KR101093950B1 - Wafer Etching Apparatus and Wafer Etching Method using the same - Google Patents

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Abstract

실시예는 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼 전면 및 배면을 동시에 에칭하기 위한 내부 에칭조; 상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 구동부; 및 에칭 후 상기 웨이퍼 표면의 잔존하는 에칭액을 제거하기 위한 린스부;를 포함한다.Embodiments relate to a wafer etching apparatus and a wafer etching method.
A wafer etching apparatus according to the embodiment includes an internal etching bath for simultaneously etching the front and rear surfaces of the wafer; A wafer driver capable of rotating the wafer; And a rinse portion for removing the etching liquid remaining on the surface of the wafer after etching.

Description

웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법{Wafer Etching Apparatus and Wafer Etching Method using the same}Wafer Etching Apparatus and Wafer Etching Method using the same

실시예는 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer etching apparatus and a wafer etching method.

반도체를 제조하기 위해서는 웨이퍼를 제조하고 이러한 웨이퍼에 소정의 이온을 주입하고 회로 패턴을 형성하는 단계 등을 거쳐야 한다. 이때, 웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 하는데, 이를 위해 초크랄스키(czochralski, CZ) 법 또는 플로팅 존(floating zone, FZ) 법이 적용될 수 있다.In order to manufacture a semiconductor, a process of manufacturing a wafer, injecting predetermined ions into the wafer, and forming a circuit pattern is required. In this case, in order to manufacture a wafer, first, single crystal silicon must be grown in an ingot form, and for this, a Czochralski (CZ) method or a floating zone (FZ) method may be applied.

초크랄스키 법은 석영 도가니(quartz crucible)에서 실리콘을 가열하여 용융시킨 후 단결정 실리콘의 시드(seed)를 용융 실리콘(융액; melt) 내에 담근 후 융액의 온도가 안정하게 될 때에, 네킹(necking)을 형성하면서 소정의 속도로 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 방법이다. 이렇게 제조된 단결정 실리콘 잉곳을 슬라이싱(slicing)하고, 래핑(lapping), 에칭(etching), 세정 및 폴리싱 등의 공정을 수행하여 실리콘 웨이퍼의 제조를 완료한다.The Czochralski method heats and melts silicon in a quartz crucible, soaks the seeds of single crystal silicon into molten silicon (melt) and then necks when the temperature of the melt becomes stable. It is a method of growing a silicon single crystal by pulling while rotating at a predetermined speed while forming a. The single crystal silicon ingot thus manufactured is sliced, and lapping, etching, cleaning, and polishing are performed to complete the manufacture of the silicon wafer.

한편, 웨이퍼가 대구경화 됨에 따라 에칭에 사용되는 종래의 배치(batch)식 장치는 점점 거대화되고 있다. 반도체 소자의 고집적화 및 패턴이 미세화되는 것에 수반하여 고평탄도의 웨이퍼가 요구되고 있고 따라서 기계적 가공에 의한 대미지(damage)를 신속하게 평탄도의 악화 없이 처리할 수 있는 방법이 요구되고 있다.On the other hand, as the wafers become larger in diameter, conventional batch apparatuses used for etching are becoming larger. With the high integration of semiconductor devices and the miniaturization of patterns, high flatness wafers are required. Therefore, there is a demand for a method capable of quickly processing damage caused by mechanical processing without deteriorating flatness.

또한, 웨이퍼 크기가 증가함에 따라 다량의 약액을 소비하는 기존의 배치(Batch) 방법을 대체하는 매엽식(single wafer) 방법이 개발되고 있다.In addition, as wafer size increases, a single wafer method is being developed to replace the conventional batch method that consumes a large amount of chemical liquid.

한편, 종래 매엽식 에칭장치 및 방법의 경우 반도체 디바이스 공정에 초점을 두고 개발이 되었기 때문에 전면(全面) 만을 에칭하는데는 유용하나, 웨이퍼 자체를 제조하는 공정의 경우에는 전면과 배면을 동시에 균일하게 에칭하여야 하므로 종래의 반도체 디바이스 공정에서의 웨이퍼 에칭방법은 웨이퍼 자체를 제조하는 공정에서는 유용하지 못하다.On the other hand, the conventional single wafer etching apparatus and method have been developed focusing on the semiconductor device process, which is useful for etching only the entire surface, but in the case of manufacturing the wafer itself, the front and back surfaces are uniformly etched simultaneously Since the wafer etching method in the conventional semiconductor device process is not useful in the process of manufacturing the wafer itself.

또한, 종래기술은 원심력에 의한 웨이퍼 중심과 외주부의 에칭량이 다르므로 불균일한 에칭을 유발할 수 있다. 특히 고도의 평탄도를 요구하는 웨이퍼 제조공정에 적용할 경우 평탄도 악화라는 문제가 발생한다. In addition, since the etching amount of the wafer center and the outer circumferential portion of the prior art are different due to the centrifugal force, it may cause uneven etching. In particular, when applied to a wafer manufacturing process that requires a high degree of flatness, there is a problem of flatness deterioration.

한편, 웨이퍼 제조공정에서 생산성을 높이기 위해 높은 에칭량을 갖는 에칭액을 사용할 경우 저속으로 회전하는 웨이퍼 표면에 버닝(burning) 등이 발생하고 평탄도는 극도로 악화하는 문제 또한 발생하며, 향후 450mm 이상의 대구경 웨이퍼로 전환될 경우 종래의 배치식이나 매엽식 방법은 적용하기가 어려운 문제가 있다.On the other hand, when the etching liquid having a high etching amount is used to increase productivity in the wafer manufacturing process, burning occurs on the surface of the wafer which rotates at a low speed, and the flatness is extremely deteriorated. Conventional batch or single-leaf methods are difficult to apply when converted to wafers.

실시예는 웨이퍼 제조과정에서 기계적 가공에 따른 데미지(damage)를 주지않으면서 웨이퍼의 전면(全面)과 배면(背面)을 동시에 에칭함과 동시에 웨이퍼 평탄도는 높은 수준을 유지할 수 있는 매엽식 에칭장치 및 에칭방법을 제공하고자한다.The embodiment is a single wafer type etching apparatus capable of simultaneously etching the entire surface and the rear surface of the wafer without damaging the mechanical processing during the wafer manufacturing process while maintaining a high level of wafer flatness. And an etching method.

또한, 실시예는 에칭량이 높은 에칭액의 사용에도 웨이퍼 표면에 버닝(burning) 현상 발생 없이 균일한 에칭을 구현할 수 있는 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a wafer etching apparatus and a wafer etching method that can implement a uniform etching without the occurrence of burning (phenomena) burning on the surface of the wafer even when using the etching liquid having a high etching amount.

실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치는 웨이퍼 전면(全面) 및 배면(背面)을 동시에 에칭하기 위한 내부 에칭조; 상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 구동부; 및 에칭 후 상기 웨이퍼 표면의 잔존하는 에칭액을 제거하기 위한 린스부;를 포함한다.A wafer etching apparatus according to the embodiment includes an internal etching bath for simultaneously etching the entire surface and the rear surface of the wafer; A wafer driver capable of rotating the wafer; And a rinse portion for removing the etching liquid remaining on the surface of the wafer after etching.

또한, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭방법은 에칭액에 웨이퍼를 침지하는 단계; 상기 웨이퍼를 회전하면서 웨이퍼의 전면(全面) 및 배면(背面)을 동시에 에칭하는 단계; 및 상기 에칭 후 에칭액을 배출하고, 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 에칭액을 린스하는 단계;를 포함한다.In addition, the wafer etching method according to the embodiment comprises the steps of immersing the wafer in the etchant; Simultaneously etching the entire surface and the rear surface of the wafer while rotating the wafer; And discharging the etchant after the etching and rinsing the etchant remaining on the wafer.

실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법에 의하면, 웨이퍼의 전면(全面)과 배면(背面)을 동시에 균일하게 에칭함으로써 높은 평탄도를 확보할 수 있다. According to the wafer etching apparatus and the wafer etching method according to the embodiment, high flatness can be ensured by simultaneously uniformly etching the entire surface and the rear surface of the wafer.

또한, 실시예에 의하면 에칭량이 높은 에칭액을 사용하여도 웨이퍼 표면의 버닝(burning) 현상없이 균일한 에칭을 구현하는 것이 가능하다.In addition, according to the embodiment, even when an etching solution having a high etching amount is used, it is possible to implement a uniform etching without burning phenomenon of the wafer surface.

또한, 실시예에 의하면 450mm 이상의 대구경 웨이퍼에 적용할 경우에도 높은 생산성을 유지하면서 에칭 효과를 확보하여 고도의 평탄도를 확보하는 것이 가능하다.In addition, according to the embodiment, even when applied to a large diameter wafer of 450mm or more, it is possible to secure an etching effect while securing high productivity while maintaining high productivity.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치의 예시도.
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치를 이용한 에칭공정 예시도.
도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치 일부의 평면 예시도.
도 6은 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치의 웨이퍼 구동부의 구동예시도.1 is an illustration of a wafer etching apparatus according to an embodiment.
2 to 4 illustrate an etching process using a wafer etching apparatus according to the embodiment.
5 is a planar illustration of a portion of a wafer etching apparatus in accordance with an embodiment.
6 is a driving example of a wafer driver of the wafer etching apparatus according to the embodiment;

이하, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a wafer etching apparatus and a wafer etching method according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

(실시예)(Example)

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치의 예시도이다.1 is an illustration of a wafer etching apparatus according to an embodiment.

실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치(100)는 웨이퍼(W) 전면 및 배면(背面)을 동시에 에칭하기 위한 내부 에칭조(12)와, 상기 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 구동부(14) 및 에칭 후 상기 웨이퍼 표면의 잔존하는 에칭액을 제거하기 위한 린스부(17)를 포함할 수 있다.The wafer etching apparatus 100 according to the embodiment includes an internal etching bath 12 for simultaneously etching the front and back surfaces of the wafer W, a wafer driver 14 capable of rotating the wafer W, and It may include a rinse portion 17 for removing the remaining etching solution on the surface of the wafer after etching.

구체적으로, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치(100)는 에칭을 위한 내부 에칭조(12)와, 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 구동부(14)와, 상기 구동부(14)를 동작시키기 위한 구동 모터(20)와, 구동부 기어와, 에칭 후 웨이퍼 표면의 에칭액을 제거하기 위한 린스부(17)와, 반응 부산물을 배출할 수 있는 외부구조 배수구(22)를 포함할 수 있다. 상기 구동부 기어는 구동부 주기어(19)와 구동부 부기어(21)을 포함할 수 있다.Specifically, the wafer etching apparatus 100 according to the embodiment includes an internal etching bath 12 for etching, a wafer driver 14 capable of rotating the wafer W, and an actuator for operating the driver 14. The driving motor 20, the driving gear, the rinsing unit 17 for removing the etching liquid on the wafer surface after etching, and the external structure drain hole 22 for discharging the reaction by-products may be included. The drive gear may include a drive main gear 19 and a drive sub-gear 21.

상기 내부 에칭조(12)는 외부 에칭조(13) 내에 설치될 수 있고, 외부 에칭조(13)는 에칭 챔버 덮개(11)에 의해 밀폐될 수 있다. The inner etching bath 12 may be installed in the outer etching bath 13, and the outer etching bath 13 may be sealed by the etching chamber cover 11.

상기 웨이퍼 구동부(14)는 복수, 예를 들어 3개 이상으로 형성되어 웨이퍼를 회전시킬 수 있다.The wafer driver 14 may be formed in plural, for example, three or more, to rotate the wafer.

상기 웨이퍼 구동부(14)의 구동 축(25)(도 6 참조)은 구동부의 중심에 위치하여 에칭시 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 웨이퍼 전면 및 배면의 균일한 에칭을 도모할 수 있다.The drive shaft 25 (see FIG. 6) of the wafer driver 14 may be positioned at the center of the driver to rotate the wafer W during etching to achieve uniform etching of the front and rear surfaces of the wafer.

한편, 웨이퍼의 중심은 구심점이 되어 에칭액의 유동이 없는 상태가 되어 중심부의 균일한 에칭을 방해할 수가 있다. 이에 실시예에서 웨이퍼 구동부(14)의 구동 축(25)은 구동부의 중심에서 벗어난 편심에 위치할 수 있다. 이에 따라 구동부의 중심부의 이동에 의해 에칭액이 웨이퍼의 중심부에 머물러 이상 에칭되는 것을 방지하는 것이 가능하다.On the other hand, the center of the wafer becomes a centripetal point and becomes in a state where there is no flow of etching liquid, which can prevent uniform etching of the center portion. In this embodiment, the driving shaft 25 of the wafer driver 14 may be located at an eccentricity away from the center of the driver. Thereby, it is possible to prevent the etching liquid from remaining in the center of the wafer and abnormally etched by the movement of the center of the drive unit.

실시예에서 구동부(14)가 에칭 전 후로 하여 구동부의 지지대의 상하 움직임에 따라 상하로 움직일 수 있다.In an embodiment, the driving unit 14 may move up and down according to the vertical movement of the support of the driving unit before and after etching.

실시예는 에칭 또는 린스 반응 부산물을 외부 구조 배수구(22)를 통해 배출할 수 있다.Embodiments may exhaust the etch or rinse reaction by-products through the external structural drain 22.

실시예에서 에칭 후 잔존하는 에칭액을 제거하기 위한 린스부(17), 예를 들어 린스 노즐이 내부 에칭조(12)의 내벽에 위치할 수 있다.In an embodiment, a rinse unit 17, for example, a rinse nozzle, for removing the remaining etchant after etching may be located on the inner wall of the internal etching bath 12.

실시예에 의해 웨이퍼를 회전하면서 에칭을 진행하는 도중 상기 웨이퍼의 전면 또는 배면 중 적어도 한곳 이상에 발생한 반응 부산물이 웨이퍼에 고착되어 제거되지 않을 수도 있다. 이와 같은 현상을 제거하기 위해 실시예는 소정의 압력으로 린스 노즐을 통해 에칭액을 공급할 수도 있다.In some embodiments, reaction by-products generated on at least one of the front and rear surfaces of the wafer may be stuck to the wafer and not removed while the etching is performed while rotating the wafer. In order to eliminate such a phenomenon, the embodiment may supply the etching liquid through the rinse nozzle at a predetermined pressure.

또한, 실시예는 웨이퍼를 소정의 각도를 기울여 회전함으로써 발생한 반응 부산물이 쉽게 배출되도록 할 수 있다.In addition, embodiments may allow the reaction by-products generated by rotating the wafer at an angle to be easily discharged.

도 1에서 미설명 부호는 이하 에칭방법에서 설명하기로 한다.Reference numerals in FIG. 1 will be described later in the etching method.

실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법에 의하면, 웨이퍼의 전면과 배면을 동시에 균일하게 에칭함으로써 높은 평탄도를 확보할 수 있다. According to the wafer etching apparatus and the wafer etching method according to the embodiment, high flatness can be ensured by simultaneously uniformly etching the front and back surfaces of the wafer.

또한, 실시예에 의하면 에칭량이 높은 에칭액을 사용하여도 웨이퍼 표면의 버닝(burning) 현상없이 균일한 에칭을 구현하는 것이 가능하다.In addition, according to the embodiment, even when an etching solution having a high etching amount is used, it is possible to implement a uniform etching without burning phenomenon of the wafer surface.

또한, 실시예에 의하면 450mm 이상의 대구경 웨이퍼에 적용할 경우에도 높은 생산성을 유지하면서 에칭 효과를 확보하여 고도의 평탄도를 확보하는 것이 가능하다.In addition, according to the embodiment, even when applied to a large diameter wafer of 450mm or more, it is possible to secure an etching effect while securing high productivity while maintaining high productivity.

도 2 내지 도 4를 참조하여, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치를 이용한 에칭공정을 설명한다. 실시예에서 에칭되는 웨이퍼는 반도체용 웨이퍼 뿐만 아니라 유리 기판 등도 포함할 수 있다.2 to 4, an etching process using the wafer etching apparatus according to the embodiment will be described. In the embodiment, the wafer to be etched may include not only a wafer for semiconductor but also a glass substrate.

우선, 도 2와 같이 내부 에칭조(12)에 에칭액(E)을 에칭액 공급부(24)로부터 공급한다. 도 2에서는 배수관(22)의 일부와 에칭액 공급부(24)가 연결되는 상태로 도시하였지만 이에 한정되는 것은 아니며, 내부 에칭조(12)에 에칭액(E)을 공급할 수 있는 방법이면 어디에 설치하여도 무방하다.First, the etching liquid E is supplied to the internal etching tank 12 from the etching liquid supply part 24 as shown in FIG. In FIG. 2, a part of the drain pipe 22 and the etching solution supply part 24 are connected to each other. However, the present invention is not limited thereto, and any method may be provided as long as it can supply the etching solution E to the internal etching bath 12. Do.

실시예에서 사용되는 에칭액은 산 계열, 알칼리 계열, 염 계열 등이 채용가능하다.As the etching solution used in the examples, acid series, alkali series, salt series and the like can be employed.

에칭액(E)을 공급할 때 웨이퍼 구동부(14)는 도 2와 같이 상승한 상태로 유지하고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 구동부(14)에 장착될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 에칭액(E)을 공급한 후에 웨이퍼(W)를 장착할 수도 있다.When supplying the etchant E, the wafer driver 14 may be maintained in an elevated state as shown in FIG. 2, and the wafer W may be mounted on the wafer driver 14, but is not limited thereto. After that, the wafer W may be mounted.

도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치의 부분 평면 예시도이다.5 is a partial plan view illustrating a wafer etching apparatus according to an embodiment.

웨이퍼(W)의 장착은 도 5와 같이 외부의 반송장치(미도시), 예를 들어, 에지 그립(edge grip) 또는 진공척(vacuum chuck) 등을 이용하여 소정의 위치로 이동한 후 웨이퍼 구동부(14)는 점선의 위치에서 실선위치로 이동하면 웨이퍼를 파지할 수 있다.Mounting the wafer W is moved to a predetermined position by using an external conveying device (not shown), for example, an edge grip or a vacuum chuck, as shown in FIG. 14, the wafer can be held by moving from the position of the dotted line to the solid line position.

이후 에칭액(E)을 일정 수위까지 내부 에칭조(14)에 공급한 후 도2의 상태에서 도 3의 상태로 웨이퍼(W)를 회전하면서 하강할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Thereafter, the etching solution E may be supplied to the internal etching bath 14 to a predetermined level, and then may be lowered while rotating the wafer W from the state of FIG. 2 to the state of FIG. 3, but is not limited thereto.

에칭은 웨이퍼(W)가 에칭액(E)에 접촉하는 순간부터 이루어지고 이때 웨이퍼(W)는 소정의 rpm으로 회전하면서 에칭액에 의해 에칭된다.Etching is performed from the moment when the wafer W contacts the etching liquid E, and at this time, the wafer W is etched by the etching liquid while rotating at a predetermined rpm.

도 4와 같이, 에칭이 진행된 후 에칭액(E)은 배관(23)을 열어 배수관(22)을 통해 배출될 수 있다. 배수된 에칭액은 별도의 저장 장치에서 다시 에칭조로 공급하는 것도 가능하다. As shown in FIG. 4, after the etching is performed, the etching solution E may be discharged through the drain pipe 22 by opening the pipe 23. The drained etchant can be supplied back to the etching bath in a separate storage device.

에칭시에 발생하는 에칭 부산물인 반응 가스는 외부 에칭조(13)의 배기부(16)를 통하여 배출될 수 있다.The reaction gas, which is an etching byproduct generated at the time of etching, may be discharged through the exhaust part 16 of the external etching bath 13.

에칭액이 배수되면서 웨이퍼(W)가 대기중으로 노출되는 시점을 기해서 린스부(17), 예를 들어 린스 노즐을 통해 린스액, 예를 들어 초순수 등을 공급하면서 웨이퍼 표면의 잔류 에칭액을 제거하여, 잔존하는 에칭액에 의한 추가 에칭을 방지할 수 있다.Residual etching solution on the surface of the wafer is removed while supplying the rinse liquid, for example, ultrapure water, through the rinse portion 17, for example, a rinse nozzle, based on the time when the wafer W is exposed to the atmosphere while the etching liquid is drained. Further etching by the etching liquid to be prevented can be prevented.

실시예에서 상기 린스액은 상기 웨이퍼(W)의 전면에서 먼저 공급하고, 뒤이어 배면에서 공급할 수 있으나 이에 한정되는 것이 아니며, 그 순서를 바꾸거나 웨이퍼 전면, 배면에서 동시에 공급할 수도 있다.In an embodiment, the rinse liquid may be supplied first from the front surface of the wafer W, and then supplied from the rear surface thereof, but is not limited thereto.

이후 실시예는, 웨이퍼의 수분을 건조하기 위해 린스부로부터 질소 등의 가스를 공급하여 건조하거나 별도의 노즐을 구성하여 건조 가스를 공급할 수 있다.Afterwards, in order to dry the moisture of the wafer, a gas such as nitrogen may be supplied from the rinse unit and dried, or a separate nozzle may be configured to supply dry gas.

이후 웨이퍼를 상승하고 외부의 반송장치로부터 웨이퍼를 제거하므로 에칭은 완료된다.The etching is then completed by raising the wafer and removing the wafer from the external carrier.

도 6은 실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치의 구동 예시도이다.6 is an exemplary view of driving a wafer etching apparatus according to an embodiment.

실시예에서 웨이퍼 구동부(14)의 구동축(25)은 원형 구동부의 중심에 위치한다. 이 경우 회전하는 웨이퍼(W)의 중심은 구심점이 되어 에칭액의 유동이 없는 상태가 되어 웨이퍼 중심부의 균일한 에칭을 방해할 수가 있다. In the embodiment, the drive shaft 25 of the wafer driver 14 is located at the center of the circular driver. In this case, the center of the rotating wafer W becomes a center point and becomes in a state where there is no flow of etching liquid, which can prevent uniform etching of the center of the wafer.

실시예는 이와 같은 현상을 방지하기 위해 구동축(25)는 원형 구동부의 중심에서 벗어난 편심 위치에서 회전시키는 것도 가능하다. 이렇게 하면 중심부의 이동에 의해 에칭액이 머물어 이상 에칭되는 것을 방지하는 것이 가능하다.In the embodiment, the drive shaft 25 may be rotated in an eccentric position away from the center of the circular drive unit in order to prevent such a phenomenon. In this way, it is possible to prevent the etching liquid from remaining and abnormally etched by the movement of the center portion.

또한, 실시예는 낮은 rpm에서 에칭을 진행하는 도중 웨이퍼 배면에 발생한 반응 부산물 가스가 웨이퍼 배면에서 고착되어 제거 되지 않을 수 있으므로, 이와 같은 현상을 제거하기 위해 소정의 압력으로 린스부 노즐을 통해 에칭액을 공급할 수도 있다.In addition, the embodiment may not be removed by the reaction by-product gas generated on the back of the wafer during the etching at a low rpm, so that the etching solution through the rinse nozzle at a predetermined pressure to remove such a phenomenon You can also supply.

또한, 실시예에서 웨이퍼 회전판을 수평하게 구성하였지만, 소정의 각도를 형성하여 발생한 반응 부산물이 배출하도록 유도하는 것도 가능하다.In addition, although the wafer rotating plate is configured horizontally in the embodiment, it is also possible to induce the reaction by-products generated by forming a predetermined angle to discharge.

실시예에 따른 웨이퍼 에칭장치 및 웨이퍼 에칭방법에 의하면, 웨이퍼의 전면과 배면을 동시에 균일하게 에칭함으로써 높은 평탄도를 확보할 수 있다. According to the wafer etching apparatus and the wafer etching method according to the embodiment, high flatness can be ensured by simultaneously uniformly etching the front and back surfaces of the wafer.

또한, 실시예에 의하면 에칭량이 높은 에칭액을 사용하여도 웨이퍼 표면의 버닝(burning) 현상없이 균일한 에칭을 구현하는 것이 가능하다.In addition, according to the embodiment, even when an etching solution having a high etching amount is used, it is possible to implement a uniform etching without burning phenomenon of the wafer surface.

또한, 실시예에 의하면 450mm 이상의 대구경 웨이퍼에 적용할 경우에도 높은 생산성을 유지하면서 에칭 효과를 확보하여 고도의 평탄도를 확보하는 것이 가능하다.In addition, according to the embodiment, even when applied to a large diameter wafer of 450mm or more, it is possible to secure an etching effect while securing high productivity while maintaining high productivity.

본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.The present invention is not limited to the described embodiments and drawings, and various other embodiments are possible within the scope of the claims.

Claims (18)

웨이퍼 전면(全面) 및 배면(背面)을 동시에 에칭하기 위한 내부 에칭조;
상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 구동부; 및
에칭 후 상기 웨이퍼 표면의 잔존하는 에칭액을 제거하기 위한 린스부를 포함하며, 상기 웨이퍼 구동부의 구동축은 상기 구동부의 중심에서 벗어난 편심에 위치하는 웨이퍼 에칭장치.
An internal etching bath for simultaneously etching the entire surface of the wafer and the rear surface;
A wafer driver capable of rotating the wafer; And
And a rinse portion for removing the remaining etching liquid on the surface of the wafer after etching, wherein a driving shaft of the wafer driving portion is located at an eccentricity away from the center of the driving portion.
삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 구동부는,
상기 웨이퍼를 수평으로 회전하는 웨이퍼 에칭장치.The method according to claim 1,
The wafer driver,
Wafer etching apparatus for rotating the wafer horizontally. 제1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 구동부는,
상기 웨이퍼를 소정의 각도로 기울여 회전하는 웨이퍼 에칭장치.The method according to claim 1,
The wafer driver,
Wafer etching apparatus for rotating the wafer at a predetermined angle. 제1 항에 있어서,
상기 린스부는
상기 내부 에칭조의 내벽에 위치하는 린스노즐을 포함하는 웨이퍼 에칭장치.The method according to claim 1,
The rinse section
And a rinse nozzle positioned on an inner wall of the inner etching bath. 제1 항에 있어서,
상기 린스부는
에칭액을 분사할 수 있는 웨이퍼 에칭장치.The method according to claim 1,
The rinse section
Wafer etching apparatus which can inject etching liquid. 에칭액에 웨이퍼를 침지하는 단계;
상기 웨이퍼를 회전하면서 웨이퍼의 전면(全面) 및 배면(背面)을 동시에 에칭하는 단계; 및
상기 에칭 후 에칭액을 배출하고, 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 에칭액을 린스하는 단계를 포함하며, 상기 웨이퍼를 회전시키는 구동부의 구동축은 구동부의 중심에서 벗어난 편심에 위치하는 웨이퍼 에칭방법.
Immersing the wafer in the etchant;
Simultaneously etching the entire surface and the rear surface of the wafer while rotating the wafer; And
And discharging the etching solution after the etching and rinsing the remaining etching solution on the wafer, wherein the driving shaft of the driving unit for rotating the wafer is located at an eccentricity away from the center of the driving unit.
제8 항에 있어서,
상기 웨이퍼를 침지하는 단계에서,
상기 웨이퍼를 회전하면서 침지하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
In the step of immersing the wafer,
A wafer etching method for immersing while rotating the wafer. 삭제delete 삭제delete 제8 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 회전은
상기 웨이퍼를 수평으로 회전하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
The rotation of the wafer
A wafer etching method for rotating the wafer horizontally. 제8 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 회전은,
상기 웨이퍼를 소정의 각도로 기울여 회전하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
Rotation of the wafer,
A wafer etching method for rotating the wafer by tilting at a predetermined angle. 제8 항에 있어서,
상기 린스단계는,
상기 에칭액이 배출 중 웨이퍼가 에칭액 밖으로 노출됨과 동시에 린스액을 공급하여 잔존 에칭액을 제거하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
The rinse step,
And etching the wafer while the etching solution is being discharged and supplying a rinse solution to remove the remaining etching solution. 제8 항에 있어서,
상기 린스단계에서,
린스액은 상기 웨이퍼의 전면 및 배면에 동시에 공급하거나, 상기 웨이퍼의 전면과 배면에 각각 순서를 달리하여 공급하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
In the rinse step,
The rinse liquid is supplied to the front and back of the wafer at the same time, or the wafer etching method to supply to the front and back of the wafer in a different order. 제8 항에 있어서,
상기 린스단계에서,
린스액은 웨이퍼 전면, 배면에서 동시에 공급하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
In the rinse step,
A wafer etching method in which the rinse liquid is simultaneously supplied from the front and rear surfaces of the wafer. 제8 항에 있어서,
상기 린스단계 후에,
건조 가스에 의해 린스된 웨이퍼를 건조하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
After the rinse step,
And etching the wafer rinsed with the dry gas. 제8 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 에칭을 진행하는 도중 상기 웨이퍼의 전면 또는 배면 중 적어도 한곳 이상에 발생한 반응 부산물을 제거하기 위해 린스부에서 에칭액을 분사하는 웨이퍼 에칭방법.The method of claim 8,
And etching liquid is injected from the rinse part to remove reaction by-products generated in at least one of the front and rear surfaces of the wafer while the wafer is being etched.
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