KR101046029B1 - 홀 소자 및 자기 센서 회로 - Google Patents

홀 소자 및 자기 센서 회로 Download PDF

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    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
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    • G01R33/07Hall effect devices

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Abstract

본 발명은 홀 소자 및 자기 센서 회로에 관한 것으로, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자 및 제3단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자 및 제6 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제2 단자와 상기 제4 단자 사이의 제4 저항을 포함하는 메인 플레이트; 및 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 제1 보조 플레이트를 포함한다.

Description

홀 소자 및 자기 센서 회로{HALL DEVICE AND MAGNETIC SENSOR CIRCUIT}
본 발명은 휴대폰이나 모터 등에 적용될 수 있는 홀 소자 및 자기 센서 회로에 관한 것으로, 특히 추가적인 저항 플레이트를 이용하여 옵셋을 제거할 수 있도록 함으로써, 차지 면적을 줄일 수 있고 전력소모를 줄일 수 있는 홀 소자 및 자기 센서 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 홀 소자(Hall device)는 홀 효과(Hall effect)를 이용하여 자계를 감지하는 소자로써, 홀 효과는 전류가 흐르는 어떠한 도체에 자기장이 가해지면 일정한 방향으로 힘(로렌츠의 힘)이 발생하고, 이 힘에 의해서 전류의 흐름이 변경되어, 이 전류의 흐름 변경에 의해 두 검출단에서의 전압의 차이(이하, 홀 전압이하 함)가 발생하며, 이러한 홀 전압을 이용하면 홀 센서가 자기장을 감지할 수 있다.
이러한 홀 센서는 보다 정확한 감지를 위해서는 외부에 자기장에 없는 상태에서는 영(zero) 전압이 출력되어야 한다. 이러한 홀 소자의 특성을 좋게 하기 위해, 다양한 형태 또는 공정 또는 도핑농도 등을 조정하여 특화된 홀 소자가 개발되고 있다.
일반적으로, 홀 센서는 홀 소자와 그 관련 회로를 포함하여, 통상의 CMOS 공정을 이용하여 집적회로 구현될 수 되는데, 이러한 홀 센서 집적회로에서 가장 중요한 핵심 구성은 로렌츠의 힘에 의해서 전압을 발생시키는 홀 소자(플레이트)이다.
이러한 홀 소자는 전술한 바와 같이 다양한 형태로 제작될 수 있으며, 이러한 홀 소자는, 바람직하게는 자장이 인가되지 않을 경우에는 영전압을 출력하여야 하고, 자장이 인가되는 경우에는 로렌츠 힘에 의해 발생되는 일정 크기의 전압을 출력하여야 하는데, 이때의 전압을 홀 전압이라고 한다.
한편, 홀 소자는 옵셋이나 온도와 같은 왜곡을 발생하지 않는 것이 바람직하지만, 제작 기술 및 제작 공정 등의 여러 가지 요인으로 인하여 영(zero)전압이 아닌 일정한 전압크기의 옵셋(offset)을 출력하는 경우가 있으며, 이 경우, 홀 소자에 옵셋이 발생하는 경우에는, 옵셋의 크기 만큼 홀 센서의 감도를 저하시키는 문제점이 있다.
이와 같은 홀 소자의 옵셋을 줄이기 위해서, 종래 홀 소자를 복수 개를 이용하여 홀 소자의 옵셋을 줄이려는 기술 개발이 이루어지고 있으나, 이러한 방법은 기본적으로 홀 소자를 복수 개 이용하여야 하므로, 차지 면적이 증가하는 문제점과 전력소비를 상승시키는 문제점이 있으며, 이에 따라 제작비가 상승되는 등의 문제점이 있다.
본 발명의 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 본 발명은, 추가적인 저항 플레이트를 이용하여 옵셋을 제거할 수 있도록 함으로써, 차지 면적을 줄일 수 있고 전력소모를 줄일 수 있는 홀 소자 및 자기 센서 회로를 제공한다.
상기한 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 기술적인 측면은, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자 및 제3단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자 및 제6 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제2 단자와 상기 제4 단자 사이의 제4 저항을 포함하는 메인 플레이트; 및 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 제1 보조 플레이트를 포함하는 홀 소자를 제안한다.
본 발명의 제1 기술적인 측면에서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제2 기술적인 측면은, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자 및 제3단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자 및 제6 단자와, 상기 제2단자 및 제4단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제7 단자 및 제8 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제7 단자와 상기 제8 단자 사이의 제4 저항을 포함하는 메인 플레이트; 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 제1 보조 플레이트; 및 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제3 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제3 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제2단자 및 제4단자에 연결될 수 있는 제3 보조단자 및 제4 보조단자 사이의 제6저항을 포함하는 제2 보조 플레이트를 포함하는 홀 소자를 제안한다.
본 발명의 제2 기술적인 측면에서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖고, 상기 제6저항은, 상기 제4저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제3 기술적인 측면은, 메인 플레이트와 제1 보조 플레이트를 포함하고, 상기 메인 플레이트는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1 및 제3 단자 각각에 연결될 수 있는 제5 단자 내지 제6 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제2 단자와 상기 제4 단자 사이의 제4 저항을 포함하고, 상기 제1 보조 플레이트는, 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 홀 소자; 기설정된 제1 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제1 단자를 상기 제5 단자와 제1 보조단자중에서 하나에 연결하는 제1 스위치와, 기설정된 제2 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제3 단자를 상기 제6 단자와 제2 보조단자중에서 하나에 연결하는 제2 스위치를 포함하는 스위칭 회로부; 및 기설정된 전원 스위칭 신호가 제1 클럭일 때 선택되는 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압과, 상기 전원 스위칭 신호가 제2 클럭일 때 선택되는 상기 제1 및 제4 단자간 제2 옵셋전압과에 결정되는 옵셋전압을 설정하여 제거하는 신호 처리부를 구비하는 자기 센서 회로를 제안한다.
본 발명의 제3 기술적인 측면에서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제3 기술적인 측면에서, 본 발명의 자기 센서 회로는, 사전에 설정되는 선택에 따라 상기 제1 및 제2 단자 스위칭 신호를 생성하여, 상기 제1 스위치 및 제2 스위치에 제공하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 스위치는 상기 제1 및 제2 스위칭 신호에 의해 상기 제2 스위치와 동기되어, 상기 제3 단자가 제6 단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제5 단자에 연결하고, 상기 제3 단자가 제2 보조단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제1 보조단자에 연결하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 신호 처리부는, 상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1 및 제3 단자 각각이 각각 상기 제5 및 제6 단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호가 제1 클럭이 되어 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압을 입력받고, 상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1 및 제3 단자 각각이 각각 상기 제1 및 제2 보조단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호가 제2 클럭이 되어 상기 제1 및 제4 단자간의 제2 옵셋전압을 입력받는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제4 기술적인 측면은, 메인 플레이트와 제1 보조 플레이트 및 제2 보조 플레이트를 포함하고, 상기 메인 플레이트는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자 및 제3단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자 및 제6 단자와, 상기 제2단자 및 제4단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제7 단자 및 제8 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제7 단자와 상기 제8 단자 사이의 제4 저항을 포함하고, 상기 제1 보조 플레이트는, 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하고, 상기 제2 보조 플레이트는, 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제3 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제3 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제2단자 및 제4단자에 연결될 수 있는 제3 보조단자 및 제4 보조단자 사이의 제6저항을 포함하는 홀 소자; 기설정된 제1 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제1 단자를 상기 제5 단자와 제1 보조단자중에서 하나에 연결하는 제1 스위치와, 기설정된 제2 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제3 단자를 상기 제6 단자와 제2 보조단자중에서 하나에 연결하는 제2 스위치와, 기설정된 제3 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제2 단자를 상기 제7 단자와 제3 보조단자중에서 하나에 연결하는 제3 스위치와, 기설정된 제4 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제4 단자를 상기 제8 단자와 제4 보조단자중에서 하나에 연결하는 제4 스위치를 포함하는 스위칭 회로부; 및 기설정된 전원 스위칭 신호가 제1 클럭일 때 선택되는 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압과, 상기 전원 스위칭 신호가 제2 클럭일 때 선택되는 상기 제1 및 제4 단자간 제2 옵셋전압과에 결정되는 옵셋전압을 설정하여 제거하는 신호 처리부를 구비하는 자기 센서 회로를 제안한다.
본 발명의 제4 기술적인 측면에서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖고, 상기 제6저항은, 상기 제4저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제4 기술적인 측면에서, 본 발명의 자기 센서 회로는, 사전에 설정되는 선택에 따라 상기 제1,제2,제3 및 제4 단자 스위칭 신호를 생성하여, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위치 각각에 제공하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 스위치는 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위칭 신호에 의해 상기 제2,제3 및 제4 스위치와 동기되어, 상기 제3 단자가 제6 단자에, 제2단자가 제7 단자에, 제4단자가 제8 단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제5 단자에 연결하고, 상기 제3 단자가 제2 보조단자에, 제2단자가 제3 보조단자에, 제4단자가 제4 보조단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제1 보조단자에 연결하는 것을 특징으로 한다.
상기 신호 처리부는, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위치에 의해, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 단자 각각이 각각 상기 제5, 제7, 제6 및 제8 단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호가 제1 클럭이 되어 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압을 입력받고, 상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 단자 각각이 각각 상기 제1, 제3, 제2 및 제4 보조단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호가 제2 클럭이 되어 상기 제1 및 제4 단자간의 제2 옵셋전압을 입력받는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 추가적인 저항 플레이트를 이용하여 옵셋을 제거할 수 있도록 함으로써, 차지 면적을 줄일 수 있고 전력소모를 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 홀 소자의 제1 구현 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 홀 소자의 제2 구현 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 자기 센서 회로의 제1 구현 예시도.
도 4는 도 3의 자기 센서 회로의 제1 사용 예시도.
도 5는 도 3의 자기 센서 회로의 제2 사용 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 자기 센서 회로의 제2 구현 예시도.
도 7은 도 6의 자기 센서 회로의 제1 사용 예시도.
도 8은 도 7의 자기 센서 회로의 제2 사용 예시도.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시 예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 홀 소자의 제1 구현 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 홀 소자(100)의 제1 구현 예는, 메인 플레이트(110)와 제1 보조 플레이트(120)를 포함할 수 있다.
상기 메인 플레이트(100)는 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원(Vdd)의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자(T11) 및 제2 단자(T12), 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자(T13) 및 제4 단자(T14), 상기 제1단자(T11) 및 제3단자(T13) 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자(T15) 및 제6 단자(T16)를 갖고, 상기 제1 단자(T11)와 상기 제2 단자(T12) 사이의 제1 저항(R11)과, 상기 제5 단자(T15)와 상기 제6 단자(T16) 사이의 제2 저항(R12)과, 상기 제3 단자(T13)와 상기 제4 단자(T14) 사이의 제3 저항(R13)과, 상기 제2 단자(T12)와 상기 제4 단자(T14) 사이의 제4 저항(R14)을 포함할 수 있다.
상기 제1 보조 플레이트(120)는, 상기 메인 플레이트(110)의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22)를 갖고, 상기 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22) 사이의 제5 저항(R21)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제5 저항(R21)은, 상기 제2 저항(R12)과 스위칭 될 수 있으며, 이 경우, 상기 제2저항(R12)과 동일한 저항치를 갖도록 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 홀 소자의 제2 구현 예시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 홀 소자의 제2 구현 예는, 메인 플레이트(110)와 제1 보조 플레이트(120) 및 제2 보조 플레이트(130)를 포함할 수 있다.
상기 메인 플레이트(110)는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원(Vdd)의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자(T11) 및 제2 단자(T12), 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자(T13) 및 제4 단자(T14), 제5 단자(T15) 내지 제8 단자(T18)를 갖고, 상기 제1 단자(T11)와 상기 제2 단자(T12) 사이의 제1 저항(R11)과, 상기 제5 단자(T15)와 상기 제6 단자(T16) 사이의 제2 저항(R12)과, 상기 제3 단자(T13)와 상기 제4 단자(T14) 사이의 제3 저항(R13)과, 상기 제7 단자(T17)와 상기 제8 단자(T18) 사이의 제4 저항(R14)을 포함할 수 있다.
상기 제1 보조 플레이트(120)는, 상기 메인 플레이트(110)의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22)를 갖고, 상기 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22) 사이의 제5 저항(R21)을 포함할 수 있다.
상기 제2 보조 플레이트(130)는, 상기 메인 플레이트(110)의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제3 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제3 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제2단자(T12) 및 제4단자(T14)에 연결될 수 있는 제3 보조단자(T31) 및 제4 보조단자(T32)를 갖고, 상기 제3 보조단자(T31) 및 제4 보조단자(T32) 사이의 제6저항(R31)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제5 저항(R21)은, 상기 제2 저항(R12)과 스위칭 될 수 있으며, 이 경우, 상기 제2저항(R12)과 동일한 저항치를 갖고, 상기 제6저항(R31)은, 상기 제4 저항(R14)과 스위칭 될 수 있으며, 이 경우, 상기 제4저항(R14)과 동일한 저항치를 갖도록 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 자기 센서 회로의 제1 구현 예시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 자기 센서 회로의 제1 구현에는, 홀 소자(100)와, 스위칭 회로부(200) 및 신호 처리부(300)를 포함할 수 있다.
상기 홀 소자(100)는, 메인 플레이트(110)와 제1 보조 플레이트(120)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 메인 플레이트(110)는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원(Vdd)의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자(T11) 및 제2 단자(T12), 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자(T13) 및 제4 단자(T14), 제5 단자(T15) 내지 제6 단자(T16)를 갖고, 상기 제1 단자(T11)와 상기 제2 단자(T12) 사이의 제1 저항(R11)과, 상기 제5 단자(T15)와 상기 제6 단자(T16) 사이의 제2 저항(R12)과, 상기 제3 단자(T13)와 상기 제4 단자(T14) 사이의 제3 저항(R13)과, 상기 제2 단자(T12)와 상기 제4 단자(T14) 사이의 제4 저항(R14)을 포함한다.
상기 제1 보조 플레이트(120)는, 상기 메인 플레이트(110)의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22)를 갖고, 상기 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22) 사이의 제5 저항(R21)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 스위칭 회로부(200)는, 기설정된 제1 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제1 단자(T11)를 상기 제5 단자(T15)와 제1 보조단자(T21)중에서 하나에 연결하는 제1 스위치(SW1)와, 기설정된 제2 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제3 단자(T13)를 상기 제6 단자(T16)와 제2 보조단자(T22)중에서 하나에 연결하는 제2 스위치(SW2)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 신호 처리부(300)는, 기설정된 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)일 때 선택되는 상기 제2 및 제3 단자(T12,T13)간의 제1 옵셋전압과 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(
Figure 112010026333754-pat00001
)일때 선택되는 상기 제1 및 제4 단자간 제2 옵셋전압과에 결정되는 옵셋전압을 설정하여 제거할 수 있다.
상기 제5 저항(R21)은, 상기 제2 저항(R12)과 스위칭 될 수 있으며, 이 경우, 상기 제2저항(R12)과 동일한 저항치를 갖고, 상기 제6저항(R31)은, 상기 제4 저항(R14)과 스위칭 될 수 있으며, 이 경우, 상기 제4저항(R14)과 동일한 저항치를 갖도록 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 자기 센서 회로의 제1 구현 예에서, 본 발명의 자기 센서 회로는, 사전에 설정되는 선택에 따라 상기 제1 및 제2 단자 스위칭 신호(S1,S2)를 생성하여, 상기 제1 및 제2 스위치(SW1,SW2)에 제공하는 스위칭 제어부(400)를 더 포함할 수 있다.
한편, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 스위치(SW1)는 상기 제1 및 제2 스위칭 신호(S1,S2)에 의해 상기 제2 스위치(SW2)와 동기되어, 상기 제3 단자(T13)가 제6 단자(T16)에 연결될 때 상기 제1 단자(T11)를 상기 제5 단자(T15)에 연결한다.
이때, 상기 신호 처리부(300)는, 상기 제1 및 제2 스위치(SW1,SW2)에 의해, 상기 제1 및 제3 단자(T11,T13) 각각이 각각 상기 제5 및 제6 단자(T15,T16)에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)이 되어 상기 제2 및 제3 단자(T12,T13)간의 제1 옵셋전압(Voff1)을 입력받을 수 있다.
이와 달리, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 제1 스위치(SW1)는 상기 제1 및 제2 스위칭 신호(S1,S2)에 의해 상기 제2 스위치(SW2)와 동기되어, 상기 제3 단자(T13)가 제2 보조단자(T22)에 연결될 때 상기 제1 단자(T11)를 상기 제1 보조단자(T21)에 연결한다.
이때, 상기 신호 처리부(300)는, 상기 제1 및 제2 스위치(SW1,SW2)에 의해, 상기 제1 및 제3 단자(T11,T13) 각각이 각각 상기 제1 및 제2 보조단자(T21,T22)에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(
Figure 112010026333754-pat00002
)이 되어 상기 제1 및 제4 단자(T11,T14)간의 제2 옵셋전압(Voff2)을 입력받을 수 있다.
도 4는 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)일 때 도 3의 자기 센서 회로의 제1 사용 예시도이고, 도 5는 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(
Figure 112010026333754-pat00003
)일 때 도 3의 자기 센서 회로의 제2 사용 예시도이다.
도 4에 도시된 회로도는, 상기 제1 스위치(SW1)에 의해 제1 단자(T11)가 제5 단자(T15)에 연결되고, 상기 제2 스위치(SW2)에 의해서 제3 단자(T13)가 제6 단자(T16)에 연결된 경우, 본 발명의 홀 소자(100)의 등가 회로도이다.
이때, 본 발명의 자기 센서 회로에서, 흐르는 전류 Iin이 동일하다고 하면, 제1 옵셋전압(Voff1)은, 상기 제3 단자(T13)에서의 전압(VH)과 상기 제2 단자(T12)에서의 전압(VL)과에 결정되는 옵셋전압으로, 하기 수학식 1과 같이 표현될 수 있고, 전체 저항(Rtotal)은 하기 수학식 2와 같다.
[수학식 1]
Figure 112010026333754-pat00004

[수학식 2]
Figure 112010026333754-pat00005

도 5에 도시된 회로도는, 상기 제1 스위치(SW1)에 의해 제1 단자(T11)가 제1 보조단자(T21)를 선택하고, 상기 제2 스위치(SW2)에 의해 제3 단자(T13)가 제2 보조단자(T22)에 연결된 경우, 본 발명의 홀 소자(100)의 등가 회로도이다.
이때, 본 발명의 자기 센서 회로에서, 흐르는 전류 Iin이 동일하다고 하면, 제2 옵셋전압(Voff2)은, 상기 제1 단자(T11)에서의 전압(VH)과 상기 제4 단자(T14)에서의 전압(VL)과의 차전압으로, 하기 수학식3과 같이 표현될 수 있고, 전체 저항(
Figure 112010026333754-pat00006
)은 하기 수학식 4와 같다.
[수학식 3]
Figure 112010026333754-pat00007

[수학식 4]
Figure 112010026333754-pat00008

상기 수학식 2 내지 4를 이용하면, 상기 수학식 1 및 2는 하기 수학식 5 및 6과 같이 표현될 수 있다.
[수학식 5]
Figure 112010026333754-pat00009

[수학식 6]
Figure 112010026333754-pat00010

상기 수학식 5 내지 6을 이용하면, 본 발명의 자기 센서 회로에서의 옵셋전압(Voff)은 하기 수학식 7과 같이 표현될 수 있다.
[수학식 7]
Figure 112010026333754-pat00011

상기 수학식 7에서, R13+R14+R11을 A라고 하면, 하기 수학식 8과 같이 표현될 수 있다.
[수학식 8]
Figure 112010026333754-pat00012

상기 수학식 8에서, 상기 옵셋전압(Voff)은 제2 저항(R12)과 제5저항(R21)이 서로 같다면 옵셋전압은 0이 될 수 있다. 즉 추가되는 제5 저항(R21)이 제2저항(R12)과 동일하게 제작된다면 옵셋전압이 영(0)이 되도록 할 수 있다.
이에 따르면, 1개로 직교 변조(orthogonal modulation)방식을 사용하는 선행 기술이나, 2개 혹은 다수의 홀 소자를 사용하여 옵셋을 제거하는 선행 기술보다, 본 발명은 면적과 소자간 발생되는 옵셋을 최소화 할 수 있는 장점을 가지고 있다.
도 6은 본 발명에 따른 자기 센서 회로의 제2 구현 예시도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 자기 센서 회로의 제2 구현 예는, 홀 소자(100)와, 스위칭 회로부(200) 및 신호 처리부(300)를 포함할 수 있다.
상시 홀 소자(100)는, 메인 플레이트(110)와 제1 보조 플레이트(120) 및 제2 보조 플레이트(130)를 포함할 수 있다.
상기 메인 플레이트(110)는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원(Vdd)의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자(T11) 및 제2 단자(T12), 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자(T13) 및 제4 단자(T14), 제5 단자(T15) 내지 제8 단자(T18)를 갖고, 상기 제1 단자(T11)와 상기 제2 단자(T12) 사이의 제1 저항(R11)과, 상기 제5 단자(T15)와 상기 제6 단자(T16) 사이의 제2 저항(R12)과, 상기 제3 단자(T13)와 상기 제4 단자(T14) 사이의 제3 저항(R13)과, 상기 제7 단자(T17)와 상기 제8 단자(T18) 사이의 제4 저항(R14)을 포함할 수 있다.
상기 제1 보조 플레이트(120)는, 상기 메인 플레이트(110)의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22)를 갖고, 상기 제1 보조단자(T21) 및 제2 보조단자(T22) 사이의 제5 저항(R21)을 포함할 수 있다.
상기 제2 보조 플레이트(130)는, 상기 메인 플레이트(110)의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제3 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제3 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제2단자(T12) 및 제4단자(T14)에 연결될 수 있는 제3 보조단자(T31) 및 제4 보조단자(T32)를 갖고, 상기 제3 보조단자(T31) 및 제4 보조단자(T32) 사이의 제6저항(R31)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 스위칭 회로부(200)는, 기설정된 제1 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제1 단자(T11)를 상기 제5 단자(T15)와 제1 보조단자(T21)중에서 하나에 연결하는 제1 스위치(SW1)와, 기설정된 제2 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제3 단자(T13)를 상기 제6 단자(T16)와 제2 보조단자(T22)중에서 하나에 연결하는 제2 스위치(SW2)와, 기설정된 제3 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제2 단자(T12)를 상기 제7 단자(T17)와 제3 보조단자(T31)중에서 하나에 연결하는 제3 스위치(SW3)와, 기설정된 제4 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제4 단자(T14)를 상기 제8 단자(T18)와 제4 보조단자(T32)중에서 하나에 연결하는 제4 스위치(SW5)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 신호 처리부(300)는, 기설정된 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)일 때 선택되는 상기 제2 및 제3 단자(T12,T13)간의 제1 옵셋전압과 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(
Figure 112010026333754-pat00013
)일때 선택되는 상기 제1 및 제4 단자간 제2 옵셋전압과에 결정되는 옵셋전압을 설정하여 제거하도록 이루어질 수 있다.
상기 제5 저항(R21)은, 상기 제2저항(R12)과 동일한 저항치를 갖고, 상기 제6저항(R31)은, 상기 제4저항(R14)과 동일한 저항치를 갖도록 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 자기 센서 회로의 제2 구현 예에서, 본 발명의 자기 센서 회로는, 사전에 설정되는 선택에 따라 상기 제1,제2,제3 및 제4 단자 스위칭 신호(S1,S2,S3,S4)를 생성하여, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위치(SW1,SW2,SW3,SW4) 각각에 제공하는 스위칭 제어부(400)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치는, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위칭 신호에 의해 상기 제2,제3 및 제4 스위치와 동기되어, 상기 제3 단자가 제6 단자에, 제2단자가 제7 단자에, 제4단자가 제8 단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제5 단자에 연결하고, 상기 제3 단자가 제2 보조단자에, 제2단자가 제3 보조단자에, 제4단자가 제4 보조단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제1 보조단자에 연결할 수 있다.
이때, 상기 신호 처리부는, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위치에 의해, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 단자 각각이 각각 상기 제5, 제7, 제6 및 제8 단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)이 되어 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압을 입력받고, 상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 단자 각각이 각각 상기 제1, 제3, 제2 및 제4 보조단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(CLK)이 되어 상기 제1 및 제4 단자간의 제2 옵셋전압을 입력받을 수 있다.
도 7은 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)일 때 도 6의 자기 센서 회로의 제1 사용 예시도이고, 도 8은 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(
Figure 112010026333754-pat00014
)일 때 도 7의 자기 센서 회로의 제2 사용 예시도이다.
도 7에 도시된 회로도는, 상기 제1 스위치(SW1)에 의해 제1 단다(T11)가 제5 단자(T15)에 연결되고, 상기 제2 스위치(SW2)에 의해 제3 단자(T13)가 제6 단자(T16)에 연결되고, 상기 제3 스위치(SW3)에 의해 제2 단자(T12)가 제7 단자(T17)에 연결되고, 상기 제4 스위치(SW2)에 의해 제4 단자(T14)가 제8 단자(T18)에 연결된 경우, 본 발명의 홀 소자(100)의 등가 회로도이다.
이때, 본 발명의 자기 센서 회로에서, 흐르는 전류 Iin이 동일하다고 하면, 제1 옵셋전압(Voff1)은, 상기 제3 단자(T13)에서의 전압(VH)과 상기 제2 단자(T12)에서의 전압(VL)과의 차전압으로, 하기 수학식 9와 같이 표현될 수 있고, 전체 저항(Rtotal)은 하기 수학식 10과 같다.
[수학식 9]
Figure 112010026333754-pat00015

[수학식 10]
Figure 112010026333754-pat00016

도 8에 도시된 회로도는, 상기 제1 스위치(SW1)에서 제1 보조단자(T21)를 선택하고, 상기 제2 스위치(SW2)에서 제2 보조단자(T22)를 선택하고, 상기 제3 스위치(SW3)에서 제3 보조단자(T31)를 선택하고, 상기 제4 스위치(SW2)에서 제4 보조단자(T32)를 선택한 경우, 본 발명의 홀 소자(100)의 등가 회로도이다.
이때, 본 발명의 자기 센서 회로에서, 흐르는 전류 Iin이 동일하다고 하면, 제2 옵셋전압(Voff2)은, 상기 제1 단자(T11)에서의 전압(VH)과 상기 제4 단자(T14)에서의 전압(VL)과의 차전압으로, 하기 수학식 11과 같이 표현될 수 있고, 전체 저항(
Figure 112010026333754-pat00017
)은 하기 수학식 12와 같다.
[수학식 11]
Figure 112010026333754-pat00018

[수학식 12]
Figure 112010026333754-pat00019

상기 수학식 10 내지 12를 이용하면, 상기 수학식 9 및 11은 하기 수학식 13 및 14와 같이 표현될 수 있다.
[수학식 13]
Figure 112010026333754-pat00020

[수학식 14]
Figure 112010026333754-pat00021

상기 수학식 13 및 14를 이용하면, 본 발명의 자기 센서 회로에서의 옵셋전압(Voff)은 하기 수학식 15와 같이 표현될 수 있다.
[수학식 15]
Figure 112010026333754-pat00022

상기 수학식 15에서, R13+R11을 B라고 하면, 하기 수학식 18과 같이 표현될 수 있다.
[수학식 16]
Figure 112010026333754-pat00023

상기 수학식 16에서, 상기 옵셋전압(Voff)은 제2 저항(R12)과 제5저항(R21)이 서로 같고, 제4 저항(R14)과 제6저항(R31)이 서로 같다면 옵셋전압은 0이 될 수 있다. 즉 전술한 바와 같이 추가되는 제5저항(R21)과 제6저항(R31) 각각 제2저항(R12)과 제4저항(R14)과 동일하게 제작된다면 옵셋전압이 영(0)이 되도록 할 수 있다.
이에 따르면, 1개로 직교 변조(orthogonal modulation)방식을 사용하는 선행 기술이나, 2개 혹은 다수의 홀 소자를 사용하여 옵셋을 제거하는 선행 기술보다, 본 발명은 면적과 소자간 발생되는 옵셋을 최소화 할 수 있는 장점을 가지고 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에서, 메인 플레이트에 포함된 저항(면저항 포함)을 공유하고, 보조 플레이트에 포함된 저항을 스위칭하면서, 1개의 홀 소자로 2개의 홀 소자의 역할 을 감당할 수 있는 효과가 있고, 기존 두 개의 홀 소자를 사용하는 선행기술의 소자간 옵셋의 편차를 대폭 줄일 수 있는 효과가 있다.
특히, 본 발명은 1개의 홀 소자를 가지고 직교(orthogonal)하게 사용하여 옵셋을 제거하는 선행 기술보다는 추가적인 저항이 필요하지만, 그 외 2개 혹은 4개 등의 다수의 홀 소자를 사용하는 경우의 선행 기술보다 면적과 전력소모에 있어서 매우 큰 장점을 가지고 있으며, 뿐만 아니라 홀 센서의 핵심부품인 홀 소자의 옵셋을 제거할 수 있는 장점을 가지고 있다.
100 : 홀 소자 110 : 메인 플레이트
120 : 제1 보조 플레이트 130 : 제2 보조 플레이트
200 : 스위칭 회로부 300 : 신호 처리부
400 : 스위칭 제어부 Vdd : 전원
T11 ~ T18 ; 제1 ~ 제8 단자 R11 ~ R14 : 제1 내지 제4 저항
T21,T22,T31,T32 : 제1 ~ 제4 보조단자 R21,R31 : 제5, 제6 저항
SW1~SW4 : 제1~제4 스위치

Claims (14)

  1. 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자 및 제3단자 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자 및 제6 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제2 단자와 상기 제4 단자 사이의 제4 저항을 포함하는 메인 플레이트; 및
    상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 제1 보조 플레이트
    를 포함하는 홀 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제5 저항은,
    상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 하는 홀 소자.
  3. 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자(T11) 및 제3단자(T13) 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자(T15) 및 제6 단자(T16)와, 상기 제2단자(T12) 및 제4단자(T14) 각각에 각각 연결될 수 있는 제7 단자(T17) 및 제8 단자(T18)를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제7 단자와 상기 제8 단자 사이의 제4 저항을 포함하는 메인 플레이트;
    상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 제1 보조 플레이트; 및
    상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제3 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제3 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제2단자 및 제4단자에 연결될 수 있는 제3 보조단자 및 제4 보조단자 사이의 제6저항을 포함하는 제2 보조 플레이트
    를 포함하는 홀 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖고,
    상기 제6저항은, 상기 제4저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 하는 홀 소자.
  5. 메인 플레이트와 제1 보조 플레이트를 포함하고, 상기 메인 플레이트는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1 및 제3 단자 각각에 연결될 수 있는 제5 단자 내지 제6 단자를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제2 단자와 상기 제4 단자 사이의 제4 저항을 포함하고, 상기 제1 보조 플레이트는, 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하는 홀 소자;
    기설정된 제1 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제1 단자를 상기 제5 단자와 제1 보조단자중에서 하나에 연결하는 제1 스위치와, 기설정된 제2 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제3 단자를 상기 제6 단자와 제2 보조단자중에서 하나에 연결하는 제2 스위치를 포함하는 스위칭 회로부; 및
    기설정된 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)일 때 선택되는 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압과, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(CLK)일때 선택되는 상기 제1 및 제4 단자간 제2 옵셋전압과에 결정되는 옵셋전압을 설정하여 제거하는 신호 처리부
    를 구비하는 자기 센서 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  7. 제5항에 있어서,
    사전에 설정되는 선택에 따라 상기 제1 및 제2 단자 스위칭 신호를 생성하여, 상기 제1 스위치 및 제2 스위치에 제공하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 스위치는
    상기 제1 및 제2 스위칭 신호에 의해 상기 제2 스위치와 동기되어,
    상기 제3 단자가 제6 단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제5 단자에 연결하고, 상기 제3 단자가 제2 보조단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제1 보조단자에 연결하는 것
    을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 신호 처리부는,
    상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1 및 제3 단자 각각이 각각 상기 제5 및 제6 단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)이 되어 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압을 입력받고,
    상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1 및 제3 단자 각각이 각각 상기 제1 및 제2 보조단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(CLK)이 되어 상기 제1 및 제4 단자간의 제2 옵셋전압을 입력받는 것
    을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  10. 메인 플레이트와 제1 보조 플레이트 및 제2 보조 플레이트를 포함하고, 상기 메인 플레이트는, 제1 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제1 금속 플레이트 상에 형성되며, 전원의 단자에 선택적으로 연결될 수 있는 제1 단자 및 제2 단자, 접지에 선택적으로 연결될 수 있는 제3 단자 및 제4 단자, 상기 제1단자(T11) 및 제3단자(T13) 각각에 각각 연결될 수 있는 제5 단자(T15) 및 제6 단자(T16)와, 상기 제2단자(T12) 및 제4단자(T14) 각각에 각각 연결될 수 있는 제7 단자(T17) 및 제8 단자(T18)를 갖고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자 사이의 제1 저항과, 상기 제5 단자와 상기 제6 단자 사이의 제2 저항과, 상기 제3 단자와 상기 제4 단자 사이의 제3 저항과, 상기 제7 단자와 상기 제8 단자 사이의 제4 저항을 포함하고, 상기 제1 보조 플레이트는, 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제2 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제2 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제1단자 및 제3단자에 연결될 수 있는 제1 보조단자 및 제2 보조단자를 갖고, 상기 제1 보조단자 및 제2 보조단자 사이의 제5 저항을 포함하고, 상기 제2 보조 플레이트는, 상기 메인 플레이트의 제1 금속 플레이트에 인접하게 형성된 제3 금속 플레이트로 이루어지고, 상기 제3 금속 플레이트 상에 형성되고, 상기 제2단자 및 제4단자에 연결될 수 있는 제3 보조단자 및 제4 보조단자 사이의 제6저항을 포함하는 홀 소자;
    기설정된 제1 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제1 단자를 상기 제5 단자와 제1 보조단자중에서 하나에 연결하는 제1 스위치와, 기설정된 제2 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제3 단자를 상기 제6 단자와 제2 보조단자중에서 하나에 연결하는 제2 스위치와, 기설정된 제3 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제2 단자를 상기 제7 단자와 제3 보조단자중에서 하나에 연결하는 제3 스위치와, 기설정된 제4 단자 스위칭 신호에 따라 상기 제4 단자를 상기 제8 단자와 제4 보조단자중에서 하나에 연결하는 제4 스위치를 포함하는 스위칭 회로부; 및
    기설정된 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)일 때 선택되는 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압과, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(CLK)일때 선택되는 상기 제1 및 제4 단자간 제2 옵셋전압과에 결정되는 옵셋전압을 설정하여 제거하는 신호 처리부
    를 구비하는 자기 센서 회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제5 저항은, 상기 제2저항과 동일한 저항치를 갖고,
    상기 제6저항은, 상기 제4저항과 동일한 저항치를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  12. 제10항에 있어서,
    사전에 설정되는 선택에 따라 상기 제1,제2,제3 및 제4 단자 스위칭 신호를 생성하여, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위치 각각에 제공하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 스위치는,
    상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위칭 신호에 의해 상기 제2,제3 및 제4 스위치와 동기되어,
    상기 제3 단자가 제6 단자에, 제2단자가 제7 단자에, 제4단자가 제8 단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제5 단자에 연결하고, 상기 제3 단자가 제2 보조단자에, 제2단자가 제3 보조단자에, 제4단자가 제4 보조단자에 연결될 때 상기 제1 단자를 상기 제1 보조단자에 연결하는 것
    을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 신호 처리부는,
    상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위치에 의해, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 단자 각각이 각각 상기 제5, 제7, 제6 및 제8 단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제1 클럭(CLK)이 되어 상기 제2 및 제3 단자간의 제1 옵셋전압을 입력받고,
    상기 제1 및 제2 스위치에 의해, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 단자 각각이 각각 상기 제1, 제3, 제2 및 제4 보조단자에 연결되는 동안에, 상기 전원 스위칭 신호(PSW)가 제2 클럭(CLK)이 되어 상기 제1 및 제4 단자간의 제2 옵셋전압을 입력받는 것
    을 특징으로 하는 자기 센서 회로.
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