KR101114253B1 - 블랙 마이크로캐비티를 포함하는 유기발광다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광다이오드에 관한 것으로서, 반사전극층, 상기 반사전극층 하부면에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 하부면에 형성된 블랙 마이크로캐비티를 포함하고, 상기 블랙 마이크로캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되어 이루어진다.
본 발명의 유기발광다이오드는 유기발광층에서 발광된 광이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진하여 전면으로 방출되는 광의 세기가 증가하므로 휘도가 증가된다. 또한 전면으로 공급되는 외부광이 블랙 마이크로캐비티에 의하여 상쇄간섭을 일으키며 소멸되므로 명실 명암비가 증가한다. 이와 같이 본 발명에 적용되는 블랙 마이크로 캐비티는 유기발광층에서 발광된 광을 공진시키는 마이크로캐비티 기능과 외부광을 흡수하는 블랙 필름 기능을 동시에 구현하므로, 휘도의 증가와 명실 명암비 향상의 효과를 동시에 달성할 수 있도록 한다.
Description
본 발명은 유기발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 휘도가 증가되고 명실 명암비가 향상된 유기발광다이오드에 관한 것이다.
유기발광다이오드는 전계가 가해지면 발광하는 성질을 가진 유기발광물질을 이용한 자발광소자로서 차세대 디스플레이 장치로 연구가 많이 이루어지고 있다. 유기발광다이오드는 양전극과 음전극, 그리고 그 사이에 형성된 유기발광층을 포함한다. 양전극과 음전극 사이에 전압이 인가되면 정공이 양전극으로부터 유기발광층 내로 주입되고, 전자는 음전극으로부터 유기발광층내로 주입된다. 유기발광층 내로 주입된 정공과 전자는 유기발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛이 방출된다.
전면방출형 유기발광다이오드는 양전극로 빛을 반사시킬 수 있는 물질을 사용하고, 음전극으로 빛을 투과시킬 수 있는 물질을 사용하여 유기발광층에서 발생된 광이 유기발광다이오드의 전면으로 효과적으로 방출되도록 한다. 그러나 양전극을 반사특성이 우수한 물질로 구성하는 경우 명실 명암비가 낮아지는 문제가 발생 된다. 즉, 전면으로 유입되는 외부광이 양전극에서 반사되며 명실 명암비를 떨어뜨리게 되는 것이다. 도 1은 종래의 전면방출형 유기발광다이오드에서 명실 명암비가 낮아지는 이유를 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 전면방출형 유기발광다이오드는 반사특성이 우수한 양전극(101), 광투과도가 높은 음전극(103), 양전극과 음전극 사이에 형성된 유기발광층(102) 및 유리기판(104)을 포함한다. 전면방출형 유기발광다이오드의 전면에서는 외부광이 유입되는데, 유입된 외부광은 반사특성이 우수한 물질로 이루어진 양전극(101)에서 반사되어 다시 전면으로 방출된다. 도 2는 반사특성이 우수한 양전극을 포함하는 유기발광다이오드의 외부광 반사특성을 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 종래의 전면방출형 유기발광다이오드의 경우 가시광선 영역에서 빛의 반사도가 60~70%에 육박함을 알 수 있다. 이렇게 외부로 반사되는 외부광은 오프(off)되어야 할 화소가 일정 수준의 빛을 반사하게 하여 명실 명암비를 떨어뜨리게 만들고, 결과적으로 디스플레이 장치의 성능을 저하시키게 한다.
전면방출형 유기발광다이오드에서 명실 명암비를 증가시키기 위한 노력 중 하나는 원형편광기를 이용하는 것이다. 도 3은 원형편광기를 이용한 전면방출형 유기발광다이오드를 설명하기 위한 도면이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 유기발광다이오드는 양전극(101), 음전극(103), 유기발광층(102) 및 유리기판(104)을 포함하고, 유리기판(104)의 전면에 원형편광층(105)이 형성되어 있다. 유기발광다이오드의 전면에서 유입되는 외부광은 원형편광층(105)을 통과하며 흡수되므로 외부로 반사되지 않는다. 도 3의 (b)와 (c)를 참조하면, 원형편광층(105)은 보호층(105a, 105c), 선형편광층(105b), 접착층(105d, 105f) 및 1/4 파장층(105e)을 포함한다. 외부광은 선형편광층을 통과하는 과정에서 일정한 방향의 편광만 통과하게 되고 나머지 방향의 편광은 통과하지 못한다. 선형편광층을 통과한 편광은 1/4 파장층을 통과하여 미러에서 반사되는데, 그 과정에서 편광의 방향이 90°로 변화하게 되어 선형편광층을 통과할 수 없게 된다. 이와 같이, 원형편광층은 외부광이 유기발광다이오드에서 반사될 수 없도록 하여 유기발광다이오드의 명실 명암비를 증가시키게 된다. 그러나 이러한 원형편광층을 사용한 유기발광다이오드는 선형편광층의 투과율이 40~45%이므로 유기발광층에서 발생된 빛의 50% 이상이 선형편광층에 흡수되어 휘도가 저하되는 문제점을 가지고, 선형편광층의 두께도 0.2㎜ 정도로 두꺼워서 디스플레이 소자의 전체적인 두께를 증가시키며, 추가적인 공정이 요구되므로 인테그레이트 소자를 제작하기 어려운 문제점을 가지고 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기발광다이오드의 휘도를 증가시키는 동시에 명실 명암비를 향상시킬 수 있는 전면방출형 유기발광다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위하여, 반사전극층, 상기 반사전극층 하부면에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층, 및 상기 투명전극층 하부면에 형성된 블랙 마이크로캐비티를 포함하고, 상기 블랙 마이크로 캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되어 이루어진 유기발광다이오드를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1금속층의 반사도는 제2금속층의 반사도보다 높은 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 제1금속층의 흡광도는 제2금속층의 흡광도보다 낮은 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 제1금속층은 알루미늄 또는 은으로 이루어지고, 상기 제2금속층은 크롬, 몰리부덴 또는 티타늄으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 블랙 마이크로캐비티의 제1금속층, 유전층 및 제2금속층의 두께는 상기 제1금속층, 유전층 및 제2금속층 각각에서 반사된 광이 상쇄간섭이 일어나도록 설정될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 투명전극층의 두께는 유기발광층에서 발생된 빛이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진할 수 있도록 설정될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 반사전극층은 알루미늄 또는 은으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 투명전극층은 인듐 틴 옥사이드로 이루어질 수 있다.
본 발명의 유기발광다이오드는 유기발광층에서 발광된 광이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진하여 전면으로 방출되는 광의 세기가 증가하므로 휘도가 증가된다. 또한 전면으로 공급되는 외부광이 블랙 마이크로캐비티에 의하여 상쇄간섭을 일으키며 소멸되므로 명실 명암비가 증가한다. 이와 같이 본 발명에 적용되는 블랙 마이크로 캐비티는 유기발광층에서 발광된 광을 공진시키는 마이크로캐비티 기능과 외부광을 흡수하는 블랙 필름 기능을 동시에 구현하므로, 휘도의 증가와 명실 명암비 향상의 효과를 동시에 달성할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 유기발광다이오드는 반사전극층, 상기 반사전극층 하부면에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 하부면에 형성된 블랙 마이크로캐비티를 포함하고, 상기 블랙 마이크로캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기발광다이오드는 상기의 구조적 특징에 의하여 휘도를 증가시킬 수 있는 마이크로캐비티(microcavity)와 명실 명암비(ambient contrast)를 향상시킬 수 있는 블랙 필름(black film) 기능을 동시에 구현할 수 있다.
마이크로캐비티는 두 개의 반사층 사이에 광을 가두고 반복되는 반사 작용을 일으켜 특정 파장대의 광 세기를 강화시키고, 다른 파장대의 광 세기를 감소시킨다. 전면방출형 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED)에 마이크 로캐비티를 적용하면 휘도가 발광효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 유기발광다이오드의 유기발광층에서 방출된 광은 유리기판을 통하여 디스플레이 외부로 방향성 없이 방출되는데, 유기발광층의 양면에 반사도가 높은 두 가지 물질층을 형성하여 마이크로캐비티 구조를 만들면 광의 공진이 일어나며 한쪽 방향(디스플레이 장치의 전면반향)으로 강화된 광을 방출할 수 있다. 따라서 결과적으로 유기발광다이오드의 휘도와 발광효율을 증가시킬 수 있다.
블랙 필름은 유기발광다이오드의 전면부에 형성되어 외부광이 유기발광다이오드에서 반사되어 명실 명암비가 저하되는 것을 방지할 수 있게 한다. 일반적으로 디스플레이 장치의 명실 명암비를 결정하는 인자는 휘도 반사율(luminance reflectance)이다. 명실 명암비는 하기의 수학식 1로 표현된다.
수학식 1
CR = (Lon + RdLambient)/(Loff + RdLambient)
CR:명실 명암비
( Lon: full white 상태의 휘도
Loff: black 상태의 휘도
Rd: 휘도 반사율
Lambient: 외부광의 휘도 )
상기의 수학식 1에 따라, 명실명암비를 향상시키기 위해서는 유기발광다이오드의 휘도 반사율을 감소시켜야 한다. 전면방출형 유기발광다이오드는 유기발광층에서 발생된 광을 전면으로 반사시키도록 반사특성이 우수한 물질층을 유기발광층의 후면에 형성하는데, 블랙필름을 이용하면 유기발광다이오드의 내부로 유입된 외부광이 반사되어 다시 전면으로 방출되는 것을 방지할 수 있으므로 명실 명암비가 증가된다.
도 4는 본 발명의 유기발광다이오드의 단면을 도시한 것이다. 도 4를 참조하면, 유기발광다이오드는 반사전극층(401), 유기발광층(402), 투명전극층(403), 제1금속층(404), 유전층(405), 제2금속층(406) 및 기판(407)을 포함한다. 반사전극층(401)과 투명전극층(403) 사이에 전계가 인가되면 유기발광층(402)에서 광이 발생되고, 발생된 광의 일부는 반사전극층(401)에서 반사되지 않고 전면으로 방출되고, 일부는 반사전극층(401)에서 반사되어 전면으로 방출된다. 또한 외부광은 기판(407)을 통하여 내부로 유입되어 반사전극층(401), 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사된다.
도 5는 본 발명의 유기발광다이오드에서 일어나는 마이크로캐비티에 의한 광의 공진과 블랙 필름에 의한 외부광의 소멸간섭을 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (a)를 참조하면, 유기발광층(402)에서 발생된 광은 반사전극층(401)과 제1금속층(404)에 의하여 공진된다. 유기발광층(402)에서 발생된 광은 전면으로 방출되기 전에 반사전극층(401)과 제1금속층(404)에서 반사되며 특정 파장대의 광 세기가 강화되어 전면으로 방출된다. 이때, 유기발광층(402)에서 방출된 광이 결과적으로 유기발광다이오드의 전면부로 방출되게 하기 위하여 제1금속층은 광이 투과할 수 있도록 상대적으로 얇은 두께로 형성되어야 하고, 반사전극층은 광이 투과할 수 없도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성되어야 한다. 반사전극층은 반사특성이 우수한 알루미늄이나 은과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다. 본 발명에서는, 투명전극층(403)의 두께를 조절하여 광 세기가 강화되는 광의 파장대를 조절할 수 있다. 즉, 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)와 같이 일정한 굴절율을 가지는 투명전극층 형성물질의 두께를 조절하면, 공진되는 광의 파장대를 원하는대로 조절할 수 있는 것이다. 또한 이러한 투명전극층의 두께를 조절하여 유기발광다이오드의 색순도를 조절할 수도 있다. 도 5의 (b)를 참조하면, 본 발명의 블랙 마이크로캐비티는 제1금속층(404), 유전층(405) 및 제2금속층(406)으로 이루어질 수 있는데, 유리와 같이 투명한 물질로 이루어진 기판을 통과한 외부광은 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사된다. 제1금속층, 유전층 및 제2금속층의 두께는 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사된 외부광이 소멸간섭되어 상쇄되도록 조절할 수 있다. 앞에서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 유기발광다이오드의 내부로 유입된 외부광의 대부분은 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사되며 소멸간섭으로 상쇄되고, 반사전극층(401)까지 공급된 일부 외부광도 다시 제1금속층에 의하여 흡수되어 소멸된다. 따라서, 외부광은 유기발광다이오드에서 거의 반사되지 못하므로 명실 명암비가 향상되는 결과를 가져온다.
본 발명의 유기발광다이오드에 적용되는 블랙 마이크로캐비티가 마이크로캐비티와 블랙 필름의 기능을 동시에 수행하기 위해서는 블랙 마이크로캐비티를 구성하는 각 층의 물성이 제어되는 것이 바람직하다. 먼저, 마이크로캐비티 기능이 확보되기 위하여 제1금속층은 제2금속층에 비하여 반사도가 높은 것이 유리하다. 이는 유기발광층에서 발생된 광이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 반사되며 공진되게 하기 위함이다. 다음으로, 블랙 필름의 기능을 위한 제1금속층과 제2금속층의 물성을 살펴보면, 제1금속층의 흡광도가 제2금속층의 흡광도보다 상대적으로 낮은 것이 유리하다. 이는 유기발광다이오드의 내부에서 반사된 외부광을 제2금속층에서 효과적으로 흡수하기 위함이고, 유기발광층에서 발생된 광이 제1금속층을 효과적으로 투과하여야 하는 것과도 관련된다. 상기와 같은 특성을 고려하여 제1금속층으로는 알루미늄 또는 은과 같은 높은 반사도 및 낮은 흡광도를 가지는 금속물질이 사용되는 것이 바람직하고, 제2금속층으로는 크롬, 몰리부덴 또는 티타늄과 같은 낮은 반사도 및 높은 흡광도를 가지는 금속물질이 사용되는 것이 바람직하다. 제1금속층과 제2금속층 사이에 게재되는 유전층은 유기발광다이오드로 유입되는 외부광의 상(phase)을 변화시켜 소멸간섭을 유도하는 기능을 하게 되는데, 블랙 마이크로캐비티의 제1금속층, 유전층 및 제2금속층의 물질과 두께는 제1금속층, 유전층 및 제2금속층 각각에서 반사된 광이 상쇄간섭이 일어나도록 설정되어야 한다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
실시예 1-1
유리기판 위에 두께 12nm의 크롬(Cr)층, 두께 40nm의 산화실리콘(SiO2)층, 두께 160nm의 은(Ag)층, 두께 115nm의 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)층, 두께 140nm의 유기발광층 및 반사도 90% 이상의 알루미늄층이 형성된 유기발광다이오드에 대한 조건을 설정하고 파장 대 휘도 및 외광반사도에 대한 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-2
은(Ag)층의 두께를 18nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-3
은(Ag)층의 두께를 20nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-4
은(Ag)층의 두께를 22nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-5
은(Ag)층의 두께를 24nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-6
은(Ag)층의 두께를 26nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-7
크롬(Cr)층의 두께를 10nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-3과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-8
크롬(Cr)층의 두께를 11nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-3과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
실시예 1-9
크롬(Cr)층의 두께를 13nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-3과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
비교예1-1
두께 12nm의 크롬(Cr)층, 두께 40nm의 산화실리콘(SiO2)층, 두께 160nm의 은(Ag)층 및 두께 115nm의 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)층 대신에 원형편광층을 적용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
비교예1-2
두께 12nm의 크롬(Cr)층, 두께 40nm의 산화실리콘(SiO2)층, 두께 160nm의 은(Ag)층 및 두께 115nm의 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)층을 적용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.
평가예 1
실시예 1-1 내지 실시예 1-4 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선은 도 6의 (a)와 같았다. 도 6의 (a)를 참조하면, 실시예 1-1 내지 실시예 1-4의 유기발광다이오드는 비교예 1-1의 유기발광다이오드에 비하여 휘도가 현저히 상승하였다. 도 6의 (a) 그래프 내부에 표시된 괄호 안의 수치는 상대적인 휘도비 또는 발광효율비를 나타낸다. 실시예 1-1 내지 실시예 1-4에서는 은층의 두께가 얇을수록 휘도 또는 발광효율이 높았다. 이러한 결과는, 비교예 1-1의 경우는 유기발광층에서 발생된 광의 많은 부분이 원형편광층에서 흡수되기 때문이다.
평가예 2
실시예 1-2 내지 실시예 1-6 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도는 도 6의 (b)와 같았다. 도 6의 (b)를 참조하면, 실시예 1-2 내지 실시예 1-6의 유기발광다이오드는 비교예의 유기발광다이오드에 비하여 외광반사도가 현저히 낮았으며, 은층의 두께가 두꺼울수록 외광반사도가 더 낮았다.
평가예 3
실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선은 도 7의 (a)와 같았다. 도 7의 (a)를 참조하면, 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9의 유기발광다이오드는 비교예 1-1의 유기발광다이오드에 비하여 휘도가 현저히 상승하였다. 도 7의 (a) 그래프 내부에 표시된 괄호 안의 수치는 상대적인 휘도비 또는 발광효율비를 나타낸다. 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9에서는 크롬층의 두께가 얇을수록 휘도 또는 발광효율이 높았다. 이러한 결과는, 비교예 1-1의 경우는 유기발광층에서 발생된 광의 많은 부분이 원형편광층에서 흡수되기 때문이다.
평가예 4
실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도는 도 7의 (b)와 같았다. 도 7의 (b)를 참조하면, 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9의 유기발광다이오드는 비교예 1-2의 유기발광다이오드에 비하여 외광반사도가 현저히 낮았으며, 크롬층의 두께가 두꺼울수록 외광반사도가 더 낮았다.
상기와 같은 시뮬레이션 결과를 검토하면, 본 발명의 유기발광다이오드는 원형편광층을 적용한 경우보다 휘도 및 발광효율이 현저히 높고, 원형편광층을 적용하지 않은 경우에 비하여 외광반사도가 현저히 낮음을 알 수 있다. 은층이나 크롬층의 두께가 얇을수록 휘도가 증가하고, 두꺼울수록 외광반사도가 낮아지는 경향을 보이고 있으므로, 휘도 또는 명실 명암비가 적절한 수준이 되는 조건에서 은층이나 크롬층의 두께를 설정하는 것이 바람직할 것이다.
도 1은 종래의 전면방출형 유기발광다이오드에서 명실 명암비가 낮아지는 이유를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 반사특성이 우수한 양전극을 포함하는 유기발광다이오드의 외부광 반사특성을 나타낸 것이다.
도 3은 원형편광기를 이용한 전면방출형 유기발광다이오드를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 유기발광다이오드의 단면을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 유기발광다이오드에서 일어나는 마이크로캐비티에 의한 광의 공진과 블랙 필름에 의한 외부광의 소멸간섭을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시예 1-1 내지 실시예 1-4 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선과, 실시예 1-2 내지 실시예 1-6 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도 곡선을 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선과, 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도 곡선을 나타낸 것이다.
Claims (8)
- 유기발광층;상기 유기발광층의 상부면에 형성되며 유기발광층에서 조사된 광을 반사하는 반사전극층;상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층; 및상기 투명전극층 하부면에 형성되며 유기발광층에서 조사된 광이 외부로 진행되는 블랙 마이크로캐비티를 포함하고,상기 블랙 마이크로캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되며,상기 투명전극층의 두께는 유기발광층에서 발생된 빛이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진할 수 있도록 설정된 유기발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1금속층의 반사도는 제2금속층의 반사도보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1금속층의 흡광도는 제2금속층의 흡광도보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1금속층은 알루미늄 또는 은으로 이루어지고, 상기 제2금속층은 크롬, 몰리부덴 또는 티타늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 블랙 마이크로캐비티의 제1금속층, 유전층 및 제2금속층의 두께는 상기 제1금속층, 유전층 및 제2금속층 각각에서 반사된 광이 상쇄간섭이 일어나도록 설정된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 반사전극층은 알루미늄 또는 은으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 투명전극층은 인듐 틴 옥사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
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