KR101104755B1 - The light emitting device - Google Patents

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김선모
오충석
황세광
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원준호
박지수
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박건
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Abstract

PURPOSE: A light emitting apparatus is provided to arrange a light emitting chip which is operated in all polarities in the central region of a substrate structure which includes an internal space, thereby maximizing light emitting efficiency. CONSTITUTION: A light emitting device package(200A-200E) is loaded on a substrate(130). The substrate which has a flat surface is combined with a case body(110). A substrate structure(160) is arranged in the central region in the flat surface of the substrate. The substrate structure is connected to a plurality of lateral surfaces. The light emitting device package is respectively attached on the lateral surface and upper surface of the substrate structure.

Description

발광 장치{THE LIGHT EMITTING DEVICE}Light Emitting Device {THE LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 발광 장치에 관한 것이다. 특히 본 발명은 발광 다이오드를 포함하는 교류용 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device. In particular, the present invention relates to an AC light emitting device including a light emitting diode.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. A light emitting diode (LED) may form a light emitting source using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device that emits a variety of colors, and the light emitting device is used as a light source in various fields such as a lighting indicator for displaying a color, a character display, and an image display.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 동시에 구동되는 복수의 발광 다이오드를 가지는 복수의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a lighting device including a plurality of light emitting device package having a plurality of light emitting diodes driven simultaneously.

본 발명은 내부공간을 가지며, 복수의 발광소자 패키지를 배치하는 패키지 구조물을 가지는 기판; 상기 기판의 상기 패키지 구조물의 측면에 배치되어 있으며, 교류전원의 반주기동안 발광하는 적어도 두개의 제1 발광소자 패키지; 상기 패키지 구조물의 측면에 상기 제1 발광소자 패키지와 교대로 배치되며, 상기 교류전원의 다른 반주기동안 발광하는 적어도 두개의 제2 발광소자 패키지; 및 상기 패키지 구조물의 중앙 영역에 배치되며, 상기 교류전원의 전체 주기동안 발광하는 적어도 하나의 제3 발광소자 패키지를 포함하고, 각각의 상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지는 복수의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지가 구동될 때, 구동되는 상기 발광소자 패키지에 포함되는 상기 복수의 발광 다이오드가 동시에 빛을 발생하는 교류용 발광 장치를 제공한다. The invention has an internal space, the substrate having a package structure for arranging a plurality of light emitting device packages; At least two first light emitting device packages disposed on side surfaces of the package structure of the substrate and emitting light for half a period of an AC power source; At least two second light emitting device packages disposed alternately with the first light emitting device package on a side surface of the package structure and emitting light for another half period of the AC power source; And at least one third light emitting device package disposed in a central area of the package structure, wherein the at least one third light emitting device package emits light for the entire period of the AC power source, and each of the first to third light emitting device packages includes a plurality of light emitting diodes. When the first to third light emitting device packages are driven, the plurality of light emitting diodes included in the light emitting device package being driven provide light at the same time.

상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 돌출될 수 있다.The package structure may protrude from a plane of the substrate.

상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 소정 각도로 기울어져 있는 복수의 측면, 그리고 상기 기판의 평면과 평행한 상면을 포함하며, 상기 제3 발광소자 패키지는 상기 상면에 배치될 수 있다.The package structure may include a plurality of side surfaces inclined at an angle from a plane of the substrate and an upper surface parallel to the plane of the substrate, and the third light emitting device package may be disposed on the upper surface.

상기 소정 각도는 30도 내지 90도를 충족할 수 있다.The predetermined angle may satisfy 30 degrees to 90 degrees.

상기 복수의 측면은 동일한 형상을 가질 수 있다.The plurality of side surfaces may have the same shape.

각각의 상기 측면에는 상기 제1 또는 제2 발광소자 패키지 중 하나의 발광소자 패키지가 각각 배치될 수 있다.Each light emitting device package of the first or second light emitting device package may be disposed on each side.

상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 함몰될 수 있다.The package structure may be recessed from the plane of the substrate.

상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 소정 각도로 기울어져 있는 복수의 측면, 그리고 상기 기판의 평면과 평행한 바닥면을 포함하며, 상기 제3 발광소자 패키지는 상기 바닥면에 배치될 수 있다.The package structure may include a plurality of side surfaces inclined at an angle from a plane of the substrate and a bottom surface parallel to the plane of the substrate, and the third light emitting device package may be disposed on the bottom surface.

상기 복수의 측면은 동일한 형상을 가질 수 있다.The plurality of side surfaces may have the same shape.

각각의 상기 측면에는 상기 제1 또는 제2 발광소자 패키지 중 하나의 발광소자 패키지가 각각 배치될 수 있다.Each light emitting device package of the first or second light emitting device package may be disposed on each side.

서로 마주보는 두개의 측면에 배치되어 있는 두개의 상기 제1 또는 제2 발광소자 패키지는 서로 어긋나게 배치될 수 있다.The two first or second light emitting device packages disposed on two side surfaces facing each other may be disposed to be offset from each other.

상기 적어도 두개의 제1 발광소자 패키지는 상기 교류전원의 제1 입력단과 제1 접점 사이에 제1 극성으로 연결되는 제1 극성 발광소자 패키지, 그리고 상기 제1 접점과 상기 교류전원의 제2 입력단 사이에 제1 극성과 반대인 제2 극성으로 연결되는 제2 극성 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 적어도 두개의 제2 발광소자 패키지는 상기 교류전원의 제1 입력단과 제2 접점 사이에 상기 제2 극성으로 연결되는 제2 극성 발광소자 패키지, 그리고 상기 제2 접점과 상기 교류전원의 제2 입력단 사이에 제1 극성으로 연결되는 제1 극성 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The at least two first light emitting device packages may include a first polarity light emitting device package connected with a first polarity between a first input terminal of the AC power source and a first contact point, and between the first contact point and a second input terminal of the AC power source. And a second polarity light emitting device package connected to a second polarity opposite to a first polarity, wherein the at least two second light emitting device packages comprise the second polarity between a first input terminal and a second contact point of the AC power source. And a second polarity light emitting device package connected to each other, and a first polarity light emitting device package connected at a first polarity between the second contact point and the second input terminal of the AC power source.

적어도 하나의 상기 제3 발광소자 패키지는 상기 제1 접점에서 상기 제1 발광소자 패키지 중 제1극성 발광소자 패키지와 제1 극성으로 직렬연결될 수 있다.At least one third light emitting device package may be connected in series with a first polarity light emitting device package of the first light emitting device package at a first polarity at the first contact point.

상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지는 상기 복수의 발광 다이오드가 형성되어 있는 발광칩을 포함하며, 상기 발광칩은 상기 복수의 발광 다이오드가 매트릭스 형태의 셀을 이룰 수 있다.The first to third light emitting device packages may include light emitting chips in which the plurality of light emitting diodes are formed, and the light emitting chips may form a matrix cell.

상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지는, 캐비티가 형성되어 있는 몸체, 상기 캐비티 내에 분리되어 있는 제1 및 제2 도전부재, 상기 제1 및 제2 도전부재와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 캐비티 내에 실장되며, 상기 복수의 발광 다이오드가 형성되어 있는 상기 발광칩, 그리고 상기 캐비티를 매립하는 수지재를 포함할 수 있다. The first to third light emitting device packages may include a body in which a cavity is formed, first and second conductive members separated in the cavity, and electrically connected to the first and second conductive members and mounted in the cavity. And a light emitting chip in which the plurality of light emitting diodes are formed, and a resin material filling the cavity.

상기 교류용 발광 장치는, 상기 기판을 지지하는 케이스 몸체, 상기 케이스 몸체에 설치되며 외부 교류전원으로부터 교류전원을 제공받는 연결 단자, 그리고 상기 기판의 패키지 구조물에 배치되는 복수의 제1 내지 제3 발광소자 패키지를 덮는 렌즈를 포함할 수 있다. The AC light emitting device may include: a case body supporting the substrate, a connection terminal provided on the case body and receiving AC power from an external AC power source, and a plurality of first to third light emitting devices disposed on a package structure of the substrate. It may include a lens covering the device package.

본 발명과 같이 하나의 발광칩에 형성되는 복수의 셀을 동일한 구조로 형성하고, 하나의 발광칩 내의 복수의 셀이 직렬 연결되어 동시 구동됨으로써 셀 사이의 연결이 단순해지고, 사용되는 마스크의 수효가 줄어들어 제조 공정이 단순해지고 경제적이다. 또한, 교류 전원에 대하여 전원의 극성에 따라 구동하는 복수의 발광칩 및 상기 발광칩 사이에 모든 극성에서 구동하는 발광칩을 형성함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 이때, 내부공간을 가지는 기판 구조물의 중앙 영역에 상기 모든 극성에서 구동하는 발광칩을 배치하여 발광 효율을 극대화할 수 있다. As the present invention, a plurality of cells formed in one light emitting chip are formed in the same structure, and a plurality of cells in one light emitting chip are connected in series and simultaneously driven, thereby simplifying the connection between the cells and increasing the number of masks used. The manufacturing process is simplified and economical. In addition, the luminous efficiency can be improved by forming a plurality of light emitting chips for driving according to the polarity of the power source and the light emitting chips for driving at all polarities with respect to the AC power source. In this case, the light emitting chip driven in all the polarities may be disposed in the central region of the substrate structure having the internal space to maximize the light emitting efficiency.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 구조물의 확대 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시되어 있는 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광 장치의 회로도이다.
도 5a 및 도 5b는 양의 전원에서 도 4의 발광 장치의 동작을 나타내는 것이다.
도 6a 및 도 6b는 음의 전원에서 도 4의 발광 장치의 동작을 나타내는 것이다.
도 7은 도 1의 발광 장치의 일 실시예에 따른 상세 회로도이다.
도 8은 도 7의 상세 회로도에 따른 발광칩의 평면도이다.
도 9는 도 8의 발광칩을 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 10은 도 8의 발광칩을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다.
도 12는 도 11의 발광 장치의 상면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged perspective view of the light emitting structure of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package illustrated in FIG. 1.
4 is a circuit diagram of the light emitting device of FIG. 1.
5A and 5B show the operation of the light emitting device of FIG. 4 at a positive power source.
6A and 6B illustrate the operation of the light emitting device of FIG. 4 in a negative power source.
FIG. 7 is a detailed circuit diagram of an embodiment of the light emitting device of FIG. 1.
8 is a plan view of a light emitting chip according to the detailed circuit diagram of FIG.
9 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the light emitting chip of FIG. 8.
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of the light emitting chip of FIG. 8.
11 is a perspective view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
12 is a top view of the light emitting device of FIG. 11.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. .

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

본 발명은 복수의 발광셀을 가지는 복수의 발광칩을 포함하며, 교류전압에 따라 선택적으로 발광하는 복수의 발광칩 및 상기 교류전압의 극성에 관계 없이 항상 발광하는 발광칩을 포함하는 발광 장치에 대한 것으로, 각각의 발광칩이 동작할 때 상기 발광칩을 구성하는 복수의 발광셀이 동시에 빛을 생성하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a light emitting device including a plurality of light emitting chips having a plurality of light emitting cells, the light emitting device including a plurality of light emitting chips selectively emitting light according to an alternating voltage, and a light emitting chip that always emits light regardless of the polarity of the AC voltage. In this case, when each light emitting chip is operated, a plurality of light emitting cells constituting the light emitting chip simultaneously generate light.

이하에서는 도 1 내지 도 10을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to a first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 10.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 구조물의 확대 사시도이고, 도 3은 도 1에 도시되어 있는 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이며, 도 4는 도 1의 발광 장치의 회로도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged perspective view of the light emitting structure of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view showing a light emitting device package shown in FIG. 1, and FIG. 4. Is a circuit diagram of the light emitting device of FIG.

도 1을 참고하면, 발광 장치(100)는 케이스 몸체(110), 이 케이스 몸체(110)에 설치된 복수의 발광소자 패키지(200A-200E), 케이스 몸체(110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 is installed in a case body 110, a plurality of light emitting device packages 200A-200E installed in the case body 110, and a case body 110, and supplies power from an external power source. It may include a connection terminal 120 provided.

케이스 몸체(110)는 방열 특성이 양호한 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.The case body 110 is preferably formed of a material having good heat dissipation properties, for example, may be formed of a metal or a resin.

발광소자 패키지(200A-200E)는 기판(130) 위에 탑재된다.The light emitting device packages 200A to 200E are mounted on the substrate 130.

상세하게는, 상기 발광 장치(100)는 상기 케이스 몸체(110)와 결합하며 평평한 평면을 가지는 기판(130) 위에 돌출되는 기판 구조물(160)을 포함한다.In detail, the light emitting device 100 includes a substrate structure 160 which is coupled to the case body 110 and protrudes over the substrate 130 having a flat plane.

상기 기판 구조물(160)은 상기 기판(130)의 평면으로부터 돌출되어 있으며, 상기 기판(130)의 평면 중앙 영역에 배치되어 있다.The substrate structure 160 protrudes from the plane of the substrate 130 and is disposed in the planar center area of the substrate 130.

상기 기판 구조물(160)은 도 2와 같이, 상기 기판(130) 평면으로부터 소정의 각도를 가지며 기울어져 있는 복수의 측면(160A,160B,160C,160D) 및 상기 복수의 측면(160A,160B,160C,160D)과 연결되며, 상기 기판(130) 평면과 평행한 상면(160E)을 가진다.As illustrated in FIG. 2, the substrate structure 160 includes a plurality of side surfaces 160A, 160B, 160C, and 160D inclined at a predetermined angle from the plane of the substrate 130 and the plurality of side surfaces 160A, 160B, and 160C. And an upper surface 160E parallel to the plane of the substrate 130.

상기 복수의 측면(160A,160B,160C,160D)은 동일한 형상을 가질 수 있으며, 도 1 및 도 2와 같이 사다리꼴의 형상을 가질 수 있다.The plurality of side surfaces 160A, 160B, 160C, and 160D may have the same shape, and may have a trapezoidal shape as shown in FIGS. 1 and 2.

상기 기판(130)의 평면과 상기 기판 구조물(160)이 이루는 각도(θ)는 약 30도 내지 90도 일 수 있으며, 상기 각도(θ)가 90도를 충족할 때에는 상기 기판 구조물(160)이 직육면체일 수 있다.The angle θ formed between the plane of the substrate 130 and the substrate structure 160 may be about 30 degrees to 90 degrees. When the angle θ satisfies 90 degrees, the substrate structure 160 is It may be a cuboid.

상기 복수의 측면(160A,160B,160C,160D) 및 상면(160E)에는 각각의 발광소자 패키지(200A-200E)가 부착되어 있다.Each of the light emitting device packages 200A to 200E is attached to the plurality of side surfaces 160A, 160B, 160C, and 160D and the upper surface 160E.

상기 발광소자 패키지(200A-200E)는 홀수개가 배치될 수 있으며, 예를 들어 도 1 및 도 2와 같이 5개의 발광소자 패키지(200A-200E)가 기판 구조물(160)의 각각의 면에 하나씩 배치될 수 있다. An odd number of the light emitting device packages 200A-200E may be disposed, and for example, five light emitting device packages 200A-200E are disposed on each surface of the substrate structure 160, as shown in FIGS. 1 and 2. Can be.

상세하게는, 교류 전원에 의하여 전원의 반주기동안만 발광하는 4개의 발광소자 패키지(200A-200D)는 기판 구조물(160)의 측면(160A,160B,160C,160D)에 배치되어 있으며, 교류 전원의 전 주기 동안 발광하는 발광소자 패키지(200E)는 상기 기판 구조물(160)의 상면(160E)에 배치된다. Specifically, four light emitting device packages 200A-200D that emit light only for half a period of power by AC power are disposed on side surfaces 160A, 160B, 160C, and 160D of the substrate structure 160. The light emitting device package 200E that emits light for the entire period is disposed on the top surface 160E of the substrate structure 160.

이와 같이, 전 주기동안 발광하여 가장 많은 광량을 가지는 발광소자 패키지(200E)를 기판 구조물(160)의 중앙 영역, 돌출되어 있는 기판 구조물(160)의 상면(160E)에 배치함으로써 발광 장치(100)의 휘도가 향상된다.As such, the light emitting device 100 may be disposed in the center region of the substrate structure 160 and the upper surface 160E of the protruding substrate structure 160 by emitting light during the entire period and having the highest amount of light. The luminance of is improved.

발광소자 패키지(200A-200E)의 발광 구동에 대하여는 뒤에서 상세하게 설명한다. The light emission driving of the light emitting device packages 200A to 200E will be described in detail later.

상기 기판 구조물(160)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 메탈 코아(metal core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate structure 160 may be a circuit pattern printed on the insulator, for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB And the like.

이때, 상기 기판 구조물(160)의 절곡되어 있는 복수의 측면(160A,160B,160C,160D) 및 상면(160E)의 연결을 위하여 상기 기판 구조물(160)을 이루는 기본 구조물 위에 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board, FPCB)를 부착하여 형성할 수도 있다.At this time, the flexible printed circuit board (flexible) on the base structure forming the substrate structure 160 for connection of the plurality of bent side surfaces (160A, 160B, 160C, 160D) and the upper surface (160E) of the substrate structure 160 It may be formed by attaching a printed circuit board (FPCB).

또한, 기판 구조물(160) 및 기판(130)은 빛을 효율적으로 반사하는 물질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate structure 160 and the substrate 130 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

한편, 발광소자 패키지(200A-200E)는 각각 적어도 하나의 발광칩을 포함하며, 각각의 발광칩은 복수의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 각각의 셀을 이루며 형성될 수 있다. The light emitting device packages 200A to 200E may each include at least one light emitting chip, and each light emitting chip may include a plurality of light emitting diodes (LEDs) forming each cell.

발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 소자 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 소자를 포함할 수 있다.The light emitting diode may include a colored light emitting device for emitting colored light of red, green, blue or white color, and a UV light emitting device for emitting ultraviolet light (UV, UltraViolet).

또한, 발광소자 패키지(200A-200E)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 형광 시트는 상기 발광소자 패키지(200A-200E)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. In addition, a fluorescent sheet may be further disposed on a traveling path of light emitted from the light emitting device packages 200A-200E, and the fluorescent sheet changes the wavelength of light emitted from the light emitting device packages 200A-200E.

예를 들어, 발광소자 패키지(200A-200E)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 발광소자 패키지(200A-200E)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.For example, when the light emitted from the light emitting device packages 200A-200E has a blue wavelength band, the yellow phosphor may be included in the fluorescent sheet, and the light emitted from the light emitting device packages 200A-200E passes through the fluorescent sheet. Finally it is seen as white light.

상기 형광 시트는 복수의 발광소자 패키지(200A-200E)를 동시에 덮을 수 있으나, 이와 달리 각각의 발광소자 패키지(200A-200E)를 밀봉하는 밀봉재로 형성될 수 있다.The fluorescent sheet may simultaneously cover the plurality of light emitting device packages 200A-200E. Alternatively, the fluorescent sheet may be formed of a sealing material for sealing each of the light emitting device packages 200A-200E.

연결 단자(120)는 발광소자 패키지(200A-200E)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 1에 도시된 것에 따르면, 연결 단자(120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 120 may be electrically connected to the light emitting device packages 200A-200E to supply power. According to FIG. 1, the connection terminal 120 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 120 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

또한, 도 1과 같이 케이스 몸체(110)와 연결되어 상기 발광소자 패키지(200A-200E)를 덮는 렌즈(140)를 더 포함한다. 상기 렌즈(140)는 투명 또는 반투명의 글라스로 형성되며, 상기 발광소자 패키지(200A-200E)가 실장되어 있는 기판(130)을 원주로 반구형일 수 있다. In addition, as shown in FIG. 1, the lens 140 further includes a lens 140 connected to the case body 110 to cover the light emitting device packages 200A to 200E. The lens 140 may be formed of transparent or translucent glass, and may have a hemispherical shape around the substrate 130 on which the light emitting device packages 200A-200E are mounted.

상술한 바와 같은 발광 장치(100)는 상기 발광소자 패키지(200A-200E)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the light emitting device 100 as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet is disposed on a path of the light emitted from the light emitting device packages 200A-200E. The desired optical effect can be obtained.

한편, 각각의 발광소자 패키지(200A-200E)는 동일한 구조를 가질 수 있다. Meanwhile, each light emitting device package 200A-200E may have the same structure.

상세하게는, 도 3과 같이 발광소자 패키지(200A-200E)는 캐비티를 포함하는 몸체(210), 발광칩(300), 수지물(260), 제1,2 도전 부재(230,240)를 포함한다.In detail, as shown in FIG. 3, the light emitting device packages 200A to 200E include a body 210 including a cavity, a light emitting chip 300, a resin material 260, and first and second conductive members 230 and 240. .

상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA), 액정폴리머(LCP), 신지오택틱폴리스티렌(SPS) 또는 세라믹(ceramics) 중 어느 하나의 재질을 포함하여 소정형상으로 사출 성형될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 상기 몸체(210)의 상부(220)에는 컵 형상의 캐비티(215)가 일정 깊이로 형성된다. 캐비티(215)의 측면은 바닥면에 수직한 축을 기준으로 소정 각도만큼 경사지게 형성될 수 있다.The body 210 may be injection molded to a predetermined shape, including any one material of polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), syndiotactic polystyrene (SPS), or ceramic (ceramics), but is not limited thereto. It doesn't work. The upper portion 220 of the body 210 is formed with a cup-shaped cavity 215 to a predetermined depth. The side surface of the cavity 215 may be formed to be inclined by a predetermined angle with respect to an axis perpendicular to the bottom surface.

상기 몸체(210)에는 수평하게 배치되는 복수개의 제1,2 도전 부재(230,240)가 형성된다. The body 210 has a plurality of first and second conductive members 230 and 240 arranged horizontally.

상기 제1,2 도전 부재(230,240)는 상기 캐비티(215) 내부에 노출되며 서로 전기적으로 분리된다. 제1,2 도전 부재(230,240)의 양 끝단은 몸체(210)의 외부로 노출되어 전극으로 이용되며, 전극으로 사용되는 영역은 도 2와 같이 몸체(210) 하부로 절곡되어 있을 수 있다. 제1,2 도전 부재(230,240)의 표면에는 반사 물질이 코팅될 수도 있다.The first and second conductive members 230 and 240 are exposed to the inside of the cavity 215 and are electrically separated from each other. Both ends of the first and second conductive members 230 and 240 are exposed to the outside of the body 210 to serve as electrodes, and the region used as the electrode may be bent to the lower portion of the body 210 as shown in FIG. 2. Reflecting materials may be coated on the surfaces of the first and second conductive members 230 and 240.

제1 도전 부재(230)와 제2 도전부재(240) 사이의 캐비티(215) 바닥면에는 발광칩(300)이 본딩되어 있으며, 각각의 와이어(250)를 통해 제1,2 도전 부재(230,240)에 연결될 수 있다. The light emitting chip 300 is bonded to the bottom surface of the cavity 215 between the first conductive member 230 and the second conductive member 240, and the first and second conductive members 230 and 240 are connected through the respective wires 250. ) Can be connected.

상기 발광칩(300)은 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 전극 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting chip 300 may be mounted using a wire bonding, die bonding, or flip bonding method selectively, and the bonding method may be changed according to the chip type and the electrode position of the chip.

발광칩(300)은 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광 다이오드를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting chip 300 may selectively include a semiconductor light emitting diode manufactured using a compound semiconductor of Group III and Group V elements, such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs, and the like. have.

또한, 각 발광칩(300)는 청색 LED 칩, 황색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, UV LED 칩, 호박색 LED 칩, 청-녹색 LED 칩 등으로 이루어질 수 있다. In addition, each light emitting chip 300 may include a blue LED chip, a yellow LED chip, a green LED chip, a red LED chip, a UV LED chip, an amber LED chip, a blue-green LED chip, and the like.

발광칩(300)의 구조는 뒤에서 상세히 설명한다.The structure of the light emitting chip 300 will be described later in detail.

또한, 제1,2 도전 부재(230,240)는 발광칩(300)의 보호를 위해 제너 다이오드(도시하지 않음)와 같은 보호 소자와 전기적으로 연결될 수도 있다. In addition, the first and second conductive members 230 and 240 may be electrically connected to a protection element such as a zener diode (not shown) to protect the light emitting chip 300.

한편, 캐비티(215)의 측면에는 반사층(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 캐비티(215)를 매립하며 수지물(260)이 형성된다. 수지물(260)은 투명한 실리콘 또는 에폭시 재질을 포함하며, 형광체를 포함할 수도 있다. Meanwhile, a reflective layer (not shown) may be formed on the side surface of the cavity 215, and the resin material 260 is formed by filling the cavity 215. The resin 260 may include a transparent silicon or epoxy material and may include a phosphor.

다시 도 1을 참고하면, 기판 구조물(160) 위에 배열되는 4개의 발광소자 패키지(200A-200D) 중 대각선으로 배열되는 2개의 발광소자 패키지(200A,200D)는 동시에 구동되고, 이웃한 발광소자 패키지(200C,200B)와 교대로 구동되어 빛을 발생한다. Referring back to FIG. 1, two light emitting device packages 200A and 200D arranged diagonally among four light emitting device packages 200A to 200D arranged on the substrate structure 160 are simultaneously driven and adjacent light emitting device packages. Drive alternately with (200C, 200B) to generate light.

즉, 도 1에서는 제1 발광소자 패키지(200A)와 제1 발광소자 패키지(200A)의 대각선에 있는 제4 발광소자 패키지(200D)가 동시에 구동되고, 제3 발광소자 패키지(200C)와 그의 대각선에 있는 제2 발광소자 패키지(200B)가 동시에 구동되며, 제1 및 제4 발광소자 패키지(200A,200D)의 동작과 제2 및 제3 발광소자 패키지(200B,200C)의 동작은 한 주기 내에서 교대로 진행된다.That is, in FIG. 1, the fourth LED package 200D and the diagonal of the first LED package 200A and the first LED package 200A are simultaneously driven, and the third LED package 200C and the diagonal thereof are simultaneously driven. The second light emitting device package 200B is simultaneously driven, and the operation of the first and fourth light emitting device packages 200A and 200D and the operation of the second and third light emitting device packages 200B and 200C are performed within one cycle. Alternately at.

이때, 상기 기판 구조물(160)의 상면(160E)에 형성되어 있는 제5 발광소자 패키지(200E)는 상기 교류 전원(150)의 주기 전체에서 발광을 진행한다. At this time, the fifth light emitting device package 200E formed on the upper surface 160E of the substrate structure 160 emits light in the entire cycle of the AC power supply 150.

이러한 발광소자 패키지(200A-200D)의 발광은 교류 전원(150)을 인가함에 따라 진행된다.The light emission of the light emitting device packages 200A to 200D proceeds by applying the AC power source 150.

도 4 내지 도 6을 참고하면, 교류 전원(150)에 연결되어 있는 5개의 발광소자 패키지(200A-200E)는 각각이 하나의 발광 다이오드로서 동작하므로 발광 다이오드로 도시한다.4 to 6, the five light emitting device packages 200A to 200E connected to the AC power supply 150 are shown as light emitting diodes because they each operate as one light emitting diode.

제1 발광소자 패키지(200A)와 이웃한 제2 발광소자 패키지(200B)가 제1 입력단(n1)와 제2 입력단(n2) 사이에 역방향으로 직렬 연결되어 있고, 제3 발광소자 패키지(200C)와 그와 이웃한 제4 발광소자 패키지(200D)가 제1 입력단(n1)과 제2 입력단(n2) 사이에 역방향으로 직렬 연결되어 있으며, 제1 입력단(n1)과 연결되어 있는 제1 및 제3 발광소자 패키지(200A,200C)는 서로 역방향으로 병렬 연결되어 있으며, 제2 입력단(n2)과 연결되어 있는 제2 및 제4 발광소자 패키지(200B,200D)는 역방향으로 병렬 연결되어 있다.The first light emitting device package 200A and the adjacent second light emitting device package 200B are connected in series in a reverse direction between the first input terminal n1 and the second input terminal n2, and the third light emitting device package 200C. And the fourth light emitting device package 200D adjacent thereto are connected in series in a reverse direction between the first input terminal n1 and the second input terminal n2, and are connected to the first input terminal n1. The three light emitting device packages 200A and 200C are connected in parallel in opposite directions, and the second and fourth light emitting device packages 200B and 200D connected to the second input terminal n2 are connected in parallel in opposite directions.

이때, 제1 및 제2 발광소자 패키지(200A,200B) 사이의 노드를 제1 노드(n3)로 정의하고, 제3 및 제4 발광소자 패키지(200C,200D) 사이의 노드를 제2 노드(n4)로 정의할 때, 제1 노드(n3)와 제2 노드(n4) 사이에 제5 발광소자 패키지(200E)가 연결되어 있다.In this case, the node between the first and second light emitting device packages 200A and 200B is defined as the first node n3, and the node between the third and fourth light emitting device packages 200C and 200D is defined as the second node ( As defined by n4), the fifth light emitting device package 200E is connected between the first node n3 and the second node n4.

따라서, 상기 제5 발광소자 패키지(200E)는 제1 노드(n3)에서 제1 발광소자 패키지(200A)와 정방향으로 직렬연결되며, 제2 노드(n4)에서 제3 발광소자 패키지(200C)와 정방향으로 직렬연결된다.Therefore, the fifth light emitting device package 200E is connected in series with the first light emitting device package 200A in the forward direction at the first node n3, and is connected to the third light emitting device package 200C at the second node n4. Serial connection in forward direction.

즉, 제1 입력단(n1)은 제1 발광소자 패키지(200A)의 음의 전극과 연결되고 제3 발광소자 패키지(200C)의 양의 전극과 연결되고, 제2 입력단(n2)은 제2 발광소자 패키지(200B)의 음의 전극과 연결되고, 제4 발광소자 패키지(200D)의 양의 전극과 연결되어 있다.That is, the first input terminal n1 is connected to the negative electrode of the first light emitting device package 200A and the positive electrode of the third light emitting device package 200C, and the second input terminal n2 is the second light emission. It is connected to the negative electrode of the device package 200B, and is connected to the positive electrode of the fourth light emitting device package 200D.

제1 노드(n3)는 제1 발광소자 패키지(200A)의 양의 전극, 제2 발광소자 패키지(200B)의 양의 전극 및 제5 발광소자 패키지(200E)의 음의 전극과 연결되어 있으며, 제2 노드(n4)는 제3 발광소자 패키지(200C)의 음의 전극, 제4 발광소자 패키지(200D)의 음의 전극 및 제5 발광소자 패키지(200E)의 양의 전극과 연결되어 있다. The first node n3 is connected to the positive electrode of the first light emitting device package 200A, the positive electrode of the second light emitting device package 200B, and the negative electrode of the fifth light emitting device package 200E. The second node n4 is connected to the negative electrode of the third light emitting device package 200C, the negative electrode of the fourth light emitting device package 200D, and the positive electrode of the fifth light emitting device package 200E.

제1 입력단(n1)과 제2 입력단(n2) 사이에 교류 전원(150)이 연결되어 있으며, 교류 전원(150)과 제1 입력단(n1) 또는 제2 입력단(n2) 사이에는 정합을 위한 저항(R1) 또는 캐패시터(도시하지 않음) 등이 연결될 수 있다.An AC power source 150 is connected between the first input terminal n1 and the second input terminal n2, and a resistor for matching between the AC power source 150 and the first input terminal n1 or the second input terminal n2. R1 or a capacitor (not shown) may be connected.

도 5a와 같이, 교류 전원(150)으로부터 한주기(T)의 반주기(T/2) 동안 양의 전압이 제1 입력단(n1)에 인가되면, 도 5b와 같이, 제3, 제5 및 제2 발광소자 패키지(200C,200E,200B)가 도통된다. 따라서, 발광소자 패키지(200C, 200E,200B)의 발광칩(300)이 빛을 발생하고, 제1 및 제4 발광소자 패키지(200A,200D)는 역전압이 걸림으로써 구동하지 않는다.As shown in FIG. 5A, when a positive voltage is applied to the first input terminal n1 during the half cycle T / 2 of one cycle T from the AC power supply 150, as shown in FIG. 2 The light emitting device packages 200C, 200E, and 200B are conducted. Therefore, the light emitting chip 300 of the light emitting device packages 200C, 200E, and 200B generates light, and the first and fourth light emitting device packages 200A and 200D are not driven by the reverse voltage.

한편, 도 6a와 같이, 다음 반주기 동안 음의 전압이 제1 입력단(n1)에 인가되면 도 6b와 같이 제1, 제5 및 제4 발광소자 패키지(200A,200E,200D)가 도통된다. 따라서, 발광소자 패키지(200A,200E,200D)의 발광칩(300)이 빛을 발생하고 제3 및 제2 발광소자 패키지(200C,200B)는 구동하지 않는다.6A, when a negative voltage is applied to the first input terminal n1 during the next half cycle, the first, fifth, and fourth light emitting device packages 200A, 200E, and 200D are turned on as shown in FIG. 6B. Therefore, the light emitting chip 300 of the light emitting device packages 200A, 200E, and 200D generates light, and the third and second light emitting device packages 200C and 200B are not driven.

이때, 교류 전원(150)은 상용 전압인 220V일 수 있으며, 60Hz의 주파수를 가짐으로써 주기(T)는 1/60초일 수 있다.At this time, the AC power supply 150 may be a commercial voltage of 220V, and having a frequency of 60Hz, the period T may be 1/60 seconds.

따라서, 단시간 동안 제3 및 제2 발광소자 패키지(200C,200B)와 제1 및 제4 발광소자 패키지(200A,200D)가 교대로 빛을 발생함으로써 육안으로는 발광 장치(100)가 일정하게 빛을 조사하는 것으로 인식할 수 있다. Therefore, the light emitting device 100 constantly lights the naked eye by generating light alternately between the third and second light emitting device packages 200C and 200B and the first and fourth light emitting device packages 200A and 200D for a short time. It can be recognized by examining.

이때, 교대로 발광하는 발광소자 패키지 사이에 연결되어 있는 제5 발광소자 패키지(200E)는 교류 전원(150)의 전 주기(T)에서 발광하므로 2개의 발광소자 패키지가 발광하는 것과 유사한 발광 효과를 구할 수 있다. At this time, since the fifth light emitting device package 200E connected between the light emitting device packages emitting light alternately emits light at the entire period T of the AC power supply 150, the light emitting effect similar to that of the two light emitting device packages emits light. You can get it.

따라서, 제1 및 제2 노드(n3,n4) 사이에 발광소자 패키지(200E)를 배치함으로써 2배의 발광 효율을 얻을 수 있다. Therefore, by disposing the light emitting device package 200E between the first and second nodes n3 and n4, double light emission efficiency may be obtained.

이상에서는 제1 및 제2 노드(n3,n4)에 배치되는 발광소자 패키지(200E)를 1개로 표시하였으나, 이와 달리 복수개의 발광소자 패키지를 직렬로 배치할 수도 있다. In the above description, the light emitting device packages 200E disposed at the first and second nodes n3 and n4 are represented as one. Alternatively, a plurality of light emitting device packages may be arranged in series.

이때, 각각의 발광소자 패키지(200A-200E) 내의 발광칩(300)은 복수개의 발광 다이오드를 포함하며, 하나의 발광칩(300)을 이루는 발광 다이오드의 구성은 도 7과 같을 수 있다. In this case, the light emitting chips 300 in each of the light emitting device packages 200A to 200E may include a plurality of light emitting diodes, and the light emitting diodes constituting the light emitting chip 300 may be as shown in FIG. 7.

도 7은 발광 장치의 일 실시예에 따른 상세 회로도이다.7 is a detailed circuit diagram according to an embodiment of the light emitting device.

도 7을 참고하면, 각각의 발광소자 패키지(200A-200E)는 발광칩(300) 내에 동일한 수효의 복수의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)를 포함하며, 복수의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)는 한 발광칩(300) 내에 직렬로 연결되어 있다.Referring to FIG. 7, each light emitting device package 200A-200E includes the same number of light emitting diodes DA 1 -DAl, DB 1 -DB 1, DC 1 -DC 1, DD 1 -DD 1, DE 1 -DE 1 in the light emitting chip 300. ) And a plurality of light emitting diodes (DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl) are connected in series in one light emitting chip (300).

즉, 제1 발광소자 패키지(200A) 내의 l개의 발광 다이오드(DA1-DAl)는 제1 발광 다이오드(DA1)의 음의 전극이 제1 입력단(n1)과 연결되어 있으며, 양의 전극이 제2 발광 다이오드(DA2)의 음의 전극과 연결되어 있다. 이와 같은 직렬 연결이 제l-1 발광 다이오드(DAl-1)까지 연결되어 있으며, 제l 발광 다이오드(DAl)의 양의 전극이 제5 발광소자 패키지(200E)의 제1 발광 다이오드(DE1)의 음의 전극과 제1 노드(n3)에서 연결됨으로써 제1 발광소자 패키지(200A)와 제5 발광소자 패키지(200E)가 정방향으로 직렬 연결된다.That is, in the l light emitting diodes DA1 -DAl in the first light emitting device package 200A, negative electrodes of the first light emitting diode DA1 are connected to the first input terminal n1, and a positive electrode is connected to the second light emitting diode DA1. It is connected to the negative electrode of the light emitting diode DA2. The series connection is connected to the l-1 light emitting diode DAl-1, and the positive electrode of the first light emitting diode DAl is connected to the first light emitting diode DE1 of the fifth light emitting device package 200E. The first light emitting device package 200A and the fifth light emitting device package 200E are connected in series in the forward direction by being connected to the negative electrode and the first node n3.

제5 발광소자 패키지(200E)의 복수의 발광 다이오드(DE1-DEl) 또한 직렬 연결되어 있으며, 마지막 발광 다이오드인 제l 발광 다이오드(DEl)의 양의 전극이 제2 노드(n4)에서 제4 발광소자 패키지(200D)의 제1 발광 다이오드(DD1)의 음의 전극과 연결된다.A plurality of light emitting diodes DE1 -DEl of the fifth light emitting device package 200E are also connected in series, and a positive electrode of the first light emitting diode DEl, which is the last light emitting diode, is emitted from the second node n4 by a fourth light emitting diode. The negative electrode of the first light emitting diode DD1 of the device package 200D is connected.

제4 발광소자 패키지(200D)의 복수의 발광 다이오드(DD1-DDl) 또한 직렬 연결되어 있으며, 마지막 발광 다이오드인 제l 발광 다이오드(DDl)의 양의 전극이 제2 입력단(n2)과 연결된다.A plurality of light emitting diodes DD1-DDl of the fourth light emitting device package 200D are also connected in series, and a positive electrode of the first light emitting diode DDl, which is the last light emitting diode, is connected to the second input terminal n2.

한편, 제3 발광소자 패키지(200C)의 제1 발광 다이오드(DC1)의 양의 전극이 제1 입력단(n1)과 연결되어 있으며, 마지막인 제l 발광 다이오드(DCl)의 음의 전극이 제5 발광소자 패키지(200E)의 마지막인 제l 발광 다이오드(DEl)의 양의 전극과 제2 노드(n4)에서 연결됨으로써 제3 발광소자 패키지(200C)와 제5 발광소자 패키지(200E)가 정방향으로 직렬 연결된다.Meanwhile, the positive electrode of the first light emitting diode DC1 of the third light emitting device package 200C is connected to the first input terminal n1, and the last negative electrode of the first light emitting diode DCl is the fifth electrode. The third light emitting device package 200C and the fifth light emitting device package 200E are connected in the positive direction by being connected to the positive electrode of the first light emitting diode DEl, which is the last of the light emitting device package 200E, at the second node n4. Are connected in series.

제2 발광소자 패키지(200B)의 복수의 발광 다이오드(DB1-DBl) 또한 직렬 연결되어 있으며, 제1 발광 다이오드(DB1)의 양의 전극이 제1 노드(n3)와 연결되어 있으며, 마지막 발광 다이오드인 제l 발광 다이오드(DBl)의 음의 전극이 제2 입력단(n2)와 연결된다.A plurality of light emitting diodes DB1-DBl of the second light emitting device package 200B are also connected in series, a positive electrode of the first light emitting diode DB1 is connected to the first node n3, and the last light emitting diode The negative electrode of the first light emitting diode DBl is connected to the second input terminal n2.

이와 같이, 각 발광소자 패키지(200A-200E) 내의 복수의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)가 직렬 연결되어 동시 발광한다.As described above, the plurality of light emitting diodes DA 1 -DAl, DB 1 -DB 1, DC 1 -DC 1, DD 1 -DD 1, DE 1 -DE 1 in each light emitting device package 200A-200E are connected in series to emit light simultaneously.

복수의 발광소자 패키지(200A-200E)에 대하여, 직렬로 연결되는 복수의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl), 구체적으로, 제1, 제5 및 제4 발광소자 패키지(200A,200E,200D)의 복수의 발광 다이오드(DA1-DAl,DD1-DDl,DE1-DEl)가 반주기동안 직렬로 연결되어 전원(150)으로부터 제1 및 제2 입력단(n1,n2)에 인가되는 전압을 분배한다.A plurality of light emitting diodes DA 1 -DAl, DB 1 -DB 1, DC 1 -DC 1, DD 1 -DD 1, DE 1 -DE 1 connected in series with respect to the plurality of light emitting device packages 200A through 200E, specifically, the first and the second The plurality of light emitting diodes DA1-DAl, DD1-DDl, and DE1-DEl of the fifth and fourth light emitting device packages 200A, 200E, and 200D are connected in series for half a cycle, so that the first and second input terminals from the power supply 150 are connected. The voltage applied to (n1, n2) is divided.

한편, 제2, 제5 및 제3 발광소자 패키지(200B,200E,200C)의 복수의 발광 다이오드(DB1-DBl,DC1-DCl,DE1-DEl)가 다른 반주기동안 직렬로 연결되어 전원(150)으로부터 제1 및 제2 입력단(n1,n2)에 인가되는 전압을 분배한다.Meanwhile, the plurality of light emitting diodes DB1 -DBl, DC1-DCl, and DE1-DEl of the second, fifth, and third light emitting device packages 200B, 200E, and 200C are connected in series for another half period to supply the power supply 150. Divides the voltages applied to the first and second input terminals n1 and n2.

이와 같이, 제5 발광소자 패키지(200E)를 직렬연결된 다른 발광소자 패키지(200A-200D) 중간 노드와 중간 노드 사이에 연결함으로써 직렬연결되는 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)의 수효를 늘려 각 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)에 인가되는 구동 전압을 낮출 수 있다.As such, the light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, which are connected in series by connecting the fifth light emitting device package 200E between the middle node and the middle node of the other light emitting device packages 200A-200D connected in series, By increasing the number of DD1-DDl, DE1-DEl, the driving voltage applied to each of the light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, and DE1-DEl can be reduced.

즉, 다음의 수학식에 따라 하나의 발광소자 패키지(200A-200E) 내의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)에 인가되는 구동 전압(Vdriving)이 결정된다.That is, the driving voltage Vdriving applied to the light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, and DE1-DEl in one light emitting device package 200A-200E according to the following equation. This is determined.

[수학식][Equation]

즉, Vdriving =VSOURCE/(m x L)That is, Vdriving = VSOURCE / (m x L)

이때, VSOURCE는 교류 전원(150)의 최대값, m은 직렬 연결되는 발광소자 패키지(200A-200E)의 수효, L은 하나의 발광소자 패키지(200A-200E) 내의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)의 수효를 의미한다.In this case, VSOURCE is the maximum value of the AC power supply 150, m is the number of light emitting device packages 200A-200E connected in series, L is the light emitting diodes DA1-DAl, DB1 in one light emitting device package 200A-200E. -DB1, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl).

따라서, 구동 시에 각 발광 다이오드(DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl)의 수효를 제어하여 각 발광 다이오드(DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl) 견딜 수 있는 임계구동전압보다 작고 문턱 전압보다 큰 구동 전압이 걸리도록 설정할 수 있다.Therefore, the number of light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl) can be set to take a driving voltage that is less than the threshold driving voltage to withstand and greater than the threshold voltage.

상기와 같이 발광 다이오드(DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl)의 수효를 제어함으로써 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)의 열화를 방지할 수 있으며, 안정적으로 구동할 수 있다.By controlling the number of light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl as described above, the light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, The deterioration of DE1-DEl) can be prevented and it can drive stably.

이상에서는 한 발광소자 패키지(200A-200E)의 발광 다이오드(DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl,DE1-DEl)의 수효(L)를 34로 한정하였으나, 이와 달리, 임계구동전압인 3.2V를 구동전압으로 걸리도록 발광 다이오드의 수효(L)를 조절할 수도 있다.In the above, the number L of the light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, and DE1-DEl of one light emitting device package 200A-200E is limited to 34. The number L of the light emitting diodes may be adjusted so that the driving voltage is 3.2V as the driving voltage.

즉, 한 발광소자 패키지(200A-200E)의 발광 다이오드의 수효(L)가 23일 때, 각 발광 다이오드에 걸리는 분배된 구동 전압(Vdriving)이 발광 다이오드의 임계구동전압인 3.2V를 충족할 수 있다.That is, when the number L of light emitting diodes of one light emitting device package 200A-200E is 23, the divided driving voltage Vdriving applied to each light emitting diode may satisfy 3.2V, which is a threshold driving voltage of the light emitting diodes. have.

이하에서는, 한 패키지(200A-200E) 내에 34개의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl),(l=34)가 직렬 연결되어 있으며, 이때 한 발광소자 패키지(200A-200D) 내의 34개의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)는 하나의 발광칩(300) 내에 형성되는 것으로 설명한다. Hereinafter, 34 light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl, and (l = 34) are connected in series in one package 200A-200E. 34 light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, and DE1-DEl in the light emitting device packages 200A-200D are described as being formed in one light emitting chip 300.

도 8 내지 도 10을 참고하여 본 실시예에 따른 발광 장치(100)의 발광칩(300)의 일 예를 설명한다.An example of the light emitting chip 300 of the light emitting device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 10.

도 8은 도 7의 상세 회로도에 따른 발광칩의 평면도이고, 도 9는 도 8의 발광칩을 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이며, 도 10은 도 8의 발광칩을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.FIG. 8 is a plan view of a light emitting chip according to the detailed circuit diagram of FIG. 7, FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting chip of FIG. 8 taken along line II ′, and FIG. 10 is a view of the light emitting chip of FIG. One cross section.

도 8 내지 도 10을 참고하면, 각각의 발광소자 패키지(200A-200E) 내에 실장되는 하나의 발광칩(300)은 도 7에 도시된 바와 같이 복수개, 예를 들어 34개의 발광 다이오드를 포함한다.8 to 10, one light emitting chip 300 mounted in each light emitting device package 200A-200E includes a plurality of light emitting diodes, for example, 34 light emitting diodes.

상기 발광칩(300)은 모서리 영역에 2개의 패드(390, 391)가 형성되어 있으며 상기 패드(390, 391)가 발광소자 패키지(200A-200E)의 도전 부재(230, 340)와 와이어(250) 등을 통해 전기적으로 연결되어 있다.The light emitting chip 300 has two pads 390 and 391 formed at corners thereof, and the pads 390 and 391 are formed of conductive members 230 and 340 and wires 250 of the light emitting device packages 200A and 200E. ), Etc., are electrically connected.

각각의 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)는 한 발광칩(300) 내에서 하나의 셀로 기능하므로, 이하에서는 각 발광 다이오드(DA1-DAl,DB1-DBl,DC1-DCl,DD1-DDl,DE1-DEl)를 발광셀로 명명한다. Each of the light emitting diodes DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, and DE1-DEl functions as one cell in one light emitting chip 300. Hereinafter, each light emitting diode DA1-DAl, DB1-DBl, DC1-DCl, DD1-DDl, DE1-DEl) are named light emitting cells.

기판(310) 위에 복수개의 발광셀이 배열되어 있다. A plurality of light emitting cells are arranged on the substrate 310.

복수의 발광셀은 기판(310) 위에 매트릭스 형태로 배열되어 있으며, 발광셀이 34개인 경우, 6X6의 매트릭스 형태를 가질 수 있으며, 패드(390, 391)가 형성되어 있는 발광셀이 이웃하는 발광셀의 2배의 면적을 가질 수 있다. The plurality of light emitting cells are arranged in a matrix form on the substrate 310, and when the number of light emitting cells is 34, the light emitting cells may have a matrix form of 6 × 6, and the light emitting cells adjacent to the light emitting cells having the pads 390 and 391 are adjacent to each other. It can have an area of twice.

상기 기판(310)은 절연 또는 도전성 기판(310)일 수 있으며, 예컨대 사파이어 또는 탄화규소(SiC)일 수 있다.The substrate 310 may be an insulating or conductive substrate 310, for example, sapphire or silicon carbide (SiC).

상기 발광셀 각각은 제1 도전형 반도체층(330), 상기 제1 도전형 반도체층(330)의 일영역 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(350) 및 상기 제1 도전형 반도체층(330)과 제2 도전형 반도체층(350) 사이에 활성층(340)을 포함한다. Each of the light emitting cells may include a first conductivity type semiconductor layer 330, a second conductivity type semiconductor layer 350 and a first conductivity type semiconductor layer disposed on one region of the first conductivity type semiconductor layer 330. An active layer 340 is included between the 330 and the second conductivity type semiconductor layer 350.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(330, 350)은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다.The first and second conductive semiconductor layers 330 and 350 are n-type and p-type, or p-type and n-type, respectively.

제1 도전형 반도체층(330), 활성층(340) 및 제2 도전형 반도체층(350)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (B, Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. The first conductive semiconductor layer 330, the active layer 340, and the second conductive semiconductor layer 350 may be formed of a gallium nitride-based semiconductor material, that is, (B, Al, In, Ga) N.

상기 활성층(340)은 다중양자우물구조로 형성된 반도체층일 수 있다.The active layer 340 may be a semiconductor layer formed of a multi-quantum well structure.

도 9 및 도 10에서는 기판(310)과 제1 도전형 반도체층(330) 사이에 버퍼층(320)을 더 포함하는 것으로 도시하였으나, 상기 버퍼층(320)은 삭제 가능하다.9 and 10, the buffer layer 320 is further included between the substrate 310 and the first conductivity-type semiconductor layer 330, but the buffer layer 320 may be deleted.

또한, 기판(310) 표면에 복수의 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 복수의 패턴에 의해 빛이 산란되어 발광 효율이 높아질 수 있다.In addition, a plurality of patterns may be formed on the surface of the substrate 310, and light may be scattered by the plurality of patterns to increase light emission efficiency.

상기 제2 도전형 반도체층(350) 위에는 투명전극층(360)이 형성되어 있다.The transparent electrode layer 360 is formed on the second conductive semiconductor layer 350.

상기 투명전극층(360)은 활성층(340)에서 생성된 광을 투과시키며 제2 도전형 반도체층(350)에 전류를 분산시키며 공급한다.The transparent electrode layer 360 transmits light generated by the active layer 340 and distributes and supplies current to the second conductive semiconductor layer 350.

이때, 제1 도전형 반도체층(330) 위의 적층 구조는 제1 도전형 반도체층(330)의 상면보다 좁은 면적을 갖도록 형성되어, 각 발광셀에는 투명전극층(360)이 형성되는 제1 상면과 제1 도전형 반도체층(330)이 노출되는 제2 상면이 형성된다.At this time, the stacked structure on the first conductive semiconductor layer 330 is formed to have a smaller area than the upper surface of the first conductive semiconductor layer 330, the first upper surface on which the transparent electrode layer 360 is formed And a second upper surface through which the first conductive semiconductor layer 330 is exposed.

상기 발광칩의 전체를 덮는 제1 절연층(370)이 형성되어 있으며, 제1 절연층(370)은 투명전극층(360) 위 및 제1 도전형 반도체층(330)의 제2 상면 위를 노출하는 개구부(371, 372)를 포함한다.A first insulating layer 370 is formed to cover the entirety of the light emitting chip, and the first insulating layer 370 exposes the transparent electrode layer 360 and the second upper surface of the first conductive semiconductor layer 330. Openings 371 and 372 to be included.

상기 제1 절연층(370) 위에 상기 제1 도전형 반도체층(330)를 노출하는 개구부(372)와 이웃한 셀의 투명전극층(360)을 노출하는 개구부(371)를 연결하는 배선(380)이 형성되어 이웃한 셀을 직렬 연결한다.Wiring 380 connecting the opening 372 exposing the first conductivity-type semiconductor layer 330 and the opening 371 exposing the transparent electrode layer 360 of a neighboring cell on the first insulating layer 370. This is formed to connect neighboring cells in series.

상기 배선(380)을 덮으며 칩 전면에 제2 절연층(375)이 형성되며, 상기 제2 절연층(375)은 배선(380)이 수분 등에 의해 오염되는 것을 방지하며, 외압에 의해 배선(380) 및 발광셀들이 손상되는 것을 방지한다. A second insulating layer 375 is formed on the entire surface of the chip to cover the wiring 380, and the second insulating layer 375 prevents the wiring 380 from being contaminated by moisture or the like. 380 and the light emitting cells are prevented from being damaged.

상기 제2 절연층(375)은 모서리 영역의 셀의 투명전극층(360) 위의 배선(380) 및 상기 제1 도전형 반도체층(330) 위의 배선(380)을 노출하는 개구부를 포함하고 외부의 패키지와 연결하는 패드(390, 391)를 제외한 모든 영역에 형성된다.The second insulating layer 375 includes an opening that exposes the wiring 380 on the transparent electrode layer 360 of the cell in the corner region and the wiring 380 on the first conductive semiconductor layer 330. It is formed in all areas except the pads 390 and 391 to be connected to the package.

상기 제2 절연층(375)의 개구부에 의해 노출되는 배선(380)이 외부의 패키지와 연결하는 패드(390, 391)가 되며, 이때 선택되는 셀은 첫번째 셀과 마지막 셀로 정의된다.The wiring 380 exposed by the opening of the second insulating layer 375 is pads 390 and 391 connecting to an external package, and the selected cells are defined as first and last cells.

이와 같이, 하나의 발광칩(300)에 형성되는 복수의 셀을 동일한 구조로 형성하고, 하나의 발광칩(300) 내의 복수의 셀이 직렬 연결되어 동시 구동함으로써 셀 사이의 연결이 단순해지고, 사용되는 마스크의 수효가 줄어들어 제조 공정이 단순해지고 경제적이다.As such, a plurality of cells formed in one light emitting chip 300 are formed in the same structure, and a plurality of cells in one light emitting chip 300 are connected in series and simultaneously driven to simplify the connection between cells. The number of masks to be reduced is simplified, making the manufacturing process simple and economical.

또한, 발광칩(300) 내의 배선(380)의 연결이 단순해짐으로써 누설전류가 감소하므로 소자 신뢰성이 확보될 수 있다.In addition, since the leakage current is reduced by simplifying the connection of the wiring 380 in the light emitting chip 300, device reliability may be secured.

한편, 발광셀의 측벽은 기판(310) 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아질 수 있다. 상기 측벽의 경사는 활성층(340)에서 생성된 광의 방출 효율을 향상시키며, 상기 발광셀들 위에 형성될 다른 층들의 연속적인(conformal) 증착을 돕는다. On the other hand, the side wall of the light emitting cell is formed to be inclined with respect to the upper surface of the substrate 310 may be narrower toward the top. The inclination of the sidewalls improves the emission efficiency of the light generated in the active layer 340 and aids in the conformal deposition of other layers to be formed on the light emitting cells.

한편, 본 발명의 발광 장치(100)는 셀의 수효 및 구동 전압에 따라 한 발광 칩 내의 복수의 발광셀을 병렬연결할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device 100 of the present invention may connect a plurality of light emitting cells in one light emitting chip in parallel according to the number and driving voltage of the cells.

즉, 하나의 열을 이루는 복수의 발광셀은 직렬연결되어 있으며, 복수의 열이병렬연결되어 전체의 발광칩은 직병렬된 복수의 발광 다이오드를 포함할 수 있다.That is, the plurality of light emitting cells forming one row are connected in series, and the plurality of columns are connected in parallel so that the entire light emitting chip may include a plurality of light emitting diodes in parallel.

이상에서는, 하나의 발광소자 패키지(200A-200E)가 34개의 발광 다이오드를 포함하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 발광소자 패키지(200A-200E)가 23개의 발광 다이오드를 포함하는 경우, 5X5의 매트릭스 구조를 가질 수도 있다.In the above description, one light emitting device package 200A-200E is described as including 34 light emitting diodes. However, the present invention is not limited thereto, and one light emitting device package 200A-200E includes 23 light emitting diodes. May have a matrix structure of 5 × 5.

이하에서는 도 11 및 도 12를 참고하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 and 12.

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이고, 도 12는 도 11의 발광 장치의 상면도이다.11 is a perspective view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a top view of the light emitting device of FIG.

도 11을 참고하면, 발광 장치(100B)는 도 1과 같이 케이스 몸체(110), 이 케이스 몸체(110)에 설치된 복수의 발광소자 패키지(200A-200E), 케이스 몸체(110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the light emitting device 100B is installed in the case body 110, the plurality of light emitting device packages 200A-200E installed in the case body 110, and the case body 110, as shown in FIG. 1. It may include a connection terminal 120 receives power from the power source.

케이스 몸체(110), 연결 단자(120) 및 렌즈(140)의 구성은 도 1과 유사하므로 이에 대한 설명은 생략한다.Since the configuration of the case body 110, the connection terminal 120, and the lens 140 is similar to that of FIG. 1, a description thereof will be omitted.

발광소자 패키지(200A-200E)는 기판(130) 위에 탑재된다.The light emitting device packages 200A to 200E are mounted on the substrate 130.

상세하게는, 상기 기판(130)은 평평한 평면으로부터 케이스 몸체(110) 내부를 향하여 함몰되는 기판 케비티(180)를 포함한다.In detail, the substrate 130 includes a substrate cavity 180 recessed from a flat plane toward the case body 110.

상기 기판 캐비티(180)는 상기 기판(130)의 평면으로부터 함몰되어 있으며, 상기 기판(130)의 평면과 평행한 바닥면(180E) 및 상기 바닥면(180E)을 둘러싸는 복수의 측면(180A,180B,180C,180D)을 가진다.The substrate cavity 180 is recessed from the plane of the substrate 130 and includes a bottom surface 180E parallel to the plane of the substrate 130 and a plurality of side surfaces 180A, which surround the bottom surface 180E, 180B, 180C, 180D).

상기 기판 캐비티(180)의 복수의 측면(180A,180B,180C,180D)은 상기 기판(130) 평면으로부터 소정의 각도를 가지며 기울어져 있으므로 기판 캐비티(180)의 상면 개구부의 면적이 바닥면(180E)의 면적보다 넓을 수 있다.Since a plurality of side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D of the substrate cavity 180 are inclined at a predetermined angle from the plane of the substrate 130, the area of the upper surface opening of the substrate cavity 180 is the bottom surface 180E. It may be larger than the area of).

상기 복수의 측면(180A,180B,180C,180D)은 동일한 형상을 가질 수 있으며, 도 11과 같이 사다리꼴의 형상을 가질 수 있다.The plurality of side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D may have the same shape, and may have a trapezoidal shape as shown in FIG. 11.

이때, 상기 기판(130)의 평면과 상기 캐비티(180)의 측면(180A,180B,180C,180D)이 이루는 각도는 약 30도 내지 90도 일 수 있으며, 상기 각도가 90도를 충족할 때에는 상기 기판 캐비티(180)가 직육면체일 수 있다.In this case, an angle formed between the plane of the substrate 130 and the side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D of the cavity 180 may be about 30 degrees to 90 degrees, and when the angle satisfies 90 degrees, The substrate cavity 180 may be a cuboid.

상기 복수의 측면(180A,180B,180C,180D) 및 바닥면(180E)에는 각각의 발광소자 패키지(200A-200E)가 부착되어 있다.Each of the light emitting device packages 200A to 200E is attached to the plurality of side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D and the bottom surface 180E.

상기 기판(130)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 메탈 코아(metal core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 130 may be a circuit pattern printed on the insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

이때, 상기 기판 캐비티(180)의 절곡되어 있는 복수의 측면(180A,180B,180C,180D) 및 바닥면(180E)의 연결을 위하여 상기 기판(130)을 이루는 기본 구조물 위에 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board, FPCB)를 부착하여 형성할 수도 있다.At this time, the flexible printed circuit board (flexible) on the base structure forming the substrate 130 for the connection of the plurality of bent side (180A, 180B, 180C, 180D) and the bottom surface 180E of the substrate cavity 180 It may be formed by attaching a printed circuit board (FPCB).

또한, 기판(130)은 빛을 효율적으로 반사하는 물질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 130 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 발광소자 패키지(200A-200E)는 홀수개가 배치될 수 있으며, 예를 들어 도 11과 같이 5개의 발광소자 패키지(200A-200E)가 각각의 캐비티(180)의 측면(180A,180B,180C,180D) 및 바닥면(180E)에 배치될 수 있다. An odd number of light emitting device packages 200A-200E may be disposed. For example, as illustrated in FIG. 11, five light emitting device packages 200A-200E may have side surfaces 180A, 180B, 180C, and the like. 180D) and bottom surface 180E.

상세하게는, 교류 전원(150)에 의하여 전원의 반주기동안만 발광하는 4개의 발광소자 패키지(200A-200D)는 기판 캐비티(180)의 측면(180A,180B,180C,180D)에 배치되어 있으며, 교류 전원(150)의 전 주기 동안 발광하는 발광소자 패키지(200E)는 상기 기판 캐비티(180)의 바닥면(180E)에 배치된다. In detail, four light emitting device packages 200A-200D that emit light only for half a period of power by the AC power source 150 are disposed on the side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D of the substrate cavity 180. The light emitting device package 200E that emits light for the entire period of the AC power source 150 is disposed on the bottom surface 180E of the substrate cavity 180.

이와 같이, 전 주기동안 발광하여 가장 많은 광량을 가지는 발광소자 패키지(200E)를 기판 캐비티(180)의 중앙 영역, 함몰되어 있는 구조물의 바닥면(180E)에 배치함으로써 빛의 직진거리가 더 길어져 빛의 산란을 유도할 수 있다.As such, by placing the light emitting device package 200E having the highest amount of light by emitting light for the entire period in the center region of the substrate cavity 180, the bottom surface 180E of the recessed structure, the straight distance of light is increased. Can induce scattering.

한편, 복수의 발광소자 패키지(200A-200E)는 기판 캐비티(180) 내에서 도 12와 같이 배치될 수 있다.Meanwhile, the plurality of light emitting device packages 200A to 200E may be disposed in the substrate cavity 180 as shown in FIG. 12.

도 12를 참고하면, 복수의 발광소자 패키지(200A-200E)는 전 주기에서 발광하는 제5 발광소자 패키지(200E)를 바닥면(180E)에 배치하고, 한 반주기동안 동시에 발광하는 제1 및 제4 발광소자 패키지(200A,200D)를 마주보도록 측면배치하고, 다른 반주기동안 동시에 발광하는 제2 및 제3 발광소자 패키지(200B,200C)를 마주보도록 측면배치하는 것은 도 11과 동일하다.Referring to FIG. 12, the plurality of light emitting device packages 200A to 200E may include a fifth light emitting device package 200E emitting light at all cycles on the bottom surface 180E and simultaneously emit light for one and a half periods. Side-side arrangement of the four light emitting device packages 200A and 200D and side-facing the second and third light emitting device packages 200B and 200C simultaneously emitting light for another half cycle are the same as in FIG. 11.

이때, 서로 마주보는 두 개의 발광소자 패키지(200A,200D)를 서로 어긋나도록 배치할 수 있다. In this case, the two light emitting device packages 200A and 200D facing each other may be disposed to be offset from each other.

상세하게는, 제1 발광소자 패키지(200A)의 주요광방출방향(fa)과 마주보는 제4 발광소자 패키지(200D)의 주요광방출방향(fd)이 일직선상에 있지 않으며, 제2 발광소자 패키지(200B)의 주요광방출방향(fb)과 제3 발광소자 패키지(200C)의 주요광방출방향(fc)이 일직선상에 있지 않는다.In detail, the main light emitting direction fd of the fourth light emitting device package 200D facing the main light emitting direction fa of the first light emitting device package 200A is not in a straight line, and the second light emitting device is not in a straight line. The main light emitting direction fb of the package 200B and the main light emitting direction fc of the third light emitting device package 200C are not in a straight line.

이와 같이, 각 발광소자 패키지(200A-200E)의 방출 빛이 가장 강한 방향인 주요광방출방향(fa,fb,fc,fd,fe)이 서로 어긋남으로써 각 발광소자 패키지(200A-200E)로부터 발생하는 빛이 마주보는 발광소자 패키지(200A-200E)로부터 방출되는 빛과 서로 부딪혀 상쇄되는 것을 방지할 수 있다. As such, the main light emission directions fa, fb, fc, fd, and fe, which are the strongest emitted light of each light emitting device package 200A-200E, are displaced from each other and are generated from each light emitting device package 200A-200E. Light may be prevented from colliding with light emitted from the light emitting device packages 200A to 200E facing each other.

따라서, 각 발광소자 패키지(200A-200E)로부터 발생하는 빛이 마주보는 발광소자 패키지(200A-200E)의 측면(180A,180B,180C,180D)을 향하여 방출되고 측면(180A,180B,180C,180D)이 소정 각도로 기울어져 있음으로 상기 캐비티(180)의 측면(180A,180B,180C,180D)에서 반사되어 외부로 방출됨으로써 발광소자 패키지(200A-200E)로부터 발생하는 빛이 반사 및 산란되어 빛의 지향각이 넓어질 수 있다. Accordingly, light emitted from each of the light emitting device packages 200A to 200E is emitted toward the side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D of the light emitting device packages 200A to 200E facing each other, and the side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D are respectively emitted. ) Is inclined at a predetermined angle and reflected from the side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D of the cavity 180 to be emitted to the outside, thereby reflecting and scattering light generated from the light emitting device packages 200A-200E. The orientation angle of can be widened.

즉, 도 12와 같이 배치되는 경우, 광량은 바닥면(180E)의 제5 발광소자 패키지(200E)에 의해 확보하면서 지향각을 측면(180A,180B,180C,180D)의 1 내지 4 발광소자 패키지(200A-200D)에 의해 확보함으로써 넓은 면적에 밝은 빛을 방출하는 발광 장치(100B)를 제공할 수 있다. That is, when disposed as shown in FIG. 12, the light quantity is secured by the fifth light emitting device package 200E of the bottom surface 180E, and the directivity angle is 1 to 4 light emitting device packages of the side surfaces 180A, 180B, 180C, and 180D. The light emitting device 100B which emits bright light in a large area can be provided by securing by 200A-200D.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

발광 장치 100, 100B
기판 구조물 160
기판 캐비티 180
케이스 몸체 110
연결단자 120
발광소자 패키지 200A, 200B, 200C, 200D, 200E
발광칩 300
교류전원 150
Light emitting device 100, 100B
Board Structure 160
Board Cavity 180
Case body 110
Connector 120
Light emitting device package 200A, 200B, 200C, 200D, 200E
Light emitting chip 300
AC power supply 150

Claims (16)

내부공간을 가지며, 복수의 발광소자 패키지를 배치하는 패키지 구조물을 가지는 기판;
상기 기판의 상기 패키지 구조물의 측면에 배치되어 있으며, 교류전원의 반주기동안 발광하는 적어도 두개의 제1 발광소자 패키지;
상기 패키지 구조물의 측면에 상기 제1 발광소자 패키지와 교대로 배치되며, 상기 교류전원의 다른 반주기동안 발광하는 적어도 두개의 제2 발광소자 패키지; 및
상기 패키지 구조물의 중앙 영역에 배치되며, 상기 교류전원의 전체 주기동안 발광하는 적어도 하나의 제3 발광소자 패키지
를 포함하고,
각각의 상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지는 복수의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지가 구동될 때, 구동되는 상기 발광소자 패키지에 포함되는 상기 복수의 발광 다이오드가 동시에 빛을 발생하는 교류용 발광 장치. A substrate having an internal space and having a package structure in which a plurality of light emitting device packages are disposed;
At least two first light emitting device packages disposed on side surfaces of the package structure of the substrate and emitting light for half a period of an AC power source;
At least two second light emitting device packages disposed alternately with the first light emitting device package on a side surface of the package structure and emitting light for another half period of the AC power source; And
At least one third light emitting device package disposed in a central area of the package structure and emitting light for a whole period of the AC power source;
Including,
Each of the first to third light emitting device packages includes a plurality of light emitting diodes, and when the first to third light emitting device packages are driven, the plurality of light emitting diodes included in the driven light emitting device package are simultaneously driven. Light emitting device for alternating current to generate light. 제1항에 있어서,
상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 돌출되어 있는 교류용 발광 장치. The method of claim 1,
And the package structure protrudes from a plane of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 소정 각도로 기울어져 있는 복수의 측면, 그리고
상기 기판의 평면과 평행한 상면을 포함하며,
상기 제3 발광소자 패키지는 상기 상면에 배치되는 교류용 발광 장치.The method of claim 2,
The package structure includes a plurality of side surfaces inclined at an angle from a plane of the substrate, and
An upper surface parallel to the plane of the substrate,
And the third light emitting device package is disposed on the upper surface. 제3항에 있어서,
상기 소정 각도는 30도 내지 90도를 충족하는 교류용 발광 장치. The method of claim 3,
The predetermined angle is an alternating light emitting device satisfying 30 degrees to 90 degrees. 제3항에 있어서,
상기 복수의 측면은 동일한 형상을 가지는 교류용 발광 장치. The method of claim 3,
The plurality of side surfaces of the AC light emitting device having the same shape. 제3항에 있어서,
각각의 상기 측면에는 상기 제1 또는 제2 발광소자 패키지 중 하나의 발광소자 패키지가 각각 배치되어 있는 교류용 발광 장치. The method of claim 3,
And a light emitting device package of the first or second light emitting device package is disposed on each of the side surfaces thereof. 제1항에 있어서,
상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 함몰되어 있는 교류용 발광 장치. The method of claim 1,
And the package structure is recessed from a plane of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 패키지 구조물은 상기 기판의 평면으로부터 소정 각도로 기울어져 있는 복수의 측면, 그리고
상기 기판의 평면과 평행한 바닥면을 포함하며,
상기 제3 발광소자 패키지는 상기 바닥면에 배치되는 교류용 발광 장치.The method of claim 7, wherein
The package structure includes a plurality of side surfaces inclined at an angle from a plane of the substrate, and
A bottom surface parallel to the plane of the substrate,
And the third light emitting device package is disposed on the bottom surface. 제8항에 있어서,
상기 복수의 측면은 동일한 형상을 가지는 교류용 발광 장치. The method of claim 8,
The plurality of side surfaces of the AC light emitting device having the same shape. 제8항에 있어서,
각각의 상기 측면에는 상기 제1 또는 제2 발광소자 패키지 중 하나의 발광소자 패키지가 각각 배치되어 있는 교류용 발광 장치. The method of claim 8,
And a light emitting device package of the first or second light emitting device package is disposed on each of the side surfaces thereof. 제10항에 있어서,
서로 마주보는 두개의 측면에 배치되어 있는 두개의 상기 제1 또는 제2 발광소자 패키지는 서로 어긋나게 배치되어 있는 교류용 발광 장치. The method of claim 10,
And the first or second light emitting device packages disposed on two side surfaces facing each other are disposed to be offset from each other. 제1항에 있어서,
상기 적어도 두개의 제1 발광소자 패키지는
상기 교류전원의 입력단과 제1 접점 사이에 제1 극성으로 연결되는 제1 극성 발광소자 패키지, 그리고
상기 제1 접점과 상기 교류전원의 출력단 사이에 제1 극성과 반대인 제2 극성으로 연결되는 제2 극성 발광소자 패키지를 포함하며,
상기 적어도 두개의 제2 발광소자 패키지는
상기 교류전원의 입력단과 제2 접점 사이에 상기 제2 극성으로 연결되는 제2 극성 발광소자 패키지, 그리고
상기 제2 접점과 상기 교류전원의 출력단 사이에 제1 극성으로 연결되는 제1 극성 발광소자 패키지를 포함하는 교류용 발광 장치.The method of claim 1,
The at least two first light emitting device package
A first polarity light emitting device package connected between the input terminal of the AC power source and a first contact with a first polarity; and
A second polarity light emitting device package connected between the first contact point and the output terminal of the AC power source with a second polarity opposite to the first polarity;
The at least two second light emitting device package
A second polarity light emitting device package connected between the input terminal of the AC power source and a second contact with the second polarity; and
And a first polarity light emitting device package connected between the second contact point and the output terminal of the AC power source with a first polarity. 제12항에 있어서,
적어도 하나의 상기 제3 발광소자 패키지는 상기 제1 접점에서 상기 제1 발광소자 패키지 중 제1극성 발광소자 패키지와 제1 극성으로 직렬연결되는 교류용 발광 장치. The method of claim 12,
And at least one third light emitting device package is connected in series with a first polarity light emitting device package of the first light emitting device package in a first polarity at the first contact point. 제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지는 상기 복수의 발광 다이오드가 형성되어 있는 발광칩을 포함하며, 상기 발광칩은 상기 복수의 발광 다이오드가 매트릭스 형태의 셀을 이루는 교류용 발광 장치. The method of claim 1,
The first to third light emitting device packages include a light emitting chip in which the plurality of light emitting diodes are formed, and the light emitting chip includes the plurality of light emitting diodes forming a matrix cell. 제14항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 발광소자 패키지는,
캐비티가 형성되어 있는 몸체,
상기 캐비티 내에 분리되어 있는 제1 및 제2 도전부재,
상기 제1 및 제2 도전부재와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 캐비티 내에 실장되며, 상기 복수의 발광 다이오드가 형성되어 있는 상기 발광칩, 그리고
상기 캐비티를 매립하는 수지재를 포함하는 교류용 발광 장치. The method of claim 14,
The first to third light emitting device package,
Body with cavity formed,
First and second conductive members separated in the cavity;
The light emitting chip electrically connected to the first and second conductive members and mounted in the cavity, wherein the plurality of light emitting diodes are formed; and
An alternating light emitting device comprising a resin material filling the cavity. 제1항에 있어서,
상기 교류용 발광 장치는,
상기 기판을 지지하는 케이스 몸체,
상기 케이스 몸체에 설치되며 외부 교류전원으로부터 교류전원을 제공받는 연결 단자, 그리고
상기 기판의 패키지 구조물에 배치되는 복수의 제1 내지 제3 발광소자 패키지를 덮는 렌즈를 포함하는 교류용 발광 장치.
The method of claim 1,
The AC light emitting device,
A case body for supporting the substrate,
A connection terminal installed in the case body and receiving AC power from an external AC power source, and
And a lens covering a plurality of first to third light emitting device packages disposed on the package structure of the substrate.
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