KR101057830B1 - Quantum dot film coating apparatus and driving method thereof - Google Patents
Quantum dot film coating apparatus and driving method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101057830B1 KR101057830B1 KR1020100101367A KR20100101367A KR101057830B1 KR 101057830 B1 KR101057830 B1 KR 101057830B1 KR 1020100101367 A KR1020100101367 A KR 1020100101367A KR 20100101367 A KR20100101367 A KR 20100101367A KR 101057830 B1 KR101057830 B1 KR 101057830B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quantum dot
- thin film
- container
- control signal
- film coating
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
- B05C3/02—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Abstract
Description
본 발명은 코팅장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양자점 박막을 일정 두께로 코팅할 수 있는 양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a coating apparatus, and more particularly, to a quantum dot thin film coating apparatus and a driving method thereof capable of coating a quantum dot thin film to a certain thickness.
양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement)효과를 나타내는 물질이다. 이러한 양자점은 양자제한 효과로 인해 광전 소자에 적용되었을 때 다중 여기자 발생, hot-carrier 추출등이 기존 반도체 소재보다 고효율로 발생되어 광전소자의 핵심소재로 각광을 받고 있다.
Quantum dots are nanoscale semiconductor materials that exhibit quantum confinement effects. These quantum dots are in the spotlight as the core material of the photoelectric device due to the quantum limiting effect, the multi-exciter generation, hot-carrier extraction is generated more efficiently than the conventional semiconductor material when applied to the photoelectric device.
양자점 성장 제어 기술은 미래 반도체 소자의 개발 기술 가운데 가장 중요한 기술이다. MOCVD(metal organic chemical deposition)나 MBE(molecular beam epitaxy) 등은 반도체 박막을 단원자층 수준으로 제어할 수 있는 좋은 성장 기술이라고 할 수 있다.
Quantum dot growth control technology is the most important technology of the future development of semiconductor devices. Metal organic chemical deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) are good growth technologies that can control semiconductor thin films at the level of monoatomic layers.
하지만, 기상법으로 제조된 양자점은 양자점 자체의 결정성은 좋지만 격자 부정합에 의하여 밀도 및 균일도를 조절하는데 치명적인 결함이 있고 대량 생산이 불가능하여, 현재까지 이러한 기술로는 상용화할 수 있는 소자를 실현하기가 어려운 것으로 알려져 있다.
However, the quantum dots produced by the gas phase method have good crystallinity of the quantum dots themselves, but have a fatal defect in controlling density and uniformity due to lattice mismatch and cannot be mass-produced. It is known.
종래의 광전소자는 이러한 종래 염료 감응형 태양 전지 제조방법에 있어서는 대한민국특허 등록번호 10-0643054에 개시된 바와 같이 광전변환효율을 향상시키기 위하여 반도체 화합물 박막 표면에 금속산화물 미립자를 코팅하고있으며, 이를 위해 금속염을 포함하는 수용액에 반도체화합물 미립자를 분산시키고, 수~수십 시간의 볼밀링 및 고온 소성시키는 공정을 포함하는 것이 일반적이었다. Conventional optoelectronic devices are coated with metal oxide fine particles on the surface of the semiconductor compound thin film in order to improve the photoelectric conversion efficiency as disclosed in the Republic of Korea Patent Registration No. 10-0643054 in the conventional dye-sensitized solar cell manufacturing method, for this purpose It was common to include the process of disperse | distributing semiconductor compound microparticles | fine-particles in the aqueous solution containing these, ball milling for several to several hours, and baking at high temperature.
그러나, 이러한 종래의 방법으로 금속산화물 미립자를 반도체 화합물 표면에 코팅하는 공정은 별도의 장비 및 시간을 필요로 한다는 문제가 있다.
However, the process of coating the metal oxide fine particles on the surface of the semiconductor compound by such a conventional method requires a separate equipment and time.
또한 종래에는 재결합차단층 및 산란층의 형성을 위하여 제1기판/제1전극을 금속염 수용액에 침적시키는 공정, 그 상부에 반도체층을 형성하기 위하여 스크린 프린팅 방식으로 수회(전형적으로 5회) 반복하여 인쇄하는 공정, 산란층을 형성하기 위하여 스크린프린팅 방식으로 인쇄하는 공정 및 최종 바인더 고분자를 제거하기 위하여 고온 소성하는 공정을 포함하고 있으며, 이러한 수회에 걸친 인쇄공정과 고온소성 공정을 위해서는 고가의 인쇄장비가 필요할 뿐만 아니라, 공정시간(runtime)이 길어지는 문제가 있다.
Also, in the related art, a process of depositing a first substrate / first electrode in an aqueous metal salt solution to form a recombination blocking layer and a scattering layer, and repeating a number of times (typically five times) by a screen printing method to form a semiconductor layer thereon Printing process, printing by screen printing method to form scattering layer, and high temperature firing process to remove final binder polymer, and expensive printing equipment for several times printing process and high temperature baking process In addition to the need for this, there is a problem that the run time is long.
또한, 대한민국특허 출원번호 10-2005-0106153를 참조하면, 종래 인쇄방식으로 반도체층, 광산란층을 형성하기 위해서는, 우선 반도체화합물과 고분자 바인더를 기본으로 하는 인쇄용 페이스트를 제조하여야 하며, 양호한 분산 및 스크린 메쉬를 통과하는 페이스트의 유동특성 등을 확보하기 위하여 점증체, 분산제, 레벨링제, 항산화제 등의 각종 첨가제가 포함되어야 하는 것이 일반적으로 알려져 있다.또한, 전극상에 인쇄가 완료된 후에는 바인더 고분자와 각종 첨가제는 고온 소성시켜 제거되고 반도체 화합물만 남겨져야 한다.
In addition, referring to Korean Patent Application No. 10-2005-0106153, in order to form a semiconductor layer and a light scattering layer by a conventional printing method, a printing paste based on a semiconductor compound and a polymer binder should be prepared first, and a good dispersion and screen It is generally known that various additives such as thickeners, dispersants, leveling agents, and antioxidants should be included in order to ensure the flow characteristics of the paste that passes through the mesh. Various additives should be removed by hot firing and only the semiconductor compound should be left.
이때 바인더고분자 등의 유기 물질은 완전하게 제거되지 못하고 반도체 화합물 주위에 잔류탄소를 남기게 되어 태양전지 효율저하의 원인이 된다. 이러한 문제로 인해 저온소성이 가능한 바인더의 사용 등과 같은 일련의 노력을 기울이고 있으나 상기 문제점을 완전히 제거하지 못하고 있는 실정이다.
At this time, organic materials such as binder polymers are not completely removed, and residual carbon is left around the semiconductor compound, which causes a decrease in solar cell efficiency. Due to these problems, although a series of efforts have been made such as the use of a binder capable of low temperature firing, the situation has not been completely eliminated.
한편, 최근 광전 소자에 있어서 PbSe와 같은 무기물 양자점으로 막을 형성하여 TFT를 제조한 바가 있다(Murray et al. Science,(2005)). 상기 연구에서는 매우 독성이 강하고 다루기 어려운 하이드라진으로 양자점 필름을 처리하여 전도도를 높인 바 있다. 또한 spin-coating 등을 이용한 양자점 막을 형성하여 태양전지를 구현시킨바 있다. 이 경우에는 부도성 분자를 열처리를 통해 제거하고자 하였으나 효과가 탁월하지 않음을 보인 바 있다.(Law et al. JACS(2009))
On the other hand, recently, TFTs have been manufactured by forming a film from an inorganic quantum dot such as PbSe in an optoelectronic device (Murray et al. Science, (2005)). In this study, the quantum dot film was treated with highly toxic and difficult to handle hydrazine to increase conductivity. In addition, the solar cell was implemented by forming a quantum dot film using spin-coating. In this case, the unsuccessful molecule was removed by heat treatment, but the effect was not excellent (Law et al. JACS (2009)).
삭제delete
상기 본 발명이 해결하려는 과제는 양자점 박막 제조단계 일반적으로 휘발성이 강한 유독성 저분자를 이용한 리간드 치환단계에서 고농도/장시간 노출이 필요로 하는 딥핑 방법시에 LbL(Layer-by-Layer)조립에 의한 양자점 박막 구동을 통해 양자점간의 결정 임계 문제등을 해결 및 전하들의 이동시 양자점에서 발생하는 손실이나 왜곡을 방지할 수 있는 양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is a quantum dot thin film by LbL (Layer-by-Layer) assembly during the dipping method that requires high concentration / long time exposure in the ligand substitution step using a volatile toxic low molecule in general quantum dot thin film manufacturing step The present invention provides a quantum dot thin film coating apparatus and a driving method thereof capable of solving a determination threshold problem between quantum dots through driving and preventing a loss or distortion occurring in the quantum dots during movement of charges.
또한, LbL 방법에 의한 코팅은 얇은 박막들을 각각 도포하므로, 많은 시간이 걸리고 각 박막 코팅 공정시 많은 주의를 요구한다. LbL 조립시 자동화 공정 및 장치를 이용하여 박막을 코팅하며 양자점 박막 제조시 걸리는 시간을 단축할 수 있고, 각각의 박막 공정 변수들 (각 박막 두께등)을 잘 제어할 수 있어 매우 잘 정밀한 양자점 박막을 형성할 수 있다.
In addition, since the coating by the LbL method applies thin films, respectively, it takes a lot of time and requires great care in each thin film coating process. It is possible to shorten the time required to manufacture quantum dot thin films by using automated processes and devices during LbL assembly, and to control each thin film process parameters (each thin film thickness, etc.) very precisely. Can be formed.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 양자점 박막 코팅 장치는 몸통부(10), 상기 몸통부(10) 내에 구비되어 제1 제어신호(CNT1) 내지 제3 제어신호(CNT3)를 출력하는 제어부(20), 상기 몸통부(10) 상부에 구비되며, 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제1 제어신호(CNT1)에 따라 수직 구동을 하는 기판 지지부(30), 상기 기판 지지부(30)에 접속된 전도성 양자점이 코팅된 기판, 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들 및 상기 복수의 용기부들을 일정한 방향으로 회전시키도록 상기 제어부(20)로부터 상기 제2 제어신호(CNT2)에 따라 일정한 속도로 상기 복수의 용기부를 회전시키는 회전부(40)를 포함한다.
The quantum dot thin film coating apparatus of the present invention for solving the above problems is provided in the
상기 회전부(40)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제3 제어신호(CNT3)를 수신하여 상기 복수의 용기부들 각각을 회전시키는 개별 회전부(50)를 더 포함한다.
The rotating
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는, 헥산, 톨루엔 등 도포액을 분산시키는 용매를 수용하는 것을 특징으로 한다.
Any one of the plurality of
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는, 에탄다이티올 벤젠다이티올 등의 티올을 포함하는 저분자 또는 하이드록실 아민 등 아민을 포함하는 저분자 또는 에탄다이올 등 1차 알콜을 포함하는 저분자의 도포액을 수용하는 것을 특징으로 한다.
Any one of the plurality of
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는 휘발성 용액인 아세토나이트릴 도포액을 수용하며, 상기 아세토나이트릴 도포액은 상기 양자점에서 미흡착된 저분자를 용해시키고 상기 양자점으로 코팅된 기판의 막을 손상시키지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.
One of the plurality of
상기 과제를 해결하기 위한 양자점 박막 코팅 장치는 몸통부(10), 상기 몸통부(10) 내에 구비되어 제1 제어신호(CNT1) 내지 제3 제어신호(CNT3)를 출력하는 제어부(20), 상기 몸통부(10) 상부에 구비되며, 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제어신호(CNT1)에 따라 수직 구동을 하는 기판 지지부(30), 외부로부터 제공된 양자점이 코팅된 기판을 코팅, 표면 개질, 세정 및 건조시킬 수 있는 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들(45) 및 상기 복수의 용기부들을 일정한 방향으로 회전시키도록 상기 제어부(20)로부터 제어신호(CNT2)를 수신하여 따라 일정한 속도로 상기 복수의 용기부들 및 각각을 회전시키는 회전부(40)를 포함한다.
The quantum dot thin film coating apparatus for solving the above problem is provided in the
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나는 전자로로 구성되어 상기 양자점이 코팅된 기판을 건조시키는 것을 특징으로 한다.
Any one of the plurality of container portions is composed of an electron furnace to dry the substrate coated with the quantum dot.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 양자점 코팅 박막 구동 방법은 기판 지지부(30)에 접속된 전도성 양자점이 코팅된 기판을 제공하는 제1단계(S10) 및 제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들 및 상기 복수의 용기부들 각각을 회전시키도록 회전부를 회전하고, 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 수직 이동하여 상기 복수의 용기부들 각각에 수용된 도포액에 도포시키는 제2단계(S20)를 포함한다.
The quantum dot coating thin film driving method of the present invention for solving the above problems according to the first step (S10) of providing a substrate coated with a conductive quantum dot connected to the
상기 제2단계(S20)는 제어부(20)로부터 출력된 제1 제어신호(CNT1)를 수신하여 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)에 수용된 용액에 수직이동하여 도포시키는 A 단계, 제어부(20)로부터 출력된 제2 제어신호(CNT2)를 수신하여 상기 복수의 용기부들을 일정한 속도로 회전시키는 B 단계 및 상기 전도성 양자점 기판을 공기중에 건조시키는 C 단계를 포함한다.
The second step S20 receives the first control signal CNT1 output from the
상기 도포액은 헥산, 톨루엔인 것을 특징으로 한다.
The coating solution is characterized in that the hexane, toluene.
상기 도포액은 에탄다이티올, 벤젠다이티올과 같은 티올을 포함하는 저분자 또는 하이드록실 아민 등 아민을 포함하는 저분자 또는 에탄다이올 등 1차 알콜을 포함하는 저분자인 것을 특징으로 한다.
The coating liquid may be a low molecule containing a thiol such as ethanedithiol, a benzenedithiol, or a low molecule containing a amine such as amine such as hydroxyl amine or a low molecule containing a primary alcohol such as ethanediol.
상기 도포액은 아세토나이트릴인 것을 특징으로 한다.
The coating liquid is characterized in that acetonitrile.
삭제delete
본 발명은 화학적 및 전기적으로 반도체 나노 입자로 이루어진 광전/열전 소자용 양자점 활성층을 매우 간단하게 생성할 수 있는 효과가 있다. The present invention has the effect of very simply generating a quantum dot active layer for a photoelectric / thermoelectric device consisting of semiconductor nanoparticles chemically and electrically.
삭제delete
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 코팅 박막 장치를 나타낸 예시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 양자점 코팅 박막 장치의 블럭도를 나타낸 예시도이다.
도 3는 도 2에 도시된 양자점 코팅 박막 장치의 구동 방법을 나타낸 플로우 챠트이다.
도 4는 도 2에 도시된 제2단계를 보다 구체적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 5는 도 2에 도시된 제어신호들 각각의 타이밍도를 나타낸 예시도이다.1 is an exemplary view showing a quantum dot coating thin film device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exemplary view illustrating a block diagram of the quantum dot coated thin film device illustrated in FIG. 1.
3 is a flowchart illustrating a method of driving the quantum dot coated thin film device illustrated in FIG. 2.
4 is a flowchart illustrating the second step illustrated in FIG. 2 in more detail.
5 is an exemplary diagram illustrating a timing diagram of each of the control signals illustrated in FIG. 2.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "~부","~기" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise. In addition, the terms "~", "~" described in the specification means a unit for processing at least one function or operation, which may be implemented in hardware or software or a combination of hardware and software.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.
DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings that illustrate preferred embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 코팅 박막 장치를 나타낸 개시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 양자점 코팅 박막 장치의 블럭도를 나타낸 예시도이다.1 is a view showing a quantum dot coating thin film device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an exemplary view showing a block diagram of the quantum dot coating thin film device shown in FIG.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 양자점 박막 코팅 장치는 몸통부(10), 제어부(20), 기판 지지부(30), 복수의 용기부들(45) 및 회전부(40)를 포함한다.
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the quantum dot thin film coating apparatus of the present invention includes a
상기 몸통부(10)는 상부와 하부로 나누어질 수 있으며, 상기 상부는 상기 기판 지지부(30)와 연결되며, 상기 하부는 상기 회전부(40)와 연결되어, 상기 기판 지지부(30)와 상기 회전부(40)의 움직임을 고정시키는 역할을 수행한다.
The
상기 기판 지지부(30)는 상기 몸통부(10) 상부에 구비되며, 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호 예컨대 제1 제어신호(CNT1)를 수신하여 그에 따른 수직 구동을 수행하는 역할을 한다.
The
상기 제어부(20)는 상기 몸통부(10) 내부에 구비되며, 상기 몸통부(10)와 연결된 상기 기판 지지부(30), 상기 회전부(40) 및 상기 복수의 용기부들(45) 각각의 움직임을 제어할 수 있는 제어신호들 예컨대 제1 제어신호(CNT1) 내지 제3 제어신호(CNT3)를 외부전원(VDD)을 인가받아 출력한다.The
상기 기판은 상기 기판 지지부(30)에 접속되며, 전도성 양자점이 코팅되어 외부로부터 제공된다.The substrate is connected to the
상기 복수의 용기부들은 상기 회전부(40) 상에 배치되며, 상기 복수의 용기부들 각각은 서로 다른 도포액을 수용한다.
The plurality of container parts are disposed on the
상기 회전부는 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호, 예컨대 제2 제어신호(CNT2)를 수신하여 상기 복수의 용기부들을 일정한 방향으로 회전시킨다. 또한 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호 예컨대 제3 제어신호(CNT3)를 수신하여 상기 복수의 용기부들 각각을 회전시키는 역할을 수행할 수도 있다.
The rotating unit receives a control signal output from the
보다 구체적으로, 상기 회전부(40)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제3 제어신호(CNT3)를 수신하여 상기 복수의 용기부들 각각(45)을 회전하는 상기 복수의 용기부들(45)과 동일한 개수의 용기 회전부(50)를 더 포함한다.More specifically, the
이때, 상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는 헥산, 톨루엔 등 도포액을 분산시키는 용매를 수용한다.At this time, any one of the plurality of
또한 상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는 전자로로 이용되어 상기 기판의 건조 역할을 수행할 수 있다.
In addition, any one of the plurality of
도 3는 도 2에 도시된 양자점 코팅 박막 장치의 구동 방법을 나타낸 플로우 챠트이며, 도 4는 도 2에 도시된 제2단계를 보다 구체적으로 나타낸 플로우 챠트이 며, 도 5는 도 2에 도시된 제어신호들 각각의 타이밍도를 나타낸 예시도이다.
3 is a flowchart illustrating a method of driving the quantum dot coated thin film device illustrated in FIG. 2, FIG. 4 is a flowchart illustrating the second step illustrated in FIG. 2 in more detail, and FIG. 5 is a control diagram illustrated in FIG. 2. An exemplary diagram showing a timing diagram of each of the signals.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 양자점 코팅 박막 장치의 구동 방법은 기판 지지부(30)에 접속된 전도성 양자점이 코팅된 기판을 제공하는 제1단계(S10), 제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들 및 상기 복수의 용기부들 각각을 회전시키도록 회전부를 회전하고, 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 수직 이동하여 상기 복수의 용기부들 각각에 수용된 용액에 도포시키는 제2단계(S20)를 포함한다.3 to 5, the driving method of the quantum dot coating thin film device of the present invention provides a first step (S10) and a
상기 제1단계(S10)는 기판 지지부(30)에 접속된 전도성 양자점이 코팅된 기판을 제공하는 단계일 수 있다.
The first step S10 may be a step of providing a substrate coated with a conductive quantum dot connected to the
참고로, 상기 기판상의 전도성 양자점은 예를 들어 전도성 양자점 중 셀레늄화납의 양자점 입자 제조방법은 옥타데켄(octadecene, ODE)에 초산납삼수화물(Pb(C2H3O2)2·3H2O)과 올레익산을 혼합하고 진공상태에서 가열하는 a단계, 상기 단계 a의 용액 및 1M TOP-Se(Trioctylphosphine-Se)을 실온에서 혼합하는 b단계, 1, 2-헥사데칸디올(1, 2-hexadecanediol)과 ODE을 혼합 후 상기 단계 b의 용액을 주입하는 c 단계. 냉각된 톨루엔으로 상기 단계 c에서 제조된 혼합용액을 급속 냉각하는 d 단계. 부탄올과 메탄올의 혼합용액에 상기 단계 d 용액을 주입하여 결정화하는 e 단계 및 상기 단계 E를 반복수행하는 f 단계를 통하여 형성될 수 있다.
For reference, the conductive quantum dot on the substrate is, for example, the method for producing quantum dot particles of lead selenide in the conductive quantum dot is octadecene (ODE) lead acetate trihydrate (Pb (C 2 H 3 O 2 ) 2 · 3H 2 O) A step of mixing with oleic acid and heating in a vacuum, step b of mixing the solution of step a and 1M TOP-Se (Trioctylphosphine-Se) at room temperature, 1, 2-hexadecanediol (1, 2-hexadecanediol C) injecting the solution of step b after mixing) and ODE. D. Rapidly cooling the mixed solution prepared in step c with cooled toluene. The step d solution may be injected into a mixed solution of butanol and methanol to form crystals through step e and step f to repeat step E.
또한, 전도성 양자점 중 황화납의 양자점 입자의 제조방법은 옥타데켄(octadecene, ODE)에 아세트산납삼수화물(Pb(C2H3O2)2·3H2O)과 올레익산을 혼합하고 진공상태에서 가열하는 단계 (단계 a), 상기 단계 a의 용액 및 옥타데켄(octadecene, ODE)을 혼합 후 비스트리메틸실리설파이드(bis(trimethylsily)sulfide)를 주입하는 단계 (단계 b); 냉각된 톨루엔으로 상기 단계 b 용액을 급속냉각 하는 단계 (단계 c); 부탄올과 메탄올의 혼합용액에 상기 단계 c 용액을 주입하여 결정화하는 단계 (단계 d); 및 상기 단계 d를 반복수행하는 단계 (단계 e)를 통하여 형성될 수도 있다.
In addition, a method for preparing quantum dot particles of lead sulfide in conductive quantum dots is to mix lead acetate trihydrate (Pb (C 2 H 3 O 2 ) 2 · 3H 2 O) and oleic acid in octadecene (ODE) and in vacuum. Heating step (step a), mixing the solution of step a and octadecene (ODE) and then injecting bistrimethylsulfide (bis (trimethylsily) sulfide) (step b); Rapid cooling the step b solution with cooled toluene (step c); Injecting the solution of step c into a mixed solution of butanol and methanol to crystallize (step d); And it may be formed through the step (step e) to repeat the step d.
또한 기판 상에 양자점을 코팅하는 방법은 딥핑(dipping), 스프레이, 드롭캐스팅, 자기조립, 스핀코팅, 닥터블레이드, 프린팅 및 스퍼터링으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것이 바람직하다. 특히, 딥핑 방법을 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 딥핑(dipping)은 추가적인 장비가 필요하지 않으면서 간단하다는 장점이 있으며 단일 양자점 층 또는 여러 층의 양자점 층을 구동할 때, 양자점 농도 조절을 통하여 박막이 유리하게 되는 장점이 있다.
In addition, the method of coating the quantum dots on the substrate is preferably one selected from the group consisting of dipping (dipping), spraying, drop casting, self-assembly, spin coating, doctor blade, printing and sputtering. In particular, it is more preferable to use a dipping method. Dipping has the advantage of being simple without the need for additional equipment, and when driving a single quantum dot layer or multiple layers of quantum dot layers, the thin film is advantageous through quantum dot concentration control.
딥핑(dipping) 이외의 방법은 양자점 박막 제조단계 중 리간드 치환단계에서 고농도/장시간 노출이 필요하므로 딥핑 방법이 가장 바람직하다. Dipping methods other than dipping are most preferred because they require high concentration / long time exposure in the ligand substitution step of the quantum dot thin film manufacturing step.
딥핑(dipping)을 수행할 경우 LbL(Layer-by-Layer) 조립에 의한 양자점 박막이 구동되어 양자점간의 결정임계 문제 등을 해결할 수 있어 전하들의 이동시 양자점에서 발생하는 손실이나 왜곡을 방지할 수 있다.
In the case of dipping, the thin film of quantum dots by layer-by-layer (LbL) assembly is driven to solve the crystal threshold problem between the quantum dots, thereby preventing the loss or distortion occurring in the quantum dots during the movement of charges.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 제2단계(S20)는 제어부(20)로부터 출력된 제어신호(CNT2,CNT3)에 따라 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들 및 상기 복수의 용기부들 각각을 회전시키는 단계일 수 있다.2 to 4, the second step S20 includes a plurality of container portions accommodating different coating liquids and the plurality of container portions according to control signals CNT2 and CNT3 output from the
보다 구체적으로, 회전부(40)는 상기 복수의 용기부들 각각을 수용할 수 있는 거치대로 구동되며, 상기 거치대(50)는 원형 또는 사각형을 구동될 수 있다.More specifically, the rotating
상기 거치대(50)의 모양은 회전 가능할 수 있는 모양으로, 상기 열거한 모양한 한정되지는 않는다.
The shape of the
상기 회전부(40)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호 예컨대 제2 제어신호(CNT2)를 수신하여 상기 제2 제어신호(CNT2)의 인에이블 및 디스에이블 구간동안 일전한 주기 및 일정한 방향으로 회전 동작과 정지를 반복한다.
The rotating
또한 상기 회전부(40)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호 예컨대 제3 제어신호(CNT3)를 수신하여 상기 복수의 용기부들 각각(45)을 상기 회전부(40)의 회전 방향과 동일하거나 또는 반대 방향으로 일정하게 회전시킬 수 있다.
In addition, the
상기 복수의 용기부들 각각을 회전시키는 이유는 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판 상에 코팅하고자 하는 용액을 균일한 두께로 도포시킬 수 있도록 하기 위함일 수 있다.The reason for rotating each of the plurality of container portions may be to allow the conductive quantum dot to be coated with a uniform thickness on a solution to be coated.
상기 제2단계(S20)는 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 수직 이동하여 상기 복수의 용기부들 각각에 수용된 용액에 도포시키는 단계를 포함할 수 있다.
The second step S20 may include applying the conductive quantum dot coated substrate to a solution contained in each of the plurality of container portions by vertically moving according to a control signal output from the
보다 구체적으로, 상기 제2단계(S20)는 A단계 내지 D단계로 수행될 수 있다. More specifically, the second step S20 may be performed in steps A through D.
상기 A단계(S50)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 제1 제어신호(CNT1)를 기판 지지부(30)가 수신하여 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 제2단계(S20)에 따른 상기 회전부의 동작 구간의 타이밍 예컨대, 제1제어신호의 타이밍 구간에 맞춰 상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)에 수용된 용액에 수직이동하여 도포시키는 단계일 수 있다.
In the step S50, the
상기 B단계(S60)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 제2 제어신호(CNT2)를 수신하여 상기 복수의 용기부들 중 다른 하나에 수용된 용액에 상기 양자점이 코팅된 기판을 도핑시키도록 일정한 속도로 회전부를 회전시키는 단계일 수 있다.
The step S60 receives the second control signal CNT2 output from the
또한, B단계(S60)는 상기 제어부(20)로부터 출력된 제3 제어신호(CNT3)를 수신하여 상기 제3 제어신호(CNT3)의 인에이블 구간에 따라 상기 복수의 용기부들 각각을 일정한 방향 또는 서로 다른 방향으로 회전시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
In addition, step S60 may receive the third control signal CNT3 output from the
상기 C단계(S70)는 상기 A단계 및 상기 B단계를 반복하는 단계일 수 있다.
The step S70 may be a step of repeating step A and step B.
즉, 상기 A단계(S50) 내지 C단계(S70)를 반복하여 수행함으로써 양자점 박막의 두께가 조절되어 제공하는 것이 바람직하다. 상기 A단계(S50) 내지 C단계(S70)를 수행할 때마다 얻어지는 박막의 두께는 양자점의 지름과 같으며, 일반적으로 얻어지는 양자점 직경은 1~10 nm 이며, 평균적으로는 5 nm이다. 그러므로 얻고자 하는 박막의 두께에 따라 상기 각 단계의 반복 횟수가 결정될 수 있다.
In other words, it is preferable to provide the quantum dot thin film by adjusting the thickness of the quantum dot thin film by performing the steps A50 to C70. The thickness of the thin film obtained each time the step A (S50) to the step S70 (S70) is the same as the diameter of the quantum dot, generally obtained quantum dot diameter is 1 ~ 10 nm, on average 5 nm. Therefore, the number of repetitions of each step may be determined according to the thickness of the thin film to be obtained.
참고로, 기판 상에 코팅된 양자점이 레드 칼코겐 양자점의 경우 양자점의 합성후 여분의 리간드를 침전법을 사용하여 제거하여야 한다.For reference, in the case of the red chalcogen quantum dot coated on the substrate, after the synthesis of the quantum dot, extra ligands should be removed using a precipitation method.
따라서, 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는 정제 양자점을 1-20 mg/ml의 농도로 헥산, 톨루엔 용액을 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는 1-5 cm/min로 시편이 용액에 잠길수 있는 양을 포함한다. Accordingly, any one of the plurality of
그리고 나서, 전도성 양자점간의 리간드를 교환하기 위하여 상기 복수의 용기부들 중 다른 하나는 상기 교환되는 리간드 물질을 포함하는 용액일 수 있다.
Then, the other one of the plurality of container portions may be a solution containing the exchanged ligand material to exchange ligand between conductive quantum dots.
예컨대, 양자점에 강하게 결합될 수 있고, 탄소수가 3개 이하인 것이 바람직하며, 탄소수가 1개 또는 2개인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 상기 교환되는 리간드 물질은 에탄티올 또는 하이드록실아민인 것이 바람직하다. For example, it may be strongly bonded to the quantum dots, preferably 3 or less carbon atoms, and more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specifically, the ligand material to be exchanged is preferably ethanethiol or hydroxylamine.
이때 상기 리간드 물질은 사용되는 양자점에 따라 선택될 수 있다. 구체적으로는 레드 칼코겐(예를 들어, PbS, PbSe, PbTe)의 경우 티올(thiol)을 포함하는 리간드를 사용하는 것이 바람직하고, InP(인화인듐)는 하이드록실(hydroxyl)을 포함하는 리간드를 사용하는 것이 바람직하다.
In this case, the ligand material may be selected according to the quantum dot used. Specifically, in the case of red chalcogens (eg, PbS, PbSe, PbTe), it is preferable to use a ligand containing thiol, and InP (indium phosphide) is a ligand containing hydroxyl (hydroxyl). It is preferable to use.
상기 복수의 용기부들 중 또 다른 하나에 담긴 용액은 상기 교환하고자 하는 리간드가 양자점에 의해 용해되지 않도록 하는 용액일 수 있다.The solution contained in another one of the plurality of container portions may be a solution to prevent the ligand to be exchanged to be dissolved by quantum dots.
예컨대, 상기 복수의 용기부들 중 또 다른 하나는 농도가 0.01 - 0.1 M인 아세토나이트릴일 수 있다.For example, another one of the plurality of container portions may be acetonitrile having a concentration of 0.01-0.1 M.
여분의 리간드를 세척하는 단계 후에 공기중에 건조시키는 과정을 수행한다.After washing the excess ligand, drying in air is carried out.
상기와 같은 A단계(S50) 부터 C단계(S70)를 반복 수행함으로써 양자점 박막의 두께를 조절할 수 있다.
The thickness of the quantum dot thin film may be adjusted by repeatedly performing the above step A50 to step C70.
상기 양자점은 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것이 바람직하다. 더욱 구체적으로 II-VI족에는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe이, III-V족에는 AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, InSb이, IV-VI족에는 PbS, PbSe, PbTe이, IV족에는 Si 및 Ge이 포함될 수 있으며, 또한 상기 물질들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 제조될 수 있다.
The quantum dot is preferably one selected from the group consisting of II-VI, III-V, IV-VI, IV, and mixtures thereof. More specifically, Group II-VI includes CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, and Group III-V include AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, InSb may include PbS, PbSe, PbTe in Group IV-VI, and Si and Ge in Group IV, and may also be prepared as one selected from the group consisting of a mixture of the above materials.
상기 고 전도성 양자점 중 셀레늄화납 및 황화납을 예로 들어 설명한다. 셀레늄화납의 양자점 보어(Bohr) 반경은 46 nm이고, 황화납의 양자점 보어 반경은 20 nm이다. 보어 반경을 간단히 설명한다면, 전자의 크기 또는 엑시톤(exiton)의 크기라 할 수 있다. 셀레늄화납 및 황화납은 고전자 및 정공의 이동성으로 인하여 다른 콜로이드의 양자점보다도 장점이 많은 물질로 알려져 있다. 그러므로 보어 반경이 클수록 전기적 특성이 뛰어나다 할 수 있으며, 황화납과 셀레늄화납은 보어반경이 큰 물질로 다른 양자점 보다도 전기적 특성이 좋다고 할 수 있다.
Lead selenium sulfide and lead sulfide among the high conductivity quantum dots will be described as an example. The quantum dot bore radius of lead selenide is 46 nm, and the quantum dot bore radius of lead sulfide is 20 nm. Briefly describing the bore radius, it can be referred to as the size of an electron or the size of an exciton. Lead selenide and lead sulfide are known to have advantages over other quantum dots of other colloids due to the mobility of high electrons and holes. Therefore, the larger the bore radius, the better the electrical properties, and lead sulfide and selenium lead is a material with a larger bore radius, it can be said that the electrical properties are better than other quantum dots.
상기 고 전도성 양자점의 직경은 1~10 nm이며, 평균적으로 5 nm의 직경을 갖는다. 양자점의 직경이 작을수록 양자구속효과가 증가하게 되므로 보어반경이 작은 양자점의 경우, 양자점의 직경이 더 작을 때 더 큰 양자구속효과를 나타낸다.
The high conductive quantum dots have a diameter of 1 to 10 nm and an average diameter of 5 nm. As the diameter of the quantum dot is smaller, the quantum confinement effect increases, so that the quantum dot having a smaller bore radius exhibits a larger quantum confinement effect when the diameter of the quantum dot is smaller.
상기 고 전도성 양자점 박막은 전극 사이에 2차원 퍼콜레이션(percolation)을 이루고 있는 것이 바람직하다. 퍼콜레이션이란 전극과 전극 사이의 수송 경로를 나타낸 것이라 할 수 있다. 1차원의 퍼콜레이션은 수송 경로의 개수가 작고 수송 경로끼리의 결합이나 교차가 없다. 반면, 2차원의 퍼콜레이션은 여러 경로를 통하여 이루어지는데, 경로가 서로 연결되는 경우를 링크(link)라하며, 경로가 서로 교차하게 되는 점을 노드(node)라고 한다. 결국 2차원 퍼콜레이션은 경로가 많아지면서, 경로간의 연결성으로 인하여 전도도를 상승시키는 요인으로 작용하게 된다.
The highly conductive quantum dot thin film preferably has two-dimensional percolation between electrodes. Percolation may be referred to as a transport path between electrodes. In one-dimensional percolation, the number of transport paths is small and there is no connection or intersection between the transport paths. On the other hand, two-dimensional percolation is performed through several paths. The case where the paths are connected to each other is called a link, and the point at which the paths cross each other is called a node. As a result, two-dimensional percolation increases the path, which causes the conductivity to increase due to the connection between the paths.
따라서, 본 발명의 양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법은 화학적 및 전기적으로 안정된 절연성 분자로 용매에 안정적으로 분산되어 있는 금속 또는 금속 산화물 나노입자를 이용하여 양자점 박막의 두께를 매우 간단하게 조절할 수 있고 저분자 치환 및 세척 등의 공정을 통하여 전도도가 우수한 양자점 박막을 얻을 수 있다.
Accordingly, the quantum dot thin film coating apparatus and the driving method thereof according to the present invention can control the thickness of the quantum dot thin film very simply by using metal or metal oxide nanoparticles which are stably dispersed in a solvent with chemically and electrically stable insulating molecules. Quantum dot thin film having excellent conductivity can be obtained through processes such as substitution and washing.
삭제delete
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
The present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various modifications can be made by any person having ordinary skill in the art without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, such changes will fall within the scope of the claims.
10: 몸통부 20: 제어부
30: 기판 지지부 40: 회전부
45: 복수의 용기부들 50: 개별 회전부10: body portion 20: control unit
30: substrate support 40: rotating part
45: a plurality of container portions 50: individual rotating portion
Claims (13)
상기 몸통부(10) 내에 구비되어 제1 제어신호(CNT1) 내지 제3 제어신호(CNT3)를 출력하는 제어부(20);
상기 몸통부(10) 상부에 구비되며, 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제1 제어신호(CNT1)에 따라 수직 구동을 하는 기판 지지부(30);
상기 기판 지지부(30)에 접속된 전도성 양자점이 코팅된 기판;
서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들; 및
상기 복수의 용기부들을 일정한 방향으로 회전시키도록 상기 제어부(20)로부터 상기 제2 제어신호(CNT2)를 수신하여 따라 일정한 속도로 상기 복수의 용기부를 회전시키는 회전부(40)를 포함하는 양자점 박막 코팅 장치.
Body portion 10;
A control unit 20 provided in the body portion 10 to output first control signals CNT1 to third control signals CNT3;
A substrate support part 30 provided above the body part 10 and vertically driven according to the first control signal CNT1 output from the control part 20;
A substrate coated with a conductive quantum dot connected to the substrate support 30;
A plurality of container portions accommodating different coating liquids; And
A quantum dot thin film coating including a rotating part 40 which receives the second control signal CNT2 from the controller 20 to rotate the plurality of container parts in a predetermined direction and rotates the plurality of container parts at a constant speed. Device.
상기 회전부는 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제3 제어신호(CNT3)를 수신하여 상기 복수의 용기부들 각각을 회전가능하게 각 용기부 하단에 위치한 개별 회전부(50)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅 장치.
The method of claim 1,
The rotating unit may further include an individual rotating unit 50 positioned at a lower end of each container unit to receive the third control signal CNT3 output from the controller 20 so as to rotate each of the plurality of container units. Quantum dot thin film coating apparatus.
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는,
헥산, 톨루엔 등 도포액을 분산시키는 용매를 수용하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅 장치.
The method of claim 1,
One of the plurality of container portions 45,
A quantum dot thin film coating apparatus containing a solvent for dispersing a coating liquid such as hexane and toluene.
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는,
에탄다이티올, 벤젠다이티올 등의 티올을 포함하는 저분자 또는 하이드록실 아민 등 아민을 포함하는 저분자 또는 에탄다이올 등 1차 알콜을 포함하는 저분자의 도포액을 수용하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅 장치.
The method of claim 1,
One of the plurality of container portions 45,
A quantum dot thin film coating device containing a low molecular weight containing a thiol such as ethanedithiol, benzenedithiol, or a low molecular weight containing a amine such as hydroxyl amine or a low molecular weight containing a primary alcohol such as ethanediol .
상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)는, 휘발성 용액인 아세토나이트릴 도포액을 수용하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅 장치.
The method of claim 1,
One of the plurality of container portions (45), the quantum dot thin film coating apparatus characterized in that it contains acetonitrile coating liquid which is a volatile solution.
상기 몸통부(10) 내에 구비되어 제1 제어신호(CNT1) 내지 제3 제어신호(CNT3)를 출력하는 제어부(20);
상기 몸통부(10) 상부에 구비되며, 상기 제어부(20)로부터 출력된 상기 제어신호(CNT1)에 따라 수직 구동을 하는 기판 지지부(30);
외부로부터 제공된 양자점이 코팅된 기판을 코팅, 표면 개질, 세정 및 건조시킬 수 있는 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들(45); 및
상기 복수의 용기부들을 일정한 방향으로 회전시키도록 상기 제어부(20)로부터 제어신호(CNT2)를 수신하여 따라 일정한 속도로 상기 복수의 용기부들 및 각각을 회전시키는 회전부(40)를 포함하는 양자점 박막 코팅 장치.
Body portion 10;
A control unit 20 provided in the body portion 10 to output first control signals CNT1 to third control signals CNT3;
A substrate support part 30 provided above the body part 10 and vertically driven according to the control signal CNT1 output from the control part 20;
A plurality of container portions 45 containing different coating liquids capable of coating, surface modifying, cleaning, and drying a substrate coated with a quantum dot provided from the outside; And
A quantum dot thin film coating including a plurality of container parts and a rotating part 40 which rotates the plurality of container parts at a constant speed according to receiving a control signal CNT2 from the controller 20 to rotate the plurality of container parts in a predetermined direction. Device.
상기 복수의 용기부들 중 어느하나는,
전자로로 구성되어 상기 양자점이 코팅된 기판을 건조시키는 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅 장치.
The method of claim 6,
Any one of the plurality of container portion,
A quantum dot thin film coating apparatus comprising an electron furnace to dry the substrate coated with the quantum dots.
제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 서로 다른 도포액을 수용하는 복수의 용기부들 및 상기 복수의 용기부들 각각을 회전시킨 후, 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 제어부(20)로부터 출력된 제어신호에 따라 수직 이동하여 상기 복수의 용기부들 각각에 수용된 도포액에 도포시키는 제2단계(S20) 및
상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 공기중에 건조시키는 제3단계(S30)를 포함하는 양자점 박막 코팅장치 구동 방법.
A first step (S10) of providing a substrate coated with a conductive quantum dot connected to the substrate support 30; And
After rotating the plurality of container portions accommodating different coating liquids and each of the plurality of container portions according to the control signal output from the controller 20, the substrate coated with the conductive quantum dots is output from the controller 20. A second step S20 of vertically moving according to a control signal and applying the coating liquid to each of the plurality of container portions;
And a third step (S30) of drying the conductive quantum dot coated substrate in air.
상기 제2단계(S20)는,
제어부(20)로부터 출력된 제1 제어신호(CNT1)를 수신하여 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 상기 복수의 용기부들 중 어느 하나(45)에 수용된 도포액에 수직이동하여 도포시키는 A 단계;
제어부(20)로부터 출력된 제2 제어신호(CNT2)를 수신하여 상기 복수의 용기부들을 일정한 속도로 회전시키는 B 단계;
상기 전도성 양자점 기판을 공기중에 건조시키는 C 단계; 및
상기 A단계 부터 상기 C단계를 반복하는 D단계를 포함하는 양자점 박막 코팅장치 구동 방법.
The method of claim 8,
The second step (S20),
A step of receiving the first control signal (CNT1) output from the control unit 20 to apply the substrate coated with the conductive quantum dot vertically to the coating liquid accommodated in any one of the plurality of container (45);
Receiving a second control signal CNT2 output from the controller 20 and rotating the plurality of container portions at a constant speed;
Drying the conductive quantum dot substrate in air; And
Method of driving a quantum dot thin film coating apparatus comprising a step D to repeat the step A to C.
상기 도포액은 헥산, 톨루엔인 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅장치 구동 방법.
10. The method of claim 9,
The coating liquid is hexane, toluene characterized in that the quantum dot thin film coating device driving method.
상기 도포액은 에탄다이티올, 벤젠다이티올 등의 티올을 포함하는 저분자 또는 하이드록실 아민 등 아민을 포함하는 저분자 또는 에탄다이올 등 1차 알콜을 포함하는 저분자 도포액인 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅장치 구동 방법.
10. The method of claim 9,
The coating liquid is a quantum dot thin film coating, characterized in that the low-molecular coating liquid containing a low-molecular molecule containing a thiol, such as ethanedithiol, benzenedithiol, or a lower alcohol containing an amine such as hydroxyl amine or a primary alcohol such as ethanediol How to drive the device.
상기 도포액은 휘발성 용액인 아세토나이트릴 도포액인 것을 특징으로 하는 양자점 박막 코팅장치 구동 방법.
10. The method of claim 9,
The coating liquid is a quantum dot thin film coating apparatus driving method, characterized in that the acetonitrile coating liquid is a volatile solution.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100101367A KR101057830B1 (en) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | Quantum dot film coating apparatus and driving method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100101367A KR101057830B1 (en) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | Quantum dot film coating apparatus and driving method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101057830B1 true KR101057830B1 (en) | 2011-08-19 |
Family
ID=44933484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100101367A KR101057830B1 (en) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | Quantum dot film coating apparatus and driving method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101057830B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021161940A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | 富士フイルム株式会社 | Semiconductor film, photodetection element, image sensor, and method for producing semiconductor film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6805904B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Process of forming a multilayer nanoparticle-containing thin film self-assembly |
-
2010
- 2010-10-18 KR KR1020100101367A patent/KR101057830B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6805904B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Process of forming a multilayer nanoparticle-containing thin film self-assembly |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021161940A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | 富士フイルム株式会社 | Semiconductor film, photodetection element, image sensor, and method for producing semiconductor film |
| CN115066757A (en) * | 2020-02-13 | 2022-09-16 | 富士胶片株式会社 | Semiconductor film, photodetector, image sensor, and method for manufacturing semiconductor film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Quan et al. | Perovskites for next-generation optical sources | |
| Yang et al. | Interfacial synthesis of monodisperse CsPbBr3 nanorods with tunable aspect ratio and clean surface for efficient light-emitting diode applications | |
| Kim et al. | Efficient luminescence from perovskite quantum dot solids | |
| JP5547362B2 (en) | Method for making inorganic nanocomposites | |
| Mir et al. | Colloidal Mn-doped cesium lead halide perovskite nanoplatelets | |
| Talapin et al. | Prospects of colloidal nanocrystals for electronic and optoelectronic applications | |
| Zhou et al. | Surface ligand dynamics-guided preparation of quantum dots–cellulose composites for light-emitting diodes | |
| Li et al. | Enhancing luminescence and photostability of CsPbBr3 nanocrystals via surface passivation with silver complex | |
| Liu et al. | III–V nanocrystals capped with molecular metal chalcogenide ligands: high electron mobility and ambipolar photoresponse | |
| Liu et al. | Self-assembly and regrowth of metal halide perovskite nanocrystals for optoelectronic applications | |
| YousefiAmin et al. | Fully printed infrared photodetectors from PbS nanocrystals with perovskite ligands | |
| Green et al. | Synthetic routes to mercury chalcogenide quantum dots | |
| Teunis et al. | Programmable colloidal approach to hierarchical structures of methylammonium lead bromide perovskite nanocrystals with bright photoluminescent properties | |
| US20170015599A1 (en) | Method and apparatus for oxidation of two-dimensional materials | |
| Mishra et al. | Continuous shape tuning of nanotetrapods: Toward shape-mediated self-assembly | |
| Gomez et al. | Extraordinary interfacial stitching between single all-inorganic perovskite nanocrystals | |
| Kang et al. | 2D self-bundled CdS nanorods with micrometer dimension in the absence of an external directing process | |
| Qaid et al. | Fabrication of thin films from powdered cesium lead bromide (CsPbBr3) perovskite quantum dots for coherent green light emission | |
| KR101051083B1 (en) | The method of highly conductive quantum dot film and highly conductive quantum dot film prepared thereby | |
| JP2011062607A (en) | Circular nanoparticle assembly and method for producing the same | |
| KR101057830B1 (en) | Quantum dot film coating apparatus and driving method thereof | |
| Lu et al. | Wafer‐Scale Growth of Aligned C60 Single Crystals via Solution‐Phase Epitaxy for High‐Performance Transistors | |
| Kuang et al. | Regulated exciton dynamics and optical properties of single perovskite CsPbBr3 quantum dots by diluting surface ligands | |
| CN104282803B (en) | Method of manufacturing light-absorbing layer having semiconductor nanoparticles and method of manufacturing semiconductor device having the same light-absorbing layer | |
| Ahmad | Device Applications of Band-Structure-Engineered Nanomaterials Current Status and Future Trend-Review. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140605 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150609 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160608 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170621 Year of fee payment: 7 |