KR101128499B1 - 고밀도 산화아연 타겟 및 투명도전막의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는, 본 발명의 실시예 2에 의해 제조된 소결 밀도 5.69g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 X선 회절 분석기로 분석한 2차상이 존재하지 않는 결정구조를 나타내는 도면이다.
도 3은, 본 발명의 비교예 3에 의해 제조된 소결 밀도 5.66g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 X선 회절 분석기로 분석한 ZnGaO4 의 2차상이 잔존하는 결정구조를 나타내는 도면이다.
도 4는, 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 소결 밀도 5.72g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 직류 마그네트론 스퍼터링 장비에 장착하여 제조한 박막을 X선 회절 분석기로 박막의 표면을 관찰한 도면이다.
도 5는, 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 소결 밀도 5.72g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 직류 마그네트론 스퍼터링 장비에 장착하여 박막을 제조한 후 주사전자현미경으로 박막의 표면을 관찰한 도면이다.
Claims (8)
- 산화 갈륨 분말과 산화 알루미늄 분말, 산화 인듐 분말, 금속 이온이 2가의 원자가를 갖는 M(Ca, Sr, Ba)으로 특정지어지는 산화물이 (M+Al+Ga+In)/(M+Zn +Al+Ga+In) 원자수 비로 0.5~25원자%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 소결체.
- 제 1항에 있어서,
상기 소결체에 첨가된 산화물은 불화물 형태로 동일 원자수 비로 첨가되어 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 소결체. - 제 1항 또는 제 2항에 기재된 소결체에 첨가된 산화물로 제조된 타겟을 스퍼터링 장치에 장착하여 제작된 내습성 특성이 있는 것을 특징으로 하는 투명도전막.
- 제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 Power density 0.9~3.6 w/cm2에서 증착되는 것을 특징으로 하는 투명도전막. - 제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 400~800nm 파장에서 막 자체 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막. - 제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 제작 시 기판온도가 상온부터 250도에서 성막한 것을 특징으로 하는 투명도전막. - 제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 제작 시 Working Pressure 조건이 0.2~1.0 Pa 분위기에서 성막한 것을 특징으로 하는 투명도전막. - 제 3항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명도전막은 유리 또는 플라스틱제의 투명기판인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101409543B1 (ko) | 2012-05-23 | 2014-06-19 | 인베스트세라텍(주) | 칼슘 첨가 azo 소결체, 스퍼터링용 타겟, 칼슘 첨가 도전막이 성막된 기판 및 기판의 성막 방법 |
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JPH06290641A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Asahi Glass Co Ltd | 非晶質透明導電膜 |
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2011
- 2011-10-25 KR KR1020110109512A patent/KR101128499B1/ko active IP Right Grant
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