KR101119780B1 - Plasma enhanced chemical vapor deposition device - Google Patents

Plasma enhanced chemical vapor deposition device Download PDF

Info

Publication number
KR101119780B1
KR101119780B1 KR1020050058926A KR20050058926A KR101119780B1 KR 101119780 B1 KR101119780 B1 KR 101119780B1 KR 1020050058926 A KR1020050058926 A KR 1020050058926A KR 20050058926 A KR20050058926 A KR 20050058926A KR 101119780 B1 KR101119780 B1 KR 101119780B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
shadow frame
alignment
substrate
ball
Prior art date
Application number
KR1020050058926A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070003172A (en
Inventor
이제훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020050058926A priority Critical patent/KR101119780B1/en
Publication of KR20070003172A publication Critical patent/KR20070003172A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101119780B1 publication Critical patent/KR101119780B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 화학증착장치는 섀도우프레임과 서셉터의 오정렬에 의한 증착불량을 방지하기 위한 것으로, 반응가스가 충진된 챔버와, 상기 챔버에 장착된 디퓨저와, 상기 디퓨저와 대향하며 기판이 놓이는 서셉터와, 상기 서셉터 위에 위치하여 기판의 외곽영역을 차단하는 섀도우프레임으로 구성되며, 상기 섀도우프레임에는 얼라인볼이 형성되고 서셉터에는 얼라인홈이 형성되어 상기 얼라인볼이 얼라인홈에 삽입되어 섀도우프레임과 서셉터를 고정시키는 것을 특징으로 한다.Plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention for preventing deposition failure due to misalignment of the shadow frame and the susceptor, the chamber filled with the reaction gas, the diffuser mounted to the chamber, the diffuser is opposed to the substrate placed And a shadow frame positioned on the susceptor and blocking an outer region of the substrate, wherein the shadow frame is formed with an aligning ball and a susceptor with an aligning groove. It is inserted into and characterized in that to fix the shadow frame and the susceptor.

플라즈마, 화학증착, 서셉터, 섀도우프레임, 얼라인볼, 얼라인홈 Plasma, Chemical Vapor Deposition, Susceptor, Shadow Frame, Align Ball, Align Groove

Description

플라즈마 화학증착장치{PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE}Plasma Chemical Vapor Deposition Device {PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE}

도 1은 종래 플라즈마 화학증착장치의 구조를 나타내는 도면.1 is a view showing the structure of a conventional plasma chemical vapor deposition apparatus.

도 2는 도 1의 A영역 확대 평면도.FIG. 2 is an enlarged plan view of region A of FIG. 1; FIG.

도 3a～도 3c는 도 2의 A영역 확대 단면도로서, 서셉터의 이동위치에 따른 단계별로 도시한 도면.3A to 3C are enlarged cross-sectional views of region A of FIG. 2, and are shown step by step according to the movement position of the susceptor.

도 4는 종래 플라즈마 화학증착장치에서 섀도우프레임과 서셉터가 오정렬된 것을 나타내는 부분 확대 단면도.Figure 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing that the shadow frame and the susceptor is misaligned in the conventional plasma chemical vapor deposition apparatus.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 화학증착장치의 구조를 나타내는 도면.5 is a view showing the structure of the plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 플라즈마 화학증착장치에서 섀도우프레임과 서셉터를 정렬하는 것을 나타내는 확대단면도로서, 도 6a는 섀도우프레임과 서셉터가 분리된 것을 나타내는 도면이고 도 6b는 섀도우프레임과 서셉터가 고정된 것을 나타내는 도면.6A and 6B are enlarged cross-sectional views illustrating aligning a shadow frame and a susceptor in a plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 6A is a view showing that the shadow frame and the susceptor are separated, and FIG. Figure showing that the susceptor is fixed.

도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 화학증착장치에서 부싱에 삽입된 얼라인볼을 나타내는 도면.7 is a view showing an alignment ball inserted into the bushing in the plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

118 : 기판 120 : 서셉터118: substrate 120: susceptor

130 : 섀도우프레임 132 : 가이드핀130: shadow frame 132: guide pin

156 : 얼라인볼 160 : 얼라인홈156: Align Ball 160: Align Home

162 : 부싱 164 : 롤러162: bushing 164: roller

168 : 볼트168: Bolt

본 발명은 플라즈마 화학증착장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Device)에 관한 것으로, 특히 섀도우프레임(shadow frame)에 얼라인볼을 장착하고 서셉터(suscptor)에 상기 얼라인볼을 수납하는 부싱을 장착하여 항상 섀도우프레임과 서셉터가 정확하게 얼라인될 수 있는 플라즈마 화학증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Device, and more particularly to mounting an alignment ball in a shadow frame and mounting a bushing to accommodate the alignment ball in a susceptor. The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition apparatus in which the shadow frame and the susceptor are always correctly aligned.

최근에, 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적 제품으로 부가가치가 높은 차세대 첨단 표시소자로 각광받고 있다. 일반적으로 액정표시장치는 어레이(array)기판과 컬러 필터(color filter)기판 사이에 액정을 주입하여, 그 액정의 굴절률이방성을 이용해 영상효과를 얻는 소자를 뜻한다.Recently, liquid crystal displays have been spotlighted as next generation advanced display devices having high added value as technology intensive products having low power consumption and good portability. In general, a liquid crystal display device refers to a device in which a liquid crystal is injected between an array substrate and a color filter substrate and an image effect is obtained by using the refractive anisotropy of the liquid crystal.

이와 같은 어레이기판에는 절연층이나 반도체층과 같은 각종 막(film)이 형성되는 이러한 막들은 주로 PECVD장치를 이용하여 증착함으로써 형성된다. 이렇나 PECVD장치에서는 진공 챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면, RF파워를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판위에 증착을 하는 것으로, 증착 메커니즘(mechanism)은 챔버내로 유입된 기 체화합물이 분해되는 1차반응, 분해된가스 이온들과 불안정한 이온상태인 라디칼 이온(Radical Ion)들이 상호 반응하는 2차반응, 피증착 기판 상에서 가스이온과 라디칼이온들의 재결합으로 생긴 원자들의 상호작용으로 핵생성 후에 박막이 형성되는 3차반응으로 나눌 수 있다.Such films in which various films such as an insulating layer or a semiconductor layer are formed on the array substrate are mainly formed by depositing using a PECVD apparatus. However, in the PECVD apparatus, when a gas required for deposition is injected into a vacuum chamber and a desired pressure and substrate temperature are set, a deposition mechanism is deposited by decomposing the injected gas into a plasma state using RF power and depositing it on a substrate. ) Is the first reaction in which gaseous compounds introduced into the chamber are decomposed, the second reaction in which decomposed gas ions and radical ions in unstable ionic states react, and the reaction of gas ions and radical ions on a substrate to be deposited. The interaction of atoms resulting from recombination can be divided into a tertiary reaction where a thin film is formed after nucleation.

유입되는 기체 화합물은 형성하는 막의 종류에 따라 달라지며, 일반적으로 실리콘질화막 경우는 SiH4, H2, NH3, N2의 혼합가스가 이용되고, 비정질실리콘막의 증착에는 SiH4 및 H2 가 쓰이며, 인(P)을 도핑하여 전자이동도를 높이는 불순물 비정질실리콘막(n+ a-Si)의 형성시에는 상기 비정질실리콘용 반응가스에 PH3가 첨가된다.The gaseous compound to be introduced varies depending on the type of film to be formed. In general, in the case of silicon nitride, a mixed gas of SiH 4 , H 2 , NH 3 , and N 2 is used, and SiH 4 and H 2 are used to deposit an amorphous silicon film. In the formation of the impurity amorphous silicon film (n + a-Si) which increases the electron mobility by doping phosphorus (P), PH 3 is added to the reaction gas for amorphous silicon.

상기 PECVD장치에 의한 증착공정에서는 RF파워(Radio Frequency Power), 증착온도, 가스유입량 및 전극과 기판 간의 거리가 형성되는 박막의 특성을 좌우한다.In the deposition process by the PECVD apparatus, the RF power, the deposition temperature, the gas inflow amount, and the distance between the electrode and the substrate determine the characteristics of the thin film.

이하, 종래 PECVD 장치의 내부구조에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, the internal structure of the conventional PECVD apparatus will be described in detail.

도 1은 종래의 PECVD장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 종래 PECVD장치는 가스주입구(12) 및 가스배기구(14)가 형성되어 내부에 반응가스가 충진된 진공챔버(16)를 포함하며, 이 진공챔버(16) 내에는 상부전극으로 작용할 뿐만 아니라 가스를 확산시키는 디퓨저(11;diffuser)와 기판(18)이 놓이는 하부전극인 서셉터(20;susceptor)가 일정 간격 이격되어 대향하고 있다. 상기 디퓨저(11)에는 고주파를 공급하는 RF파워(24)가 연결되어 있으며, 상기 서셉터 (20)에는 RF파워(24)를 접지시키는 그라운드전압(ground voltage)이 연결된다. 이때, 상기 디퓨저(11)는 가스주입구(12)를 통해 공급되는 반응가스의 플로우(flow)를 조절하는 역할을 하고, 상기 서셉터(20)는 물질이 증착되는 기판(18)에 열에너지를 공급하는 히터기능을 하고 상기 기판(18)을 상부 및 하부 방향으로 움직이도록 이동성을 가진다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional PECVD apparatus. As shown in FIG. 1, the conventional PECVD apparatus includes a vacuum chamber 16 in which a gas inlet 12 and a gas exhaust port 14 are formed to fill a reaction gas therein, and in the vacuum chamber 16. The diffuser 11 which not only serves as the upper electrode but also diffuses the gas and the susceptor 20 which is the lower electrode on which the substrate 18 is placed face each other at a predetermined interval. The diffuser 11 is connected with RF power 24 for supplying high frequency, and the susceptor 20 is connected with a ground voltage for grounding the RF power 24. In this case, the diffuser 11 serves to control the flow of the reaction gas supplied through the gas inlet 12, and the susceptor 20 supplies thermal energy to the substrate 18 on which the material is deposited. It has a heater function and has a mobility to move the substrate 18 in the upper and lower direction.

그리고, 상기 기판(18)의 양 외곽부 위에는 섀도우프레임(30)이 위치하는데, 이 섀도우 프레임(30)은 기판 외곽부를 일정간격으로 덮음으로써, 기판(18)의 외부로 플라즈마(31)가 방전되는 것을 방지하여 증착 두께의 균일성을 유지시키는 일종의 마스크 역할을 한다.In addition, a shadow frame 30 is positioned on both outer portions of the substrate 18, and the shadow frame 30 covers the outer portion of the substrate at predetermined intervals, thereby discharging the plasma 31 to the outside of the substrate 18. It serves as a kind of mask that prevents the formation and maintains the uniformity of the deposition thickness.

이하, 상기 PECVD장치에 있어서, 섀도우프레임을 진공 챔버내에 고정시키는 방법에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, the method for fixing the shadow frame in the vacuum chamber in the above PECVD apparatus will be described in detail.

도 2는 상기 도 1의 A영역을 확대한 개략 평면도이다. 이때, 설명의 편의을 위해 기판의 도시는 생략하였다. 또한, 상기 서셉터(20)를 포함하는 진공 챔버(16) 하부와 사각틀 형상의 섀도우프레임(30)을 각각 분리하여 나타내었다.FIG. 2 is an enlarged schematic plan view of area A of FIG. 1. In this case, illustration of the substrate is omitted for convenience of description. In addition, the lower portion of the vacuum chamber 16 including the susceptor 20 and the shadow frame 30 having a rectangular frame shape are separately shown.

도 2에 도시된 바와 같이, 진공챔버(16)의 하부에는 기판접촉영역(i)과 기판비접촉영역(ii)을 가지는 서셉터(20)가 형성되어 있고, 이 서셉터(20)의 외곽에는 챔버하부 월(wall;37)이 둘러싸고 있다.As shown in FIG. 2, a susceptor 20 having a substrate contact region i and a substrate non-contact region ii is formed below the vacuum chamber 16, and is surrounded by the susceptor 20. A chamber lower wall 37 is enclosed.

상기 서셉터(20)의 기판 비접촉영역(ii)상에는 기판 각 모서리부를 고정시키기 위한 다수 개의 가이드핀(32)과, 네변의 중심점과 대응하는 위치에서 섀도우프레임(30)을 고정시키기 위한 얼라인핀(34)이 형성되어 있고, 상기 기판 접촉영역내 에는 기판을 상,하로 이동시켜 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 용이하게 하는 다수 개의 리프트핀(36)이 형성되어 있다.On the substrate non-contact area (ii) of the susceptor 20, a plurality of guide pins 32 for fixing each corner of the substrate, and alignment pins for fixing the shadow frame 30 at positions corresponding to the center points of the four sides. 34 is formed, and a plurality of lift pins 36 are formed in the substrate contacting area to move the substrate up and down to facilitate loading and unloading of the substrate.

한편, 상기 섀도우프레임(30)에는 다수 개의 얼라인홈(38)이 형성되어 있는데, 이 얼라인 홈(38)은 섀도우프레임(30)의 마주보는 변의 중심과 대응하는 위치 및 점선으로 표시한 바와 같이 상기 서셉터(20)의 얼라인핀(34)과 대응되는 위치관계를 가져, 상기 도 1에서 도시한 단면도에서 보여지듯이 이 얼라인 홈(38)에 얼라인 핀(34)이 정상 삽입되도록 한다. 즉, 상기 섀도우프레임(30)이 챔버내에 안정되게 고정되는 것은 상기 얼라인홈(38)과 얼라인핀(34)의 결합 정도에 따라 달라진다.Meanwhile, a plurality of alignment grooves 38 are formed in the shadow frame 30, and the alignment grooves 38 are indicated by dotted lines and positions corresponding to the centers of the opposite sides of the shadow frame 30. As described above, the alignment pin 34 of the susceptor 20 has a positional relationship corresponding to that of the susceptor 20 so that the alignment pin 34 is normally inserted into the alignment groove 38. do. That is, the shadow frame 30 is stably fixed in the chamber depends on the degree of coupling of the alignment groove 38 and the alignment pin 34.

도 3a～3c는 상기 도 1의 A영역에 대한 확대단면도로서, 서셉터의 이동위치에 따라 단계별로 나타낸 것으로, 후술될 챔버하부월은 섀도우프레임과 접촉하는 내부월과 이와 접촉되지 않는 상태로 상부월과 접촉하며 진공상태를유지하는 외부월로 구성되나, 이하 기술된 챔버하부월은 이중 내부월을 의미한다.3A to 3C are enlarged cross-sectional views of the area A of FIG. 1, and are shown step by step according to a moving position of the susceptor. It consists of an outer wall in contact with the wall and maintaining a vacuum, but the chamber lower wall described below means a double inner wall.

도 3a은 기판의 로딩 후, 언리딩(unleading)상태의 서셉터를 도시한 것이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(20)의 하부에는 서셉터(20)와 일정간격 이격되어 핀플레이트(40;pin plate)가 형성되어 있고, 이 핀플레이트(40)와 서셉터(20) 사이 중앙부에는 서셉터(20)를 상,하방향으로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(42;elevator)가 위치하고 있다. 상기 핀플레이트(40)의 상부에는 상기 서셉터(20)의 기판접촉영역(i)과 기판비접촉영역(ii)의 경계부를 관통하며 기판(18)의 양 끝을 가이드하는 가이드핀(32)이 상부방향으로 형성되어 있다.3A shows the susceptor in an unleading state after loading of the substrate. As shown in FIG. 3A, a pin plate 40 is formed at a lower portion of the susceptor 20 to be spaced apart from the susceptor 20 at a predetermined interval, and the pin plate 40 and the susceptor ( In the center portion between 20), an elevator (42; elevator) for moving the susceptor 20 in the up and down directions is located. A guide pin 32 is formed on the pin plate 40 to penetrate the boundary between the substrate contact region i and the substrate non-contact region ii of the susceptor 20 and guide both ends of the substrate 18. It is formed in an upward direction.

또한, 상기 서셉터(20)의 상부에 놓여진 기판(18)의 양외곽부와 대응하는 상부에는 섀도우프레임(30)이 위치하고있는데, 이 단계에서 이 섀도우프레임(30)은 챔버하부월(37)에 의해 지지되며, 기판(18)과는 일정 간격 이격된 상태이다.In addition, a shadow frame 30 is positioned at an upper portion corresponding to both outer portions of the substrate 18 placed on the susceptor 20, and at this stage, the shadow frame 30 is a chamber lower wall 37. Supported by the substrate 18 and spaced apart from the substrate 18 by a predetermined interval.

도 3b는 상기 도 3a에 도시된 단계의 서셉터를 증착위치로 이동시키는 단계를 도시한 것이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 이 단계에서는 상기 지축엘리베이터(42)의 길이가 상부방향으로 늘어남에 따라, 상기 서셉터(20)의 기판접촉영역(i)과 기판비접촉영역(ii)이 동시에 상부방향으로 움직이게 되고, 상기 서셉터(20)의 얼라인핀(34)이 섀도우프레임(30)하부의 얼라인 홈(38)과 대응되는 방향으로 같이 이동하게 된다.FIG. 3B illustrates the step of moving the susceptor of the step shown in FIG. 3A to the deposition position. As shown in FIG. 3B, in this step, as the length of the support shaft 42 extends upward, the substrate contacting region i and the substrate non-contacting region ii of the susceptor 20 are simultaneously raised. Direction, and the alignment pins 34 of the susceptor 20 move together in a direction corresponding to the alignment grooves 38 under the shadow frame 30.

도 3c는 상기 도 3b에 도시된 단계를 거쳐 상기 기판의 증착을 진행하기 위해 기판이 놓인 서셉터를 증착위치까지 이동시킨 상태를 나타내는 도면이다. 증착위치에서 상기 섀도우프레임(30)은 상기 서셉터(20)의 상승력에 의해 챔버하부월(37)과 일정간격 이격되며, 상기 서셉터(20)와의 접촉에 의해 고정된다. 이때, 상기 서셉터(20)와 섀도우프레임(30)간의 접촉 안정도는 얼라인핀(34)과 얼라인홈(38)간의 얼라인 정도에 달려있다. 그러나, 상기 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우프레임(30)이 상부방향으로 들려지게 되면, B영역에서 얼라인핀(34)이 얼라인홈(38)에 불완전하게 삽입되어, 섀도우프레임(30)이 기판(18)과 들뜨게 되어 기판(18)의 증착공정시 증착불량이 발생하게 된다.3C is a view illustrating a state in which a susceptor on which a substrate is placed is moved to a deposition position in order to proceed with deposition of the substrate through the steps illustrated in FIG. 3B. In the deposition position, the shadow frame 30 is spaced apart from the chamber lower wall 37 by the lifting force of the susceptor 20 and fixed by contact with the susceptor 20. In this case, the contact stability between the susceptor 20 and the shadow frame 30 depends on the degree of alignment between the alignment pin 34 and the alignment groove 38. However, when the shadow frame 30 is lifted upward by the lifting force of the susceptor 20, the alignment pin 34 is incompletely inserted into the alignment groove 38 in the region B, thereby causing the shadow frame ( 30 is lifted off from the substrate 18, resulting in poor deposition during the deposition process of the substrate 18.

도 4는 섀도우프레임이 미스 얼라인되는 경우를 나타낸 도면이다. 도 4a는 섀도우프레임(30)이 서셉터(20)에 불안정하게 고정되는 경우에 관한 것으로, 이 경 우에서는 섀도우프레임(30)이 챔버내로 로딩시, 챔버하부월(37) 상부에 별도의 얼라인 표시없이 임시 고정되므로, 챔버(16) 내의 펌핑 오프(off)시의 백스트림(back stream)이나 펌핑(pumping)시에 챔버(16)내의 압력이 급변화함에 따라, 상기 섀도우프레임(30)이 원래 위치에서 빗겨나기 쉬워 섀도우프레임(30)이 서셉터(20)에 고정시 추후 서셉터(20)의 상승력에 의해 상기 섀도우프레임(30)과 서셉터(20)간에 오정렬이 발생할 확률이 높아진다.4 is a diagram illustrating a case where a shadow frame is misaligned. 4A illustrates a case in which the shadow frame 30 is unstablely fixed to the susceptor 20. In this case, when the shadow frame 30 is loaded into the chamber, a separate freezing is formed on the chamber lower wall 37. The shadow frame 30 is temporarily fixed without being marked, and as the pressure in the chamber 16 changes rapidly in the back stream during pumping off or in pumping, the shadow frame 30 is changed. When the shadow frame 30 is fixed to the susceptor 20, the probability of misalignment between the shadow frame 30 and the susceptor 20 increases due to the upward force of the susceptor 20. .

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 섀도우프레임에 얼라인볼을 형성하고 서셉터에 얼라인홈을 형성하여 상기 얼라인볼이 얼라인홈에 수납되어 섀도우프레임과 서셉터를 고정시킴으로써 섀도우프레임과 서셉터의 오정렬을 방지할 수 있는 플라즈마 화학증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above, and forms an alignment ball in a shadow frame and an alignment groove in a susceptor so that the alignment ball is accommodated in the alignment groove to fix the shadow frame and the susceptor. An object of the present invention is to provide a plasma chemical vapor deposition apparatus capable of preventing misalignment of a frame and a susceptor.

본 발명의 다른 목적은 서셉터의 얼라인홈에 복수의 롤러를 구비하는 부싱을 설치하여 얼라인볼과 롤러를 접촉시킴으로써 섀도우프레임과 서셉터의 접촉 충격에 의해 입자가 발생하여 증착막이 불량으로 되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 화학증착장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to install a bushing having a plurality of rollers in the alignment groove of the susceptor to contact the alignment ball and the roller to generate particles due to the contact impact between the shadow frame and the susceptor, resulting in a poor deposition film. It is to provide a plasma chemical vapor deposition apparatus that can be prevented.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 플라즈마 화학증착장치는 반응가스가 충진된 챔버; 상기 챔버에 장착된 디퓨저; 상기 디퓨저와 대향하며 기판이 놓이는 서셉터; 상기 서셉터 위에 위치하여 기판의 외곽영역을 차단하는 섀도우프레임; 상기 섀도우프레임에 형성된 얼라인볼; 상기 서셉터에 형성된 얼라인홈; 및 상기 얼라인홈내에 설치되어 얼라인볼을 수납하여 섀도우프레임과 서셉터를 고정시키는 부싱으로 구성된다.In order to achieve the above object, the plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention comprises a chamber filled with a reaction gas; A diffuser mounted to the chamber; A susceptor facing the diffuser and on which the substrate is placed; A shadow frame positioned on the susceptor to block an outer region of the substrate; An alignment ball formed in the shadow frame; An alignment groove formed in the susceptor; And a bushing installed in the alignment groove to accommodate the alignment ball to fix the shadow frame and the susceptor.

상기 얼라인볼은 섀도우프레임에 형성된 홈에 일부가 삽입 장착되고 일부가 섀도우프레임 밖으로 돌출되어 표면에서 360도 회전 가능하다. 상기 얼라인홈내에는 롤러가 구비하는 부싱이 설치되어 롤러와 얼라인볼이 접촉하여 섀도우프레임과 서셉터를 얼라인시킴과 동시에 롤러와 얼라인볼이 접촉하여 섀도우프레임과 서셉터의 접촉 충격을 완화시킨다.The alignment ball is inserted into and partially inserted into a groove formed in the shadow frame, and the portion protrudes out of the shadow frame to be rotated 360 degrees from the surface. A bushing provided by the roller is installed in the alignment groove so that the roller and the alignment ball contact to align the shadow frame and the susceptor, and at the same time the roller and the alignment ball contact to make contact with the shadow frame and the susceptor. Relax

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 PECVD장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a PECVD apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 PECVD장치를 나타내는 도면으로서, 진공챔버내에 설치되는 서셉터(120)와 섀도우프레임(130)만을 도시하였다. 물론, 본 발명도 도 1에 도시된 종래 PECVD장치와 마찬가지로, 반응가스가 충진되는 챔버가 구비되고 챔버내에는 상기 서셉터(120)와 대향하여 고주파가 인가되는 상부전극으로 작동하는 디퓨저가 설치되어 있지만, 도면에서는 설명의 편의를 위해 이를 생략하였다.FIG. 5 is a view showing a PECVD apparatus according to the present invention, and shows only the susceptor 120 and the shadow frame 130 installed in the vacuum chamber. Of course, the present invention, like the conventional PECVD apparatus shown in FIG. 1, is provided with a chamber filled with a reaction gas and a diffuser is installed in the chamber to operate as an upper electrode to which the high frequency is applied to face the susceptor 120. However, in the drawings it is omitted for convenience of description.

도 5에 도시된 바와 같이, 하부전극인 서셉터(120)에 놓이는 기판(118)의 양 외곽부 위에는 섀도우프레임(130)이 위치하여, 기판외곽부를 일정 간격으로 차단함으로써 기판(118)의 외부로 플라즈마가 방전되는 것을 방지하여 항상 균일한 두께가 증착되도록 한다. 또한, 상기 섀도우프레임(130)에는 얼라인볼(156)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 5, shadow frames 130 are positioned on both outer portions of the substrate 118 that are placed on the susceptor 120, which is a lower electrode, and the outer portion of the substrate 118 is blocked by blocking the outer portions of the substrate at regular intervals. The furnace plasma is prevented from being discharged so that a uniform thickness is always deposited. In addition, an alignment ball 156 is formed in the shadow frame 130.

한편, 상기 서셉터(120)는 기판(118)이 놓이는 기판접촉영역(i)과 기판비접 촉영역(ii)로 구분되며, 상기 서셉터(120)의 기판비접촉영역(ii)상에는 섀도우프레임(130)과 정렬된 얼라인홈(160)이 형성되어 있고 기판(118)의 각 모서리부를 고정시키기 위한 다수 개의 가이드핀(132)이 형성되어 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 서셉터(160)의 기판접촉영역(i)내에는 기판을 상,하로 이동시켜 기판을 로딩 및 언로딩시키는 다수 개의 리프트핀이 형성되어 있다.On the other hand, the susceptor 120 is divided into a substrate contact region (i) and a non-substrate contact region (ii) on which the substrate 118 is placed, and on the substrate non-contact region (ii) of the susceptor 120, a shadow frame ( The alignment groove 160 aligned with the 130 is formed, and a plurality of guide pins 132 are formed to fix each corner of the substrate 118. In addition, although not shown in the drawing, a plurality of lift pins are formed in the substrate contact region i of the susceptor 160 to move the substrate up and down to load and unload the substrate.

상기 서셉터(120)의 하부에는 서셉터(120)와 일정 간격 이격된 핀플레이트(140)가 형성되어 있고, 상기 핀플레이트(140)와 서셉터(120) 사이 중앙부에 상기 서셉터(20)를 상,하방향으로 움직이게 하는 지축엘리베이터(42)가 설치되어 있다.A pin plate 140 spaced apart from the susceptor 120 by a predetermined interval is formed below the susceptor 120, and the susceptor 20 is centrally located between the pin plate 140 and the susceptor 120. A support shaft 42 for moving the up and down directions is provided.

도 6a 및 도 6b는 도 5의 C영역 부분 확대도로서, 이를 참조하여 본 발명에 따른 PECVD장치를 좀더 상세히 설명한다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 섀도우프레임(130)에는 설정 깊이 및 폭의 홈(150)이 형성되어 있고 상기 홈(150)에 얼라인볼(156)이 삽입되어 설치된다. 상기 얼라인볼(156)은 홈(150)에서 자유롭게 회전가능하게 장착된다. 또한, 상기 얼라인볼(156)은 그 일부가 홈(150)에 장착되지만, 나머지 일부는 섀도우프레임(130) 밖으로 돌출한다.6A and 6B are partial enlarged views of region C of FIG. 5, which will be described in more detail with reference to the PECVD apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 6A, the shadow frame 130 has a groove 150 having a set depth and width, and an alignment ball 156 is inserted into the groove 150. The alignment ball 156 is rotatably mounted in the groove 150. In addition, the alignment ball 156 is a part of which is mounted in the groove 150, but the other part protrudes out of the shadow frame 130.

상기 얼라인볼(156)과 마주하는 서셉터(120)에는 얼라인홈(160)이 형성되어 있다. 상기 얼라인홈(160)에는 부싱(busing;162)이 설치되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 상기 부싱(162)은 브라켓(166)을 통해 나사(168)에 의해 서셉터(120)의 기판비접촉영역에 설치된다. 또한, 상기 부싱(162)내에는 복수의 롤러(164)가 설치되어 있다.An alignment groove 160 is formed in the susceptor 120 facing the alignment ball 156. A bushing 162 is installed in the alignment groove 160. As shown in the figure, the bushing 162 is installed in the non-substrate region of the susceptor 120 by screws 168 through the bracket 166. In addition, a plurality of rollers 164 are provided in the bushing 162.

상기와 같이 구성된 PECVD장치에서 증착을 시작하면, 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 서셉터(120)가 상승하여 서셉터(120)가 섀도우프레임(130)과 밀착헤게 되고, 그에 따라 섀도우프레임(130)가 상기 서셉터(120) 위에 위치한 기판(118)의 가장자리 영역을 차단하게 된다. 이때, 상기 서셉터(120)는 가이드핀(132)을 따라 상승하여 섀도우프레임(130)의 얼라인볼(156)이 서셉터(120)의 얼라인홈(160)에 삽입된다.When the deposition is started in the PECVD apparatus configured as described above, as shown in FIG. 6B, the susceptor 120 is raised to bring the susceptor 120 into close contact with the shadow frame 130, and thus the shadow frame 130. ) Blocks an edge area of the substrate 118 located on the susceptor 120. At this time, the susceptor 120 rises along the guide pin 132 so that the alignment ball 156 of the shadow frame 130 is inserted into the alignment groove 160 of the susceptor 120.

상기 얼라인홈(160)에 삽입된 얼라인볼(156)은 부싱(162)내에 설치된 복수의 롤러(164)와 맞닿는다. 도 7는 얼라인볼(156)과 롤러(164)가 맞닿은 것을 나타내는 도면이다. 도면에서는 비록 부싱(162)내에 3개의 롤러(164)가 형성되어 얼라인볼(156)과 맞닿아 있지만, 상기 롤러(164)를 4개 이상으로 형성하는 것도 가능할 것이다.The alignment ball 156 inserted into the alignment groove 160 contacts the plurality of rollers 164 installed in the bushing 162. FIG. 7 is a view showing that the alignment ball 156 is in contact with the roller 164. In the drawing, although three rollers 164 are formed in the bushing 162 to be in contact with the alignment ball 156, it may be possible to form more than four rollers 164.

상기 서셉터(120)가 상승할 때, 상기 얼라인볼(156)과 얼라인홈(160)(또는 부싱(162))은 정렬되어 있기 때문에, 상기 얼라인볼(156)이 얼라인홈(160)으로 삽입된다. 그러나, 얼라인볼(156)과 얼라인홈(160)이 약간 틀어져 오정렬되었을 때도, 서셉터(120)가 상승하여 어라인볼(156)이 서셉터(120)와 닿는 경우에도 상기 얼라인볼(156)이 평면상에도 360도 회전가능하기 때문에, 서셉터(120)의 표면에서 얼라인볼(156)의 회전에 의해 얼라인볼(156)이 얼라인홈(160)으로 수납되는 것이다. 또한, 얼라인볼(156)이 얼라인홈(150)에 수납되는 경우에도 상기 얼라인볼(156)이 롤러(164)와 맞닿은 상태로 회전하여 얼라인홈(150) 또는 부싱(160) 내에 안착되는 것이다.When the susceptor 120 rises, the alignment ball 156 and the alignment groove 160 (or the bushing 162) are aligned, so that the alignment ball 156 is aligned with the alignment groove ( 160). However, even when the alignment ball 156 and the alignment groove 160 are slightly misaligned and aligned, the alignment ball is raised even when the susceptor 120 rises to come into contact with the susceptor 120. Since 156 is rotatable 360 degrees in plan view, the alignment ball 156 is accommodated in the alignment groove 160 by the rotation of the alignment ball 156 on the surface of the susceptor 120. In addition, even when the alignment ball 156 is accommodated in the alignment groove 150, the alignment ball 156 is rotated in contact with the roller 164 to be in the alignment groove 150 or the bushing 160. It is settled.

상기와 같이, 섀도우마스크(130)에 얼라인볼(156)이 장착되어 섀도우마스크 (130)와 서셉터(120)가 고정되므로, 섀도우마스크(130)와 얼라인볼(156)의 미세한 오정렬에 기인하는 증착의 오차가 발생하지 않게 된다.As described above, since the alignment mask 156 is mounted to the shadow mask 130 so that the shadow mask 130 and the susceptor 120 are fixed, the shadow mask 130 is aligned with the fine misalignment of the shadow mask 130 and the alignment ball 156. There is no error in deposition caused.

한편, 종래 서셉터의 얼라인핀은 세라믹으로 이루어지고 상기 얼라인핀이 삽입되는 섀도우프레임은 통상적으로 알루미나(Al203)로 이루어진다. 그런데, 알루미나는 세라믹에 비해 기계적인 강도가 낮다. 따라서, 서셉터가 상승하여 섀도우프레임과 밀착하여(또는 섀도우프레임이 기판의 가장자리 영역을 차단하여) 상기 얼라인핀이 섀도우프레임의 얼라인홈에 접촉하는 경우, 얼라인핀의 충격에 의해 섀도우프레임의 접촉면에서 입자가 발생한다. 이러한 입자는 증착시 증착물질에 혼입되어 증착의 불량을 야기하므로, 측착된 증착막을 사이에 두고 전후 공정에서 금속배선 등을 형성하는 경우 금속배선간의 단락을 일으키는 중요한 원인이 되었다.Meanwhile, the alignment pin of the conventional susceptor is made of ceramic, and the shadow frame into which the alignment pin is inserted is typically made of alumina (Al 2 O 3 ). However, alumina has a lower mechanical strength than ceramics. Therefore, when the alignment pin is in contact with the shadow frame of the shadow frame when the susceptor is raised and close to the shadow frame (or the shadow frame blocks the edge region of the substrate), the shadow frame is impacted by the shadow pin. Particles are generated at the contact surface of. Since the particles are mixed into the deposition material during deposition and cause a poor deposition, it is an important cause of the short circuit between the metal wiring when the metal wiring and the like are formed in the front and rear process with the deposited deposition film interposed therebetween.

그러나, 본 발명에서는 날카로운 단부를 갖는 얼라인핀이 섀도우프레임에 접촉하여 충격을 인가하는 것이 아니라 얼라인볼이 롤러에 접촉하므로 섀로우프레임(또는 서셉터)에 충격이 인가되지 않게 되어(얼라인볼과 롤러가 충격을 완화한다), 쓸데없는 입자를 발생시키지 않게 된다.However, in the present invention, since the alignment pin having a sharp end does not contact the shadow frame to apply an impact, the alignment ball contacts the roller so that an impact is not applied to the shadow frame (or susceptor) (alignment). Balls and rollers alleviate impact), and will not generate unwanted particles.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 PECVD장치에서는 얼라인볼과 롤러를 포함하는 부싱(또는 얼라인홈)을 정렬하여 얼라인볼을 부싱에 삽입하므로써 섀도우프레임과 서셉터를 고정시킨다. 따라서, 얼라인볼과 얼라인홈의 오정렬을 방지할 수 있게 되어 증착에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에서는 얼라인볼과 얼라인홈의 롤러가 충격을 완화하므로, 섀도우프레임과 서셉터의 밀착시 입자가 발생하는 것을 방지할 수 있게 되므로, 형성되는 증착막의 불량을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the PECVD apparatus according to the present invention, the shadow frame and the susceptor are fixed by aligning the bushing (or aligning groove) including the alignment ball and the roller and inserting the alignment ball into the bushing. Therefore, misalignment between the alignment ball and the alignment groove can be prevented, thereby preventing occurrence of defects in the deposition. In addition, in the present invention, since the rollers of the alignment ball and the alignment groove mitigate the impact, it is possible to prevent the generation of particles when the shadow frame and the susceptor in close contact, it is possible to prevent the defect of the deposited film formed. .

Claims (8)

반응가스가 충진된 챔버;A chamber filled with a reaction gas; 상기 챔버에 장착된 디퓨저;A diffuser mounted to the chamber; 상기 디퓨저와 대향하며 기판이 놓이는 서셉터;A susceptor facing the diffuser and on which the substrate is placed; 상기 서셉터 위에 위치하여 기판의 외곽영역을 차단하는 섀도우프레임;A shadow frame positioned on the susceptor to block an outer region of the substrate; 상기 섀도우프레임에 형성된 얼라인볼;An alignment ball formed in the shadow frame; 상기 서셉터에 형성된 얼라인홈; 및An alignment groove formed in the susceptor; And 상기 얼라인홈내에 설치되어 얼라인볼을 수납하여 섀도우프레임과 서셉터를 고정시키는 부싱으로 구성된 플라즈마 화학증착장치.Plasma chemical vapor deposition apparatus is installed in the alignment groove and the bushing to receive the alignment ball to fix the shadow frame and the susceptor. 제1항에 있어서, 상기 얼라인볼은 섀도우프레임에 형성된 홈에 일부가 삽입 장착되고 일부가 섀도우프레임 밖으로 돌출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착장치.The apparatus of claim 1, wherein the alignment ball is partially inserted into a groove formed in the shadow frame and the portion protrudes out of the shadow frame. 제2항에 있어서, 상기 얼라인볼은 표면에서 360도 회전 가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착장치.The apparatus of claim 2, wherein the alignment ball is rotatable 360 degrees on the surface. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 부싱내에서 복수의 롤러가 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착장치.The plasma chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein a plurality of rollers are installed in the bushing. 제5항에 있어서, 상기 롤러는 얼라인볼과 접촉하여 섀도우프레임과 서셉터를 얼라인시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착장치.The apparatus of claim 5, wherein the roller contacts the alignment ball to align the shadow frame and the susceptor. 제5항에 있어서, 상기 롤러는 얼라인볼과 접촉하여 섀도우프레임과 서셉터의 접촉 충격을 완화시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착장치.The apparatus of claim 5, wherein the roller contacts the alignment ball to mitigate the impact of the shadow frame and susceptor contact. 제1항에 있어서, 상기 서셉터를 상승시키는 가이드핀을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착장치.The apparatus of claim 1, further comprising a guide pin for raising the susceptor.
KR1020050058926A 2005-06-30 2005-06-30 Plasma enhanced chemical vapor deposition device KR101119780B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050058926A KR101119780B1 (en) 2005-06-30 2005-06-30 Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050058926A KR101119780B1 (en) 2005-06-30 2005-06-30 Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070003172A KR20070003172A (en) 2007-01-05
KR101119780B1 true KR101119780B1 (en) 2012-03-23

Family

ID=37870064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050058926A KR101119780B1 (en) 2005-06-30 2005-06-30 Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101119780B1 (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101405362B1 (en) * 2007-12-24 2014-06-11 주성엔지니어링(주) Edge Frame in Apparatus for treating Substrate
US8195656B2 (en) 2008-02-13 2012-06-05 Yahoo, Inc. Social network search
US20100122655A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Tiner Robin L Ball supported shadow frame
KR101060607B1 (en) 2009-07-09 2011-08-31 전남대학교산학협력단 Method of manufacturing drug-releasing stent using titanium oxide thin film coating
KR101586191B1 (en) * 2009-12-17 2016-01-19 엘지디스플레이 주식회사 Chemical vapor deposition apparatus
KR200483057Y1 (en) 2010-01-29 2017-03-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Shied for a physical vapor deposition chamber, shied for encircling a sputtering surface of a sputtering target and process kit
KR101116673B1 (en) 2010-12-13 2012-02-22 전남대학교병원 Gene-releasing stent using titanium-oxide coated thin film and method for manufacturing thereof
DE102011007632B3 (en) * 2011-04-18 2012-02-16 Siltronic Ag Device useful for depositing material layer derived from process gas on substrate disc, comprises reactor chamber, which is bound by upper cover, lower cover and side wall, susceptor, preheat ring, chuck, and spacer
US9287093B2 (en) 2011-05-31 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor
CN107452592B (en) * 2011-05-31 2019-11-12 应用材料公司 Edge protection plate, edge-protected component and the equipment for handling substrate
US10676817B2 (en) 2012-04-05 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Flip edge shadow frame
CN103379945B (en) * 2012-04-05 2016-10-12 应用材料公司 Flip edge shadow frame
US9048190B2 (en) * 2012-10-09 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield
US10468221B2 (en) * 2017-09-27 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Shadow frame with sides having a varied profile for improved deposition uniformity
KR102523798B1 (en) * 2018-02-09 2023-04-21 주성엔지니어링(주) Mask Holder and Substrate Processing Apparatus Including The Same
JP2021012952A (en) * 2019-07-05 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 Mounting stage, substrate processing apparatus, and assembly method of mounting stage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2918780B2 (en) * 1993-01-28 1999-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Alignment of shadow frames and large planar substrates on heated supports
KR19990087648A (en) * 1996-03-12 1999-12-27 스프레이그 로버트 월터 Alignment assembly for multiple fiber or single fiber cable connectors
KR20040016068A (en) * 2002-08-14 2004-02-21 삼성전자주식회사 Shadow Ring and deposition Ring Align for sputtering Equipment
KR20040075180A (en) * 2003-02-20 2004-08-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Apparatus for Depositting Chamical Vapor and Method for Manufacturing thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2918780B2 (en) * 1993-01-28 1999-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Alignment of shadow frames and large planar substrates on heated supports
KR19990087648A (en) * 1996-03-12 1999-12-27 스프레이그 로버트 월터 Alignment assembly for multiple fiber or single fiber cable connectors
KR20040016068A (en) * 2002-08-14 2004-02-21 삼성전자주식회사 Shadow Ring and deposition Ring Align for sputtering Equipment
KR20040075180A (en) * 2003-02-20 2004-08-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Apparatus for Depositting Chamical Vapor and Method for Manufacturing thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070003172A (en) 2007-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101119780B1 (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition device
KR100265288B1 (en) Baffle of etching equipment for fabricating semiconductor device
CN101707186B (en) Substrate placing stage and substrate processing apparatus
US20090183833A1 (en) Plasma processing apparatus
US5704981A (en) Processing apparatus for substrates to be processed
US8652953B2 (en) Plasma doping method with gate shutter
KR20220104184A (en) Batch curing chamber with gas distribution and individual pumping
KR20140138323A (en) Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
KR101568735B1 (en) Susceptor and substrate processing apparatus having the same
KR20100131355A (en) Substrate processing method
KR100738837B1 (en) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition apparatus
KR100256462B1 (en) Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system
KR100504541B1 (en) Apparatus for Depositting Chamical Vapor and Method for Manufacturing thereof
KR101421645B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20090106178A (en) Substrate processing appratus and method for treating subtrate
KR101040941B1 (en) Appratus and Method for treating substrate
KR20070080502A (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR20150088211A (en) Susceptor and substrate processing apparatus having the same
JP3261877B2 (en) Plasma equipment
US20230122134A1 (en) Deposition chamber system diffuser with increased power efficiency
KR100755594B1 (en) Plasma etching apparatus having parallel plate structure of capacitive coupling type and plasma etching method using the same
KR20060021136A (en) Plasma vacuum equipment
KR20060076987A (en) Chemical vapor deposition system
KR20030027505A (en) Semiconductor processing apparatus having improved exhausting structure
KR100420204B1 (en) Method of etching using a plasma etch equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150109

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170116

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee