KR101135273B1 - Wafer polishing apparatus - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 연마장치가 개시된다. 웨이퍼 연마장치는 웨이퍼에 대하여 상대 회전하는 드럼; 및 상기 드럼에 부착되며, 상기 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하는 패드를 포함하며, 상기 패드는 다수 개의 홈들을 포함한다.A wafer polishing apparatus is disclosed. The wafer polishing apparatus includes a drum that rotates relative to the wafer; And a pad attached to the drum and in direct contact with the edge of the wafer, wherein the pad includes a plurality of grooves.

Description

웨이퍼 연마장치{WAFER POLISHING APPARATUS}Wafer Polishing Machine {WAFER POLISHING APPARATUS}

실시예는 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer polishing apparatus.

실리콘 단결정 등 반도체 소재를 원재료로 한 IC, LSI 또는 초LSI 등의 전자부품은, 실리콘 또는 그 밖의 화합물 반도체의 단결정 잉곳(ingot)을 얇은 원판상으로 슬라이스한 웨이퍼에, 섬세한 전기 회로를 기입 분할한 소편상의 반도체 소자칩에 기초하여 제조되는 것이다. 잉곳으로부터 슬라이스된 애즈컷트웨이퍼(as cut wafer)는 래핑, 에칭, 더 나아가서는 연마라는 공정을 거쳐, 적어도 그 편면이 거울면으로 마무리된 거울면 웨이퍼로 가공되어진다. 웨이퍼는, 그 후의 디바이스공정에서 그 거울면 마무리된 표면에 미세한 전기 회로가 기입되어지는 것이지만, 반도체 소자칩으로 분할되기까지는 웨이퍼는 최초의 원판상의 형상을 유지한 채 가공되는 것으로, 각 가공 공정 사이에는 세척, 건조, 반송 등의 조작이 들어간다. 그 동안 웨이퍼의 외주 측면 에지의 형상이 깍여진 채로 또한 미가공의 거친 상태의 면이면, 그것이 각 공정 중에 장치나 타 물체와 접촉하여 미소파괴가 일어나 미세 입자가 발생하거나, 그 거친 상태의 면 속에 오염 입자를 끌어 넣어, 그 후의 공정에서 그것이 산일(散逸)되어 정밀가공을 실시한 면을 오염시켜, 제품의 생산수율이나 품질에 큰 영향을 주는 경우가 많다. 이를 방지하기 위해, 웨이퍼 가공의 초기 단계에서 에지 부분의 모따기(beveling)를 행하고 또한 그 부분을 거울면 마무리(에지 연마) 하는 것이 일반적으로 행해지고 있다.Electronic components such as IC, LSI, or ultra-LSI based on semiconductor materials such as silicon single crystals are formed by dividing delicate electric circuits into wafers in which single crystal ingots of silicon or other compound semiconductors are sliced into thin discs. It is manufactured based on a small piece of semiconductor device chip. An as cut wafer sliced from an ingot is processed into a mirror surface wafer having at least one surface finished with a mirror surface through a process of lapping, etching and further polishing. In the subsequent device process, a fine electric circuit is written on the mirror-finished surface in a subsequent device process, but the wafer is processed while maintaining the original disc shape until divided into semiconductor device chips. Operation, such as washing, drying, and conveyance, enters. In the meantime, if the shape of the outer peripheral side edge of the wafer is shaved and is a rough surface, it is in contact with a device or other object during each process, and microdestructive occurs due to fine particles, or contaminated in the rough surface. In many cases, the particles are attracted and dissipated in the subsequent process to contaminate the surface subjected to the precision processing, which greatly affects the production yield and quality of the product. In order to prevent this, it is generally carried out to chamfer the edge portion in the initial stage of wafer processing and to mirror finish (edge polishing) the portion.

상술한 에지 연마는 일반적으로는 회전 가능한 드럼 표면에, 합성 수지 발포체, 부직포, 부직포의 수지 가공품, 합성 피혁 또는 이들의 복합품 또는 합성 피혁 등으로 되는 연마기를 부착한 연마 가공기에, 공작물인 모따기(beveling)를 실시한 실리콘 웨이퍼 등의 에지 부분을 회전시키면서 일정한 각도의 경사로 누르고, 콜로이드질 실리카를 주성분으로 한 연마용 조성물 용액을 공급하면서, 에지 부분의 연마 가공을 행하는 방법으로 행해진다.The above-mentioned edge grinding is generally a polishing machine having a polishing machine made of a synthetic resin foam, a nonwoven fabric, a non-woven resin processed product, a synthetic leather or a composite or synthetic leather thereof, or the like on a rotatable drum surface. It is performed by the method of performing the grinding | polishing process of an edge part, pressing at the inclination of a fixed angle, rotating the edge part, such as a beveling), and supplying the polishing composition solution which mainly contains colloidal silica.

실시예는 웨이퍼를 효율적으로 연마하는 웨이퍼 연마장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a wafer polishing apparatus for efficiently polishing a wafer.

실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 웨이퍼에 대하여 상대 회전하는 드럼; 및 상기 드럼에 부착되며, 상기 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하는 패드를 포함하며, 상기 패드는 다수 개의 홈들을 포함한다.Wafer polishing apparatus according to the embodiment includes a drum that rotates relative to the wafer; And a pad attached to the drum and in direct contact with the edge of the wafer, wherein the pad includes a plurality of grooves.

실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 웨이퍼 및 패드 사이의 마찰에 의해서, 웨이퍼를 연마한다. 이때, 패드는 다수 개의 홈들을 포함하고, 이에 따라서, 패드의 마찰계수가 상승하고, 패드는 웨이퍼를 효율적으로 연마할 수 있다.The wafer polishing apparatus according to the embodiment polishes the wafer by friction between the wafer and the pad. In this case, the pad includes a plurality of grooves, and accordingly, the coefficient of friction of the pad increases, and the pad can efficiently polish the wafer.

특히, 홈들이 웨이퍼의 회전축과 같은 방향으로 연장되는 형상을 가지는 경우, 패드는 위치와 상관없이 균일하게 웨이퍼의 에지부를 연마할 수 있다.In particular, when the grooves have a shape extending in the same direction as the rotation axis of the wafer, the pad can polish the edge of the wafer uniformly regardless of the position.

또한, 홈들에 의해서, 슬러리와 같은 연마액이 웨이퍼의 에지부에 효율적으로 공급될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 웨이퍼를 효율적으로 연마할 수 있다.Also, by the grooves, a polishing liquid such as a slurry can be efficiently supplied to the edge portion of the wafer. Therefore, the wafer polishing apparatus according to the embodiment can polish the wafer efficiently.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 회전 드럼을 도시한 사시도이다.
도 3은 웨이퍼가 패드에 의해서 연마되는 과정을 도시한 도면이다.
도 4는 패드를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 6은 실험예 및 비교예에 따른 웨이퍼의 연마량을 도시한 그래프이다.
도 7은 실험예 및 비교예에 따른 웨이퍼의 거칠기를 도시한 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing a wafer edge polishing apparatus according to the embodiment.
2 is a perspective view of a rotating drum.
3 is a view illustrating a process in which a wafer is polished by a pad.
4 is a plan view of the pad.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4.
6 is a graph showing the polishing amount of a wafer according to an experimental example and a comparative example.
7 is a graph showing roughness of wafers according to Experimental and Comparative Examples.

실시 예의 설명에 있어서, 각 부, 척, 웨이퍼 및 패드 등이 각 부, 척, 웨이퍼 및 패드 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, in the case where each part, the chuck, the wafer and the pad and the like are described as being formed "on" or "under" of the respective part, the chuck, the wafer and the pad, "On" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치를 도시한 단면도이다. 도 2는 회전 드럼을 도시한 사시도이다. 도 3은 웨이퍼가 패드에 의해서 연마되는 과정을 도시한 도면이다. 도 4는 패드를 도시한 평면도이다. 도 5는 도 4에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a wafer edge polishing apparatus according to the embodiment. 2 is a perspective view of a rotating drum. 3 is a view illustrating a process in which a wafer is polished by a pad. 4 is a plan view of the pad. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 4.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치는 웨이퍼 회동부(10), 회전 드럼(30) 및 연마 패드(50)를 포함한다.1 to 5, the wafer edge polishing apparatus according to the embodiment includes a wafer pivot 10, a rotating drum 30, and a polishing pad 50.

상기 웨이퍼 회동부(10)는 웨이퍼(W)를 흡착시켜서 회전시킨다. 상기 웨이퍼 회동부(10)는 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 웨이퍼 회동부(10)는 웨이퍼 척(11)을 포함한다. 상기 웨이퍼 척(11)은 상기 웨이퍼(W)를 지지하며, 상면에 상기 웨이퍼(W)를 흡착한다. 상기 웨이퍼 척(11)의 상면에는 상기 웨이퍼(W)에 진공압을 인가할 수 있는 홀이 형성된다.The wafer rotating unit 10 sucks and rotates the wafer (W). The wafer rotating unit 10 supports the wafer (W). The wafer pivot 10 includes a wafer chuck 11. The wafer chuck 11 supports the wafer W and adsorbs the wafer W on an upper surface thereof. The upper surface of the wafer chuck 11 is formed with a hole for applying a vacuum pressure to the wafer (W).

상기 웨이퍼 척(11)은 회전 샤프트(12)에 고정되고, 상기 회전 샤프트(12)는 지지대(13)에 고정되는 받침대들(14)을 이용하여 회전 가능하도록 지지된다. 또한, 회전 샤프트(12)에는 상기 웨이퍼 척(11)에 진공압을 인가하기 위한 진공로(15)가 형성되어 있다.The wafer chuck 11 is fixed to the rotary shaft 12, and the rotary shaft 12 is rotatably supported using pedestals 14 fixed to the support 13. In addition, the rotary shaft 12 is formed with a vacuum path 15 for applying a vacuum pressure to the wafer chuck 11.

또한, 상기 회전 샤프트(12)를 구동하기 위해서, 상기 지지대(13)의 아래에는 전동 모터(16)가 장착되어, 상기 웨이퍼(W)의 회전 수단으로 제공된다. 상기 전동 모터(16)의 주축(17)에 고정되는 기어(18)는 상기 회전 샤프트(12)에 고정되는 기어(19)에 맞물린다. 이에 따라서, 상기 전동 모터(16)에 의해서, 상기 회전 샤프트(12)를 통하여, 상기 웨이퍼 척(11)은 상기 웨이퍼(W)를 회전축(O1)을 중심으로 회전 구동시킨다.In addition, in order to drive the rotary shaft 12, an electric motor 16 is mounted below the support 13 to serve as a rotation means of the wafer W. The gear 18 fixed to the main shaft 17 of the electric motor 16 meshes with the gear 19 fixed to the rotary shaft 12. Accordingly, the wafer chuck 11 rotates the wafer W about the rotation axis O1 by the electric motor 16 via the rotation shaft 12.

또한, 상기 지지대(13)에는 다수 개의 구동 로드들(21)이 장착되고, 각각의 구동 로드(21)는 상기 지지대(13)의 하방으로 돌출된다. 상기 구동 로드(21)의 하단부는 구동판(22)에 고정된다. 상기 구동판(22)에 설치되는 너트(23)는 볼 스크류(25)와 나사 결합된다. 상기 볼 스크류(25)는 축 방향으로 왕복 이송 수단인 전동 모터(24)의 주축에 의해서 회전 구동된다. 상기 볼 스크류(25)에 의해서, 상기 구동 로드(21)는 상기 웨이퍼 척(11)을 상하 방향으로 왕복 이송시킨다. 즉, 상기 구동 로드(21)는 상기 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 왕복 이송시킬 수 있다.In addition, a plurality of driving rods 21 are mounted on the support 13, and each of the driving rods 21 protrudes below the support 13. The lower end of the driving rod 21 is fixed to the driving plate 22. The nut 23 installed on the driving plate 22 is screwed with the ball screw 25. The ball screw 25 is rotationally driven by the main shaft of the electric motor 24 which is a reciprocating means in the axial direction. By the ball screw 25, the driving rod 21 reciprocates the wafer chuck 11 in the vertical direction. That is, the driving rod 21 may reciprocate the wafer W in the vertical direction.

상기 회전 드럼(30)은 상기 웨이퍼 회동부(10) 상에 배치된다. 상기 회전 드럼(30)은 상기 웨이퍼(W)에 대하여 상대 회전한다. 상기 회전 드럼(30)은 위쪽에 배치되는 주회전체(31) 및 아래 쪽에 배치되는 부회전체(32)를 포함한다.The rotating drum 30 is disposed on the wafer pivot 10. The rotary drum 30 is rotated relative to the wafer (W). The rotary drum 30 includes a main rotating body 31 disposed above and a sub rotating body 32 disposed below.

상기 주회전체(31) 및 상기 부회전체(32)는 서로 평행하게 배치되고, 다수 개의 연결 로드(330에 의해서 연결된다. 또한, 상기 주회전체(31) 및 상기 부회전체(32) 사이에는 상기 웨이퍼(W)를 연마하기 위한 공간(34)이 형성된다. 또한, 상기 주회전체(31)는 원판 형상을 가지며, 상기 부회전체(32)는 링 형상을 가질 수 있다.The main rotating body 31 and the sub rotating body 32 are arranged in parallel with each other and connected by a plurality of connecting rods 330. Further, the wafer is between the main rotating body 31 and the sub rotating body 32. A space 34 for grinding (W) is formed, and the main rotating body 31 may have a disk shape, and the sub rotating body 32 may have a ring shape.

상기 주회전체(31)는 지지통(37)에 의해서 회전 가능하도록 지지되는 중공 샤프트(38)에 장착되고, 상기 중공 샤프트(38)는 전동 모터(26)의 회전에 따라서, 회전축(O2)을 중심으로 회전 구동된다. 상기 전동 모터(26)의 회전을 상기 중공 샤프트(38)에 전달하기 위해서, 상기 전동 모터(26)의 주축에 고정되는 풀리(27) 및 중공 샤프트(38)에 고정되는 풀리(28)는 벨트에 의해서 연결된다.The main rotating body 31 is mounted to the hollow shaft 38 which is rotatably supported by the support cylinder 37, the hollow shaft 38, the rotation shaft O2 in accordance with the rotation of the electric motor 26, Rotationally driven around the center. In order to transmit the rotation of the electric motor 26 to the hollow shaft 38, pulleys 27 fixed to the main shaft of the electric motor 26 and pulleys 28 fixed to the hollow shaft 38 are belts. Connected by

상기 중공 샤프트(38)의 내부에는 슬러리를 공급하기 위한 공급관(29)이 형성되고, 상기 공급관(29)을 통하여, 상기 웨이퍼(W)의 상면에 슬러리가 공급된다.A supply pipe 29 for supplying a slurry is formed in the hollow shaft 38, and the slurry is supplied to the upper surface of the wafer W through the supply pipe 29.

또한, 상기 주회전체(31)에는 제 1 연마 암(41)이 설치된다. 상기 제 1 연마 암(41)은 상기 회전 드럼(30)이 회전할 때, 원심력에 의해서, 상기 연마 패드(50)를 상기 회전 드럼(30)의 안쪽으로 압박한다. 더 자세하게, 상기 제 1 연마 암(41)의 일 단부에는 저울 추가 장착되고, 타 단부에는 상기 연마 패드(50)가 장착된다. 또한, 상기 제 1 연마 암(41)이 힌지 회전하도록, 상기 제 1 연마 암(41)의 중간 부분이 상기 주회전체(31)에 고정될 수 있다.In addition, the main rotating body 31 is provided with a first polishing arm 41. When the rotating drum 30 rotates, the first polishing arm 41 presses the polishing pad 50 into the rotating drum 30 by centrifugal force. In more detail, a scale is additionally mounted at one end of the first polishing arm 41 and the polishing pad 50 is mounted at the other end. In addition, an intermediate portion of the first polishing arm 41 may be fixed to the main rotating body 31 so that the first polishing arm 41 hinges.

이에 따라서, 상기 회전 드럼(30)이 회전함에 따라서, 상기 저울추는 바깥쪽으로 원심력을 받고, 상기 제 1 연마 암(41)은 힌지 회전을 한다. 이에 따라서, 상기 연마 패드(50)는 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)에 압력을 가할 수 있다.Accordingly, as the rotary drum 30 rotates, the balance weight is subjected to centrifugal force outward, and the first polishing arm 41 is hinged. Accordingly, the polishing pad 50 may apply pressure to the edge portion E of the wafer W.

또한, 상기 부회전체(32)에는 제 2 연마 암(42)이 설치된다. 상기 제 2 연마 암(42)은 상기 회전 드럼(30)이 회전할 때, 원심력에 의해서, 상기 연마 패드(50)를 상기 회전 드럼(30)의 안쪽으로 압박한다. 더 자세하게, 상기 제 2 연마 암(42)의 일 단부에는 저울 추가 장착되고, 타 단부에는 상기 연마 패드(50)가 장착된다. 또한, 상기 제 2 연마 암(42)이 힌지 회전하도록, 상기 제 2 연마 암(42)의 중간 부분이 상기 주회전체(31)에 고정될 수 있다.In addition, the secondary rotating body 32 is provided with a second polishing arm 42. When the rotating drum 30 rotates, the second polishing arm 42 presses the polishing pad 50 into the rotating drum 30 by centrifugal force. In more detail, a scale is additionally mounted at one end of the second polishing arm 42 and the polishing pad 50 is mounted at the other end. In addition, an intermediate portion of the second polishing arm 42 may be fixed to the main rotating body 31 so that the second polishing arm 42 hinges.

이에 따라서, 상기 회전 드럼(30)이 회전함에 따라서, 상기 저울추는 바깥쪽으로 원심력을 받고, 상기 제 2 연마 암(42)은 힌지 회전을 한다. 이에 따라서, 상기 연마 패드(50)는 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)에 압력을 가할 수 있다.Accordingly, as the rotary drum 30 rotates, the balance weight is subjected to centrifugal force outward, and the second polishing arm 42 makes hinge rotation. Accordingly, the polishing pad 50 may apply pressure to the edge portion E of the wafer W.

상기 연마 패드(50)는 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)에 설치된다. 더 자세하게, 상기 연마 패드(50)는 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)을 통하여, 상기 회전 드럼(30)에 부착된다.The polishing pad 50 is installed on the first polishing arm 41 and the second polishing arm 42. In more detail, the polishing pad 50 is attached to the rotating drum 30 via the first polishing arm 41 and the second polishing arm 42.

이에 따라서, 상기 연마 패드(50)는 상기 회전 드럼(30)이 회전함에 따라서, 함께 회전하고, 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)의 힌지 회전에 의해서, 상기 웨이퍼(W)와 직접 접촉한다.Accordingly, the polishing pad 50 rotates together as the rotary drum 30 rotates, and the wafer is rotated by the hinge rotation of the first polishing arm 41 and the second polishing arm 42. Direct contact with (W).

상기 연마 패드(50)는 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)에 직접 부착될 수 있으나, 지지 패드와 결합되어 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)에 부착될 수 있다. 즉, 상기 연마 패드(50)는 상기 지지 패드에 결합되고, 상기 지지 패드가 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)에 직접 설치될 수 있다. 싱기 지지 패드는 상기 연마 패드(50)을 지지할 수 있도록 충분한 강성을 가질 수 있다.The polishing pad 50 may be directly attached to the first polishing arm 41 and the second polishing arm 42, but may be combined with a support pad to bond the first polishing arm 41 and the second polishing arm. And may be attached to 42. That is, the polishing pad 50 may be coupled to the support pad, and the support pad may be directly installed on the first polishing arm 41 and the second polishing arm 42. The singer support pad may have sufficient rigidity to support the polishing pad 50.

상기 연마 패드(50)는 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)에 접촉한다. 더 자세하게, 상기 연마 패드(50)는 상기 웨이퍼(W)의 외주면에 직접 접촉한다. 즉, 상기 회전 드럼(30)의 회전에 의한 원심력에 의해서, 상기 제 1 연마 암(41) 및 상기 제 2 연마 암(42)은 힌지 회전되고, 이에 따라서, 상기 연마 패드(50)는 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)에 직접 접촉하여 압력을 가한다.The polishing pad 50 is in contact with the edge portion E of the wafer W. In more detail, the polishing pad 50 is in direct contact with the outer circumferential surface of the wafer (W). That is, by the centrifugal force by the rotation of the rotary drum 30, the first polishing arm 41 and the second polishing arm 42 are hingedly rotated, whereby the polishing pad 50 is the wafer Pressure is applied by directly contacting the edge portion E of (W).

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 연마 패드(50)는 다수 개의 홈들(51)을 포함한다. 상기 홈들(51)은 상기 웨이퍼(W)와 상기 연마 패드(50)가 서로 접촉하는 면에 형성된다. 예를 들어, 부직포 및 우레탄을 포함하는 패드가 다이아몬드 휠 등에 의해서 절삭되어, 상기 홈들(51)이 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 연마 패드(50)가 형성된다.As shown in FIGS. 3 to 5, the polishing pad 50 includes a plurality of grooves 51. The grooves 51 are formed on a surface where the wafer W and the polishing pad 50 contact each other. For example, a pad including a nonwoven fabric and urethane may be cut by a diamond wheel or the like to form the grooves 51. Accordingly, the polishing pad 50 is formed.

상기 홈들(51)은 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 홈들(51)은 서로 나란히 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 홈들(51)은 상기 웨이퍼(W)의 회전축(O1)과 같은 방향으로 연장될 수 있다.The grooves 51 may have a shape extending in one direction. The grooves 51 may be formed in parallel with each other. For example, the grooves 51 may extend in the same direction as the rotation axis O1 of the wafer W.

또한, 상기 홈들(51)은 상기 웨이퍼(W)의 상면 및 상기 웨이퍼(W)의 하면과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다. 상기 홈들(51)이 연장되는 방향과 상기 웨이퍼(W)의 상면 사이의 교차 각도는 약 70° 내지 약 90°일 수 있다. 예를 들어, 상기 홈들(51)은 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)와 서로 직교할 수 있다.In addition, the grooves 51 may extend in a direction crossing the upper surface of the wafer W and the lower surface of the wafer W. FIG. An intersection angle between a direction in which the grooves 51 extend and an upper surface of the wafer W may be about 70 ° to about 90 °. For example, the grooves 51 may be perpendicular to the edge portion E of the wafer W.

상기 홈들(51)의 피치(P)는 약 7㎜ 내지 약 13㎜일 수 있으며, 상기 홈들(51)의 폭(S)은 약 0.8㎜ 내지 약 1.2㎜일 수 있다. 또한, 상기 홈들(51)의 깊이(D)는 약 0.5㎜ 내지 약 1.5㎜일 수 있다. 더 자세하게, 상기 홈들(51)의 깊이(D)는 약 0.5㎜ 내지 0.75㎜일 수 있다.The pitch P of the grooves 51 may be about 7 mm to about 13 mm, and the width S of the grooves 51 may be about 0.8 mm to about 1.2 mm. In addition, the depth D of the grooves 51 may be about 0.5 mm to about 1.5 mm. In more detail, the depth D of the grooves 51 may be about 0.5 mm to 0.75 mm.

상기 연마 패드(50)의 두께(T)는 약 1.5㎜ 내지 약 3㎜일 수 있다. 이때, 상기 홈들(51)의 깊이(D)는 상기 연마 패드(50)의 두께(T)의 약 1/3 내지 약 1/2일 수 있다.The thickness T of the polishing pad 50 may be about 1.5 mm to about 3 mm. In this case, the depth D of the grooves 51 may be about 1/3 to about 1/2 of the thickness T of the polishing pad 50.

상기 연마 패드(50)는 탄성을 가진다. 즉, 상기 연마 패드(50)는 플렉서블할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)가 연마될 때, 상기 홈들(51)의 내측면(52)과 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)가 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 홈들(51)의 바닥면(54)과 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)가 직접 접촉할 수 있다.The polishing pad 50 is elastic. That is, the polishing pad 50 may be flexible. Therefore, when the edge portion E of the wafer W is polished, the inner surface 52 of the grooves 51 and the edge portion E of the wafer W may directly contact each other. In addition, the bottom surface 54 of the grooves 51 and the edge portion E of the wafer W may directly contact each other.

이에 따라서, 상기 연마 패드(50)의 상면(53), 상기 홈들(51)의 내측면(52) 및 상기 홈들(51)의 바닥면(54)이 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 연마하는 속도가 다를 수 있다. 즉, 상기 연마 패드(50)의 상면(53)은 상기 홈들(51)의 내측면(52)과 다른 방향으로 연장되고, 상기 홈들(51)의 바닥면(54)과 단차를 이루기 때문에, 상기 연마 패드(50)의 상면(53), 상기 홈들(51)의 내측면(52) 및 상기 홈들(51)의 바닥면(54)은 서로 다른 속도로 회전한다. 이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)와 상기 연마 패드(50)의 상면(53), 상기 홈들(51)의 내측면(52) 및 상기 홈들(51)의 바닥면(54) 사이의 상대 속도는 서로 다르고, 연마 속도도 서로 다를 수 있다.Accordingly, the top surface 53 of the polishing pad 50, the inner surface 52 of the grooves 51, and the bottom surface 54 of the grooves 51 are edge portions E of the wafer W. The speed of grinding may vary. That is, since the upper surface 53 of the polishing pad 50 extends in a direction different from the inner surface 52 of the grooves 51 and forms a step with the bottom surface 54 of the grooves 51, The top surface 53 of the polishing pad 50, the inner surface 52 of the grooves 51 and the bottom surface 54 of the grooves 51 rotate at different speeds. Accordingly, the edge portion E of the wafer W, the top surface 53 of the polishing pad 50, the inner surface 52 of the grooves 51, and the bottom surface 54 of the grooves 51. The relative speeds between the two are different, and the polishing speed may also be different.

특히, 상기 홈들(51)에 의해서, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)는 정지 마찰력에 의해서 연마될 수 있다. 즉, 상기 홈들(51)에 의해서, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E) 및 상기 연마 패드(50) 사이의 마찰력이 증가될 수 있다.In particular, by the grooves 51, the edge portion E of the wafer W may be polished by a static frictional force. That is, the friction force between the edge portion E of the wafer W and the polishing pad 50 may be increased by the grooves 51.

이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)는 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 의해서 효율적으로 연마될 수 있다.Accordingly, the edge portion E of the wafer W can be efficiently polished by the wafer edge polishing apparatus according to the embodiment.

또한, 상기 홈들(51)은 상기 웨이퍼(W)가 연장되는 방향과 교차하는 방향, 즉, 상기 웨이퍼(W)의 상면과 교차하는 방향으로 연장된다.In addition, the grooves 51 extend in a direction crossing the direction in which the wafer W extends, that is, in a direction crossing the top surface of the wafer W. As shown in FIG.

이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)의 상에 분사되는 슬러리는 상기 홈들(51)을 통하여, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 지나서, 상기 웨이퍼(W) 아래로 용이하게 흐를 수 있다. 즉, 상기 슬러리는 상기 홈들(51)을 통하여, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)에 용이하게 공급될 수 있다.Accordingly, the slurry injected onto the wafer W may easily flow down the wafer W through the grooves 51, past the edge portion E of the wafer W. That is, the slurry may be easily supplied to the edge portion E of the wafer W through the grooves 51.

따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치는 상기 홈들(51)에 의해서, 상기 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 용이하게 연마할 수 있다.Therefore, the wafer edge polishing apparatus according to the embodiment can easily polish the edge portion E of the wafer W by the grooves 51.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

실험예Experimental Example

부직포 및 우레탄을 포함하는 패드에 폭 1㎜, 피치 10㎜, 깊이 0.5㎜의 홈들을 같은 방향으로 서로 나란히 연장되도록 형성하여, 연마 패드#1을 형성하였다. 이후, 상기 연마 패드#1을 회전 드럼에 설치하고, 웨이퍼의 에지부를 연마하였다. 이때, 상기 회전 드럼은 900RPM으로 회전하고, 상기 웨이퍼는 40RPM으로 회전하였다. 이때, 슬러리는 2.5L/min으로 공급되었다. 상기 웨이퍼는 약 1분 동안 연마되었고, 이에 대한 결과는 도 7 및 도 8에 도시된다.In the pad including the nonwoven fabric and urethane, grooves having a width of 1 mm, a pitch of 10 mm, and a depth of 0.5 mm were formed to extend side by side in the same direction, thereby forming polishing pad # 1. Thereafter, the polishing pad # 1 was installed in a rotating drum, and the edge portion of the wafer was polished. At this time, the rotating drum was rotated at 900RPM, the wafer was rotated at 40RPM. At this time, the slurry was supplied at 2.5 L / min. The wafer was polished for about 1 minute and the results are shown in FIGS. 7 and 8.

비교예Comparative example

실험예와 동일한 부직포 및 우레탄을 포함하는 패드에 홈들을 따로 형성하지 않았다. 나머지 조건들은 실험예와 동일하다. 이에 대한 결과는 도 7 및 도 8에 도시된다.Grooves were not separately formed in a pad including the same nonwoven fabric and urethane as in the experimental example. The remaining conditions are the same as the experimental example. The results for this are shown in FIGS. 7 and 8.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 연마 패드에 홈들이 형성된 경우, 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치는 홈들이 형성되지 않는 경우보다, 더 향상된 연마 속도 및 평탄도를 가진다.As shown in Figs. 7 and 8, when grooves are formed in the polishing pad, the wafer edge polishing apparatus according to the embodiment has more improved polishing speed and flatness than when grooves are not formed.

Claims (7)

웨이퍼에 대하여 상대 회전하는 드럼; 및
상기 드럼에 부착되며, 상기 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하는 패드를 포함하며,
상기 패드는 다수 개의 홈들을 포함하고,
상기 홈들은 상기 웨이퍼의 상면과 교차하는 방향으로 연장되는 형상을 가지고,
상기 홈들은 서로 나란히 연장되고,
상기 홈들이 연장되는 방향 및 상기 웨이퍼의 상면 사이의 교차 각도는 70° 내지 90°인 웨이퍼 연마장치.A drum rotating relative to the wafer; And
A pad attached to the drum and in direct contact with an edge of the wafer,
The pad includes a plurality of grooves,
The grooves have a shape extending in a direction crossing the upper surface of the wafer,
The grooves extend next to each other,
And a crossing angle between a direction in which the grooves extend and an upper surface of the wafer is 70 ° to 90 °. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 회전축을 중심으로 회전하며, 상기 홈들은 상기 회전축과 같은 방향으로 연장되는 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus of claim 1, wherein the wafer rotates about a rotation axis, and the grooves extend in the same direction as the rotation axis. 제 1 항에 있어서, 상기 홈들의 피치는 7㎜ 내지 13㎜이며, 상기 홈들의 폭은 0.8㎜ 내지 1.2㎜이며, 상기 홈들의 깊이는 0.5㎜ 내지 1.5㎜인 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the grooves have a pitch of 7 mm to 13 mm, the grooves have a width of 0.8 mm to 1.2 mm, and the grooves have a depth of 0.5 mm to 1.5 mm. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 드럼 내측에 배치되는 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus of claim 1, wherein the wafer is disposed inside the drum. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상면에 슬러리를 분사하는 공급관을 포함하는 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus according to claim 1, further comprising a supply pipe for injecting a slurry onto an upper surface of the wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 홈들은 서로 나란히 배치되는 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the grooves are arranged next to each other.
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