KR101113845B1 - Method of plating pretreament for semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 전처리 과정이 간단하고, 공정 중에 유해한 물질이 발생하지 않으며, 그 후공정인 리드프레임 도금 공정 시에 가장 적합한 표면 상태를 얻을 수 있는 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 단계를 제공하는 것을 목적으로 하며, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 소재를 표면 처리하는 처리 영역을 리드프레임의 원소재가 관통되도록 하면서, 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방전을 통하여 상기 리드프레임 원자재의 표면을 처리하는 저온 대기압 플라즈마 장치에 의한 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리방법으로서, 리드프레임 원소재가 처리 영역을 통과하는 속도는 2 m/min 내지 4 m/min 이고, 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 4 litter/min 내지 6 litter/min 이며, 처리 영역 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.06% 내지 0.3% 인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리방법을 제공한다.The present invention provides a pretreatment step for a semiconductor package leadframe that is simple in pretreatment, does not generate harmful substances during the process, and obtains the most suitable surface state during the leadframe plating process. In order to achieve the above object, the present invention provides a method for treating a surface of a lead frame raw material through a plasma discharge using an inert gas while allowing the raw material of the lead frame to pass through a treatment region for surface treatment of the material. A plating pretreatment method for a lead package for a semiconductor package by a low temperature atmospheric plasma apparatus, wherein the rate at which the lead frame material passes through the treatment region is 2 m / min to 4 m / min, and the flow rate of the inert gas supplied to the treatment region is 4 litter / min to 6 litter / min and the oxygen concentration in the treatment zone is 0. relative to the inert gas. It provides a plating pre-treatment method of the lead frame for a semiconductor package, characterized in that 06% to 0.3%.
Description
도 1은 본 발명의 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법을 채택한 저온 대기압 플라즈마 장치의 일예를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a low-temperature atmospheric plasma apparatus employing the plating pretreatment method of the lead frame for a semiconductor package of the present invention.
도 2는 본 발명의 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법에서, 리드프레임 원자재의 처리 영역 통과 속도에 따른 접촉각의 관계를 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a relationship between contact angles according to a processing area passing speed of a lead frame raw material in the method of pre-plating a lead frame for a semiconductor package according to the present invention.
도 3은 본 발명의 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법에서, 불활성 가스 대비 산소 유량에 따른 접촉각의 관계를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the relationship between the contact angle according to the oxygen flow rate relative to the inert gas in the method for pre-plating the lead frame for semiconductor package of the present invention.
도 4a는 종래의 습식 전처리 및 니켈 도금 후의 리드프레임 원자재의 표면 상태를 나타낸 사진이다.4A is a photograph showing the surface state of a leadframe raw material after conventional wet pretreatment and nickel plating.
도 4b는 본 발명의 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 및 니켈 도금 후의 리드프레임 원자재의 표면 상태를 나타낸 사진이다.Figure 4b is a photograph showing the surface state of the lead frame raw material after the plating pre-treatment and nickel plating of the lead frame for a semiconductor package of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
5: 리드프레임 원자재 10: 저온 대기압 플라즈마 장치5: leadframe raw material 10: low temperature atmospheric plasma apparatus
12: 챔버 20: 컨베이어12: chamber 20: conveyor
A: 처리 영역 α: 접촉각 A: treatment area α: contact angle
본 발명은 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법에 관한 것으로서, 보다 더 상세하게는 리드프레임을 도금하기 전에 도금에 적합한 표면 상태를 얻는 공정으로서, 도금이 용이하고 처리비용이 감소되도록 하는 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of pre-plating a lead frame for semiconductor packages, and more particularly, to a process for obtaining a surface state suitable for plating before plating a lead frame, which makes plating easy and reduces processing costs. The present invention relates to a plating pretreatment method of a lead frame.
리드프레임의 도금공정에 있어서, 도금 전처리단계는 리드프레임의 표면으로부터 불순물을 제거하고 그 표면을 청정하게 하며 활성화상태로 만들어 효과적인 도금이 이루어지도록 하기 위해 수행되는 것이다. 종래의 반도체 패키지용 금속 리드프레임의 도금 전처리과정은 수세, 탈지, 산 세척, 산 처리, 산 침지 및 중화와 같은 습식 전처리 공정을 거치게 된다. 즉, 수세단계는 리드프레임 표면의 오염 상태를 균일화하고 공정 오염을 방지하는 단계이고, 탈지 단계는 유지(油脂)를 제거하고 극성을 전해하는 단계이며, 산 처리 단계는 표면 산화물, 염류, 수산화물 등을 제거하는 단계이고, 산 침지 단계는 잔류 산화피막을 제거하고 표면을 활성화시키는 단계이며, 중화 단계는 표면pH를 도금액pH와 동일하게 하며 활성화 상태를 유지하는 단계이다. In the plating process of the lead frame, the plating pretreatment step is performed to remove impurities from the surface of the lead frame, to clean the surface, and to make the surface active so that an effective plating is performed. Conventional plating pretreatment of metal leadframes for semiconductor packages is subjected to wet pretreatment processes such as water washing, degreasing, acid washing, acid treatment, acid dipping and neutralization. That is, the washing step is to uniformize the contamination state on the surface of the leadframe and prevent process contamination, and the degreasing step is to remove oil and electrolyze the polarity, and the acid treatment step includes surface oxides, salts, hydroxides, and the like. The acid immersion step is to remove the residual oxide film and to activate the surface, and the neutralization step is to make the surface pH equal to the plating liquid pH and to maintain the activated state.
그런데 이런 습식 전처리 공정 중에 다량의 유해한 폐액이 발생하게 된다는 문제점이 있다. 이와 더불어 이러한 유해한 폐액을 처리하기 위한 별도의 비용이 필요하게 된다는 문제점이 발생한다. However, there is a problem that a large amount of harmful waste liquid is generated during this wet pretreatment process. In addition, a problem arises that a separate cost for treating such harmful waste liquid is required.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 리드프레임을 플라즈마(Plasma)를 이용하여 전처리하도록 할 수도 있다. 그런데 기존의 플라즈마 전처리 장치 중 진공/저압 장치는 챔버를 진공상태로 유지하면서 반응성 가스를 주입하여 챔버 내부에 원하는 반응성 가스만을 순수하게 존재하도록 하는데, 이와 같이 챔버 내부의 공기 중에 있는 불순문을 제거하기 위하여 진공상태를 유지시키는데 많은 비용과 장치가 필요로 하는 문제점이 있다. In order to solve this problem, the lead frame may be preprocessed using plasma. However, the vacuum / low pressure device of the conventional plasma pretreatment device injects reactive gas while maintaining the chamber in a vacuum state so that only the desired reactive gas is present inside the chamber. Thus, to remove impurities in the air inside the chamber In order to maintain the vacuum state, there is a problem that a large cost and a device is required.
이와 더불어 상기 플라즈마 전처리 다음 단계로 진행하기 위하여 진공상태의 챔버에서 꺼내어 다음 단계로 이송하는데 필요한 또 다른 과정을 거쳐야 하므로 인라인 연속처리가 어려운 문제점이 있다. 또한, 기존의 대기압 플라즈마 장치를 사용한 경우에는 전처리 효과가 미미하고, 원소재를 오염시키거나 표면을 변질시킨다는 문제점이 있으므로, 반도체 패키지용 리드프레임의 전처리 장치로는 적합하지 않다는 문제점이 있다. In addition, in order to proceed to the next step of the plasma pretreatment, it is difficult to carry out inline continuous processing because it has to go through another process required to remove the vacuum chamber and transfer to the next step. In addition, when the conventional atmospheric pressure plasma apparatus is used, there is a problem in that the pretreatment effect is insignificant, and there is a problem of contaminating the raw material or deteriorating the surface.
본 발명은 상기와 같은 문제점 등을 포함하여 여러 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 전처리 과정이 간단하고, 공정 중에 유해한 물질이 발생하지 않으며, 그 후공정인 리드프레임 도금 공정 시에 가장 적합한 표면 상태를 얻을 수 있는 리드프레임의 도금 전처리 단계를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve a number of problems, including the above problems, the pretreatment process is simple, no harmful substances are generated during the process, to obtain the most suitable surface state during the lead frame plating process It is an object of the present invention to provide a plating pretreatment step of a lead frame.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법은, 소재를 표면 처리하는 처리 영 역을 리드프레임의 원소재가 관통되도록 하면서, 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방전을 통하여 상기 리드프레임 원자재의 표면을 처리하는 저온 대기압 플라즈마 장치에 의한 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법으로서, 상기 리드프레임의 원소재가 처리 영역을 통과하는 속도는 2 m/min 내지 4 m/min 이고, 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 4 litter/min 내지 6 litter/min 이며, 상기 처리 영역 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.06 % 내지 0.3 % 인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the plating pretreatment method of the lead frame for a semiconductor package according to the first embodiment of the present invention is inert, while allowing the raw material of the lead frame to pass through the treatment area for surface treatment of the material A method of pre-plating a lead frame for semiconductor packages by a low temperature atmospheric plasma apparatus for treating a surface of the lead frame raw material through plasma discharge using gas, wherein the speed at which the raw material of the lead frame passes through the processing region is 2 m / min to 4 m / min, the flow rate of the inert gas supplied to the treatment zone is 4 litter / min to 6 litter / min, the oxygen concentration in the treatment zone is characterized in that 0.06% to 0.3% compared to the inert gas .
이 경우 상기 리드프레임의 처리 영역을 통과하는 속도는 3 m/min 이고, 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 5 litter/min 이며, 상기 처리 영역 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.15 % 인 것이 바람직하다.In this case, the rate of passage through the treatment region of the lead frame is 3 m / min, the flow rate of the inert gas supplied to the treatment region is 5 litter / min, and the oxygen concentration in the treatment region is 0.15% of the inert gas. desirable.
상기 불활성 기체는 아르곤일 수 있다. The inert gas may be argon.
한편, 상기 처리 영역 내에서 불활성 기체 및 산소의 유동은 실질적으로 정상 유동(steady flow)인 것이 바람직하다.On the other hand, the flow of inert gas and oxygen in the treatment region is preferably substantially steady flow.
한편 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법은, 소재를 표면 처리하는 처리 영역을 리드프레임의 원소재가 관통되도록 하면서, 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방전을 통하여 상기 리드프레임 원자재의 표면을 처리하는 저온 대기압 플라즈마 장치에 의한 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법으로서, 상기 리드프레임의 처리 영역을 관통하는 속도는 3 m/min 이고, 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 4 litter/min 이며, 상기 처리 영역 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.05 % 내지 0.15 % 인 것을 특 징으로 한다.On the other hand, in the plating pretreatment method of the lead frame for semiconductor package according to the second embodiment of the present invention, the lead frame through the plasma discharge using an inert gas, while the raw material of the lead frame penetrates the processing region for surface treatment of the material A plating pretreatment method of a lead package for a semiconductor package by a low temperature atmospheric plasma apparatus for treating a surface of a raw material, wherein the rate of penetration of the lead frame through the treatment region is 3 m / min and the flow rate of the inert gas supplied to the treatment region. Is 4 litter / min, and the oxygen concentration in the treatment region is 0.05% to 0.15% of the inert gas.
이하, 본 발명을 첨부된 도면에 도시된 본 발명의 실시예들을 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. 이 경우, 본 발명은 소재를 표면 처리하는 처리 영역을 리드프레임의 원소재가 관통되도록 하면서, 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방전을 통하여 상기 리드프레임 원자재의 표면을 처리하는 저온 대기압 플라즈마 장치에 의한 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법이다. Hereinafter, with reference to the embodiments of the present invention shown in the accompanying drawings will be described in more detail. In this case, the present invention is for a semiconductor package by a low-temperature atmospheric plasma apparatus for treating the surface of the lead frame raw material through a plasma discharge using an inert gas, while the raw material of the lead frame penetrates the processing region for surface treatment of the material It is a plating pretreatment method of lead frame.
도 1은 본 발명인 반도체 패키지용 리드프레임의 도금 전처리 방법이 적용될 수 있는 저온 대기압 플라즈마 장치(10)의 일 예를 도시하고 있다. 상기 플라즈마 장치(10)는 처리 영역(A)을 구비하다. 이 처리 영역(A)은 챔버(12) 내부의 영역을 의미하며, 리드프레임 원자재(5)를 안착한 컨베이어(20)가 일정한 속도로 상기 처리 영역(A)을 통과하여서 챔버(12)를 통과하게 된다. 1 illustrates an example of a low-temperature
상기 챔버(12) 내로는 불활성 가스가 가스 공급부(14)를 통하여 일정한 유량으로 유입된다. 또한, 상기 챔버(12) 내에서 불활성 가스와 혼합된 산소의 불활성 가스 대비 산소 농도를 일정하게 유지하기 위한 산소 조절부(16)가 배치된다. 이런 챔버 내의 불활 성가스 및 산소는 실질적으로 정상 유동(steady flow)을 하며 배출부(18)를 통하여 외부로 빠져나오게 된다. 따라서, 챔버(12) 내는 정상 상태(steady state)인 것이 바람직하다. Inert gas is introduced into the
상기 챔버(12)에는 전극(18)들끼리의 방전을 통하여 플라즈마를 발생시킨다. 이런 플라즈마 방전으로는 글로우 방전(glow discharge)과 아크 방전(arc discharge)이 가장 많이 사용되는데, 특히 글로우 방전은 전극(18)의 양단에 약 수 백 볼트(volt)의 전압을 인가하여 플라즈마 내의 양이온이 음극과 충돌하여 발생된 2차 전자가 외부로 인가한 전계에 의해 플라즈마로 가속되어 가면서 중성가스(neutral gas)를 이온화시키고 이때 생성된 전자가 다시 중성가스를 이온화시키는 과정이 반복되는 전자사태(avalanche)를 일으켜 전극 양단 간에 전류가 흐르게 되는 현상을 말한다. 이런 방전과정을 통하여 생성된 이온들이 리드프레임 원소재(5)와 충돌함으로써, 리드프레임 원소재(5)가 도금 전처리 된다. 상기 도금 전처리된 리드프레임의 원소재(5)는 도금 공정을 거치게 된다. The
이 저온 대기압 플라즈마 장치(10)를 사용한 도금 전처리 방법을 통하여, 리드프레임 원자재의 표면에 잔존된 표면산화물, 수산화물, 염류 등의 오염이 충분히 제거되는 동시에, 상기 리드프레임 원자재(5)의 표면이 활성화 상태를 유지하여 도금이 전체 표면에 균일하게 되도록 할 필요가 있다. Through the plating pretreatment method using the low temperature
여기서, 전처리된 리드프레임의 원자재(5)의 표면에서의 접촉각을 측정함으로써, 도금 시에 도금이 용이하게 되는지를 판단할 수 있다. 접촉각이란 금속 표면에 순수 물을 한 방울 떨어뜨렸을 때 상기 표면과 물의 접촉 부분에서 이루어지는 각도를 의미하는데, 상기 접촉각이 클수록 그 표면이 물에 대하여 친화성이 없게 되어서 이물질과의 계면 접착이 좋지 않게 되어서 도금이 잘 되지 않고, 접촉각이 작을수록 표면에서의 이물질과의 계면 접촉이 좋게 되어서 도금이 잘 된다. Here, by measuring the contact angle at the surface of the
이 경우, 상기 리드프레임의 원소재(5)가 처리 영역(A)을 통과하는 속도 및 상기 처리 영역(A) 내에서 불활성 가스 대비 산소의 농도는 접촉각을 결정하는 중 요한 변수가 된다. 또 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은, 표면의 오염을 충분히 제거시킬 수 있는 적절한 플라즈마 방전 발생여부를 결정하는 중요한 변수가 된다. In this case, the speed at which the
본 발명에서는, 상기 리드프레임의 원소재(5)가 처리 영역(A)을 통과하는 속도가 2 m/min 내지 4 m/min 이고, 상기 처리 영역(A)으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 4.5 litter/min 내지 6 litter/min 이며, 상기 처리 영역(A) 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.06 % 내지 0.3 % 이다. In the present invention, the rate at which the
이에 대하여 도 2 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.
도 2에는 리드프레임의 원소재(5)가 처리 영역(A; 도 1 참조)을 통과하는 속도를 변경시키면서 접촉각을 측정한 결과가 도시되어 있다. 이 경우, 도금 전처리 공정의 조건으로서, 플라즈마 장치의 전력이 300 W이고, 불활성 가스로 아르곤(Ar)을 사용하였으며 그 유량은 5 litter/min이다. 상기 시험 소재로는 66TSOP인 리드프레임의 원자재(5)를 사용하였다. 2 shows the result of measuring the contact angle while changing the speed at which the
이 경우, 상기 도 2a에 도시된 바와 같이 리드프레임 원소재(5)가 처리 영역 내에 정지된 후 전처리된 경우에는 접촉각(α)이 66°이고, 그로부터 상기 리드프레임의 원소재(5)가 처리 영역을 통과하는 속도를 증가시키는 경우 접촉각(α)이 점점 감소하여, 그 속도가 3 m/min 인 경우에는 도 2b에 도시된 바와 같이 접촉각(α)이 25°이다. In this case, as shown in FIG. 2A, when the leadframe
그 후에 상기 속도가 3 m/min 보다 커지는 경우에는 이전과 반대로 접촉각(α)이 커지게 된다. 즉, 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 속도가 6 m/min인 경우 접 촉각(α)이 35°이고, 도 2d에 도시된 바와 같이 상기 속도가 9 m/min인 경우 접촉각(α)이 52°이다. 이는 리드프레임의 원소재(5)가 처리 영역(A; 도 1 참조)을 통과하는 속도가 소정의 속도 이하인 경우에는 플라즈마 처리가 너무 과다하게 되어서 표면의 균질성이 떨어지고, 그 속도가 소정 속도 이상인 경우에는 충분하게 플라즈마 처리가 되지 않기 때문이다. After that, when the velocity is greater than 3 m / min, the contact angle α becomes larger as before. That is, the contact angle α is 35 ° when the speed is 6 m / min as shown in FIG. 2C, and the contact angle α is 52 when the speed is 9 m / min as shown in FIG. 2D. °. This is because if the speed at which the
따라서, 본 발명에서는 상기 리드프레임의 원소재가 처리 영역을 통과하는 속도가 2 m/min 내지 4 m/min 이며, 가장 바람직하게는 3 m/min 인 것이 바람직하다.Therefore, in the present invention, the speed at which the raw material of the lead frame passes through the treatment region is 2 m / min to 4 m / min, and most preferably 3 m / min.
도 3에는 상기 처리 영역 내의 불활성 가스 대비 산소 농도를 변경시키면서 접촉각을 측정한 결과가 도시되어 있다. 이 경우, 도금 전처리 공정의 조건으로서, 플라즈마 장치의 전력이 300 W이고, 불활성 가스로 아르곤(Ar)을 사용하였으며 그 유량은 5 litter/min이다. 상기 시험 소재로는 66TSOP인 리드프레임의 원자재를 사용하였다. 3 shows the result of measuring the contact angle while changing the oxygen concentration relative to the inert gas in the treatment region. In this case, as a condition of the plating pretreatment process, the power of the plasma apparatus was 300 W, argon (Ar) was used as an inert gas, and the flow rate was 5 litter / min. As the test material, a raw material of a lead frame of 66 TSOP was used.
그 결과 도 3a의 산소 농도가 0% 인 경우 접촉각(α)이 25°, 도 3b의 산소 농도가 0.03% 인 경우 접촉각(α)이 10°, 도 3c 및 도 3d의 산소 농도가 0.06 % 및 0.1%인 경우 접촉각(α)이 0°로서, 불활성 가스 대비 산소 농도가 0.06 % 이하에서는 산소 농도에 비례하여 접촉각(α)이 감소하나, 상기 산소 농도가 0.06 % 이상인 경우에는 접촉각이 0°로서 동일한 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 불활성 가스 대비 산소 농도가 0.06 % 이상이면 본 발명의 바람직한 효과를 가진다. 여기에, 상기 불활성 가스 대비 산소 농도가 예를 들어 0.3 % 이상 과도하게 유입되면, 대 기압 상태를 맞추기 위하여 불활성 기체의 유량을 감소시켜야 하며, 결과적으로 충분한 플라즈마 방전이 발생하지 않는다. 따라서 본 발명에서는 불활성 가스 대비 산소 농도가 0.06% 내지 0.3% 인 것이 바람직하다.As a result, the contact angle α is 25 ° when the oxygen concentration of FIG. 3A is 0%, the contact angle α is 10 ° when the oxygen concentration of 0.03% is shown in FIG. 3B, and the oxygen concentration of 0.06% and in FIG. At 0.1%, the contact angle α is 0 °, and when the oxygen concentration is less than 0.06% relative to the inert gas, the contact angle α decreases in proportion to the oxygen concentration. However, when the oxygen concentration is more than 0.06%, the contact angle is 0 °. The same thing can be seen. Therefore, when the oxygen concentration is 0.06% or more relative to the inert gas, it has the preferable effect of the present invention. In addition, if the oxygen concentration of the inert gas is excessively introduced, for example, 0.3% or more, the flow rate of the inert gas must be reduced to maintain the atmospheric pressure, and as a result, sufficient plasma discharge does not occur. Therefore, the present invention preferably has an oxygen concentration of 0.06% to 0.3% relative to the inert gas.
한편, 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 4 litter/min 내지 6 litter/min 인 것이 바람직하다. 이는 상기 불활성 가스의 유량이 4 litter/min 미만인 경우에는 표면의 오염을 충분히 제거시킬 수 있는 적절한 플라즈마 방전이 발생하지 않고, 상기 불활성 가스의 유량이 6 litter/min을 초과하는 경우에는 플라즈마 방전이 발생하여 표면의 오염을 제거하는 정도가 불활성 가스의 유량이 4 litter/min 내지 6 litter/min 인 경우와 차이가 없기 때문이다.On the other hand, the flow rate of the inert gas supplied to the treatment region is preferably 4 litter / min to 6 litter / min. This means that when the flow rate of the inert gas is less than 4 litters / min, an appropriate plasma discharge is not generated to sufficiently remove surface contamination, and when the flow rate of the inert gas exceeds 6 litters / min, plasma discharge occurs. This is because the degree of decontamination of the surface is not different from the case where the flow rate of the inert gas is 4 litter / min to 6 litter / min.
이 경우, 상기 리드프레임의 처리 영역(A; 도 1 참조)을 통과하는 속도는 3 m/min 이고, 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량은 5 litter/min 이며, 상기 처리 영역 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.15 % 인 것이 바람직하다. In this case, the speed passing through the treatment region A (see FIG. 1) of the lead frame is 3 m / min, the flow rate of the inert gas supplied to the treatment region is 5 litter / min, and the oxygen concentration in the treatment region. Is preferably 0.15% relative to the inert gas.
도 4a에는 종래의 습식 도금 전처리한 후 니켈을 40 u" 두께로 도금한 경우가 도시되어 있다. 이 경우, 니켈 도금된 리드프레임 원자재(5) 표면의 많은 부분에 오염물(P)이 존재함을 알 수 있다. 이와 달리, 상기 리드프레임의 원자재(5)가 처리 영역(A: 도 1 참조)을 통과하는 속도를 3 m/min로 하고, 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량을 5 litter/min 로 하며, 상기 처리 영역 내의 산소 농도를 불활성 가스 대비 0.15 % 로 하여 본 발명의 플라즈마 도금 전처리 처리하고, 니켈 도금을 40 u" 두께로 한 경우에는, 도 4b에 도시된 바와 같이, 도금층이 균일하게 형성되며, 오염 물질도 또한 종래에 비하여 현저하게 작아짐을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 플라즈마 도금 전처리 후 도금 한 경우가, 도 5b의 종래의 습식 도금 전처리한 경우보다도 도금 성능이 우수하다는 것을 알 수 있다.4A shows a case where nickel is plated to a thickness of 40 u "after conventional wet plating pretreatment. In this case, the presence of contaminants P is present in a large part of the surface of the nickel plated leadframe
한편, 본 발명에서는 상기 처리 영역으로 공급되는 불활성 가스의 유량을 4 litter/min 로 할 수 있으며, 이 경우에는 상기 리드프레임의 처리 영역을 관통하는 속도는 3 m/min 이고, 상기 처리 영역 내의 산소 농도는 불활성 가스 대비 0.05 % 내지 0.15 % 인 것이 바람직하다.On the other hand, in the present invention, the flow rate of the inert gas supplied to the treatment region can be 4 litter / min, in this case, the rate of penetration through the treatment region of the lead frame is 3 m / min, the oxygen in the treatment region The concentration is preferably 0.05% to 0.15% relative to the inert gas.
상기와 같은 구조를 가진 본 발명에 의하면, 저온 대기압 플라즈마 장치를 사용하여 도금 전처리를 행함으로써, 물세척, 탈지, 산 처리, 산 침지, 중화 등의 공정이 불필요하게 되어서 전처리 공정이 간단하게 됨과 동시에, 접촉각이 감소하고 표면처리가 우수하게 되어서 결과적으로 도금 성능이 우수하게 된다.According to the present invention having the above structure, by performing the plating pretreatment using a low-temperature atmospheric pressure plasma apparatus, processes such as water washing, degreasing, acid treatment, acid immersion, neutralization, etc. are unnecessary, and the pretreatment process is simplified. As a result, the contact angle is reduced and the surface treatment is excellent, resulting in excellent plating performance.
이와 더불어, 유해한 폐액이 발생하지 않게 되어서 친환경적이며, 유해한 폐액을 처리하는 별도의 비용이 발생하지 않는다.In addition, no harmful waste solution is generated, which is environmentally friendly and does not incur a separate cost of treating the hazardous waste solution.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and any person skilled in the art to which the present invention pertains may have various modifications and equivalent other embodiments. Will understand. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (5)
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2005
- 2005-04-25 KR KR1020050034024A patent/KR101113845B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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