KR101072936B1 - 가스 방전 표시 장치 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 200
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 154
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 147
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 146
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 145
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 9
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 85
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims description 6
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical group 0.000 claims 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- -1 Y (V Chemical compound 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 83
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 23
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 21
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 14
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- JKJKPRIBNYTIFH-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynevanadium Chemical compound [V]#P JKJKPRIBNYTIFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/42—Fluorescent layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
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Abstract
가스 방전 장치에 있어서, 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 앞면 유리 기판과 배면 유리 기판 사이에 설치된 행 전극쌍을 피복하는 유전체층의 보호층이, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 결정 산화마그네슘층을 가지며, 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 적색 형광체층이 보레이트계 적색 형광체인 (Y, Gd)BO3: Eu 등의 제1 형광체와 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4:Eu 등의 제2 형광체와의 혼합 형광체를 포함한다.
Description
도 1은 본 발명의 실시형태의 일 실시예를 나타내는 정면도.
도 2는 도 1의 V-V 선에서의 단면도.
도 3은 도 1의 W-W 선에서의 단면도.
도 4는 동일 실시예에서 박막 마그네슘층 상에 결정 마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 나타내는 단면도.
도 5는 동일 실시예에서 결정 마그네슘층 상에 박막 마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 나타내는 단면도.
도 6은 입방체의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체의 SEM 사진상을 도시한 도면.
도 7은 입방체의 다중 결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체의 SEM 사진상을 도시한 도면.
도 8은 동일 실시예에서 산화마그네슘 단결정체의 입경과 CL 발광의 파장과의 관계를 나타내는 그래프.
도 9는 동일 실시예에서 산화마그네슘 단결정체의 입경과 235 ㎚의 CL 발광의 강도의 관계를 나타내는 그래프.
도 10은 증착법에 의한 산화마그네슘층에서의 CL 발광의 파장의 상태를 나타 내는 그래프.
도 11은 산화마그네슘 단결정체에서의 235 ㎚의 CL 발광의 피크 강도와 방전 지연의 관계를 나타내는 그래프.
도 12는 보호층이 증착법에 의한 산화마그네슘층에 의해서만 구성되어 있는 경우와 결정 마그네슘층과 증착법에 의한 박막 마그네슘층의 2층 구조로 되어 있는 경우와의 방전 지연 특성의 비교를 도시한 도면.
도 13은 휘도 잔상 평가의 비교를 도시한 도면.
도 14는 본 발명의 실시형태에서의 PDP의 전압 드리프트를 종래예와 비교하여 나타내는 그래프.
도 15는 동일 전압 드리프트의 비교를 나타내는 표.
도 16은 본 발명의 실시형태에서의 PDP의 휘도 드리프트를 종래예와 비교하여 나타내는 그래프.
도 17은 동일 휘도 드리프트의 비교를 나타내는 표.
도 18은 본 발명의 실시형태에서의 PDP의 전압 잔상을 종래예와 비교하여 나타내는 그래프.
도 19는 동일 전압 잔상의 비교를 나타내는 표.
도 20은 형광체로부터의 발생 가스 총량의 비교를 도시한 도면.
도 21은 형광체로부터의 발생 가스 분압의 비교를 도시한 도면.
본 발명은 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 형광체층을 갖는 가스 방전 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 가스 방전 표시 장치의 하나인 면방전 방식 교류형 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 함)은 방전 공간을 사이에 두고 서로 대향하는 두 장의 유리 기판 중 한 쪽의 유리 기판측에, 행 방향으로 연장되는 복수의 행 전극쌍이 열 방향으로 병설되고 유전체층에 의해 피복되며, 이 유전체층 상에 산화마그네슘으로 이루어지는 보호층이 증착법에 의해 형성되고, 다른 쪽의 유리 기판측에 열 방향으로 연장되는 복수의 열 전극이 행 방향으로 병설되며, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극이 각각 교차하는 부분에 매트릭스형으로 배열되는 방전 셀이 형성된다.
각 방전 셀 내에는, 적, 녹, 청의 삼원색으로 색구별된 형광체층이 형성되고, 이 적, 녹, 청의 형광체층을 형성하는 형광체는, 종래, 적색 형광체로서 (Y, Gd)BO3: Eu가 알려져 있고, 녹색 형광체로서(Ba, Sr, Ca) MgAl10O17: Mn이 알려져 있으며, 청색 형광체로서 BaMgAl10O17: Eu가 알려져 있다.
그리고, 방전 공간 내에, 네온과 크세논의 혼합 가스로 이루어지는 방전 가스가 봉입된다.
이 PDP는 행 전극쌍의 각 행 전극 사이에서 일제히 리셋 방전이 행해지고, 다음으로, 한 쪽의 행 전극과 열 전극 사이에서 선택적으로 어드레스 방전이 발생 됨으로써, 방전 셀에 대향하는 유전체층에 벽 전하가 형성된 발광 셀과 유전체층의 벽 전하가 소거된 소등 셀이 영상 신호에 대응하여 패널면에 분포되며, 이 후, 발광 셀 내에서 행 전극쌍의 행 전극 사이에서 서스테인 방전이 발생되고, 이 서스테인 방전에 의해 방전 공간 내의 방전 가스의 크세논으로부터 진공 자외선이 발생되고, 이 진공 자외선에 의해 적, 녹, 청의 형광체층이 여기되어 발광함으로써, 패널면에 매트릭스 표시에 의한 화상이 형성된다.
이러한 구성의 PDP에 있어서, 행 전극쌍을 피복하는 유전체층 상에 형성된 산화마그네슘으로 이루어지는 보호층은 유전체층의 이온 충격으로부터의 보호 기능과 방전 공간 내로의 2차 전자 방출 기능을 갖고 있다.
이 때문에, 종래의 PDP가 방전 전압을 저하시키기 위해 2차 전자 방출 기능이 높은 보호층을 구비한 경우, 서스테인 펄스가 인가되어 서스테인 방전이 다수의 발광 셀에서 거의 동시에 발생되면, 순간적으로 큰 전류가 흐름으로써, 방전 강도가 증대하고, 이에 따라, 휘도 전압 잔상이 커지며, 또한, 패널 수명이 열화하는 등의 표시 품질이 악화해 버린다는 우려가 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 가스 방전 표시 장치에서의 문제점을 해결하는 것을 그 기술적 과제의 하나로 하고 있다.
본 발명에 의한 가스 방전 표시 장치는 상기 목적을 달성하기 위해, 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 사이에 배치되고 서로 이격된 위치에서 교차하는 방향으로 연장되고 교차 부분의 방전 공간에 단위 발광 영역을 형성하는 행 전극쌍 및 열 전극과, 행 전극쌍을 피복하는 유전체층과, 이 유전체층을 피복하고 단위 발광 영역에 대향하는 보호층과, 진공 자외선에 의해 여기되고 가시광을 발생하는 적색, 녹색, 청색의 형광체층을 가지며, 방전 공간 내에 방전 가스가 봉입되어 있는 가스 방전 표시 장치에 있어서, 상기 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하고, 상기 형광체층 중 적어도 1색의 형광체층이, 제1 형광체와 이 제1 형광체에 비해 환원계 가스 및 탄화계 가스의 발생량이 적은 제2 형광체가 혼합된 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명은 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판 사이에 설치된 행 전극쌍을 피복하는 유전체층의 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하며, 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 적색과 녹색, 청색의 형광체층 중 적어도 1색의 형광체층, 예컨대 적색 형광체층이, 예컨대 보레이트계 적색 형광체인 (Y, Gd)BO3: Eu 등의 제1 형광체와, 이 제1 형광체에 비해 환원계 가스 및 탄화계 가스의 발생량이 적은 예컨대 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu 등의 제2 형광체와의 혼합 형광체를 포함하는 가스 방전 표시 장치를 그 최량의 실시형태로 하고 있다.
이 실시형태에 의한 가스 방전 표시 장치는 형광체층 중의 예컨대 적색 형광체층이, 제1 형광체와 이 제1 형광체에 비해 환원계 가스(H2 가스) 및 탄화계 가스(CO 가스)의 발생량이 적은 제2 형광체와의 혼합 형광체에 의해 형성됨으로써, 가스 방전 표시 장치의 유전체층을 피복하는 보호층이 2차 전자 방출 기능이 높은 산화마그네슘 결정체를 포함하는 경우일지라도, 진공 자외선에 의해 여기될 때에 발생하는 가스량, 특히, 탄화계 가스 및 환원계 가스(H2O 가스)의 가스량이, 종래의 적색 형광체층에 비해 적고, 보호층을 형성하는 산화마그네슘에의 영향이 작아져서 패널의 특성을 악화시키는 경우가 없으므로, 가스 방전 표시 장치의 휘도 전압 잔상 특성을 종래보다도 대폭 개선할 수 있다.
상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 적색 형광체층에 포함되는 혼합 형광체가 20∼80 중량%의 제2 형광체를 포함하도록 하는 것이 바람직하다.
이러한 비율로 제1 형광체와 제2 형광체를 혼합함으로써, 가스 방전 표시 장치의 휘도 전압 잔상 특성의 개선을 한층 더 도모할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 보호층이, 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 박막 산화마그네슘층과, 이 박막 산화마그네슘층에 적층되어 형성된 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층에 의해 구성되도록 하는 것이 바람직하고, 이에 따라, 가스 방전 표시 장치의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.
또한, 상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 산화마그네슘 결정체 가 기상 산화법에 의해 생성된 산화마그네슘 단결정체인 것이 바람직하고, 이에 따라, 가스 방전 표시 장치의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.
또한, 상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 230∼250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 결정체인 것이 바람직하고, 이에 따라, 가스 방전 표시 장치의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.
또한, 상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 2000 Å 이상의 입경을 갖고 있는 것이 바람직하고, 이에 따라, 가스 방전 표시 장치의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.
또한, 상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 방전 가스가 10 체적% 이상의 크세논을 포함하도록 하는 것이 바람직하고, 이에 따라, 가스 방전 표시 장치의 발광 효율의 개선이 도모된다.
또한, 상기 실시형태의 가스 방전 표시 장치에 있어서, 행 전극쌍을 피복하는 유전체층이, 비유전률이 8 이하인 무연계 유리 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 이에 따라, 가스 방전 표시 장치의 휘도 전압 잔상 특성이나 패널 수명의 개선이 또한 도모된다.
[실시형태]
도 1 내지 도 3은 본 발명에 의한 PDP의 실시형태의 일 실시예를 나타내며, 도 1은 이 실시예에서의 PDP를 모식적으로 나타내는 정면도, 도 2는 도 1의 V-V 선에서의 단면도, 도 3은 도 1의 W-W 선에서의 단면도이다.
이 도 1 내지 도 3에 나타내는 PDP는 표시면인 앞면 유리 기판(1)의 배면에, 복수의 행 전극쌍(X, Y)이 앞면 유리 기판(1)의 행 방향(도 1의 좌우 방향)으로 연장되도록 평행하게 배열된다.
행 전극 X는 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어지는 투명 전극(Xa)과, 앞면 유리 기판(1)의 행 방향으로 연장되어 투명 전극(Xa)의 협소한 기단부에 접속된 금속막으로 이루어지는 버스 전극(Xb)에 의해 구성된다.
행 전극(Y)도 동일하게, T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어지는 투명 전극(Ya)과, 앞면 유리 기판(1)의 행 방향으로 연장되어 투명 전극(Ya)의 협소한 기단부에 접속된 금속막으로 이루어지는 버스 전극(Yb)에 의해 구성된다.
이 행 전극 X와 Y는 앞면 유리 기판(1)의 열 방향(도 1의 상하 방향)으로 교대로 배열되고, 버스 전극(Xb와 Yb)을 따라 병렬된 각각의 투명 전극(Xa와 Ya)이, 서로 쌍을 이루는 상대의 행 전극측으로 연장되고, 투명 전극(Xa와 Ya)의 광폭부의 정상변이, 각각 요구되는 폭의 방전 갭(g)을 사이에 두고 서로 대향된다.
앞면 유리 기판(1)의 배면에는, 열 방향으로 인접하는 행 전극쌍(X, Y)의 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(Xb)과 버스 전극(Yb) 사이에, 이 버스 전극(Xb, Yb)을 따라 행 방향으로 연장되는 흑색 또는 어두운 색의 광흡수층(차광층)(2)이 형성된다.
이 앞면 유리 기판(1)의 배면에는, 또한, 비유전률(ε)이 8 이하인 무연계 유리 재료(예컨대, 일본 전기 유리(주)제 형식 번호「TS-l000C」의 비유전률 ε= 6.8의 Zn B Si계 유리 재료)에 의해, 행 전극쌍(X, Y)을 피복하도록 유전체층(3)이 형성된다.
그리고, 이 유전체층(3)의 배면에는, 서로 인접하는 행 전극쌍(X, Y)의 서로 등을 맞대어 인접하는 버스 전극(Xb 및 Yb)에 대향하는 위치 및 이 인접하는 버스 전극(Xb와 Yb) 사이의 영역 부분에 대향하는 위치에, 보호층(3)과 동일 재료에 의해, 유전체층(3)의 배면측으로 돌출하는, 추가의 유전체층(3A)이 버스 전극(Xb, Yb)과 평행하게 연장되도록 형성된다.
이 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면측에는, 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 형성된 박막의 산화마그네슘층(이하, 박막 산화마그네슘층이라고 함)(4)이 형성되고, 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면의 전면을 피복하고 있다.
이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면측에는, 후에 상술하는 바와 같이, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광(CL 발광)을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하는 산화마그네슘층(이하, 결정 산화마그네슘층이라고 함)(5)이 형성된다.
이 결정 산화마그네슘층(5)은 박막 산화마그네슘층(4)의 배면의 전면 또는 일부, 예컨대, 후술하는 방전 셀에 면하는 부분에 형성된다[도시의 예에서는, 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층(4) 배면의 전면에 형성되는 예가 나타내어 있다].
한편, 앞면 유리 기판(1)과 평행하게 배치된 배면 유리 기판(6)의 표시측의 면상에는, 열 전극(D)이 각 행 전극쌍(X, Y)의 서로 쌍을 이룬 투명 전극(Xa 및 Ya)에 대향하는 위치에서 행 전극쌍(X, Y)과 직교하는 방향(열 방향)으로 연장되도록, 서로 소정의 간격을 두고 평행하게 배열된다.
배면 유리 기판(6)의 표시측의 면상에는, 추가로, 열 전극(D)을 피복하는 백색의 열 전극 보호층(유전체층)(7)이 형성되고, 이 열 전극 보호층(7) 상에, 격벽(8)이 형성된다.
이 격벽(8)은 각 행 전극쌍(X, Y)의 버스 전극(Xb와 Yb)에 대향하는 위치에서 각각 행 방향으로 연장되는 한 쌍의 가로벽(8A)과, 인접하는 열 전극(D) 사이의 중간 위치에서 한 쌍의 가로벽(8A) 사이에 열 방향으로 연장되는 세로벽(8B)에 의해 거의 사다리 형상으로 형성되고, 각 격벽(8)이 인접하는 다른 격벽(8)의 서로 등을 맞대어 대향하는 가로벽(8A)의 사이에서 행 방향으로 연장되는 간극(SL)을 사이에 두고, 열 방향으로 병설된다.
그리고, 이 사다리형의 격벽(8)에 의해, 앞면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(6) 사이의 방전 공간(S)이 각 행 전극쌍(X, Y)에서 서로 쌍을 이루고 있는 투명 전극(Xa와 Ya)에 대향하는 부분으로 형성되는 방전 셀(C)마다, 각각 사각형으로 구획된다.
방전 공간(S)에 면하는 격벽(8)의 가로벽(8A) 및 세로벽(8B)의 측면과 열 전극 보호층(7)의 표면에는, 이들의 5개의 면을 전부 덮도록 형광체층(9)이 형성되고, 이 형광체층(9)의 색은 각 방전 셀(C)마다 적, 녹, 청의 삼원색이 행 방향으로 순서대로 나란하게 배열된다.
이 형광체층(9)을 형성하는 형광체에 대해서는 이후에 설명한다.
추가의 유전체층(3A)은 이 추가의 유전체층(3A)을 피복하고 있는 결정 산화마그네슘층(5)[또는, 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면의 방전 셀(C)에 대향하는 부분에만 형성되어 있는 경우에는, 박막 산화마그네슘층(4)]이 격벽(8)의 가로벽(8A)의 표시측의 면에 접촉됨(도 2 참조)으로써, 방전 셀(C)과 간극(SL) 사이를 각각 폐쇄하고 있지만, 세로벽(8B)의 표시측의 면에는 접촉되어 있지 않고(도 3 참조) 그 사이에 간극(r)이 형성되어, 행 방향으로 인접하는 방전 셀(C) 사이가 이 간극(r)을 사이에 두고 서로 연통되어 있다.
방전 공간(S) 내에는, 크세논을 10 체적% 이상 포함하는 Ne-Xe계 방전 가스가 봉입된다.
상기 PDP의 형광체층(9) 중, 적색의 형광체층(이하, 적색 형광체층이라고 함)(9)은 80∼20 중량%의 보레이트(붕산염)계 적색 형광체인 (Y, Gd)BO3: Eu(이하, 제1 적색 형광체라고 함)와, 20∼80 중량%의 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu(이하, 제2 적색 형광체라고 함)가 혼합된 혼합 적색 형광체에 의해 형성된다.
상기 PDP의 결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같은 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)을 피복하고 있는 박막 산화마그네슘층(4)의 배면측의 표면에 부착됨으로써 형성된다.
또한, 이 실시예에서는, 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되고, 이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면에 결정 산화 마그네슘층(5)이 형성되는 예에 대해 설명되어 있지만, 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)의 배면에 결정 산화마그네슘층(5)이 형성된 후, 이 결정 산화마그네슘층(5)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되도록 하여도 좋다.
도 4는 유전체층(3)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되고, 이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면에, 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(5)이 형성되어 있는 상태를 나타내고 있다.
또한, 도 5는 유전체층(3)의 배면에 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(5)이 형성된 후, 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되어 있는 상태를 나타낸다.
상기 PDP의 결정 산화마그네슘층(5)은 하기의 재료 및 방법에 의해 형성된다.
즉, 결정 산화마그네슘층(5)의 형성 재료가 되며, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체는, 예컨대, 마그네슘을 가열하여 발생하는 마그네슘 증기를 기상 산화하여 얻어지는 마그네슘의 단결정체(이하, 이 마그네슘의 단결정체를 기상법 산화마그네슘 단결정체라고 함)를 포함하며, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체에는, 예컨대, 도 6의 SEM 사진상에 나타내는 바와 같이, 입방체 의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체와, 도 7의 SEM 사진상에 나타내는 바와 같이, 입방체의 결정체가 서로 끼워 넣어진 구조(즉, 입방체의 다중 결정 구조)를 갖는 산화마그네슘 단결정체가 포함된다.
이 기상법 산화마그네슘 단결정체는 후술하는 바와 같이, 방전 지연의 감소 등의 방전 특성의 개선에 기여한다.
그리고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체는 다른 방법에 의해 얻어지는 산화마그네슘과 비교하면, 고순도인 동시에 미립자를 얻을 수 있고, 또한, 입자의 응집이 적다는 등의 특징을 갖고 있다.
이 실시예에서는, BET 법에 의해 측정한 평균 입경이 500 Å 이상(바람직하게는, 2000 Å 이상)의 기상법 산화마그네슘 단결정체가 이용된다.
또한, 기상법 산화마그네슘 단결정체의 합성에 대해서는, 『재료』1987년 11월호, 제36권 제410호의 제 1157∼1161 페이지의『기상법에 의한 마그네시아 분말의 합성과 그 성질』 등에 기재되어 있다.
이 결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같이, 기상법 산화마그네슘 단결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착됨으로써 형성된다.
이 PDP는 화상 형성을 위한 리셋 방전 및 어드레스 방전, 서스테인 방전이 방전 셀(C) 내에서 행해진다.
상기 구성의 PDP는 기상법 산화마그네슘 단결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)을 구비함으로써, 그 방전 지연 특성이 종래의 박막 산화마그네슘층만을 갖고 있는 PDP와 비교하여 대폭 개선된다.
그리고, 어드레스 방전 전에 행해지는 리셋 방전이 방전 셀(C) 내에서 발생될 때에, 이 방전 셀(C) 내에 결정 산화마그네슘층(5)이 형성됨으로써, 리셋 방전에 의한 프라이밍 효과가 길게 지속하여, 이에 따라 어드레스 방전이 고속화된다.
즉, 상기 PDP는 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 결정 산화마그네슘층(5)이 전술한 바와 같은 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의해 형성됨으로써, 방전에 의해 발생하는 전자선의 조사에 따라, 결정 산화마그네슘층(5)에 포함되는 입경이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체로부터, 300∼400 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광에 더하여, 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광이 여기된다.
이 235 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광은 도 10에 나타낸 바와 같이, 통상의 증착법에 의해 형성되는 산화마그네슘층[이 실시예에서의 박막 산화마그네슘층(4)]에서는 여기되지 않고, 300∼400 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광만이 여기된다.
또한, 도 8 및 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광은 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입경이 커질수록 그 피크 강도가 커진다.
이 파장 영역 200∼300 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광의 존재에 의해, 방전 특성의 개선(방전 지연의 감소, 방전 확률의 향상)이 더 도모되는 것으로 추측된다.
즉, 이 결정 산화마그네슘층(5)에 의한 방전 특성의 개선은 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 기상법 산화마그네슘 단결정체가 그 피크 파장에 대응한 에너지 준위를 가지고, 그 에너지 준위에 의해 전자를 장시간(수 msec 이상) 트랩할 수 있고, 이 전자가 전계에 의해 취출됨으로써 방전 개시에 필요한 초기 전자가 얻어져 이루어질 수 있는 것으로 추측된다.
그리고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의한 방전 특성의 개선 효과가 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광의 강도가 커질수록 크게 되는 것은 CL 발광 강도와 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입경 사이에도 상관관계가 있기 때문이다.
즉, 큰 입경의 기상법 산화마그네슘 단결정체를 형성하고자 하는 경우에는 마그네슘 증기를 발생시킬 때의 가열 온도를 높게 해야 하므로, 마그네슘과 산소가 반응하는 화염의 길이가 길게 되고, 이 화염과 주위의 온도차가 커짐으로써, 입경이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체만큼 전술한 바와 같은 CL 발광의 피크 파장(예컨대, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 대응한 에너지 준위가 다수 형성되는 것으로 생각된다.
또한, 입방체의 다중 결정 구조의 기상법 산화마그네슘 단결정체에 대해서는, 결정면 결함을 다수 포함하며, 그 면결함 에너지 준위의 존재가 방전 확률의 개선에 기여하고 있다고 추측된다.
또한, 결정 산화마그네슘층(5)을 형성하는 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입경(DBET)은 질소 흡착법에 의해 BET 비표면적(s)이 측정되며, 이 값으로부터 다음 식에 의해 산출된다.
[수학식 1]
DBET= A/s×ρ
A: 형상 계수(A = 6)
ρ: 마그네슘의 실제 밀도
도 11은 CL 발광 강도와 방전 지연의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
이 도 11로부터, 결정 산화마그네슘층(5)에서 여기되는 235 ㎚의 CL 발광에 의해, PDP에서의 방전 지연이 단축되는 것을 알 수 있고, 또한, 이 235 ㎚의 CL 발광 강도가 강할수록 이 방전 지연이 단축되는 것을 알 수 있다.
도 12는 상기한 바와 같이 PDP가 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)의 2층 구조를 구비하고 있는 경우(그래프 a)와, 종래의 PDP와 같이 증착법에 의해 형성된 산화마그네슘층만이 형성되어 있는 경우(그래프 b)의 방전 지연 특성을 비교한 것이다.
이 도 12로부터 알 수 있는 바와 같이, PDP가 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)의 2층 구조를 구비함으로써, 방전 지연 특성이 종래의 증착법에 의해 형성된 박막 산화마그네슘층만을 구비하고 있는 PDP에 비하여 현저하게 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 상기 PDP는 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층(4)에 더하여, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘 층(5)이 적층되어 형성됨으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되고, 양호한 방전 특성을 가질 수 있다.
이 결정 산화마그네슘층(5)을 형성하는 산화마그네슘 결정체에는 BET 법에 의해 측정한 그 평균 입경이 500 Å 이상의 것이 사용되고, 바람직하게는, 2000∼4000 Å의 것이 사용된다.
결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같이, 반드시 박막 산화마그네슘층(4)의 전면을 덮도록 형성할 필요는 없고, 예컨대 행 전극(X, Y)의 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 부분이나 반대로 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 부분 이외의 부분 등과 같이, 부분적으로 패턴화하여 형성하도록 하여도 좋다.
이 결정 산화마그네슘층(5)을 부분적으로 형성하는 경우에는, 결정 산화마그네슘층(5)의 박막 산화마그네슘층(4)에 대한 면적비는, 예컨대, 0.1∼85%로 설정된다.
도 13은 상기 PDP의 구동 시의 패널면에서의 휘도 잔상 특성을 종래의 PDP의 휘도 잔상 특성과 비교하여 도시한 그래프이다.
이 도 13에 있어서, 그래프(α)는 상기 구성의 PDP[즉, 보호층이 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)(여기서는, 기상 산화마그네슘 결정체가 박막 산화마그네슘층(4)상에 산포됨으로써 패널 투과율이 85%로 되도록 형성되어 있음]을 갖고 있고, 적색 형광체층(9)이 혼합 적색 형광체에 의해 형성되는 PDP의 휘도 잔상 평가를 나타낸다.
그래프(β)는 보호층이 상기 구성의 PDP와 동일하게 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층을 갖고 있지만, 적색 형광체층이 종래의 PDP와 동일하게, 인 바나듐계 적색 형광체를 포함하지 않는 한 종류의 형광체, 예컨대 (Y, Gd)BO3: Eu에 의해서만 형성되는 PDP의 휘도 잔상 평가를 나타낸다.
그래프()는 보호층이 박막 산화마그네슘층만을 갖고 있고, 적색 형광체층이 한 종류의 형광체, 예컨대 (Y, Gd)BO3: Eu에 의해서만 형성되는 종래의 PDP의 휘도 잔상 평가를 나타낸다.
그리고, 이 도 13에서의 휘도 잔상 평가는 화상 형성 전(가시광 방사 전)의 패널면(전면 공백 표시)의 휘도를 기준치로서 이를 레벨 0으로 하고, 화상 형성 후(가시광 방사 후)에, 화상 형성 전의 원래의 표시 상태로 복귀했을 때의 패널면(전면 공백 표시)의 휘도를 측정하여, 이 복귀된 후의 패널면의 휘도 측정치의 기준치에 대한 상대비를 각각 잔상 레벨로 하여, 이 잔상 레벨을 종축에, 화상의 가시광 방사 후의 경과 시간을 횡축에 나타낸다.
이 도 13에 있어서, 결정 산화마그네슘층(5)과 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 형광체층(9)을 갖는 PDP는 그래프(α)로부터 알 수 있는 바와 같이, 화상의 가시광 방사 후, 10분 경과시에 잔상 레벨이 0.5로 감소하고, 15분 경과시에 레벨 0으로 복귀하고 있다.
또한, 상기 구성의 PDP와 동일하게 결정 산화마그네슘층을 갖고 있지만, 적색 형광체층이 인 바나듐계 적색 형광체를 포함하지 않는 한 종류의 형광체에 의해 형성되는 PDP는 그래프(β)로부터 알 수 있는 바와 같이, 화상의 가시광 방사 후, 10분 경과시에 잔상 레벨은 1.5로 감소하고 있지만, 20분 경과시에 있어서도 잔상 레벨 1로까지 밖에 복귀하고 있지 않다.
이에 비하여 결정 산화마그네슘층을 갖고 있지 않고 적색 형광체층이 인 바나듐계 적색 형광체를 포함하지 않는 한 종류의 형광체에 의해 형성되는 종래의 PDP는 그래프(7)로부터 알 수 있는 바와 같이, 화상의 가시광 방사 후, 10분 경과시에 잔상 레벨이 1까지 감소하고, 20분 경과시에 레벨 0으로 복귀하고 있다.
이 도 13으로부터, PDP가 결정 산화마그네슘층을 구비한 경우, 적색 형광체층이 종래의 형광체에 의해 형성되어 있는 경우[그래프(β)의 경우]에는, 결정 산화마그네슘층의 형성에 의해, 화상의 가시광 방사 후의 경과 시간이 약 9분정도까지의 휘도 잔류의 평가 초기에서는, 종래의 PDP[그래프()의 경우]보다도 잔상 레벨이 저하하여 패널의 휘도 잔상 특성이 개선되지만, 그 후는, 잔상 레벨은 너무 더디어 초기 휘도(레벨 0)로는 복귀하지 않고, 휘도 잔상 특성이 악화하고 있는 것을 알 수 있다.
이에 비하여 적색 형광체층이, 전술한 바와 같은 혼합 적색 형광체에 의해 형성되는 PDP[그래프(α)의 PDP]의 경우에는, PDP가 결정 산화마그네슘층을 구비하고 있는 경우에도, 평가 초기로부터 휘도 잔상 특성이 개선되고, 초기 휘도(레벨 0)로 복귀하는 시간이 다른 어떠한 경우보다도 줄어들고 있어, 휘도 전압 잔상 특성이나 패널 수명이 대폭 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
도 14 및 도 15는 상기 PDP의 구동 시의 전압 드리프트를 종래의 PDP와 비교하여 도시한 그래프 및 도표이다.
도 14에 있어서, 그래프 m은, 한 종류의 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu에 의해서만 형성되는 종래의 적색 형광체층을 갖는 PDP에서의 전압 드리프트를 나타내고, 그래프 n은, 50 중량%의 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu와 50 중량%의 인 바나듐계 적색 형광체 Y(V, P)O4: Eu가 혼합된 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP에서의 전압 드리프트를 나타낸다.
또한, 이 도 14 및 도 15에 있어서, 가속 시간은 동화상을 연속하여 나타내는 시간을 나타내며, 전압 드리프트(ΔV)는 가속 시간 제로 시점의 방전 유지 전압의 하한치와 소정의 가속 시간 경과 시점에서의 방전 유지 전압의 하한치와의 차분을 나타낸다.
그리고, 이 가속 시간 및 전압 드리프트(ΔV)의 값은 어느 쪽도 상대치를 나타낸다.
이 도 14 및 도 15로부터, 인 바나듐계 적색 형광체를 포함하는 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP는 종래의 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP에 비하여 패널의 전압 수명이 약 2배로 되는 것을 알 수 있다.
도 16 및 도 17은 상기 PDP의 구동 시의 휘도 드리프트를 종래의 PDP와 비교하여 도시한 그래프 및 도표이다.
도 16에 있어서, 도 14의 경우와 동일하게, 그래프 m은 종래의 적색 형광체층을 갖는 PDP에서의 휘도 드리프트를 나타내고, 그래프 n은 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP에서의 휘도 드리프트를 나타낸다.
또한, 이 도 16 및 도 17에 있어서, 휘도의 값은 상대치를 나타내며, 가속 시간에 대해서는, 도 14 및 도 15의 경우와 동일하다.
이 도 16 및 도 17로부터, 인 바나듐계 적색 형광체를 포함하는 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP는 종래의 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP에 비하여 패널의 휘도 수명이 약 2배로 되는 것을 알 수 있다.
도 18 및 도 19는 상기 PDP의 구동 시의 전압 잔상을 종래의 PDP와 비교하여 도시한 그래프 및 도표이다.
이 도 18에서, 도 14의 경우와 동일하게, 그래프 m은 종래의 적색 형광체층을 갖는 PDP에서의 전압 잔상을 나타내고, 그래프 n은 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP에서의 전압 잔상을 나타낸다.
여기서, 전압 잔상이란 고정 표시 도안의 가시광 방사에 의한 전압 마진의 악화(전압 변화)를 정량적으로 평가한 것이다.
가속 시간에 대해서는 도 16 및 도 17의 경우와 동일하다.
이 도 18 및 도 19로부터, 인 바나듐계 적색 형광체를 포함하는 혼합 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP는 종래의 적색 형광체에 의해 형성된 적색 형광체층을 갖는 PDP에 비하여 가속 시간이 길게 될수록 전압 잔상이 개선되며, 예컨대, 가속 시간이 100일 때에, 휘도 잔상이 50% 저하한다.
이와 같이, PDP가 결정 산화마그네슘층을 구비하는 경우에도, 적색 형광체층 이 혼합 적색 형광체에 의해 형성됨으로써 종래의 PDP와 비교하여 휘도 전압 잔상 특성이나 패널 수명이 대폭 개선된 이유는 이하와 같이 생각된다.
도 20은 보레이트계 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu와, 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu가 방전 셀(C) 내의 플라즈마 방전에 의해 발생하는 가스의 총량을 나타내며, 도 21은 이 각각의 발생 가스에 포함되는 각종가스의 분압을 나타낸다.
이 도 20 및 도 21에 있어서, 각각, 검은색 그래프가 보레이트계 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu의 가스량을 나타내고, 흰색 그래프가 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu의 가스량을 나타내고 있는데, 이 도 20 및 도 21로부터 알 수 있는 바와 같이, 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu쪽이 보레이트계 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu보다도, 발생 가스의 총량이 적고, 탄화계 가스(CO 가스) 및 환원계 가스(H2O 가스)의 발생량이 적다.
이 때문에, 적색 형광체층이 제1 적색 형광체[보레이트계 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu]에 제2 적색 형광체(인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu)가 혼합된 혼합 적색 형광체에 의해 형성되는 경우에는, 방전 셀(C) 내의 플라즈마 방전에 의해 발생하는 가스량, 특히, CO 가스 및 H2O 가스의 가스량이 보레이트계 적색 형광체 (Y, Gd)BO3: Eu에 의해서만 형성된 종래의 적색 형광체층에 비해 적어지고, 유 전체층의 보호 기능과 2차 전자 방출 기능을 갖는 보호층을 형성하는 산화마그네슘에의 영향이 작아지며, 보호층이 높은 2차 전자 방출 기능을 구비한 결정 산화마그네슘층을 갖고 있는 경우에도, 패널의 특성을 악화시키는 경우가 없기 때문이라고 생각된다.
이상과 같이, 상기 PDP에 의하면, 적색 형광체층(9)이 제1 적색 형광체(보레이트계 적색 형광체의 (Y, Gd)BO3: Eu)에 제2 적색 형광체(인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu)가 혼합된 혼합 적색 형광체에 의해 형성됨으로써, 보호층이 기상법 산화마그네슘 단결정체를 포함하는 높은 2차 전자 방출 기능을 구비한 결정 산화마그네슘층(5)을 갖고 있는 PDP의 휘도 전압 잔상 특성이나 패널 수명을 종래의 PDP보다도 대폭 개선할 수 있다.
또한, 상기에서는, 본 발명을 앞면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하여 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해 설명을 행했지만, 본 발명은 앞면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나, 앞면 유리 기판측에 형광체층을 형성하며 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하고 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지의 형식의 PDP에 적용할 수 있다.
또한, 상기에서는, 결정 산화마그네슘층(5)을 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착시킴으로써 형성하는 예에 대해 설명을 행했지만, 결정 산화마그네슘층(5)은 산화마그네슘 결정체의 분말을 함유하는 페이스트를, 스크린 인쇄법 또는 오프셋 인쇄법, 디스펜서법, 잉크젯법, 롤코트법 등의 방법에 의해 도포함으로써 형성하도록 하여도 좋고, 또는, 산화마그네슘 결정체를 함유하는 페이스트를 지지 필름 상에 도포한 후에 건조시킴으로써 필름형으로 하여, 이것을 박막 산화마그네슘층 상에 라미네이트하도록 하여도 좋다.
또한, 상기에서는, 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)이 형성되는 예에 대해 설명되어 있지만, 산화마그네슘 결정체가 유전체층 상에 산포되어 있을 뿐이며, 층을 형성하지 않는 경우일지라도, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상기 실시예의 가스 방전 표시 장치는 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판 사이에 설치된 행 전극쌍을 피복하는 유전체층의 보호층이, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하며, 진공 자외선에 의해 여기되고 가시광을 발생하는 적색, 녹색, 청색의 형광체층 중 적어도 1색의 형광체층, 예컨대 적색 형광체층이 예컨대 보레이트계 적색 형광체인 (Y, Gd)BO3: Eu 등의 제1 형광체와, 이 제1 형광체에 비해 환원계 가스 및 탄화계 가스의 발생량이 적은 예컨대 인 바나듐계 적색 형광체인 Y(V, P)O4: Eu 등의 제2 형광체와의 혼합 형광체를 포함하는 가스 방전 표시 장치를 그 상위 개념의 실시형태로 하고 있다.
이 상위 개념의 실시형태를 구성하는 가스 방전 표시 장치는 형광체층 중의 예컨대 적색 형광체층이, 제1 형광체와 이 제1 형광체에 비해 환원계 가스 및 탄화계 가스의 발생량이 적은 제2 형광체와의 혼합 형광체에 의해 형성됨으로써, 가스 방전 표시 장치의 유전체층을 피복하는 보호층이 2차 전자 방출 기능이 높은 산화마그네슘 결정체를 포함하는 경우일지라도, 진공 자외선에 의해 여기될 때에 발생하는 가스량, 특히, 탄화계 가스(C0 가스) 및 환원계 가스(H2O 가스)의 가스량이, 종래의 적색 형광체층에 비해 적고, 보호층을 형성하는 산화마그네슘에의 영향이 작아져서 패널의 특성을 악화시키는 경우가 없으므로, 가스 방전 표시 장치의 휘도 전압 잔상 특성이나 패널 수명을 종래보다도 대폭 개선할 수 있다.
Claims (11)
- 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 상기 한 쌍의 기판 사이에 배치되고 서로 이격된 위치에서 교차하는 방향으로 연장되어 교차 부분의 방전 공간에 단위 발광 영역을 형성하는 행 전극쌍 및 열 전극과, 상기 행 전극쌍을 피복하는 유전체층과, 상기 유전체층을 피복하고 단위 발광 영역에 대향하는 보호층과, 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 적색, 녹색, 청색의 형광체층을 구비하며,상기 방전 공간 내에는 방전 가스가 봉입되고,상기 보호층은 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하며,상기 형광체층 중 적어도 1색의 형광체층은, 제1 형광체와 상기 제1 형광체에 비해 환원계 가스 및 탄화계 가스의 발생량이 적은 제2 형광체가 혼합된 형광체를 포함하고,상기 보호층은 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 박막 산화마그네슘층과 상기 박막 산화마그네슘층에 적층되어 형성된 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층에 의해 구성되고,상기 결정 산화마그네슘층은, 박막 산화마그네슘층의 전면을 덮도록 형성하거나 박막 산화마그네슘층을 부분적으로 덮도록 형성하고, 결정 산화마그네슘층을 부분적으로 형성하는 경우에는, 결정 산화마그네슘층의 박막 산화마그네슘층에 대한 면적비는 0.1 ~ 85%로 설정되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 1색의 형광체층은 적색 형광체층인 것인 가스 방전 표시 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 적색 형광체층에 포함되는 제1 형광체가 보레이트계 적색 형광체이며 제2 형광체가 인 바나듐계 적색 형광체인 것인 가스 방전 표시 장 치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 형광체는 (Y, Gd)BO3: Eu이며, 상기 제2 형광체는 Y(V, P)O4: Eu인 것인 가스 방전 표시 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 적색 형광체층에 포함되는 혼합 형광체가 20∼80 중량%의 제2 형광체를 포함하는 것인 가스 방전 표시 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 기상 산화법에 의해 생성된 산화마그네슘 단결정체인 것인 가스 방전 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 230∼250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 것인 가스 방전 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 2000 Å ~ 4000 Å 의 평균 입경을 갖는 것인 가스 방전 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 방전 가스는 10 체적% 이상의 크세논을 포함하는 것인 가스 방전 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체층은 비유전률이 8 이하인 무연계 유리 재료를 포함하는 것인 가스 방전 표시 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006092054A JP5000172B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ガス放電表示装置 |
JPJP-P-2006-00092054 | 2006-03-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070098578A KR20070098578A (ko) | 2007-10-05 |
KR101072936B1 true KR101072936B1 (ko) | 2011-10-17 |
Family
ID=38222379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070029761A KR101072936B1 (ko) | 2006-03-29 | 2007-03-27 | 가스 방전 표시 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7598664B2 (ko) |
JP (1) | JP5000172B2 (ko) |
KR (1) | KR101072936B1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4399344B2 (ja) | 2004-11-22 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
KR100913586B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2009-08-26 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
JP2009129617A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
JP2009164098A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-23 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
KR20090081045A (ko) * | 2008-01-23 | 2009-07-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP2009218025A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
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JP2009218133A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100490540B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
EP1517349A3 (en) | 2003-09-18 | 2008-04-09 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Plasma display panel and plasma display apparatus |
JP3842276B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2006-11-08 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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KR20060000515A (ko) | 2004-06-29 | 2006-01-06 | 대주전자재료 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 무연 유리 조성물 |
US7956540B2 (en) * | 2004-08-17 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
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JP4683547B2 (ja) | 2004-09-16 | 2011-05-18 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006092054A patent/JP5000172B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-27 KR KR1020070029761A patent/KR101072936B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-03-28 US US11/727,679 patent/US7598664B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7598664B2 (en) | 2009-10-06 |
JP5000172B2 (ja) | 2012-08-15 |
JP2007265914A (ja) | 2007-10-11 |
KR20070098578A (ko) | 2007-10-05 |
US20070228980A1 (en) | 2007-10-04 |
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---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140923 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150917 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |