KR101088809B1 - 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈 - Google Patents

반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101088809B1
KR101088809B1 KR1020100128456A KR20100128456A KR101088809B1 KR 101088809 B1 KR101088809 B1 KR 101088809B1 KR 1020100128456 A KR1020100128456 A KR 1020100128456A KR 20100128456 A KR20100128456 A KR 20100128456A KR 101088809 B1 KR101088809 B1 KR 101088809B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensor
gas
hole
substrate
sensing
Prior art date
Application number
KR1020100128456A
Other languages
English (en)
Inventor
최덕규
김우정
Original Assignee
(주)맨 텍
경운대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)맨 텍, 경운대학교 산학협력단 filed Critical (주)맨 텍
Priority to KR1020100128456A priority Critical patent/KR101088809B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101088809B1 publication Critical patent/KR101088809B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G01N27/16Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4067Means for heating or controlling the temperature of the solid electrolyte
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416Systems
    • G01N27/417Systems using cells, i.e. more than one cell and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4175Calibrating or checking the analyser

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 발명의 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈은, 제 1 면과 그 반대편의 제 2 면을 구비하며, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이를 관통하는 제 1 통공(107) 및 제 2 통공(108)이 형성되어 있는 기판(130); 상기 기판(130)의 제 1 면에 부착되어 상기 제 1 면과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스(104); 상기 보호 공간 내 상기 기판(130)의 제 1 면에 장착되고, 상기 제 1 통공(107)을 통해 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서(110); 상기 제 2 통공(108)을 커버하도록 상기 기판(130)의 제 1 면에 장착되고, 상기 가스 센서(110)와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서(110)의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공(107)을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공(108)을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서(120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 차압 센서(120)의 측정값에 대하여 보정(Calibration)을 하지 않아도 되거나, 차압 센서(120)의 동작 온도 범위가 현저하게 좁아지므로 보다 정밀한 측정값을 얻을 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈{Multi-Sensor Chip Module Having Semiconductor Gas Sensor and Pressure Sensor}
본 발명은 반도체 센서를 내장하는 모듈과 이를 이용한 센서 시스템에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장하고 있는 센서칩 모듈과 이를 이용하는 센서 시스템에 관한 것이다.
반도체 가스 센서는 소형이고, 염가이며 감도가 높고 응답이 빠를 뿐만 아니라, 전기 신호로서 가스농도를 알아내는 이점이 있다. 이것은 가스 누출 경보기, 화재 경보기, 알코올 검출기, 엔진 연소 가스 검지 등 다양한 용도로 사용되고 있다. 반도체 가스 센서는 일산화탄소, 이산화탄소, 산소, 메탄, 알코올, 연기 등 원하는 특정 가스의 존재 유무 또는 존재량을 검출한다.
한편, 압력 센서는 일반적으로 가스 또는 액체의 압력을 측정하며, 가해진 압력에 비례한 신호를 발생시킨다. 전형적으로 이러한 신호는 전기적이다. 압력 센서는 일상 영역에서 제어와 모니터링 용 등 수많은 적용방식으로 사용된다. 압력 센서는 액체, 가스 흐름, 속도, 수위, 그리고 고도와 같은 여러 변수들의 측정을 위한 시스템들에서 사용된다.
그런데, 이러한 센서들은 센서의 종류별로 각각 단독 모듈 형태로 구현되는 것이 일반적이고 멀티 센서를 동일 모듈로 통합하려는 노력은 미미한 실정이며, 나아가 이러한 통합에 있어서 상승적 효과도 미미한 실정이다.
본 발명의 목적은 단독 센서 모듈일 때보다 효율적인 멀티 센서 칩 모듈 및 멀티 센서 시스템을 제공하려는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 각각의 센서가 가진 특징을 이용하여 상승 효과를 가지는 멀티 센서 칩 모듈 및 멀티 센서 시스템을 제공하려는 것이다.
본 발명의 일 양상에 따른 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈은, 제 1 면과 그 반대편의 제 2 면을 구비하며, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이를 관통하는 제 1 통공 및 제 2 통공이 형성되어 있는 기판; 상기 기판의 제 1 면에 부착되어 상기 제 1 면과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스; 상기 보호 공간 내 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 제 1 통공을 통해 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서; 상기 제 2 통공을 커버하도록 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 가스 센서와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 양상에 따른 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈은, 제 1 면과 그 반대편의 제 2 면을 구비하며, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이를 관통하는 제 1 통공 및 제 2 통공이 형성되어 있는 기판; 상기 기판의 제 1 면에 부착되어 상기 제 1 면과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스; 상기 보호 공간 내 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 제 1 통공을 통해 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서; 상기 제 2 통공을 커버하도록 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 가스 센서와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서; 상기 보호 공간 내에 설치되어 상기 보호 공간 내의 온도를 센싱하는 온도 센서:를 포함하며, 상기 온도 센서에 의해 센싱된 상기 온도에 기초하여 상기 발열체의 발열량이 제어되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 차압 센서(120)의 측정값에 대하여 보정(Calibration)을 하지 않아도 되거나, 차압 센서(120)의 동작 온도 범위가 현저하게 좁아지므로 보다 정밀한 측정값을 얻을 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)의 동작 온도를 정확히 제어할 수 있으며, 2가지 센서를 위하여 동일한 온도 제어 메커니즘을 공유할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 2가지 센서의 기능이 동일 모듈에 집적되므로 제품의 소형화가 가능하고 패키징 비용이 절감되며, 차압 센싱을 위한 포트 및 튜브와 가스 센싱을 위한 포트 및 튜브가 공유되므로 제품의 설치가 간단하고 비용도 절감된다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 차압 센서 및 가스 센서의 센싱값이 동일한 시리얼 통신으로 전송되므로 통신 회선의 설치 및 유지가 간단 명료해 진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈을 위에서 본 사시도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈을 아래에서 본 사시도이다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서칩 모듈에 이용될 수 있는 가스 센서의 한 예를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈의 변형 예을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시에 따른 멀티 센서 시스템을 도시한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 명칭 및 도면 부호를 사용한다.
1. 멀티 센서 칩 모듈
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈을 도시한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈은 기판(130), 보호 케이스(104), 가스 센서(110), 차압 센서(120), 제 1 가이드관(105), 제 2 가이드관(106), 리드(109) 및 본딩 와이어(102)를 포함한다.
기판(130)은 제 1 면과 그 반대편의 제 2 면을 구비하며, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이를 관통하는 제 1 통공(107) 및 제 2 통공(108)이 형성되어 있다. 그리고 기판(130)에는 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)와 외부 사이에 전기 신호를 전달하기 위하여 도전 경로(미도시) 및 패드가 형성되어 있다. 예를 들어, 기판(130)은 PCB로 형성될 수 있으며, 방열 특성을 고려하여 도전 경로를 구성하는 동박은 비교적 두꺼운 2oz로 하고 그라운드를 넓게 하며, 제 1 통공(107) 및 제 2 통공(108)은 3파이로 한다.
제 1 가이드 관(105)은 기판의 제 2 면에서 상기 제 1 통공(107)에 결합하며, 제 2 가이드관(106)은 기판의 제 2 면에서 상기 제 2 통공(108)에 결합한다. 제 1 가이드 관(105) 및 제 2 가이드관(106)은 차압을 측정하고자 하는 곳과 튜브를 통하여 연결되며, 아울러 제 1 가이드관(105)은 특정 가스를 센싱할 곳과 연결된다.
본 발명은 에어컨에 이용될 수 있다. 에어컨의 공기 정화용 필터 양단과 상기 제 1 가이드(105) 및 제 2 가이드관(106)을 각각 튜브로 연결하여 필터 양단의 차압을 센싱하고 모니터링함으로써 필터 교체 시점을 적절히 판단하는 데 이용될 수 있다. 또한, 가스 센서는 이산화탄소(CO2)를 센싱하는 센서이며, 이산화탄소의 양을 모니터링함으로써 실내 또는 차량내 공기의 오염 정도를 판단할 수 있다.
보호 케이스(104)는 기판(130)의 제 1 면에 부착되어 상기 제 1 면과의 사이에 보호 공간을 형성한다. 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)는 동일한 보호 공간 내에 위치한다. 기판(130)에 부착된 보호 케이스(104)는 외부 환경과 상기 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)를 분리하며, 제 1 통공(107)을 통해 유입되는 기체의 압력을 차압 센서(120)로 전달하는 역할을 수행한다. 그리고 기판(130)에 부착된 보호 케이스(104)는 외부 환경으로부터의 열을 어느 정도 차단하는 역할도 동시에 수행한다.
가스 센서(110)는 보호 공간 내 기판(130)의 제 1 면에 장착되고, 제 1 통공(107)을 통해 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함한다. 가스 센서(110)는 기체 속의 이산화탄소를 센싱하는 센서이며, 이산화탄소를 센싱하기 위하여 내부에 발열체를 포함하고 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈에 이용될 수 있는 가스 센서의 한 예를 도시한 도면이다.
도 4는 가스 센서 중에서 이산화탄소 센싱 용 가스 센서의 한 예를 예시하고 있을 뿐이며, 본 발명이 도 4에 도시된 가스 센서를 반드시 포함하는 것으로 한정하고자 하는 것은 아니다.
가스 센서(110)는 중앙에 공동(117)이 형성된 기판(111)의 상부 면에 고체전해질층(112)을 형성하고 있으며, 상기 고체 전해질층(112)의 양쪽에 감지 전극(113) 및 참조 전극(114)이 형성된다. 고체 전해질로서는 나시콘(NASICON)이나 베타 알루미나가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 고체전해질층(112)의 중앙 상부에 절연막(115)을 개재하여 발열체(116)가 형성된다. 상기 발열체(116)는 고체 전해질층(112)에 있는 전해질의 이온 전도도를 높이기 위해 사용된다.
본 발명에서 가스 센서(110)는 특정 가스의 센싱을 위하여 발열체를 포함하고 있으며, 후술하겠으나 이러한 발열체로부터의 열을 차압 센서(120)에 이용하는 점에 한 특징이 있다.
도 1로 돌아와, 차압 센서(120)는 제 2 통공(108)을 커버하도록 기판(130)의 제 1 면에 장착되고, 상기 가스 센서(110)와 동일하게 보호 공간 내에 있으며, 가스 센서(110)의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 제 1 통공(107)을 통해 전달되는 제 1 압력과 제 2 통공(108)을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱한다. 차압 센서(120)는 말 그대로 제 1 압력과 제 2 압력 사이의 차압을 센싱한다. 특히 필터 양단 사이의 차압을 센싱하여 필터 교체 주기를 판단하기 위하여 이용될 수 있다.
그런데, 일반적으로 압력센서 또는 차압 센서는 압력 또는 압력차를 측정하지만 센서의 특성상 센서 자체의 온도에 따라 측정된 값을 보정(Calibration)하여 사용한다. 동일 압력 또는 압력차라 하여도 센서 자체의 온도에 따라 측정값이 달라지기 때문이다.
한편, 본 발명의 차압 센서(120)는 가스 센서(110)와 동일한 보호 공간 내에 있으며, 가스 센서(110)에 포함되어 있는 발열체에서 발생되는 열을 전달받아 차압 센서(120)의 온도도 올라가게 된다. 본 발명에 따르면 차압 센서(120)는 발열 소스를 옆에 두게 된다. 차압 센서(120)의 온도를 결정하는 것은 외부로부터의 영향과 내부 발열체로부터 영향으로 나눌 수 있으며, 보호 공간 내에 위치하는 차압 센서(120)는 외부로부터의 영향보다 가스 센서(110)의 발열체로부터 지배적인(dominant) 영향을 받게 된다. 그리고 멀티 센서 칩 모듈 자체의 방열 특성은 일정하므로 온도에 대한 직접적 피드백 제어가 없어도 보호 공간 내의 온도를 일정 범위 안으로 제어하는 것은 용이하다.
그렇다면, 가스 센서(110)의 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받아 차압 센서(120)의 온도는 종래보다 훨씬 좁은 범위의 온도를 가지게 되며, 응용에 따라서는 차압 센서(120)의 측정값에 대하여 보정(Calibration)을 하지 않아도 된다. 그리고 보정을 필요로 하는 응용에 있어서도, 차압 센서(120)의 동작 온도 범위가 현저하게 좁으므로 보다 정밀한 측정값을 얻을 수 있게 된다.
한편, 본딩 와이어(102)는 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)의 본딩 패드와 기판(130)의 본딩 패드 사이를 전기적으로 연결한다. 그리고 기판(130)의 도전 경로(미도시)를 통하여 보호 공간 외부에 있는 기판(130)의 패드로 연결된다.
리드(109)는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈을 외부와 전기적으로 결합시키기 위한 것으로서, 기판(130)의 제 1 면에서 보호 공간 외부에 있는 패드에 결합된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈을 위에서 본 사시도이며, 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 칩 모듈을 아래에서 본 사시도이다.
리드(109)는 PCB로 된 기판(130)에 납땜으로 결합되어 상방으로 향하고 있으며, 보호 케이스(104)는 PCB로 된 기판(130)의 대부분을 커버하여 결합하고 있다.
제 1 가이드관(106) 및 제 2 가이드관(107)은 기판(130)의 하부(제 2 면)에서 제 1 통공(107) 및 제 2 통공(108)을 커버하면서 결합되어 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈의 변형 예을 도시한 도면이다.
변형 예는 보호 공간의 내부 온도를 보다 정밀하게 제어하기 위한 것이다. 변형 예에서는 온도 센서(140)를 더 포함하고 있으며, 온도 센서(140)는 보호 공간 내에 설치되어 보호 공간 내의 온도를 센싱한다.
그리고 상기 온도 센서(140)에 의해 센싱된 온도에 기초하여 가스 센서(110)에 포함되어 있는 발열체의 발열량이 제어되도록 한다. 온도 센서(140)는, 후술하겠으나 별도의 센서 제어 모듈(200)에 의해서 제어된다.
도 5에서는 온도 센서(140)가 좌측에 위치하고 있는 것으로 도시되었으나, 차압 센서(120)와 가까운 곳에 위치하도록 하여 차압 센서(120)의 온도를 보다 정확히 측정하도록 할 수도 있다. 또한, 도 5에서는 온도 센서(140)가 기판(130)의 제 1 면에 장착되는 것으로 하였으나, 기판(130)에 별도의 통공을 뚫고 이 통공을 통하여 온도 센서(140)의 일부분이 보호 공간에 삽입되도록 할 수도 있다.
상기 한 변형예에 따르면 보호 공간 내부의 온도를 정확히 제어할 수 있으며, 이에 따라 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)의 동작 온도를 정확히 제어할 수 있다. 본 발명에 따르면 2가지 센서를 위하여 동일한 온도 제어 메커니즘을 공유할 수 있는 효과가 있다.
아울러 보호 공간 내의 동작 온도에 대한 정보를 정확히 알 수 있으므로 보정(Calibration)도 보다 정밀하게 수행될 수 있는 효과도 있다.
2. 멀티 센서 시스템
도 6은 본 발명의 일 실시에 따른 멀티 센서 시스템을 도시한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 센서 시스템(1000)은, 멀티 센서칩 모듈(100), 센서 제어 모듈(200), 통신 드라이버(300), 커넥터(400) 및 전원 공급부(500)를 포함한다.
멀티 센서칩 모듈(100)은 도 1 내지 도 5를 통해 설명된 것이므로 생략하며, 센서 제어 모듈(200)은 MUX(240), ADC(210), MCU(220) 및 시리얼 통신부(230)를 포함한다.
MUX(240)는 가스 센서(110)로부터의 센싱 신호와 차압 센서(120)로부터의 센싱 신호를 입력받아 선택적으로 출력한다. 본 발명의 멀티 센서 시스템에서는 센서 제어, 센싱값의 보정, 데이터 통신 등을 위한 구성은 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)를 위하여 공용되며, 별개로 각각 구비하지 않아도 된다.
ADC(210)는 MUX(240)의 출력을 아날로-디지털 변환하며, MCU(220)는 멀티 센서 시스템(1000)을 구성하는 각 요소를 제어함과 동시에, ADC(210)로부터 입력되는 센싱값에 대하여 보정을 수행하며, 온도 센서(140)에서 센싱된 온도에 기초하여 가스 센서(110)에 포함되어 있는 발열체의 발열량을 제어하는 기능을 수행한다.
시리얼 통신부(230)는 RS-232 통신과 같은 시리얼 통신 프로토콜을 처리하고, 아날로그-디지털 변환의 결과로 생성되는 센싱 값 또는 상기 센싱 값을 보정한 값을 디지털 데이터로 하여 시리얼 통신으로 전송하는 기능을 담당한다.
통신 드라이버(300)는 시리얼 통신부(230)으로 부터의 신호를 증폭하여 시리얼 통신 회선을 드라이빙하며, 커넥터(400)는 시리얼 통신선의 단자와 결합 포인트를 제공하는 것이다. 전원 공급부(500)는 외부로부터 전원을 공급받아 내부 각 블록에 전원을 공급하며 예를 들어 외부로부터 9V 전압의 전원을 공급받아 5V로 드롭시켜 안정적인 전원을 각 블록에 공급하는 기능을 수행한다.
이하 본 발명의 효과에 대하여 부연하여 설명한다.
본 발명의 발명자는 특정한 응용에서 상기한 가스 센서 및 압력 센서를 동일 모듈로 집적하는 것이 매우 효율적이라는 점을 발견하게 되었다. 에어컨과 같이 공기 정화용 필터가 이용되는 곳에서 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)를 동일 모듈로 제작함으로써 보다 효율적인 센서 시스템의 제공이 가능하게 되었다. 본 발명의 일 양상에 따르면, 2가지 센서의 기능이 동일 모듈에 집적되므로 제품의 소형화가 가능하고 패키징 비용이 절감되며, 차압 센싱을 위한 포트 및 튜브와 가스 센싱을 위한 포트 및 튜브가 공유되므로 제품의 설치가 간단하고 설치 비용도 절감된다. 본 발명의 일 양상에 따르면, 차압 센서 및 가스 센서의 센싱값이 동일한 시리얼 통신으로 전송되므로 통신 회선의 설치 및 유지가 간단 명료해 진다.
또한, 본 발명의 발명자는 가스 센서 및 압력 센서를 동일 모듈에 집적할 때, 상승 효과를 가질 수 있는 구조 및 방법을 발명하게 되었다. 본 발명의 일 양상에 따르면, 차압 센서(120)의 측정값에 대하여 보정(Calibration)을 하지 않아도 되거나, 차압 센서(120)의 동작 온도 범위가 현저하게 좁아지므로 보다 정밀한 측정값을 얻을 수 있는 효과가 있다. 본 발명의 일 양상에 따르면, 가스 센서(110)의 발열체와 온동센서(140)를 이용함으로써 가스 센서(110) 및 차압 센서(120)의 동작 온도를 정확히 제어할 수 있으며, 2가지 센서를 위하여 동일한 온도 제어 메커니즘을 공유할 수 있는 효과가 있다.
100 : 멀티 센서 칩 모듈 102 : 본딩 와이어
104 : 보호 케이스 105 : 제 1 가이드관
106 : 제 2 가이드관 107 : 제 1 통공
108 : 제 2 통공 109 : 리드
110 : 가스 센서 120 : 차압 센서
130 : 기판 140 : 온도 센서
200 : 센서 제어 모듈 300 : 통신 드라이버
400 : 커넥터 500 : 전원 공급부
1000 : 멀티 센서 시스템

Claims (7)

  1. 제 1 면과 그 반대편의 제 2 면을 구비하며, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이를 관통하는 제 1 통공 및 제 2 통공이 형성되어 있는 기판;
    상기 기판의 제 1 면에 부착되어 상기 제 1 면과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스;
    상기 보호 공간 내 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 제 1 통공을 통해 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서;
    상기 제 2 통공을 커버하도록 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 가스 센서와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈.
  2. 제 1 면과 그 반대편의 제 2 면을 구비하며, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이를 관통하는 제 1 통공 및 제 2 통공이 형성되어 있는 기판;
    상기 기판의 제 1 면에 부착되어 상기 제 1 면과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스;
    상기 보호 공간 내 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 제 1 통공을 통해 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서;
    상기 제 2 통공을 커버하도록 상기 기판의 제 1 면에 장착되고, 상기 가스 센서와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서;
    상기 보호 공간 내에 적어도 그 일부분이 위치하여 상기 보호 공간 내의 온도를 센싱하는 온도 센서:를 포함하며,
    상기 온도 센서에 의해 센싱된 상기 온도에 기초하여 상기 발열체의 발열량이 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 가스 센서 및 상기 차압 센서의 본딩 패드와 상기 기판의 본딩 패드 사이를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판의 상기 제 2 면에서 상기 제 1 통공에 결합하는 제 1 가이드관;
    상기 기판의 상기 제 2 면에서 상기 제 2 통공에 결합하는 제 2 가이드관;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 특정 가스는 이산화탄소이며,
    상기 차압 센서는 공기 정화용 필터 양단의 차압을 센싱하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈.
  6. (1) 제 1 통공 및 제 2 통공이 형성된 기판에 부착되어 상기 기판과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스; (2) 상기 보호 공간 내 상기 기판에 장착되고 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서; (3) 상기 기판에 장착되고, 상기 가스 센서와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서;를 포함하는 멀티 센서 칩 모듈;
    (1) 상기 가스 센서로부터의 센싱 신호와 상기 압력 센서로부터의 센싱 신호를 입력받아 선택적으로 출력하는 MUX; (2) 상기 MUX의 출력을 아날로-디지털 변환하는 ADC; (3) 상기 아날로그-디지털 변환의 결과로 생성되는 디지털 데이터를 시리얼 통신으로 전송하는 시리얼 통신부;를 포함하는 센서 제어 모듈;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 및 압력을 센싱하는 멀티 센서 시스템.
  7. (1) 제 1 통공 및 제 2 통공이 형성된 기판에 부착되어 상기 기판과의 사이에 보호 공간을 형성하는 보호 케이스; (2) 상기 보호 공간 내 상기 기판에 장착되고 유입되는 기체 속의 특정 가스를 센싱하며, 상기한 특정 가스의 센싱을 위하여 내부에 발열체를 포함하는 가스 센서; (3) 상기 기판에 장착되고, 상기 가스 센서와 동일하게 상기 보호 공간 내에 있으며, 상기 가스 센서의 상기 발열체에서 발생되는 열의 영향을 받으면서 상기 제 1 통공을 통해 전달되는 제 1 압력과 상기 제 2 통공을 통해 전달되는 제 2 압력 사이의 차압을 센싱하는 차압 센서; (4) 상기 보호 공간 내의 온도를 센싱하는 온도 센서:를 포함하는 멀티 센서 칩 모듈;
    (1) 상기 가스 센서로부터의 센싱 신호와 상기 압력 센서로부터의 센싱 신호를 입력받아 선택적으로 출력하는 MUX; (2) 상기 MUX의 출력을 아날로-디지털 변환하는 ADC; (3) 상기 온도 센서에서 센싱된 온도에 기초하여 상기 발열체의 발열량을 제어하는 MCU; (4) 상기 아날로그-디지털 변환의 결과로 생성되는 디지털 데이터를 시리얼 통신으로 전송하는 시리얼 통신부;를 포함하는 센서 제어 모듈;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 및 압력을 센싱하는 멀티 센서 시스템.
KR1020100128456A 2010-12-15 2010-12-15 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈 KR101088809B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100128456A KR101088809B1 (ko) 2010-12-15 2010-12-15 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100128456A KR101088809B1 (ko) 2010-12-15 2010-12-15 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101088809B1 true KR101088809B1 (ko) 2011-12-01

Family

ID=45505473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100128456A KR101088809B1 (ko) 2010-12-15 2010-12-15 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101088809B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160147504A (ko) * 2015-06-15 2016-12-23 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
KR101740014B1 (ko) 2015-06-15 2017-05-26 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
US9706294B2 (en) 2015-03-18 2017-07-11 Infineon Technologies Ag System and method for an acoustic transducer and environmental sensor package
KR101762429B1 (ko) 2017-01-20 2017-07-28 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
RU2660287C1 (ru) * 2017-10-02 2018-07-05 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ контроля параметров состояния многокомпонентной газовой среды в герметичном контейнере
KR20190049216A (ko) * 2017-11-01 2019-05-09 삼성전자주식회사 전자장치용 가스센서 모듈 및 이를 포함하는 전자장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080184775A1 (en) 2006-01-30 2008-08-07 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Fluid Identification Device and Fluid Identification Method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080184775A1 (en) 2006-01-30 2008-08-07 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Fluid Identification Device and Fluid Identification Method

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101786312B1 (ko) * 2015-03-18 2017-10-16 인피니언 테크놀로지스 아게 음향 트랜스듀서 및 환경 센서 패키지를 위한 시스템 및 방법
US9706294B2 (en) 2015-03-18 2017-07-11 Infineon Technologies Ag System and method for an acoustic transducer and environmental sensor package
KR20170109220A (ko) * 2015-03-18 2017-09-28 인피니언 테크놀로지스 아게 음향 트랜스듀서 및 환경 센서 패키지를 위한 시스템 및 방법
US10028052B2 (en) 2015-03-18 2018-07-17 Infineon Technologies Ag System and method for an acoustic transducer and environmental sensor package
KR101969224B1 (ko) * 2015-03-18 2019-04-16 인피니언 테크놀로지스 아게 음향 트랜스듀서 및 환경 센서 패키지를 위한 시스템 및 방법
KR101715244B1 (ko) * 2015-06-15 2017-03-13 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
KR101740014B1 (ko) 2015-06-15 2017-05-26 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
KR20160147504A (ko) * 2015-06-15 2016-12-23 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
KR101762429B1 (ko) 2017-01-20 2017-07-28 주식회사 아이티엠반도체 압력센서장치 및 그 제조방법
RU2660287C1 (ru) * 2017-10-02 2018-07-05 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ контроля параметров состояния многокомпонентной газовой среды в герметичном контейнере
KR20190049216A (ko) * 2017-11-01 2019-05-09 삼성전자주식회사 전자장치용 가스센서 모듈 및 이를 포함하는 전자장치
WO2019088567A3 (ko) * 2017-11-01 2019-06-27 삼성전자 주식회사 전자장치용 가스센서 모듈 및 이를 포함하는 전자장치
KR102412048B1 (ko) 2017-11-01 2022-06-22 삼성전자 주식회사 전자장치용 가스센서 모듈 및 이를 포함하는 전자장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101088809B1 (ko) 반도체 가스 센서 및 압력 센서를 내장한 멀티 센서 칩 모듈
AU2017334594B2 (en) Heat flux sensor
CN101490521B (zh) 具有多个参考压力传感器的压力传送器
US9995593B2 (en) Method for operating a sensor array
JP5898176B2 (ja) 車両内部の温度を検出するためのセンサモジュール、および車両内部の温度を判定するための装置
JP2000321160A (ja) プロセス状態検出装置
JP6348659B2 (ja) プロセス変数トランスミッタにおける圧力センサのための電気相互接続
CN101586970A (zh) 用于组合式传感器装置的集成机械组件设计
US11768122B2 (en) Liquid detection in a sensor environment and remedial action thereof
US20120055232A1 (en) Photoacoustic Gas Detector with Integrated Signal Processing
US11143614B2 (en) Gas sensor
CN109507261B (zh) 气体传感器
KR20140116850A (ko) 유체 유동의 질량 유량 및 온도를 감지하기 위한 센서
EP3586097B1 (en) Thermocouple temperature sensor with cold junction compensation
CN110068396B (zh) 一种无线热电偶
US7823444B2 (en) Device and process for measuring the velocity of flow of a fluid using pulse signal generated based on feedback
KR101268028B1 (ko) 가스 센서
KR100844966B1 (ko) 가스 검출 장치 및 가스 검출 센서조립체
US9939397B2 (en) Sensor for detecting oxidizable gases
JP2002062306A (ja) 流速検出装置
CN214175265U (zh) 湿度报警电路及装置
CN209979119U (zh) 采用等压腔的多通道压力变送器
JP2018151356A (ja) 温度測定装置
CN112857428A (zh) 一种高精度多通道无线变送器
JP2015132591A (ja) ガス検出器、及び、ガス検出システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151125

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161125

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171120

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee