KR101118477B1 - Gas distribution plate and process chamber having the same - Google Patents

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Abstract

제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있는 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시된다. 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀, 가스 유입홀로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되고 가스 유입홀 각각에 적어도 2개 이상이 연결되는 관통홀들 및 상기 관통홀들로부터 상기 제2 면까지 연장되고 상기 관통홀보다 큰 크기로 형성된 적어도 하나의 가스 분사홀을 포함한다. 이와 같이, 가스 유입홀을 2개 이상의 관통홀들과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다.Disclosed are a gas dispersion plate and a process chamber having the same, which can shorten the manufacturing time and reduce the manufacturing cost. The gas distribution plate may include a gas inlet hole formed on a first surface side through which gas is introduced, a through hole extending in a second surface direction in which gas is injected from the gas inlet hole, and at least two connected to each gas inlet hole; At least one gas injection hole extending from the through holes to the second surface and having a size larger than that of the through holes. In this way, the gas inlet hole is formed to be largely connected to the two or more through holes in common, thereby shortening the manufacturing time of the gas dispersion plate and reducing the manufacturing cost.

Description

가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버{GAS DISTRIBUTION PLATE AND PROCESS CHAMBER HAVING THE SAME}GAS DISTRIBUTION PLATE AND PROCESS CHAMBER HAVING THE SAME

본 발명은 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 피처리 기판 상에 공정 가스를 균일하게 분사하는 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a gas dispersion plate and a process chamber having the same, and more particularly, to a gas dispersion plate and a process chamber having the same evenly spraying the process gas on the substrate to be processed.

일반적으로, 집적회로장치, 액정표시장치, 태양전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정 중에서, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 플라즈마 강화 화학기상증착(Plasma Enhanced Camical Vapor Deposition : PECVD) 장치를 통해 진행된다. In general, among semiconductor manufacturing processes for manufacturing devices such as integrated circuit devices, liquid crystal displays, solar cells, and the like, a process of forming a thin film on a substrate to be processed is performed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Proceeds through the device.

PECVD 장치는 챔버 몸체의 내부 공간에 형성되어 피처리 기판을 지지 및 가열하기 위한 기판 지지부 및 기판 지지부의 상부에 형성되어 피처리 기판을 향해 공정 가스를 분사하는 샤워헤드를 포함한다. 샤워헤드는 고주파 전원이 연결되는 전극판 및 가스의 분사를 위해 다수의 홀들이 형성된 가스 분산판을 포함한다. 전극판과 가스 분산판과의 결합을 통해 전극판과 가스 분산판 사이에는 가스가 확산될 수 있는 가스확산공간이 마련된다. 전극판에 형성된 가스유입구를 통해 유입된 가스는 가스확산공간에서 확산된 후, 가스 분산판의 홀들을 통해 피처리 기판으로 분사된다.The PECVD apparatus includes a substrate support formed in an inner space of the chamber body to support and heat the substrate, and a showerhead formed on top of the substrate support to inject a process gas toward the substrate. The showerhead includes an electrode plate to which high frequency power is connected, and a gas distribution plate in which a plurality of holes are formed for injection of gas. A gas diffusion space through which the gas can be diffused is provided between the electrode plate and the gas dispersion plate by combining the electrode plate and the gas dispersion plate. The gas introduced through the gas inlet formed in the electrode plate is diffused in the gas diffusion space and then injected into the target substrate through the holes of the gas distribution plate.

가스 분산판에 형성된 홀은 가스가 유입되는 부분에 형성된 가스 유입홀, 가스가 분사되는 부분에 형성된 가스 분사홀, 및 가스 유입홀 및 가스 분사홀보다 작은 직경으로 형성되어 가스 유입홀과 가스 분사홀을 연결하는 관통홀을 포함하는 구조를 갖는다. 이러한 구조의 홀은 드릴 공정을 통해 형성되는데, 작은 직경의 홀을 형성함에 있어, 드릴이 파손되거나 가스 분산판이 손상되는 등의 문제가 발생된다. 특히, 피처리 기판이 대면적화됨에 따라 가스 분산판 또한 대면적으로 제조되므로, 형성할 홀들의 개수가 증가되어 제조 시간이 길어지고 제조 비용이 증가되는 문제가 발생된다.The hole formed in the gas distribution plate has a gas inlet hole formed in a portion where gas is introduced, a gas injection hole formed in a portion where gas is injected, and a smaller diameter than the gas inlet hole and gas injection hole. It has a structure including a through hole connecting the. The hole of this structure is formed through a drill process, and in forming a hole of a small diameter, problems such as a drill breakage or a gas distribution plate are damaged. In particular, since the gas dispersion plate is also manufactured in a large area as the substrate to be processed becomes large, a problem arises in that the number of holes to be formed is increased to increase the manufacturing time and increase the manufacturing cost.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 제조를 용이하게 하여 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있는 가스 분산판을 제공한다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and the present invention provides a gas dispersion plate which can facilitate the manufacture, shorten the manufacturing time and reduce the manufacturing cost.

또한, 본 발명은 상기한 가스 분산판을 갖는 공정 챔버를 제공한다.The present invention also provides a process chamber having the gas dispersion plate described above.

본 발명의 일 특징에 따른 가스 분산판은 가스 유입홀, 관통홀들 및 가스 분사홀을 포함한다. 상기 가스 유입홀은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된다. 상기 관통홀들은 상기 가스 유입홀로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되며, 상기 가스 유입홀 각각에 적어도 2개 이상이 연결된다. 상기 가스 분사홀은 상기 관통홀들로부터 상기 제2 면까지 연장되며, 상기 관통홀보다 큰 크기로 형성된다.Gas dispersion plate according to an aspect of the present invention includes a gas inlet hole, through holes and gas injection hole. The gas inlet hole is formed at a side of the first surface on which gas is introduced. The through holes extend in the direction of the second surface in which gas is injected from the gas inlet holes, and at least two through holes are connected to each of the gas inlet holes. The gas injection hole extends from the through holes to the second surface and has a size larger than that of the through holes.

상기 가스 유입홀은 평면적으로 보았을 때, 실질적으로 원형 또는 사각형 형상으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 가스 유입홀은 평면적으로 보았을 때, 가스 분산판의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수 있다. The gas inlet hole may be formed in a substantially circular or rectangular shape when viewed in plan. In contrast, the gas inlet hole may be formed in a band shape surrounding the center of the gas distribution plate when viewed in plan view.

상기 가스 유입홀은 평면적 및 깊이 중 적어도 하나가 위치에 따라 상이하도록 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 가스 유입홀은 가스 분산판의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 평면적이 커지도록 형성될 수 있다. 다른 예로, 상기 가스 유입홀은 가스 분산판의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 깊이가 커지도록 형성될 수 있다. The gas inlet hole may be formed such that at least one of a plane area and a depth is different according to a position. For example, the gas inlet hole may be formed to increase in planar area from the center portion of the gas distribution plate to the edge portion. As another example, the gas inlet hole may be formed to increase in depth from the center portion of the gas distribution plate to the edge portion.

상기 가스 분사홀은 상기 제2 면에 인접한 영역이 상기 제2 면과 수직하게 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 가스 분사홀은 상기 제2 면에 인접한 영역이 상기 제2 면 방향으로 갈수록 넓어지도록 기울어지게 형성될 수 있다. The gas injection hole may have a region adjacent to the second surface perpendicular to the second surface. In contrast, the gas injection hole may be formed to be inclined such that an area adjacent to the second surface becomes wider toward the second surface direction.

하나의 상기 관통홀에는 하나의 상기 가스 분사홀이 연결될 수 있다. 이와 달리, 2개 이상의 상기 관통홀들에 하나의 상기 가스 분사홀이 공통으로 연결될 수 있다. One gas injection hole may be connected to one through hole. Alternatively, one gas injection hole may be commonly connected to two or more of the through holes.

본 발명의 다른 특징에 따른 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀들, 상기 가스 유입홀들 각각으로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되고 상기 가스 유입홀들보다 작은 크기로 형성된 관통홀들 및 적어도 2개 이상의 상기 관통홀들과 연결되어 상기 제2 면까지 연장되는 적어도 하나의 가스 분사홀을 포함한다. 상기 제2 면은 가스 분산판의 에지부로부터 중앙부로 갈수록 상기 제1 면과의 거리가 가까워지도록 형성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a gas dispersion plate includes gas inlet holes formed at a side of a first surface on which gas is introduced, extending in a second surface direction in which gas is injected from each of the gas inlet holes, It includes a through hole formed in a small size and at least one gas injection hole connected to the at least two or more through holes extending to the second surface. The second surface may be formed such that a distance from the first surface closer to the center portion from the edge portion of the gas distribution plate.

본 발명의 일 특징에 따른 공정 챔버는 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부 및 상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 피처기 기판 방향으로 가스를 분사하는 가스 분산판을 포함한다. 상기 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀들, 가스가 분사되는 제2 면 측에 형성된 가스 분사홀들 및 상기 가스 유입홀 및 상기 가스 분사홀보다 작은 크기로 형성되어 상기 가스 유입홀과 상기 가스 분사홀을 서로 연결하는 관통홀들을 포함한다. 이때, 상기 가스 유입홀 및 상기 가스 분사홀 중 적어도 하나는 2개 이상의 상기 관통홀들과 연결된다. According to an aspect of the present invention, a process chamber is installed in a chamber body to support a substrate to be processed, and is installed in the chamber body to face the substrate support part to inject a gas toward the feature substrate. A gas dispersion plate. The gas distribution plate is formed to have a smaller size than gas inlet holes formed on the first surface side through which gas is introduced, gas injection holes formed on the second surface side through which gas is injected, and the gas inlet hole and the gas injection hole. And through holes connecting the gas inlet hole and the gas injection hole to each other. In this case, at least one of the gas inlet hole and the gas injection hole is connected to two or more of the through holes.

이와 같은 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버에 따르면, 가스 분산판의 양면에 형성되는 가스 유입홀 및 가스 분사홀 중 적어도 하나를 2개 이상의 관통홀들과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 가스 유입홀의 평면적 및 깊이 중 적어도 하나를 위치에 따라 상이하게 형성함으로써, 피처리 기판에 증착되는 증착막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 피처리 기판과 마주하는 가스 분산판의 하부면의 형상을 에지부로부터 중앙부로 갈수록 상부면과 가까워지게 형성함으로써, 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.According to such a gas dispersion plate and a process chamber having the same, by forming at least one of the gas inlet hole and the gas injection hole formed on both sides of the gas dispersion plate to be connected in common with the two or more through holes, the gas dispersion plate It can shorten manufacturing time and reduce manufacturing cost. In addition, by forming at least one of the plane area and the depth of the gas inlet hole differently according to the position, it is possible to improve the thickness uniformity of the deposited film deposited on the substrate to be processed. Furthermore, the deposition uniformity can be improved by forming the shape of the lower surface of the gas dispersion plate facing the substrate to be closer to the upper surface from the edge portion toward the center portion.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. The above-described features and effects of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, and thus, those skilled in the art to which the present invention pertains may easily implement the technical idea of the present invention. Could be. The present invention is not limited to the following embodiments and may be implemented in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosure more complete and to fully convey the spirit and features of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness of each device or film (layer) and regions has been exaggerated for clarity of the invention, and each device may have various additional devices not described herein.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a process chamber according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)는 챔버 몸체(110), 챔버 몸체(110)의 내부에 설치되어 피처리 기판(122)을 지지하는 기판 지지부(120) 및 챔버 몸체(110)의 내부에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치되어 피처리 기판(122) 방향으로 가스를 공급하는 샤워 헤드(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a process chamber 100 according to an embodiment of the present invention is installed in the chamber body 110 and the chamber body 110 to support the substrate 122 to be processed. And a shower head 130 installed in the chamber body 110 to face the substrate support 120 to supply gas toward the substrate 122.

챔버 몸체(110)는 하부 몸체부(112) 및 하부 몸체부(112)의 상부에 개폐가능하게 결합되는 상부 몸체부(114)를 포함할 수 있다. 하부 몸체부(112)와 상부 몸체부(114)의 결합에 의해 챔버 몸체(110)의 내부에는 피처리 기판(122)에 대한 공정을 수행할 수 있는 공간이 마련된다. 챔버 몸체(110)의 바닥에는 챔버 몸체(110)의 내부 공간을 진공으로 만들기 위한 배기구(116)가 형성된다.The chamber body 110 may include a lower body portion 112 and an upper body portion 114 coupled to the upper portion of the lower body portion 112 to be opened and closed. By combining the lower body part 112 and the upper body part 114, a space is provided inside the chamber body 110 to perform a process for the substrate to be processed 122. An exhaust port 116 is formed at the bottom of the chamber body 110 to vacuum the internal space of the chamber body 110.

기판 지지부(120)는 피처리 기판(122)을 지지하기 위한 것으로서, 챔버 몸체(110) 내부의 하부 공간에 설치된다. 기판 지지부(120)의 내부에는 피처리 기판(122)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 형성될 수 있다. The substrate support part 120 supports the substrate 122 to be processed and is installed in a lower space inside the chamber body 110. A heater (not shown) may be formed in the substrate support part 120 to heat the substrate 122.

샤워 헤드(130)는 챔버 몸체(110) 내부의 상부 공간에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치된다. 샤워 헤드(130)는 공정 가스를 균일하게 분사하기 위한 것으로서, 전극판(132) 및 가스 분산판(134)을 포함한다.The shower head 130 is installed to face the substrate support 120 in the upper space inside the chamber body 110. The shower head 130 is for uniformly injecting the process gas, and includes an electrode plate 132 and a gas distribution plate 134.

전극판(132)은 챔버 몸체(110)의 상부 몸체부(114)에 고정되게 설치된다. 전극판(132)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성된다. 전극판(132)에는 플라즈마의 발생을 위한 고주파 전원(RF 전원)이 인가된다. 전극판(132)의 중앙 부분에는 반응 가스, 원료 가스 등의 박막 증착에 필요한 공정 가스가 유입되는 가스 유입구(136)가 형성된다.The electrode plate 132 is installed to be fixed to the upper body portion 114 of the chamber body 110. The electrode plate 132 is formed of a metal material such as aluminum having electrical conductivity. The high frequency power source (RF power source) for generating plasma is applied to the electrode plate 132. In the center portion of the electrode plate 132, a gas inlet 136 through which a process gas necessary for thin film deposition such as a reaction gas and a source gas is introduced is formed.

가스 분산판(134)은 전극판(132)의 하부에 일정 거리 이격되게 설치된다. 가스 분산판(134)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성된다. 가스 분산판(134)은 전극판(132)과 전기적으로 연결되며, 전극판(132)에 인가된 고주파 전원이 가스 분산판(134)에도 인가된다. The gas distribution plate 134 is installed below the electrode plate 132 by a predetermined distance. The gas distribution plate 134 is formed of a metal material such as aluminum having electrical conductivity. The gas distribution plate 134 is electrically connected to the electrode plate 132, and a high frequency power applied to the electrode plate 132 is also applied to the gas distribution plate 134.

가스 분산판(134)은 예를 들어, 연결 부재(138)를 통해 전극판(132)과 결합된다. 연결 부재(138)는 가스 분산판(134)과 전극판(132)의 외측 부분을 둘러싸도록 형성된다. 이에 따라, 전극판(132)과 가스 분산판(134) 사이에는 가스 유입구(136)를 통해 유입된 가스를 가스 분산판(134)의 전 영역으로 확산시키기 위한 가스확산 공간(139)이 마련된다. 가스 유입구(136)를 통해 가스확산 공간(139)에 유입된 공정 가스는 가스확산 공간(139)에서 확산된 후 가스 분산판(134)을 통해 피처리 기판(122)으로 균일하게 분사된다.The gas distribution plate 134 is coupled with the electrode plate 132 through, for example, the connecting member 138. The connecting member 138 is formed to surround the outer portions of the gas distribution plate 134 and the electrode plate 132. Accordingly, a gas diffusion space 139 is provided between the electrode plate 132 and the gas distribution plate 134 to diffuse the gas introduced through the gas inlet 136 into all regions of the gas distribution plate 134. . The process gas introduced into the gas diffusion space 139 through the gas inlet 136 is diffused in the gas diffusion space 139 and uniformly sprayed through the gas dispersion plate 134 onto the target substrate 122.

도 2는 도 1에 도시된 가스 분산판을 구체적으로 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 4는 가스 유입홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이며, 도 5는 가스 분사홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이며, 도 6은 가스 분사홀의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating the gas dispersion plate illustrated in FIG. 1 in detail, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas inlet hole. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas injection hole, Figure 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas injection hole.

도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 분산판(134)은 가스가 유입되는 제1 면(210) 측에 형성된 가스 유입홀(220), 가스 유입홀(220)로부터 가스가 분사되는 제2 면(230) 방향으로 연장되는 관통홀(240) 및 관통홀(240)로부터 제2 면(230)까지 연장되는 가수 분사홀(250)을 포함한다. 가스 유입홀(220), 관통홀(240) 및 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)을 관통하도록 서로 연결되어 가스가 흐를 수 있는 통로를 제공한다.2 and 3, the gas distribution plate 134 has a gas inlet hole 220 formed at the side of the first surface 210 into which gas is introduced, and a second surface through which gas is injected from the gas inlet hole 220. It includes a through hole 240 extending in the direction (230) and the water injection hole 250 extending from the through hole 240 to the second surface 230. The gas inlet hole 220, the through hole 240, and the gas injection hole 250 are connected to each other to penetrate the gas distribution plate 134 to provide a passage through which gas can flow.

가스 유입홀(220)은 가스가 유입되는 제1 면(210), 즉 전극판(132)과 마주보는 면에 형성된다. 가스 유입홀(220)은 가스 분산판(134)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도를 갖도록 형성된다. 가스 유입홀(220)은 평면적으로 보았을 때 실질적으로 원형 형상으로 형성된다. 이와 달리, 가스 유입홀(220)은 평면적으로 보았을 때 사각형 또는 육각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 가스 유입홀(220)은 도 4에 도시된 바와 같이, 평면적으로 보았을 때 가스 분산판(132)의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수도 있다.The gas inlet hole 220 is formed on the first surface 210 to which gas is introduced, that is, the surface facing the electrode plate 132. The gas inlet hole 220 is formed to have a uniform density over the entire area of the gas distribution plate 134. The gas inlet hole 220 is formed in a substantially circular shape in plan view. In contrast, the gas inlet hole 220 may be formed in various shapes such as a square or a hexagon when viewed in a plan view. Meanwhile, as shown in FIG. 4, the gas inlet hole 220 may be formed in a band shape surrounding the center of the gas distribution plate 132.

관통홀(240)은 가스 유입홀(220)의 바닥부로부터 제2 면(230) 방향으로 연장되게 형성된다. 이때, 하나의 가스 유입홀(220)에는 적어도 2개 이상의 관통홀들(240)이 연결된다. 관통홀(240)은 가스 분산판(134)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도를 갖도록 형성될 수 있다. 관통홀(240)은 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250)의 사이에 형성되며, 가스 분사 효율을 향상시키기 위하여 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250)보다 작은 크기로 형성된다. 한편, 가스 유입홀(220)과 관통홀(240)이 만나는 부분은 가스가 가스 유입홀(220)로부터 관통홀(240)로 흐를 때 흐름 저항을 최소화하기 위하여 테이퍼진 형상으로 형성될 수 있다.The through hole 240 is formed to extend in the direction of the second surface 230 from the bottom of the gas inlet hole 220. In this case, at least two through holes 240 are connected to one gas inlet hole 220. The through hole 240 may be formed to have a uniform density over the entire area of the gas distribution plate 134. The through hole 240 is formed between the gas inlet hole 220 and the gas injection hole 250 and is formed to have a smaller size than the gas inlet hole 220 and the gas injection hole 250 to improve gas injection efficiency. do. Meanwhile, a portion where the gas inflow hole 220 and the through hole 240 meet each other may be formed in a tapered shape to minimize the flow resistance when the gas flows from the gas inflow hole 220 to the through hole 240.

가스 분사홀(250)은 각각의 관통홀(240)로부터 제2 면(230)까지 연장되며, 관통홀(240)보다 큰 크기로 형성된다. 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도로 형성된다. 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 원형 형상으로 형성된다. 이와 달리, 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 사각형 또는 육각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 관통홀(240)과 가스 분사홀(250)이 만나는 부분은 가스 흐름의 압력 손실을 최소화시키기 위하여 테이터진 형상으로 형성될 수 있다.The gas injection hole 250 extends from each through hole 240 to the second surface 230 and is formed to have a larger size than the through hole 240. The gas injection hole 250 is formed at a uniform density over the entire area of the gas distribution plate 134. The gas injection hole 250 is formed in a circular shape when viewed in plan view. In contrast, the gas injection hole 250 may be formed in various shapes such as a square or a hexagon when viewed in a plan view. Meanwhile, a portion where the through hole 240 and the gas injection hole 250 meet may be formed in a data shape to minimize the pressure loss of the gas flow.

가스 분사홀(250)은 제2 면(230)에 인접한 영역이 제2 면(230)과 수직하게 형성된다. 이와 달리, 가스 분사홀(250)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 면(230)에 인접한 영역이 제2 면(230) 방향으로 갈수록 넓어지도록 기울어지게 형성될 수 있다. 또한, 가스 분사홀(250)은 제2 면(230)에 수직한 영역과 기울어진 영역을 모두 포함할 수도 있다.In the gas injection hole 250, an area adjacent to the second surface 230 is formed perpendicular to the second surface 230. In contrast, as illustrated in FIG. 5, the gas injection hole 250 may be formed to be inclined such that an area adjacent to the second surface 230 becomes wider toward the second surface 230. In addition, the gas injection hole 250 may include both an area perpendicular to the second surface 230 and an inclined area.

한편, 하나의 관통홀(240)에는 하나의 가스 분사홀(250)이 연결된다. 이와 달리, 도 6에 도시된 바와 같이, 2개 이상의 관통홀(240)에 하나의 가스 분사홀(250)이 공통으로 연결될 수 있다. 2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 원형, 사각형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수도 있다.Meanwhile, one gas injection hole 250 is connected to one through hole 240. Unlike this, as illustrated in FIG. 6, one gas injection hole 250 may be commonly connected to two or more through holes 240. The gas injection holes 250 commonly connected to the two or more through holes 240 may have various shapes such as a circle and a quadrangle when viewed in a plan view. In addition, the gas injection hole 250 commonly connected to the two or more through holes 240 may be formed in a band shape surrounding the center of the gas distribution plate 134.

이와 같이, 가스 분산판(134)의 제1 면(210) 및 제2 면(230)에 각각 형성되는 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250) 중 적어도 하나를 2개 이상의 관통홀 들(240)과 공통적으로 연결되도록 크게 형성하면, 가공해야할 전체 홀의 개수가 감소되어 제조 시간을 단축할 수 있으며, 제조시 발생되던 드릴 파손 등의 문제가 최소화되어 제조 비용을 절감할 수 있으며, 기존보다 용이하게 가스 분산판(134)을 제조할 수 있다.As such, at least one of the gas inflow hole 220 and the gas injection hole 250 formed in each of the first and second surfaces 210 and 230 of the gas distribution plate 134 may include two or more through holes. If it is formed to be largely connected in common with (240), the total number of holes to be processed can be reduced to shorten the manufacturing time, minimizing problems such as drill breakage occurred during the manufacturing can reduce the manufacturing cost, than The gas dispersion plate 134 can be manufactured easily.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 평면도이며, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.7 is a plan view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention, Figure 8 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8을 참조하면, 피처리 기판에 증착되는 증착막의 두께 균일성을 향상시키기 위하여, 가스 분산판(134)의 제1 면(210) 측에 형성된 가스 유입홀(220)은 평면적 및 깊이 중 적어도 하나가 위치에 따라 상이하도록 형성될 수 있다.7 and 8, in order to improve the uniformity of the thickness of the deposited film deposited on the substrate, the gas inlet hole 220 formed on the side of the first surface 210 of the gas dispersion plate 134 may be planar and At least one of the depths may be formed to vary with location.

예를 들어, 가스 유입홀(220)은 도 7에 도시된 바와 같이, 가스 분산판(134)의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 평면적이 커지도록 형성될 수 있다. 또한, 가스 유입홀(220)은 도 8에 도시된 바와 같이, 가스 분산판(134)의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 깊이가 커지도록 형성될 수 있다. 통상적으로, 공정 챔버의 구조적 특징 또는 공정 조건에 따라 증착막의 두께가 중앙부에서 두껍고 에지부에서 얇은 형태로 형성될 경우가 있다. 이러한 경우, 도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같이, 가스 유입홀(220)의 형상을 중앙부에서 에지부로 갈수록 평면적이 커지거나 깊이가 커지게 형성하여 가스 흐름 저항을 감소시킴으로써, 중앙부와 에지부에서의 증착 두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 한편, 공정 챔버의 구조적 특징 또는 공정 조건에 따라 증착막의 두께가 중앙부에서 얇고 에지부에서 두꺼운 형태로 형성될 경우, 가스 유입홀(220)의 형상을 중앙부에서 에지부로 갈수록 평면적이 작아지거나 깊이가 작아지도록 형성하여 증착 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 7, the gas inlet hole 220 may be formed to have a larger planar area from the center portion of the gas distribution plate 134 toward the edge portion. In addition, as shown in FIG. 8, the gas inlet hole 220 may be formed to have a greater depth from the center portion of the gas distribution plate 134 toward the edge portion. Typically, depending on the structural characteristics or process conditions of the process chamber, the thickness of the deposited film may be formed to be thick at the center portion and thin at the edge portion. In this case, as shown in Figure 7 or 8, the shape of the gas inlet hole 220 from the center portion to the edge portion is formed so that the planar area becomes larger or deeper to reduce the gas flow resistance, thereby, in the center portion and the edge portion The deposition thickness uniformity of the can be improved. On the other hand, when the thickness of the deposited film is formed in a thin form at the center portion and thick at the edge portion according to the structural characteristics or process conditions of the process chamber, the planar area of the gas inlet hole 220 from the center portion to the edge portion becomes smaller or smaller in depth. It can be formed so as to improve the uniformity of the deposition thickness.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다. 9 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 가스 분산판(134)은 가스가 유입되는 제1 면(210) 측에 형성된 가스 유입홀들(220), 가스 유입홀들(220) 각각으로부터 가스가 분사되는 제2 면(230) 방향으로 연장되고 가스 유입홀(220)보다 작은 크기로 형성되는 관통홀들(240) 및 적어도 2개 이상의 관통홀들(240)과 공통적으로 연결되어 제2 면(230)까지 연장되는 적어도 하나의 가스 분사홀(250)을 포함한다.Referring to FIG. 9, the gas distribution plate 134 may include a gas inlet hole 220 formed at a side of the first surface 210 on which gas is introduced, and a second surface in which gas is injected from each of the gas inlet holes 220. Extends in the direction 230 and is connected in common with at least two or more through holes 240 and through holes 240 formed in a smaller size than the gas inlet hole 220 to extend to the second surface 230. At least one gas injection hole 250 is included.

2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 원형, 사각형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수도 있다.The gas injection holes 250 commonly connected to the two or more through holes 240 may have various shapes such as a circle and a quadrangle when viewed in a plan view. In addition, the gas injection hole 250 commonly connected to the two or more through holes 240 may be formed in a band shape surrounding the center of the gas distribution plate 134.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 가스 분산판(134)의 제2 면(230)은 가스 분산판(134)의 에지부로부터 중앙부로 갈수록 제1 면(210)과의 거리가 가까워지도록 형성된다. 액정표시장치, 태양전지 등의 대형화에 따라 이를 제조하는 공정 챔버의 크기도 증가되고 있으며, 이에 따라 가스 분산판(134)의 크기도 대형화되는 추세이다. 가스 분산판(134)이 대형화됨에 따라, 가스 분산판(134)의 처짐이 발생될 수 있는데, 이는 가스 분산판(134)과 피처리 기판간의 간격을 변화시켜 증착 균일성을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 가스 분산판(134)의 처짐을 고려하여 피처리 기판과 대향하는 가스 분산판(134)의 제2 면(230)의 형상을 상기와 같이 에지부로부터 중앙부로 갈수록 제1 면(210)과의 거리가 가까워지게 형성함으로써, 공정 중 가스 분산판(134)과 피처리 기판간의 간격을 균일하게 유지할 수 있으며, 이를 통해 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, the second surface 230 of the gas distribution plate 134 is formed such that the distance from the edge portion of the gas distribution plate 134 toward the center becomes closer to the first surface 210. As the size of the liquid crystal display device and the solar cell increases, the size of the process chamber for manufacturing the same increases, and accordingly, the size of the gas distribution plate 134 also increases. As the gas distribution plate 134 becomes larger, sagging of the gas distribution plate 134 may occur, which may reduce the deposition uniformity by changing the distance between the gas distribution plate 134 and the substrate to be processed. Accordingly, in consideration of the deflection of the gas dispersion plate 134, the shape of the second surface 230 of the gas dispersion plate 134 facing the substrate to be processed is increased from the edge portion to the center portion as described above. By forming a close distance to the, it is possible to maintain a uniform distance between the gas distribution plate 134 and the substrate to be processed during the process, thereby improving the uniformity of the deposition.

이상과 같이, 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250) 중 적어도 하나를 2개 이상의 관통홀들(240)과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판(134)의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 가스 유입홀(220)의 평면적 및 깊이 중 적어도 하나를 위치에 따라 상이하게 형성함으로써, 피처리 기판에 증착되는 증착막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 피처리 기판과 마주하는 가스 분산판(134)의 제2 면(230)의 형상을 에지부로부터 중앙부로 갈수록 제1 면(210)과 가까워지게 형성함으로써, 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.As described above, at least one of the gas inflow hole 220 and the gas injection hole 250 is formed to be largely connected in common with the two or more through holes 240, thereby shortening the manufacturing time of the gas dispersion plate 134. And reduce manufacturing costs. In addition, by forming at least one of the planar area and the depth of the gas inlet hole 220 according to the position, it is possible to improve the thickness uniformity of the deposited film deposited on the substrate to be processed. Furthermore, the deposition uniformity can be improved by forming the shape of the second surface 230 of the gas dispersion plate 134 facing the substrate to be closer to the first surface 210 from the edge portion toward the center portion. .

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a process chamber according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 가스 분산판을 구체적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view showing in detail the gas distribution plate shown in FIG. 1.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 4는 가스 유입홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a gas inlet hole.

도 5는 가스 분사홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing another embodiment of a gas injection hole.

도 6은 가스 분사홀의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing another embodiment of a gas injection hole.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 평면도이다.7 is a plan view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다. 9 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 공정 챔버 110 : 챔버 몸체100: process chamber 110: chamber body

120 : 기판 지지부 130 : 샤워 헤드120: substrate support 130: shower head

132 : 전극판 134 : 가스 분산판132: electrode plate 134: gas dispersion plate

220 : 가스 유입홀 240 : 관통홀220: gas inlet hole 240: through hole

250 : 가스 분사홀 250: gas injection hole

Claims (13)

가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 적어도 하나의 가스 유입홀;At least one gas inlet hole formed at a side of the first surface on which gas is introduced; 상기 가스 유입홀로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되며, 상기 가스 유입홀 각각에 적어도 2개 이상이 연결되는 관통홀들; 및Through-holes extending from the gas inlet hole in a direction in which the gas is injected, and at least two connected to each of the gas inlet holes; And 상기 관통홀들로부터 상기 제2 면까지 연장되며, 상기 관통홀보다 큰 크기로 형성된 적어도 하나의 가스 분사홀을 포함하며, At least one gas injection hole extending from the through holes to the second surface and having a larger size than the through hole; 상기 가스 유입홀은 평면적 및 깊이 중 적어도 하나가 위치에 따라 상이하도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas inlet hole is a gas distribution plate, characterized in that formed at least one of the planar and the depth is different depending on the position. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 유입홀은 평면적으로 보았을 때, 원형 또는 사각형 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas inlet hole is a gas distribution plate, characterized in that formed in a circular or square shape when viewed in plan. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 유입홀은 평면적으로 보았을 때, 가스 분산판의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas inlet hole is formed in a band shape surrounding the center of the gas distribution plate when viewed in plan view. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 유입홀은 가스 분산판의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 평면적이 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas inlet hole is formed so that the planar area becomes larger toward the edge portion from the center portion of the gas distribution plate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 유입홀은 가스 분산판의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 깊이가 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas inlet hole is formed so that the depth increases toward the edge portion from the center portion of the gas distribution plate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 분사홀은 상기 제2 면에 인접한 영역이 상기 제2 면과 수직하게 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas injection hole is a gas distribution plate, characterized in that the region adjacent to the second surface is formed perpendicular to the second surface. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 분사홀은 상기 제2 면에 인접한 영역이 상기 제2 면 방향으로 갈수록 넓어지도록 기울어지게 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.And the gas injection hole is formed to be inclined such that an area adjacent to the second surface becomes wider toward the second surface direction. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 하나의 상기 관통홀에 하나의 상기 가스 분사홀이 연결된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.The gas distribution plate, characterized in that the one gas injection hole is connected to one through hole. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 2개 이상의 상기 관통홀들에 하나의 상기 가스 분사홀이 공통으로 연결된 것을 특징으로 하는 가스 분산판.A gas distribution plate, characterized in that one of the gas injection hole is commonly connected to two or more of the through holes. 삭제delete 삭제delete 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부; 및A substrate support part installed inside the chamber body to support a substrate to be processed; And 상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 기판 지지부 방향으로 가스를 분사하는 가스 분산판을 포함하며,A gas distribution plate installed in the chamber body so as to face the substrate support and spraying gas toward the substrate support; 상기 가스 분산판은,The gas dispersion plate, 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀들,Gas inlet holes formed at a side of the first surface on which gas is introduced; 가스가 분사되는 제2 면 측에 형성된 가스 분사홀들, 및Gas injection holes formed at a side of the second surface on which gas is injected, and 상기 가스 유입홀 및 상기 가스 분사홀보다 작은 크기로 형성되어 상기 가스 유입홀과 상기 가스 분사홀을 서로 연결하는 관통홀들을 포함하며,It is formed to have a smaller size than the gas inlet hole and the gas injection hole comprises a through hole for connecting the gas inlet hole and the gas injection hole, 상기 가스 유입홀 및 상기 가스 분사홀 중 적어도 하나는 2개 이상의 상기 관통홀들과 연결되며,At least one of the gas inlet hole and the gas injection hole is connected to two or more of the through holes, 상기 가스 유입홀은 평면적 및 깊이 중 적어도 하나가 위치에 따라 상이하도록 형성된 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The gas inlet hole is formed so that at least one of the plane and the depth is different depending on the position.
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