KR101068740B1 - Seed chuck of silicon single crystal ingot grower - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척을 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척은, 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 구비되어, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 시드를 결합 고정시키는 시드척에 있어서, 상부에 상승 또는 하강하는 로프가 체결되는 로프 체결부가 형성되고, 하부에 상기 시드가 수용되어 고정되는 시드 결합부가 형성된 시드척 몸체;를 포함하고, 상기 시드척 몸체에는 내부에 진공 상태를 유지한 채 일정량의 냉매를 충진시킨 후 양 끝단을 밀봉시켜 형성된 냉각 파이프가 삽입될 수 있도록 상기 시드척 몸체에 삽입홀이 형성되고, 상기 삽입홀에 상기 냉각 파이프가 결합되는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a seed chuck of a silicon single crystal ingot growth apparatus. The seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus according to the present invention is provided in the silicon single crystal ingot growth apparatus by the Czochralski method, and the seed chuck which bonds and fixes the seed for growing the silicon single crystal ingot is raised or lowered at the top. And a seed chuck body having a rope coupling portion to which the rope is fastened, and a seed coupling portion formed to receive and fix the seed at a lower portion thereof, wherein the seed chuck body is filled with a predetermined amount of refrigerant while maintaining a vacuum state therein. After insertion, an insertion hole is formed in the seed chuck body so that a cooling pipe formed by sealing both ends is formed, and the cooling pipe is coupled to the insertion hole.

본 발명에 따르면, 냉각수단이 마련된 시드척을 이용하여 몸체부 성장 공정 시 시드 넥부위의 온도를 저하시켜 인장강도 값을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 대구경 실리콘 단결정 잉곳을 안전하게 성장시킬 수 있다.According to the present invention, by using a seed chuck provided with cooling means, the tensile strength value may be increased by lowering the temperature of the seed neck portion during the body growth process. As a result, large-diameter silicon single crystal ingots can be safely grown.

쵸크랄스키(CZ) 법, 시드(Seed), 시드척, 냉각 파이프, 수냉관 Czochralski (CZ) method, seed, seed chuck, cooling pipe, water cooling pipe

Description

실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척{Seed chuck of silicon single crystal ingot grower}Seed chuck of silicon single crystal ingot grower

본 발명은 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 쵸크랄스키 법을 이용한 실리콘 단결정 성장 장치에 설치되는 시드척에 냉각 수단을 장착한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척에 관한 것이다.The present invention relates to a seed chuck of a silicon single crystal ingot growth apparatus, and more particularly, to a seed chuck of a silicon single crystal ingot growth apparatus equipped with cooling means in a seed chuck installed in a silicon single crystal growth apparatus using a Czochralski method. will be.

일반적으로, 반도체 등의 전자부품을 생산하기 위한 소재로 사용되는 실리콘 단결정 잉곳은 쵸크랄스키(Czochralski, 이하 CZ라 함) 법에 의해 제조된다. CZ 법에 의하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법은, 석영 도가니에 적층된 다결정 실리콘(poly silicon)과 불순물(dopant)을 약 1400℃ 이상에서 용융시켜 실리콘 융액(melt)을 형성하고, 실리콘 단결정 잉곳으로 성장시키는 시드(seed)를 시드척(seed chuck)에 장착하여 실리콘 융액의 표면에 디핑(dipping) 시키고, 시드를 따라 성장하는 성장 결정의 직경을 최대한 줄이면서 인상하는 넥킹(necking) 공정과, 성장 결정을 목적하는 결정직경까지 확장시키는 숄더링(shouldering) 공정을 거쳐, 몸체부 성장(body growth) 공정에서 시드를 천천히 인상시켜 실리콘 단결정 잉곳을 원하는 길이로 성장시킨다.In general, a silicon single crystal ingot used as a material for producing electronic parts such as semiconductors is manufactured by the Czochralski (hereinafter referred to as CZ) method. In the method of growing a silicon single crystal ingot by the CZ method, polycrystalline silicon and dopant stacked in a quartz crucible are melted at about 1400 ° C. or higher to form a silicon melt, and the silicon single crystal ingot is formed into a silicon single crystal ingot. A necking process for attaching a growing seed to a seed chuck, dipping the surface of the silicon melt, and pulling up while minimizing the diameter of the growing crystal growing along the seed. Through the shouldering process of expanding the crystal to the desired crystal diameter, the seed is slowly raised in the body growth process to grow the silicon single crystal ingot to the desired length.

도 1은 종래기술에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 구조를 설명하기 위해 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.1 is a view for explaining the structure of a silicon single crystal ingot growth apparatus according to the prior art, Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged portion A of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치(1)는, 챔버(2) 내부(핫존 ; hot zone)에 실리콘 융액(M)이 수용되는 석영 도가니(3)와, 상기 석영 도가니(3)의 외주면을 감싸며 석영 도가니(3)를 일정한 형태로 지지하는 도가니 하우징(4)과, 상기 도가니 하우징(4) 하단에 설치되어 하우징(4)과 함께 석영 도가니(3)를 회전시키는 도가니 회전수단(5)과, 상기 도가니 하우징(4)의 측벽으로부터 소정 거리 이격되어 석영 도가니(3)를 가열하는 히터(6)와, 상기 히터(6)로부터 발생되는 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열수단(7)과, 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 성장 소스인 시드(11)가 결합 고정되고, 고정된 시드(11)를 석영 도가니(3) 내에 수용된 실리콘 융액(M)에 디핑 시키고, 시드(11)로부터 성장하는 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 하중을 지탱하는 시드척(10)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the silicon single crystal ingot growth apparatus 1 includes a quartz crucible 3 in which a silicon melt M is accommodated inside a chamber 2 (hot zone), and the quartz crucible 3. Crucible housing means for enclosing the outer circumferential surface of) and supporting the quartz crucible 3 in a constant shape, and a crucible rotating means installed at the bottom of the crucible housing 4 to rotate the quartz crucible 3 together with the housing 4. (5), a heater (6) for heating the quartz crucible (3) spaced a predetermined distance from the side wall of the crucible housing (4), and heat insulation to prevent the heat generated from the heater (6) outflow The means 7 and the seed 11, the growth source of the silicon single crystal ingot IG, are fixed and bonded, and the fixed seed 11 is dipped into the silicon melt M contained in the quartz crucible 3, and the seed ( A seed chuck 10 supporting the load of the silicon single crystal ingot IG growing from The.

여기서, 종래의 시드척(10)에 대하여 도 2를 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Here, the conventional seed chuck 10 will be described in more detail with reference to FIG. 2 as follows.

도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 시드척(10)은 인상 구동수단(미도시)과 연결되어 상승 또는 하강하는 로프(8)가 상부에 체결되고, 실리콘 단결정 잉곳의 성장 소스인 시드(11)가 수용 고정된다.As shown in FIG. 2, the conventional seed chuck 10 is connected to an impression driving means (not shown), and a rope 8 that rises or descends is fastened to an upper portion thereof, and a seed 11 that is a growth source of a silicon single crystal ingot is illustrated. ) Is accommodated and fixed.

이러한 시드척(10)에 고정된 시드(11)는 실리콘 단결정 잉곳(IG)이 성장됨에 따라 넥킹 공정에서 시드(11) 하단부에 형성된 시드 넥부위(12) 측으로 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 하중이 그대로 인가된다. 일반적으로, 시드 넥부위(12)의 직경이 5mm인 경우 상온에서 시드 넥부위(12)가 견딜 수 있는 하중은 약 400kg 정도로 알려져 있다. 그런데, 최근 실리콘 단결정 잉곳(IG)이 점차로 대구경화 되어가면서 시드 넥부위(12)가 고하중을 견디지 못하고 파손되면서 성장중인 실리콘 단결정 잉곳(IG)이 낙하되는 문제가 발생되고 있다.As the seed 11 fixed to the seed chuck 10 grows as the silicon single crystal ingot IG grows, the load of the silicon single crystal ingot IG is increased toward the seed neck portion 12 formed at the lower end of the seed 11 in the necking process. It is applied as is. In general, when the diameter of the seed neck portion 12 is 5mm, the load that the seed neck portion 12 can bear at room temperature is known to be about 400 kg. However, as the silicon single crystal ingot IG is gradually enlarged in recent years, the seed neck portion 12 does not endure high loads and is damaged, resulting in a problem of falling silicon single crystal ingot IG.

이러한 문제를 해결하기 위해, 종래에는 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 고하중을 견딜 수 있도록 시드 넥부위(12)의 두께를 증가시키거나, 시드척(10) 또는 시드(11)의 구조를 변경하는 방안을 고려하였다. 그러나, 시드 넥부위(12)의 두께를 증가시키는 방법은 두께가 증가된 시드 넥부위(12)의 내외부 온도차가 커지면서 전단응력(shear stress)이 증가되고, 전위전파속도가 빨라져서 전위제어가 어려워 지는 문제가 있었다. 또한, 시드척(10) 또는 시드(11)의 구조를 변경하는 방법은 시드척(10)에 장착된 시드(11)에 응력이 집중되는 문제들은 해소할 수 있었으나, 실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장 시 몸체부 성장 초기에 시드 넥부위(12)에 인가되는 약 900℃ 이상의 온도로 인해 실리콘이 상온에서 견딜 수 있는 인장 스트레스 값보다 더 낮은 인장 스트레스 값을 갖게 되는 것에 대한 문제는 전혀 고려되지 않았다.In order to solve this problem, conventionally, to increase the thickness of the seed neck portion 12 or to change the structure of the seed chuck 10 or seed 11 to withstand the high load of the silicon single crystal ingot (IG). Consideration was made. However, in the method of increasing the thickness of the seed neck portion 12, the shear stress increases as the temperature difference between the inside and the outside of the seed neck portion 12 increases in thickness, and the potential propagation speed becomes difficult, so that the potential control becomes difficult. There was a problem. In addition, the method of changing the structure of the seed chuck 10 or the seed 11 was able to solve the problem of stress concentration in the seed 11 mounted on the seed chuck 10, but the silicon single crystal ingot (IG) growth Due to the temperature of about 900 ° C. or more applied to the seed neck portion 12 at the beginning of the growth of the body part, the problem of having a tensile stress value lower than the tensile stress value that can be tolerated at room temperature was not considered at all.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 시드척에 냉각수단을 마련하여 시드 넥부위의 온도를 저하시키고 실리콘 탄성영역의 인장 스트레스 값을 증가시켜 고하중의 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있도록 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by providing a cooling means in the seed chuck to lower the temperature of the seed neck portion and increase the tensile stress value of the silicon elastic region to grow a high-load silicon single crystal ingot The purpose is to provide a seed chuck for a silicon single crystal ingot growth apparatus.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척은, 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 구비되어, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 시드를 결합 고정시키는 시드척에 있어서, 상부에 상승 또는 하강하는 로프가 체결되는 로프 체결부가 형성되고, 하부에 상기 시드가 수용되어 고정되는 시드 결합부가 형성된 시드척 몸체;를 포함하고, 상기 시드척 몸체에는 내부에 진공 상태를 유지한 채 일정량의 냉매를 충진시킨 후 양 끝단을 밀봉시켜 형성된 냉각 파이프가 삽입될 수 있도록 상기 시드척 몸체에 삽입홀이 형성되고, 상기 삽입홀에 상기 냉각 파이프가 결합되는 것을 특징으로 한다.Seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem is provided in the silicon single crystal ingot growth apparatus by the Czochralski method, to bond and fix the seed for growing the silicon single crystal ingot A seed chuck, comprising: a seed chuck body having a rope fastening portion to which an upward or descending rope is fastened, and a seed coupling portion to receive and fix the seed at a lower portion thereof, wherein the seed chuck body has a vacuum inside the seed chuck body It is characterized in that the insertion hole is formed in the seed chuck body so that the cooling pipe formed by filling a predetermined amount of refrigerant while maintaining the state to seal both ends is inserted, the cooling pipe is coupled to the insertion hole. .

바람직하게, 상기 삽입홀은 일정 각도 기울어지게 형성된다.Preferably, the insertion hole is formed to be inclined at an angle.

본 발명에 있어서, 상기 냉각 파이프의 외부 중간부에는 열 분리 판이 더 구비될 수 있다.In the present invention, the outer separation portion of the cooling pipe may be further provided with a heat separation plate.

바람직하게, 상기 삽입홀은 시드척 몸체의 길이 방향을 따라 방사상으로 형 성된다.Preferably, the insertion hole is radially formed along the longitudinal direction of the seed chuck body.

바람직하게, 상기 냉각 파이프는 상기 삽입홀에 끼움 맞춤으로 삽입하여 결합된다.Preferably, the cooling pipe is inserted into the insertion hole by fitting.

본 발명에 있어서, 상기 삽입홀 내부와 냉각 파이프 외면 일부분에는 각각 대응되는 암수 나사선이 형성될 수 있다.In the present invention, male and female threads corresponding to the inside of the insertion hole and the outer portion of the cooling pipe may be formed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척은, 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 구비되어, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 시드를 결합 고정시키는 시드척에 있어서, 상부에 상승 또는 하강하는 로프가 체결되는 로프 체결부가 형성되고, 하부에 상기 시드가 수용되어 고정되는 시드 결합부가 형성된 시드척 몸체;를 포함하고, 상기 시드척 몸체에는 몸체 내부로 냉매가 유동될 수 있도록 유입구와 유출구를 구비하는 수냉관이 형성되는 것을 특징으로 한다.Seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is provided in the silicon single crystal ingot growth apparatus by the Czochralski method, to bond and fix the seed for growing the silicon single crystal ingot A seed chuck, comprising: a seed chuck body having a rope fastening portion for fastening or descending a rope to an upper portion thereof, and a seed coupling portion for receiving and fixing the seed at a lower portion thereof, wherein the seed chuck body has a body inside the body; A water cooling tube having an inlet and an outlet may be formed to allow the refrigerant to flow.

본 발명에 있어서, 상기 수냉관에 유동되는 냉매는 액상 냉매이다.In the present invention, the refrigerant flowing in the water cooling tube is a liquid refrigerant.

본 발명에 있어서, 상기 수냉관의 유입구와 유출구를 통해 냉매가 순환될 수 있도록 하는 순환 펌프를 더 포함할 수 있다.In the present invention, it may further include a circulation pump to allow the refrigerant to be circulated through the inlet and outlet of the water cooling tube.

본 발명에 따르면, 냉각수단이 마련된 시드척을 이용하여 몸체부 성장 공정 시 시드 넥부위의 온도를 저하시켜 시드의 인장 스트레스 값을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 대구경 실리콘 단결정 잉곳을 안전하게 성장시킬 수 있다.According to the present invention, by using a seed chuck provided with cooling means, the tensile stress value of the seed may be increased by lowering the temperature of the seed neck portion during the body growth process. As a result, large-diameter silicon single crystal ingots can be safely grown.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자의 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, words used in this specification and claims are not to be construed as limiting in their usual or dictionary sense, but rather to properly define the concept of terms in order to best describe the inventor's own invention in the best way possible. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that it can. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

본 발명에 따른 시드척은, 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 구성요소로 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 시드를 수용하여 고정시키는 수단이다. 본 발명에서는 상기 시드척에 실리콘 단결정 잉곳 성정 공정에서 시드척과 시드척에 수용된 시드의 온도를 효과적으로 저감시킬 수 있도록 냉각수단을 채용한 구성을 제안한다. 이하, 본 발명에 따른 시드척을 도면을 참조하여 상세히 설명한다. The seed chuck according to the present invention is a means for receiving and fixing a seed for growing a silicon single crystal ingot as a component of the silicon single crystal ingot growth apparatus. The present invention proposes a configuration in which the cooling means is employed to reduce the temperature of the seed chuck and the seeds accommodated in the seed chuck in the silicon single crystal ingot determination process. Hereinafter, the seed chuck according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 시드척을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 4의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.3 is a perspective view schematically illustrating a seed chuck according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 3, and FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 4. One enlarged cross section.

도면들을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 시드척(101)은, 시드척 몸체(111)와, 시드척 몸체(111) 상부에 인상 구동수단(미도시)과 연결되어 상승 또는 하강하는 로프(8)가 체결되는 로프 체결부(121)와, 시드척 몸체(111) 하부에 실리 콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 시드(11)가 수용되어 고정되는 시드 결합부(131)를 포함한다.Referring to the drawings, the seed chuck 101 according to the first embodiment of the present invention is connected to the seed chuck body 111 and the pulling chuck means (not shown) on the seed chuck body 111 to be raised or lowered. Rope fastening portion 121 to which the rope 8 is fastened, and a seed coupling portion 131 to which the seed 11 for growing the silicon single crystal ingot is accommodated and fixed in the seed chuck body 111. .

그리고, 상기 시드척 몸체(111)에는 시드척 몸체(111)의 길이 방향을 따라 방사상으로 다수의 삽입홀(112)이 형성되고, 상기 삽입홀(112)에는 냉각 수단으로 냉각 파이프(140)가 끼움 맞춤으로 삽입된다. 대안으로, 상기 삽입홀(112)의 내면과 상기 냉각 파이프(140)의 외주면에 나사선을 형성하고 나사 결합을 통해 냉각 파이프(140)를 상기 삽입홀(112)에 설치하는 것도 가능하다. 따라서 본 발명에서 끼움 맞춤이라는 용어는 나사 결합이나 기타 다른 공지의 결합 구조를 모두 포괄하는 것으로 이해되어야 할 것임은 자명하다. 바람직하게, 상기 삽입홀(112)은 일정 각도 기울어지게 형성되어 냉각 파이프(140)는 일정 각도 기울어진 형태로 삽입홀(112)에 끼움 맞춤으로 삽입된다. 이런 경우 냉각 파이프(140) 내에 포함된 냉매의 유동 속도를 증가시켜 냉각 파이프(140)의 냉각 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, a plurality of insertion holes 112 are radially formed in the seed chuck body 111 along a longitudinal direction of the seed chuck body 111, and a cooling pipe 140 is provided as a cooling means in the insertion hole 112. It is inserted with a fitting fit. Alternatively, it is possible to form a screw line on the inner surface of the insertion hole 112 and the outer circumferential surface of the cooling pipe 140 and to install the cooling pipe 140 in the insertion hole 112 through screwing. Therefore, it is to be understood that the term fitting fit in the present invention encompasses both screw coupling and other known coupling structures. Preferably, the insertion hole 112 is formed to be inclined at an angle so that the cooling pipe 140 is inserted into the insertion hole 112 in a form of inclined at an angle. In this case, the cooling speed of the cooling pipe 140 may be improved by increasing the flow rate of the refrigerant included in the cooling pipe 140.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 냉각 파이프(140)는 튜브 형태의 내부를 진공 상태로 유지한 채 냉매를 충진시킨 후 밀봉한 것이다. 여기서, 상기 냉매는 물, 액체 질소, 헬륨 등이 사용될 수 있는데 본 발명이 냉매의 종류에 의해 한정되는 것은 아니다. 참고로, 상기 냉각 파이프(140)는 본 발명이 속한 기술분야에서 히트 파이프로 널리 알려져 있다.As shown in FIG. 5, the cooling pipe 140 is sealed after filling the refrigerant while maintaining the inside of the tube in a vacuum state. Here, the refrigerant may be water, liquid nitrogen, helium, etc. The present invention is not limited by the type of refrigerant. For reference, the cooling pipe 140 is widely known as a heat pipe in the art.

본 발명의 제1실시예에서 시드척 몸체(111)에 설치된 상기 냉각 파이프(140)는 실리콘 단결정 잉곳 성장 공정에서 냉각 파이프(140) 내부에 충진된 냉매를 통해 시드척(101)을 냉각시킨다. 보다 상세하게는, 냉각 파이프(140)에 충진된 냉매 는 액상 냉매(141) 또는 기상 냉매(142)의 형태를 갖는다. 냉각 파이프(140)가 일정 각도로 기울어진 형태로 설치되어 있기 때문에, 하부측(L)에는 액상 냉매(141)가 위치하게 되고, 상부측(H)에는 기상 냉매(142)가 위치하게 된다. 실리콘 단결정 잉곳 성장 공정이 시작되면, 핫존 내부의 온도가 상승하게 되고, 냉각 파이프(140) 하부측(L)의 액상 냉매(141)는 외부의 열을 흡수하여 증발하게 되고, 상부측(H)의 기상 냉매(142)는 열을 방출하고 응축되게 된다. 이러한 과정을 통해 액상 냉매(141)와 기상 냉매(142) 간의 열 전달이 유발되면서 시드척(101)을 냉각시키게 된다.In the first embodiment of the present invention, the cooling pipe 140 installed in the seed chuck body 111 cools the seed chuck 101 through a refrigerant filled in the cooling pipe 140 in the silicon single crystal ingot growth process. More specifically, the refrigerant filled in the cooling pipe 140 has the form of a liquid refrigerant 141 or a gaseous refrigerant 142. Since the cooling pipe 140 is inclined at a predetermined angle, the liquid phase refrigerant 141 is positioned at the lower side L, and the gaseous phase refrigerant 142 is positioned at the upper side H. When the silicon single crystal ingot growth process is started, the temperature inside the hot zone is increased, and the liquid refrigerant 141 of the lower side L of the cooling pipe 140 absorbs heat from outside and evaporates, and the upper side H is The gas phase refrigerant 142 of the heat will be released and condensed. Through this process, heat transfer between the liquid refrigerant 141 and the gaseous refrigerant 142 is induced, thereby cooling the seed chuck 101.

상기 냉각 파이프(140)의 외부 중간부에는 열 분리 판(143)이 더 구비되어 하부측(L)의 액상 냉매(141) 구간과 상부측(H)의 기상 냉매(142) 구간을 구분할 수도 있다.A heat separation plate 143 may be further provided at an outer middle portion of the cooling pipe 140 to distinguish between the liquid refrigerant 141 section on the lower side L and the gas phase refrigerant 142 section on the upper side H. .

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 시드척을 개략적으로 도시한 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a seed chuck according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 시드척(102)은, 시드척 몸체(112)와, 시드척 몸체(112) 상부에 인상 구동수단(미도시)과 연결되어 상승 또는 하강하는 로프(8)가 체결되는 로프 체결부(122)와, 시드척 몸체(112) 하부에 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 시드(11)가 수용되어 고정되는 시드 결합부(132)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the seed chuck 102 according to the second embodiment of the present invention is connected to the seed chuck body 112 and the pulling chuck means (not shown) on the seed chuck body 112 to raise or lower. It includes a rope fastening portion 122 to which the descending rope 8 is fastened, and a seed coupling part 132 to receive and fix a seed 11 for growing a silicon single crystal ingot under the seed chuck body 112. .

그리고, 상기 시드척 몸체(112)에는 몸체 내부로 냉매가 유동될 수 있도록 유입구(151)와 유출구(152)를 구비하는 수냉관(150)이 형성된다. 이 때, 시드 척(102)과 체결되는 로프(8)에는 냉각수 공급관(9)을 더 구비하여 로프(8)가 시드척(102)에 체결되는 것과 동시에, 상기 수냉관(150)의 유입구(151)와 유출구(152)가 냉각수 공급관(9)에 결합 연결되도록 한다. 대안적으로, 상기 냉각수 공급관(9)은 로프(8)의 외벽과 길이 방향으로 결합될 수도 있고, 로프(8)와는 독립적으로 설치될 수도 있다.In addition, the seed chuck body 112 is formed with a water cooling tube 150 having an inlet 151 and an outlet 152 to allow the refrigerant to flow into the body. At this time, the rope 8 coupled to the seed chuck 102 is further provided with a cooling water supply pipe 9 so that the rope 8 is fastened to the seed chuck 102 and at the same time the inlet port of the water cooling pipe 150 is provided. 151 and the outlet 152 is coupled to the cooling water supply pipe (9). Alternatively, the cooling water supply pipe 9 may be coupled to the outer wall of the rope 8 in the longitudinal direction, or may be installed independently of the rope 8.

본 발명의 제2실시예에서 시드척 몸체(112) 내부에 형성된 수냉관(150)은 실리콘 단결정 잉곳 성장 공정에서 상기 수냉관(150)의 유입구(151)를 통해 연속적으로 공급되는 냉매인 냉각수가 순환한 후, 다시 유출구(152)를 통해 배출되면서 시드척(102)을 냉각시킨다. 이 때, 상기 수냉관(150)의 유입구(151)와 유출구(152)는 순환 펌프(미도시)와 연결된 냉각수 공급관(9)을 통해 연속적으로 냉각수가 순환될 수 있도록 한다. 여기서, 냉매로 사용되는 냉각수는 물, 액체 질소, 헬륨 등이 사용될 수 있는데 본 발명이 냉매의 종류에 의해 한정되는 것은 아니다.In the second embodiment of the present invention, the water cooling tube 150 formed inside the seed chuck body 112 is a coolant that is a refrigerant continuously supplied through the inlet 151 of the water cooling tube 150 in a silicon single crystal ingot growth process. After circulation, the seed chuck 102 is cooled while being discharged through the outlet 152 again. At this time, the inlet 151 and the outlet 152 of the water cooling pipe 150 allows the cooling water to be continuously circulated through the cooling water supply pipe 9 connected to the circulation pump (not shown). Here, the cooling water used as the coolant may be water, liquid nitrogen, helium, etc. The present invention is not limited by the type of the coolant.

상술한 제1 및 제2실시예에 따르면, 시드척(101, 102)에 냉각 수단(냉각 파이프(140), 수냉관(150))을 구비시킴으로써 시드척(101, 102)의 온도를 효과적으로 냉각시킬 수 있고, 그 결과 시드척(101, 102)에 장착된 시드(11)의 온도를 종래보다 저감시킬 수 있다. 이를 통해, 본 발명에 따른 시드척(101, 102)에 장착된 시드(11)는 종래의 시드척에 장착된 시드보다 인장 스트레스 값이 상승하여 보다 큰 중량을 가진 대구경의 실리콘 단결정 잉곳을 안정적으로 성장시킬 수 있다.According to the first and second embodiments described above, the seed chucks 101 and 102 are equipped with cooling means (cooling pipes 140 and water cooling tubes 150) to effectively cool the temperature of the seed chucks 101 and 102. As a result, the temperature of the seed 11 mounted on the seed chucks 101 and 102 can be reduced as compared with the prior art. As a result, the seed 11 mounted on the seed chucks 101 and 102 according to the present invention has a higher tensile stress value than the seed mounted on the conventional seed chuck to stably maintain a large diameter silicon single crystal ingot having a larger weight. You can grow.

이하에서는 실험예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 이하의 실험예는 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 목적에서 기술하는 것이며, 본 발명이 실험예에 기재된 용어나 실험 조건 등에 의해 본 발명이 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples. The following experimental examples are described for the purpose of helping the understanding of the present invention, and the present invention should not be construed to limit the present invention to terms or experimental conditions described in the experimental examples.

<실험예>Experimental Example

도 7은 종래의 시드척을 이용하여 시드로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시켰을 때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 변화를 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the temperature change of the seed neck portion according to the length of the silicon single crystal ingot grown when the silicon single crystal ingot is grown from the seed using a conventional seed chuck.

본 실험예에서, 종래의 시드척에 시드를 장착하고 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액 표면에 시드를 디핑하여 시드 넥부위의 두께를 5 mm로 하여 넥킹 공정을 진행하였다. 그런 다음, 숄더링 공정을 통해 실리콘 단결정 잉곳의 직경을 300 mm까지 확장시킨 후, 몸체부 성장 공정에서 실리콘 단결정 잉곳의 성장 길이가 200 mm, 500 mm, 800 mm 및 1100 mm가 되었을 때 시드 넥부위의 온도를 각각 측정하였고 잉곳의 성장 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 변화를 도 7에 그래프로 나타내었다.In this experimental example, the necking process was carried out by mounting the seed on a conventional seed chuck and dipping the seed on the surface of the silicon melt contained in the quartz crucible to make the thickness of the seed neck portion 5 mm. Then, the diameter of the silicon single crystal ingot was extended to 300 mm through the shouldering process, and then the seed neck area was reached when the growth length of the silicon single crystal ingot became 200 mm, 500 mm, 800 mm, and 1100 mm in the body growth process. The temperature of each was measured and the temperature change of the seed neck portion according to the growth length of the ingot is shown graphically in FIG. 7.

도 7을 참조하면, 시드 넥부위의 온도는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 길이가 200 mm일 때 약 900℃ 이고, 500 mm일 때 약 640℃ 이고, 800 mm일 때 약 460℃ 이고, 1100 mm 일 때 약 350℃ 있었다. 이와 같이, 시드 넥부위의 온도는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 길이가 길어짐에 따라 점점 온도가 떨어지는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 7, the temperature of the seed neck region is about 900 ° C. when the growth length of the silicon single crystal ingot is 200 mm, about 640 ° C. when 500 mm, about 460 ° C. when 800 mm, and 1100 mm. There was about 350 ° C. As such, it can be seen that the temperature of the seed neck portion gradually decreases as the growth length of the silicon single crystal ingot becomes longer.

도 8은 900℃의 온도 조건에서 선형 변형량에 따라 실리콘에 인가되는 인장 스트레스 값을 나타낸 그래프이고, 하기 표 1은 도 7의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 측정 결과를 이용하여 시드 넥부위의 두께가 5 mm 및 7 mm 인 경우 시드 넥부위에 가해지는 인장 스트레스 값을 산출한 결과를 정리한 것이다.FIG. 8 is a graph illustrating tensile stress values applied to silicon according to the linear deformation amount at a temperature of 900 ° C., and Table 1 below uses temperature measurement results of seed neck portions according to growth lengths of the silicon single crystal ingot of FIG. 7. When the thickness of the seed neck portion is 5 mm and 7 mm, the results of calculating the tensile stress applied to the seed neck portion are summarized.

몸체부 성장 길이Body Growth Length 시드 넥부위 두께(5mm)Seed neck thickness (5mm) 시드 넥부위 두께(7mm)Seed neck thickness (7mm) 200mm(900℃)200 mm (900 ° C) 4.02×108 4.02 × 10 8 2.01×108 2.01 × 10 8 500mm500 mm 9.63×108 9.63 × 10 8 4.82×108 4.82 × 10 8 800mm800 mm 1.52×109 1.52 × 10 9 7.6×108 7.6 × 10 8 1100mm1100mm 2.08×109 2.08 × 10 9 1.04×109 1.04 × 10 9

(단위 : dynes/cm2)(Unit: dynes / cm 2 )

도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘은 선형 변형량이 증가함에 따라 탄성변형과 소성변형을 하게 되며, 900℃ 조건에서 실리콘의 최대 하중 상항복점(Upper yield point)은 1.25×108 dynes/cm2 이고, 하항복점(Lower yield point)은 0.9×108 dynes/cm2 임을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 8, the silicon has elastic deformation and plastic deformation as the linear deformation increases, and the maximum yield yield point of silicon at 900 ° C. is 1.25 × 10 8 dynes / cm 2 . The lower yield point is 0.9 × 10 8 dynes / cm 2 .

특정 온도 조건에서 시드 넥부위의 인장 스트레스 값이 하항복점에 해당하는 인장 스트레스 값보다 커지면 시드 넥부위가 소성 변형에 의해 파손될 확률이 증가한다. 일 예로, 상기 표 1에서, 잉곳이 200mm까지 성장했을 때를 기준으로 보면, 시드 넥부위의 직경이 5mm인 경우와 7mm인 경우 모두 시드 넥부위에 인가되는 인장 스트레스 값이 900℃에서의 실리콘 하항복점에 해당하는 인장 스트레스 값보다 크다. 따라서 실리콘 단결정 잉곳을 인상할 때 잉곳의 성장 길이와 상관 없이 시드 넥부위의 온도가 900℃ 정도에 이르게 되면 시드 넥부위의 파손으로 인한 잉곳의 낙하 사고 발생 확률이 증가하게 된다.Under certain temperature conditions, if the tensile stress value of the seed neck portion is greater than the tensile stress value corresponding to the lower yield point, the probability that the seed neck portion is broken by plastic deformation increases. For example, in Table 1, when the ingot grows to 200 mm, the tensile stress value applied to the seed neck portion at both the diameter of the seed neck portion of 5 mm and 7 mm is lower than silicon at 900 ° C. It is greater than the tensile stress value corresponding to the yield point. Therefore, when pulling up the silicon single crystal ingot, if the temperature of the seed neck reaches 900 ° C regardless of the growth length of the ingot, the probability of occurrence of an ingot falling due to the breakage of the seed neck increases.

도 9는 도 7의 그래프와 본 발명에 따른 시드척을 이용하여 시드로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시켰을 때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 변화를 비교하여 나타낸 그래프이다.FIG. 9 is a graph illustrating a change in temperature of a seed neck portion according to a length of a silicon single crystal ingot grown when a silicon single crystal ingot is grown from a seed using the graph of FIG. 7 and the seed chuck according to the present invention.

본 실험예에서는, 본 발명에 따른 시드척을 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키면서 실리콘 단결정 잉곳의 성장 길이가 200mm, 500mm, 800mm 및 1100mm가 되었을 때 시드 넥부위의 온도를 측정하였고, 잉곳의 성장 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 변화를 도 9에 그래프로 나타내었다.In this experimental example, the temperature of the seed neck was measured when the growth lengths of the silicon single crystal ingots became 200 mm, 500 mm, 800 mm and 1100 mm while growing the silicon single crystal ingot using the seed chuck according to the present invention. The temperature change of the seed neck portion according to the graph is shown in FIG.

도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 시드척을 이용했을 때 시드 넥부위의 온도는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 길이가 200 mm일 때 약 700℃ 이고, 500 mm일 때 약 460℃ 이고, 800 mm일 때 약 320℃ 이고, 1100 mm 일 때 약 200℃ 있었다. 이와 같이, 본 발명에 따른 시드척을 이용할 경우 전반적으로 시드 넥부위의 온도가 종래보다 저감됨을 알 수 있다.9, the temperature of the seed neck portion when using the seed chuck according to the present invention is about 700 ℃ when the growth length of the silicon single crystal ingot is 200 mm, about 460 ℃ when the 500 mm, 800 mm days When about 320 ℃, when about 1100 mm was about 200 ℃. As such, in the case of using the seed chuck according to the present invention, it can be seen that the temperature of the seed neck portion is reduced as compared with the conventional art.

도 10은 실리콘 단결정 잉곳의 인상 시 종래의 시드척을 사용한 경우와 본 발명에 따른 시드척을 사용하였을 경우, 실리콘 단결정 잉곳이 200mm까지 성장되었을 때를 기준으로 실리콘의 상항복점 변화를 비교하여 나타낸 그래프이다.FIG. 10 is a graph showing a change in phase breakdown point of silicon based on when a silicon single crystal ingot is grown up to 200 mm when using a conventional seed chuck and a seed chuck according to the present invention when pulling up a silicon single crystal ingot. to be.

도 10에 도시된 바와 같이, 실리콘 단결정 잉곳이 200mm로 성장되었을 때 종래의 시드척을 이용하면 시드 넥부위 온도가 900℃였다. 이에 대해, 실리콘 단결정 잉곳이 200mm로 성장되었을 때 본 발명에 따른 시드척을 이용하면 시드 넥부위 온도가 700℃로 200℃가량 낮아졌다. 그 결과, 실리콘의 상항복점은 1.25×109 dynes/cm2에서 9.0×109 dynes/cm2로 7.2배 가량 상승하였다. 실리콘 상항복점이 7.2배 가량 상승하면 450mm 이상의 대구경을 갖는 실리콘 단결정 잉곳을 1100mm 이상 성장시키더라도 시드 넥부위에 인가되는 인장 스트레스 값이 실리콘의 상항복점보다 증가하여 시드 넥부위의 파손에 의한 잉곳의 낙하 사고를 효과적으로 방지할 수 있다.As shown in FIG. 10, when the silicon single crystal ingot was grown to 200 mm, the seed neck portion temperature was 900 ° C. using a conventional seed chuck. On the other hand, when the silicon single crystal ingot was grown to 200 mm, the seed neck portion temperature was lowered by about 200 ° C. to 700 ° C. using the seed chuck according to the present invention. As a result, the yield point of silicon rose 7.2 times from 1.25 × 10 9 dynes / cm 2 to 9.0 × 10 9 dynes / cm 2 . When the silicon yield yield point is increased by 7.2 times, even if the silicon single crystal ingot having a large diameter of 450mm or more is grown by 1100mm or more, the tensile stress applied to the seed neck part increases than the silicon yield point, so that the ingot falls due to the breakage of the seed neck part. Can effectively prevent accidents.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 시드척을 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키면, 몸체부 성장 공정에서 시드의 온도를 효과적으로 저감시켜 시드 넥부위가 탄성변형구간에서 견딜 수 있는 인장 스트레스 값을 종래보다 월등히 향상시킬 수 있다. 이를 통해, 실리콘 단결정이 450 mm이상으로 대구경화되어 하중이 증가하더라도 시드 넥부위의 파손 우려를 줄일 수 있어 보다 안정적으로 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다.As described above, when the silicon single crystal ingot is grown by using the seed chuck according to the present invention, the temperature of the seed is effectively reduced in the body growth process, so that the tensile stress value that the seed neck portion can withstand in the elastic deformation zone is more than conventional. It can be greatly improved. Through this, even if the silicon single crystal is largely hardened to 450 mm or more and the load is increased, it is possible to reduce the risk of damage to the seed neck portion, so that the silicon single crystal ingot can be grown more stably.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is intended by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.The following drawings, which are attached to this specification, illustrate preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the present invention serve to further understand the technical idea of the present invention, the present invention includes the matters described in such drawings. It should not be construed as limited to.

도 1은 종래기술에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 구조를 설명하기 위해 도시한 도면이다.1 is a view for explaining the structure of a silicon single crystal ingot growth apparatus according to the prior art.

도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion A of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 시드척을 개략적으로 도시한 사시도이다.3 is a perspective view schematically showing a seed chuck according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'of FIG. 3.

도 5는 도 4의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.5 is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion A of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 시드척을 개략적으로 도시한 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a seed chuck according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 종래의 시드척을 이용하여 시드로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시켰을 때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 변화를 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the temperature change of the seed neck portion according to the length of the silicon single crystal ingot grown when the silicon single crystal ingot is grown from the seed using a conventional seed chuck.

도 8은 900℃의 온도 조건에서 선형 변형량에 따라 실리콘에 인가되는 인장 스트레스 값을 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing the tensile stress value applied to the silicon according to the linear deformation amount at a temperature of 900 ℃.

도 9는 도 7의 그래프와 본 발명에 따른 시드척을 이용하여 시드로부터 실리 콘 단결정 잉곳을 성장시켰을 때 성장되는 실리콘 단결정 잉곳의 길이에 따른 시드 넥부위의 온도 변화를 비교하여 나타낸 그래프이다.FIG. 9 is a graph illustrating a change in temperature of a seed neck along a length of a silicon single crystal ingot grown when a silicon single crystal ingot is grown from a seed using the graph of FIG. 7 and the seed chuck according to the present invention.

도 10은 실리콘 단결정 잉곳의 인상 시 종래의 시드척을 사용한 경우와 본 발명에 따른 시드척을 사용하였을 경우, 실리콘 단결정 잉곳이 200mm까지 성장되었을 때를 기준으로 실리콘의 상항복점 변화를 비교하여 나타낸 그래프이다.FIG. 10 is a graph showing a change in phase breakdown point of silicon based on when a silicon single crystal ingot is grown up to 200 mm when using a conventional seed chuck and a seed chuck according to the present invention when pulling up a silicon single crystal ingot. to be.

Claims (9)

쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 구비되어, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 시드를 결합 고정시키는 시드척에 있어서,In the seed chuck which is provided in the silicon single crystal ingot growth apparatus by Czochralski method and bonds and fixes the seed which grows a silicon single crystal ingot, 상부에 상승 또는 하강하는 로프가 체결되는 로프 체결부가 형성되고, 하부에 상기 시드가 수용되어 고정되는 시드 결합부가 형성된 시드척 몸체;를 포함하고,And a seed chuck body having a rope fastening part configured to fasten or descend a rope to an upper part thereof, and a seed coupling part formed to receive and fix the seed at a lower part thereof. 상기 시드척 몸체에는 내부에 진공 상태를 유지한 채 일정량의 냉매를 충진시킨 후 양 끝단을 밀봉시켜 형성된 냉각 파이프가 삽입될 수 있도록 상기 시드척 몸체에 삽입홀이 형성되고, 상기 삽입홀에 상기 냉각 파이프가 결합되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.The seed chuck body is filled with a predetermined amount of refrigerant while maintaining a vacuum therein, and an insertion hole is formed in the seed chuck body so that cooling pipes formed by sealing both ends are inserted, and the cooling hole is inserted into the seed chuck body. Seed chuck of a silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the pipe is joined. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 삽입홀은 일정 각도 기울어지게 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.Seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the insertion hole is formed to be inclined at an angle. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉각 파이프의 외부 중간부에는 열 분리 판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.Seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the outer middle portion of the cooling pipe is further provided with a thermal separation plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 삽입홀은 상기 시드척 몸체의 길이 방향을 따라 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.The seed hole of the silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the insertion hole is formed radially along the longitudinal direction of the seed chuck body. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉각 파이프는 상기 삽입홀에 끼움 맞춤으로 삽입하여 결합하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.The cooling chuck seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the insertion and coupling to the insertion hole. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 삽입홀 내부와 냉각 파이프 외면 일부분에는 각각 대응되는 암수 나사선이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.The seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus, wherein the male and female threads are formed in the insertion hole and a portion of the outer surface of the cooling pipe. 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 구비되어, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 시드를 결합 고정시키는 시드척에 있어서,In the seed chuck which is provided in the silicon single crystal ingot growth apparatus by Czochralski method and bonds and fixes the seed which grows a silicon single crystal ingot, 상부에 상승 또는 하강하는 로프가 체결되는 로프 체결부가 형성되고, 하부에 상기 시드가 수용되어 고정되는 시드 결합부가 형성된 시드척 몸체;를 포함하고,And a seed chuck body having a rope fastening part configured to fasten or descend a rope to an upper part thereof, and a seed coupling part formed to receive and fix the seed at a lower part thereof. 상기 시드척 몸체에는 몸체 내부로 냉매가 유동될 수 있도록 유입구와 유출구를 구비하는 수냉관이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.The seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus, wherein the seed chuck body is formed with a water cooling tube having an inlet and an outlet to allow the refrigerant to flow into the body. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 수냉관에 유동되는 냉매는 액상 냉매인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.Seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the refrigerant flowing in the water cooling tube is a liquid refrigerant. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 수냉관의 유입구와 유출구를 통해 냉매가 순환될 수 있도록 하는 순환 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치의 시드척.Seed chuck of the silicon single crystal ingot growth apparatus further comprises a circulation pump for circulating the refrigerant through the inlet and outlet of the water cooling tube.
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