KR101074682B1 - 유기발광장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 유기발광장치의 제조방법은, 외부접속단자를 구비하는 기판, 이 기판 상부에 형성되는 유기발광소자, 및 이 유기발광소자를 덮는 보호막을 가지는 유기발광장치를 위해 제공된다. 이 방법은, 상기 외부접속단자 상에 보호막 제거층을 형성하는 공정, 상기 기판 상부에 상기 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막이 형성된 기판을 분할하는 공정, 및 상기 기판을 물, 수용액, 또는 용매로 세정하는 세정공정을 순차적으로 포함한다. 상기 기판의 세정공정의 결과로서 상기 보호막 제거층 및 그 위의 상기 보호막이 상기 외부접속단자로부터 제거된다.
Description
본 발명은 유기발광장치의 제조방법에 관한 것이다.
근년, 자발광형 디바이스인 유기발광장치가 플랫 패널 디스플레이에 응용하기 위해 주목받고 있고, 그 개발이 활발하게 행해지고 있다.
유기발광장치의 발광 특성을 향상시키기 위해서, 외부로부터 침입할 수 있는 수분 및 산소를 차단하기 위한 보호막에 관한 기술이 연구되어 왔다. 보호막으로서 질화 실리콘막, 산질화 실리콘막 등의 투명한 절연막이 유기발광장치의 구성 부재인 유기발광소자의 위쪽 및 그 주변의 넓은 범위에 형성될 수 있다.
한편, 유기발광장치에 표시 신호를 보내기 위해, 플렉서블 프린트 배선 기판(이하, FPC라고 함) 등의 외부 회로가 유기발광장치의 외부접속단자에 전기 접속된다. 이 경우, 절연막인 보호막을 외부접속단자로부터 제거하지 않으면, 충분한 전기 접속을 얻을 수 없다. 따라서, 플라스마 CVD 등에 의해 보호막을 형성할 때, 이 외부접속단자를 금속 마스크 등으로 덮어서 외부접속단자 상의 보호막의 형성을 방지하는 방법이 채용되고 있다
일본국 특개2002－151254호 공보에서는, 외부접속단자 상에 보호막이 형성되지 않게 하는 방법으로서 이하의 4개의 방법이 개시되어 있다. 제1의 방법에 의하면, 보호막을 형성하기 전에 외부접속단자의 표면을 무극성화하는 방법이다. 이 방법에 의하면, 무극성화된 단자 표면에는 보호막은 형성되지 않고, 그 후 FPC 등과 전기적으로 접속하기 전에, 단자 표면을 UV나 오존 처리를 행함으로써, 외부접속단자와 FPC 등의 단자 전극을 전기적으로 접속할 수 있다. 제2의 방법에 의하면, 금속 마스킹 방법 이외의 방법에 의해 외부접속단자 상에 마스킹 테이프를 붙여서 보호막을 형성한 후에, 그 마스킹 테이프를 박리함으로써, 보호막을 마스킹 테이프와 함께 제거하는 방법이다. 제3의 방법에 의하면, 유기발광소자를 구성하는 유기화합물층에 상당하는 박막 또는 양극 에지부 피복 재료로 외부접속단자의 표면을 피복한 후, 금속 마스크를 사용해서 포토에칭함으로써, 보호막을 상기 박막 또는 피복 재료와 함께 제거하는 방법이다. 제4의 방법에 의하면, 외부접속단자 표면에 외부접속단자에 대해서 밀착성이 낮은 박막을 형성한 다음, 보호막을 형성한 후, 테이프로 보호막을 박리하는 방법이다.
또, 일본국 특개2004－165068호 공보에는, 외부접속단자를 포함한 영역에 레이저 제거층을 형성하고, 그 위에 보호막을 형성한 후, 레이저를 조사해서 보호막을 레이저 제거층과 함께 제거하는 방법이 개시되어 있다.
외부접속단자는 기판의 변을 따라서 폭 5 mm 이하의 범위에 형성되는 것이 일반적이다. 따라서, 큰 기판으로부터 복수의 패널을 제조하는 경우, 보호막의 형성시에 사용되는 마스크로서 외부접속단자의 피치로 차폐부를 가지는 스트라이프형 상, 또는 외부접속단자 및 패널과 패널 사이에 차폐부를 형성한 격자모양의 패턴을 생각할 수 있다. 양쪽 패턴 마스크 모두, 차폐부에 비해 개구부가 매우 크다. 따라서, 이 마스크는 강도가 약해서 쉽게 변형될 수 있다. 그 때문에, 외부접속단자를 마스크로 확실히 덮는 것은 어렵고, 보호막이 외부접속단자를 둘러싸서 그에 부착하기 쉽고, 따라서 외부 회로 접속시에 전기 저항이 생성되게 된다. 마스크에 강도를 부여하기 위해서 차폐부를 크게 하면, 패널 프레임이 넓어지거나 패널 간의 거리가 증가할 수 있음으로써, 1매의 기판으로부터 제조할 수 있는 패널 매수가 감소될 수 있다.
큰 기판으로부터 더 많은 수의 기판을 얻기 위한 방법으로서 일본국 특개2002－151254호 공보와 같이 마스킹 테이프를 사용해서 보호막을 박리하는 방법이 있다.
그러나, 이 방법에서는, 보호막을 형성하기 전에 마스킹 테이프를 붙이는 공정, 및 보호막을 형성한 후에 테이프를 박리하는 공정을 필요로 한다. 따라서, 실시해야 할 공정수가 증가한다. 일본국 특개2002－151254호 공보에 개시된 다른 방법의 어느 것에 있어서도, 보호막 제거를 위한 추가 공정이 필요하다. 따라서, 유기발광장치의 제조에 필요한 공정 시간이 길어져서, 생산성이 저하하거나 제조 코스트가 상승하게 된다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 유기발광장치의 제조방법이, 외부접속단자를 구비하는 기판, 이 기판 상부에 형성되는 유기발광소자, 및 이 유기발광소자를 덮는 보호막을 가지는 유기발광장치를 위해 제공된다. 이 방법은, 상기 외부접속단자 상에 보호막 제거층을 형성하는 공정, 상기 기판 상부에 상기 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막이 형성된 기판을 분할하는 공정, 및 상기 기판을 물, 수용액, 또는 용매로 세정하는 세정공정을 순차적으로 포함한다. 상기 기판의 세정공정의 결과로서 상기 보호막 제거층 및 그 위의 상기 보호막이 상기 외부접속단자로부터 제거된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 유기발광장치의 제조방법이, 외부접속단자를 구비하는 기판, 이 기판 상에 형성되는 유기발광소자, 및 이 유기발광소자를 덮는 보호막을 가지는 유기발광장치를 위해 제공된다. 이 방법은, 상기 기판의 상기 외 부접속단자 상의 보호막 제거층을, 상기 보호막 제거층 상에 상기 보호막을 형성하는 공정; 상기 보호막 제거층의 단면을 노출시키는 공정; 및 상기 보호막 제거층을 물, 수용액, 및 용매 중의 적어도 하나로 용해시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 특징은 첨부 도면을 참조한 예시적인 실시형태의 다음 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 측면에 따른 방법에 의해 제조되는 유기발광장치의 실시형태는 외부접속단자를 구비하는 기판, 이 기판 상부에 형성되는 복수의 유기발광소자, 및 이 유기발광소자를 덮는 보호막을 가진다.
또 본 발명의 측면에 따른 제조방법의 실시형태는 이하에 나타내는 공정(i) 내지 (ⅳ)를 순차적으로, 즉 기재 순서로 포함하는 것이다.
(i) 외부접속단자 상에 형성되어 있는 보호막을 제거하기 위한 보호막 제거층을 이 외부접속단자 상에 형성하는 공정(즉, 보호막 제거층 배치공정)
(ii) 기판 상부에 이 보호막을 형성하는 공정(즉, 보호막 형성공정)
(iii) 그 상부에 보호막이 형성된 기판을 분할하는 공정(기판 분할공정)
(iｖ) 기판을 세정하는 공정(세정공정)
이하, 도면을 참조하면서 제 1 실시형태에 대해 설명한다. 도 1A 내지 도 1D는 본 발명에 따른 유기발광장치의 제조방법의 실시형태를 나타내는 단면 모식도이다.
우선, 유기발광장치에 대해 설명한다. 제 1 실시형태에서 제조되는 유기발광 장치에서는, 기판(1) 상에 대응한 위치에 TFT 회로(2)가 형성되어 있다. 유기발광장치에 적합한 기판(1)의 예로서 유리 기판, 합성 수지 등으로 이루어지는 절연성 기판, 표면에 산화 실리콘이나 질화 실리콘 등의 절연층을 형성한 도전성 기판 또는 반도체 기판 등을 들 수 있다. 기판(1)은, 예를 들면, 투명하거나 불투명해도 된다.
TFT 회로(2)를 포함한 기판(1) 상부에는, 아크릴 수지, 폴리이미드계 수지, 노르보르넨계 수지, 불소계 수지 등의 하나 이상으로 이루어진 평탄화막(3)이 포토리소그래피법 등에 의해서 소망한 패턴에 따라 형성되어도 된다. 평탄화층(3)은 TFT 회로(2)를 형성할 때 생길 수도 있는 요철을 평탄화하기 위한 층이다. 평탄화층(3)은, TFT 회로(2)를 형성할 때 생길 수도 있는 요철을 적어도 부분적으로 평탄화할 수 있는 것이면, 재료, 제법은 특히 한정되는 것은 아니다. 평탄화막과 TFT 회로 사이에, 예를 들면, 질화 실리콘, 산질화 실리콘, 산화 실리콘 중의 적어도 하나의 무기 재료로 이루어진 절연층(3a)을 형성해도 된다.
평탄화층(3) 상의 유기발광소자와 대응하는 위치에, TFT 회로(2)의 일부와 전기 접속하도록 하부 전극(4)이 형성된다. 하부 전극(4)은 투명 전극이어도 되고, 반사 전극이어도 된다. 하부 전극(4)이 투명 전극인 경우, 그 구성 재료로서, 예를 들면, ITO 및 In2O3의 적어도 하나를 들 수 있다. 하부 전극(4)이 반사 전극인 경우, 그 구성 재료로서, 예를 들면, Au, Ag, Al, Pt, Cr, Pd, Se, 및 Ir중의 적어도 하나의 금속 단체, 이들 금속 단체를 복수 조합한 합금, 및 옥화 동 등의 금속 화 합물 등을 들 수 있다. 하부 전극(4)의 막두께는, 바람직하게는, 0.1㎛ 내지 1㎛이다.
하부 전극(4)의 주변부에는 뱅크(5)가 형성되어 있다. 뱅크(5)의 구성 재료로서, 예를 들면, 질화 실리콘, 산질화 실리콘, 산화 실리콘 등으로 이루어진 무기 절연층이나 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 및 노볼락계 수지 등을 들 수 있다. 뱅크의 막두께는, 바람직하게는, 1㎛ 내지 5㎛이다.
하부 전극(4) 상에 형성되는 유기화합물층(6)은 한 층으로 구성되어도 되고, 복수의 층으로 구성되어도 되며, 예를 들면, 유기발광소자의 발광 기능을 고려해서 적절히 선택할 수 있다. 또 유기화합물층(6)을 구성하는 층의, 구체적인 예로는, 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 들 수 있다. 한 형태에 의하면, 이들 층의 구성 재료로서 공지의 화합물을 사용할 수 있다. 유기화합물층(6)의 발광 영역은, 예를 들면, 특정의 층 내이어도 되고, 인접하는 층의 계면이어도 된다. 유기화합물층(6)은, 예를 들면, 진공 증착법, 잉크젯법 등에 의해 형성될 수 있다. 증착법 등의 경우에는 고정밀 마스크를 사용하고, 잉크젯법 등의 경우에는 고정밀도 토출을 사용해서, 발광 에리어에 유기층을 형성할 수 있다.
유기화합물층(6) 상에는, 상부 전극(7)이 형성된다. 상부 전극(7)은, 예를 들면, 투명 전극이어도 되고, 반사 전극이어도 된다. 또 상부 전극(7)의 구성 재료는 상기 하부 전극(4)과 같은 재료를 사용할 수 있다.
상부 전극(7)을 형성함으로써, 기판(1) 상부에는 하부 전극(4), 유기화합물층(6), 및 상부 전극(7)으로 이루어진 유기발광소자를 형성할 수 있다. 큰 기판으 로부터 복수의 유기발광장치를 형성할 때, 도 2에 나타내는 바와 같이, 큰 기판(10) 상에 복수의 유기발광장치가 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다. 한 형태에 있어서, 유기발광장치 각각에 존재하는 외부접속단자(8)는 하부 전극(4)을 형성할 때에 동시에 형성되어도 된다.
다음에, 공정(i)(보호막 제거층 배치공정)의 실시형태에 대해서 설명한다.
공정(i)(보호막 제거층 배치공정)에서는, 외부접속단자 상에 보호막 제거층(12)인 가용성 박막을 형성한다. 가용성 박막을 형성하는 방법의 예로서 증착법, 스퍼터링법을 들 수 있다. 한 형태에 있어서, 가용성 박막이 유기화합물층과 같은 재료인 경우는, 유기화합물층을 형성하는 동시에 가용성 박막을 형성해도 된다. 가용성 박막은, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 유기발광소자가 배치된 표시 영역(20)으로부터 떨어져서 외부접속단자와 그 주변에만 형성해도 되고, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 외부접속단자가 형성된 기판의 변의 일단부에서 타단부까지 형성해도 된다.
본 공정의 실시형태에 의하면, 외부접속단자 상에만 가용성 박막을 형성하기 위해서 금속 마스크를 사용해도 된다. 그러나, 본 공정에서 사용하는 마스크는, 종래 기술과 같이 외부접속단자만을 차폐하는 마스크와는 달리, 차폐부에 비해 개구부가 매우 작다. 그 결과, 마스크는 높은 강도를 가질 수 있어, 그 변형도 작다. 그 때문에, 외부접속단자 상에 보호막을 형성하지 않도록 성막하는 경우와 같이, 막의 둘러싸임이나 프레임 확장이라고 하는 문제는 그다지 발생하지 않아, 소망 개소에의 성막이 가능해진다.
가용성 박막의 종류는, 후술하는 세정공정(공정(iｖ))에 있어서, 예를 들면, 세정에 사용되는 물, 수용액 또는 용매에 대해서 가용성이면 특히 한정되지 않는다. 가용성 박막의 구성 재료의 예로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 및 유기화합물 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 알칼리 금속의 구체적인 예로서 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘을 들 수 있다. 알칼리 토류 금속의 구체적인 예로서 칼슘, 스트론튬, 바륨, 라듐, 베릴륨, 및 마그네슘을 들 수 있다. 알칼리 금속 화합물의 구체적인 예로서 상술한 알칼리 금속의 수산화물, 탄산화물을 들 수 있다.
알칼리 토류 금속 화합물의 구체적인 예로서 상술한 알칼리 토류 금속의 산화물을 들 수 있다. 또, 가용성 박막에 사용될 수 있는 유기화합물의 구체적인 예로서 유기화합물층(정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등으로 이루어진 적층체 또는 어떤 단층)의 구성 재료를 들 수 있다.
다음에, 공정(ii)(보호막 형성공정)에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 의하면, 공정(ii)을 실시하기 전에, 공정(i)에 있어서 외부접속단자(8)를 덮는 보호막 제거층(12)인 가용성 박막이 형성되어 있다. 그 결과, 외부접속단자(8)를 포함한 영역을 금속 등으로 형성된 에리어 마스크로 덮을 필요가 없다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 큰 기판(10)의 전체 표면을 덮도록 형성되는 보호막(9)의 구성 재료는 특히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 보호막(9)의 구성 재료는, 전기 절연성과 기밀성을 가지고, 유기발광소자의 열화를 적어도 부분적으로 방지할 수 있는 재료로부터 선택될 수 있다. 구체적인 재료의 예로는, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 산질화 실리콘 중의 하나 이상을 포함한다. 또, 보호막(9)의 형성 방법으로서는, 진공 증착법, 플라스마 CVD법, 스퍼터링법 등을 채용할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 한 형태에 있어서, 보호막(9)은 고온 고습 조건하(예를 들면, 온도 60℃ 및 습도 90％의 조건하)에 있어서의 내구 시험에 있어서 수분 등의 침입이 없다고 확인된 막을 사용해도 된다.
그러나, 보호막(9)은, 외부로부터의 산소 및 수분의 침입을 막아, 소자의 열화를 방지할 수 있도록, 막 내에 존재하는 결함을 가능한 한 억제할 필요가 있다. 이 때문에, 사용되는 기판(1) 상에 원래 존재할 수 있는 파티클, 보호막(9)의 형성전까지의 프로세스 중에 발생할 수 있는 파티클, 및 플라스마 CVD 프로세스 중에 발생할 수 있는 파티클을 관리할 필요가 있다. 또, 기판 표면의 요철이 큰 것에 의해서도 보호막(9)에 결함이 발생할 수 있으므로, 하부 전극의 외주에 형성되는 뱅크의 형상 및 관통구멍의 형상은 수평 방향에 대해서 예각이 되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 보호막 형성 후에, 에이징 공정을 실시해도 된다. 에이징 공정의 예에 있어서는, 고온 고습도의 조건하에 유기발광장치를 수 시간 정도 노출시킴으로써, 초기 열화를 촉진시킨다. 이것에 의해, 소망한 규격을 따르지 않는 유기발광장치를 불량품으로서 제외할 수 있다.
다음에, 공정(iii)(기판 분할 공정)에 대해서 설명한다. 공정(ii)(보호막 형성공정)을 실시한 후, 큰 기판(10)은, 예를 들면, 스크라이버나 레이저광을 사용해서 절단된다. 기판을 절단할 때는, 도 1A나 도 2에 나타내는 스크라이브 라인(30)을 따라서 절단할 수 있다. 이 스크라이브 라인(30)을 따라서 절단하면, 도 1B와 같이, 외부접속단자(8) 상에 형성한 보호막 제거층(12)인 가용성 박막의 단면을 노 출시킬 수 있다. 스크라이버에 의해 기판을 절단하는 경우, 기판의 절단부 근방에는 컬릿(cullet)(절삭 칩)이 부착할 수 있다. 이 컬릿이 외부접속단자에 부착하면, ACF에서 외부접속단자와 FPC를 전기 접속할 때, 접속 불량의 원인이 될 수 있다.
이 때문에, 다음의 공정(iｖ)(세정공정)에서, 공정(iii)(기판 분할공정)을 실시했을 때에 발생하는 컬릿을 제거할 필요가 있다. 컬릿은 에어의 분사만으로 제거하는 것은 곤란하다. 따라서, 컬릿은, 물이나 용매 등의 액체에 담그거나, 액체를 기판(10) 주위에 흘려 가면서, 초음파나 브러시 등을 사용하는 방법에 의해 직접적으로 제거할 수 있다.
기판(10)을 세정할 때, 기판의 절단에 의해 노출된 가용성 박막의 단면이 세정 용매에 접촉한다. 그 결과, 가용성 박막은 그 단면으로부터 용해하기 시작하고, 가용성 박막과 기판의 계면을 따라서 용매가 더욱 침투한다. 따라서, 가용성 박막과
기판의 접착력이 감소하거나 없어지고, 가용성 박막이 거의 전부 용해될 수 있다. 그 결과, 외부접속단자(8) 상에 형성되는 가용성 박막을 제거할 수 있는 동시에, 외부접속단자(8) 상에 형성되는 보호막(9)을 가용성 박막의 잔류물과 함께 박리 제거할 수 있다.
가용성 박막의 구성 재료가 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 및 알칼리 토류 금속 화합물 중의 적어도 하나인 경우, 공정(iｖ)에 있어서 사용되는 세정 용매는 이들 금속 및 금속 화합물을 용해할 수 있는 순수한 물이어도 된다. 순수한 물에 의한 세정 후, 예를 들면, 에탄올 및 이소프로필 알코올 중 의 적어도 하나의 알코올류나, 아세톤 등의 유기용매를 사용해서 세정을 더 실시해도 된다.
가용성 박막의 구성 재료가 유기화합물인 경우, 공정(iｖ)에 있어서 사용되는 세정 용매는 이 유기화합물을 용해할 수 있는, 예를 들면, 에탄올 및 이소프로필 알코올 중의 적어도 하나의 알코올류나, 아세톤 등의 유기용매이어도 된다.
이들 용매에 의한 세정 후, 순수한 물을 사용해서 세정을 더 실시해도 된다.
공정(iｖ)에 있어서 기판(1)을 세정할 때에, 도 1C에 나타내는 바와 같이, 세정조 내에 위치한 세정 브러시(40)로 기판의 절단부를 브러싱할 수 있다. 이 방법에 의해, 큰 기판을 절단할 때에 생긴 컬릿과 함께 보호막의 막편을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 유기화합물을 용해할 수 있는, 예를 들면, 에탄올 및 이소프로필 알코올 중의 적어도 하나의 알코올류나, 아세톤 등의 유기용매를 침투시킨 면 등으로 외부접속단자(8)를 닦으면, 유기화합물을 제거하는 효과는 크다.
이상 설명한 바와 같이, 공정(iｖ)을 실시함으로써, 도 1C 및 도 1D에 나타내는 바와 같이, 외부접속단자(8) 상에 형성되는 보호막(9)을 제거할 수 있다.
공정(iｖ)의 후, 유기발광장치를 건조시킨다. 온수로부터 끌어 올리거나 드라이 에어 블로우로 건조시켜도 된다.
이와 같이 해서 얻어진 유기발광장치의 외부접속단자(8)에는, 그 후 FPC14가 전기적으로 접속된다(도 4). 구체적으로는, ACF(13)를 외부접속단자(8) 상에 가압착해서, FPC(14)와 외부접속단자(8)의 위치맞춤을 실시한다. 가압착을 실시할 때는 저온 압착을 실시해도 된다. 또, 위치맞춤은 자동 얼라이먼트라도 된다.
사용되는 ACF(13)에 있어서, 필름에 함유되는 도전 입자의 형상은 돌기가 있는 형상이어도 된다. 도전 입자의 표면이 구 형상 대신에 돌기 형상이면, 전도가 용이해질 수 있다. 도전 입자는, 예를 들면, 금속 분말을 함유하는 것이어도 되고, 수지 입자에 금속을 코팅한 것이어도 된다. 또, 염가이고 열화하기 어려운 카본 등을 도전 입자로서 사용해도 된다. 도전 입자의 직경은, 유기화합물층의 막두께에도 의존하지만, 일반적으로는 10㎛ 이하의 것이 사용된다. 또 도전 입자의 표면의 돌기의 각도는 90°이하가 바람직하다.
본 실시형태에 의하면, 가압착을 실시한 후, 열압착 헤드에 의해 열압착을 실시한다. 열압착을 실시할 때에 사용되는 압력, 온도, 시간은, 외부접속단자(8)와 FPC(14)의 전극 단자의 전기 접속이 확보되어 있으면, 특히 한정되는 것은 아니다.
한 형태에 있어서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 유기발광소자 상에 형성되어 있는 보호막(9)에 점착제(16)를 개재해서 원편광판(17)을 붙여도 된다. 이 원편광판(17)은, 종래의 원편광판과 마찬가지로, 편광판과 1／4λ판(위상차판)을 조합한 것이다.
본 실시형태의 측면에 의하면, 외부접속단자의 마스킹 및/또는 보호막 박리 제거공정을 간소화할 수 있다. 또, 공정(iｖ)(세정공정)에 있어서, 외부접속단자(8) 상에 형성되는 보호막(9)을 가용성 박막의 잔류물과 함께 박리 제거할 수 있다. 따라서, 외부접속단자(8) 상에 형성되는 보호막(9)을 선택적으로 박리 제거하는 공정을 새롭게 및/또는 개별적으로 구비하지 않아도 된다. 이 때문에, 유기발광장치의 제조 코스트를 삭감할 수 있다.
또, 본 실시형태에 의해 제작되는 유기발광장치는 액티브형의 유기발광장치이지만, 본 발명의 측면에 의한 유기발광장치는 패시브형의 유기발광장치라도 된다. 또 본 실시형태에 의해 제작되는 유기발광장치에 있어서는, 외부접속단자가 1변에만 형성되어 있지만, 본 발명에 의한 실시형태는 2변 이상에 외부접속단자가 형성되어 있는 구성을 포함할 수도 있다.
이하, 본 발명의 측면에 의한 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 제 1 실시형태와 같은 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
본 실시형태에 있어서, 기판 상에 형성되는 유기발광소자 및 외부접속단자는 제 1 실시형태와 같은 방법에 의해 형성된다.
본 실시형태에서 사용되는 보호막 제거층은 유기 재료이다. 또, 보호막 제거층은 유기발광소자에 함유되는 것과 같은 유기화합물로 이루어진 유기화합물층이다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 유기발광소자를 형성하는 공정에 있어서, 유기발광소자를 형성하는 동시에, 외부접속단자 상에 유기화합물층과 같은 층 구성을 가진 보호막 제거층을 형성함으로써, 공정(i)(보호막제거층 배치공정)을 실시한다.
본 실시형태에서는, 공정(i)의 후, 제 1 실시형태와 같은 방법에 의해, 공정(ii)(보호막 형성공정)과 공정(iii)(기판 분할공정)을 순차적으로 실시한다. 공정(iii)을 실시한 시점에서, 절단면에는 유기화합물층으로 이루어진 보호막 제거층이 노출되어 있다.
본 실시형태에서는, 공정(iｖ)(세정공정)을 실시할 때, 노출되어 있는 유기화합물층(유기화합물층의 노출부)을 물, 수용액, 또는 용매에 접촉시켜도 된다. 노 출부를 물, 수용액, 또는 용매에 접촉시킴으로써, 외부접속단자 상에 형성되어 있는 보호막은 보호막 제거층인 유기화합물층과 함께 박리된다. 공정(iｖ)에 있어서 사용하기에 적합한 수용액의 예로서 순수한 물이나 오존수, 유기 알칼리 세정액, DHF, 및 계면활성제 첨가 수용액을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
한 형태에 있어서, 물, 수용액, 또는 용매에 접촉시킬 때 보호막이 박리되는 것은, 무기화
합물로 구성되는 보호막과 유기화합물로 구성되는 유기화합물층 간의 물 흡수율 등의 흡수율의 차이에 의한 것이다.
예를 들면, 보호막을 구성하는 무기 재료는 흡수율이 거의 0％인데 대해, 보호막 제거층을 구성하는 유기화합물층은 흡수율이 10-1％으로부터 수 ％이다. 이 때문에, 물 또는 수용액과 노출부를 접촉시킬 때, 거의 보호막 제거층만이 팽창함으로써, 보호막 제거층 상에 형성되어 있는 보호막이 박리되게 된다. 또 유기화합물층은 외부접속단자에 대한 밀착성이 낮기 때문에, 초음파 세정 또는 브러시 세정에 의해서 외부접속단자로부터 용이하게 박리할 수 있는 경우도 있다. 이렇게 해서 공정(iｖ)을 실시한 후에는, 외부접속단자 상에는 보호막도 유기화합물층도 거의 형성되어 있지 않은 상태가 된다.
얻어진 유기발광소자에 대해서는 에이징을 실시하고, 초기 열화에 의해 규격 요건을 따르지 않는 유기발광장치는 폐기해도 된다.
에이징을 실시할 때는, 통상, 고온 및 고습도의 조건에서 유기발광장치를 수 시간 정도 둠으로써 실시한다. 여기서 고온 및 고습도의 조건이란, 예를 들면, 온도 60℃ 및 습도 90％의 조건을 말한다. 보호막에 결함이 있으면, 고온 고습 환경하에 노출시킴으로써, 유기발광장치의 표시부에 백탁(白濁) 등의 변화가 조기에 나타난다.
이하, 본 발명에 따른 유기발광장치를 구체적 실시예에 의거해서 상세하게 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지로 변경할 수 있다.
실시예 1
이하에 나타내는 방법에 의해 유기발광장치를 제작했다.
(유기발광소자와 보호막 제거층의 제작)
유리 기판(기판(1)) 상부에 TFT(2)를 형성했다. 또, TFT(2)에는 신호 배선(2a)도 포함된다. 다음에, 이 유리 기판 상부에 절연층(3a), 평탄화층(3)을 순차적으로
소망한 패턴으로 적층 형성했다. 다음에, 평탄화층(3) 상에 화소 단위로 알루미늄(Al)-인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 박막을 형성하고, 하부 전극(6)을 형성했다. 이 때 하부 전극(6)의 막두께는 150 nm였다. 다음에, 포토리소그래피 공정에 의해, 전 공정에서 형성된 하부 전극(6)의 주위를 둘러싸도록 뱅크(5)(폴리이미드 수지, 상품명：포토니스 DL－1000)를 형성했다. 이 때 뱅크(5)의 막두께는 2000 nm였다.
뱅크(5)가 형성되어 있는 기판(1)을 순수한 물로 약 5분 간 세정한 후, 약 200℃, 2시간 동안 베이킹함으로써 탈수처리했다. 계속해서 기판에 형성된 하부 전극을 UV／오존 세정처리한 후, 진공 증착법에 의해, 유기화합물층을 구성하는 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 순차적으로 형성했다. 구체적으로는, 1×10-3Pa의 압력 조건하에서, 하부 전극(4) 상에 N, N＇-α-디나프틸 벤지딘 (α-NPD)의 막을 형성해서 정공 수송층을 형성했다. 이 때 정공 수송층의 막두께는 40 nm였다. 다음에, 정공 수송층 상에, 녹색 발광하는 쿠마린 색소(쿠마린540)와 트리스［8－히드록시퀴놀리네이트］알루미늄(Alq3)을 공증착해서 발광층을 형성했다. 이 때 쿠마린 색소가 발광층의 전체의 1.0 체적％가 되도록 공증착했다. 그 막두께는 30 nm였다.
다음에, 발광층 상에 아래에 나타내는 페난트롤린 화합물의 막을 형성해서 전자 수송층을 형성했다. 이 때 전자 수송층의 막두께는 10 nm였다.
다음에, 전자 수송층 상에 탄산 세슘과 페난트롤린 화합물을 공증착해서 전자 주입층을 형성했다. 이 때 탄산 세슘이 전자 주입층의 전체의 2.9 체적％가 되도록 공증착했다. 그 막두께는 40 nm였다.
다음에, 전자 주입층이 그 상부에 형성되어 있는 기판을 다른 스퍼터링장치에 이동시킨 후, 이 전자 주입층 상에 인듐 주석 산화물(ITO)을 스퍼터링해서 상부 전극(7)을 형성했다.이 때 상부 전극(7)의 막두께는 60 nm였다.
다음에, 유기발광장치의 외부접속단자(8)만이 개구부 내에 있는 금속 합금제의 마스크를 사용해서 외부접속단자(8) 상에 스퍼터링에 의해 가용성 박막인 스트론튬막을 형성했다. 구체적으로는, 유기발광장치를 스퍼터실(미리 실 내에 스트론튬을 포함한 스퍼터링 타겟이 배치되어 있음)에 반송하고, 외부접속단자(8)가 에리어 마스크와 겹치도록 위치 결정을 행하고, 유기발광장치를 고정했다. 다음에, 아르곤 가스를 100 sccm로 스퍼터실에 흘려서, 스퍼터실의 압력을 2.0 Pa로 유지하고, DC전원으로 플라스마를 발생시킴으로써 스트론튬막(보호막 제거막(12))을 형성했다. 이 때 스트론튬막의 막두께는 100 nm였다(도 1A).
(보호막의 형성과 기판의 제거)
다음에, 도 1A에 나타내는 바와 같이, VHF 플라스마 CVD법에 의해, 전 공정에서 형성된 스트론튬막을 덮도록 보호막(9)을 유기발광장치 전체에 걸쳐서 형성했다. 보호막을 형성할 때는, 재료 가스로서 SiH4 가스 및 N2 가스를 사용하고, 이들 가스를 각각 4 sccm 및 200 sccm의 유량으로 흘렸다. 또 보호막은 고주파 전력 40 W, 압력 70 Pa의 조건하에서 형성했다. 이 때 보호막의 막두께는 3㎛였다. 보호막을 형성한 후, 큰 기판을 막형성장치로부터 전실(前室)로 이동시킨 후, 벤팅(venting)(진공의 해제)을 개시하고, 벤팅 완료 후에 실의 덮개를 열어 그 상부에 보호막이 형성되어 있는 기판을 밖으로 꺼냈다.
(기판의 절단과 기판의 세정)
다음에, 유기발광장치가 매트릭스 형상으로 형성되어 있는 큰 기판을, 도 2에 나타내는 바와 같이, 스크라이버에서 외부접속단자(8) 상에 형성된 스트론튬막에 스크라이브 라인(30)이 위치하도록 설정하고, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 이 기판을 개개의 장치로 절단했다. 절단된 유기발광장치의 절단 부분에는 컬릿이 부착되어 있기 때문에 기판의 세정을 행했다. 세정은, 세정액(용매)이 순수한 물인 세정조에서 유기발광장치를 도 1C에 나타내는 세정 브러시(40)를 사용해서 행했다. 이 때, 가용성 박막과 외부접속단자의 계면을 따라서 용매가 침투해서 가용성 박막이 용해한다고 생각되었다. 그 결과, 가용성 박막의 잔류물과 함께 외부접속단자(8) 상에 형성되어 있는 보호막(9)이 박리 제거되었다. 다음에, 드라이 에어로 유기발광장치를 건조했다.
(외부 회로의 장착 공정)
다음에, 유기발광장치를 구동시키기 위한 구동 회로와 외부 회로를 전기 접속하는데 필요한 FPC 장착을 실시했다. 유기발광장치의 외부접속단자(8) 상에 ACF(13)를 놓고 80℃에서 1초 정도의 조건에서 가압착했다. ACF(13) 상의 보호 시트를 제거하고, FPC(14)를 외부접속단자(8)와 위치맞춤했다. 다음에, 온도 230℃로 가열된 열압착 헤드를 FPC(14) 상에 놓고, 압착 압력 3 MPa, 압착 시간 12초의 조건에서 상기 FPC(14)에 열가압했다. 그 결과, 외부접속단자(8)와 FPC(14)가 함께 열압착되었다.
다음에, 점착제(16)로 보호막(9) 상에 원편광판(17)을 점착함으로써 유기발광장치를 얻었다. 또, 유기발광장치는 5매 제조했다.
얻어진 유기발광장치의 유기발광소자를 발광시켰을 때의 휘도를 측정하고, 그 휘도의 값을 사용해서 외부접속단자(8)가 정상적으로 장착되었는지를 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 판단 기준으로서는, 소정의 휘도에 대해서 2％ 이상 저하한 것을 ×(불량)로 하고, 그 이외의 것은 ○(양)으로 하였다.
또, 외부접속단자(8) 상에 형성되는 가용성 박막(보호막 제거층(12))의 막두께를 바꾸었을 때에, FPC(14)의 장착이 정상적이었는지에 대해서도 같은 방법에 의해 판단했다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 가용성 박막인 스트론튬막의 두께가 10 nm인 경우, 가속 시험 전에 있어서, 유기발광장치 5매 중 기판 No.4의 유기발광소자의 일부에 휘도가 5％ 저하한 부분이 발생했다. 이것은 명백히, 스트론튬막의 두께가 얇기 때문에 외부접속단자(10)를 충분히 덮지 못해서, 외부접속단자(10)의 일부에 보호막이 직접 형성됨으로써, 보호막을 박리 제거할 수 없는 부분이 생겼기 때문에 전기 접촉 불량이 발생했던 것이 원인이라고 생각된다.
또, 얻어진 유기발광장치를 온도 60℃ 및 습도 90％의 조건하에서 500시간 노출시킴으로써 가속 시험을 실시했다. 또 가속 시험 후의 유기발광장치의 성능을, 유기발광소자를 발광시켰을 때의 휘도로 평가했다. 가속 시험을 실시한 후, 스트론튬막의 막두께가 10 nm인 유기발광장치 5매 중, 기판 No.2의 유기발광소자에 휘도 저하가 발생했다. 가용성 박막의 두께가 20 내지 500 nm인 유기발광장치에서는, 가속 시험 후에도 휘도 저하부는 발생하지 않았다. 이와 같이, 외부접속단자(8) 상에 충분한 두께의 가용성 박막(보호막 제거층(12))을 형성함으로써, 보호막(9)을 가용성 박막과 함께 박리할 수 있었다. 그 결과, FPC(14)를 정상적으로 장착할 수 있었다.
이상의 공정에 의해, 유기발광장치를 제작했다. 본 발명에 따른 유기발광장치의 제조방법에 있어서의, 외부접속단자로부터 보호막을 제거하는 공정을 다른 공정과 조합할 수 있기 때문에, 공정 수의 증가가 적고, 생산성이 향상되어, 코스트를 저감할 수 있었다. 이와 같이 본 실시예의 공정은, 외부접속단자 상에 위치한 보호막을 제거하는 공정을 줄일 수 있어, 큰 기판으로부터 많은 수의 유기발광 장치를 얻을 수 있는 유기발광장치를 제조하는 방법을 제공한다. 따라서, 본 실시예에서는, 외부접속단자를 덮는 보호막을 박리하기 위한 특별한 공정을 추가하는 일 없이 외부접속단자를 노출시킬 수 있다.
실시예 2
실시예 1과 마찬가지로 해서, 유리 기판 상에 하부 전극 및 그 이전의 모든 구성요소를 형성했다. 도 5A에 나타낸 바와 같이, 본 실시예와 실시예 1의 차이는, 외부접속단자의 군을 큰 기판의 각 패널 상에서 서로 대향하도록 배치한 점이다.
다음에, 하부 전극 및 외부접속단자 상에 유기화합물층 및 상부 전극을 순차적으로 형성했다.
구체적으로는, 진공 증착법에 의해, α-PD막을 형성해서 정공 수송층을 형성했다. 이 때 정공 수송층의 막두께는 50 nm였다. 다음에, 진공 증착법에 의해, 알루미킬레이트 착체(Alq3)와 쿠마린(6)을 중량비로 100：6이 되도록 공증착해서 발광층을 형성했다. 이 때 발광층의 막두께는 50 nm였다. 다음에, 페난트롤린 화합물(Bphen)의 막을 형성해서 전자 수송층을 형성했다. 이 때 전자 수송층의 막두께는 10 nm였다. 다음에, 전 공정의 페난트롤린 화합물과 탄산 세슘(Cs2CO3)을 중량비로 100：1이 되도록 공증착해서 전자 주입층을 형성했다. 이 때 전자 주입층의 막두께는 40 nm였다. 이들 유기화합물층은 증착시에 마스크를 사용함으로써, 뱅크에 의해 분리되는 각각의 유기발광소자의 영역 및 외부접속단자(8) 상에 개별적으로 형성된다.
외부접속단자(8) 상에 형성되어 있는 유기화합물층은 보호막 제거층(12)으로서 기능한다(도 5B).
다음에, 스퍼터링법에 의해 전자 주입층 상에 ITO막을 형성해서 상부 전극을 형성했다. 이 때 상부 전극의 막두께는 220 nm였다. 그 결과, 큰 기판(10) 상에, 매트릭스 형상으로 배열된 유기발광장치를 형성했다.
다음에, 플라스마 CVD법에 의해, 도 5C에 나타내는 바와 같이, 유기발광장치의 전체면을 덮도록 보호막(9)을 형성했다. 구체적으로는, 재료 가스로서 SiH4 가스와 N2가스의 유량을 각각 10 sccm, 500 sccm로 하고, 고주파 전력 80 W, 압력 90 Pa의 조건하에서 플라스마 CVD법에 의해 보호막을 형성했다. 형성된 보호막의 막두께는 3㎛였다.
다음에, 큰 기판(10)의 유기발광소자 및 보호막이 형성되어 있지 않은 쪽으로부터 스크라이빙 머신에 의해서 유기발광장치를 분할했다. 스크라이브 라인(30)의 절단면은 보호막 및 유리 기판으로 구성되는 적층 구조로 되어 있다. 한편, 외부접속단자에 가장 가까운 스크라이브 라인(30a)의 절단면은 보호막, 유기화합물층, 및 유리 기판으로 구성되는 적층 구조를 가졌다.
다음에, 분할된 유기발광장치를 브러시로 세정하고, 절단면에 부착된 컬릿(절삭 칩)을 제거했다. 또, 브러시 세정시에, 절단면 근처에 많이 있는 컬릿을 제거하기 위해서 절단면으로부터 10 mm의 범위 내에서 회전 브러시(40)를 회전시켰다. 또 세정시에 순수한 물을 세정액으로서 사용했다. 그 결과, 외부접속단자에 가장 가까운 스크라이브 라인(30a)에서는, 외부접속단자 상에 형성되어 있는 유기화합물층 및 보호막이 모두 박리되어 거의 전부 제거되어 있었다. 이것은, 유기화합물층의 구성 재료가 물을 흡수해서 팽창하는 반면에, 보호막은 거의 팽창하지 않기 때문에, 명백히 가능하다. 그 결과, 보호막이 유기화합물층으로부터 박리되고, 외부접속단자에 대해서 접착력이 낮은 유기화합물층도 브러시 세정에 의해 세정되어 제거되었다.
다음에, 유기발광장치를 80℃로 가열해서 건조시켰다. 이상의 공정에 의해 유기발광장치를 얻었다.
다음에, 외부접속단자 상에 소정의 길이의 ACF를 가압착했다. ACF(13)에 함유되는 도전 입자(13a)로는 직경 약 5㎛의 플라스틱 비드에 금으로 도금한 것을 사용했다. 이 도전 입자(13a)는 구 형상이 아니고, 높이 0.5㎛ 정도의 돌기가 형성되어 있었다. 그 표면은 금으로 코팅한 것이다. 다음에, 기판 위치맞춤 마크와 FPC의 FPC 위치맞춤 마크의 위치맞춤을 실시했다(도시하지 않음). 마크의 위치맞춤을 행한 후, 이 구조를 열압착 헤드(도시하지 않음) 아래에 세트하고, ACF의 융해 온도까지 히터 헤드를 가열하고, 압착 압력 3 MPa, 압착 시간 15초로 압착을 완료했다. 이상에 의해 4기의 유기발광장치를 제작했다.
(유기발광장치의 평가)
우선, 얻어진 유기발광장치에 대해서 외부접속단자의 접촉 저항을 측정했다. 도 6에 있어서, 유기발광장치의 기판(1) 상에는 보호막 및 유기화합물층이 제거된 영역(60)이 있고, 이 영역에 외부접속단자(8)가 노출되어 있다. 또 외부접속단자(8) 상에는 ACF가 점착되어 있는 영역(61)이 있고, 그 위로부터 FPC(14)가 압착되어 있다.
외부접속단자(8)와 FPC(14)의 단자부(14a) 사이의 초기 저항값을 측정했다. 측정은 디지털 멀티미터 VOAC(이와쓰사제)를 사용해서 행했다.
외부접속단자 중의 임의의 5 라인(장치 1기당)의 접촉 저항은 제작된 유기발광장치 중 측정된 4기 모두가 3.0Ω 내지 5.0Ω의 범위 내에 있었다.
또 제작된 유기발광장치에 외부 회로로부터 발광 신호를 공급했는데, 4기의 유기발광장치의 모두에 대해 발광이 확인되었다.
본 실시예에서 제작된 유기발광장치에 대해서 고온 고습도 조건하에 있어서의 내구 시험을 실시했다. 이 시험은 온도 60℃ 및 습도 90％의 조건하에서 행해졌다. 시험 후의 유기발광장치에 대해서 전술한 방법에 의해 외부접속단자의 접촉 저항을 측정했다. 그 결과, 내구 시험 후의 저항값은 내구 시험을 실시하기 전의 것과 비교해서 10％ 이내의 상승이 있었다. 또, 시험 후의 유기발광장치에 외부 회로로부터 발광 신호를 공급했는데, 4기의 유기발광장치의 모두에 발광이 확인되었다.
이상으로부터, 종래의 마스킹법, 포트리소그래피법을 사용하는 일 없이, 프로세스를 추가하는 일 없이, 또한 저비용으로 외부접속단자 상의 보호막을 제거할 수 있었다. 또 본 실시예에서 제작된 유기발광장치의 장착 부분은 종래의 구성과 마찬가지의 내구성을 가지는 것을 알 수 있었다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참조해서 설명했지만, 본 발명은 상기 개시된 예시적인 실시형태에 한정되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 다음의 특허청구의 범위는 이러한 모든 변형과 등가의 구성 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
도 1A 내지 도 1D는 본 발명에 따른 제조방법의 실시형태를 나타내는 단면 개략도;
도 2는 본 발명에 따른 제조방법의 실시형태를 나타내는 평면 개략도;
도 3A 및 도 3B는 본 발명에 따른 외부접속단자부의 마스크 개구 형상을 나타내는 개략도;
도 4는 본 발명에 따른 제조방법에 있어서의 ACF 접속 상태를 나타내는 단면 개략도;
도 5A 내지 도 5C는 본 발명에 따른 제조방법의 실시형태를 나타내는 단면 개략도;
도 6은 실시예 2에 있어서 접촉 저항을 측정한 개소의 예를 나타내는 도면.
Claims (7)
- 외부접속단자를 구비하는 기판, 이 기판 상부에 형성되는 유기발광소자, 및이 유기발광소자를 덮는 보호막을 가지는 유기발광장치의 제조방법으로서,상기 외부접속단자 상에 보호막 제거층을 형성하는 공정;상기 기판 상부에 상기 보호막을 형성하는 공정;상기 보호막이 형성된 기판을 분할하는 공정; 및상기 기판을 물, 수용액, 또는 용매와 함께 브러시를 이용하여 세정하는 세정공정;을 순차적으로 포함하고,상기 세정공정의 결과, 상기 보호막 제거층 및 그 위의 상기 보호막이 상기 외부접속단자로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 보호막 제거층은 상기 세정공정에서 사용되는 물, 수용액, 또는 용매에 용해되는 가용성 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 가용성 박막이 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 및 유기화합물 중의 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 보호막 제거층은 상기 세정공정에서 사용되는 물, 수용액, 또는 용매에 의해 팽창하는 유기화합물층인 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 보호막 제거층은 상기 유기발광소자에 함유되는 유기화합물과 같은 유기화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 상기 보호막 제거층의 단면이 노출되도록 분할되고, 상기 보호막 제거층은 상기 세정공정에서 용해되는 것을 특징으로 하는 유기발광장치의 제조방법.
- 삭제
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Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202931661U (zh) * | 2010-03-12 | 2013-05-08 | 夏普株式会社 | 电路基板、基板模块及显示装置 |
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| KR102135933B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-07-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 |
| US9666814B2 (en) * | 2014-03-07 | 2017-05-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| JP6329795B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Ｅｌ表示装置及びｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN104022233B (zh) * | 2014-05-28 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板 |
| JP2016062874A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置及びその製造方法、並びに画像表示装置の検査方法 |
| JP2017004747A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2017168411A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| CN106328827B (zh) * | 2016-10-26 | 2018-08-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜封装方法 |
| CN107051979B (zh) * | 2017-05-09 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种紫外光清洗基板的方法及*** |
| US20200152910A1 (en) * | 2017-09-29 | 2020-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151254A (ja) | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2004165068A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネルの製造方法 |
| JP2004247239A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
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