KR101116824B1 - 절연층의 필링을 방지하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

절연층의 필링을 방지하는 유기 전계 발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 절연층이 스캔 라인의 상부로부터 절연층 영역의 내부로 형성되는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 기판 상에 애노드전극층, 절연층, 유기물층 및 캐소드전극층이 적층되어 발광 영역을 형성하는 유기 전계 발광 소자는 복수의 스캔 라인들을 포함한다. 상기 스캔 라인들은 상기 캐소드전극층들에 각기 연결된다. 여기서, 상기 절연층 중 스캔 라인측 종단은 일부 스캔 라인 중 상기 애노드전극층들과 평행한 부분의 상면에 위치한다. 상기 유기 전계 발광 소자에서, 상기 절연층이 상기 스캔 라인들 중 일부 스캔 라인의 상부로부터 절연층 영역의 내부 방향으로 형성되므로, 상기 절연층이 상기 스캔 라인으로부터 필링되지 않을 수 있다.
유기 전계 발광 소자, 절연층, 스캔 라인

Description

절연층의 필링을 방지하는 유기 전계 발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE FOR PREVENTING PEELING OF AN INSULATING FILM}
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절취한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절취한 스캔 라인을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절취한 스캔 라인을 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 절연층이 스캔 라인의 상부로부터 절연층 영역의 내부로 형성되는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 자체 발광하는 소자로서, 소정 전압이 인가되는 경우 특정 파장의 빛을 발생시킨다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 애노드전극층들(102), 캐소드전극층들(104), 데이터 라인들(108), 스캔 라인들(110a 및 110b) 및 절연층 영역(112)을 포함한다.
애노드전극층들(102)과 캐소드전극층들(104)이 교차하는 발광 영역들에는 복수의 픽셀들(106)이 형성된다.
데이터 라인들(108)은 애노드전극층들(102)에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 데이터 신호들을 애노드전극층들(102)에 제공한다.
스캔 라인들(110a 및 110b)은 캐소드전극층들(104)에 각기 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 스캔 신호들을 캐소드전극층들(104)에 제공한다.
절연층 영역(112)은 절연층이 형성되는 영역이다.
여기서, 상기 절연층의 종단은 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100) 및 일부 스캔 라인 중 애노드전극층들(102)과 수직한 부분 위에 위치한다.
이 경우, 기판(100)과 상기 절연층 사이의 결합력이 약하기 때문에, 상기 절연층이 기판(100)으로부터 필링(peeling)될 수 있었다.
본 발명의 목적은 기판으로부터 필링되지 않는 절연층을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 상에 애노드전극층, 절연층, 유기물층 및 캐소드전극층이 적층되어 발광 영역을 형성하는 유기 전계 발광 소자는 복수의 스캔 라인들을 포함한다. 상기 스캔 라인들은 상기 캐소드전극층들에 각기 연결된다. 여기서, 상기 절연층 중 스캔 라인측 종단은 일부 스캔 라인 중 상기 애노드전극층들과 평행한 부분의 상면에 위치한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 절연층이 스캔 라인의 상부로부터 절연층 영역의 내부 방향으로 형성되므로, 상기 절연층이 상기 스캔 라인으로부터 필링되지 않을 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 애노드전극층들(202), 캐소드전극층들(204), 데이터 라인들(208), 스캔 라인들(210a 및 210b) 및 절연층 영역(212)을 포함한다.
각 애노드전극층들(202)은 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film, ITO층) 으로 이루어진다.
애노드전극층들(202)과 캐소드전극층들(204)이 교차하는 발광 영역들에는 복수의 픽셀들(206)이 형성된다.
데이터 라인들(208)은 애노드전극층들(202)에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 데이터 신호들을 애노드전극층들(202)을 통하여 픽셀들(206)에 제공한다.
스캔 라인들(210a 및 210b)은 캐소드전극층들(204)에 각기 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 스캔 신호들을 캐소드전극층들(204)을 통하여 픽셀들(206)에 제공한다.
또한, 각 스캔 라인들(210a 및 210b)은 금속으로 이루어진다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
절연층 영역(212)은 절연층이 형성되는 영역이다.
여기서, 상기 절연층의 종단은 도 2에 도시된 바와 같이 기판(200) 및 일부 스캔 라인 중 애노드전극층들(202)과 실질적으로 평행한 부분 위에 위치한다. 여기서, 상기 스캔 라인은 애노드전극층들(202)과 소정 각도의 오차 범위를 가지고 평행하다.
다만, 상기 절연층은 상기 발광 영역들에는 형성되지 않는다.
예를 들어, 상기 절연층은 제 1 스캔 라인들(210a) 중 하나의 제 1 스캔 라인 위로부터 제 2 스캔 라인들(210b) 중 하나의 제 2 스캔 라인 위까지 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 도 2에 도시된 바와 같은 양방향 스캔 라인들을 가지지 않고, 일방향 스캔 라인들을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 절연층은 상기 스캔 라인들 중 하나의 스캔 라인 위로부터 절연층 영역(212)의 내부 방향으로 형성된다.
이하, 본 발명의 유기 전계 발광 소자와 종래의 유기 전계 발광 소자를 비교하겠다.
종래의 유기 전계 발광 소자에서, 절연층의 종단은 기판 및 일부 스캔 라인 중 애노드전극층들과 수직한 부분 위에 위치하였다.
이 경우, 상기 기판과 상기 절연층 사이의 결합력이 약하고 상기 절연층과 상기 스캔 라인의 결합 부분이 작기 때문에, 상기 절연층이 상기 기판으로부터 필링(peeling)될 수 있었다.
반면에, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서, 상기 절연층의 종단은 기판(200) 및 상기 일부 스캔 라인 중 애노드전극층들(202)과 실질적으로 평행한 부분 위에 위치한다.
즉, 상기 절연층의 종단의 대부분이 상기 기판 위에 위치하였던 상기 종래의 유기 전계 발광 소자와 달리, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 상기 절연층의 종단의 대부분은 상기 스캔 라인 위에 위치한다.
또한, 상기 절연층과 상기 스캔 라인을 이루고 있는 금속 사이의 결합력이 강하다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서, 상기 절연층은 상기 스캔 라 인으로부터 필링되지 않는다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절취한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 각 픽셀들(206)은 기판(200) 위에 순차적으로 적층된 애노드전극층(202), 유기물층(306) 및 소정 금속으로 이루어진 금속 물질층(308)을 포함한다.
여기서, 캐소드전극층(304)은 유기물층(306) 위에 증착되는 금속 물질층(308)만을 의미한다.
각 스캔 라인들(210a 및 210b)은 기판(200) 위에 순차적으로 적층된 도전층(300) 및 보조전극층(302)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 보조전극층(302)은 금속층, 예를 들어 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
절연층(304)은 보조전극층(302) 및 애노드전극층(202) 위에 형성된다.
보조전극층(302)은 비아홀(Viahole, 310)을 통하여 금속 물질층(308)과 연결되며, 그래서 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 스캔 신호들이 도전층(300), 보조전극층(302) 및 금속 물질층(308)을 통하여 픽셀(206)에 전송된다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절취한 스캔 라인을 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 각 스캔 라인들(210a 및 210b)은 기판(200) 위에 순차적으로 적층된 도전층(400) 및 보조전극층(402)을 포함한다.
도전층(400)은 기판(200) 위에 형성된다.
보조전극층(402)은 도 4에 도시된 바와 같이 도전층(400)의 일부분 위에 형성되며, 그래서 각 스캔 라인들(210a 및 210b)의 저항을 감소시킨다.
물론, 보조전극층(402)은 도전층(400)의 전영역 위에 형성될 수도 있다.
또한, 보조전극층(402)은 금속으로 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도전층(400)은 ITO층이며, 보조전극층(402)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 도전층(400)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지며, 보조전극층(402)은 ITO층이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도전층(400)은 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴(Mo)을 감싸는 ITO층으로 이루어진다.
절연층(404)의 종단은 도 4에 도시된 바와 같이 보조전극층(402) 위로부터 절연층 영역(212)의 내부 방향으로 형성된다.
이 경우, 절연층(404)과 보조전극층(402) 사이의 결합력이 강하기 때문에, 절연층(404)이 보조전극층(402)으로부터 필링되지 않는다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 각 스캔 라인들(210a 및 210b)은 기판(200) 위에 형성된 도전층만을 포함할 수 있다.
이 경우, 절연층(404)은 상기 도전층의 상부로부터 절연층 영역(212)의 내부 방향으로 형성된다.
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절취한 스캔 라인을 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 각 스캔 라인들(210a 및 210b)은 기판(200) 위에 순차적으로 적층된 도전층(500) 및 보조전극층(502)을 포함한다.
절연층(504)은 보조전극층(502)을 덮으며, 그 종단은 도전층(500)의 상부에 위치한다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 절연층의 종단이 스캔 라인의 상부에 위치하므로, 상기 절연층이 상기 스캔 라인으로부터 필링되지 않는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상에 애노드전극층, 절연층, 유기물층 및 캐소드전극층이 적층되어 발광 영역을 형성하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    상기 캐소드전극층들에 각기 연결되는 스캔 라인들을 포함하되,
    상기 절연층 중 스캔 라인측 종단은 일부 스캔 라인 중 상기 애노드전극층들과 평행한 부분의 상면에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 각 스캔 라인들은 순차적으로 적층된 도전층 및 보조전극층을 포함하며,
    상기 절연층의 종단은 상기 보조전극층의 상면에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 도전층은 인듐주석산화물층이며, 상기 보조전극층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 도전층은 몰리브덴(Mo) 및 상기 몰리브덴을 감싸는 인듐주석산화물층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 각 스캔 라인들은 기판 위에 형성된 도전층 및 상기 도전층의 일부분 위에 형성된 보조전극층을 포함하되,
    상기 절연층의 종단은 상기 도전층의 상면에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 각 스캔 라인들은 인듐주석산화물층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 각 스캔 라인들은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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