KR101099494B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 평면도.
도 3은 도 2에서 리드프레임만을 강조하여 나타내 보인 평면도.
도 4는 도 2의 저면도.
도 5는 도 1에서 리드프레임만을 나타내 보인 사시도.
도 6은 도 1의 배면 사시도.
도 7은 도 3에서 A-A선을 따라 절개하여 나타내 보인 단면도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구성을 나타낸 사시도.
도 9는 도 8의 평면도.
도 10은 도 9에서 리드프레임만을 강조하여 나타내 보인 평면도.
도 11은 도 9의 저면도.
도 12는 도 8에서 리드프레임만을 나타내 보인 사시도.
도 13은 도 8의 배면 사시도.
11. 반사부
20,120. 리드프레임
21. 제1리드부재
22. 제2리드부재
23. 전극분리공간
24. 메탈컵
30. LED칩
31. 본딩 와이어
41. 몰딩재
100,200. 발광다이오드 패키지
Claims (10)
- 2개의 제1,2리드부재로 구분되어 구비되고, LED칩이 실장되도록 상기 제1,2리드부재 중 면적이 넓은 쪽에 메탈컵을 형성한 리드프레임과;
상기 제1,2리드부재의 일부를 내부에 수용하도록 성형되고, 상기 LED칩의 빛이 반사되도록 상부에 반사부가 형성된 패키지 몰딩부재;를 포함하며,
그리고, 상기 제1,2리드부재의 좌측 및 우측 가장자리에는 상기 패키지 몰딩부재의 외부로 돌출된 전극부가 형성되고,
또한, 상기 제1,2리드부재가 상기 패키지 몰딩부재에 이격되며 매립될 때 상기 제1,2리드부재 사이에는 전극분리공간이 형성되되, 상기 전극분리공간이 적어도 하나의 'L'자 또는 'S'자가 형성되도록 상기 제1,2리드부재가 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 전극부는 적어도 2개씩 형성되고, 상기 메탈컵의 저면부는 상기 패키지 몰딩부재의 외부로 노출되도록 구비되며,
상기 제1,2리드부재의 저면부의 표면에는 고광택의 Ag 도금층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 전극부와 상기 패키지 몰딩부재를 일체로 연결하는 연결부는, 상기 제1,2리드부재의 일부가 커팅되고, 상부로 꺾이며 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 메탈컵의 측면은 55∼65도 경사지며 형성되고, 상기 메탈컵의 깊이는 150∼250㎛로 이루어지며, 상기 메탈컵 바닥의 면적은 상기 LED칩의 표면적의 1,5배 이내로 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1,2리드부재의 전단부 및 후단부는 상기 패키지 몰딩부재에 매립되고, 상기 전단부 및 상기 후단부의 가장자리 길이가 연장되도록 인입홈이 적어도 하나 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1,2리드부재 중 상기 전극분리공간의 반대쪽의 리드프레임은 상기 패키지 몰딩부재에 매립되지 않도록 일부가 커팅되어 상기 반사부 내로 노출된 노출부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 패키지 몰딩부재는 사각형으로 형성되되, 상기 전극부가 형성된 좌,우부의 두께보다 전,후부의 두께가 2배 이상 두껍게 성형된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 패키지 몰딩부재는, 열경화성 백색 수지를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1,2리드부재 중 어느 하나에는 방열을 위해 상기 패키지 몰딩부재 전방으로 적어도 1.0mm 이상 돌출된 슬러그 핀이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. - 제9항에 있어서,
상기 슬러그 핀의 좌우로 상기 제1,2리드부재에는 각각 사이드뷰 실장을 위해 상기 패키지 몰딩부재 전방으로 적어도 1.0mm 이상 돌출된 전극핀이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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2010
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