KR101044009B1 - Substrate treating apparatus for selectively etching a substrate surfaces - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 표면을 선택적으로 에칭하기 위한 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 기판 처리 방법은 다른 영역에 비하여 증착막의 두께가 두꺼운 선택영역을 식각하는 단계 및 기판의 전체영역을 식각하는 단계를 포함한다. 선택영역을 식각하는 단계는 선택영역으로 노즐을 이동시켜 식각액을 선택영역으로 제공한다. 이때, 기판을 지지하는 지지플레이트는 고정되거나 회전될 수 있다. 기판의 전체영역을 식각하는 단계는 노즐을 기판의 중심으로 이동시켜 회전하는 기판의 중심으로 식각액을 제공한다. 식각액은 원심력에 의해 기판의 중심에서 가장자리로 제공되며 기판의 전체면을 식각한다.The present invention provides a substrate processing method for selectively etching a substrate surface. The substrate treating method of the present invention includes etching a selected region having a thicker thickness of the deposited film than other regions, and etching the entire region of the substrate. In the etching of the selection region, the nozzle is moved to the selection region to provide an etchant to the selection region. At this time, the support plate for supporting the substrate may be fixed or rotated. Etching the entire area of the substrate provides an etchant to the center of the rotating substrate by moving the nozzle to the center of the substrate. The etchant is provided from the center to the edge by the centrifugal force and etches the entire surface of the substrate.

반도체, 기판, 에칭, 식각, 박막 Semiconductor, Substrate, Etch, Etch, Thin Film

Description

기판 표면을 선택적으로 에칭하기 위한 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS FOR SELECTIVELY ETCHING A SUBSTRATE SURFACES}SUBSTRATE TREATING APPARATUS FOR SELECTIVELY ETCHING A SUBSTRATE SURFACES}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 표면을 선택적으로 에칭하기 위한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for selectively etching a substrate surface.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해 사용되는 식각 공정(etching process)은 반도체 기판에 형성시킨 막질(예를 들면 금속막, 산화막, 다결정 실리콘막, 포토 레지스트막)을 원하는 패턴으로 가공하는 제조 과정을 일컫는다. In general, an etching process used to manufacture a semiconductor device refers to a manufacturing process of processing a film formed on a semiconductor substrate (eg, a metal film, an oxide film, a polycrystalline silicon film, a photoresist film) into a desired pattern. .

이러한 식각 공정에는 화학약품 에칭(chemical etching), 플라즈마 에칭(plasma etching), 이온빔(ion beam) 및 반응성 이온 에칭(reactive ion etching)등의 방법들이 사용되며, 최근에는 화학약품 에칭 방법으로 반도체 기판이 회전하고 있을 때 약액을 분사하여 식각하는 스핀 에칭 방법이 널리 사용되고 있다. Chemical etching, plasma etching, ion beam, and reactive ion etching are used in such an etching process. Recently, a semiconductor substrate is used as a chemical etching method. The spin etching method of spraying and etching a chemical liquid while rotating is widely used.

스핀 에칭 공정은 반도체 기판의 중심으로 식각액을 분사하는 중앙 공급 방식과, 반도체 기판의 중심영역에서 가장자리로 이동하면서 약액을 분사하는 스캔 공급 방식이 사용된다.The spin etching process uses a central supply method for injecting an etchant into the center of the semiconductor substrate and a scan supply method for injecting a chemical solution while moving from the center region of the semiconductor substrate to the edge.

도 1은 에칭 공정에 제공되는 반도체 기판(W)을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a semiconductor substrate W provided in an etching process.

도 1을 참조하면, 기판(W)상에 증착되는 막(5)의 두께는 기판(W)의 영역에 따라 상이하다. 기판(W)상에 박막을 형성하는 과정에서 선택영역(selective area, 이하 'SA'라고 함.)과 같이 다른영역에 비하여 막(5)의 두께가 두껍게 형성되는 영역이 발생한다. Referring to FIG. 1, the thickness of the film 5 deposited on the substrate W is different depending on the region of the substrate W. As shown in FIG. In the process of forming a thin film on the substrate W, an area in which the thickness of the film 5 is formed thicker than other areas, such as a selective area (hereinafter, referred to as SA), is generated.

상기 기판을 스핀 에칭 공정으로 공정처리하는 경우, 기판으로 분사된 약액은 원심력에 의해 기판의 중앙에서 가장자리로 흐르면서 기판 표면의 박막을 제거하기 때문에 반도체 기판의 부위별 식각율 조정이 불가능하다. 따라서, 기판의 전체면으로 식각액이 일정하게 공급되어 식각이 완료된 후에도 선택영역은 다른 영역에 비해 증착막이 두껍게 유지된다. 이는 후속공정에서 공정불량을 야기한다. When the substrate is subjected to a spin etching process, the chemical liquid injected to the substrate flows from the center to the edge of the substrate by centrifugal force to remove the thin film on the surface of the substrate, thereby making it impossible to adjust the etching rate of each portion of the semiconductor substrate. Therefore, even after the etching is completed and the etching liquid is uniformly supplied to the entire surface of the substrate, the deposition layer is kept thicker than the other regions. This leads to process defects in subsequent processes.

본 발명의 목적은 기판의 전체면을 균일하게 식각할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of uniformly etching the entire surface of a substrate.

또한, 본 발명의 목적은 기판의 영역에 따라 선택적으로 기판을 식각할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.It is also an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of selectively etching a substrate according to a region of the substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들을 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 표면을 선택적으로 식각하기 위한 기판 처리 방법을 제공한 다. 기판 처리 방법은 기판상의 선택영역으로 노즐을 이동시켜 상기 선택영역으로 식각액을 제공하여 상기 선택영역을 식각시키는 단계; 및 상기 노즐을 상기 기판의 중심으로 이동시켜, 회전되는 상기 기판의 중심으로 식각액을 제공하여 상기 기판의 전체영역을 식각시키는 단계를 포함한다.The present invention provides a substrate processing method for selectively etching a substrate surface. The substrate processing method may further include etching the selected region by moving a nozzle to a selected region on a substrate to provide an etchant to the selected region; And etching the entire area of the substrate by moving the nozzle toward the center of the substrate to provide an etchant to the center of the rotated substrate.

상기 선택영역으로 식각액을 공급하는 상기 노즐의 위치와 상기 기판의 중심으로 식각액을 공급하는 상기 노즐의 위치는 서로 상이하다. 상기 선택영역은 상기 기판의 중심영역보다 증착두께가 두껍다.The position of the nozzle for supplying the etchant to the selection region and the position of the nozzle for supplying the etchant to the center of the substrate are different from each other. The selection region is thicker than the central region of the substrate.

상기 집중식각영역으로 상기 식각액을 제공하기 전, 상기 기판의 영역별로 상기 증착두께를 측정하는 단계를 더 포함하되, 상기 선택영역은 기판의 다른 영역에 비해 증착두께가 두껍다.The method may further include measuring the deposition thickness for each region of the substrate before providing the etchant to the concentrated etching region, wherein the selection region has a larger deposition thickness than other regions of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 집중식각영역으로 식각액을 제공하는 동안, 상기 노즐은 상기 집중식각영역을 따라 이동하며, 상기 기판을 지지하는 지지플레이트는 고정된다.In some embodiments, while providing an etchant to the concentrated etching region, the nozzle moves along the concentrated etching region, and the support plate for supporting the substrate is fixed.

다른 실시예에 의하면, 상기 집중식각영역으로 식각액을 제공하는 동안, 상기 노즐은 상기 집중식각영역의 상부에 고정되고, 상기 기판을 지지하는 지지플레이트는 상기 집중식각영역이 포함되는 각도만큼 회전한다.In another embodiment, while providing an etchant to the concentrated etching region, the nozzle is fixed to the upper portion of the concentrated etching region, the support plate for supporting the substrate is rotated by an angle including the concentrated etching region.

또한, 본 발명은 기판을 선택적으로 식각할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하며, 회전가능한 지지플레이트; 상기 기판으로 식각액을 분사하는 노즐; 상기 노즐을 이동시키는 노즐이동기구; 상기 기판의 영역별로 상기 기판상에 증착된 막의 두께를 측정하는 두께측정부; 및 상기 두께 측정부를 지지플레이트의 상부 위치로 이동시키는 측정부이동기구를 포함한다.The present invention also provides a substrate processing apparatus capable of selectively etching a substrate. The substrate processing apparatus includes a rotatable support plate for supporting a substrate; A nozzle injecting an etchant to the substrate; A nozzle moving mechanism for moving the nozzle; A thickness measuring unit measuring a thickness of the film deposited on the substrate for each region of the substrate; And a measuring unit moving mechanism for moving the thickness measuring unit to an upper position of the support plate.

상기 기판상의 선택영역으로 식각액이 제공되도록 상기 노즐을 상기 선택영역으로 이동시키고, 상기 기판의 중심영역으로 식각액이 제공되도록 상기 노즐을 상기 기판의 중심영역으로 이동시키며, 상기 노즐이 상기 기판의 중심영역으로 식각액을 제공하는 동안 상기 지지플레이트를 회전시키는 제어부를 더 포함한다. The nozzle is moved to the selection area to provide an etchant to the selection area on the substrate, and the nozzle is moved to the center area of the substrate so that the etching solution is provided to the center area of the substrate, and the nozzle is a central area of the substrate. Further comprising a control unit for rotating the support plate while providing an etchant.

본 발명에 의하면, 다른 영역에 비하여 증착막이 두껍게 형성된 영역을 먼저 식각한 후, 기판의 전체면을 식각하므로 기판의 전체면을 균일하게 식각할 수 있다.According to the present invention, the entire surface of the substrate is etched after etching the region where the deposition film is thicker than other regions first, and then the entire surface of the substrate can be uniformly etched.

또한, 본 발명에 의하면, 기판의 영역에 따라 식각액을 제공할 수 있으므로, 기판의 영역에 따라 선택적으로 식각이 가능하다.In addition, according to the present invention, since the etchant can be provided in accordance with the region of the substrate, it is possible to selectively etch according to the region of the substrate.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면, 도 1 내지 도 8을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, FIGS. 1 to 8. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명의 실시예에서는 반도체 기판 표면의 박막을 제거하는 식각 장치를 예를 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 반 도체 기판으로 약액을 공급하여 기판 표면을 처리하는 장치, 예컨데 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정 장치 또는 사진 공정 후 기판상에 남아 있는 불필요한 감광제를 제거하는 애싱 장치등에 모두 적용될 수 있다.In the embodiment of the present invention, an etching apparatus for removing the thin film on the surface of the semiconductor substrate is described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and a device for treating a substrate surface by supplying a chemical liquid to a semiconductor substrate, for example, a cleaning device for removing foreign substances remaining on the surface of a semiconductor substrate, or remaining on a substrate after a photographic process It can be applied to all ashing devices and the like which removes unnecessary photosensitizers.

도 2은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 도면이고, 도 3는 본 발명의 실시예에 따른 용기(110)의 내부 구조를 보여주는 단면도이다. 2 is a view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view showing the internal structure of the container 110 according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 기판(W)에 형성된 막질(예를 들면, 금속막, 산화막, 다결정 실리콘막, 포토 레지스트막)을 식각하는 식각 공정(etching process)을 수행한다. 2 and 3, the substrate processing apparatus 1 is an etching process for etching a film quality (eg, a metal film, an oxide film, a polycrystalline silicon film, a photoresist film) formed on the substrate W. Do this.

기판 처리 장치(1)는 용기(110), 승강유닛(120), 기판지지유닛(130), 유체 공급유닛(220), 제어부(240), 그리고 두께측정유닛(260)을 포함한다. The substrate processing apparatus 1 includes a container 110, a lifting unit 120, a substrate supporting unit 130, a fluid supply unit 220, a control unit 240, and a thickness measuring unit 260.

용기(110)는 기판(W)으로 분사된 약액이 외부로 비산되는 것을 방지하며, 승강유닛(120)은 지지플레이트(131)에 대한 용기(110)의 상대 높이가 변경되도록 용기(100) 또는 기판지지유닛(130)을 승강시킨다. 기판지지유닛(130)은 공정 처리에 제공되는 기판(W)을 지지하며, 약액공급유닛(220)은 기판(W)으로 약액을 공급한다. 두께측정유닛(260)은 기판(W)의 영역에 따라 기판(W)상에 증착된 막의 두께를 측정하며, 제어부(240)는 기판지지유닛(130) 및 약액공급유닛(220)을 제어한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다. The container 110 prevents the chemical liquid sprayed onto the substrate W from scattering to the outside, and the lifting unit 120 includes the container 100 or the container 110 so that the relative height of the container 110 with respect to the support plate 131 is changed. The substrate support unit 130 is elevated. The substrate support unit 130 supports the substrate W provided for the process, and the chemical liquid supply unit 220 supplies the chemical liquid to the substrate W. The thickness measuring unit 260 measures the thickness of the film deposited on the substrate W according to the area of the substrate W, and the controller 240 controls the substrate support unit 130 and the chemical liquid supply unit 220. . Hereinafter, each structure is demonstrated in detail.

용기(110)는 식각 공정에 사용된 약액 및 공정시 발생됨 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지한다. 용기(110)는 내부에 상부가 개방되고 기판(W)이 처리되는 공간(a)을 가지고, 공간(a)에는 기판지지유닛(130)이 배치된다. The container 110 prevents the chemical liquid used in the etching process and the fume generated during the process from being splashed or spilled to the outside. The container 110 has a space a in which an upper portion thereof is opened and a substrate W is processed, and a substrate support unit 130 is disposed in the space a.

용기(110)는 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있는 복수의 회수통들(110a, 110b, 110c)을 가진다. 각각의 회수통(110a, 110b, 110c)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(110)는 3개의 회수통들을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(110a), 중간 회수통(110b), 그리고 외부 회수통(110c)이라 칭한다. The container 110 has a plurality of recovery bins 110a, 110b, 110c capable of separating and recovering the chemical liquids used in the process. Each recovery container 110a, 110b, 110c recovers a different kind of treatment liquid from among the treatment liquids used in the process. In this embodiment, the container 110 has three recovery bins. Each recovery container is referred to as an internal recovery container 110a, an intermediate recovery container 110b, and an external recovery container 110c.

내부 회수통(110a)은 스핀 헤드(130)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(110b)은 내부 회수통(110a)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부 회수통(110c)은 중간 회수통(110b)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(110a, 110b, 110c)은 기판지지유닛(130)이 배치되는 용기 내 공간(a)과 통하는 유입구(111a, 111b, 111c)를 가진다. 각각의 유입구(111a, 111b, 111c)는 기판지지유닛(130)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판(W)으로 분사되어 기판(W)처리에 제공된 약액들은 기판(W)의 회전으로 인한 원심력에 의해 비산되어 유입구(111a, 111b, 111c)를 통해 회수통(110a, 110b, 110c)으로 유입된다. 외부 회수통(110c)의 유입구(111c)는 중간 회수통(110b)의 유입구(111b)의 수직 상부에 제공되고, 중간 회수통(110b)의 유입구(111b)는 내부 회수통(110a)의 유입구(111a)의 수직 상부에 제공된다. 즉, 내부 회수통(110a), 중간 회수통(110b), 그리고 외부 회수통(110c)의 유입구(111a,111b,111c)들은 서로 간에 높이가 상이하도록 제공된다. The inner recovery container 110a is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 130, and the intermediate recovery container 110b is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 110a and the external recovery container 110c. ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery container 110b. Each recovery container 110a, 110b, 110c has inlets 111a, 111b, 111c communicating with the space a in the container in which the substrate support unit 130 is disposed. Each inlet 111a, 111b, 111c is provided in a ring shape around the substrate support unit 130. Chemical liquids sprayed onto the substrate W and provided to the substrate W process are scattered by centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and flow into the recovery vessels 110a, 110b, and 110c through the inlets 111a, 111b, and 111c. do. The inlet 111c of the outer recovery bin 110c is provided at the vertical upper portion of the inlet 111b of the intermediate recovery bin 110b, and the inlet 111b of the intermediate recovery bin 110b is the inlet of the internal recovery bin 110a. It is provided at the vertical top of 111a. That is, the inner recovery container 110a, the intermediate recovery container 110b, and the inlets 111a, 111b, and 111c of the external recovery container 110c are provided to have different heights from each other.

내부 회수통(110a)은 내벽(112a)에 링을 이루는 배치로 복수의 개구들(113a) 이 형성된다. 각각의 개구들(113a)은 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(113a)는 내부 회수통(110a)으로 유입된 가스들이 지지플레이트(131)의 아래 공간을 통해 외부로 배출되도록 하는 배기구로서 기능한다. 바닥벽(112b)에는 배출관(115a)이 결합된다. 내부 회수통(110a)을 통해 유입된 처리액은 배출관(115a)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다. 중간 회수통(110b)은 내벽(114a)에 가스의 배출을 위한 슬릿 형상의 배기구들(113b)이 링을 이루는 배열로 제공된다. 바닥벽(114b)에는 배출관(115b)이 결합되며, 중간 회수통(110b)을 통해 유입된 처리액은 배출관(115b)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다. 외부 회수통(110c)은 바닥벽(116b)이 대체로 원판 형상을 가지며, 중앙에 회전 축(132)이 삽입되는 개구가 형성된다. 바닥벽(116b)에는 배출관(115c)이 결합되고, 외부 회수통(110c)을 통해 유입된 처리액은 배출관(115c)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다. 외부 회수통(110c)은 용기(110) 전체의 외벽으로서 기능한다. 외부 회수통(110c)의 바닥벽(116b)에는 배기관(117)이 결합되며, 외부 회수통(110c)으로 유입된 가스는 배기관(117)을 통해 외부로 배기한다. 또한, 내부 회수통(110a)의 내벽(112a)에 제공된 배기구(113a) 및 중간 회수통(110b)의 내벽(114a)에 제공된 배기구(113b)를 통해 흘러나온 가스는 외부 회수통(110c)에 연결된 배기관(117)을 통해 외부로 배기된다. 배기관(117)은 바닥벽(116b)으로부터 상부로 일정 길이 돌출되도록 설치된다. The inner recovery container 110a has a plurality of openings 113a formed in an arrangement forming a ring on the inner wall 112a. Each of the openings 113a is provided in a slit shape. The opening 113a functions as an exhaust port through which the gas introduced into the inner recovery container 110a is discharged to the outside through the space below the support plate 131. The discharge pipe 115a is coupled to the bottom wall 112b. The treatment liquid introduced through the inner recovery container 110a is discharged to the system for regeneration of the external chemical liquid through the discharge pipe 115a. The intermediate recovery container 110b is provided in the inner wall 114a in an arrangement in which slit-shaped exhaust ports 113b for discharging gas are formed in a ring. The discharge pipe 115b is coupled to the bottom wall 114b, and the treatment liquid introduced through the intermediate recovery container 110b is discharged to the system for regenerating the external chemical liquid through the discharge pipe 115b. The outer recovery container 110c has a generally disc-shaped bottom wall 116b, and has an opening in which a rotation shaft 132 is inserted at the center thereof. The discharge pipe 115c is coupled to the bottom wall 116b, and the processing liquid introduced through the external recovery container 110c is discharged to the system for regenerating external chemical liquid through the discharge pipe 115c. The outer recovery container 110c functions as an outer wall of the entire container 110. An exhaust pipe 117 is coupled to the bottom wall 116b of the external recovery container 110c, and the gas introduced into the external recovery container 110c is exhausted to the outside through the exhaust pipe 117. In addition, the gas flowing out through the exhaust port 113a provided in the inner wall 112a of the inner recovery container 110a and the exhaust port 113b provided in the inner wall 114a of the intermediate recovery container 110b is transferred to the external recovery container 110c. It is exhausted to the outside through the connected exhaust pipe 117. The exhaust pipe 117 is installed to protrude a predetermined length upward from the bottom wall 116b.

승강 유닛(120)은 용기(110)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(110)가 상하로 이동됨에 따라 지지플레이트(131)에 대한 용기(110)의 상대 높이가 변경된 다. 승강 유닛(120)은 브라켓(122), 이동 축(124), 그리고 구동기(126)를 가진다. 브라켓(122)은 용기(110)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(122)에는 구동기(126)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(124)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지플레이트(131)에 놓이거나, 지지플레이트(131)로부터 들어올릴 때 지지플레이트(131)가 용기(20)의 상부로 돌출되도록 지지플레이트(131)가 하강한다. 또한, 공정의 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(110a,110b,110c)으로 유입될 수 있도록 용기(110)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 달리, 승강 유닛(120)은 지지플레이트(131)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있도록 제공될 수 있다.The lifting unit 120 linearly moves the container 110 in the vertical direction. As the container 110 is moved up and down, the relative height of the container 110 with respect to the support plate 131 is changed. The elevating unit 120 has a bracket 122, a moving shaft 124, and a driver 126. The bracket 122 is fixedly installed on the outer wall of the container 110, and the bracket 122 is fixedly coupled to the movement shaft 124 moved up and down by the driver 126. When the substrate W is placed on the support plate 131, or lifted from the support plate 131, the support plate 131 is lowered so that the support plate 131 protrudes to the top of the container 20. In addition, during the process, the height of the container 110 is adjusted so that the processing liquid may be introduced into the predetermined recovery containers 110a, 110b, and 110c according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Unlike the above, the lifting unit 120 may be provided to move the support plate 131 in the vertical direction.

기판지지유닛(130)은 기판(W)에 대한 공정 처리시 기판(w)을 지지한다. 기판지지유닛(130)은 지지플레이트(131), 지지축(132), 그리고 구동기(134)를 포함한다.The substrate support unit 130 supports the substrate w during the process of processing the substrate W. The substrate support unit 130 includes a support plate 131, a support shaft 132, and a driver 134.

지지플레이트(131)는 원판형상으로 기판(W)을 지지한다. 지지플레이트(131)의 상부면에는 상부면으로부터 이격된 상태로 기판(W)을 지지하는 지지핀(135)과 기판(w)을 고정하는 척킹핀(136)이 제공된다. 지지핀(135)은 척킹핀(136)의 안쪽에 서로 이격하여 복수개 제공되며 로딩된 기판(W)의 하부를 지지한다. 척킹핀(136)은 지지플레이트(135)의 가장자리에 서로 이격하여 복수개 제공되며, 로딩된 기판(W)의 측부를 지지한다.The support plate 131 supports the substrate W in a disc shape. An upper surface of the support plate 131 is provided with a support pin 135 for supporting the substrate W and a chucking pin 136 for fixing the substrate w in a state spaced apart from the upper surface. The support pins 135 are provided in plural and spaced apart from each other inside the chucking pins 136 to support the lower portion of the loaded substrate W. The chucking pins 136 are provided on the edge of the support plate 135 to be spaced apart from each other, and support the side of the loaded substrate (W).

지지축(132)은 지지플레이트(131)의 하부에 위치하며, 지지플레이트(131)를 지지한다. 지지축(132)은 그 내부가 비어 있는 중공축(hollow shaft) 형태로 제공 되며, 구동기(134)의 회전력을 지지플레이트(131)에 전달한다. 지지축(162)의 하단에는 구동기(134)가 제공된다. 구동기(134)는 후술하는 제어부(240)에 의해 제어되며, 지지플레이트(131)를 승강 및 회전시킨다. The support shaft 132 is positioned below the support plate 131 and supports the support plate 131. Support shaft 132 is provided in the form of a hollow shaft (hollow shaft) is empty inside, and transmits the rotational force of the driver 134 to the support plate 131. The driver 134 is provided at the lower end of the support shaft 162. The driver 134 is controlled by the controller 240 to be described later, and lifts and rotates the support plate 131.

약액공급유닛(200)은 기판(W)으로 약액을 공급한다. 약액공급유닛은 노즐(221), 노즐이동부(222), 약액공급라인(231), 그리고 약액저장부(232)를 포함한다.The chemical liquid supply unit 200 supplies the chemical liquid to the substrate (W). The chemical liquid supply unit includes a nozzle 221, a nozzle moving unit 222, a chemical liquid supply line 231, and a chemical liquid storage unit 232.

노즐(221)은 기판(W)으로 약액을 분사한다. 노즐(221)의 상단은 노즐아암(223)과 결합하며, 하단에는 약액을 토출하는 토출구(미도시)가 형성된다. 토출구는 노즐(221)의 내부에 형성된 버퍼영역(미도시)과 연결되며, 버퍼영역은 공급된 약액이 노즐(221)내에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼영역은 약액공급라인(231)과 연결되며, 약액공급라인(231)으로부터 약액을 공급받는다. 노즐(221)은 노즐이동부(222)에 의하여 대기위치(a)와 공정위치(a')간을 이동한다.The nozzle 221 sprays the chemical liquid onto the substrate W. An upper end of the nozzle 221 is coupled to the nozzle arm 223, and a discharge port (not shown) for discharging the chemical liquid is formed at the lower end. The discharge port is connected to a buffer area (not shown) formed inside the nozzle 221, and the buffer area provides a space in which the supplied chemical liquid temporarily stays in the nozzle 221. The buffer region is connected to the chemical liquid supply line 231 and receives chemical liquid from the chemical liquid supply line 231. The nozzle 221 moves between the standby position a and the process position a 'by the nozzle moving part 222.

노즐이동부(222)는 노즐(221)을 이동시킨다. 노즐이동부(222)는 노즐아암(223), 지지아암(224), 그리고 아암구동기(225)를 포함한다.The nozzle mover 222 moves the nozzle 221. The nozzle mover 222 includes a nozzle arm 223, a support arm 224, and an arm driver 225.

노즐아암(223)은 그 내부가 비어있는 중공 암(hollow arm)형상으로 제공되며, 일단에는 노즐(221)이 결합하고 타단은 지지아암(224)과 결합한다. 노즐아암(223)의 내부에는 후술하는 약액공급라인(231)이 제공된다. 노즐아암(223)은 아암구동기(225)의 구동에 의해 지지아암(224)을 축으로 회전하여 공정위치(a')와 대기위치(a)간을 이동한다. 공정위치(a')는 기판(W)으로 약액을 분사하는 위치이고, 대기위치(a)는 공정위치로 이동되기 전 용기(110)의 외측에서 대기하는 위치이다. 공정위치(a')는 제1공정위치와 제2공정위치로 구분된다. 제1공정위치는 기판(W)의 전체면을 식각시키는 단계에서 노즐(221)이 기판(W)의 중심으로 약액을 분사하는 위치이고, 제2공정위치는 기판(W)의 선택영역(SA)을 식각시키는 단계에서 선택영역(SA)으로 약액을 분사하는 위치이다. 여기서 선택영역(SA)이란, 기판(W)상에 절연막, 실리콘막, 금속막을 형성시키는 과정에서 기판(W)의 다른영역에 비하여 막이 두껍게 성장한 영역을 말한다.기판(W)에 대한 공정처리가 진행되는 동안, 노즐아암(223)은 회전하여 노즐(221)을 제1공정위치와 제2공정위치에 위치시킨다.The nozzle arm 223 is provided in the shape of a hollow arm, the inside of which is empty, the nozzle 221 is coupled to one end and the other end is coupled to the support arm 224. The inside of the nozzle arm 223 is provided with a chemical supply line 231 to be described later. The nozzle arm 223 rotates the support arm 224 axially by driving the arm driver 225 to move between the process position a 'and the standby position a. The process position a 'is a position at which the chemical liquid is injected onto the substrate W, and the standby position a is a position waiting at the outside of the container 110 before being moved to the process position. The process position a 'is divided into a first process position and a second process position. The first process position is a position where the nozzle 221 injects the chemical liquid to the center of the substrate W in the step of etching the entire surface of the substrate W, and the second process position is a selection area SA of the substrate W. In the step of etching), the chemical liquid is injected into the selection area SA. Here, the selection area SA refers to an area in which the film grows thicker than other areas of the substrate W in the process of forming the insulating film, the silicon film, and the metal film on the substrate W. While in progress, the nozzle arm 223 rotates to position the nozzle 221 at the first and second process positions.

지지아암(224)은 용기(110)의 외측에 위치하며, 노즐아암(223)을 지지한다. 지지아암(224)은 상하방향으로 배치되는 중공 축(hollow shaft) 형상으로, 그 내부에는 후술하는 약액공급라인(231)이 제공된다. 지지아암(224)의 상단에는 노즐아암(223)이 결합하고, 하단에는 아암구동기(225)가 결합한다. 지지아암(224)은 아암구동기(225)의 구동으로 길이방향을 축으로 회전하며, 노즐아암(223)을 상하방향으로 이동시킨다.The support arm 224 is located outside the container 110 and supports the nozzle arm 223. The support arm 224 has a hollow shaft shape disposed in the vertical direction, and a chemical liquid supply line 231 described later is provided therein. The nozzle arm 223 is coupled to the upper end of the support arm 224, and the arm driver 225 is coupled to the lower end. The support arm 224 rotates in the longitudinal direction by the drive of the arm driver 225, and moves the nozzle arm 223 in the vertical direction.

아암구동기(225)는 노즐(221)이 대기위치(a)와 공정위치(a')에 위치되도록 지지아암(224)을 회전 및 승강시킨다. 아암구동기(225)는 후술하는 제어부(240)에 의해 제어된다.The arm driver 225 rotates and lifts the support arm 224 so that the nozzle 221 is positioned at the standby position a and the process position a '. The arm driver 225 is controlled by the controller 240 described later.

약액공급라인(231)은 약액저장부(232)에 저장된 약액을 노즐(221)에 공급한다. 약액공급라인(231)은 노즐아암(223)과 지지아암(224)의 내부를 거쳐 약액저장부(232)와 노즐(221)을 연결한다. 약액공급라인(231)상에는 공급되는 약액의 유량을 조절할 수 있는 밸브(233)가 제공될 수 있다.The chemical liquid supply line 231 supplies the chemical liquid stored in the chemical liquid storage unit 232 to the nozzle 221. The chemical liquid supply line 231 connects the chemical liquid storage unit 232 and the nozzle 221 through the nozzle arm 223 and the support arm 224. The valve 233 may be provided on the chemical liquid supply line 231 to adjust the flow rate of the chemical liquid supplied.

약액저장부(232)는 약액을 저장한다. 저장되는 약액은 기판(W) 표면의 박막을 제거하는 식각액이다. 식각액으로는 불산(HF), 오존수(또는 오존수+불산 혼합액), SC1 약액, 식각제로 희석화된 불화수소(Diluted HF, DHF), 완충 불화수소와 같은 완충 산화막 식각액(Buffered Oxide Etchants,BOE)등이 사용될 수 있다. The chemical storage unit 232 stores the chemical liquid. The chemical liquid to be stored is an etching liquid for removing the thin film on the surface of the substrate (W). The etchant includes hydrofluoric acid (HF), ozone water (or ozone water + hydrofluoric acid mixture), SC1 chemicals, diluted HF (DHF) diluted with etchant, and buffered oxide etchant (BOE) such as buffered hydrogen fluoride. Can be used.

두께측정부(260)는 기판(W)의 영역에 따라 기판(W)상에 증착된 막의 두께를 측정한다. 두께측정부(260)는 두께계측기(261), 지지아암(264), 그리고 가이드 레일(266)을 포함한다.The thickness measuring unit 260 measures the thickness of the film deposited on the substrate W according to the area of the substrate W. FIG. The thickness measurer 260 includes a thickness gauge 261, a support arm 264, and a guide rail 266.

두께계측기(261)는 기판(W)의 지름을 따라 기판(W)의 일단에서 타단으로 이동하며 기판(W)상에 증착된 막의 두께를 측정한다. The thickness gauge 261 moves from one end of the substrate W to the other end along the diameter of the substrate W and measures the thickness of the film deposited on the substrate W.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판상에 증착된 막의 두께를 측정하는 과정을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a process of measuring the thickness of the film deposited on a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 4를 참조하면, 두께계측기(261)는 기판(W)의 상부에 위치하며, 기판(W)의 상면으로 광을 조사하는 발광부(261a)와 기판(W)의 상면에서 반사된 광을 수광하는 수광부(261b)를 포함한다. 발광부(261a)에서 조사된 광이 기판(W)의 상면으로부터 반사되어 수광부(261b)에 수광되기까지의 시간을 측정하여 두께계측기(261)와 기판(W)의 상면까지의 거리값을 산출한다. 두께계측기(261)는 기 입력된 지지플레이트(도 3의 131)의 상면과 발광부(261a)까지의 거리값과 산출된 거리값의 차를 계산하여 증착된 막의 영역별 두께를 산출한다. 따라서, 발광부(261a)에서 조사되는 광의 속도는 일정한 것이 바람직하다. 산출된 증착막의 영역별 두께 데이터(data)는 후술하는 제어부(240)에 전송된다.2 and 4, the thickness meter 261 is positioned above the substrate W, and is reflected from the light emitting part 261 a for irradiating light to the upper surface of the substrate W and the upper surface of the substrate W. FIG. And a light receiving unit 261b for receiving light. The distance value between the thickness meter 261 and the upper surface of the substrate W is calculated by measuring the time from the light emitted from the light emitting unit 261a to be reflected from the upper surface of the substrate W and received by the light receiving unit 261b. do. The thickness meter 261 calculates the difference between the distance value between the upper surface of the support plate 131 of FIG. 3 and the light emitting unit 261a and the calculated distance value, and calculates the thickness for each region of the deposited film. Therefore, the speed of light emitted from the light emitting portion 261a is preferably constant. The calculated thickness data for each region of the deposited film is transmitted to the controller 240 described later.

지지아암(264)은 상하방향으로 배치되며, 두께계측기(261)를 지지한다. 지지아암(264)은 가이드레일(266)을 따라 이동가능하다. 지지아암(264)의 이동으로 두께계측기(261)는 기판(W)의 일단에서 타단으로 이동한다.The support arm 264 is disposed in the vertical direction and supports the thickness gauge 261. The support arm 264 is movable along the guide rail 266. By movement of the support arm 264, the thickness gauge 261 moves from one end of the substrate W to the other end.

가이드레일(266)은 용기(110)의 외측에 위치하며, 용기(110)의 지름방향을 따라 용기(110)의 일단에서부터 타단까지 제공된다. 가이드레일(266)은 두께계측기(261)가 기판(W)의 일단에서 타단으로 이동하며 기판(W)에 증착된 막의 두께를 측정할 수 있도록 지지아암(264)의 이동을 안내한다.The guide rail 266 is located outside the container 110 and is provided from one end to the other end of the container 110 along the radial direction of the container 110. The guide rail 266 guides the movement of the support arm 264 so that the thickness gauge 261 moves from one end of the substrate W to the other end and the thickness of the film deposited on the substrate W can be measured.

제어부(240)는 두께측정기(261)로부터 산출된 기판(W)의 영역별 두께 데이터를 수신 및 분석하여 노즐(221)이 선택영역(SA) 또는 기판(W)의 중심(C)으로 식각액을 제공할 수 있도록 아암구동기(225)의 구동을 제어한다. 또한, 제어부(240)는 노즐(221)이 식각액을 제공하는 동안, 구동기(134)의 구동여부를 제어한다. The controller 240 receives and analyzes thickness data for each area of the substrate W calculated by the thickness meter 261, so that the nozzle 221 moves the etching solution toward the selected area SA or the center C of the substrate W. It controls the driving of the arm driver 225 to provide. In addition, the controller 240 controls whether the driver 134 is driven while the nozzle 221 provides an etching solution.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따라 노즐(221)이 선택영역(SA)에 위치하는 과정을 나타내는 도면이다.5A is a view illustrating a process in which the nozzle 221 is positioned in the selection area SA according to an embodiment of the present invention.

도 5a를 참조하면, 제어부(240)는 두께측정기(261)에서 산출된 기판(W)의 영역별 두께 데이터를 수신 및 분석하여 선택영역(SA)의 위치를 파악한다. 선택영역(SA)의 위치가 파악되면, 노즐(221)이 선택영역(SA)으로 이동된다. 실시예에 의하면, 노즐(221)이 일체의 바(bar)형상의 노즐아암(223)에 지지되어 지지아암(224)을 축으로 회전하기 때문에, 비선형적인 이동이 어렵다. 따라서, 제어부(240)는 선택영역(SA)이 포함되는 원주상에 노즐(221)이 위치하도록 노즐아암(223)을 회전시키고, 선택영역(SA)의 선단이 노즐(221)의 하부에 위치하도록 지지플레이트(131)를 제1각도(θ1)만큼 회전시킨다. 이와 같은 구동에 의하여, 노즐(221)이 선택영역(SA)에 위치하게 된다.Referring to FIG. 5A, the controller 240 receives and analyzes thickness data for each area of the substrate W calculated by the thickness meter 261 to determine the position of the selection area SA. When the position of the selection area SA is known, the nozzle 221 is moved to the selection area SA. According to the embodiment, since the nozzle 221 is supported by the integral bar-shaped nozzle arm 223 to rotate the support arm 224 axially, nonlinear movement is difficult. Accordingly, the controller 240 rotates the nozzle arm 223 such that the nozzle 221 is positioned on the circumference of the selection area SA, and the tip of the selection area SA is positioned below the nozzle 221. The support plate 131 is rotated by the first angle θ 1 so as to be used. By this driving, the nozzle 221 is positioned in the selection area SA.

도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 선택영역(SA)으로 식각액을 제공하는 과정을 나타내는 도면이다.5B is a diagram illustrating a process of providing an etchant to the selection area SA according to an embodiment of the present invention.

도 5b를 참조하면, 노즐(221)이 선택영역(SA)의 선단에 위치하면, 제어부(240)는 제2각도(θ2)만큼 지지플레이트(131)를 회전시킨다. 지지플레이트(131)가 회전하는 동안 노즐(221)은 고정되며, 선택영역(SA)으로 식각액을 분사한다. 분사된 식각액은 선택영역(SA)을 식각하며, 이에 의해 선택영역(SA)의 증착막의 두께와 인접한 영역의 증착막(5)의 두께 차가 감소된다. Referring to FIG. 5B, when the nozzle 221 is positioned at the front end of the selection area SA, the controller 240 rotates the support plate 131 by the second angle θ 2 . The nozzle 221 is fixed while the support plate 131 is rotated, and sprays the etchant to the selection area SA. The injected etchant etches the selection area SA, thereby reducing the thickness difference of the deposition film 5 in the region adjacent to the thickness of the deposition film of the selection area SA.

도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐(221)이 선택영역(SA)에 위치하는 과정을 나타내는 도면이다.6A is a view illustrating a process in which the nozzle 221 is positioned in the selection area SA according to another embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 노즐아암(223)은 제1아암(223a)과 제2아암(223b)이 결합된 형태로 제공된다. 제2아암(223b)은 일단이 지지아암(224)과 결합하고 타단이 제1아암(223a)과 결합한다. 제2아암(223b)은 아암구동기(225)에 의하여 지지아암(224)을 축으로 회전가능하도록 제공된다. 제1아암(223a)은 일단이 제2아암(223b)과 결합하고, 타단에는 노즐(221)이 결합한다. 제1아암(223a)은 제2아암(223b)의 길이방향을 따라 연장되어 제공되며, 제2아암(221b)이 회전하는 평면과 같은 평면에서 제2아암(223b)의 타단을 축으로 회전가능하도록 제공된다. Referring to FIG. 6A, the nozzle arm 223 is provided in a form in which the first arm 223a and the second arm 223b are combined. One end of the second arm 223b is coupled to the support arm 224 and the other end is coupled to the first arm 223a. The second arm 223b is provided to be rotatable about the support arm 224 by the arm driver 225. One end of the first arm 223a is coupled to the second arm 223b, and the other end of the nozzle 221 is coupled. The first arm 223a extends along the longitudinal direction of the second arm 223b and is rotatable about the other end of the second arm 223b in the same plane as the plane in which the second arm 221b rotates. Is provided.

제어부(240)는 선택영역(SA)의 위치를 파악한 후, 제2아암(221b)을 회전시키 고, 다시 제1아암(221a)을 회전시켜 노즐(221)이 선택영역(SA)의 선단에 위치되도록 노즐구동기(225)를 제어한다.After determining the position of the selection area SA, the controller 240 rotates the second arm 221b and then rotates the first arm 221a so that the nozzle 221 is at the tip of the selection area SA. The nozzle driver 225 is controlled to be positioned.

도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따라 선택영역(SA)으로 식각액을 제공하는 과정을 나타내는 도면이다.6B is a view illustrating a process of providing an etchant to the selection area SA according to another embodiment of the present invention.

노즐(221)이 선택영역(SA)의 선단에 위치하면, 제어부(240)는 노즐(221)이 선택영역(SA)을 따라 이동하도록 노즐구동기(225)를 구동시킨다. 노즐(221)은 선택영역(SA)의 선단과 후단을 이동하며 시각액을 분사한다. 제어부(240)는 노즐(221)이 이동하는 동안 지지플레이트(131)는 고정되도록 구동기(134)를 제어한다. 분사된 식각액은 선택영역(SA)부분을 식각하며, 이에 의해 선택영역(SA)의 증착막의 두께와 인접한 영역의 증착막(5)의 두께 차가 감소된다. When the nozzle 221 is positioned at the front end of the selection area SA, the controller 240 drives the nozzle driver 225 to move the nozzle 221 along the selection area SA. The nozzle 221 moves the front end and the rear end of the selection area SA to spray the visual fluid. The controller 240 controls the driver 134 to fix the support plate 131 while the nozzle 221 moves. The injected etchant etches the portion of the selection area SA, thereby reducing the thickness difference of the deposition film 5 in the region adjacent to the thickness of the deposition film of the selection area SA.

선택영역(SA)에 대한 식각공정이 완료되면, 제어부(240)는 기판(W)의 중심영역에 식각액이 제공되도록 노즐(221)을 기판(W)의 중심(C)으로 이동시킨다.When the etching process for the selection area SA is completed, the controller 240 moves the nozzle 221 to the center C of the substrate W so that an etching solution is provided in the center area of the substrate W.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(W)의 전체면을 식각하는 과정을 나타내는 도면이다.7 is a view showing a process of etching the entire surface of the substrate (W) according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 노즐(221)은 기판(W)의 중심(C) 상부에 고정되며, 중심(C)으로 식각액을 분사한다. 제어부(240)는 노즐(221)이 식각액을 분사하는 동안, 지지플레이트(131)가 회전하도록 구동기(134)를 제어한다. 지지플레이트(131)의 회전으로 기판(W)으로 분사된 식각액은 원심력에 의하여 기판(W)의 중심으로부터 가장자리영역으로 퍼져나가 기판(W)의 전체면에 제공된다. 기판(W)의 전체면에 제공된 식각액은 기판(W)상에 증착된 막(5)의 두께가 균일하도록 증착막(5)을 식각한다.Referring to FIG. 7, the nozzle 221 is fixed above the center C of the substrate W, and sprays the etchant to the center C. The controller 240 controls the driver 134 to rotate the support plate 131 while the nozzle 221 sprays the etching liquid. The etchant injected into the substrate W by the rotation of the support plate 131 spreads from the center of the substrate W to the edge region by the centrifugal force and is provided on the entire surface of the substrate W. FIG. The etchant provided on the entire surface of the substrate W etches the deposition film 5 so that the thickness of the film 5 deposited on the substrate W is uniform.

도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(W) 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.8 is a flowchart illustrating a method of processing a substrate W according to an embodiment of the present invention.

도 8를 참조하면, 기판 처리 방법은 기판(W)의 영역별로 증착된 막의 두께를 측정하는 단계(S10), 측정된 결과를 분석하여 선택영역(SA)의 유무를 판단하는 단계(S20), 선택영역(SA)이 있는 경우 선택영역(SA)으로 식각액을 제공하여 선택영역(SA)을 식각시키는 단계(S30), 그리고 회전하는 기판(W)의 중심으로 식각액을 제공하여 기판(W)의 전체영역을 식각시키는 단계(S40)을 포함한다. 이하, 각 단계에 대해 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 8, the substrate treating method may include measuring a thickness of a film deposited for each region of a substrate W (S10), determining a presence or absence of a selection region SA by analyzing the measured result (S20), If there is the selection area SA, an etching solution is provided to the selection area SA to etch the selection area SA (S30), and an etching solution is provided to the center of the rotating substrate W to form the etching solution. Etching the entire region (S40). Hereinafter, each step will be described in detail.

(도4 참조) 먼저, 두께계측기(261)가 기판(W)의 지름을 따라 기판(W)의 일단에서 타단으로 이동하며, 기판(W)상에 증착된 막의 두께를 측정한다(S10). 발광부(261a)에서 기판(W)의 상면으로 조사된 광은 기판(W)의 상면으로부터 반사되어 수광부(261b)에 수광된다. 발광부(261a)에서 조사된 광이 수광부(261b)에 수광되기까지의 시간을 측정하여 두께계측기(261)와 기판(W)의 상면까지의 거리값이 산출된다. 산출된 거리값과 지지플레이트(131)의 상면과 두께계측기(261)까지의 거리값의 차를 계산하여 증착된 막(5)의 영역별 두께가 산출된다. First, the thickness gauge 261 moves from one end of the substrate W to the other end along the diameter of the substrate W, and measures the thickness of the film deposited on the substrate W (S10). Light irradiated from the light emitting part 261a to the top surface of the substrate W is reflected from the top surface of the substrate W and received by the light receiving part 261b. The distance from the light emitter 261a to the upper surface of the thickness meter 261 and the substrate W is measured by measuring the time until the light is received by the light receiver 261b. The thickness of each region of the deposited film 5 is calculated by calculating the difference between the calculated distance value and the distance value between the upper surface of the support plate 131 and the thickness gauge 261.

산출된 증착막(5)의 영역별 두께 데이터는 제어부(240)로 전송되며, 제어부(240)는 두께측정부로부터 산출된 기판(W)의 영역별 두께 데이터를 수신 및 분석하여 선택영역(SA)의 유무를 판단한다(S20).The calculated thickness data for each region of the deposited film 5 is transmitted to the controller 240, and the controller 240 receives and analyzes the thickness data for each region of the substrate W calculated from the thickness measurer to select the area SA. Determine the presence of (S20).

(도7 참조) 기판(W)상에 증착된 막에 선택영역(SA)이 존재하지 않으면, 제어부(240)는 노즐(221)이 기판(W)의 중심영역으로 이동되도록 노즐구동부(225)를 구 동시키고, 지지플레이트(131)가 회전되도록 구동부(134)를 제어한다. 회전하는 기판(W)의 중심영역(C)으로 식각액이 분사되고, 분사된 식각액은 원심력에 의해 기판(W)의 가장자리로 퍼져 기판(W)상에 증착된 막(5)의 전체면을 식각한다. (See FIG. 7) If the selection area SA does not exist in the film deposited on the substrate W, the controller 240 controls the nozzle driver 225 to move the nozzle 221 to the center area of the substrate W. Drive and control the drive unit 134 so that the support plate 131 is rotated. The etchant is injected into the center region C of the rotating substrate W, and the injected etchant spreads to the edge of the substrate W by centrifugal force to etch the entire surface of the film 5 deposited on the substrate W. do.

(도 5a 또는 6a 참조) 기판(W)상에 증착된 막에 선택영역(SA)이 존재하면, 제어부(240)는 선택영역(SA)의 위치를 파악하여, 노즐(221)이 선택영역(SA)으로 이동되도록 노즐구동부(225)를 구동시킨다. 노즐(221)이 이동되는 과정은 상기 제어부(240)에서 상술하였으므로, 자세한 설명은 생략한다.5A or 6A, when the selection area SA exists in the film deposited on the substrate W, the controller 240 determines the position of the selection area SA, and the nozzle 221 determines the selection area ( The nozzle driver 225 is driven to move to SA. Since the process of moving the nozzle 221 has been described above in the control unit 240, a detailed description thereof will be omitted.

노즐(221)이 선택영역(SA)에 위치하면, 선택영역(SA)으로 식각액이 분사된다(S30). 일 실시예에 의하면(도 5b참조), 노즐(221)은 식각액을 분사하는 동안 선택영역(SA)의 상부에 고정되며, 지지플레이트(131)는 선택영역(SA)의 선단과 후단을 포함하는 각도(θ2)만큼 회전된다. 지지플레이트(131)의 회전으로 선택영역(SA)의 전체에 걸쳐 식각액이 제공되며, 선택영역(SA)의 식각으로 선택영역(SA)의 증착막 두께와 인접한 영역의 증착막의 두께 차가 감소된다.When the nozzle 221 is located in the selection area SA, the etchant is injected into the selection area SA (S30). According to one embodiment (see FIG. 5B), the nozzle 221 is fixed to the top of the selection area SA while spraying the etchant, and the support plate 131 includes a front end and a rear end of the selection area SA. Rotated by an angle θ 2 . The etchant is provided over the entire selection area SA by the rotation of the support plate 131, and the difference in the thickness of the deposition film in the region adjacent to the deposition film thickness of the selection area SA is reduced by etching the selection area SA.

다른 실시예에 의하면(도 6b참조), 지지플레이트(131)는 고정되며, 노즐(221)이 선택영역(SA)의 선단과 후단을 이동하며 식각액을 분사한다. 노즐(221)의 이동에 의해 선택영역(SA) 전체에 걸쳐 식각액이 제공되며, 선택영역(SA)의 식각으로 선택영역(SA)의 증착막 두께와 인접한 영역의 증착막의 두께 차가 감소된다.According to another embodiment (see FIG. 6B), the support plate 131 is fixed, and the nozzle 221 moves the front end and the rear end of the selection area SA to spray the etchant. The etchant is provided over the entire selection area SA by the movement of the nozzle 221, and the difference in the thickness of the deposition film in the region adjacent to the deposition film thickness of the selection area SA is reduced by the etching of the selection area SA.

선택영역(SA)에 대한 식각공정이 완료되면, 회전하는 기판(W)의 중심(C)으로 식각액을 공급하여 기판(W)의 전체영역을 식각하는 단계가 진행된다(S40).(도 7참조) When the etching process for the selection area SA is completed, the etching liquid is supplied to the center C of the rotating substrate W to etch the entire area of the substrate W (S40). Reference)

노즐(221)은 기판(W)의 중심영역(C)으로 이동하여 중심영역(c) 상부에 고정되며, 기판(W)의 중심영역(C)으로 식각액을 분사한다. 식각액이 분사되는 동안 지지플레이트(131)는 회전한다. 회전력에 의해 중심영역(C)으로 분사된 식각액은 기판(W)의 중심영역(C)으로부터 가장자리영역으로 퍼저나가며 기판(W)의 전체면에 제공된다. 기판(W)의 전체면에 제공된 식각액은 기판(W)상에 증착된 막의 두께가 균일하도록 증착막을 식각한다.The nozzle 221 moves to the center region C of the substrate W, is fixed to the center region c, and injects an etchant to the center region C of the substrate W. The support plate 131 rotates while the etchant is injected. The etchant injected into the center region C by the rotational force is provided on the entire surface of the substrate W while spreading out from the center region C of the substrate W to the edge region. The etchant provided on the entire surface of the substrate W etches the deposited film so that the thickness of the film deposited on the substrate W is uniform.

본 발명의 실시예에서는 노즐(221)과 두께계측기(261)가 별개의 아암에 지지되는 것으로 설명하였으나, 노즐(221)과 두께계측기(261)는 하나의 아암에 지지될 수 있다. 예컨데, 노즐(221)과 두께계측기(261)는 노즐아암(223)에 지지될 수 있다. 노즐아암(223)이 기판(W)의 상부에서 이동하는 동안 두께계측기(261)가 기판(W)의 증착된 막(5)의 두께를 산출한다. 두께계측기(261)가 선택영역(SA)의 위치를 파악하면, 노즐(221)이 선택영역(SA)으로 식각액을 제공한다. 이에 의하여, 선택영역(SA)의 위치 파악과 식각액의 제공간의 시간적 간격이 짧게 형성되므로, 선택영역(SA)의 식각이 빠른 시간내에 이루어질 수 있다.In the embodiment of the present invention, the nozzle 221 and the thickness meter 261 are described as being supported by separate arms, but the nozzle 221 and the thickness meter 261 may be supported by one arm. For example, the nozzle 221 and the thickness meter 261 may be supported by the nozzle arm 223. The thickness gauge 261 calculates the thickness of the deposited film 5 of the substrate W while the nozzle arm 223 moves on top of the substrate W. As shown in FIG. When the thickness meter 261 determines the position of the selection area SA, the nozzle 221 provides an etching solution to the selection area SA. As a result, the time interval between the location of the selection area SA and the provision of the etchant is shortened, so that the etching of the selection area SA can be performed quickly.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범 위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the inventive concept disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the scope of the art or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

도 1은 에칭 공정에 제공되는 반도체 기판을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a semiconductor substrate provided in an etching process.

도 2은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3는 본 발명의 실시예에 따른 용기의 내부 구조를 보여주는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing the internal structure of a container according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판상에 증착된 막의 두께를 측정하는 과정을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a process of measuring the thickness of the film deposited on a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따라 노즐이 선택영역에 위치하는 과정을 나타내는 도면이다.5A is a diagram illustrating a process of positioning a nozzle in a selection area according to an embodiment of the present invention.

도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 선택영역으로 식각액을 제공하는 과정을 나타내는 도면이다.5B is a diagram illustrating a process of providing an etchant to a selection region according to an embodiment of the present invention.

도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐이 선택영역에 위치하는 과정을 나타내는 도면이다.6A is a view illustrating a process in which a nozzle is located in a selected region according to another embodiment of the present invention.

도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따라 선택영역으로 식각액을 제공하는 과정을 나타내는 도면이다.6B is a view illustrating a process of providing an etchant to a selected region according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 전체면을 식각하는 과정을 나타내는 도면이다.7 is a view showing a process of etching the entire surface of the substrate according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.8 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

Claims (8)

기판을 식각처리하는 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method for etching the substrate, 상기 기판상의 선택영역으로 노즐을 이동시켜 상기 선택영역으로 식각액을 제공하여 상기 선택영역을 식각시키는 단계; 및Etching the selection area by moving a nozzle to the selection area on the substrate to provide an etchant to the selection area; And 상기 노즐을 상기 기판의 중심으로 이동시켜, 회전되는 상기 기판의 중심으로 식각액을 제공하여 상기 기판의 전체영역을 식각시키는 단계를 포함하되;Moving the nozzle toward the center of the substrate to provide an etchant to the center of the rotated substrate to etch the entire area of the substrate; 상기 선택영역으로 식각액을 제공하는 동안, While providing an etchant to the selection area, 상기 노즐은 상기 선택영역의 상부에 고정되고,The nozzle is fixed to the upper portion of the selection area, 상기 기판을 지지하는 지지플레이트는 상기 선택영역이 포함되는 각도만큼 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The support plate for supporting the substrate is a substrate processing method, characterized in that for rotating the selected area included. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 선택영역으로 식각액을 공급하는 상기 노즐의 위치와 상기 기판의 중심으로 식각액을 공급하는 상기 노즐의 위치는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a position of the nozzle for supplying the etchant to the selection region and a position for the nozzle for supplying the etchant to the center of the substrate are different from each other. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 선택영역은 The selection area is 상기 기판의 중심영역보다 증착두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a deposition thickness thicker than a center region of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 선택영역으로 상기 식각액을 제공하기 전, 상기 기판의 영역별로 증착두께를 측정하는 단계를 더 포함하되,Before providing the etching solution to the selection region, further comprising the step of measuring the deposition thickness for each area of the substrate, 상기 선택영역은 기판의 다른 영역에 비해 증착두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. And the selection region has a higher deposition thickness than other regions of the substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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