KR101061909B1

KR101061909B1 - Laser Processing Method of Semiconductor Package

Info

Publication number: KR101061909B1
Application number: KR1020090105429A
Authority: KR
Inventors: 임태형; 일 허
Original assignee: 한미반도체 주식회사
Priority date: 2009-11-03
Filing date: 2009-11-03
Publication date: 2011-09-02
Also published as: KR20110048735A

Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 관한 것으로, 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀을 가공할 때 각 홀 사이의 경계 부분이 무너지지 않고 정확한 형태를 유지할 수 있도록 한 것이다. 이를 위한 본 발명의 한 형태에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법은, 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 1열 이상의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, 홀 열 위치를 따라 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀을 2 피치 이상의 간격으로 형성하는 제1단계와; 상기 홀 열의 각 홀 사이에 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀 사이에 홀을 형성하는 제2단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a laser processing method of a semiconductor package, so that when the laser is irradiated to the semiconductor package to process a plurality of holes, the boundary portion between each hole is not collapsed to maintain an accurate shape. In the laser processing method of a semiconductor package according to one aspect of the present invention, in the laser processing method of a semiconductor package for forming a row of holes in which a plurality of holes formed a predetermined pitch by irradiating a laser to the semiconductor package, Irradiating laser at intervals of two pitches or more along the hole row position to form a plurality of holes at intervals of two pitches or more; And a second step of forming a hole between the plurality of holes by irradiating a laser at intervals of two pitches or more between each hole of the hole row.

반도체 패키지, POP, 솔더볼, 홀, 레이저 Semiconductor Package, POP, Solder Ball, Hole, Laser

Description

반도체 패키지의 레이저 가공방법{Laser Processing Method for Manufacturing Semiconductor Packages}Laser Processing Method for Manufacturing Semiconductor Packages

본 발명은 반도체 패키지 제조 공정 중의 레이저 가공 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package) 타입 등의 반도체 패키지의 제조 과정에서 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수의 홀을 일정 간격으로 형성할 때 서로 인접한 홀 간의 격벽부가 무너지지 않으면서 정확한 가공이 이루어질 수 있도록 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method during a semiconductor package manufacturing process, and more particularly, to inspect a plurality of holes by irradiating a laser to a semiconductor package during a manufacturing process of a semiconductor package such as a package on package (PoP) type. The present invention relates to a laser processing method of a semiconductor package that allows accurate processing without collapsing partition portions between adjacent holes when formed at intervals.

최근들어 이동통신단말기, 휴대용 인터넷 디바이스, 휴대용 멀티미디어 단말기 등 다양한 기능을 갖는 소형 멀티 어플리케이션의 개발 추세에 따라 경박단소화를 구현함과 동시에 고용량 및 고집적화를 구현할 수 있는 멀티칩 패키지(MCP; Multi Chip Package) 및 패키지온패키지(PoP; Package on Package) 기술 등 다양한 반도체 패키징 기술이 개발되고 있다. Recently, in accordance with the development trend of small multi-applications having various functions such as mobile communication terminals, portable Internet devices, and portable multimedia terminals, a multi-chip package (MCP; Multi Chip Package) that can realize high-capacity and high-density, and high-capacity And various semiconductor packaging technologies such as Package on Package (PoP) technology.

이 중 패키지온패키지(PoP) 기술은 한 개 이상의 반도체 칩을 내장한 패키지를 상하로 적층하는 기술로서, 통상적으로 하부의 반도체 패키지의 상면에 상부 반도체 패키지와의 전기적 연결을 위한 복수개의 솔더볼을 형성하여, 하부 반도체 패 키지의 상측에 상부 반도체 패키지를 적층시킬 때 상부 반도체 패키지의 하부면에 형성된 솔더볼을 상기 하부의 반도체 패키지의 솔더볼에 접합시키는 기술이다. Among them, a package on package (PoP) technology is a technique of stacking a package containing one or more semiconductor chips up and down, and typically forms a plurality of solder balls for electrical connection with an upper semiconductor package on an upper surface of a lower semiconductor package. Thus, when the upper semiconductor package is stacked on the lower semiconductor package, the solder ball formed on the lower surface of the upper semiconductor package is bonded to the solder ball of the lower semiconductor package.

이러한 패키지온패키지 기술에 의해 2개의 반도체 패키지들을 서로 접합시킬 때 상,하부의 반도체 패키지들이 워페이지(warpage; 변형) 등이 발생할 경우에는 상,하부 반도체 패키지들의 솔더볼 간의 접합이 정확하게 이루어지지 않아 불량이 발생할 가능성이 높다.When the two semiconductor packages are bonded to each other by the package-on-package technology, when warpages occur in the upper and lower semiconductor packages, the solder balls of the upper and lower semiconductor packages are not precisely bonded. This is likely to occur.

이에 현재에는 하부의 반도체 패키지를 제조할 때 몰딩 공정에서 솔더볼이 형성되어 있는 부분까지 모두 몰딩을 하여 상,하부 반도체 패키지들 간의 워페이지 차이를 최소화한 다음, 레이저 빔 조사장치를 이용하여 반도체 패키지의 몰드부의 각 솔더볼 부분에 홀(hole)을 가공하여 솔더볼을 외부로 노출시킨 후, 상부 반도체 패키지를 적층시킬 때 상기 홀을 통해 상부 반도체 패키지의 솔더볼과 하부 반도체 패키지의 솔더볼을 상호 접속시키고 있다. Therefore, when manufacturing a lower semiconductor package, molding all parts up to a portion where solder balls are formed in a molding process minimizes warpage differences between upper and lower semiconductor packages, and then uses a laser beam irradiation apparatus to Holes are formed in each of the solder ball portions to expose the solder balls to the outside, and when the upper semiconductor packages are stacked, the solder balls of the upper semiconductor packages and the solder balls of the lower semiconductor packages are interconnected through the holes.

그런데, 상술한 것과 같이 레이저 빔 조사장치를 이용하여 반도체 패키지의 몰드부에 홀들을 가공할 때, 도 1에 도시한 것과 같이 레이저 빔 조사장치를 일방향으로 일정 간격으로 이동시키면서 반도체 패키지(11)의 테두리를 따라 홀(20)들을 연속적으로 순차 가공하게 되는데, 이 때, 홀(20) 간의 간격이 매우 좁기 때문에 도 2에 도시한 것처럼 레이저 가공에 의한 열응력으로 인하여 인접한 홀(20) 간의 경계 부분(25)(이 부분을 '격벽부'라고도 함)이 무너져 홀(20)이 서로 연통되는 현상이 발생하게 된다. 즉, 종래에는 레이저 빔 조사장치가 하나의 반도체 패키지 상에 레이저 빔을 조사하여 하나의 홀(20)을 가공한 뒤 곧바로 인접한 홀(20)을 가 공하게 되는데, 이 때 이전에 가공된 홀(20)에 남아있던 열에 의해 인접한 홀(20) 간의 경계 부분이 무너져버리는 현상이 발생하게 되며, 이로 인해 리플로우시 솔더볼이 서로 연접하거나 상부에 반도체 패키지를 적층시키는 과정에서 접속 불량이 발생하는 문제가 있다. However, when the holes are processed in the mold portion of the semiconductor package using the laser beam irradiation apparatus as described above, as shown in FIG. 1, the semiconductor beam 11 of the semiconductor package 11 is moved while moving the laser beam irradiation apparatus at a predetermined interval in one direction. Holes 20 are sequentially processed along the edges. At this time, since the gaps between the holes 20 are very narrow, boundary portions between adjacent holes 20 due to thermal stress by laser processing, as shown in FIG. (25) (sometimes referred to as the 'partition wall portion') collapses, causing the holes 20 to communicate with each other. That is, in the related art, the laser beam irradiator irradiates a laser beam onto one semiconductor package to process one hole 20 and then immediately process adjacent holes 20. In this case, a previously processed hole ( The boundary between the adjacent holes 20 collapses due to the heat remaining in 20). As a result, a problem in that a connection defect occurs when solder balls are connected to each other or a semiconductor package is stacked on the upper part during reflow is caused. have.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀을 가공할 때 각 홀 사이의 경계 부분이 무너지지 않고 정확한 형태를 유지할 수 있는 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 제공함에 있다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor package that can maintain the exact shape without collapsing the boundary between each hole when processing a plurality of holes by laser irradiation to the semiconductor package The present invention provides a laser processing method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 실시형태에 따르면, 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 1열 이상의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, 홀 열 위치를 따라 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀을 2 피치 이상의 간격으로 형성하는 제1단계와; 상기 홀 열의 각 홀 사이에 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀 사이에 홀을 형성하는 제2단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, in the laser processing method of a semiconductor package for forming a row of holes formed by a laser beam irradiating the semiconductor package with a plurality of holes at a constant pitch, Irradiating laser at intervals of two pitches or more along the hole row position to form a plurality of holes at intervals of two pitches or more; And a second step of forming a hole between a plurality of holes by irradiating a laser at intervals of two pitches or more between each hole of the hole row.

본 발명의 다른 한 실시형태에 따르면, 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 복수개의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, 레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 각 홀열 위치에 2피치 이상으로 홀을 형성하는 제1단계와; 레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 상기 제1단계에서 형성된 홀들 사이사이에 홀을 형성하는 제2단계를 포 함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, in a laser processing method of a semiconductor package for forming a plurality of hole rows in which a plurality of holes are formed with a predetermined pitch by irradiating a laser to the semiconductor package, the laser irradiation position is a plurality of hole rows. A first step of forming a hole with two pitches or more at each hole row position while moving zigzag in the diagonal direction of the position; And a second step of forming a hole between the holes formed in the first step while moving the laser irradiation position in a diagonal direction of the plurality of hole row positions. Is provided.

본 발명의 또 다른 한 실시형태에 따르면, 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 복수개의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, 어느 한 홀 열 위치를 따라 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀들을 2 피치 이상의 간격으로 형성하는 제1단계와; 레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 다른 하나 이상의 홀 열에 홀을 2피치 이상으로 형성함과 더불어, 상기 제1단계에서 형성된 홀들 사이사이에 홀을 형성하는 제2단계와; 상기 다른 하나 이상의 홀 열에서 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 홀 사이사이에 홀을 형성하는 제3단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법이 제공된다.According to still another embodiment of the present invention, in the laser processing method of a semiconductor package for forming a plurality of hole rows in which a plurality of holes are formed with a predetermined pitch by irradiating a laser to the semiconductor package, Irradiating a laser at intervals of two pitches or more to form a plurality of holes at intervals of two pitches or more; A second step of forming a hole between the holes formed in the first step, while forming a hole at least two pitches in the other one or more hole rows while moving the laser irradiation position in a diagonal direction of the plurality of hole row positions Wow; And a third step of forming a hole between the holes while moving the laser irradiation position in one direction in the other one or more rows of holes.

본 발명의 또 다른 한 실시형태에 따르면, 반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 복수개의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, 레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 복수개의 홀 열에 홀을 2피치 이상으로 형성하는 제1단계와; 상기 제1단계에서 홀이 형성된 어느 한 홀열 위치를 따라 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 홀 사이사이에 홀을 형성하는 제2단계와; 상기 제1단계에서 홀이 형성된 다른 한 홀열 위치를 따라 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 홀 사이사이에 홀을 형성하는 제3단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법이 제공된다.According to still another embodiment of the present invention, in the laser processing method of a semiconductor package for forming a plurality of hole rows in which a plurality of holes are formed with a predetermined pitch by irradiating a laser to the semiconductor package, the laser irradiation position is a plurality of holes A first step of forming a hole in a plurality of hole rows with two pitches or more while moving zigzag in the diagonal direction of the row position; A second step of forming holes between the holes while moving the laser irradiation position in one direction along one of the hole row positions in which the holes are formed in the first step; And a third step of forming a hole between the holes while moving the laser irradiation position in one direction along the other hole row position where the hole is formed in the first step. .

본 발명에 따르면, 서로 인접한 홀이 연속적으로 가공되지 않고, 홀 간격이 상대적으로 넓은 사선 방향 또는 각 홀열 위치에서 2피치 이상의 간격으로 홀이 형성되므로 레이저 가공시 발생하는 열응력에 의해 서로 인접한 홀 간의 경계부가 무너지는 현상이 발생하지 않으며, 홀이 일정한 형태와 피치로 정확하게 형성될 수 있게 된다. According to the present invention, holes adjacent to each other are not continuously processed, and holes are formed at intervals of two pitches or more in a diagonal direction with a wider hole spacing or at each hole row position. The collapse of the boundary does not occur, and the hole can be accurately formed in a constant shape and pitch.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of a laser processing method of a semiconductor package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공 방법의 첫번째 실시예를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 반도체 스트립(10) 상에 복수개의 반도체 패키지(11)들이 비절단 상태로 m×n 매트릭스 배열 구조로 형성되며, 반도체 스트립(10)의 각 반도체 패키지(11)에는 솔더볼(12)(도 2참조)을 외부로 노출시키기 위하여 솔더볼(12)에 대응하는 위치마다 홀(20)이 일정 피치(P)로 형성된다. 이 실시예에서 상기 반도체 패키지(11)에 형성되는 홀(20)은 반도체 패키지(11)의 가장자리를 따라 2열로 배열되며, 좌우와 상하 간이 동일한 피치(P)를 갖는다. First, Figure 3 shows a first embodiment of a laser processing method of a semiconductor package according to the present invention. Referring to FIG. 3, a plurality of semiconductor packages 11 are formed in an m × n matrix array structure in a non-cut state on a semiconductor strip 10, and solder balls are formed on each semiconductor package 11 of the semiconductor strip 10. In order to expose 12) (see FIG. 2) to the outside, holes 20 are formed at a predetermined pitch P at positions corresponding to the solder balls 12. In this embodiment, the holes 20 formed in the semiconductor package 11 are arranged in two rows along the edge of the semiconductor package 11 and have the same pitch P between left and right.

전술한 것과 같이 상기 홀(20)은 레이저 빔 조사장치에 의해 가공된다. 도 3에 도시된 첫번째 실시예에 따른 레이저 가공방법은 레이저를 제1홀열(21) 위치와 제2홀열(22) 위치를 따라 사선 방향으로 이동시키면서 지그재그로 서로 교차되게 조사하여 제1홀열(21)과 제2홀열(22)에 복수개의 홀(20)을 일정 피치로 형성하는 방법이다. As described above, the hole 20 is processed by a laser beam irradiation apparatus. In the laser processing method according to the first embodiment shown in FIG. 3, the laser is irradiated to cross each other in a zigzag direction while moving the laser along the position of the first hole row 21 and the second hole row 22 in an oblique direction. ) And the second hole row 22 to form a plurality of holes 20 at a constant pitch.

예를 들어, 제1홀열(21) 위치에 레이저를 조사하여 첫번째 홀(20)을 형성한 다음, 도면에 화살표로 도시된 것과 같이 레이저를 사선 방향으로 이동시켜 제2홀열(22)에 홀(20)을 형성하고, 다시 레이저를 사선 방향으로 이동시켜 제1홀열(21)에 홀(20)을 형성하는 과정을 반복하여 반도체 패키지(11)의 둘레를 따라 제1홀열(21)과 제2홀열(22)에 교대로 2 피치 간격으로 홀(20)들을 형성한다. For example, the first hole 20 is formed by irradiating a laser at the position of the first hole row 21, and then moving the laser in an oblique direction as shown by an arrow in the drawing to form a hole ( 20 and repeating the process of forming the holes 20 in the first hole rows 21 by moving the laser in an oblique direction again, thereby forming the first hole rows 21 and the second along the circumference of the semiconductor package 11. The holes 20 are alternately formed in the hole rows 22 at two pitch intervals.

이어서, 레이저를 상기 제1홀열(21)의 홀(20) 사이에 조사하여 홀(20)을 형성한 다음, 레이저를 사선 방향으로 이동시켜 제2홀열(22)의 홀(20) 사이에 홀(20)을 형성하고, 다시 레이저를 사선 방향으로 이동시켜 제1홀열(21)의 홀(20) 사이에 다른 홀(20)을 교대로 형성하는 과정을 반복한다. Subsequently, a laser is irradiated between the holes 20 of the first hole row 21 to form the holes 20, and then the laser is moved in an oblique direction to move the holes between the holes 20 of the second hole rows 22. 20 is formed, and the process of alternately forming another hole 20 between the holes 20 of the first hole rows 21 by moving the laser in an oblique direction is repeated.

이와 같이, 레이저를 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 홀(20)을 형성하는 경우, 사선 방향의 홀(20) 간격(d2)이 서로 인접하고 있는 홀(20)들 간의 간격(d1)보다 크기 때문에 먼저 가공된 홀(20)과 후속 가공되는 홀(20) 사이의 격벽부(25; 도 2참조)가 무너지는 현상이 발생하지 않는다. 또한, 레이저가 반도체 패키지(11)의 둘레를 따라 지그재그로 이동하면서 홀(20)을 2피치 간격으로 형성하여 초기 위치로 돌아오는 동안 먼저 가공된 홀(20)들의 열응력이 어느 정도 제거되기 때문에 레이저가 반도체 패키지(11)의 둘레를 따라 지그재그로 이동하면서 먼저 형성되어 있던 홀(20)과 홀(20) 사이사이에 홀(20)을 형성할 때 서로 인접하고 있는 홀(20) 사이의 격벽부(25; 도 2참조)가 무너지지 않는다. As described above, when the holes 20 are formed while moving the laser zigzag in the diagonal direction, the interval d2 of the holes 20 in the diagonal direction is larger than the distance d1 between the holes 20 adjacent to each other. The collapse of the partition wall 25 (see FIG. 2) between the first processed hole 20 and the subsequent processed hole 20 does not occur. In addition, since the laser moves zigzag along the circumference of the semiconductor package 11 to form the holes 20 at intervals of two pitches, the thermal stresses of the first processed holes 20 are removed to some extent while returning to the initial position. The partition wall between the holes 20 adjacent to each other when the laser moves in a zigzag direction along the circumference of the semiconductor package 11 to form the holes 20 between the holes 20 and the holes 20 previously formed. The part 25 (refer FIG. 2) does not collapse.

따라서, 레이저 가공에 의해 홀(20)이 형성될 때 홀(20) 주변의 격벽부(25)가 무너지는 현상이 없이 정확한 형태와 일정한 피치(P)로 홀(20)이 형성될 수 있다.Therefore, when the hole 20 is formed by laser processing, the hole 20 may be formed in an accurate shape and a constant pitch P without the collapse of the partition 25 around the hole 20.

이 실시예에서는 홀(20)이 2열로 배열되는 경우를 예시하였지만, 홀(20)이 3열 이상으로 배열되는 경우에도 전술한 것과 같이 레이저를 사선 방향으로 지그재그로 이동시키는 과정을 3회 이상 수행하여 홀(20)들을 형성하면 홀(20)의 주변부가 무너지는 현상없이 일정한 형태로 홀(20)들을 가공할 수 있을 것이다. In this embodiment, the case in which the holes 20 are arranged in two rows is illustrated, but even when the holes 20 are arranged in three or more rows, the process of moving the laser zigzag in the diagonal direction is performed three or more times as described above. If the holes 20 are formed, the holes 20 may be processed in a predetermined form without the periphery of the holes 20 being collapsed.

도 4는 본 발명에 따른 레이저 가공방법의 두번째 실시예를 나타낸 것으로, 이 두번째 실시예는 반도체 패키지(11)에 홀열이 단일하게 형성되는 경우에 적합한 레이저 가공방법을 예시하고 있다. 4 shows a second embodiment of the laser processing method according to the present invention, which illustrates a laser processing method suitable for the case where a single row of holes is formed in the semiconductor package 11.

이 두번째 실시예에 따른 레이저 가공방법은 반도체 패키지(11)의 테두리를 따라 레이저를 일방향으로 이동시키면서 홀열 위치를 따라 복수개의 홀(20)들을 2피치 이상의 간격으로 형성한 다음, 다시 레이저를 일방향으로 이동시키면서 각 홀(20) 사이마다 홀(20)을 형성하는 방법이다. In the laser processing method according to the second embodiment, the plurality of holes 20 are formed at intervals of two or more pitches along the hole row position while moving the laser in one direction along the edge of the semiconductor package 11, and then the laser is moved in one direction again. The hole 20 is formed between each hole 20 while being moved.

예를 들어, 레이저를 홀열 위치를 따라 일방향으로 이동시키면서 홀수번째 홀(20)들을 순차적으로 가공한 다음, 다시 레이저를 일방향으로 이동시키면서 짝수번째 홀(20)들을 순차적으로 가공시킨다. For example, the odd-numbered holes 20 are sequentially processed while the laser is moved in one direction along the hole row position, and then the even-numbered holes 20 are sequentially processed while the laser is moved in one direction.

이와 같이 홀(20)을 2피치 간격으로 이격되게 형성하면, 홀(20) 간격이 크기 때문에 홀(20) 사이가 무너지는 현상이 발생하지 않는다. 그리고, 레이저가 반도체 패키지(11)의 둘레를 따라 홀수번째 홀(20)들을 순차적으로 형성하여 초기 위치로 돌아오는 동안 먼저 가공된 홀(20)들의 열응력이 어느 정도 제거되기 때문에 레이저가 반도체 패키지(11)의 둘레를 따라 이동하면서 짝수번째 홀(20)을 형성할 때 서로 인접하고 있는 홀(20) 사이의 격벽부가 무너지지 않는다. When the holes 20 are spaced apart at two pitch intervals as described above, the gap between the holes 20 does not occur because the gaps of the holes 20 are large. The laser is a semiconductor package because the thermal stresses of the first processed holes 20 are removed to some extent while the laser sequentially forms the odd-numbered holes 20 along the circumference of the semiconductor package 11 and returns to the initial position. When forming the even-numbered holes 20 while moving along the circumference of (11), the partition walls between the holes 20 adjacent to each other do not collapse.

이 실시예에서는 홀수번째 홀(20)들을 먼저 가공하고 짝수번째 홀(20)들을 나중에 가공하였지만, 이와 반대로 짝수번째 홀(20)들을 먼저 가공하고 홀수번째 홀(20)들을 나중에 가공할 수도 있을 것이다. In this embodiment, the odd-numbered holes 20 are processed first and the even-numbered holes 20 are later machined. On the contrary, the even-numbered holes 20 may be machined first and the odd-numbered holes 20 may be machined later. .

또한, 이 실시예에서는 홀(20)들을 2피치 간격으로 가공하였지만, 도 5에 도시한 것과 같이, 홀(20)들을 3피치 이상의 간격으로 복수회에 걸쳐 가공할 수도 있을 것이다. 즉, 1차적으로 1,4,7,10...번째 홀(20)들을 가공한 다음, 2차적으로 2,5,8,11...번째 홀(20)들을 가공하고, 마지막 3차때에 3,6,9,12... 번째 홀(20)들을 가공하여 서로 인접한 홀(20)들이 연속적으로 가공되지 않도록 하고, 이로써 서로 인접한 홀(20) 사이 부분들이 무너지지 않도록 할 수도 있을 것이다. In addition, in this embodiment, the holes 20 are processed at intervals of two pitches, but as shown in FIG. 5, the holes 20 may be processed multiple times at intervals of three pitches or more. That is, the 1st, 4th, 7th, 10th ... th holes 20 are processed first, and the 2nd, 5th, 8th, 11th ... th holes 20 are processed secondarily, and the last 3rd time The third, sixth, ninth, twelfth ... th holes 20 may be processed to prevent the adjacent holes 20 from being sequentially processed, thereby preventing the parts between the adjacent holes 20 from collapsing.

그리고, 전술한 두번째 및 세번째 실시예들은 반도체 패키지(11)에 단일 홀열을 형성할 경우를 예시하고 있지만, 반도체 패키지(11)에 복수의 홀열(21, 22)을 형성할 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.In addition, although the above-described second and third embodiments illustrate a case where a single hole row is formed in the semiconductor package 11, the same applies to the case where a plurality of hole rows 21 and 22 are formed in the semiconductor package 11. Can be.

예를 들어, 도 6에 도시한 것과 같이, 제1홀열(21) 위치에서 홀수번째 홀(20)을 먼저 가공한 다음, 각 홀(20) 사이에 레이저를 조사하여 짝수번째 홀(20)을 가공하여 제1홀열(21)을 완성한다. 이어서, 제2홀열(22) 위치에 레이저를 조사하여 홀수번째 홀(20)을 먼저 가공한 다음, 각 홀(20) 사이에 레이저를 조사하여 짝수번째 홀(20)을 가공하여 제1홀열(21)을 완성한다. For example, as shown in FIG. 6, the odd-numbered holes 20 are first processed at the first hole rows 21, and then the even-numbered holes 20 are formed by irradiating a laser between the holes 20. The first hole row 21 is completed by processing. Subsequently, the odd-numbered holes 20 are processed first by irradiating a laser to the second hole rows 22, and then the even-numbered holes 20 are processed by irradiating a laser between the holes 20 to form the first hole rows ( 21) Complete.

이 실시예에서는 제1홀열(21)을 먼저 완성하고 제2홀열(22)을 완성하고 있지만, 이와 다르게 제1홀열(21)에 홀수번째 또는 짝수번째 홀(20)을 형성하고, 이어서 제2홀열(22)에 홀수번째 또는 짝수번째 홀(20)을 형성한 다음, 다시 제1홀열(21)의 각 홀 사이에 홀(20)을 형성하여 제1홀열(21)을 완성하고, 이어서 제2홀열(22)의 각 홀 사이에 홀(20)을 형성하여 제2홀열(22)을 완성할 수도 있을 것이다. In this embodiment, the first hole row 21 is completed first and the second hole row 22 is completed. Alternatively, the odd-numbered or even-numbered holes 20 are formed in the first hole row 21, and then the second hole row 22 is completed. After forming the odd-numbered or even-numbered holes 20 in the hole rows 22, holes 20 are formed between the holes of the first hole rows 21 to complete the first hole rows 21. A hole 20 may be formed between the holes of the two-hole row 22 to complete the second hole row 22.

물론 이와 다르게, 도 7에 도시한 것과 같이 제1홀열(21) 위치에서 홀수번째 홀(20)을 먼저 가공한 다음, 제2홀열(22) 위치에 레이저를 조사하여 짝수번째 홀(20)을 가공하고, 다시 제1홀열(21) 위치에 레이저를 조사하여 짝수번째 홀(20)들을 가공하여 제1홀열(21)을 완성한 다음, 제2홀열(22) 위치에 레이저를 조사하여 홀수번째 홀(20)을 가공하여 제2홀열(22)을 완성할 수도 있을 것이다. Alternatively, as shown in FIG. 7, the odd-numbered holes 20 are first processed at the first hole rows 21, and then the even-numbered holes 20 are irradiated with the laser at the second hole rows 22. After processing, again irradiating a laser to the position of the first hole column 21 to process the even-numbered holes 20 to complete the first hole array 21, and then to irradiate the laser to the position of the second hole column 22, the odd-numbered hole 20 may be processed to complete the second hole row 22.

또한, 반도체 패키지(11)에 복수의 홀열(21, 22)을 형성하고자 할 경우 도 8에 도시한 것과 같이 제1홀열(21) 위치를 따라 홀수번째 홀(20)들을 2피치 간격으로 형성한 다음, 레이저를 제1,2홀열(21, 22) 위치를 따라 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 제2홀열(22) 위치에서 홀수번째 홀(20)을 형성하고 제1홀열(21) 위치에서 짝수번째 홀(20)들을 순차적으로 형성하고, 다시 레이저를 제2홀열(22) 위치를 따라 이동시키면서 조사하여 짝수번째 홀(20)들을 형성하도록 할 수도 있을 것이다. In addition, when the plurality of hole rows 21 and 22 are to be formed in the semiconductor package 11, odd-numbered holes 20 are formed at two pitch intervals along the position of the first hole row 21 as shown in FIG. 8. Next, while moving the laser zigzag diagonally along the positions of the first and second hole rows 21 and 22, an odd-numbered hole 20 is formed at the second hole row 22 position and an even number at the first hole row 21 position. The second holes 20 may be sequentially formed and again irradiated while moving the laser along the position of the second hole row 22 to form even-numbered holes 20.

물론, 이와 반대로 레이저를 제1,2홀열(21, 22) 위치를 따라 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 제2홀열(22) 위치에서 홀수번째 홀(20)을 형성하고 제1홀 열(21) 위치에서 짝수번째 홀(20)들을 순차적으로 형성하고, 그 다음 제1홀열(21) 위치를 따라 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 제1홀열(21) 위치에 홀수번째 홀(20)들을 형성한 후, 마지막으로 제2홀열(22) 위치를 따라 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 제2홀열(22) 위치에 짝수번째 홀(20)들을 순차적으로 형성할 수도 있을 것이다. Of course, on the contrary, while moving the laser zigzag diagonally along the first and second hole rows 21 and 22, the odd-numbered holes 20 are formed at the second hole rows 22, and the first hole rows 21 are formed. The even-numbered holes 20 are sequentially formed at the position, and then the odd-numbered holes 20 are formed at the position of the first hole column 21 while the laser irradiation position is moved in one direction along the position of the first hole column 21. Afterwards, even-numbered holes 20 may be sequentially formed at the second hole row 22 while the laser irradiation position is moved in one direction along the second hole row 22.

도 9는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법의 또 다른 실시예를 나타낸 것으로, 이 실시예의 레이저 가공방법은 반도체 패키지(11)의 4변부를 따라 복수개의 홀(20)이 일정 피치로 형성된 홀열(21, 22)을 형성하기 위하여, 레이저 조사 위치를 반도체 패키지(11)의 일측 모서리 부분에서부터 사선 방향에 위치한 타측 모서리 부분으로 2피치 이상의 간격으로 지그재그로 이동시키면서 각각의 홀열(21, 22) 위치에 사선방향으로 순차적으로 형성한다. 9 shows another embodiment of a laser processing method of a semiconductor package according to the present invention. In the laser processing method of this embodiment, a plurality of holes 20 are formed at a constant pitch along four sides of the semiconductor package 11. In order to form the hole rows 21 and 22, each hole row 21 and 22 is moved in a zigzag at intervals of two pitches or more from one corner of the semiconductor package 11 to the other corner located in the diagonal direction. It is formed sequentially in the diagonal direction at the position.

즉, 도 9에 도시된 것과 같이, 레이저 조사 위치를 반도체 패키지(11)의 일측 모서리 부분에서부터 시작하여 사선 방향에 위치한 타측 모서리 부분으로 2피치 간격으로 지그재그로 단계적으로 이동시키면서 제1,2홀열(21, 22) 위치 각각에 사선 방향으로 순차적으로 복수개의 홀(20)을 형성하는 제1단계를 수행한 다음, 다시 레이저 조사 위치를 반도체 패키지(11)의 일측 모서리 부분에서부터 사선 방향에 위치한 타측 모서리 부분으로 2피치 간격으로 지그재그로 이동시키면서 상기 가공된 홀(20)들 사이에 사선 방향으로 순차적으로 홀(20)을 가공하는 제2단계를 수행함으로써 홀(20) 사이의 격벽부(25)가 무너지지 않고 홀(20)들이 일정 피치로 가공되도록 할 수 있다. That is, as shown in FIG. 9, the laser irradiation position is moved from the one corner part of the semiconductor package 11 to the other corner part located in the diagonal direction in a zigzag step by step at two pitch intervals. 21 and 22) after performing the first step of sequentially forming the plurality of holes 20 in the diagonal directions at each of the positions, the laser irradiation position is again in the diagonal direction from the one corner of the semiconductor package 11 in the diagonal direction. The partition walls 25 between the holes 20 are formed by performing a second step of sequentially machining the holes 20 in the diagonal direction between the processed holes 20 while moving zigzag at intervals of two pitches. The holes 20 may be processed to a predetermined pitch without collapsing.

이 때, 상기 2단계에서 레이저를 조사하기 시작하는 지점은 상기 제1단계가 종료되는 반도체 패키지(11)의 모서리 부분이 되는 것이 바람직하나, 이와 다르게 제1단계가 시작된 반도체 패키지(11)의 모서리 부분에서부터 제2단계를 수행할 수도 있을 것이다. In this case, the point at which the laser irradiation is started in step 2 may be an edge of the semiconductor package 11 at which the first step ends. Alternatively, the corner of the semiconductor package 11 at which the first step starts You can also perform the second step from the part.

이외에도 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 첨부된 특허청구범위에 기재된 범위 내에서 전술한 실시예들을 다양하게 변경하거나 조합하여 반도체 패키지(11)에 일정한 형태로 홀(20)들을 레이저 가공할 수 있을 것이다. In addition, those skilled in the art to which the present invention pertains, various changes or combinations of the above-described embodiments within the scope of the appended claims to form the holes 20 in a predetermined form in the semiconductor package 11 Laser processing will be possible.

도 1은 일반적인 반도체 패키지 제조용 반도체 스트립 및 이 반도체 스트립에 형성되는 반도체 패키지의 홀 배열 형태의 일 실시예를 나타낸 개략적인 평면도이다. FIG. 1 is a schematic plan view illustrating an embodiment of a general semiconductor package manufacturing semiconductor strip and a hole array form of a semiconductor package formed on the semiconductor strip.

도 2는 종래의 반도체 패키지 레이저 가공시 발생하는 홀 변형 형태를 나타낸 요부 단면도이다. 2 is a sectional view showing the principal parts of a hole deformation pattern generated in the conventional semiconductor package laser processing.

도 3은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 반도체 스트립의 개략적인 평면도이다. 3 is a schematic plan view of a semiconductor strip showing a laser processing method of a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 두번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 도면이다.4 is a view showing a laser processing method of a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 세번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 도면이다.5 is a view showing a laser processing method of a semiconductor package according to a third embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 네번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 도면이다.6 is a view showing a laser processing method of a semiconductor package according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다섯번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 도면이다.7 is a view showing a laser processing method of a semiconductor package according to a fifth embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 여섯번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 도면이다.8 is a view showing a laser processing method of a semiconductor package according to a sixth embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일곱번째 실시예에 따른 반도체 패키지의 레이저 가공방법을 나타낸 도면이다.9 is a view showing a laser processing method of a semiconductor package according to a seventh embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 반도체 스트립 11 : 반도체 패키지10: semiconductor strip 11: semiconductor package

20 : 홀 21 : 제1홀열20: hole 21: the first hole row

22 : 제2홀열22: second hole row

Claims

반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 1열 이상의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, In the laser processing method of a semiconductor package for irradiating a laser to the semiconductor package to form one or more rows of holes formed with a plurality of holes at a constant pitch,

홀 열 위치를 따라 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀을 2 피치 이상의 간격으로 형성하는 제1단계와;Irradiating laser at intervals of two pitches or more along the hole row position to form a plurality of holes at intervals of two pitches or more;

상기 홀 열의 각 홀 사이에 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀 사이에 홀을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And a second step of forming a hole between a plurality of holes by irradiating a laser at intervals of two pitches or more between each hole of the hole row.

제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 3 피치 이상의 간격으로 홀들을 형성할 경우, 제2단계는 2회 이상 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.The method of claim 1, wherein when the holes are formed at intervals of three pitches or more in the first step, the second step is repeatedly performed two or more times.

제1항에 있어서, 상기 반도체 패키지에 형성하는 홀 열이 복수 열일 경우, 각 홀 열 위치에서 제1단계 및 제2단계를 교번으로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.The laser processing method of claim 1, wherein when a plurality of holes are formed in the semiconductor package, first and second steps are alternately performed at each hole row position.

제3항에 있어서, 첫번째 홀 열 위치에서 제1단계에서 형성되는 홀과, 두번째 홀 열 위치에서 제1단계에서 형성되는 홀들은 서로 지그재그로 어긋나게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.4. The method of claim 3, wherein the holes formed in the first step at the first hole row position and the holes formed in the first step at the second hole row position are zigzag-deviated from each other.

반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 복수개의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서, In the laser processing method of a semiconductor package for irradiating a laser to a semiconductor package to form a plurality of rows of holes having a plurality of holes having a predetermined pitch,

레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 각 홀열 위치에 2피치 이상으로 홀을 형성하는 제1단계와;A first step of forming a hole at least two pitches in each hole row position while moving the laser irradiation position in a diagonal direction of the plurality of hole row positions;

레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 상기 제1단계에서 형성된 홀들 사이사이에 홀을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And a second step of forming a hole between the holes formed in the first step while moving the laser irradiation position in a diagonal direction of the plurality of hole row positions.

반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 복수개의 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서,In the laser processing method of a semiconductor package for irradiating a laser to a semiconductor package to form a plurality of rows of holes having a plurality of holes having a predetermined pitch,

어느 한 홀 열 위치를 따라 2 피치 이상의 간격으로 레이저를 조사하여 복수개의 홀들을 2 피치 이상의 간격으로 형성하는 제1단계와;Irradiating a laser at intervals of at least two pitches along one hole column position to form a plurality of holes at intervals of at least two pitches;

레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 다른 하나 이상의 홀 열에 홀을 2피치 이상으로 형성함과 더불어, 상기 제1단계에서 형성된 홀들 사이사이에 홀을 형성하는 제2단계 및;The second step of forming a hole between the holes formed in the first step, while forming a hole in the other one or more hole rows more than two pitches while moving the laser irradiation position in a diagonal direction of the plurality of hole row positions And;

상기 다른 하나 이상의 홀 열에서 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 홀 사이사이에 홀을 형성하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And a third step of forming holes between the holes while moving the laser irradiation position in one direction from the other one or more rows of holes.

레이저 조사 위치를 복수개의 홀 열 위치의 사선 방향으로 지그재그로 이동시키면서 복수개의 홀 열에 홀을 2피치 이상으로 형성하는 제1단계와;A first step of forming holes in the plurality of hole rows by two pitches or more while moving the laser irradiation position in a diagonal direction of the plurality of hole row positions;

상기 제1단계에서 홀이 형성된 어느 한 홀열 위치를 따라 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 홀 사이사이에 홀을 형성하는 제2단계와;A second step of forming holes between the holes while moving the laser irradiation position in one direction along one of the hole row positions in which the holes are formed in the first step;

상기 제1단계에서 홀이 형성된 다른 한 홀열 위치를 따라 레이저 조사 위치를 일방향으로 이동시키면서 홀 사이사이에 홀을 형성하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And a third step of forming a hole between the holes while moving the laser irradiation position in one direction along the other hole row position where the hole is formed in the first step.

반도체 패키지에 레이저를 조사하여 반도체 패키지의 4변부를 따라 복수개의 홀이 일정 피치로 형성된 홀열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서,In the laser processing method of a semiconductor package for irradiating a laser to the semiconductor package to form a hole row formed with a plurality of holes along a four sides of the semiconductor package at a constant pitch,

레이저 조사 위치를 반도체 패키지의 일측 모서리 부분에서부터 사선 방향에 위치한 타측 모서리 부분으로 2피치 이상의 간격으로 지그재그로 이동시키면서 각 홀열 위치에 사선 방향으로 순차적으로 복수개의 홀을 형성하는 제1단계와;A first step of sequentially forming a plurality of holes at each hole row position in a diagonal direction while moving the laser irradiation position from one corner portion of the semiconductor package to the other corner portion located diagonally at intervals of two pitches or more at intervals;

레이저 조사 위치를 반도체 패키지의 일측 모서리 부분에서부터 사선 방향에 위치한 타측 모서리 부분으로 2피치 이상의 간격으로 지그재그로 이동시키면서 상기 제1단계에서 가공된 홀 사이에 사선 방향으로 순차적으로 홀을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.A second step of sequentially forming the holes in the diagonal direction between the holes processed in the first step while moving the laser irradiation position zigzag at intervals of two pitches or more from one corner portion of the semiconductor package to the other corner portion located in the diagonal direction. Laser processing method of a semiconductor package comprising a.

제8항에 있어서, 상기 제1단계를 수행한 후, 제1단계가 종료된 반도체 패키지의 모서리 부분에서부터 레이저를 조사하여 제2단계를 시작하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.The method of claim 8, wherein after performing the first step, the second step is started by irradiating a laser from a corner portion of the semiconductor package where the first step is completed.

반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수 개의 홀이 일정 피치로 형성된 제1홀 열 및 제2홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서,In the laser processing method of a semiconductor package for irradiating a laser to the semiconductor package to form a first hole row and a second hole row formed with a plurality of holes at a constant pitch,

제1홀 열 위치에서 레이저를 조사하여 홀수 번째 홀을 가공하는 단계와;Irradiating a laser at the first hole column position to process odd-numbered holes;

제2홀 열 위치에서 레이저를 조사하여 짝수 번째 홀을 가공하는 단계와;Irradiating a laser at the second hole row position to process the even-numbered holes;

상기 제1홀 열 위치에 짝수 번째 홀을 가공하여 제1홀 열을 완성하는 단계와;Machining an even-numbered hole at the first hole row position to complete a first hole row;

상기 제2홀 열 위치에 홀수 번째 홀을 가공하여 제2홀 열을 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And machining an odd-numbered hole at the second hole row position to complete a second hole row.

반도체 패키지에 레이저를 조사하여 복수 개의 홀이 일정 피치로 형성된 홀 열을 형성하기 위한 반도체 패키지의 레이저 가공방법에 있어서,In the laser processing method of a semiconductor package for forming a row of holes in which a plurality of holes are formed with a predetermined pitch by irradiating a laser to the semiconductor package,

홀 열 위치를 따라 2 피치 간격으로 레이저를 조사하여 복수 개의 홀을 2 피치 간격으로 형성하는 제1단계와;Irradiating a laser at two pitch intervals along the hole row position to form a plurality of holes at two pitch intervals;

상기 제1단계에 의해 형성된 홀들 사이의 공간에 2 피치 간격으로 레이저를 조사하여 상기 제1단계에 의해 형성되지 않은 복수 개의 홀을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And a second step of forming a plurality of holes not formed by the first step by irradiating a laser at two pitch intervals to the space between the holes formed by the first step. Way.

홀 열 위치를 따라 3 피치 간격으로 레이저를 조사하여 복수 개의 홀을 3 피치 간격으로 형성하는 제1단계와;Irradiating a laser at three pitch intervals along the hole row position to form a plurality of holes at three pitch intervals;

상기 제1단계에 의해 형성된 홀들 사이의 공간에 3 피치 간격으로 레이저를 조사하여 상기 제1단계에 의해 형성되지 않은 복수 개의 홀을 형성하는 제2단계와;A second step of forming a plurality of holes not formed by the first step by irradiating a laser at three pitch intervals to the space between the holes formed by the first step;

상기 제1단계 및 상기 제2단계에 의해 형성된 홀들 사이의 공간에 3 피치 간격으로 레이저를 조사하여 상기 제1단계 및 상기 제2단계에 의해 형성되지 않은 복수개의 홀을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 레이저 가공방법.And a second step of forming a plurality of holes not formed by the first step and the second step by irradiating a laser at three pitch intervals to the space between the holes formed by the first step and the second step. Laser processing method of a semiconductor package, characterized in that.