KR101041875B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101041875B1
KR101041875B1 KR1020080118525A KR20080118525A KR101041875B1 KR 101041875 B1 KR101041875 B1 KR 101041875B1 KR 1020080118525 A KR1020080118525 A KR 1020080118525A KR 20080118525 A KR20080118525 A KR 20080118525A KR 101041875 B1 KR101041875 B1 KR 101041875B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support plate
temperature
plate
substrate
contact
Prior art date
Application number
KR1020080118525A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100060085A (en
Inventor
정순빈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080118525A priority Critical patent/KR101041875B1/en
Publication of KR20100060085A publication Critical patent/KR20100060085A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101041875B1 publication Critical patent/KR101041875B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 전체의 온도 변화에 대응하여 온도 보상이 가능한 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판 지지부재는 웨이퍼가 안착되는 정전척으로, 회전 가능한 베이스 플레이트와, 베이스 플레이트 상부에 배치되어 상부면이 웨이퍼 하면과 직접 접촉하는 지지 플레이트와, 베이스 플레이트와 지지 플레이트 사이에 배치되어 지지 플레이트의 온도 분포에 따라 표면이 서로 다른 형상을 갖는 온도 조절 플레이트를 포함한다. 온도 조절 플레이트는 지지 플레이트의 다양한 온도 분포에 대응하여 지지 플레이트의 하부면과 접촉되는 표면이 여러가지 형상으로 제공된다. 본 발명에 의하면, 온도 조절 플레이트는 지지 플레이트와의 서로 다른 온도를 갖는 영역별로 접촉면의 크기를 달리하여, 지지 플레이트 전체 영역들의 온도 변화를 균일하게 조절한다. 따라서 기판 처리 장치는 정전척의 설계 변경없이 온도 조절 플레이트를 교체하여, 기판 처리 장치 고유의 특성에 따른 온도 변화를 보상할 수 있다.

Figure R1020080118525

기판 처리 장치, 기판 지지부재, 정전척, 온도 조절 플레이트, 온도 보상

The present invention relates to a substrate support member capable of temperature compensation in response to a temperature change of the entire substrate and a substrate processing apparatus having the same. The substrate support member is an electrostatic chuck on which the wafer is seated. The substrate support member is a rotatable base plate, a support plate disposed on the base plate and having an upper surface thereof in direct contact with the lower surface of the wafer, and disposed between the base plate and the support plate to provide a temperature of the support plate. It includes a temperature control plate having a different surface shape according to the distribution. The temperature control plate is provided in various shapes with a surface in contact with the lower surface of the support plate in response to various temperature distributions of the support plate. According to the present invention, the temperature control plate varies the size of the contact surface for each region having different temperatures with the support plate, thereby uniformly adjusting the temperature change of the entire region of the support plate. Therefore, the substrate processing apparatus can replace the temperature control plate without changing the design of the electrostatic chuck, thereby compensating for the temperature change according to the inherent characteristics of the substrate processing apparatus.

Figure R1020080118525

Substrate Processing Unit, Substrate Support Member, Electrostatic Chuck, Temperature Control Plate, Temperature Compensation

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 기판이 안착되는 영역별 온도 변화에 따른 온도 보상이 가능한 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support member capable of temperature compensation according to a temperature change for each region in which a substrate is mounted, and a substrate processing apparatus having the same.

플라즈마 공정을 처리하는 기판 처리 장치 즉, 플라즈마 처리 장치는 챔버 내부에 형성된 플라즈마에 의해 기판의 불필요한 부분을 제거하는 식각 공정, 기판 표면에 원하는 막을 증착하는 증착 공정 등을 처리한다. 플라즈마는 일반적으로 챔버 내부에 공급된 공정 가스에 전자기장을 형성하여 생성된다. 예를 들어, 챔버의 상부 및 하부에 전극을 제공하고, 상부 및 하부 전극에 고주파 전원을 인가하여 내부의 공급된 공정 가스를 이온화하여 반도체 기판이 처리되는 면의 상부에 플라즈마 분위기를 형성한다. 이러한 플라즈마 처리 장치는 기판을 지지하기 위하여, 챔버 내부의 하단부에 정전척(ESC)을 구비한다. 정전척은 정전기력, 기계적인 클램핑 또는 진공 흡착 등을 이용하여 웨이퍼(W)를 상부 표면에 고정한다.A substrate processing apparatus that processes a plasma process, that is, a plasma processing apparatus, processes an etching process for removing an unnecessary portion of a substrate by a plasma formed inside a chamber, a deposition process for depositing a desired film on a substrate surface, and the like. Plasma is generally generated by creating an electromagnetic field in the process gas supplied inside the chamber. For example, an electrode is provided on the upper and lower portions of the chamber, and high frequency power is applied to the upper and lower electrodes to ionize the supplied process gas to form a plasma atmosphere on the upper surface of the semiconductor substrate. The plasma processing apparatus includes an electrostatic chuck (ESC) at the lower end of the chamber to support the substrate. The electrostatic chuck fixes the wafer W to the upper surface by using electrostatic force, mechanical clamping or vacuum adsorption.

도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 장치(10)는 공정 처리를 위해 플라즈마 분 위기를 형성하는 챔버(2)와, 챔버(2) 상부에 구비되는 세라믹 돔(deramic dome)(4)과, 챔버(2) 내부에 전자기장을 형성하는 안테나 코일(14) 및, 챔버(2) 내부에 구비되어 웨이퍼(W)가 안착되는 정전척(20)을 포함한다. 플라즈마 처리 장치(10)는 세라믹 돔(4) 중앙에 관통되어 챔버(2) 상부로 공정 가스를 공급하는 가스 분배판(12)과, 세라믹 돔(4)과 챔버(2) 사이에 구비되어, 챔버(2) 내부로 공정 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐(8)들이 설치되는 가스 링(6)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the plasma processing apparatus 10 includes a chamber 2 forming a plasma dust for a process process, a ceramic dome 4 provided above the chamber 2, and a chamber ( 2) an antenna coil 14 forming an electromagnetic field therein, and an electrostatic chuck 20 provided inside the chamber 2 to seat the wafer W thereon. The plasma processing apparatus 10 is provided between the ceramic dome 4 and the chamber 2, a gas distribution plate 12 penetrating through the center of the ceramic dome 4 and supplying a process gas to the chamber 2. It comprises a gas ring 6 is provided with a plurality of gas nozzles 8 for injecting process gas into the chamber 2.

플라즈마 처리 장치(10)는 고주파 전원을 안테나 코일(14)로 인가한다. 고주파 전원은 안테나 코일(14)을 통하여 동조(resonate)하여 챔버(2) 내에서 전자기장을 유도한다. 이와 동시에, 플라즈마 처리 장치(10)는 공정 가스가 가스 분배판(12) 및 복수 개의 가스 노즐(8)들을 통해 챔버(2) 내부로 유입되며, 유도된 전자기장은 공정 가스를 이온화시켜 챔버(2) 내에서 플라즈마를 형성한다. 이렇게 형성된 플라즈마는 정전척(20)에 안착된 웨이퍼(W) 표면과 반응하여 식각 또는 증착 공정을 처리한다. 또 플라즈마 처리 장치(10)는 이온 충돌을 위한 음의 직류 바이어스 전압을 제공하기 위해 안테나 코일(14)에 인가된 것과는 다른 고주파가 일반적으로 정전척(20)에 구비되는 하부 전극(미도시됨)에 인가된다.The plasma processing apparatus 10 applies a high frequency power supply to the antenna coil 14. The high frequency power source resonates through the antenna coil 14 to induce an electromagnetic field in the chamber 2. At the same time, the plasma processing apparatus 10 enters the process gas into the chamber 2 through the gas distribution plate 12 and the plurality of gas nozzles 8, and the induced electromagnetic field ionizes the process gas so as to ionize the chamber 2. Plasma is formed within The plasma thus formed reacts with the surface of the wafer W seated on the electrostatic chuck 20 to process an etching or deposition process. The plasma processing apparatus 10 also has a lower electrode (not shown), which is generally provided at the electrostatic chuck 20 with a different high frequency than that applied to the antenna coil 14 to provide a negative DC bias voltage for ion bombardment. Is applied to.

정전척(20)은 웨이퍼(W)가 안착되는 지지 플레이트(도 2의 22)와 구동축(24)을 포함한다. 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(22)의 상부에 지지 플레이트(22)와 나란하게 놓여진다. 지지 플레이트(22)는 하부에 구동축(24)의 일단이 연결되며, 구동축(24)의 타단은 구동축을 회전시키는 구동부(미도시됨)에 연결된다. 구동부는 회전력을 발생시켜서, 구동축(24)과 지지 플레이트(22)를 회전시킨다. 따라서 지지 플레이트(22)에 안착된 웨이퍼(W)가 지지 플레이트(22)와 함께 회전한다.The electrostatic chuck 20 includes a support plate (22 in FIG. 2) and a drive shaft 24 on which the wafer W is seated. The wafer W is placed side by side with the support plate 22 on top of the support plate 22. One end of the drive shaft 24 is connected to the support plate 22, and the other end of the drive shaft 24 is connected to a drive unit (not shown) for rotating the drive shaft. The drive unit generates a rotational force to rotate the drive shaft 24 and the support plate 22. Thus, the wafer W seated on the support plate 22 rotates together with the support plate 22.

또 정전척(20)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(22)에 안착된 웨이퍼(W)의 온도를 일정하게 조절하기 위하여, 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(26)가 형성된다. 물론 정전척(20) 내부에는 냉각 유로(26)와 함께 또는 독립적으로 온도를 조절하기 위해 냉각 가스 등이 공급, 순환되는 다른 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로(26)는 지지 플레이트(22)의 중심으로부터 가장자리 방향으로 나선 형태로 제공된다. 냉각 유로(26)는 냉각 유체를 공급 및 회수하는 배관들(미도시됨)에 연결된다.In addition, as shown in FIGS. 2 and 3, the electrostatic chuck 20 has a cooling flow path 26 through which a cooling fluid flows in order to constantly adjust the temperature of the wafer W seated on the support plate 22. Is formed. Of course, the electrostatic chuck 20 may be provided with another channel through which cooling gas or the like is supplied or circulated to adjust the temperature together with or independently of the cooling channel 26. The cooling passage 26 is provided in a spiral form from the center of the support plate 22 to the edge direction. The cooling passage 26 is connected to pipes (not shown) for supplying and withdrawing the cooling fluid.

이러한 플라즈마 처리 장치(10)는 공정 중에 고온의 열이 발생하며, 이로 인하여 웨이퍼(W)의 온도가 상승할 수 있으며, 냉각 유로(26)는 냉각 유체를 지지 플레이트(22) 내부로 공급 및 순환하여 웨이퍼(W)를 냉각시킨다.The plasma processing apparatus 10 generates high-temperature heat during the process, which may increase the temperature of the wafer W, and the cooling flow path 26 supplies and circulates the cooling fluid into the support plate 22. The wafer W is cooled.

웨이퍼(W)는 지지 플레이트(22)와 직접 접촉하기 때문에, 웨이퍼(W)의 온도는 지지 플레이트(22)의 온도와 밀접한 관계가 있다. 정전척(20)은 내부의 냉각 유로(26)가 어떻게 배치되는지에 따라 전체 지지 플레이트(22)의 온도 분포도 달라진다. 이로 인해 지지 플레이트(22)에 안착된 웨이퍼(W)의 온도가 영역별로 불규칙하게 되어 공정 오류가 발생될 수 있다.Since the wafer W is in direct contact with the support plate 22, the temperature of the wafer W is closely related to the temperature of the support plate 22. The electrostatic chuck 20 also varies in temperature distribution of the entire support plate 22 depending on how the cooling passages 26 therein are arranged. As a result, a temperature of the wafer W seated on the support plate 22 may be irregular for each region, thereby causing a process error.

이를 해결하기 위하여, 다양한 기판 처리 장치들 마다 갖는 고유 특성에 따라 다양한 형태의 냉각 유로가 제공되는 정전척을 개발 및 제조할 필요가 있다. 이는 기판 처리 장치의 제조 비용의 상승과 함께 정전척의 교체로 인한 유지 보수 비용이 증가되는 문제점이 있다.In order to solve this problem, it is necessary to develop and manufacture an electrostatic chuck provided with various types of cooling flow paths according to inherent characteristics of various substrate processing apparatuses. This is a problem that the maintenance cost due to the replacement of the electrostatic chuck with the increase in the manufacturing cost of the substrate processing apparatus.

본 발명의 목적은 기판 전체 온도를 균등하게 조절하기 위한 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate support member and a substrate processing apparatus having the same for uniformly adjusting the entire substrate temperature.

본 발명의 다른 목적은 온도 변화에 따른 온도 보상이 가능한 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate support member capable of temperature compensation according to a temperature change and a substrate processing apparatus having the same.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 기판 지지부재는 기판의 온도 변화에 따라 온도 조절 플레이트의 구조를 다르게 제공하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 기판 지지부재는 기판 전체에 대한 온도를 균일하게 조절할 수 있다.In order to achieve the above objects, the substrate support member of the present invention is characterized in that it provides a different structure of the temperature control plate according to the temperature change of the substrate. As such, the substrate support member can uniformly adjust the temperature of the entire substrate.

이 특징에 따른 본 발명의 기판 지지부재는, 상부에 기판이 안착되는 지지 플레이트 및; 상기 지지 플레이트에 인접하게 상기 지지 플레이트 하부에 배치되고, 상기 지지 플레이트의 온도 분포에 대응하여 상기 지지 플레이트와의 접촉면을 상이하게 제공하여, 상기 지지 플레이트의 전체 영역에 대한 온도 분포를 균일하게 보상하는 온도 조절 플레이트를 포함한다.The substrate support member of the present invention according to this aspect, the support plate on which the substrate is mounted; It is disposed below the support plate adjacent to the support plate, to provide a different contact surface with the support plate corresponding to the temperature distribution of the support plate, to uniformly compensate the temperature distribution over the entire area of the support plate And a temperature control plate.

한 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는; 상기 지지 플레이트의 온도 분포가 서로 다른 온도를 갖는 복수 개의 영역들로 나누어지고, 상기 접촉면이 상기 영역들에 대응하여 서로 다른 단차를 갖는다.In one embodiment, the temperature control plate; The temperature distribution of the support plate is divided into a plurality of regions having different temperatures, and the contact surface has different steps corresponding to the regions.

다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는; 상기 영역들 중 높은 온도를 갖는 제 1 영역은 상기 지지 플레이트와 직접 접촉하도록 단차가 없다. 그리 고, 낮은 온도를 갖는 제 2 영역은 상기 지지 플레이트와 간접 접촉하도록 일정 크기의 단차를 갖는다.In another embodiment, the temperature control plate; The first region with the higher temperature of the regions is free of steps to make direct contact with the support plate. And, the second region having a low temperature has a step size of indirect contact with the support plate.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는; 상기 영역들 중 상기 제 1 영역보다 낮고 상기 제 2 영역보다 높은 온도를 갖는 적어도 하나의 제 3 영역은 상기 제 2 영역의 단차보다 작은 단차로 제공된다.In another embodiment, the temperature control plate; At least one third region having a temperature lower than the first region and higher than the second region is provided with a step smaller than the step of the second region.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는; 상기 영역들 중 높은 온도를 갖는 제 1 영역은 상기 지지 플레이트와 직접 접촉하는 일정 크기의 접촉면을 갖는다. 그리고, 낮은 온도를 갖는 제 2 영역은 상기 제 1 영역의 접촉면보다 크기가 작은 접촉면을 갖는다.In another embodiment, the temperature control plate; The first region with the higher temperature of the regions has a contact surface of a certain size in direct contact with the support plate. The second region having a lower temperature has a contact surface smaller in size than the contact surface of the first region.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 영역들 중 상기 제 1 영역보다 낮고 상기 제 2 영역보다 높은 온도를 갖는 적어도 하나의 제 3 영역은 상기 제 2 영역의 접촉면보다 더 작은 접촉면을 갖는다.In another embodiment, at least one third region having a temperature lower than the first region and higher than the second region has a smaller contact surface than the contact surface of the second region.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는 상기 지지 플레이트와 접촉되는 상기 접촉면들에 동일한 크기의 갖는 복수 개의 홈들이 형성된다. 여기서 상기 홈들은 상기 영역들에 대응하여 수량을 상이하게 제공된다.In another embodiment, the temperature regulating plate is formed with a plurality of grooves having the same size on the contact surfaces in contact with the support plate. Wherein the grooves are provided in different quantities corresponding to the areas.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는 상기 지지 플레이트와 접촉되는 상기 접촉면들에 서로 다른 크기를 갖는 복수 개의 홈들을 제공한다. 여기서 상기 홈들은 상기 영역들에 대응하여 개수 및 모양이 상이하게 제공된다.In another embodiment, the temperature control plate provides a plurality of grooves having different sizes in the contact surfaces in contact with the support plate. Here, the grooves are provided in different numbers and shapes corresponding to the regions.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 기판이 안착되는 지지 플레이트의 온도 변화에 따른 온도 보상이 가능한 기판 지지부재를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다. 이 와 같은 본 발명의 기판 처리 장치는 지지 플레이트 설계 변경없이, 기판 처리 장치의 고유 특징에 따라 온도 조절 플레이트를 교체하여 지지 플레이트의 전체 온도를 균일하게 조절할 수 있다.According to another feature of the invention, there is provided a substrate processing apparatus having a substrate support member capable of temperature compensation according to the temperature change of the support plate on which the substrate is seated. Such a substrate processing apparatus of the present invention can uniformly adjust the overall temperature of the support plate by replacing the temperature control plate according to the inherent characteristics of the substrate processing apparatus without changing the support plate design.

이 특징의 기판 처리 장치는, 공정을 처리하는 챔버와; 상기 챔버 하부에 설치되어 기판이 안착되는 지지 플레이트 및; 상면이 상기 지지 플레이트의 하면과 접촉하고, 상기 지지 플레이트의 온도 분포에 대응하여 상기 지지 플레이트와의 접촉면을 상이하게 제공하여, 상기 지지 플레이트의 전체 영역에 대한 온도 분포를 균일하게 보상하는 온도 조절 플레이트를 포함한다.A substrate processing apparatus of this aspect includes a chamber for processing a process; A support plate installed under the chamber and on which a substrate is mounted; An upper surface is in contact with the lower surface of the support plate, the temperature control plate to provide a different contact surface with the support plate corresponding to the temperature distribution of the support plate, to uniformly compensate the temperature distribution over the entire area of the support plate It includes.

한 실시예에 있어서, 상기 지지 플레이트와 상기 온도 조절 플레이트는 정전척 내부에 구비된다. 상기 정전척은 회전 가능한 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상부에 배치되어 기판과 접촉하는 상기 지지 플레이트 및, 상기 베이스 플레이트와 상기 지지 플레이트 사이에 배치되어 상기 지지 플레이트와 적어도 일부가 접촉하는 상기 온도 조절 플레이트를 포함한다.In one embodiment, the support plate and the temperature control plate are provided inside the electrostatic chuck. The electrostatic chuck is rotatable base plate, the support plate disposed on the base plate and in contact with the substrate, and the temperature control plate disposed between the base plate and the support plate and at least partially in contact with the support plate. It includes.

다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는; 상기 상면이 상기 영역들에 대응하여 서로 다른 단차를 갖는다.In another embodiment, the temperature control plate; The upper surface has different steps corresponding to the regions.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는; 상기 상면이 상기 영역들 중 높은 온도의 영역은 상기 지지 플레이트의 하면과의 접촉면이 넓다. 그리고, 낮은 온도의 영역은 상기 접촉면이 좁다.In another embodiment, the temperature control plate; The upper surface of the region of the higher temperature of the region has a wide contact surface with the lower surface of the support plate. In the low temperature region, the contact surface is narrow.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 접촉면은 상기 복수 개의 홈들을 제공한다. 여기서 상기 홈들의 개수는 상기 높은 온도의 영역보다 상기 낮은 온도의 영역에 더 많이 배치된다.In yet another embodiment, the contact surface provides the plurality of grooves. Here, the number of the grooves is disposed more in the low temperature region than in the high temperature region.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 플레이트는 상기 지지 플레이트의 온도 분포에 대응하여 상기 상면이 서로 다른 형상으로 복수 개가 구비된다. 상기 기판 처리 장치는 상기 온도 분포에 따라 어느 하나로 교체 가능하다.In another embodiment, the temperature control plate is provided with a plurality of the upper surface in a different shape corresponding to the temperature distribution of the support plate. The substrate processing apparatus can be replaced with any one according to the temperature distribution.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 지지부재는 기판이 직접 접촉하는 지지 플레이트의 온도 분포도에 대응하여 지지 플레이트와 접촉하는 접촉면의 크기를 달리하는 온도 보상 플레이트를 제공함으로써, 지지 플레이트 전체에 대한 균일한 온도로 보상할 수 있다.As described above, the substrate support member of the present invention provides a temperature compensating plate for varying the size of the contact surface in contact with the support plate in response to the temperature distribution of the support plate with which the substrate is in direct contact, thereby providing uniform support for the entire support plate. Compensation can be made with temperature.

또 본 발명의 기판 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치는 장치 고유의 특성에 따라 복수 개의 온도 보상 플레이트들 중 어느 하나를 교체하여 지지 플레이트 전체에 대한 온도를 균일하게 하도록 조절함으로써, 기판 지지부재의 설계 변경없이 전체 온도의 균일화가 가능하다.In addition, the substrate processing apparatus provided with the substrate support member of the present invention, by changing any one of the plurality of temperature compensation plates according to the unique characteristics of the device to adjust the temperature of the entire support plate to design the substrate support member It is possible to equalize the whole temperature without change.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

이하 첨부된 도 4 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 12.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면이고, 도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 기판 지지부재의 구성을 도시한 도면들이다.4 is a view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figures 5 and 6 are views showing the configuration of the substrate support member shown in FIG.

도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 기판 전체 영역에 대한 온도 변화를 보상하기 위한 온도 조절 플레이트(도 5의 140)를 구비하는 기판 지지부재(120)를 포함한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 처리 장치로, 플라즈마를 이용하여 반도체 기판 즉, 웨이퍼(W)의 식각, 증착 공정 등을 처리한다.Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 100 includes a substrate support member 120 having a temperature control plate (140 of FIG. 5) for compensating for the temperature change over the entire substrate area. For example, the substrate processing apparatus 100 is a plasma processing apparatus, and processes a semiconductor substrate, that is, an etching of a wafer W, a deposition process, and the like using plasma.

즉, 기판 처리 장치(100)는 웨이퍼(W)를 공정 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버(102, 104)와, 웨이퍼(W)를 지지하는 기판 지지부재(120) 및, 챔버(102, 104) 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부재(114, 116)를 포함한다.That is, the substrate processing apparatus 100 includes the chambers 102 and 104 which provide a space for processing the wafer W, the substrate supporting member 120 which supports the wafer W, and the chambers 102 and 104. ) Gas supply members 114 and 116 for supplying a process gas into the chamber.

챔버(102, 104)는 상부가 개방된 원통형의 하부 챔버(102)와, 하부 챔버(102)의 개방된 상부를 덮는 커버(108)를 포함한다. 하부 챔버(102)와 커버(108) 사이에는 상부 챔버(104)와 가스 링(106)이 구비되어 챔버(102, 104) 내부 공간이 밀폐된다. 커버(108)는 상부가 밀폐되고 하부가 개방된 세라믹 돔(ceramic dome)으로 구비되며, 상부에 안테나 코일(112)을 고정 설치하는 고정부재(110)가 배치된다. 커버(108)는 중앙에 샤워 노즐(114)이 관통 설치된다. 가스 링(106)은 복수 개의 가스 노즐(116)들이 일정한 간격으로 설치된다. 안테나 코일(112)은 고주파 전원을 공급받아서 챔버(102, 104) 내부에 전자기장을 형성한다.Chambers 102 and 104 include a cylindrical lower chamber 102 with an open top and a cover 108 covering the open top of the lower chamber 102. An upper chamber 104 and a gas ring 106 are provided between the lower chamber 102 and the cover 108 to seal an interior space of the chambers 102 and 104. The cover 108 is provided with a ceramic dome having a top closed and an open bottom, and a fixing member 110 fixing and installing the antenna coil 112 on the top. The cover 108 is installed through the shower nozzle 114 in the center. The gas ring 106 is provided with a plurality of gas nozzles 116 at regular intervals. The antenna coil 112 is supplied with high frequency power to form an electromagnetic field in the chambers 102 and 104.

기판 지지부재(120)는 정전기력을 이용하여 웨이퍼(W)를 고정할 수 있는 정 전척(ESC)이 사용될 수 있으며, 선택적으로 기계적인 구조를 통하여 클램핑이 가능한 기계척 또는 진공으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 진공척이 사용될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부재(120)는 복수 개의 지지핀(도 5의 128)들이 기판 지지부재(120)의 상부로 이동하여 웨이퍼(W)의 하면을 지지하고, 지지핀(128)들에 웨이퍼(W)가 안착되면, 지지핀(128)들이 기판 지지부재(120)의 하부로 이동하여 웨이퍼(W)가 기판 지지부재(120)의 상부면에 안착된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 기판 지지부재(120)의 상부면과 접촉된다. 또 기판 지지부재(120)는 하부에 구동축(130)과 연결되며, 구동축(130)은 하부에 구동부(132)에 연결된다. 구동부(132)는 회전력을 발생시켜서, 구동축(130)과 기판 지지부재(120)를 회전시킨다. 따라서 기판 지지부재(120)에 안착된 웨이퍼(W)는 기판 지지부재(120)와 함께 회전한다.The substrate support member 120 may use an electrostatic chuck (ESC) capable of fixing the wafer (W) using an electrostatic force, and selectively replaces the wafer (W) with a mechanical chuck or vacuum capable of clamping through a mechanical structure. Adsorbing vacuum chucks can be used. For example, the substrate support member 120 includes a plurality of support pins (128 in FIG. 5) moving to an upper portion of the substrate support member 120 to support the bottom surface of the wafer W, and to the support pins 128. When the wafer W is seated, the support pins 128 move to the lower side of the substrate support member 120 so that the wafer W is seated on the upper surface of the substrate support member 120. At this time, the wafer W is in contact with the upper surface of the substrate support member 120. In addition, the substrate support member 120 is connected to the drive shaft 130 at the bottom, the drive shaft 130 is connected to the drive unit 132 at the bottom. The driving unit 132 generates a rotational force to rotate the driving shaft 130 and the substrate supporting member 120. Therefore, the wafer W seated on the substrate support member 120 rotates together with the substrate support member 120.

구체적으로 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 지지부재(120)는 구동축(130)에 연결되어 회전 가능한 베이스 플레이트(122)와, 베이스 플레이트(122) 상부에 배치되어, 웨이퍼(W)가 안착되는 상부면을 갖는 지지 플레이트(124)와, 베이스 플레이트(122)와 지지 플레이트(124) 사이에 배치되어 지지 플레이트(124)의 온도 변화에 따라 서로 다른 형상의 표면을 갖는 온도 조절 플레이트(140)를 포함한다. 온도 조절 플레이트(140)에 대한 내용은 다음의 도 7 내지 도 12에서 상세히 설명한다.Specifically, referring to FIGS. 5 and 6, the substrate support member 120 is disposed on the base plate 122 rotatable and connected to the drive shaft 130 and the base plate 122, and the wafer W is seated. A support plate 124 having an upper surface and a temperature control plate 140 disposed between the base plate 122 and the support plate 124 and having surfaces having different shapes according to temperature changes of the support plate 124. It includes. Details of the temperature control plate 140 will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 12.

지지 플레이트(122)는 상부면에 안착된 웨이퍼의 온도를 일정하게 조절하기 위하여, 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(126)를 제공한다. 이 때, 냉각 유로(126)는 지지 플레이트(124)의 중심으로부터 가장자리 방향으로 나선 형태로 구비되거나, 기판 처리 장치(100)의 고유 특성에 따라 도 6에 도시된 바와 같이, 기 판 지지부재(120) 전체 영역에 대응하여 다양한 모양 및 구조로 지지 플레이트(124) 내부에 제공된다. 지지 플레이트(124)는 웨이퍼(W)를 보호하기 위하여 상부 표면에 세라믹 재질과 같은 보호층(미도시됨)이 제공될 수 있다.The support plate 122 provides a cooling passage 126 through which a cooling fluid flows in order to constantly adjust the temperature of the wafer seated on the upper surface. At this time, the cooling passage 126 is provided in a spiral form from the center of the support plate 124 to the edge direction, or as shown in FIG. 6 according to the inherent characteristics of the substrate processing apparatus 100, the substrate support member ( 120 is provided inside the support plate 124 in various shapes and structures corresponding to the entire area. The support plate 124 may be provided with a protective layer (not shown) such as a ceramic material on the upper surface to protect the wafer (W).

또 기판 지지부재(120)는 지지 플레이트(124)의 온도를 측정하는 복수 개의 센서(미도시됨)들과, 복수 개의 지지핀(128)들 및, 지지핀들을 상하로 구동하는 구동기(미도시됨) 등을 포함한다. 센서들은 웨이퍼(W)의 온도가 균일하도록 조절하기 위하여 지지 플레이트(124)의 온도를 측정하고, 측정된 온도에 따라 기판 지지부재(120)의 온도를 조절한다.In addition, the substrate support member 120 includes a plurality of sensors (not shown) for measuring the temperature of the support plate 124, a plurality of support pins 128, and a driver for driving the support pins up and down. And the like). The sensors measure the temperature of the support plate 124 to adjust the temperature of the wafer W to be uniform, and adjust the temperature of the substrate support member 120 according to the measured temperature.

다시 도 4를 참조하면, 가스 공급부재(114, 116)는 챔버(102, 104) 내부로 공정 가스를 공급하는 샤워 노즐(또는 탑 노즐)(114)과, 가스 링(106)에 설치되어 챔버(102, 104) 내부로 공정 가스를 공급하는 복수 개의 가스 노즐(또는 사이드 노즐)(116)들을 포함한다. 샤워 노즐(114)은 커버(108)의 중앙에 관통되어 가스 공급원(미도시됨)으로부터 공정 가스를 공급받아서 챔버(102, 104) 내부의 중앙으로부터 챔버(102, 104) 내부 전체로 균일하게 공정 가스를 공급한다. 가스 노즐(116)들은 가스 링(106)에는 복수 개가 일정한 간격으로 설치된다. 가스 노즐(116)들은 가스 링(106) 내부에 제공되는 가스 유로에 연결되고, 이를 통해 공정 가스를 공급받는다. 가스 노즐(116)들은 공정 레서피(recipe)에 따라 샤워 노즐(114)과 동일한 공정 가스 또는 상이한 공정 가스를 받아서 챔버(102, 104) 상부의 측면으로부터 챔버(102, 104) 내부로 공정 가스를 공급한다.Referring back to FIG. 4, the gas supply members 114 and 116 are provided with a shower nozzle (or top nozzle) 114 for supplying a process gas into the chambers 102 and 104, and are installed in the gas ring 106. A plurality of gas nozzles (or side nozzles) 116 supplying process gas into the 102, 104. The shower nozzle 114 penetrates through the center of the cover 108 to receive a process gas from a gas source (not shown) to uniformly process the entire interior of the chambers 102 and 104 from the center of the chambers 102 and 104. Supply gas. A plurality of gas nozzles 116 are installed in the gas ring 106 at regular intervals. The gas nozzles 116 are connected to a gas flow path provided inside the gas ring 106, and are supplied with a process gas. The gas nozzles 116 receive the same process gas as the shower nozzle 114 or different process gases according to a process recipe and supply process gas into the chambers 102 and 104 from the sides of the chambers 102 and 104. do.

계속해서 도 7 내지 도 12를 이용하여 온도 조절 플레이트에 대한 구체적인 구성 및 작용에 대해 설명한다.Subsequently, a specific configuration and operation of the temperature control plate will be described with reference to FIGS. 7 to 12.

먼저 도 7 및 도 8을 참조하면, 웨이퍼(W)는 하면이 지지 플레이트(124)와 접촉된다. 기판 처리 장치(100)는 공정 중에 고온의 열이 발생한다. 이로 인하여 웨이퍼(W)는 온도가 상승할 수 있으며, 지지 플레이트(124)는 내부의 냉각 유로(126)에 냉각 유체를 공급하여 지지 플레이트(124)의 온도를 냉각시켜서, 웨이퍼(W) 전체가 균일하도록 냉각시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(124)와 직접 접촉하기 때문에, 웨이퍼(W)의 온도는 지지 플레이트(124)의 온도와 동일하거나 매우 유사하다. 따라서 지지 플레이트(124)는 내부의 냉각 유로(126)가 어떻게 배치되는지에 따라 지지 플레이트(124)의 온도 분포도 달라진다. 그럼에도 불구하고, 지지 플레이트(124)의 온도는 도 8에 나타낸 바와 같이, 전체 영역 중 여러 영역에서 서로 상이하게 분포된다. 이러한 온도 분포도(160)는 냉각 유로(126)의 형상이나 지지 플레이트(124) 내부의 배치 구조에 따라 달라질 수 있다.First, referring to FIGS. 7 and 8, the lower surface of the wafer W is in contact with the support plate 124. The substrate processing apparatus 100 generates high temperature heat during the process. As a result, the temperature of the wafer W may increase, and the support plate 124 supplies a cooling fluid to the cooling path 126 therein to cool the temperature of the support plate 124, so that the entire wafer W is closed. Cool to uniformity. At this time, since the wafer W is in direct contact with the support plate 124, the temperature of the wafer W is equal to or very similar to the temperature of the support plate 124. Therefore, the temperature distribution of the support plate 124 also varies depending on how the cooling channel 126 is disposed in the support plate 124. Nevertheless, the temperatures of the support plate 124 are distributed differently from one another in various regions of the entire region, as shown in FIG. 8. The temperature distribution diagram 160 may vary depending on the shape of the cooling passage 126 or the arrangement structure inside the support plate 124.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 온도 조절 플레이트(140)는 지지 플레이트(124)의 온도 분포도(160)에 반대로 즉, 지지 플레이트(124)의 중심을 기준으로 점 대칭되게 표면의 접촉면을 상이하게 제공한다. 예를 들어, 지지 플레이트(124)의 온도 분포도(160)는 크게 제 1 온도 영역 내지 제 3 온도 영역(도 8의 150 ~ 154)으로 나누어진다. 제 1 온도 영역(150)은 제 온도 3 영역(154)보다 온도가 높으며, 제 2 온도 영역(152)의 온도는 제 1 온도 영역(150)보다 낮고 제 3 온도 영역(154)보다 높다. 물론 지지 플레이트(124)의 온도 분포도(160)는 2 개 또는 3 개 이상의 온도 영역들로 나누어질 수 있다.In order to solve this problem, the temperature control plate 140 of the present invention is different from the contact surface of the surface in a point symmetrical with respect to the temperature distribution diagram 160 of the support plate 124, that is, the center of the support plate 124 To provide. For example, the temperature distribution diagram 160 of the support plate 124 is largely divided into first to third temperature regions (150 to 154 of FIG. 8). The first temperature region 150 has a higher temperature than the third temperature region 154, and the temperature of the second temperature region 152 is lower than the first temperature region 150 and higher than the third temperature region 154. Of course, the temperature distribution diagram 160 of the support plate 124 may be divided into two or three or more temperature zones.

이에 대응하여 온도 조절 플레이트(140)는 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(124)와 접촉(또는 인접)하는 표면이 지지 플레이트(124)의 온도 분포도(160)와 반대 형상의 접촉 영역(142 ~ 146)들을 갖는다.Correspondingly, as shown in FIGS. 9 and 10, the temperature control plate 140 has a surface in contact with (or adjacent to) the support plate 124 having a shape opposite to that of the temperature distribution diagram 160 of the support plate 124. Contact areas 142-146.

즉, 일 실시예에 따른 온도 조절 플레이트(140)는 온도가 가장 높은 제 1 접촉 영역(142)이 지지 플레이트(124)의 하면과 직접 접촉하도록 제공한다. 온도가 가장 낮은 제 3 접촉 영역(146)은 지지 플레이트(124)의 하면과 일정 크기의 단자를 갖도록 제공한다. 또 온도가 제 1 접촉 영역(142)보다 낮고 제 3 접촉 영역(146)보다 높은 제 2 접촉 영역(144)은 제 3 접촉 영역(146)의 단차보다 작게 제공한다. 제 2 및 제 3 접촉 영역(144, 146)은 이러한 단차에 의해 형성된 내부 공간을 통해 지지 플레이트(124)의 하면과 간접 접촉한다. 또 온도 조절 플레이트(140)는 상부 표면 전체가 제 1 접촉 영역(142)의 접촉면이 수평되게 연장되어 지지 플레이트(124)의 하면과 접촉된다.That is, the temperature control plate 140 according to an embodiment provides the first contact region 142 having the highest temperature to make direct contact with the bottom surface of the support plate 124. The third contact region 146 having the lowest temperature is provided to have a terminal having a predetermined size and a lower surface of the support plate 124. In addition, the second contact region 144 having a temperature lower than the first contact region 142 and higher than the third contact region 146 provides less than the step of the third contact region 146. The second and third contact regions 144, 146 are in indirect contact with the bottom surface of the support plate 124 through the internal space formed by this step. In addition, the temperature control plate 140 is in contact with the bottom surface of the support plate 124 by the horizontal contact surface of the first contact region 142 extends horizontally.

이러한 온도 조절 플레이트(140)는 예컨대, 제 1 접촉 영역(142)은 전체가 지지 플레이트(124)의 제 1 온도 영역(150)과 직접 접촉한다. 제 2 접촉 영역(144)은 지지 플레이트(124)의 제 2 온도 영역(152)이 제 1 온도 영역(150)보다 온도가 낮기 때문에, 지지 플레이트(124)와의 간격이 일정 높이로 이격된다. 이는 온도 조절 플레이트(140)가 지지 플레이트(124)와 인접하는 표면이 이격되고, 이격된 공간을 통해 간접으로 지지 플레이트(124)의 제 2 온도 영역(152)을 냉각한다. 그리고 제 3 접촉 영역(146)은 지지 플레이트(124)의 제 3 온도 영역(154)이 제 2 온도 영역(152)보다 온도가 더 낮기 때문에, 단차가 제 2 접촉 영역(144)보다 더 깊게 형 성하여 지지 플레이트(124)와 인접하는 표면이 더 이격된다.In this temperature control plate 140, for example, the first contact region 142 is in direct contact with the first temperature region 150 of the support plate 124. Since the second contact region 144 has a lower temperature than the first temperature region 150, the second temperature region 152 of the support plate 124 is spaced apart from the support plate 124 by a predetermined height. This is a surface where the temperature control plate 140 is adjacent to the support plate 124 is spaced, and cools the second temperature region 152 of the support plate 124 indirectly through the spaced space. And the third contact region 146 is deeper than the second contact region 144 because the third temperature region 154 of the support plate 124 has a lower temperature than the second temperature region 152. The surface adjacent the support plate 124 is further spaced apart.

따라서 본 발명의 온도 조절 플레이트(140)는 지지 플레이트(124)의 각 온도 영역(150 ~ 154)들에 대응하여 지지 플레이트(124)와의 접촉면이 서로 다른 형상을 갖는다. 온도 조절 플레이트(140)는 지지 플레이트(124)의 전체 온도를 균일하게 조절하기 위하여, 지지 플레이트(124)의 온도 편차가 발생되는 영역별로 접촉면을 조절하도록 형성된다. 이는 온도 조절 플레이트(140)가 열전도성이 높은 재질로 구비되고, 지지 플레이트(124)와 접촉되는 접촉면의 크기에 따라 지지 플레이트(124)의 온도를 많거나 적게 냉각한다.Therefore, the temperature control plate 140 of the present invention has a shape in which the contact surface with the support plate 124 is different from each other corresponding to the temperature regions 150 to 154 of the support plate 124. The temperature control plate 140 is formed to adjust the contact surface for each region where the temperature deviation of the support plate 124 occurs in order to uniformly adjust the overall temperature of the support plate 124. The temperature control plate 140 is made of a material having high thermal conductivity, and cools the temperature of the support plate 124 more or less depending on the size of the contact surface in contact with the support plate 124.

다른 실시예들로서, 도 11 및 도 12를 참조하면, 온도 조절 플레이트(140a, 140b) 각각은 도 9 및 도 10의 서로 다른 단차를 대신해서, 지지 플레이트(124)의 제 1 내지 제 3 온도 영역(150 ~ 154)들에 대응하여 지지 플레이트와 접촉하는 접촉 면적을 달리하는 제 1 내지 제 3 접촉 영역(142a ~ 146a 또는 142b ~ 146b)들을 제공한다. 여기서 도 11의 온도 조절 플레이트(140a)는 표면에 동일한 크기를 갖는 복수 개의 홈(148)들을 제공한다. 홈(148)들은 각각의 접촉 영역(142 ~ 146)들에 배치되는 수량을 달리하여 각 온도 영역(150 ~ 154)별로 접촉 면적을 조절한다. 또 도 12의 온도 조절 플레이트(140b)는 표면에 서로 다른 형상 및 크기를 갖는 복수 개의 홈(148a, 148b)들을 제공한다. 이러한 홈(148a, 148b)들 또한 각각의 접촉 영역(142 ~ 146)들에 그 모양이나 길이를 달리하여 각 온도 영역(150 ~ 154)별로 접촉 면적을 조절한다.As another embodiment, referring to FIGS. 11 and 12, each of the temperature regulating plates 140a, 140b is a first to third temperature region of the support plate 124 in place of the different steps of FIGS. 9 and 10. First to third contact regions 142a to 146a or 142b to 146b that differ in contact area in contact with the support plate in correspondence with 150-154. Here, the temperature control plate 140a of FIG. 11 provides a plurality of grooves 148 having the same size on the surface. The grooves 148 adjust the contact area for each of the temperature regions 150 to 154 by varying the quantity of the grooves 148 to be disposed in the respective contact regions 142 to 146. In addition, the temperature control plate 140b of FIG. 12 provides a plurality of grooves 148a and 148b having different shapes and sizes on the surface. The grooves 148a and 148b also adjust the contact area for each temperature region 150 to 154 by varying the shape or length of each of the contact regions 142 to 146.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 웨이퍼(W) 및 지지 플 레이트(124)의 온도 분포에 따라 서로 다른 크기의 접촉면을 갖도록 온도 조절 플레이트(140, 140a, 140b)를 제공하여, 지지 플레이트(140, 140a, 140b)의 온도를 전체가 균일하게 조절할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 100 of the present invention provides the temperature control plates 140, 140a, 140b to have contact surfaces of different sizes according to the temperature distribution of the wafer W and the support plate 124. Thus, the temperature of the support plates 140, 140a, 140b can be adjusted uniformly.

또 기판 처리 장치(100)는 상술한 온도 조절 플레이트(140, 140a, 140b)를 지지 플레이트(124)와 접촉하는 표면을 다양한 형태로 가공하여 복수 개 구비하여, 기판 처리 장치(100)의 고유 특성에 따라 지지 플레이트(124)의 구조 변경없이 다양한 형상의 온도 조절 플레이트(140, 140a, 140b)를 교체하여, 지지 플레이트(124)의 전체 온도가 균일하도록 조절한다.In addition, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of surfaces of the temperature control plates 140, 140a and 140b described above in contact with the support plate 124 in various forms, thereby providing inherent characteristics of the substrate processing apparatus 100. Accordingly, by changing the temperature control plates 140, 140a, 140b of various shapes without changing the structure of the support plate 124, the entire temperature of the support plate 124 is adjusted to be uniform.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, although the configuration and operation of the substrate support member and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention have been illustrated according to the detailed description and the drawings, these are merely described by way of example and do not depart from the spirit of the present invention. Various changes and modifications are possible within the scope.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;1 is a diagram showing the configuration of a general substrate processing apparatus;

도 2는 도 1에 도시된 정전척의 구성을 도시한 도면;FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the electrostatic chuck shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 도 2에 도시된 정전척의 A-A' 단면도;3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the electrostatic chuck shown in FIG. 2;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;4 illustrates a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 5는 도 4에 도시된 정전척의 구성을 도시한 도면;5 is a diagram showing the configuration of the electrostatic chuck shown in FIG. 4;

도 6은 도 5에 도시된 정전척의 B-B' 단면도;FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of the electrostatic chuck shown in FIG. 5; FIG.

도 7은 도 5에 도시된 정전척의 온도 분포도;7 is a temperature distribution diagram of the electrostatic chuck shown in FIG. 5;

도 8은 도 7에 도시된 온도 분포도를 서로 다른 온도별로 복수 개의 영역들로 나눈 것을 나타내는 도면;FIG. 8 is a diagram illustrating dividing the temperature distribution diagram illustrated in FIG. 7 into a plurality of regions for different temperatures;

도 9는 도 5에 도시된 온도 조절 플레이트의 구성을 도시한 도면들;9 is a view showing the configuration of the temperature control plate shown in FIG.

도 10은 도 9에 도시된 온도 조절 플레이트의 C-C' 단면도; 그리고10 is a cross-sectional view taken along line C-C 'of the temperature control plate shown in FIG. And

도 11 및 도 12는 다른 실시예들에 따른 온도 조절 플레이트의 구성을 나타내는 도면들이다.11 and 12 are views illustrating a configuration of a temperature control plate according to other embodiments.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Description of the Related Art [0002]

100 : 기판 처리 장치 120 : 기판 지지부재100 substrate processing apparatus 120 substrate support member

122 : 베이스 플레이트 124 : 지지 플레이트122: base plate 124: support plate

126 : 냉각 유로 140, 140a, 140b : 온도 조절 플레이트126 cooling channel 140, 140a, 140b: temperature control plate

148, 148a : 홈148, 148a: home

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 처리 장치에 있어서:In the substrate processing apparatus: 공정을 처리하는 챔버와;A chamber for processing the process; 상기 챔버 하부에 설치되어 기판이 안착되는 지지 플레이트 및;A support plate installed under the chamber and on which a substrate is mounted; 상면이 상기 지지 플레이트의 하면과 접촉하고, 상기 지지 플레이트의 온도 분포에 대응하여 상기 지지 플레이트와의 접촉면을 상이하게 제공하여, 상기 지지 플레이트의 전체 영역에 대한 온도 분포를 균일하게 보상하는 온도 조절 플레이트를 포함하되;An upper surface is in contact with the lower surface of the support plate, the temperature control plate to provide a different contact surface with the support plate corresponding to the temperature distribution of the support plate, to uniformly compensate the temperature distribution over the entire area of the support plate Including; 상기 온도 조절 플레이트는 상기 지지 플레이트의 온도 분포에 대응하여 상기 상면이 서로 다른 형상으로 복수 개가 구비되어;The temperature control plate is provided with a plurality of the upper surface in a different shape corresponding to the temperature distribution of the support plate; 상기 기판 처리 장치는 상기 온도 분포에 따라 어느 하나로 교체 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the substrate processing apparatus is replaceable with any one according to the temperature distribution. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 지지 플레이트와 상기 온도 조절 플레이트는 정전척 내부에 구비되고,The support plate and the temperature control plate is provided inside the electrostatic chuck, 상기 정전척은 회전 가능한 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상부에 배치되어 기판과 접촉하는 상기 지지 플레이트 및, 상기 베이스 플레이트와 상기 지지 플레이트 사이에 배치되어 상기 지지 플레이트와 적어도 일부가 접촉하는 상기 온도 조절 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The electrostatic chuck is rotatable base plate, the support plate disposed on the base plate and in contact with the substrate, and the temperature control plate disposed between the base plate and the support plate and at least partially in contact with the support plate. Substrate processing apparatus comprising a. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,11. The method according to claim 9 or 10, 상기 온도 조절 플레이트는;The temperature control plate is; 상기 상면이 상기 영역들에 대응하여 서로 다른 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the upper surface has different steps corresponding to the regions. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,11. The method according to claim 9 or 10, 상기 온도 조절 플레이트는;The temperature control plate is; 상기 상면이 상기 영역들 중 높은 온도의 영역은 상기 지지 플레이트의 하면과의 접촉면이 넓고, 낮은 온도의 영역은 상기 접촉면이 좁은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the upper surface of the region has a higher contact surface with the lower surface of the support plate, and the lower temperature region has a narrower contact surface. 기판 처리 장치에 있어서:In the substrate processing apparatus: 공정을 처리하는 챔버와;A chamber for processing the process; 상기 챔버 하부에 설치되어 기판이 안착되는 지지 플레이트 및;A support plate installed under the chamber and on which a substrate is mounted; 상면이 상기 지지 플레이트의 하면과 접촉하고, 상기 지지 플레이트의 온도 분포에 대응하여 상기 지지 플레이트와의 접촉면을 상이하게 제공하여, 상기 지지 플레이트의 전체 영역에 대한 온도 분포를 균일하게 보상하는 온도 조절 플레이트를 포함하되;An upper surface is in contact with the lower surface of the support plate, the temperature control plate to provide a different contact surface with the support plate corresponding to the temperature distribution of the support plate, to uniformly compensate the temperature distribution over the entire area of the support plate Including; 상기 온도 조절 플레이트는,The temperature control plate, 상기 상면이 상기 영역들 중 높은 온도의 영역은 상기 지지 플레이트의 하면과의 접촉면이 넓고, 낮은 온도의 영역은 상기 접촉면이 좁으며The upper surface of the region has a high contact temperature with the lower surface of the support plate, and the lower temperature region has a narrow contact surface. 상기 접촉면은 복수 개의 홈들을 제공하되;The contact surface provides a plurality of grooves; 상기 홈들의 개수는 상기 높은 온도의 영역보다 상기 낮은 온도의 영역에 더 많이 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the number of the grooves is arranged more in the low temperature region than in the high temperature region. 삭제delete
KR1020080118525A 2008-11-27 2008-11-27 Substrate treating apparatus KR101041875B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118525A KR101041875B1 (en) 2008-11-27 2008-11-27 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118525A KR101041875B1 (en) 2008-11-27 2008-11-27 Substrate treating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100060085A KR20100060085A (en) 2010-06-07
KR101041875B1 true KR101041875B1 (en) 2011-06-17

Family

ID=42361042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080118525A KR101041875B1 (en) 2008-11-27 2008-11-27 Substrate treating apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101041875B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10508333B2 (en) 2016-01-29 2019-12-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Heating apparatus and substrate processing apparatus having the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04238893A (en) * 1991-01-10 1992-08-26 Nippon Soken Inc Substrate holder
US20030089457A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
WO2008027305A2 (en) 2006-08-29 2008-03-06 Lam Research Corporation Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04238893A (en) * 1991-01-10 1992-08-26 Nippon Soken Inc Substrate holder
US20030089457A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
WO2008027305A2 (en) 2006-08-29 2008-03-06 Lam Research Corporation Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10508333B2 (en) 2016-01-29 2019-12-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Heating apparatus and substrate processing apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100060085A (en) 2010-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8696862B2 (en) Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method
JP4493932B2 (en) Upper electrode and plasma processing apparatus
US5761023A (en) Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
KR100613198B1 (en) Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US8555810B2 (en) Plasma dry etching apparatus having coupling ring with cooling and heating units
CN106716619B (en) Electrostatic chuck device
KR100735937B1 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US7718007B2 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US20100122774A1 (en) Substrate mounting table and substrate processing apparatus having same
US20090000743A1 (en) Substrate processing apparatus and shower head
US20090114158A1 (en) Workpiece Support With Fluid Zones For Temperature Control
KR20110120349A (en) Mounting table structure and treatment device
KR20130111221A (en) Confined process volume pecvd chamber
KR102453116B1 (en) Substrate fixture and substrate fixing device
KR20200042012A (en) Substrate support for reducing substrate back damage
CN113169111A (en) Electrostatic chuck with improved thermal coupling for thermally sensitive processing
JP4439853B2 (en) Plasma processing apparatus, focus ring, and plasma processing method
US20230075462A1 (en) Electrostatic edge ring mounting system for substrate processing
KR101041875B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20110057510A (en) Apparatus for dry etching
JP2010010231A (en) Plasma treatment device
KR101079224B1 (en) Top electrode assembly and plasma processing apparatus
KR101381208B1 (en) Thin film treatment apparatus
US20240096680A1 (en) Electrostatic chuck assembly for plasma processing apparatus
US20230005778A1 (en) Electrostatic chuck assembly for plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140610

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150609

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160531

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170612

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190529

Year of fee payment: 9