KR101042575B1 - In-Co-Fe-Sb BASED SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - Google Patents
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Abstract
본 발명은 In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료와 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an In—Co—Fe—Sb based skeletalite thermoelectric material and a method of manufacturing an In—Co—Fe—Sb based skeletalite thermoelectric material using a sealed induction melting method and heat treatment.
이를 위하여 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료는, CoSb3을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 In으로 충전되고 Fe가 도핑되어 InzCo4-xFexSb12의 조성을 가지며, z와 x가 0<z≤0.25 및 0<x≤0.2 범위에 있는 것을 특징으로 한다.To this end, the scuderudite-based thermoelectric material according to the present invention is a scudetrudite-based thermoelectric material using CoSb 3 , in which pores in the unit lattice are filled with In and Fe is doped to allow In z Co 4-x Fe x Sb 12. And z and x are in the range of 0 <z≤0.25 and 0 <x≤0.2.
또 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료 제조방법은, InzCo4-xFexSb12의 조성을 가지는 스커테루다이트 열전재료의 제조방법으로서, 원료물질인 Co, Sb, In 및 Fe를 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 재료를 In의 공극 충전과 Fe의 활성화를 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함한다.In addition, the method for producing a skutterudite-based thermoelectric material according to the present invention is a method for producing a skutterrudite thermoelectric material having a composition of In z Co 4-x Fe x Sb 12 , and includes Co, Sb, In and Fe as raw materials. Charging in a quartz tube and sealing under vacuum, heating and dissolving the mixture of charged raw materials in a hermetic induction furnace by high frequency induction power, and vacuum-treating the material for filling voids of In and activating Fe. Steps.
열전재료, 열전소재, 고효율 열전재료, 스커테루다이트 Thermoelectric Materials, Thermoelectric Materials, High Efficiency Thermoelectric Materials, Skirtrudite
Description
본 발명은 열전특성이 뛰어난 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료와 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric material having excellent thermoelectric characteristics, and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an In-Co-Fe-Sb-based scudrudite thermoelectric material and a method of manufacturing the same using a sealed induction melting method and heat treatment. .
최근 대체 에너지의 개발 및 에너지 절약에 대한 관심이 고조되고 있는 가운데, 효율적인 에너지 변환 신 물질에 관한 조사 및 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 열-전기 에너지 변환재료인 열전재료에 대한 연구가 가속화되고 있다.Recently, as interest in developing alternative energy and saving energy is increasing, researches and studies on efficient new energy conversion materials are being actively conducted. In particular, research on thermoelectric materials, which are thermo-electric energy conversion materials, is being accelerated.
열전재료의 효율은 무차원 열전성능지수(dimensionless figure of merit, ZT)로 평가되며, ZT=α2Tρ-1λ-1로 정의된다. α는 제벡계수, T는 절대온도, ρ는 전기비저항 그리고 λ는 열전도도이다. The efficiency of thermoelectric materials is evaluated by the dimensionless thermoelectric figure of merit (ZT), which is defined as ZT = α 2 Tρ -1 λ -1 . α is the Seebeck coefficient, T is the absolute temperature, ρ is the electrical resistivity, and λ is the thermal conductivity.
우수한 열전특성을 갖기 위한 기본 조건으로는 단위격자가 클 것, 결정구조가 복잡할 것, 원자질량이 무거울 것, 공유결합이 강할 것, 유효 운반자 질량이 클 것, 운반자 이동도가 높을 것(~103cm2/Vs), 에너지 밴드갭(~KBT)이 좁을 것 그리고 구성 원자 간의 전기 음성도 차이가 작을 것이 요구된다. 이러한 ZT의 최대값이 1이라는 개념이 이론적인 한계로 간주되었고, 그 개념은 지난 몇 십 년 동안 유지되어 왔다. 초격자 내에서의 PGEC (Phonon Glass and Electron Crystal)개념을 채용한 특정방법으로 맞춤 제조된 물질의 경우 ZT 값을 1보다 크게 할 수 있음이 알려졌다.Basic conditions for excellent thermoelectric properties include large unit lattice, complex crystal structure, heavy atomic mass, strong covalent bonds, large effective carrier mass, and high carrier mobility. 10 3 cm 2 / Vs), narrow energy bandgap (~ K B T), and small differences in electronegativity between constituent atoms are required. This notion of a maximum value of ZT of 1 was considered a theoretical limit, and the concept has been maintained for decades. It is known that ZT values can be greater than 1 for custom-made materials using a specific method employing the PGEC (Phonon Glass and Electron Crystal) concept in the superlattice.
결정학적으로 입방형 Im3의 공간군에 속하는 단위격자를 갖는 2원계 스커테루다이트(skutterudite) 구조는 높은 ZT값을 갖기 위한 조건을 충족시키는 가장 잠재력이 큰 물질로 조사되었다. 특히 중간 온도의 응용분야에서 가장 촉망받는 소재로 기대되고 있다. 스커테루다이트 구조는 단위격자 안에 8개의 TX3 그룹에 32개의 원자를 포함할 뿐만 아니라, 비교적 단위격자가 커서 격자 열전도도의 감소에 의한 열전특성 향상이 가능한 격자구조이다. 여기서 T는 천이원소로서 Co, Rh, Ir 등의 원소가 점유하고, X는 니코젠(pnicogen)원소로서 P, As, Sb 원소가 점유한다. Crystallographically, binary skutterudite structures with unit grids belonging to the cubic Im3 space group have been investigated as the most potent materials that meet the conditions for high ZT values. It is expected to be the most promising material, especially for medium temperature applications. The scrutherite structure includes not only 32 atoms in 8 TX 3 groups in a unit grid, but also a lattice structure in which the unit grid is relatively large and the thermoelectric properties can be improved by reducing the lattice thermal conductivity. Here, T is occupied by elements such as Co, Rh and Ir as transition elements, and X is occupied by P, As and Sb elements as niconic elements.
그러나 2원계 스커테루다이트만으로는 상대적으로 높은 격자 열전도도에 기인한 저효율의 열전특성을 나타내고 있다. 이를 개선하기위한 방안으로서, 스커테루다이트 단위격자 안에 존재하는 2개의 공극(void)에 필러(filler)원소를 충전하여 래틀링(rattling)효과를 유발시킴으로써 격자 열전도도를 감소시키는 방안과, 원소의 일부를 도핑원소로 치환하여 정공운반자의 농도를 조절하고 격자 산란을 유도하여 열전성능지수를 개선하는 방안이 제시되고 있다.However, binary scutterudite alone exhibits low efficiency thermoelectric properties due to relatively high lattice thermal conductivity. In order to improve this problem, a method of reducing lattice thermal conductivity by filling a filler element into two voids present in the scutterrudite unit grid to induce a rattling effect and an element A method of improving the thermoelectric performance index by controlling the concentration of hole carriers by inducing a part of the doping element and inducing lattice scattering has been proposed.
CoSb3는 가장 유망한 스커테루다이트 열전재료이지만, 이 역시 상대적으로 높은 격자 열전도도에 기인한 저효율의 열전특성을 나타내며, 상온에서 p형 반도체의 성질을 나타낸다. CoSb 3 is the most promising scuderudite thermoelectric material, but it also exhibits low efficiency thermoelectric properties due to relatively high lattice thermal conductivity and exhibits the properties of p-type semiconductors at room temperature.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, In이 충전되고 Fe가 도핑된 In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료를 제공하는 것이 목적이다. 또 본 발명의 다른 목적은 그 열전재료의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been invented to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an In-Co-Fe-Sb-based scudrudite thermoelectric material filled with In and doped with Fe. Another object of the present invention is to provide a method for producing the thermoelectric material.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료는, CoSb3을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 In으로 충전되고 Fe가 도핑되어 InzCo4-xFexSb12의 조성을 가지며, z와 x가 0<z≤0.25 및 0<x≤0.2 범위에 있는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the scutterrudite thermoelectric material according to the present invention, in the scutterrudite thermoelectric material using CoSb 3 , the voids in the unit lattice are filled with In and Fe is doped, thereby In z Co 4-. It has a composition of x Fe x Sb 12 , characterized in that z and x are in the range of 0 <z≤0.25 and 0 <x≤0.2.
밀폐유도용해(encapsulated induction melting)법으로 제조된, In이 충전되고 Fe가 도핑된 CoSb3 스커테루다이트(InzCo4-xFexSb12)의 충전과 도핑의 효과를 열전특성에 대하여 분석한 결과 열전재료로서 우수한 성능을 확인하였다.The effect of charging and doping of In-filled and Fe-doped CoSb 3 scrutherite (In z Co 4-x Fe x Sb 12 ), prepared by encapsulated induction melting, was studied on the thermoelectric properties. As a result of the analysis, excellent performance was confirmed as a thermoelectric material.
또 본 발명에 의한 CoSb3을 이용한 스커테루다이트계 열전재료 제조방법은, InzCo4-xFexSb12의 조성을 가지는 스커테루다이트 열전재료의 제조방법으로서, 원료물질인 Co, Sb, In 및 Fe를 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 재료를 In의 공극 충전과 Fe의 활성화를 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때 열처리 온도는 823K이며, z와 x가 0<z≤0.25 및 0<x≤0.2 범위에 있는 것이 좋다.In addition, the method for producing a skutterudite-based thermoelectric material using CoSb 3 according to the present invention is a method for producing a skutterrudite thermoelectric material having a composition of In z Co 4-x Fe x Sb 12 , wherein Co, Sb, Charging In and Fe in a quartz tube and sealing under vacuum, heating and dissolving the mixture of charged raw materials in a hermetic induction furnace by high frequency induction power, and filling the pores of In and activating Fe. In order to characterize the vacuum heat treatment. At this time, the heat treatment temperature is 823K, it is preferable that z and x are in the range of 0 <z≤0.25 and 0 <x≤0.2.
본 발명에 따르면, In이 충전되고 Fe가 도핑된 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트 열전재료를 제공함으로써, CoSb3 스커테루다이트의 중온범위에서 열전성능지수를 향상시키는 효과가 있다.According to the present invention, by providing In-filled and Fe-doped In z Co 4-x Fe x Sb 12 scuderudite thermoelectric material, the effect of improving the thermoelectric performance index in the mid-temperature range of CoSb 3 sciderrudite There is.
또한 본 발명의 제조방법에 따르면, 뛰어난 성능을 갖는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트 열전재료를 제2상이 형성되는 문제없이 제조할 수 있다.In addition, according to the production method of the present invention, In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite thermoelectric material having excellent performance can be produced without the problem of forming a second phase.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저 본 실시예에 따른 열전재료를 제조하기 위해 먼저 원료물질을 준비하였다. 원료물질은 Co(순도 99.95%), Sb(순도 99.999%), In(순도 99.99%) 및 Fe(순도 99.9%)의 고순도 원소물질로 준비하고, 이들을 석영관에 장입한 후 진공 밀폐하였다.First, a raw material was prepared to manufacture a thermoelectric material according to the present embodiment. Raw materials were prepared from high purity elemental materials of Co (99.95% purity), Sb (99.999% purity), In (purity 99.99%), and Fe (purity 99.9%), and these were charged into a quartz tube and vacuum-sealed.
그리고 이들 원료물질을 밀폐유도용해(EIM: Encapsulated Induction Melting)로를 이용하여, 7kW의 전력과 40kHz의 주파수로 용해하였다.Then, these raw materials were melted at a power of 7 kW and a frequency of 40 kHz using an encapsulated induction melting (EIM) furnace.
상기 과정을 거쳐 형성된 잉곳을 823K의 온도로 120시간 동안 열처리하였다. 이는 In이 스커테루다이트 구조의 공극에 채워지고 Fe 도펀트(dopant)가 활성화되 기 위한 충분한 시간을 제공하기 위한 것이다.The ingot formed through the above process was heat-treated at a temperature of 823K for 120 hours. This is to provide sufficient time for In to fill the pores of the scrutherite structure and for the Fe dopant to be activated.
이러한 방법으로 In이 충전되고 Fe가 도핑된 CoSb3 스커테루다이트(InzCo4-xFexSb12: z=0.05, 0.25, x= 0.5, 1.0, 1.5)를 제조하였다.In this way, an In-filled and Fe-doped CoSb 3 scerrudite (In z Co 4-x Fe x Sb 12 : z = 0.05, 0.25, x = 0.5, 1.0, 1.5) was prepared.
이렇게 제조된 InzCo4-xFexSb12의 물성, 특히 열전특성을 확인하기 위하여, 여러 가지 측정과 분석을 하였다.In order to check the properties of the In z Co 4-x Fe x Sb 12 thus prepared, in particular, the thermoelectric properties, various measurements and analysis were performed.
먼저 상을 확인하기 위하여 CuK (40kV, 200mA)방사선을 사용하는 고분해능 X선 회절기(HRXRD, Rigaku DMAX2500VPC)를 이용하여 X선 회절패턴을 통한 상 분석을 하였다.First, in order to confirm the phase, a high resolution X-ray diffractometer (HRXRD, Rigaku DMAX2500VPC) using CuK (40kV, 200mA) radiation was analyzed through an X-ray diffraction pattern.
제벡계수(Seebeck coefficient), 전기비저항 그리고 열전도도는 300K에서 700K까지의 범위에서 측정하였다. 제벡계수와 전기비저항은 헬륨분위기에서 각각 온도 미분법과 DC 4단자법(Ulvac-Riko ZEM2-M8)으로 측정하였고, 열전도도는 진공에서 레이저 플래시법(Ulvac-Riko TC7000)에 의한 열확산도, 비열 그리고 밀도의 측정값으로부터 산출하였다. 홀효과는 자기장 1T, 전류 50mA 및 300K에서 Keithley 7065 시스템으로 측정되었다.Seebeck coefficient, electrical resistivity and thermal conductivity were measured from 300K to 700K. Seebeck coefficient and electrical resistivity were measured by temperature differential method and DC 4-terminal method (Ulvac-Riko ZEM2-M8) in helium atmosphere, and thermal conductivity was measured by thermal diffusivity, specific heat and It calculated from the measured value of density. Hall effects were measured with a Keithley 7065 system at magnetic field 1T, current 50mA and 300K.
제벡계수와 전기비저항 측정을 위하여 열처리된 잉곳을 3×3×10㎣의 직사각형으로 절단하였으며, 열전도도와 홀효과(Hall effect)를 측정하기 위하여 지름 10mm×두께 1mm의 원판형으로 절단하였다. Heat treated ingots were cut into 3 × 3 × 10 mm squares to measure Seebeck coefficient and electrical resistivity, and were cut into discs with a diameter of 10 mm × thickness 1 mm to measure thermal conductivity and Hall effect.
이와 같이 측정된 물성을 분석한 결과를 설명하면 다음과 같다. The results of analyzing the measured physical properties as described above are as follows.
도 1은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트의 X선 회절 패턴이다. (a)는 z=0.05, x=0.5 인 경우이고, (b)는 z=0.05, x=1.0 인 경우이며, (c)는 z=0.05, x=1.5 인 경우이다. (d)는 z=0.25, x=0.5 인 경우이고, (e)는 z=0.25, x=1.0 인 경우이며, (f)는 z=0.25, x=1.5 인 경우이다. 이에 따르면 x가 0.5와 1.0인 경우에 δ-CoSb3 상만 존재하는 것을 확인 할 수 있다. 따라서 이 조성에서는 823K에서 120시간동안 열처리하는 것으로 상 변태와 In이 공극을 채우기에 충분한 것을 알 수 있다. 공극이 충전된 CoSb3 스커테루다이트의 충전 한계는 밀도함수법을 바탕으로 한 연구에 의하여 스커테루다이트의 열역학적 안정성과 밀접한 관계가 있다고 알려졌다. 만약 충전 한계를 초과하면 단위격자가 팽창하고 충전재와 주재료가 반응하게 되어 불안정하게 충전된 스커테루다이트가 되거나 제2상이 형성될 가능성이 있다. 본 실시예에서는 도 1에서와 같이 제2상이 발견되지 않았다. 이는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트가 열역학적으로 안정하고, In이 공극 내부에 위치하며, Co 원자들이 Fe 원자들로 성공적으로 치환된 것을 의미한다.FIG. 1 is an X-ray diffraction pattern of In z Co 4-x Fe x Sb 12 skaterite. (a) is a case where z = 0.05 and x = 0.5, (b) is a case where z = 0.05 and x = 1.0 and (c) is a case where z = 0.05 and x = 1.5. (d) is a case where z = 0.25 and x = 0.5, (e) is a case where z = 0.25 and x = 1.0, and (f) is a case where z = 0.25 and x = 1.5. According to this, when x is 0.5 and 1.0, it can be seen that only the δ-CoSb 3 phase is present. Therefore, in this composition, heat treatment at 823K for 120 hours shows that phase transformation and In are sufficient to fill the pores. The filling limit of pore-filled CoSb 3 scudrudite has been found to be closely related to the thermodynamic stability of scudrudite by studies based on density functions. If the filling limit is exceeded, the unit lattice may expand and the filler and the main material may react, resulting in unstable filling of scarterudite or formation of a second phase. In this embodiment, no second phase was found as in FIG. This means that In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite is thermodynamically stable, In is located inside the pores, and Co atoms have been successfully substituted by Fe atoms.
반면에 x가 1.5인 경우에는 δ-상이 FeSb2로 분화되었으며, 이는 Fe가 Co를 치환하는 고용한계가 1.5보다 작음을 나타낸다.On the other hand, when x is 1.5, the δ-phase is differentiated into FeSb 2 , indicating that the solid solution limit for Fe to replace Co is less than 1.5.
표 1은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트가 300K에서 갖는 전기전달 특성을 나타낸다.Table 1 shows the electrical transfer characteristics of In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrudentite at 300K.
[표 1]TABLE 1
(cm3/C)Hall modulus, R H
(cm 3 / C)
(cm-3)Carrier concentration, n
(cm -3 )
(cm2/Vs)Hole mobility, μ H
(cm 2 / Vs)
표 1에서 모든 시편의 홀 계수가 양수이며, 이는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트가 주된 캐리어가 정공인 p형의 전도특성을 갖는 것을 의미한다. 그리고 캐리어 농도는 Fe 도핑량의 증가와 함께 증가하였으며, 범위는 3.0×1019~4.6×1020 cm-3였다. 이를 통하여 Fe가 CoSb3의 전기적 구조에 영향을 미치고 잉여 홀을 생성하는 것을 할 수 있다. 반면에 캐리어 이동도는 Fe 도핑량의 증가에 따라서 감소하는데, 이는 홀의 평균프리패스가 이온화된 불순물의 스캐터링에 의하여 감소하였기 때문으로 여겨진다.In Table 1, the hole coefficients of all the specimens are positive, which means that In z Co 4-x Fe x Sb 12 scuterudite has a p-type conduction characteristic in which the main carrier is a hole. Carrier concentration increased with increasing amount of Fe doping, and the range was 3.0 × 10 19 to 4.6 × 10 20 cm -3 . Through this, Fe can affect the electrical structure of CoSb 3 and generate excess holes. On the other hand, carrier mobility decreases with the increase in the amount of Fe doping, which is considered to be because the average prepass of the hole is reduced by the scattering of ionized impurities.
도 2는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 제벡계수(α)의 온도의존성을 나타낸다. 모든 시편이 양의 제벡계수 값을 가지며, 제벡계수 값이 온도 증가와 함께 증가한다. 그러나 제벡계수의 경사도는 Fe 도핑량의 증가에 따라서 감소하며, 이는 Fe 도핑량 증가에 따라 증가한 홀 농도의 영향이다. 동일한 Fe 도핑량에서 In 충전은 제벡계수를 상승시키며, 이는 In 충전으로 잉여 전자가 생산되면서 발생하는 전하보상 때문이다.Figure 2 shows the temperature dependence of the Seebeck coefficient (α) for In z Co 4-x Fe x Sb 12 Scudrudite. All specimens have positive Seebeck coefficient values, and the Seebeck coefficient values increase with increasing temperature. However, the slope of the Seebeck coefficient decreases with the increase of the amount of Fe doping, which is due to the increase of the hole concentration with the increase of the amount of Fe doping. At the same Fe doping amount, In charge increases the Seebeck coefficient due to charge compensation that occurs when excess electrons are produced by In charge.
도 3은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 전기 전도도(σ)의 온도의존성 을 나타낸다. 온도의 증가에 따라서 전기 전도도는 조금 감소하는 것을 확인할 수 있다. 진성의 CoSb3의 전기 전도도는 실온에서 약 102~103 Sm-1로 매우 낮고, 온도 증가에 따라서 급격하게 증가하는데, 이는 비축퇴 반도체 거동을 나타낸다. 반면에 In 충전 및 Fe 도핑된 CoSb3는 실온에서 진성의 CoSb3보다 높고, 온도에 거의 무관한 전기 전도도를 가진다. 따라서 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트는 축퇴형 반도체인 것을 알 수 있다. Fe 도핑량의 증가에 따라서 전기전도도가 증가하며, 이는 캐리어 농도의 증가 때문이다. 반면에, In 충전으로 전기 전도도는 약간 감소하며, 이는 표 1에서 나타난 것과 같이 전하보상에 의하여 캐리어 농도가 감소되기 때문이다.FIG. 3 shows the temperature dependence of electrical conductivity σ for In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite. As the temperature increases, the electrical conductivity decreases slightly. The electrical conductivity of intrinsic CoSb 3 is very low at about 10 2 to 10 3 Sm −1 at room temperature and increases rapidly with increasing temperature, indicating non-degenerate semiconductor behavior. In the other hand, charging and Fe doped CoSb 3 is higher than that of the intrinsic CoSb 3 at room temperature, and has a nearly independent of the electrical conductivity on temperature. Therefore, it can be seen that In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite is a degenerate semiconductor. As the amount of Fe doping increases, the electrical conductivity increases due to an increase in the carrier concentration. On the other hand, with In charging, the electrical conductivity is slightly reduced because the carrier concentration is reduced by charge compensation as shown in Table 1.
도 4는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 파워팩터(α2σ)의 온도의존성을 나타낸다. 파워팩터는 온도의 증가에 따라서 증가하며, 300K에서 700K까지 약 두 배가 증가하였다. 또한 파워팩터는 In 충전과 Fe 도핑의 증가에 따라서 급격하게 증가하여, 700K의 In0.25Co2.5Fe1.5Sb12 시편에서 1.2mW/mK2의 최대값을 보였다.FIG. 4 shows the temperature dependence of the power factor (α 2 σ) for In z Co 4-x Fe x Sb 12 skaterite. The power factor increases with increasing temperature, roughly doubling from 300K to 700K. In addition, the power factor increased rapidly with increasing In charge and Fe doping, and showed a maximum value of 1.2 mW / mK 2 in 700 K In 0.25 Co 2.5 Fe 1.5 Sb 12 specimens.
도 5는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 열전도도(κ)의 온도의존성을 나타낸다. 진성 CoSb3의 열전도도는 300K에서 11 W/mK 이고, 700K에서는 7.4 W/mK로 감소하였다. 본 실시예에서 In 충전 및 Fe 도핑에 따라 열전도도는 현저하게 감소하였고, 특히 In 충전량의 증가에 따라서 크게 감소하였다. InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트는 모든 온도범위에서 2W/mK 부근의 매우 작은 값을 나타냈다.FIG. 5 shows the temperature dependence of thermal conductivity (κ) for In z Co 4-x Fe x Sb 12 scerrudite. The thermal conductivity of intrinsic CoSb 3 was 11 W / mK at 300K and decreased to 7.4 W / mK at 700K. In this embodiment, the thermal conductivity was significantly decreased with In charging and Fe doping, and in particular, it was greatly reduced with increasing In charging amount. In z Co 4-x Fe x Sb 12 scerrudite showed very small values around 2W / mK over all temperature ranges.
도 6은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 격자 열전도도(κL, lattice thermal conductivity)를 나타낸다. 격자 열전도도는 Wiedemann-Franz 법칙(κE=LTρ-1)에서 유래된 전자 열전도도(κE, electronic thermal conductivity)와 총 열전도도(κ)사이의 관계(κ=κE+κL)로부터 구해지며, L은 Lorenz 상수(2.45×10-8V2/K2)이다. 격자 열전도도와 전자 열전도도를 비교하면 모든 온도에서 격자 열전도도가 지배적임을 알 수 있다. 본 실시예에서 격자 열전도도는 래틀링 효과에 의하여 In 충전의 증가와 함께 감소하였고, 이온화 불순물의 스캐터링에 의하여 Fe 도핑의 증가와 함께 감소하였으며, Fe 도핑의 증가에 의하여 더욱 감소하였다. 이는 도펀트에 의하여 포논 스캐터링이 증가하여 포논의 평균프리패스를 감소시켰기 때문이다.FIG. 6 shows lattice thermal conductivity (κ L ) for In z Co 4-x Fe x Sb 12 skaterite. The lattice thermal conductivity is derived from the relationship between the electronic thermal conductivity (κ E ) derived from the Wiedemann-Franz law (κ E = LTρ -1 ) and the total thermal conductivity (κ) (κ = κ E + κ L ). L is the Lorenz constant (2.45 × 10 -8 V 2 / K 2 ). Comparing the lattice thermal conductivity and the electronic thermal conductivity, it can be seen that the lattice thermal conductivity is dominant at all temperatures. In this embodiment, the lattice thermal conductivity decreased with increasing In charge due to the rattling effect, decreased with increasing Fe doping by scattering of ionizing impurities, and further decreased by increasing Fe doping. This is because the phonon scattering increased due to the dopant, thereby reducing the average free pass of the phonon.
도 7은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트의 열전도도에 대한 전기 전도도의 비율을 나타내는 그래프이다. 이 비율은 온도의 증가에 따라서 조금 감소하였으나, In0.05Co3.5Fe0.5Sb12 시편을 제외하고는 In 충전과 Fe 도핑이 증가함에 따라서 급격하게 증가하였다. 이는 In 충전과 Fe 도핑이 캐리어 보다 포논을 효과적으로 스캐터링하는 것을 의미한다. 전도도 비율은 In0.25Co2.5Fe1.5Sb12 시편에서 약 4×104 KV-2의 최댓값을 나타냈으며, 이 값은 300~700K의 범위에서 유지되고 있다.7 is a graph showing the ratio of the electrical conductivity to the thermal conductivity of In z Co 4-x Fe x Sb 12 scutterite. This ratio decreased slightly with increasing temperature, except for In 0.05 Co 3.5 Fe 0.5 Sb 12 specimens. As the In charge and Fe doping increased, it increased rapidly. This means that In charge and Fe doping effectively scatter phonons rather than carriers. The conductivity ratio showed a maximum value of about 4 × 10 4 KV −2 in the In 0.25 Co 2.5 Fe 1.5 Sb 12 specimen, which was maintained in the range of 300 to 700K.
도 8은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 열전성능지수(ZT)의 온도의존성을 나타낸다. ZT는 온도 증가와 함께 빠르게 증가하며, 이는 주로 제벡계수의 증가 및 낮은 열전도도의 유지가 원인이다. ZT의 최대값은 700K In0.25Co2.5Fe1.5Sb12 시편에서 얻은 0.37이다.FIG. 8 shows the temperature dependence of the thermoelectric performance index (ZT) for In z Co 4-x Fe x Sb 12 scerrudite. ZT increases rapidly with increasing temperature, mainly due to the increase in Seebeck coefficient and the maintenance of low thermal conductivity. The maximum value of ZT is 0.37 from 700K In 0.25 Co 2.5 Fe 1.5 Sb 12 specimens.
이상으로부터 밀폐유도용해와 후속 진공 열처리에 의하여 In이 충전되고 Fe가 도핑된 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트를 합성할 수 있으며, 이렇게 제조된 화합물은 x가 1.5미만인 구간에서 단일의 δ상으로 구성됨을 알 수 있다. Fe 도핑량의 증가에 따라서, 캐리어 농도는 증가하는 반면에 캐리어의 이동도는 감소하였다. 또한 양의 제벡계수를 갖는 것으로부터 p형 전도성이 확인되었고, 전기비저항의 온도 의존성 조사로부터 축퇴 반도체로 확인되었다. 그리고 In 충전과 Fe 도핑으로 열전도도가 현저하게 감소하였고, 전기 열전도도에 비하여 격자 열전도도가 지배적인 영향을 미쳤다. 또한 ZT는 온도 증가와 함께 빠르게 증가하며, 최대값은 700K In0.25Co2.5Fe1.5Sb12 시편에서 얻은 0.37인 것을 확인 할 수 있었다.From the above, In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite with In-filled Fe and doped with Fe by sealed induction dissolution and subsequent vacuum heat treatment can be synthesized. It can be seen that it consists of a single δ phase. As the amount of Fe doping increased, the carrier concentration increased while the carrier mobility decreased. In addition, p-type conductivity was confirmed from having a positive Seebeck coefficient, and degenerate semiconductor was confirmed from a temperature dependent investigation of the electrical resistivity. The thermal conductivity was significantly decreased by In charging and Fe doping, and the lattice thermal conductivity had a dominant effect compared to the electrical thermal conductivity. In addition, ZT increases rapidly with increasing temperature, and the maximum value is 0.37 obtained from 700K In 0.25 Co 2.5 Fe 1.5 Sb 12 specimens.
이상의 결과를 통하여 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트는 열전성능지수가 현저하게 향상되어 열전재료로서 유용함을 알 수 있다. 또 밀폐유도용해법으로 제조한 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트의 최적조성은 제2상이 조금 나타났지만 최고의 ZT값을 갖는 In0.25Co2.5Fe1.5Sb12 임을 알 수 있다.From the above results, it can be seen that In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite is significantly improved in thermoelectric performance index and is useful as a thermoelectric material. In addition, the optimum composition of In z Co 4-x Fe x Sb 12 scrutherite prepared by hermetic induction was found to be In 0.25 Co 2.5 Fe 1.5 Sb 12 having the highest ZT value, although the second phase appeared a little.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 실시예에만 국한되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위는 특정 실시예에 한정되는 것이 아니라, 첨부된 특허청구범위에 의해 정해지는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the present invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments. However, the present invention is not limited only to the above-described embodiment, and those skilled in the art to which the present invention pertains can make various changes without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the specific embodiments, but should be construed as defined by the appended claims.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트의 X선 회절 패턴이다.1 is an X-ray diffraction pattern of In z Co 4-x Fe x Sb 12 skateriteite according to an embodiment of the present invention.
도 2는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 제벡계수의 온도의존성을 나타낸다.FIG. 2 shows the temperature dependence of the Seebeck coefficient for In z Co 4-x Fe x Sb 12 scerrudite.
도 3은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 전기 전도도의 온도의존성을 나타낸다.FIG. 3 shows the temperature dependence of electrical conductivity for In z Co 4-x Fe x Sb 12 scerrudite.
도 4는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 파워팩터의 온도의존성을 나타낸다.FIG. 4 shows the temperature dependence of the power factor for In z Co 4-x Fe x Sb 12 skaterite.
도 5는 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 열전도도의 온도의존성을 나타낸다.FIG. 5 shows the temperature dependence of thermal conductivity for In z Co 4-x Fe x Sb 12 scerrudite.
도 6은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 격자 열전도도를 나타낸다.FIG. 6 shows the lattice thermal conductivity for In z Co 4-x Fe x Sb 12 skaterite.
도 7은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트의 열전도도에 대한 전기 전도도의 비율을 나타내는 그래프이다.7 is a graph showing the ratio of the electrical conductivity to the thermal conductivity of In z Co 4-x Fe x Sb 12 scutterite.
도 8은 InzCo4-xFexSb12 스커테루다이트에 대한 열전성능지수의 온도의존성을 나타낸다.FIG. 8 shows the temperature dependence of the thermoelectric performance index for In z Co 4-x Fe x Sb 12 skaterite.
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