KR101079938B1 - A Driving Circuit for Solid State Switch of Automobile - Google Patents

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Abstract

본 발명은 차량용 반도체 스위치 구동회로에 관한 것으로, 차량용 배터리에서 부하단(전기장치)에 전압을 인가 또는 차단시켜 주는 반도체 스위치 구동 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor switch driving circuit for a vehicle, and more particularly to a semiconductor switch driving circuit for applying or breaking a voltage to a load terminal (electrical device) in a vehicle battery.

본 발명에 의한 차량용 반도체 스위치 구동 회로는 일정한 폭의 구형파가 발생되게 하는 발진 회로와; 상기 발진 회로에 정전압을 공급하는 정전압 회로와; 상기 발진 회로의 출력에 연결되고, 드레인이 저항(123)을 통하여 배터리 전원에 연결되고, 소스는 접지되어 있어 상기 발진 회로의 출력에 의해 구형파를 출력하는 제 1 FET(129)와; 상기 제 1 FET(129)의 출력에 게이트가 연결되어 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되는 제 2 FET(113)와; 상기 제 1 FET(129)의 드레인에 게이트가 연결되어, 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되며, 상기 제 2 FET(113)와 반대의 출력을 출력하고, 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 드레인이 연결되어 있는 제 3 FET(115)와; 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 상기 제 3 FET(115)의 드레인에 연결되고, 다른 일측은 다이오드를 통하여 배터리에 연결되는 제 1 시정수 회로와; 상기 제 1 시정수 회로와 직렬로 N극이 연결되고, P극은 배터리 전원에 연결되어 있는 역 전압 보호 다이오드(101)와; 드레인은 배터리에 접속되어 있고, 소스는 부하에 접속되어 부하에 공급되는 전원을 On 또는 Off하는 반도체 전원 스위치(117)와; 일측은 제 1 시정수 회로 및 상기 역전압 보호 다이오드(101)에 연결되고, 다른 일측은 상기 반도체 전원 스위치(117)의 게이트에 연결되고, 또 다른 일측은 접지되어 있는 제 2 시정수 회로;를 포함하여 이루어진다.A vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention includes an oscillating circuit for generating a square wave of a constant width; A constant voltage circuit for supplying a constant voltage to the oscillation circuit; A first FET (129) connected to an output of the oscillation circuit, a drain connected to a battery power source through a resistor (123), and a source grounded to output a square wave by the output of the oscillation circuit; A second FET (113) whose gate is connected to the output of the first FET (129) and turned on or off by the first FET (129); A gate is connected to the drain of the first FET 129, turned on or off by the first FET 129, outputting an output opposite to the second FET 113, and the second FET 113. A third FET 115 connected with the drain of the drain; A first time constant circuit connected to the drain of the second FET 113 and the drain of the third FET 115, the other side of which is connected to a battery through a diode; An N pole connected in series with the first time constant circuit and a P pole connected to a battery power source; A drain connected to the battery, a source connected to the load, and a semiconductor power switch 117 for turning on or off the power supplied to the load; A second time constant circuit having one side connected to a first time constant circuit and the reverse voltage protection diode 101, the other side connected to a gate of the semiconductor power switch 117, and the other side being grounded; It is made to include.

본 발명에 의한 차량용 반도체 스위치 구동 회로는 자동차에서 전원 인가시 릴레이 코일에 의해 서지 전압 및 돌입전류가 발생하지 않아 회로의 손상 및 오동작이 발생하지 않는 이점이 있으며, 코일형 릴레이에 비해 제품의 크기가 소형화되는 또 다른 이점이 있다. Vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention has the advantage that the surge voltage and inrush current does not occur by the relay coil when the power is applied in the vehicle does not cause damage and malfunction of the circuit, the size of the product compared to the coil-type relay There is another advantage of miniaturization.

스위치 구동회로, 반도체 스위치, 차량용 반도체 스위치, 차량용 반도체 스위치 구동회로 Switch driving circuit, semiconductor switch, automotive semiconductor switch, automotive semiconductor switch driving circuit

Description

차량용 반도체 스위치 구동 회로{A Driving Circuit for Solid State Switch of Automobile}Automotive Switch for Semiconductors {A Driving Circuit for Solid State Switch of Automobile}

본 발명은 차량용 반도체 스위치 구동회로에 관한 것으로, 차량용 배터리에서 부하단(전기장치)에 전압을 인가 또는 차단시켜 주는 반도체 스위치 구동 회로에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor switch driving circuit for a vehicle, and more particularly to a semiconductor switch driving circuit for applying or breaking a voltage to a load terminal (electrical device) in a vehicle battery.

종래의 차량용 파워 스위치는 릴레이를 사용하고 있으며, 릴레이 코일의 상단부에는 배터리(B+, 12V) 전원 양극이 연결되고, 코일 하단부에는 접지(GND)가 연결되어 있어, 릴레이(power relay)를 구동하기 위하여 릴레이의 코일 상단부에 B+전압을 인가시켜 주어야 한다. 코일에 B+ 배터리 전원을 인가하면, 코일에 전류가 흘러 릴레이가 스위치를 ON시키고, 차량용 배터리 전원이 부하에 인가된다. 이러한 경우 릴레이 스위치 ON시에 과도한 돌입전류에 의해 릴레이 접점이 소손되거나 파손의 문제점이 있으며, 또한, OFF시 서지 전압(Surge Voltage)이 주변회로에 인가되어 주변회로가 손상을 입는 문제점이 있다. A conventional vehicle power switch uses a relay, and a battery (B +, 12V) power positive pole is connected to the upper end of the relay coil, and a ground (GND) is connected to the lower end of the coil to drive a relay. The B + voltage should be applied to the coil upper end of the relay. When the B + battery power is applied to the coil, current flows in the coil, the relay turns on the switch, and the vehicle battery power is applied to the load. In this case, there is a problem that the relay contact is damaged or damaged due to excessive inrush current when the relay is switched on. In addition, when the OFF switch is applied, a surge voltage is applied to the peripheral circuit to damage the peripheral circuit.

이때 발생하는 높은 서지 전압(surge voltage) 유입으로 주변회로가 불안정할 수 있으며, 또한, 릴레이 코일에 항상 전압이 인가되어 있는 상태이므로 접지와의 사이에 단락이 발생할 수 있다는 또 다른 문제점을 갖고 있다.At this time, the peripheral circuit may be unstable due to high surge voltage inflow, and since a voltage is always applied to the relay coil, a short circuit may occur between grounds.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 의한 차량용 반도체 스위치 구동 회로는 과도한 돌입전류나 서지 전압이 발생하지 않도록 반도체 스위치를 사용하고, 반도체 스위치를 제어하는 차량용 반도체 스위치 구동 회로를 제공하는 데 있다.The vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention for solving the above problems is to provide a vehicle semiconductor switch driving circuit using a semiconductor switch so as not to generate excessive inrush current or surge voltage, and controls the semiconductor switch.

본 발명에 의한 차량용 반도체 스위치 구동 회로는 일정한 폭의 구형파가 발생되게 하는 발진 회로와; 상기 발진 회로에 정전압을 공급하는 정전압 회로와; 상기 발진 회로의 출력에 연결되고, 드레인이 저항(123)을 통하여 배터리 전원에 연결되고, 소스는 접지되어 있어 상기 발진 회로의 출력에 의해 구형파를 출력하는 제 1 FET(129)와; 상기 제 1 FET(129)의 출력에 게이트가 연결되어 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되는 제 2 FET(113)와; 상기 제 1 FET(129)의 드레인에 게이트가 연결되고, 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되며, 상기 제 2 FET(113)와 반대의 출력을 출력하고, 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 드레인이 연결되어 있는 제 3 FET(115)와; 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 상기 제 3 FET(115)의 드레인에 연결되고, 다른 일측은 다이오드를 통하여 배터리에 연결되는 제 1 시정수 회로와; 상기 제 1 시정수 회로와 직렬로 N극이 연결되고, P극은 배터리 전원에 연결되어 있는 역 전압 보호 다이오드(101)와; 드레인은 배터리에 접속되어 있고, 소스는 부하에 접속되어 부하에 공급되는 전원을 On 또는 Off하는 반도체 전원 스위치(117)와; 일측은 제 1 시정수 회로 및 상기 역전압 보호 다이오드(101)에 연결되고, 다른 일측은 상기 반도체 전원 스위치(117)의 게이트에 연결되고, 또 다른 일측은 접지되어 있는 제 2 시정수 회로;를 포함하여 이루어진다.A vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention includes an oscillating circuit for generating a square wave of a constant width; A constant voltage circuit for supplying a constant voltage to the oscillation circuit; A first FET (129) connected to an output of the oscillation circuit, a drain connected to a battery power source through a resistor (123), and a source grounded to output a square wave by the output of the oscillation circuit; A second FET (113) whose gate is connected to the output of the first FET (129) and turned on or off by the first FET (129); A gate is connected to the drain of the first FET 129, is turned on or off by the first FET 129, outputs an output opposite to the second FET 113, and the second FET 113. A third FET 115 connected with the drain of the drain; A first time constant circuit connected to the drain of the second FET 113 and the drain of the third FET 115, the other side of which is connected to a battery through a diode; An N pole connected in series with the first time constant circuit and a P pole connected to a battery power source; A drain connected to the battery, a source connected to the load, and a semiconductor power switch 117 for turning on or off the power supplied to the load; A second time constant circuit having one side connected to a first time constant circuit and the reverse voltage protection diode 101, the other side connected to a gate of the semiconductor power switch 117, and the other side being grounded; It is made to include.

본 발명에 의한 차량용 반도체 스위치 구동 회로는 자동차에서 전원 인가시 릴레이 코일에 의해 서지 전압 및 돌입전류가 발생하지 않아 회로의 손상 및 오동작이 발생하지 않는 이점이 있으며, 코일형 릴레이에 비해 제품의 크기가 소형화되는 또 다른 이점이 있다. Vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention has the advantage that the surge voltage and inrush current does not occur by the relay coil when the power is applied in the vehicle does not cause damage and malfunction of the circuit, the size of the product compared to the coil-type relay There is another advantage of miniaturization.

이하 본 발명에 의한 '차량용 반도체 스위치 구동 회로'에 관한 바람직한 실시 예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 다음의 실시 예는 단지 본 발명을 설명하기 위하여 예시된 것에 불과하고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of a vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following examples are merely illustrative of the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.

본 발명에 의한 '차량용 반도체 스위치 구동 회로'는 일정한 폭의 구형파가 발생되게 하는 발진 회로와; 상기 발진 회로에 정전압을 공급하는 정전압 회로와; 상기 발진 회로의 출력에 연결되고, 드레인이 저항(123)을 통하여 배터리 전원에 연결되고, 소스는 접지되어 있어 상기 발진 회로의 출력에 의해 구형파를 출력하는 제 1 FET(129)와; 상기 제 1 FET(129)의 출력에 게이트가 연결되어 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되는 제 2 FET(113)와; 상기 제 1 FET(129)의 드레인에 게이트가 연결되고, 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되며, 상기 제 2 FET(113)와 반대의 출력을 출력하고, 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 드레인이 연결되어 있는 제 3 FET(115)와; 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 상기 제 3 FET(115)의 드레인에 연결되고, 다른 일측은 다이오드를 통하여 배터리에 연결되는 제 1 시정수 회로와; 상기 제 1 시정수 회로와 직렬로 N극이 연결되고, P극은 배터리 전원에 연결되어 있는 역 전압 보호 다이오드(101)와; 드레인은 배터리에 접속되어 있고, 소스는 부하에 접속되어 부하에 공급되는 전원을 On 또는 Off하는 반도체 전원 스위치(117)와; 일측은 제 1 시정수 회로 및 상기 역전압 보호 다이오드(101)에 연결되고, 다른 일측은 상기 반도체 전원 스위치(117)의 게이트에 연결되고, 또다른 일측은 접지되어 있는 제 2 시정수 회로;를 포함하여 이루어진다.The vehicle semiconductor switch driving circuit according to the present invention comprises an oscillating circuit for generating a square wave of a constant width; A constant voltage circuit for supplying a constant voltage to the oscillation circuit; A first FET (129) connected to an output of the oscillation circuit, a drain connected to a battery power source through a resistor (123), and a source grounded to output a square wave by the output of the oscillation circuit; A second FET (113) whose gate is connected to the output of the first FET (129) and turned on or off by the first FET (129); A gate is connected to the drain of the first FET 129, is turned on or off by the first FET 129, outputs an output opposite to the second FET 113, and the second FET 113. A third FET 115 connected with the drain of the drain; A first time constant circuit connected to the drain of the second FET 113 and the drain of the third FET 115, the other side of which is connected to a battery through a diode; An N pole connected in series with the first time constant circuit and a P pole connected to a battery power source; A drain connected to the battery, a source connected to the load, and a semiconductor power switch 117 for turning on or off the power supplied to the load; A second time constant circuit having one side connected to a first time constant circuit and the reverse voltage protection diode 101, the other side connected to a gate of the semiconductor power switch 117, and the other side being grounded; It is made to include.

또한, 상기 발진 회로는 입력단과 출력단 사이에 극성을 달리하는 2 개의 다이오드(137, 139)가 병렬로 삽입되고, 각각의 다이오드(137, 139)에는 저항(141, 143)이 상기 다이오드(137, 139)와 직렬로 연결되고, 입력단은 콘덴서(145)로 접지되어 있는 인버터 게이트(131)로 이루어진다.In addition, in the oscillation circuit, two diodes 137 and 139 having different polarities are inserted in parallel between an input terminal and an output terminal, and resistors 141 and 143 are provided in the diodes 137 and 139, respectively. 139 is connected in series, and the input terminal comprises an inverter gate 131 grounded by a capacitor 145.

또한, 상기 정전압 회로는, N극이 저항(125)을 통하여 배터리에서 전원을 공급받고, 병렬로 콘덴서(135)가 접속되어 있어, 일정한 직류 정전압을 발생하는 제너다이오드(133)를 포함하여 이루어진다.The constant voltage circuit includes a zener diode 133 in which the N pole is supplied with power from the battery through the resistor 125 and the capacitor 135 is connected in parallel to generate a constant DC constant voltage.

또한, 상기 제 1 시정수 회로는 제 1 시정수 콘덴서(105)와 제 1 시정수 저 항(107)이 직렬로 연결되어 있다.In the first time constant circuit, a first time constant capacitor 105 and a first time constant resistor 107 are connected in series.

또한, 상기 제 2 시정수 회로는 제 2 시정수 저항(103)과 제 2 시정수 콘덴서(109)가 직렬로 연결되어 있다.In the second time constant circuit, a second time constant resistor 103 and a second time constant capacitor 109 are connected in series.

또한, 상기 반도체 전원 스위치(117)의 게이트와 접지간에는 접지회로 및 부하(121)를 통하여 게이트와 소스간에 방전회로가 형성되도록 스위치 SW1이 더 구비되어 있고, 상기 스위치 SW1이 닫혀있을 때, 방전회로가 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, a switch SW1 is further provided between the gate and the ground of the semiconductor power switch 117 so that a discharge circuit is formed between the gate and the source through a ground circuit and a load 121, and when the switch SW1 is closed, a discharge circuit is provided. Characterized in that is formed.

도 1을 참조하면, 본 발명은 차량용 반도체 스위치 구동 회로는 크게 반도체 전원 스위치(FET, Q1, 117)를 구동하는 구동 회로부(147)와 구동 회로부(147)에 발진 신호를 공급하는 발진 회로부(149)로 나누어진다. 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)을 구동시키기 위해서는 발진 회로부(149)에 전원이 인가(12V)되면, 정전압 회로(124)에 인가된 전원(12V)은 정전압 5.1V로 변환되어 발진 회로(130)에 전원을 공급한다. C3(135)는 발진 회로(130)의 제너다이오드(133, ZD1)에 의해 5.1V로 정전압 변환된 정전압 전원이 안정되도록 하며, R4(125)는 제너다이오드(133, ZD1)에 공급되는 전류를 일정 한도 이내로 제한하여 제너다이오드(133, ZD1)를 보호한다. 전원이 공급된 발진 회로(130)의 인버터(131,HC14)는 C4(145)와 R6(143)으로 이루어진 미분회로와, R5(141)와 C4(145)로 이루어진 적분회로를 통하여 펄스파를 발생시키며, 발생된 펄스파는 제 1 FET(129, Q4)의 GATE에 인가된다. 제 1 FET(129, Q4)의 GATE에 인가된 펄스파형에 인버터된 파형이 구동회로 제 2 FET(113, Q2) 및 제 3 FET(115, Q3)의 GATE에 인가되며, 인가된 GATE 파형은 인버터된 구형파이며, 제 1 시정수 회로(106)의 R1(107)을 통하여 C1(105)에 충,방전을 통하여 Q1(117)을 구동시킨다. 이때 제 1 스위치 SW1(111)은 Q1(117)의 FET Ciss 방전 회로를 구성하기 위한 것이며, 제 2 시정수 회로(102)의 R2(103) 및 C2(109)는 Q1(117)의 GATE를 동작시키기 위한 적분회로이다. 제 1 스위치 SW1(111)이 OFF시 제 2 FET(113,Q2)의 드레인과 제 3 FET(115,Q3)의 드레인에 펄스파형의 High 신호와 Low 신호에 의한 충전 및 방전을 적분회로 R2 및 C2을 통하여 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)의 게이트 소스간의 전압을 유지시켜 주며, 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)가 ON이 되면서 부하(LOAD,121)에 전원을 공급하며, 제 1 스위치 SW1(111)이 ON 되면, 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)의 게이트는 접지되고, 접지회로 및 부하(121)를 통하여 게이트와 소스간에 방전회로가 구성됨으로 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)가 OFF 되어, 부하(LOAD,121)에는 전원이 차단된다. 따라서, 제 1 스위치 SW1(111)가 개방 시 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)는 일정한 지연시간을 가지고, On 상태가 되어, 부하(121, Load)에 과도한 돌입 전류나, 서지 전압의 발생 없이 부하(121)에 전원을 공급하게 된다. 한편, 여기서 SW1(111)은 외부 Signal(미도시)을 이용하여 제어되며, OPEN 상태일 경우 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)가 ON이 되어, 전원은 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)의 드레인과 소스를 통하여 부하(121)에 인가되며, SW1(111)이 CLOSED 되었을 경우 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)의 게이트와 소스 사이에는 방전회로가 구성되어 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)의 Ciss에 충전된 전하가 방전되어지고, 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)의 Ciss에 충전된 전하가 방전되어지면, 반도체 전원 스위치(117, FET:Q1)는 OFF 상태가 되게 된다.Referring to FIG. 1, in the present invention, a vehicle semiconductor switch driving circuit is largely a driving circuit portion 147 for driving semiconductor power switches (FETs, Q1, 117) and an oscillation circuit portion 149 for supplying an oscillation signal to the driving circuit portion 147. Divided by) In order to drive the semiconductor power switch 117 (FET: Q1), when power is applied to the oscillation circuit section 149 (12V), the power supply 12V applied to the constant voltage circuit 124 is converted into a constant voltage of 5.1V and thus the oscillation circuit ( Power supply 130). The C3 135 stabilizes the constant voltage power constant-converted to 5.1V by the zener diodes 133 and ZD1 of the oscillation circuit 130, and R4 125 supplies the current supplied to the zener diodes 133 and ZD1. The zener diodes 133 and ZD1 are protected by limiting them within a certain limit. Inverters 131 and HC14 of the oscillating circuit 130 are supplied with a pulse wave through a differential circuit composed of C4 145 and R6 143 and an integral circuit composed of R5 141 and C4 145. And the generated pulse wave is applied to the GATE of the first FETs 129 and Q4. The waveform inverted to the pulse waveform applied to the GATE of the first FETs 129 and Q4 is applied to the GATE of the driving circuits 2 FETs 113 and Q2 and the third FETs 115 and Q3. The inverter is a square wave that is inverted and drives Q1 117 through charging and discharging C1 105 through R1 107 of the first time constant circuit 106. At this time, the first switch SW1 (111) is for configuring the FET Ciss discharge circuit of the Q1 (117), R2 (103) and C2 (109) of the second time constant circuit 102 is the gate of Q1 (117) It is an integrated circuit for operating. When the first switch SW1 111 is turned off, the charging and discharging of the pulse waveform high signal and the low signal is applied to the drains of the second FETs 113 and Q2 and the drains of the third FETs 115 and Q3. The voltage between the gate sources of the semiconductor power switches 117 and FET Q1 is maintained through C2. The semiconductor power switches 117 and FET Q1 are turned ON to supply power to the load LOAD 121. 1 When the switch SW1 111 is turned on, the gate of the semiconductor power switch 117 (FET: Q1) is grounded, and a discharge circuit is formed between the gate and the source through the ground circuit and the load 121, so that the semiconductor power switch 117, FET: Q1) is turned off, and the power supply is cut off to the load LOAD and 121. Therefore, when the first switch SW1 111 is opened, the semiconductor power switch 117 (FET: Q1) has a constant delay time and is turned on, thereby generating excessive inrush current or surge voltage in the load 121. Power is supplied to the load 121 without. On the other hand, here SW1 (111) is controlled using an external signal (not shown), the semiconductor power switch (117, FET: Q1) is turned on in the OPEN state, the power supply is a semiconductor power switch (117, FET: Q1) Is applied to the load 121 through the drain and the source of the circuit. When the SW1 111 is closed, a discharge circuit is formed between the gate and the source of the semiconductor power switch 117 (FET: Q1). When the charge charged in the Ciss of the FET: Q1 is discharged and the charge charged in the Ciss of the semiconductor power switch 117 (FET: Q1) is discharged, the semiconductor power switch 117 (FET: Q1) is turned off. Will be.

101 : 역전압 보호 다이오드(D1), 103 : 제 2 시정수 저항(R2),101: reverse voltage protection diode (D1), 103: second time constant resistor (R2),

105 : 제 1 시정수 콘덴서(C1), 107 : 제 1 시정수 저항(R1),105: first time constant capacitor C1, 107 first time constant resistor R1,

109 : 제 2 시정수 콘덴서(C2), 111 : 제 1 스위치,109: second time constant capacitor C2, 111: first switch,

113 : 제 2 FET (Q2), 115 : 제 3 FET (Q3),113: second FET Q2, 115: third FET Q3,

117 : 반도체 전원 스위치(Q1), 121 : 부하, 117: semiconductor power switch Q1, 121: load,

129 : 제 1 FET (Q4), 131 : 인버터 게이트,129: first FET Q4, 131: inverter gate,

133 : 제너다이오드, 141 : R5,133: zener diode, 141: R5,

143 : R6, 145 : C4,143: R6, 145: C4,

147 : 구동 회로부, 149 : 발진 회로부147: drive circuit portion, 149: oscillation circuit portion

Claims (6)

차량용 반도체 스위치에 있어서, 일정한 폭의 구형파가 발생되게 하는 발진 회로와;A vehicle semiconductor switch comprising: an oscillating circuit for generating a square wave of a constant width; 상기 발진 회로에 정전압을 공급하는 정전압 회로와;A constant voltage circuit for supplying a constant voltage to the oscillation circuit; 상기 발진 회로의 출력에 연결되고, 드레인이 저항(123)을 통하여 배터리 전원에 연결되고, 소스는 접지되어 있어 상기 발진 회로의 출력에 의해 구형파를 출력하는 제 1 FET(129)와; A first FET (129) connected to an output of the oscillation circuit, a drain connected to a battery power source through a resistor (123), and a source grounded to output a square wave by the output of the oscillation circuit; 상기 제 1 FET(129)의 출력에 게이트가 연결되어 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되는 제 2 FET(113)와; A second FET (113) whose gate is connected to the output of the first FET (129) and turned on or off by the first FET (129); 상기 제 1 FET(129)의 드레인에 게이트가 연결되고, 제 1 FET(129)에 의해 On 또는 Off되며, 상기 제 2 FET(113)와 반대의 출력을 출력하고, 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 드레인이 연결되어 있는 제 3 FET(115)와; A gate is connected to the drain of the first FET 129, is turned on or off by the first FET 129, outputs an output opposite to the second FET 113, and the second FET 113. A third FET 115 connected with the drain of the drain; 상기 제 2 FET(113)의 드레인과 상기 제 3 FET(115)의 드레인에 연결되고, 다른 일측은 다이오드를 통하여 배터리에 연결되는 제 1 시정수 회로와;A first time constant circuit connected to the drain of the second FET 113 and the drain of the third FET 115, the other side of which is connected to a battery through a diode; 상기 제 1 시정수 회로와 직렬로 N극이 연결되고, P극은 배터리 전원에 연결되어 있는 역 전압 보호 다이오드(101)와; An N pole connected in series with the first time constant circuit and a P pole connected to a battery power source; 드레인은 배터리에 접속되어 있고, 소스는 부하에 접속되어 부하에 공급되는 전원을 On 또는 Off하는 반도체 전원 스위치(117)와;A drain connected to the battery, a source connected to the load, and a semiconductor power switch 117 for turning on or off the power supplied to the load; 일측은 제 1 시정수 회로 및 상기 역전압 보호 다이오드(101)에 연결되고, 다른 일측은 상기 반도체 전원 스위치(117)의 게이트에 연결되고, 또다른 일측은 접지되어 있는 제 2 시정수 회로;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 차량용 반도체 스위치 구동 회로.A second time constant circuit having one side connected to a first time constant circuit and the reverse voltage protection diode 101, the other side connected to a gate of the semiconductor power switch 117, and the other side being grounded; Vehicle semiconductor switch drive circuit comprising a. 제 1 항에 있어서, 상기 발진 회로는 입력단과 출력단 사이에 극성을 달리하는 2 개의 다이오드(137, 139)가 병렬로 삽입되고, 각각의 다이오드(137, 139)에는 저항(141, 143)이 상기 다이오드(137, 139)와 직렬로 연결되고, 입력단은 콘덴서(145)로 접지되어 있는 인버터 게이트(131)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 차량용 반도체 스위치 구동 회로.2. The oscillating circuit of claim 1, wherein two diodes 137 and 139 having different polarities are inserted in parallel between an input terminal and an output terminal, and resistors 141 and 143 are respectively connected to the diodes 137 and 139. A semiconductor switch driving circuit for a vehicle, comprising an inverter gate 131 connected in series with the diodes 137 and 139 and having an input terminal grounded by a capacitor 145. 제 1 항에 있어서, 상기 정전압 회로는, N극이 저항(125)을 통하여 배터리에서 전원을 공급받고, 병렬로 콘덴서(135)가 접속되어 있어, 일정한 직류 정전압을 발생하는 제너다이오드(133)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 차량용 반도체 스위치 구동 회로. 2. The constant voltage circuit of claim 1, wherein the N pole is supplied with power from a battery through a resistor (125), and a capacitor (135) is connected in parallel to the zener diode (133) generating a constant DC constant voltage. Vehicle semiconductor switch drive circuit comprising a. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 시정수 회로는 제 1 시정수 콘덴서(105)와 제 1 시정수 저항(107)이 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 차량용 반도체 스 위치 구동 회로. 2. The vehicle semiconductor switch driving circuit according to claim 1, wherein the first time constant circuit is connected in series with a first time constant capacitor (105) and a first time constant resistor (107). 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 시정수 회로는 제 2 시정수 저항(103)과 제 2 시정수 콘덴서(109)가 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 차량용 반도체 스위치 구동 회로. 2. The vehicular semiconductor switch driving circuit according to claim 1, wherein the second time constant circuit has a second time constant resistor (103) and a second time constant capacitor (109) connected in series. 삭제delete
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