the lift pin 321 and the susceptor unit 320 and the heater unit ( Since components such as 330 may be damaged, the susceptor unit 320 rotates while the susceptor unit 320 is rotated so that the lift pin 321 completely exits the pin guide hole 331. In addition, the lift pin 321 of the loading position 332a is protruded to enable loading / unloading of the substrate 1 and the lift pin 321 of the remaining seating position 332b is accommodated in the pin guide hole 331. The state in which the substrate 1 is seated can be maintained.

또한, 트랜스퍼 로봇(21)의 핸들링 암(211, 212)이 서로 다른 높이로 위치하므로, 이러한 핸들링 암(211, 212) 사이의 높이 차만큼 2장의 기판(1)이 서로 다른 높이로 로딩/언로딩 되므로, 로딩 위치(332a)의 리프트 핀(321) 역시 로딩되는 기판(1)의 높이에 맞게 리프트 핀(321)은 서로 높이가 다르게 돌출된다.In addition, since the handling arms 211 and 212 of the transfer robot 21 are positioned at different heights, the two substrates 1 are loaded / unloaded at different heights by the height difference between the handling arms 211 and 212. Since it is loaded, the lift pins 321 of the loading position 332a also protrude differently from each other in accordance with the height of the substrate 1 to be loaded.

한편, 트랜스퍼 로봇(21)은 동시에 2장의 기판(1)을 서셉터 유닛(320)에 로딩하는데, 기판(1)을 안정적으로 로딩/언로딩할 수 있도록 리프트 핀(321)은 소정의 패턴에 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 핸들링 암(211, 212)이 리프트 핀(321)이 형성하는 삼각형의 밑변에 대해 수직으로 이동할 수 있도록 리프트 핀(321)이 배치될 수 있다. 또한, 동시에 로딩/언로딩 되는 2장의 기판(1)이 로딩/언로딩 시 및 핸들링 암(211, 212)의 출입 시 기판(1)이 서로 충돌하거나 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 2개의 로딩 위치(332a)에 구비된 리프트 핀(321)은 소정 형태로 배치된다. 예를 들어, 로딩 위치(332a)의 6개의 리프트 핀(321)은 정삼각형 또는 이등변 삼각형 형태로 각각 구비되며, 6개의 리프트 핀(321)이 형성하는 2개의 삼각형의 밑변이 소정의 가상 직선(도 6에서 1점 쇄선으로 도시) 상에 배치되도록 형성될 수 있다.Meanwhile, the transfer robot 21 simultaneously loads two substrates 1 onto the susceptor unit 320. The lift pins 321 are provided in a predetermined pattern so that the substrate 1 can be loaded / unloaded stably. Can be arranged accordingly. For example, the lift pins 321 may be disposed such that the handling arms 211 and 212 may move vertically with respect to the base of the triangle formed by the lift pins 321. In addition, the two substrates 1 loaded / unloaded at the same time may prevent the substrates 1 from colliding with each other or causing interference when loading / unloading and entering and exiting the handling arms 211 and 212. The lift pins 321 provided at the loading position 332a are arranged in a predetermined form. For example, the six lift pins 321 of the loading position 332a are each provided in the form of an equilateral triangle or an isosceles triangle, and the base of the two triangles formed by the six lift pins 321 has a predetermined virtual straight line (Fig. 6 may be disposed on a dashed-dotted line).

히터 유닛(330)은 서셉터 유닛(320) 하부에 구비되어 증착공정에 필요한 온도로 서셉터 유닛(320) 및 기판(1)을 가열한다.The heater unit 330 is provided under the susceptor unit 320 to heat the susceptor unit 320 and the substrate 1 to a temperature necessary for the deposition process.

히터 유닛(330)은, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 전원이 인가되면 열을 발생시키는 발열소자(333)가 하우징(335)에 매립된 형태를 갖는다. 발열소자(333)가 하우징(335) 내부에 매립된 형태를 가지므로 증착공정 동안 히터 유닛(330)이 증착가스에 노출되어 증착가스에 의해 산화/손상되고 이로 인해 히터 유닛(330)의 수명이 단축되거나, 히터 유닛(330)에 불순물이 증착됨으로 인해 온도 분포가 불균일해지는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 히터 유닛(330)은 하우징(335) 내부로 증착가스의 유입을 차단하고 발열소자(333)에서 발생된 열이 서셉터 유닛(320)에 효과적으로 전달될 수 있도록 하우징(335) 내부는 진공 또는 고진공 상태로 유지될 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9, the heater unit 330 has a form in which a heating element 333 that generates heat when power is applied is embedded in the housing 335. Since the heating element 333 is embedded in the housing 335, the heater unit 330 is exposed to the deposition gas during the deposition process and is oxidized / damaged by the deposition gas, thereby causing the lifetime of the heater unit 330 to be reduced. It may be shortened or the temperature distribution may be prevented from being uneven because impurities are deposited in the heater unit 330. Here, the heater unit 330 is a vacuum inside the housing 335 to block the inflow of the deposition gas into the housing 335 and to effectively transfer the heat generated from the heating element 333 to the susceptor unit 320. Or high vacuum.

하우징(335)은 발열소자(333)에서 방출되는 열을 서셉터 유닛(320)으로 효과적으로 전달하되 히터 유닛(330) 하부로는 열이 전달되는 차단할 수 있도록 형성된다. 예를 들어, 하우징(335)은 발열소자(333)에서 발생하는 열에 의해 변형이 발생하지 않고 화학적으로 안정적인 재질로 형성된다. 예를 들어, 하우징(335)은 질화물 세라믹이나 탄화물 세라믹 또는 그래파이트(graphite) 재질로 형성될 수 있다. 그리고 하우징(335)의 하부, 즉, 하우징(335)에서 히터 유닛(330)의 하부를 향한 부분에는 발열소자(333)에서 발생된 열이 히터 유닛(330)하부로 전달되는 것을 차단하기 위한 차폐재(미도시)가 구비될 수 있다. 여기서, 하우징(335) 하부에 차폐재를 구비하거나 하우징(335)의 하부 재질을 열 차폐가 가능한 재질로 형성함 으로써, 발열소자(333)에서 발생한 열에 의해 히터 유닛(330) 하부에 구비된 구조물들이 열 변형되는 것을 방지할 수 있으며, 발열소자(333)의 발생된 열을 히터 유닛(330) 상부, 즉 서셉터 유닛(320) 쪽으로만 방출되도록 방향을 제한하여 히터 유닛(330)의 열 전달 효율을 향상시킬 수 있다.The housing 335 is formed to effectively transfer heat emitted from the heat generating element 333 to the susceptor unit 320, but block heat from being transferred to the lower portion of the heater unit 330. For example, the housing 335 is formed of a chemically stable material without deformation due to heat generated from the heat generating element 333. For example, the housing 335 may be formed of a nitride ceramic, a carbide ceramic, or a graphite material. A shielding material for blocking heat generated from the heating element 333 from being lowered to the lower portion of the housing 335, that is, the lower portion of the housing 335 toward the lower portion of the heater unit 330. (Not shown) may be provided. Here, by providing a shielding material in the lower portion of the housing 335 or by forming a lower material of the housing 335 as a material capable of heat shielding, the structures provided under the heater unit 330 by the heat generated from the heating element 333 Heat deformation of the heater unit 330 may be prevented by limiting the direction so that the generated heat of the heat generating element 333 is only emitted to the upper portion of the heater unit 330, that is, the susceptor unit 320. Can improve.

발열소자(333)는 전원이 인가되면 열을 발생시키는 소정의 저항성 가열소자일 수 있으며, 발열소자(333)는 하우징(335) 내부에서 기판(1)을 균일하게 가열할 수 있도록 소정 형태로 배치하기 위해서 와이어 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 발열소자(333)는 필라멘트, 코일 또는 카본 와이어 등을 포함할 수 있다.The heating element 333 may be a predetermined resistive heating element that generates heat when power is applied, and the heating element 333 is disposed in a predetermined shape to uniformly heat the substrate 1 in the housing 335. In order to have a wire form. For example, the heating element 333 may include a filament, a coil or a carbon wire.

발열소자(333)는 기판(1)의 온도를 일정하게 가열 및 유지시킬 수 있도록 임의의 곡선 형태로 배치될 수 있다. 또한, 발열소자(333)는 히터 유닛(330) 전체에 대해 배치될 수 있으나, 기판(1)의 온도를 보다 정밀하고 균일하게 가열하고 유지시킬 수 있도록, 도 9에 도시한 바와 같이, 각 기판(1)에 대응되는 위치에 각각 구비되어 다수(예를 들어, 6개)의 발열영역을 형성할 수 있다. 도 9에는 발열소자(333)의 패턴 및 발열소자의 배치 양상의 일 예를 도시하였다. 도 9에 도시한 바와 같이, 각 기판(1)에 대응되는 영역에 각각 소정의 곡선 형상으로 배치된 6개의 발열소자(333)가 구비될 수 있다. 여기서, 히터 유닛(330)은 독립된 6개의 발열소자(333)가 구비되어 6개의 발열영역을 형성할 수 있다. 이 경우, 6개의 영역이 각각의 발열소자(333)에 의해 가열되므로 각 영역에서의 온도를 균일하게 가열할 수 있으며 온도 분포를 균일하게 유지시킬 수 있다. 또는, 각 발열소자(333)에 인가된 전원을 조절하여 부분적으로 발열소자(333)의 온도를 제어하는 것도 가능하 다.The heat generating element 333 may be disposed in an arbitrary curved shape so as to constantly heat and maintain the temperature of the substrate 1. In addition, the heating element 333 may be disposed with respect to the entire heater unit 330, but as shown in FIG. 9, each substrate may be heated and maintained more precisely and uniformly in the temperature of the substrate 1. They may be provided at positions corresponding to (1), respectively, to form a plurality of heat generating regions (for example, six). 9 illustrates an example of a pattern of the heating element 333 and an arrangement of the heating element. As illustrated in FIG. 9, six heat generating elements 333 disposed in a predetermined curved shape may be provided in regions corresponding to the substrates 1, respectively. Here, the heater unit 330 may be provided with six independent heating elements 333 to form six heating regions. In this case, since six regions are heated by the respective heating elements 333, the temperature in each region can be uniformly heated and the temperature distribution can be maintained uniformly. Alternatively, the temperature of the heating element 333 may be partially controlled by adjusting the power applied to each heating element 333.

여기서, 발열소자(333)는 변형이 자유로운 와이어 형태를 가지므로 히터 유닛(330) 내부의 구조물 및 핀 가이드홀(331) 등과 간섭이 발생하지 않도록 구조물들을 회피하고 기판(1)을 일정하게 가열할 수 있는 형태로 자유롭게 형성할 수 있다.In this case, since the heating element 333 has a free form of wire, the heating elements 333 may avoid structures and heat the substrate 1 to prevent interference with the structure inside the heater unit 330 and the fin guide hole 331. It can be freely formed into a form that can be.

한편, 발열소자(333)는 전원공급부(미도시)와의 연결을 위한 단자부(미도시)가 구비되어야 하는데, 발열소자(333)는 이러한 단자부의 수를 최소화할 수 있도록 형성된다.On the other hand, the heating element 333 should be provided with a terminal portion (not shown) for connection with the power supply (not shown), the heating element 333 is formed to minimize the number of such terminal portion.

그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 발열소자(333)는 소정의 곡선 형태나, 임의의 자유곡선 형태를 가질 수 있으며, 이 외에도 나선형상, 동심원 형상, 직선 형상 등 실질적으로 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다.However, the present invention is not limited by the drawings, and the heating element 333 may have a predetermined curved shape or an arbitrary free curved shape. In addition, the heating element 333 may have various shapes such as spiral shape, concentric shape, and straight shape. Of course you can have.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, the present invention has been described by specific embodiments such as specific components and the like, but the embodiments and the drawings are provided only to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is limited to the above-described embodiments. In other words, various modifications and variations are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and all the things that are equivalent to or equivalent to the scope of the claims as well as the claims to be described later belong to the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 전체 시스템을 설명하기 위한 평면도;1 is a plan view for explaining the entire system of the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2와 도 3은 도 1의 원자층 증착장치의 트랜스퍼 모듈에서 기판 정상 안착 여부의 검출 동작을 설명하기 위한 도면들로써, 도 2는 트랜스퍼 로봇의 정면도, 도 3은 트랜스퍼 로봇의 요부 사시도;2 and 3 are views for explaining the detection operation of whether the substrate is properly seated in the transfer module of the atomic layer deposition apparatus of Figure 1, Figure 2 is a front view of the transfer robot, Figure 3 is a perspective view of the main portion of the transfer robot;

도 4는 도 1의 원자층 증착장치의 단면도;4 is a sectional view of the atomic layer deposition apparatus of FIG. 1;

도 5는 도 4의 원자층 증착장치에서 가스분사부의 평면도;5 is a plan view of a gas injection unit in the atomic layer deposition apparatus of FIG.

도 6은 도 4의 원자층 증착장치에서 트랜스퍼 로봇이 서셉터 유닛에 기판을 로딩하는 동작을 설명하기 위한 요부 사시도;FIG. 6 is a perspective view illustrating main parts of an operation of loading a substrate into a susceptor unit by a transfer robot in the atomic layer deposition apparatus of FIG. 4; FIG.

도 7은 도 4의 원자층 증착장치에서 히터 유닛의 사시도;FIG. 7 is a perspective view of a heater unit in the atomic layer deposition apparatus of FIG. 4; FIG.

도 8은 도 7의 히터 유닛의 단면도;8 is a sectional view of the heater unit of FIG. 7;

도 9는 도 7의 히터 유닛에서 발열 소자 패턴의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 9 is a plan view illustrating an example of a heating element pattern in the heater unit of FIG. 7.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 기판 10: 로딩/언로딩 모듈1: Substrate 10: Loading / Unloading Module

11, 11a, 11b, 11c: 로드 포트(load port) 12: 로드 버퍼 유닛11, 11a, 11b, 11c: load port 12: load buffer unit

13: 로드락 유닛(load-lock unit) 14: 버퍼부13: load-lock unit 14: buffer unit

20: 트랜스퍼 모듈 21: 트랜스퍼 로봇20: transfer module 21: transfer robot

22: 센서(Sensor) 30: 프로세스 모듈22: Sensor 30: Process Module

31: 프로세스 챔버 32: 소스가스 공급부31: process chamber 32: source gas supply

211, 212: 핸들링 암 213, 214: 구동 암211, 212: handling arm 213, 214: driving arm

215: 구동부 221: 센서 제어부215: driving unit 221: sensor control unit

301: 출입구 302: 도어부301: doorway 302: door part

310: 가스분사부 311: 분사홀310: gas injection unit 311: injection hole

315: 배기부 316: 배기홀315: exhaust portion 316: exhaust hole

320: 서셉터 유닛 321: 리프트 핀320: susceptor unit 321: lift pins

322, 331: 핀 가이드홀 325: 구동축322, 331: pin guide hole 325: drive shaft

330: 히터 유닛 332a, 332b: 기판 위치330: heater unit 332a, 332b: substrate position

333: 발열소자 335: 하우징333: heating element 335: housing

Claims (13)

기판을 로딩 및 언로딩하는 로딩/언로딩 모듈;A loading / unloading module for loading and unloading a substrate; 다수의 기판을 동시에 수용하여 증착공정이 수행되며 세미 배치 방식으로 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버를 다수개 구비하는 프로세스 모듈; 및A process module including a plurality of process chambers in which a deposition process is performed by simultaneously receiving a plurality of substrates and a deposition process is performed in a semi-batch manner; And 복수의 기판을 동시에 파지하여 이송하는 트랜스퍼 로봇을 구비하고 상기 로딩/언로딩 유닛과 상기 프로세스 모듈 사이에서 상기 기판을 이송하는 트랜스퍼 모듈;A transfer module having a transfer robot for simultaneously holding and transferring a plurality of substrates and transferring the substrate between the loading / unloading unit and the process module; 을 포함하고,Including, 상기 프로세스 챔버는,The process chamber, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되어 상기 기판 표면에 증착가스를 제공하는 가스분사부;A gas injection part provided in the process chamber to provide a deposition gas to the surface of the substrate; 상기 다수의 기판이 수평 방향으로 안착 지지되고, 상기 가스분사부에 대해 상기 기판이 공전하도록 회전 가능하게 구비되며 상기 프로세스 챔버 내부에서 승강 이동 가능하게 구비되는 서셉터 유닛;A susceptor unit having the plurality of substrates seated and supported in a horizontal direction, the susceptor unit being rotatably provided so that the substrate revolves with respect to the gas injection unit, and provided to be movable up and down inside the process chamber; 상기 서셉터 유닛 하부에 구비되어 상기 기판 및 상기 서셉터 유닛을 가열하는 히터 유닛; 및A heater unit provided below the susceptor unit to heat the substrate and the susceptor unit; And 상기 서셉터 유닛을 관통하여 상기 서셉터 유닛 하부로 연장되도록 구비되어 상부에 상기 기판이 안착되며, 상기 서셉터 유닛의 하강 시 하단부가 상기 히터 유닛에 접촉되어 상기 서셉터 유닛 상부로 돌출되며, 상기 서셉터 유닛의 상승 시 자중에 의해 하강하는 리프트 핀;The substrate is mounted on the upper part through the susceptor unit to extend below the susceptor unit, and when the susceptor unit is lowered, the lower end contacts the heater unit and protrudes above the susceptor unit. Lift pins lowered by their own weight when the susceptor unit is raised; 을 포함하고,Including, 상기 히터 유닛은 상기 서셉터 유닛의 하강 시 상기 리프트 핀의 하단부를 수용하여 상기 리프트 핀이 돌출되지 않도록 하는 핀 가이드홀이 구비되고,The heater unit is provided with a pin guide hole for receiving the lower end of the lift pin when the susceptor unit is lowered to prevent the lift pin from protruding, 상기 핀 가이드홀은 상기 서셉터 유닛의 하강 시 상기 기판의 로딩/언로딩을 위한 2장의 기판을 제외한 나머지 기판에 대응되는 안착 위치의 리프트 핀을 수용하도록 형성된 원자층 증착장치.And the pin guide hole is configured to receive a lift pin at a seating position corresponding to the remaining substrates except for two substrates for loading / unloading of the substrate when the susceptor unit is lowered. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 로딩/언로딩 모듈은 다수의 기판이 저장된 로드 포트 및 버퍼부를 구비하고,The loading / unloading module includes a load port and a buffer unit in which a plurality of substrates are stored, 상기 버퍼부는 상기 로드 포트에 저장된 기판의 수와 상기 프로세스 챔버에 수용되는 기판의 수가 배수관계가 되도록 상기 기판의 로딩 시 부족한 수의 기판을 보충하는 원자층 증착장치.And the buffer unit supplements an insufficient number of substrates during loading of the substrate such that the number of substrates stored in the load port and the number of substrates accommodated in the process chamber are in a multiple relationship. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 버퍼부는 상기 트랜스퍼 모듈 일측에 구비되며 상기 트랜스퍼 모듈로 상기 기판의 인출 시 상기 트랜스퍼 모듈의 진공이 진공이 파괴되는 것을 방지할 수 있도록 상기 버퍼부는 선택적으로 내부압을 감압/가압 가능하게 형성된 원자층 증착장치.The buffer unit is provided on one side of the transfer module, and the buffer unit is selectively formed to reduce / press the internal pressure so that the vacuum of the transfer module prevents the vacuum from being broken when the substrate is drawn out to the transfer module. Vapor deposition apparatus. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜스퍼 로봇은 한 장의 기판을 각각 파지하는 2개의 핸들링 암을 포함하고,The transfer robot includes two handling arms, each holding a single substrate, 상기 핸들링 암은 상기 기판 하부에서 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 기판의 직경에 대응되어 상기 기판의 중심을 가로지르고 소정 너비를 갖는 바(bar) 또는 고리 형태를 갖는 원자층 증착장치.And the handling arm has a bar or ring shape that crosses the center of the substrate and has a predetermined width corresponding to the diameter of the substrate so as to support the substrate under the substrate. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 트랜스퍼 로봇은 상기 기판의 이송 시에는 상기 2개의 핸들링 암이 상하 방향으로 겹쳐지고, 상기 프로세스 챔버에 상기 기판을 로딩 및 언로딩 시에는 상기 핸들링 암이 좌우로 'V'자 형태로 펼쳐지는 원자층 증착장치.The transfer robot has an atom in which the two handling arms overlap each other in the vertical direction when the substrate is transferred, and the handling arms unfold in a 'V' shape from side to side when loading and unloading the substrate into the process chamber. Layer deposition apparatus. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 트랜스퍼 모듈은 상기 트랜스퍼 로봇에 상기 기판이 정상적으로 안착되었는지 여부를 검사하는 센서가 구비되고,The transfer module is provided with a sensor for checking whether the substrate is normally seated on the transfer robot, 상기 기판이 일부 겹쳐지도록 상기 핸들링 암이 좌우로 'V'자 형태로 펼쳐진 상태에서 상기 센서가 상기 기판의 안착 여부를 검사하는 원자층 증착장치.An atomic layer deposition apparatus for inspecting whether the sensor is seated in the state that the handling arm unfolded in a 'V' shape left and right so that the substrate is partially overlapped. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 히터 유닛은 내부가 밀폐된 하우징 내부에 전원이 인가되면 열을 발생시키는 와이어 형태 또는 필라멘트 형태의 발열소자가 매립되어 형성된 원자층 증착장치.The heater unit is an atomic layer deposition apparatus formed by embedding a heating element of the wire form or filament form to generate heat when the power is applied to the inside of the sealed housing. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 히터 유닛은 상기 기판에 대응되는 위치에 다수의 발열영역을 형성하도 록 하나 또는 다수의 발열소자가 곡선형으로 배치된 원자층 증착장치.And the heater unit has one or more heat generating elements arranged in a curved shape to form a plurality of heat generating regions at a position corresponding to the substrate. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 하우징은 상기 발열소자에서 발생된 열이 상기 히터 유닛 하부로 방출되는 것을 방지하도록 형성된 원자층 증착장치.The housing is an atomic layer deposition apparatus formed to prevent the heat generated from the heat generating element is discharged to the lower portion of the heater unit.
KR1020090047519A 2008-12-29 2009-05-29 Atomic layer deposition apparatus KR101135853B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090047519A KR101135853B1 (en) 2009-05-29 2009-05-29 Atomic layer deposition apparatus
JP2009298157A JP5295095B2 (en) 2008-12-29 2009-12-28 Atomic layer deposition equipment
TW098145330A TWI465599B (en) 2008-12-29 2009-12-28 Atomic layer deposition apparatus
CN 200910265830 CN101768731B (en) 2008-12-29 2009-12-28 Atomic layer deposition apparatus
US12/649,234 US8968476B2 (en) 2008-12-29 2009-12-29 Atomic layer deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090047519A KR101135853B1 (en) 2009-05-29 2009-05-29 Atomic layer deposition apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100128864A KR20100128864A (en) 2010-12-08
KR101135853B1 true KR101135853B1 (en) 2012-04-16

Family

ID=43505692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090047519A KR101135853B1 (en) 2008-12-29 2009-05-29 Atomic layer deposition apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101135853B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9631277B2 (en) 2011-03-01 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
US9831109B2 (en) 2013-03-11 2017-11-28 Applied Materials, Inc. High temperature process chamber lid

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101490993B1 (en) * 2012-12-31 2015-02-06 박형상 Vapor deposition apparatus using vertical plate heater
KR101499465B1 (en) * 2013-02-28 2015-03-06 주식회사 엔씨디 The apparatus for transferring a large substrate
TWI676709B (en) 2015-01-22 2019-11-11 美商應用材料股份有限公司 Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber
CN104716077A (en) * 2015-03-25 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 Heating type conveying cavity with controllable temperature and process device and temperature control heating method thereof
TWI723997B (en) 2015-06-19 2021-04-11 美商應用材料股份有限公司 Injector for batch processing and methods of use

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990077353A (en) * 1996-01-16 1999-10-25 스탠리 디. 피에코스 Circuit board feeder with dual circuit board holder
JP2002198418A (en) * 2000-10-10 2002-07-12 Applied Materials Inc Multiple wafer lift apparatus and associated method
KR100781816B1 (en) * 2006-09-18 2007-12-03 위순임 Substrate transfer equipment and substrate processing system using the same
JP2008513980A (en) * 2004-09-13 2008-05-01 ジーナス インコーポレーテッド Multi-single wafer processing equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990077353A (en) * 1996-01-16 1999-10-25 스탠리 디. 피에코스 Circuit board feeder with dual circuit board holder
JP2002198418A (en) * 2000-10-10 2002-07-12 Applied Materials Inc Multiple wafer lift apparatus and associated method
JP2008513980A (en) * 2004-09-13 2008-05-01 ジーナス インコーポレーテッド Multi-single wafer processing equipment
KR100781816B1 (en) * 2006-09-18 2007-12-03 위순임 Substrate transfer equipment and substrate processing system using the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9631277B2 (en) 2011-03-01 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
US10236198B2 (en) 2012-01-31 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Methods for the continuous processing of substrates
US9831109B2 (en) 2013-03-11 2017-11-28 Applied Materials, Inc. High temperature process chamber lid
US10879090B2 (en) 2013-03-11 2020-12-29 Applied Materials, Inc. High temperature process chamber lid

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100128864A (en) 2010-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI465599B (en) Atomic layer deposition apparatus
KR101135853B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
JP5280964B2 (en) Film forming apparatus, substrate processing apparatus, film forming method, and storage medium
JP5527197B2 (en) Deposition equipment
JP4540953B2 (en) Substrate heating apparatus and multi-chamber substrate processing apparatus
KR100779118B1 (en) Display Panel Manufacturing System
US20160013086A1 (en) Substrate processing device
US20120225195A1 (en) Atomic Layer Deposition Carousel With Continuous Rotation And Methods Of Use
KR101786167B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010087467A (en) Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and recording medium with recorded program for implementing the film deposition method
WO2007043478A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI759485B (en) Vacuum transfer module and substrate processing device
US8052887B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2011029441A (en) Device and method for treating substrate
KR20170036348A (en) The system for depositing a atomic layer
CN105887047A (en) Substrate Holding Mechanism And Substrate Processing Apparatus Using The Same
KR20120048879A (en) Semi-batch type atomic layer deposition apparatus having clamp ring
KR101000219B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
KR101388226B1 (en) Atomic layer deposition apparatus to detect deformation of susceptor
KR101028409B1 (en) Semi-batch type process module and atomic layer deposition apparatus having the same
TW202044352A (en) Reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
KR101677133B1 (en) Boat and cluster equipment, substrate treating apparatus of furnace type including the same
KR100994287B1 (en) Susceptor and atomic layer deposition apparatus having the susceptor
KR101168148B1 (en) Ald for manufacturing solar-cell
KR20120046864A (en) Gas distribution unit having oval path and upright type deposition apparatus having the gas distribution unit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160404

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170417

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190328

Year of fee payment: 8