KR101048341B1 - Lens for electron beam and method manufacturing the same - Google Patents

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한국생산기술연구원
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Abstract

PURPOSE: A lens for an electron beam and a manufacturing method thereof are provided to minimize aberration reduction by freely controlling the thickness of a lens electrode unit. CONSTITUTION: Electrode units(100) made of second materials with conductivity are bonded by adding boron to one side of an insulation unit made of first materials. The outer surfaces of the electrode units and the outer surfaces of an insulation unit(200) except for the center are masked. The center of the insulation unit is etched from the non-masked part of the insulation layer to the junction area of the electrode unit.

Description

전자빔용 렌즈 및 이의 제조방법{Lens for Electron Beam and Method Manufacturing The Same}Lens for Electron Beam and Method for Manufacturing the Same

본 발명은 전자빔용 렌즈 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소형전자빔용 렌즈의 전극부의 두께조절을 자유롭게 하여 렌즈 설계 시 수차(收差) 감소를 최소화 할 수 있는 전자빔용 렌즈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a lens for an electron beam and a method of manufacturing the same, and more particularly, an electron beam lens and its manufacture that can minimize aberration reduction in lens design by freely adjusting the thickness of the electrode portion of the lens for a small electron beam. It is about a method.

전자빔용 렌즈는 리소가공장비, 마스크가공장비, 디스플레이 전자빔 검사장비 및 전자빔 현미경 등 적용분야가 매우 다양하다.Lenses for electron beams have a wide variety of applications such as lithography equipment, mask processing equipment, display electron beam inspection equipment, and electron beam microscopes.

또한, 소형전자빔의 경우에는 기존 범용전자빔 장비보다 다중 빔에 의한 생산성 향상, 대면적화, 진동안정성 및 진공관련 효율성을 지닌 장점을 보유하고 있어 근래에 소정전자빔의 사용이 증가하고 있는 추세이다.In addition, the small electron beam has advantages such as productivity improvement, large area, vibration stability, and vacuum-related efficiency by multiple beams compared to conventional general electron beam equipment, and thus, the use of predetermined electron beams is increasing in recent years.

도 1 및 도 2는 종래의 렌즈 및 가공방법을 간략하게 도시한 도면이다.1 and 2 are views schematically showing a conventional lens and a processing method.

종래의 전자빔용 렌즈는 도 1에 도시된 바와 같이, 렌즈(10)의 일면에 형성되며, 붕소(Boron)가 일정 깊이만큼 침투되어 도전성을 가지며, 중앙에 렌즈홀(16)이 형성된 전극부(14) 및 상기 붕소(Boron)가 침투되지 않아 도전성을 가지지 않는 절연부(12)의 중앙부(18)가 상기 전극부(14)까지 식각되는 형태로 이루어진다.A conventional electron beam lens is formed on one surface of the lens 10, as shown in Figure 1, boron (Boron) penetrates by a predetermined depth has a conductive, the electrode portion formed with a lens hole 16 in the center ( 14) and the center portion 18 of the insulating portion 12 which does not penetrate the boron (Boron) does not have a conductivity is etched to the electrode portion (14).

이와 같은, 종래의 전자빔용 렌즈의 가공방법은 도 2에 도시된 바와 같이, 실리콘 소재의 렌즈(10)의 일면에 붕소(Boron)을 일정 깊이만큼 침투시킨다.As described above, in the conventional method for processing an electron beam lens, boron (Boron) is penetrated to one surface of the lens 10 of silicon material by a predetermined depth.

상기 실리콘 소재의 렌즈(10)에 붕소(Boron)를 침투시키기 위하여 열 CVD법을 이용하는데 이에 따라, 일반적으로 붕소(Boron)의 침투 깊이는 약 2㎛정도가 된다.Thermal CVD is used to infiltrate boron into the lens 10 of the silicon material. As a result, the penetration depth of boron is about 2 μm.

이에 따라, 상기 붕소(Boron)가 침투된 영역이 도전성을 가지는 전극부(14)를 형성하고, 상기 붕소(Boron)가 침투되지 않은 영역이 절연부(12)를 형성하게 된다.Accordingly, the region in which boron is penetrated forms the electrode portion 14 having conductivity, and the region in which boron is not penetrated forms the insulating portion 12.

상기 실리콘 소재의 렌즈(10)의 일면에 붕소(Boron)을 일정 깊이만큼 침투시킨 후에는 상기 전극부(14)의 중앙에 상기 전극부(14)를 관통하는 렌즈홀(16)을 형성하고, 상기 렌즈홀(16)이 외부로 개방되도록 상기 절연부(12)의 중앙부를 식각하여 개구부(18)를 형성함으로써, 전자빔용 렌즈를 가공하였다.After boron is penetrated to one surface of the lens 10 of silicon material by a predetermined depth, a lens hole 16 penetrating the electrode 14 is formed in the center of the electrode 14. The lens for the electron beam was processed by etching the central portion of the insulating portion 12 to form the opening 18 so that the lens hole 16 was opened to the outside.

이는 상기 붕소(Boron)의 침투여부 즉, 붕소(Boron)의 함유량에 따라 식각 정도가 현저하게 차이 나는 것을 이용하는 것으로, 다시 말하면, 상기 절연부(12)가 상기 전극부(14)에 비하여 식각이 용이하게 이루어질 수 있기 때문이다.This means that the degree of etching differs significantly depending on whether boron is penetrated, that is, the content of boron. In other words, the insulating part 12 is more etched than the electrode part 14. This is because it can be made easily.

이와 같이 가공된 종래의 전자빔용 렌즈는 붕소(boron)의 침투두께에 종속적으로 그 두께가 결정됨으로 인하여 렌즈의 두께는 약 2㎛내외로 결정된다.In the conventional electron beam lens processed as described above, the thickness of the lens is determined to be about 2 μm because the thickness thereof is determined depending on the penetration thickness of boron.

따라서, 종래의 가공방법을 통해서 제조되는 전자빔용 렌즈는 두께의 조절이 자유롭지 못하다는 문제점이 존재하였다.Therefore, there is a problem that the thickness of the electron beam lens manufactured through the conventional processing method is not free to adjust the thickness.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 소형전자빔용 렌즈의 전극부의 두께조절을 자유롭게 하여 렌즈 설계 시 수차(收差) 감소를 최소활 할 수 있는 전자빔용 렌즈 및 이의 제조방법을 제공하는 데에 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention to freely adjust the thickness of the electrode portion of the lens for a small electron beam lens for electron beam which can minimize the aberration reduction in lens design and It is to provide a method for producing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부의 일면에 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어지는 전극부를 접합하는 접합단계, 상호 접합된 전극부의 외면 및 절연부의 중앙의 일정영역을 제외한 외주면을 마스킹하는 마스킹단계 및 상기 마스킹단계를 통해 상기 절연부의 마스킹되지 않은 영역에서부터 상기 전극부와의 접합 면까지 상기 절연부의 중앙부를 식각하는 식각단계를 포함하여 이루어지는 전자빔용 렌즈 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, boron (Boron) is added to one surface of the insulating portion made of a first material that is not boron (Boron) is made of a second material having conductivity Bonding step of bonding the electrode part, masking step of masking the outer circumferential surface excluding the predetermined area of the center of the insulating part and the outer surface of the mutually bonded electrode part and the masking step from the unmasked area of the insulating part to the bonding surface with the electrode part It provides an electron beam lens manufacturing method comprising an etching step of etching the central portion of the insulating portion.

여기에서, 상기 식각단계는 습식에칭공정을 통해 이루어질 수 있다.Here, the etching step may be made through a wet etching process.

본 실시예에 따르면, 상기 접합단계의 제1소재 및 제2소재는 실리콘 재질로 이루어지며, 상기 절연부 및 전극부가 잉곳 공정을 통해 제조되는 과정에서 붕소(Boron)가 상기 전극부를 제조하는 잉곳 공정에서 첨가될 수 있다.According to the present embodiment, the first material and the second material of the bonding step are made of a silicon material, and the ingot process in which boron (Boron) manufactures the electrode part in the process of manufacturing the insulating part and the electrode part through an ingot process. Can be added in.

본 실시예에 따른 상기 접합단계는 상기 절연부에 접합된 전극부를 관통하는 렌즈홀을 형성하는 렌즈홀 형성단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.The bonding step according to the present embodiment may further comprise a lens hole forming step of forming a lens hole penetrating the electrode portion bonded to the insulating portion.

종래의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부 및 중앙에 렌즈홀이 형성되며, 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어져 상기 절연부의 일면에 접합되는 전극부를 포함하여 이루어지며 상기 절연부는 상기 전극부가 접합되지 않은 일면에서, 상기 렌즈홀을 중심으로 일정영역을 가지는 중앙부가 식각되어 상기 전극부까지 일정공간의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔용 렌즈를 제공한다.In order to solve the conventional problem, according to an embodiment of the present invention, the lens hole is formed in the center and the insulating portion made of the first material is not added boron (Boron), boron (Boron) is added to improve the conductivity It is made of a second material comprising an electrode portion bonded to one surface of the insulating portion, wherein the insulating portion is etched in the central portion having a predetermined area around the lens hole on the surface where the electrode portion is not bonded to the electrode portion An electron beam lens is provided, wherein an opening of a space is formed.

본 발명의 전자빔용 렌즈 및 이의 제조방법에 따르면, 실리콘 소재를 일체형으로 하여 붕소(Boron)을 침투시켜 제조하는 대신에 실리콘 잉곳공정에서 붕소(Boron)을 첨가시켜 제조되는 제1소재와 붕소(Boron)을 첨가시키지 않고 실리콘 잉곳공정에서 제조된 제2소재를 접합하여 렌즈를 가공함으로써, 렌즈 전극부의 두께가 수㎛~수백㎛로 조절이 가능한 효과가 있다.According to the electron beam lens of the present invention and a method for manufacturing the same, the first material and boron manufactured by adding boron in the silicon ingot process instead of penetrating and manufacturing boron by integrating a silicon material as one body By processing the lens by bonding the second material manufactured in the silicon ingot process without adding), the thickness of the lens electrode portion can be adjusted to several micrometers to several hundred micrometers.

이에 따라, 렌즈 설계 시 렌즈 전극부의 두께가 자유롭게 조절 가능하여 수차(收差) 감소를 최소활 할 수 있는 효과가 있다. 따라서, 렌즈의 다양한 집속거리 등의 설계에 반영이 가능하다는 장점이 있다.Accordingly, when the lens design, the thickness of the lens electrode portion can be freely adjusted, thereby minimizing aberration reduction. Therefore, there is an advantage that it can be reflected in the design of various focal lengths of the lens.

도 1은 종래의 전자빔용 렌즈를 도시한 단면도;
도 2는 종래의 전자빔용 렌즈를 가공하는 방법을 간략하게 나타낸 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 제조 방법에 따라 전극부와 절연부를 접합하는 단계를 나타내는 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 제조 방법에 따라 마스킹단계를 나타내는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 제조 방법에 따라 절연부를 식각하는 단계를 나타내는 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈의 사시도 및 단면도; 및
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈의 제조방법을 나타내는 순서도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional electron beam lens;
2 is a view briefly showing a method of processing a lens for a conventional electron beam;
3 is a view illustrating a step of bonding an electrode part and an insulating part according to a lens manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention;
4 is a view showing a masking step according to the lens manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
5 is a view showing a step of etching the insulating portion according to the lens manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
6 is a perspective view and a sectional view of an electron beam lens according to an embodiment of the present invention; And
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electron beam lens according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same designations and the same reference numerals are used for the same components, and further description thereof will be omitted.

먼저, 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈 및 이의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 제조 방법에 따라 전극부와 절연부를 접합하는 단계를 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 제조 방법에 따라 마스킹단계를 나타내는 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 제조 방법에 따라 절연부를 식각하는 단계를 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈의 사시도 및 단면도이다.First, an electron beam lens and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 6. 3 is a view illustrating a step of bonding an electrode part and an insulating part according to a lens manufacturing method according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a masking step according to a lens manufacturing method according to an embodiment of the present invention 5 is a view illustrating a step of etching the insulating part according to the lens manufacturing method according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a perspective view and a cross-sectional view of the lens for an electron beam according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈는 크게, 붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부(200) 및 중앙에 렌즈홀(120)이 형성되며, 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어져 상기 절연부(200)의 일면에 접합되는 전극부(100)를 포함하여 이루어진다.Lens for the electron beam according to an embodiment of the present invention is large, the insulating portion 200 made of a first material without boron (Boron) and the lens hole 120 is formed in the center, boron (Boron) is added And an electrode part 100 formed of a second material having conductivity and bonded to one surface of the insulating part 200.

여기에서, 상기 절연부(200)는 상기 전극부(100)가 접합되지 않은 일면에서, 상기 렌즈홀(120)을 중심으로 일정영역을 가지는 중앙부가 식각되어 상기 전극부까지 일정공간의 개구부(220)가 형성되어 이루어진다.Here, the insulating part 200 is etched in a central part having a predetermined area around the lens hole 120 on one surface where the electrode part 100 is not bonded to the opening part 220 of the predetermined space to the electrode part. ) Is formed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절연부(200) 및 상기 전극부(100)는 각각 실리콘 재질로 이루어지며, 실리콘 잉곳 공정을 통해 제조된다.According to an embodiment of the present invention, the insulating part 200 and the electrode part 100 are each made of a silicon material, and are manufactured through a silicon ingot process.

여기에서, 상기 전극부(100)는 붕소(Boron)를 첨가시켜 실리콘 잉곳 공정을 수행하여 제조된다. 따라서, 상기 전극부(100)는 붕소(Boron)가 첨가됨에 따라 도전성을 가지게 된다.Here, the electrode part 100 is manufactured by adding a boron (Boron) to perform a silicon ingot process. Therefore, the electrode part 100 becomes conductive as boron is added.

본 실시예에 따른 상기 전극부(100)가 종래에 붕소(Boron)의 침투에 의하여 형성되는 것이 아니라 상술한 바와 같이, 실리콘 잉곳 공정 중에 붕소(Boron)을 첨가하여 제조됨으로 인하여 그 두께를 수㎛~수백㎛ 범위에서 자유롭게 설정할 수 있게 된다.The electrode part 100 according to the present embodiment is not formed by boron penetration in the related art, but is manufactured by adding boron during the silicon ingot process, as described above. It becomes possible to set freely in the range of several hundred micrometers.

본 실시예에 따른 상기 절연부(200)은 상기 전극부(100)와 마찬가지로 실리콘 잉곳 공정을 통해 제조되는데, 상기 전극부(100)와는 달리 실리콘 잉곳 공정에서 별도로 붕소(Boron)를 첨가시키지 않고 제조하게 된다. 따라서, 상기 절연부(200)는 상기 전극부(100)와는 달리 도전성을 띄지 않게 되는 것이다.The insulating part 200 according to the present exemplary embodiment is manufactured through the silicon ingot process similarly to the electrode part 100, and unlike the electrode part 100, the silicon ingot is manufactured without adding boron in the silicon ingot process. Done. Therefore, unlike the electrode part 100, the insulating part 200 is not conductive.

이와 같이, 상기 절연부(200)와 전극부(100)는 도 3에 도시된 바와 같이, 각각 별도의 소재로 제조되어 접합되게 된다.As such, as shown in FIG. 3, the insulating part 200 and the electrode part 100 are made of a separate material and bonded to each other.

본 실시예에 따르면, 상기 절연부(200)와 전극부(100)를 접합하는 방법은 다양하게 이루어질 수 있다. 예를 들면, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 절연부(200)와 전극부(100)의 접합면에 실리콘 옥사이드를 형성시켜 상기 절연부(200) 및 상기 전극부(100)를 접합하게 된다.According to the present embodiment, a method of bonding the insulating part 200 and the electrode part 100 may be various. For example, although not shown in the drawing, silicon oxide is formed on the bonding surface of the insulating portion 200 and the electrode portion 100 to bond the insulating portion 200 and the electrode portion 100.

이와 같이, 상기 절연부(200) 및 상기 전극부(100)의 접합이 완료되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전극부(100)의 중앙에 렌즈의 역할을 담당하는 렌즈홀(120)을 형성한다.As such, when the bonding between the insulating part 200 and the electrode part 100 is completed, as shown in FIG. 4, the lens hole 120 serving as a lens in the center of the electrode part 100 is provided. To form.

본 실시예에 따르면, 상기 렌즈홀(120)은 다양한 방법을 통해 형성될 수 있으며, 일 예로 사진식각공정(photo lithography)을 통해 식각될 수 있다.According to the present embodiment, the lens hole 120 may be formed through various methods, for example, may be etched through photo lithography.

상기 전극부(100)의 중앙에 상기 렌즈홀(120)의 형성이 완료되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 마스킹 공정을 통하여 상호 접합된 상기 전극부(100)의 외면 및 상기 절연부(200)의 중앙의 일정영역을 제외한 외주면을 마스킹(300)하고, 상기 렌즈홀(120)을 중심으로 일정영역을 가지는 상기 절연부(200)의 중앙부를 식각하여 상기 전극부(100)까지 일정공간의 개구부(220)가 형성되도록 한다.When the formation of the lens hole 120 in the center of the electrode unit 100 is completed, as shown in FIG. 5, the outer surface and the insulating unit 200 of the electrode unit 100 bonded to each other through a masking process. Masking the outer circumferential surface excluding a predetermined region in the center of the (300), and etching the central portion of the insulating portion 200 having a predetermined region around the lens hole 120 to the electrode portion 100 of the predetermined space The opening 220 is formed.

이에 따라, 상기 전극부(100)에 형성되는 상기 렌즈홀(120)은 외부로 개방되게 된다.Accordingly, the lens hole 120 formed in the electrode unit 100 is opened to the outside.

상기 절연부(200)는 상술한 바와 같이, 붕소(Boron)가 첨가되지 않아 식각이 용이하게 이루어진다.As described above, the insulation part 200 is easily etched because boron is not added.

본 실시예에 따르면, 상기 절연부(200)에 상기 개구부(220)를 형성하기 위하여 식각하는 방법의 일 예로 습식에칭(Wet-etching)을 사용할 수 있다.According to the present exemplary embodiment, wet etching may be used as an example of a method of etching to form the opening 220 in the insulating part 200.

상기 습식에칭(Wet-etching)을 위하여 본 실시예에서는 마스킹 공정을 통하여 상호 접합된 상기 전극부(100)의 외면 및 상기 절연부(200)의 중앙의 일정영역을 제외한 외주면을 마스킹(300)하는 것을 일 예로 하고 있으나 이에 한정되지 않고, 상기 전극부(100) 및 상기 절연부(200)의 외주면을 모두 마스킹(300)한 후에 상기 절연부(200)의 중앙부를 식각하고자 하는 부분을 마스킹하고 있는 부분을 패터닝한 후에 습식에칭(Wet-etching) 공정을 수행할 수도 있다.In the present embodiment for the wet etching (Wet-etching) for masking the outer peripheral surface of the electrode portion 100 and the outer peripheral surface except the predetermined region in the center of the insulating portion 200 bonded to each other through a masking process (300) For example, the present invention is not limited thereto, and after masking 300 the outer peripheral surfaces of the electrode part 100 and the insulating part 200, the part to mask the central part of the insulating part 200 is masked. After patterning the portion, a wet-etching process may be performed.

이와 같이, 상기 절연부(200)의 식각이 완료되면, 상기 마스킹(300)을 제거하여 도 6에 도시된 바와 같이, 전자빔용 렌즈의 제조가 완료된다.As such, when the etching of the insulating part 200 is completed, the masking 300 is removed to manufacture the lens for the electron beam as shown in FIG. 6.

본 실시예에서는 상기 전자빔용 렌즈의 단면이 사각형인 것을 일 예로 하고 있으나, 이에 한정되지 않고, 단면의 형상은 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In this embodiment, the cross section of the electron beam lens is an example, but is not limited thereto. The shape of the cross section may be variously changed according to a design.

끝으로, 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈의 제조방법에 대하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 여기에서 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔용 렌즈의 제조방법을 나타내는 순서도이다.Finally, with reference to Figure 7 will be described in more detail with respect to the manufacturing method of the electron beam lens according to an embodiment of the present invention. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electron beam lens according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전자빔용 렌즈의 제조방법은, 도 7에 도시된 바와 같이, 붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부 일면에 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어지는 전극부를 각각 실리콘 잉곳 공정을 통해 제조하여 접합하는 단계(S1), 절연부에 접합된 전극부를 관통하는 렌즈홀을 형성하는 단계(S3), 상호 접합된 전극부의 외면 및 절연부의 중앙의 일정영역을 제외한 외주면을 마스킹하는 단계(S5), 절연부의 마스킹되지 않은 영역에서부터 상기 전극부와의 접합 면까지 상기 절연부의 중앙부를 식각하는 단계(S7) 및 식각이 완료된 절연부 및 전극부의 외주면에 형성된 마스킹을 제거하는 단계(S9)를 포함하여 이루어진다.In the method of manufacturing the electron beam lens according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, boron is added to one surface of an insulating part made of a first material to which boron is not added. Manufacturing and bonding the electrode parts each made of a second material having a silicon ingot process (S1), forming a lens hole penetrating the electrode parts bonded to the insulating part (S3), an outer surface of the electrode parts bonded to each other, and Masking an outer circumferential surface excluding a predetermined region in the center of the insulating part (S5), etching the central part of the insulating part from an unmasked area of the insulating part to a junction surface with the electrode part (S7), and the insulating part having completed the etching; It includes a step (S9) to remove the masking formed on the outer peripheral surface of the electrode portion.

여기에서, 상기 붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부 일면에 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어지는 전극부를 각각 실리콘 잉곳 공정을 통해 제조하여 접합하는 단계(S1)에서 상기 제1소재 및 제2소재는 실리콘 재질로 이루어진다.Here, the step of manufacturing and bonding each of the electrode parts made of a second material having a conductivity by adding boron (Boron) to one surface of the insulating portion made of the first material is not boron (Boron) added through a silicon ingot process ( In S1), the first material and the second material are made of a silicon material.

상기 접합단계(S1)에서는 상기 절연부(200)와 전극부(100)의 접합면에 실리콘 옥사이드를 형성시켜 상기 절연부(200) 및 상기 전극부(100)를 접합하는 방법이 사용될 수도 있다.In the bonding step (S1), a method of bonding the insulating part 200 and the electrode part 100 by forming silicon oxide on the bonding surface of the insulating part 200 and the electrode part 100 may be used.

상기 절연부에 접합된 전극부를 관통하는 렌즈홀을 형성하는 단계(S3)에서는 상기 렌즈홀(120)이 사진식각공정(photo lithography)을 통해 식각되어 렌즈의 역할을 담당하게 된다.In the forming of the lens hole penetrating the electrode portion bonded to the insulating portion (S3), the lens hole 120 is etched through photo lithography to play a role of a lens.

상기 상호 접합된 전극부의 외면 및 절연부의 중앙의 일정영역을 제외한 외주면을 마스킹하는 단계(S5)는 마스킹 공정을 통해 이루어져, 상기 절연부의 마스킹되지 않은 영역에서부터 상기 전극부와의 접합 면까지 상기 절연부의 중앙부를 식각하는 단계(S7)를 통해 식각되는 상기 절연부(200)의 중앙부를 제외한 모든 영역을 식각공정으로부터 보호하게 된다.Masking the outer circumferential surface except for a predetermined region in the center of the insulating portion and the outer surface of the electrode bonded to each other (S5) is made through a masking process, from the unmasked region of the insulating portion to the bonding surface with the electrode portion Through etching the central portion (S7), all regions except the central portion of the insulating portion 200 to be etched are protected from the etching process.

상기 절연부의 마스킹되지 않은 영역에서부터 상기 전극부와의 접합 면까지 상기 절연부의 중앙부를 식각하는 단계(S7)는 습식에칭(Wet-etching)을 통하여 붕소(Boron)가 첨가되지 않아 식각이 용이한 상기 절연부(200)의 중앙부를 식각하여 상기 개구부(220)를 형성하게 된다.Etching the central portion of the insulation portion from the unmasked region of the insulation portion to the junction surface with the electrode portion (S7) is easy to etch since boron is not added through wet-etching. The opening portion 220 is formed by etching the central portion of the insulation portion 200.

끝으로, 상기 식각이 완료된 절연부 및 전극부의 외주면에 형성된 마스킹을 제거하는 단계(S9)를 통해 상기 마스킹(300)을 모두 제거하면 전자빔용 렌즈의 제조가 완료된다.Finally, when the masking 300 is removed through the step S9 of removing the masking formed on the outer circumferential surfaces of the insulating part and the electrode part, the manufacturing of the electron beam lens is completed.

이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described, and the fact that the present invention can be embodied in other specific forms in addition to the above-described embodiments without departing from the spirit or scope thereof has ordinary skill in the art. It is obvious to them. Therefore, the above-described embodiments should be regarded as illustrative rather than restrictive, and thus, the present invention is not limited to the above description and may be modified within the scope of the appended claims and their equivalents.

10: 렌즈 12, 200: 절연부
14, 100: 전극부 300: 마스크
16, 120: 렌즈홀 18, 220: 개구부10: lens 12, 200: insulation
14, 100: electrode 300: mask
16, 120: lens hole 18, 220: opening

Claims (5)

붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부의 일면에 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어지는 전극부를 접합하는 접합단계;
상호 접합된 전극부의 외면 및 절연부의 중앙의 일정영역을 제외한 외주면을 마스킹하는 마스킹단계; 및
상기 마스킹단계를 통해 상기 절연부의 마스킹되지 않은 영역에서부터 상기 전극부와의 접합 면까지 상기 절연부의 중앙부를 식각하는 식각단계;
를 포함하여 이루어지는 전자빔용 렌즈 제조방법.A bonding step of joining an electrode part made of a second material having a conductivity by adding boron to one surface of an insulating part made of a first material not containing boron;
A masking step of masking an outer circumferential surface excluding a predetermined region of the outer surface of the electrode portion and the center of the insulated portion joined to each other; And
An etching step of etching the central part of the insulating part from the unmasked area of the insulating part to the junction surface with the electrode part through the masking step;
Lens manufacturing method for an electron beam comprising a. 제1항에 있어서,
상기 식각단계는,
습식에칭공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자빔용 렌즈 제조방법.The method of claim 1,
The etching step,
Lens manufacturing method for an electron beam, characterized in that made through a wet etching process. 제1항에 있어서,
상기 접합단계의 제1소재 및 제2소재는 실리콘 재질로 이루어지며, 상기 절연부 및 전극부가 잉곳 공정을 통해 제조되는 과정에서 붕소(Boron)가 상기 전극부를 제조하는 잉곳 공정에서 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자빔용 렌즈 제조방법.The method of claim 1,
The first material and the second material of the bonding step is made of a silicon material, characterized in that the boron (Boron) is added in the ingot process to manufacture the electrode portion in the process of the insulating portion and the electrode portion is manufactured through the ingot process. Lens manufacturing method for an electron beam. 제1항에 있어서,
상기 접합단계는,
상기 절연부에 접합된 전극부를 관통하는 렌즈홀을 형성하는 렌즈홀 형성단계를 더 포함하여 이루어지는 전자빔용 렌즈 제조방법.The method of claim 1,
The bonding step,
And a lens hole forming step of forming a lens hole penetrating the electrode portion bonded to the insulating portion. 붕소(Boron)가 첨가되지 않은 제1소재로 이루어지는 절연부; 및
중앙에 렌즈홀이 형성되며, 붕소(Boron)가 첨가되어 도전성을 가지는 제2소재로 이루어져 상기 절연부의 일면에 접합되는 전극부
를 포함하여 이루어지며,
상기 절연부는 상기 전극부가 접합되지 않은 일면에서, 상기 렌즈홀을 중심으로 일정영역을 가지는 중앙부가 식각되어 상기 전극부까지 일정공간의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔용 렌즈.An insulation part made of a first material to which boron is not added; And
A lens hole is formed in the center, and boron is added, and an electrode part made of a second material having conductivity is joined to one surface of the insulating part.
It is made, including
The insulating part is an electron beam lens, characterized in that the central portion having a predetermined area around the lens hole is etched from one surface where the electrode portion is not bonded to form an opening of a predetermined space to the electrode portion.
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