KR101052506B1 - 엘이디 검사장치 및 이를 이용한 엘이디 검사방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 엘이디 검사장치에 따른 구성을 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 측정부를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면도이다.
도 5는 도 4를 상면에서 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 검사방법을 도시한 순서도이다.
110: 공급부 120: 이동부
130: 측정부 131: 스테이지
132: 광측정유닛 133: 전류측정유닛
134: 스캔비젼 135: 변위센서
136: 저장유닛 140: 적재부
Claims (15)
- 특성이 측정될 엘이디가 적재된 웨이퍼를 공급하는 공급부, 상기 공급부에서 공급된 상기 웨이퍼의 엘이디 특성을 측정하는 측정부, 상기 측정부에서 측정된 특성에 따라 엘이디를 분류 및 적재한 적재부를 포함하는 엘이디 검사장치에 있어서, 상기 측정부는,
상기 웨이퍼와 인접하게 제공되며, 상기 웨이퍼 상의 엘이디 특성을 측정하는 측정유닛;
상기 웨이퍼와 인접하게 제공되어 상기 웨이퍼 상면과 상기 측정유닛과의 거리를 측정하는 변위센서; 및
상기 웨이퍼가 안착되며, 상기 변위센서에서 측정된 거리에 따라 상기 측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 조절하는 스테이지;
를 포함하는 엘이디 검사장치. - 제1항에 있어서,
상기 측정유닛은 상기 엘이디 광 특성을 측정하는 광측정유닛 및 상기 엘이디 전류 특성을 측정하는 전류측정유닛을 포함하며,
상기 변위센서는 상기 전류측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사장치. - 제2항에 있어서,
상기 웨이퍼 상면은 복수개의 측정영역이 구획되며,
상기 변위센서는 상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사장치. - 제2항에 있어서,
상기 변위센서는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사장치. - 제3항에 있어서,
상기 스테이지는,
상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리 또는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 조절하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사장치. - 제5항에 있어서,
상기 측정부는,
상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리 또는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 실시간으로 저장하는 저장유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사장치. - 제6항에 있어서,
상기 저장유닛은 상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리 또는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 평균화하여 저장하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사장치. - 특성이 측정될 엘이디가 적재된 웨이퍼를 공급하는 단계, 측정유닛에 의해 상기 웨이퍼의 상기 엘이디 특성을 측정하는 단계, 특성이 측정된 상기 엘이디를 분류 및 적재하는 단계를 포함하는 엘이디 검사방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 상기 엘이디를 측정하는 단계는,
상기 측정유닛에 제공된 스테이지에 상기 웨이퍼를 안착시키는 단계;
상기 웨이퍼와 인접하게 제공된 변위센서에 의해 상기 웨이퍼 상면과 상기 측정유닛과의 거리를 측정하는 단계; 및
상기 스테이지에서 상기 변위센서가 측정한 거리에 따라 상기 측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 조절하는 단계;
를 포함하는 엘이디 검사방법. - 제8항에 있어서,
상기 변위센서에 의해 상기 웨이퍼 상면과 상기 측정유닛과의 거리를 측정하는 단계에서,
상기 변위센서는 상기 측정유닛의 전류측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법. - 제9항에 있어서,
상기 전류측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 측정하는 단계에서,
상기 변위센서는 상기 웨이퍼 상면에 구획된 복수개의 측정영역을 따라 거리를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법. - 제9항에 있어서,
상기 전류측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 측정하는 단계에서,
상기 변위센서는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법. - 제10항에 있어서,
상기 측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 조절하는 단계에서,
상기 스테이지는 상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리 또는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법. - 제12항에 있어서,
상기 스테이지가 상기 거리를 조절하는 단계 이후에,
상기 전류측정유닛은 상기 엘이디 전류 특성을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법. - 제12항에 있어서,
상기 측정유닛과 상기 웨이퍼 상면과의 거리를 조절하는 단계에서,
상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리 또는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리를 실시간으로 저장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법. - 제14항에 있어서,
상기 거리를 실시간으로 저장하는 단계에서,
상기 전류측정유닛과 상기 측정영역 사이의 거리 또는 상기 전류측정유닛과 상기 엘이디 사이의 거리는 평균화하여 저장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 검사방법.
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KR1020100057271A KR101052506B1 (ko) | 2010-06-16 | 2010-06-16 | 엘이디 검사장치 및 이를 이용한 엘이디 검사방법 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101140917B1 (ko) | 2011-08-29 | 2012-05-03 | 주식회사 아데소 | 전류와 열을 이용한 엘이디 검사장치 |
KR101373423B1 (ko) | 2012-10-30 | 2014-03-14 | 세메스 주식회사 | 디스플레이 셀들을 검사하기 위한 장치 |
KR101535726B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2015-07-09 | 세메스 주식회사 | 디스플레이 셀들을 검사하기 위한 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040028645A (ko) * | 2001-08-06 | 2004-04-03 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브 카드의 특성을 측정하는 장치 및 방법 |
KR20050004293A (ko) * | 2002-08-07 | 2005-01-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 탑재대 구동 장치 및 프로브 방법 |
KR20050095614A (ko) * | 2003-01-20 | 2005-09-29 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브 장치 및 피검사체 검사 방법 |
-
2010
- 2010-06-16 KR KR1020100057271A patent/KR101052506B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040028645A (ko) * | 2001-08-06 | 2004-04-03 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브 카드의 특성을 측정하는 장치 및 방법 |
KR20050004293A (ko) * | 2002-08-07 | 2005-01-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 탑재대 구동 장치 및 프로브 방법 |
KR20050095614A (ko) * | 2003-01-20 | 2005-09-29 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브 장치 및 피검사체 검사 방법 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101140917B1 (ko) | 2011-08-29 | 2012-05-03 | 주식회사 아데소 | 전류와 열을 이용한 엘이디 검사장치 |
KR101373423B1 (ko) | 2012-10-30 | 2014-03-14 | 세메스 주식회사 | 디스플레이 셀들을 검사하기 위한 장치 |
KR101535726B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2015-07-09 | 세메스 주식회사 | 디스플레이 셀들을 검사하기 위한 장치 |
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