KR101039141B1 - Method for fabricating photomask in semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 소자의 포토마스크 형성방법은, 기판의 제1면 위에 마스크막 패턴을 형성하면서, 제1면과 대응하는 기판의 제2면 위에 하드마스크막을 형성하는 단계; 마스크막 패턴 형성시 불순물이 발생된 영역과 대응하는 기판의 제2면 상의 하드마스크막을 노출시키는 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 포토레지스트막 패턴을 마스크로 하드마스크막을 식각하면서 기판 내에 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 단계; 및 포토레지스트막 패턴을 제거하여 포토마스크를 형성하는 단계를 포함한다. A method of forming a photomask of a semiconductor device according to the present invention may include forming a hard mask film on a second surface of a substrate corresponding to the first surface while forming a mask film pattern on the first surface of the substrate; Forming a photoresist film pattern exposing a hard mask film on a second surface of the substrate corresponding to a region where impurities are generated when forming the mask film pattern; Forming a trench of a predetermined depth in the substrate while etching the hard mask layer using the photoresist pattern as a mask; And removing the photoresist film pattern to form a photomask.

포토마스크, 투과도, 불순물 Photomask, transmittance, impurities

Description

반도체 소자의 포토마스크 형성방법{Method for fabricating photomask in semiconductor device}Method for fabricating photomask in semiconductor device

본 발명은 포토리소그래피에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to photolithography, and more particularly, to a method of forming a photomask of a semiconductor device.

반도체 소자의 집적도가 높아지면서 디자인 룰(design rule)이 감소하면서 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 크기 또한 미세해지고 있다. 이러한 미세한 패턴을 형성하기 위해 포토마스크를 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정이 이용되고 있다. 이 포토마스크는 일반적으로 기판 위에 광차단막을 형성한 다음, 이를 원하는 패턴으로 식각하여 투과광이 기판만을 통과하여 웨이퍼 위에 전사될 수 있도록 한 바이너리 마스크(Binary Mask)를 사용하여 왔다. 그러나 반도체 소자의 집적도가 높아지면서 바이너리 마스크보다 미세한 패턴을 웨이퍼 상에 형성할 수 있는 마스크가 요구되고 있다. 이에 따라 수%의 투과율을 갖는 위상 반전 물질을 이용하여 보다 미세한 패턴을 웨이퍼 상에 형성할 수 있는 하프톤 위상반전 마스크(Half-tone Phase Shift Mask)가 개발되어 적용되고 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, the size of patterns formed on a wafer is becoming smaller as design rules decrease. In order to form such a fine pattern, a photolithography process of forming a photomask is used. This photomask has generally used a binary mask that forms a light blocking film on a substrate and then etches it in a desired pattern so that transmitted light can pass through the substrate and be transferred onto the wafer. However, as the degree of integration of semiconductor devices increases, a mask capable of forming a finer pattern on a wafer than a binary mask is required. Accordingly, a half-tone phase shift mask, which can form a finer pattern on a wafer using a phase inversion material having a transmittance of several percent, has been developed and applied.

도 1은 종래 기술에 따른 포토마스크를 개략적으로 나타내보인 도면이다.1 is a view schematically showing a photomask according to the prior art.

도 1을 참조하면, 포토마스크는 기판(100) 상에 소정 간격만큼 이격되어 배치된 마스크 패턴(105)을 포함하여 이루어진다. 여기서 마스크 패턴(105)은 바이너리 마스크의 경우에는 광차단막으로 형성되고, 하프톤 위상반전 마스크의 경우에는 위상반전막을 포함하여 형성된다. 그런데 기판(100) 상에 마스크 패턴(105)을 형성하는 과정에서 잔여물(residue) 또는 불순물(byproduct, 120)이 발생될 수 있다. 이 잔여물 또는 불순물(120)은 마스크 패턴(105)을 형성하기 위해 진행하는 식각 공정 또는 세정 공정등에서 미처 제거되지 않으면서 기판(100) 상에 남아 있을 수 있다. 이와 같이 기판(100) 상에 발생한 불순물은 인접하는 마스크 패턴(105)을 연결시키는 브릿지(bridge)성 결함(110)의 원인이 되거나, 성장성 결함(growth defect, 115) 원인 물질이 되어 포토마스크의 표면이 흐려지는 헤이즈(haze) 결함이 발생하는 등의 포토마스크의 특성을 저하시키는 원인으로 작용한다. Referring to FIG. 1, the photomask includes a mask pattern 105 spaced apart from each other by a predetermined interval on the substrate 100. The mask pattern 105 is formed of a light blocking film in the case of a binary mask and a phase inversion film in the case of a halftone phase inversion mask. However, residues or impurities 120 may be generated in the process of forming the mask pattern 105 on the substrate 100. The residue or impurity 120 may remain on the substrate 100 without being removed in an etching process or a cleaning process that proceeds to form the mask pattern 105. As described above, impurities generated on the substrate 100 may cause bridge defects 110 connecting the adjacent mask patterns 105 or become growth defects 115, and thus may cause a photomask. It acts as a cause of deteriorating the characteristics of the photomask, such as the generation of haze defects that blur the surface.

이에 따라 세정(cleaning) 또는 포커스 이온 빔(Focus Ion Beam; 이하 FIB라 칭함) 장치를 이용하여 포토마스크의 특성을 저하시키는 원인 물질인 불순물을 제거하는 방법을 사용하고 있다. 그러나 세정을 이용하여 불순물을 제거하는 방법은 포토마스크와 접착된 펠리클(pellicle)을 제거하는 부분을 제거하여 세정을 진행해야 하는 문제가 있다. 또한, 세정시 황산(sulfuric acid)을 함유하는 세정 용액을 이용하여 헤이즈 결함을 유발할 수도 있다. Accordingly, a method of removing impurities, which is a causative agent of deteriorating the characteristics of the photomask, by using a cleaning or focus ion beam (FIB) device is used. However, the method of removing impurities using cleaning has a problem in that cleaning is performed by removing a portion for removing a pellicle attached to the photomask. In addition, a cleaning solution containing sulfuric acid may be used to cause haze defects.

아울러 불순물을 제거하는 방법인 FIB 장치는, 불순물이 발생된 지점이 너무 많아 FIB 장치를 이용하기 어렵거나, 불순물이 발생된 지점이 FIB 장치를 이용할 수 없는 부분일 수 있다. 또는 웨이퍼 제조 공정에서 반송된 포토마스크의 처리를 위해 세정 및 FIB 장치에 많은 부하가 발생하여 불순물을 제거하는데 어려움이 있을 수 있다. In addition, the FIB device, which is a method of removing impurities, may have difficulty in using the FIB device due to too many points generated from impurities, or may be a portion in which the FIB device may not be used. Alternatively, a large load may be generated in the cleaning and FIB apparatus for processing the photomasks returned from the wafer manufacturing process, and thus, it may be difficult to remove impurities.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 포토마스크 형성방법은, 기판의 제1면 위에 마스크막 패턴을 형성하면서, 상기 제1면과 대응하는 기판의 제2면 위에 하드마스크막을 형성하는 단계; 상기 마스크막 패턴 형성시 불순물이 발생된 영역과 대응하는 상기 기판의 제2면 상의 하드마스크막을 노출시키는 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막 패턴을 마스크로 상기 하드마스크막을 식각하면서 상기 기판 내에 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트막 패턴을 제거하여 포토마스크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of forming a photomask of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention may include forming a mask layer pattern on a first surface of a substrate and forming a hard mask layer on a second surface of the substrate corresponding to the first surface; Forming a photoresist film pattern exposing a hard mask film on a second surface of the substrate corresponding to a region where impurities are generated when the mask film pattern is formed; Forming a trench of a predetermined depth in the substrate while etching the hard mask layer using the photoresist pattern as a mask; And removing the photoresist film pattern to form a photomask.

본 발명에 있어서, 상기 마스크막은 위상반전막 또는 광차단막을 하나 이상 포함하여 형성할 수 있다.In the present invention, the mask film may include at least one phase inversion film or light blocking film.

상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 화합물을 포함하여 형성하고, 상기 광차단막은 크롬(Cr)을 포함하여 형성할 수 있다. The phase inversion film may include a compound containing molybdenum (Mo), and the light blocking film may include chromium (Cr).

상기 기판은 상기 기판의 제1면 위에 형성된 마스크막 및 상기 기판의 제2면 위에 형성된 하드마스크막을 포함하여 투과도를 적어도 6%로 유지하는 것이 바람직하다.The substrate may include a mask film formed on the first surface of the substrate and a hard mask film formed on the second surface of the substrate to maintain transmittance at least 6%.

상기 트렌치는 상기 불순물이 발생된 영역과 대등한 크기로 형성하는 것이 바람직하다.The trench may be formed to have a size equivalent to that of the region where the impurities are generated.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 포토마스크 형성방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.2 to 7 are diagrams for explaining a method of forming a photomask of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판(200)의 전면부(front side) 위에 위상반전막(shifter layer, 205) 및 광차단막(absorber layer, 210)을 형성한다. 여기서 기판(200)은 석영(Quartz)을 포함하며, 빛을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 이루어진다. 기판(200)의 전면부 위에 형성된 위상반전막(205)은 이후 진행될 노광 공정에서 기판(200) 상에 조사되는 빛의 위상을 반전시킬 수 있는 물질로 이루어진다. 이러한 위상반전막(205)은 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 화합물, 예를 들어 몰리브덴 실리콘 나이트라이드(MoSiON)를 포함하여 형성할 수 있다. 그리고 위상반전막(205) 위에 형성된 광차단막(210)은 이후 진행될 노광 공정에서 기판(200)을 통해 투과하는 빛을 차단한다. 이러한 광차단막(210)은 크롬막(Cr)을 포함하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2, a shifter layer 205 and an absorber layer 210 are formed on the front side of the substrate 200. The substrate 200 includes quartz and is made of a transparent material that can transmit light. The phase inversion film 205 formed on the front surface of the substrate 200 is made of a material capable of inverting the phase of light irradiated onto the substrate 200 in a subsequent exposure process. The phase shift film 205 may include a compound containing molybdenum (Mo), for example, molybdenum silicon nitride (MoSiON). The light blocking film 210 formed on the phase inversion film 205 blocks the light transmitted through the substrate 200 in an exposure process to be performed later. The light blocking film 210 may include a chromium film Cr.

도 3을 참조하면, 기판(200)의 후면부(back side)에 하드마스크막(215)을 형성한다. 이 하드마스크막(215)은 이후 진행될 식각 공정에서 기판(200)이 과도하게 식각(over etch)되는 것을 방지하는 역할을 한다. 계속해서 기판(200)의 전면부에 형성된 광차단막(210) 위에 제1 포토레지스트막을 형성한다. 다음에 제1 포토레지스트막 상에 노광(exposure) 공정 및 현상(development) 공정을 포함하는 포토리소 그래피(photolithography) 공정을 진행하여 광차단막(210)의 표면을 선택적으로 노출시키는 제1 포토레지스트막 패턴(220)을 형성한다. Referring to FIG. 3, a hard mask layer 215 is formed on the back side of the substrate 200. The hard mask layer 215 prevents the substrate 200 from being excessively etched in an etching process to be performed later. Subsequently, a first photoresist film is formed on the light blocking film 210 formed on the front surface of the substrate 200. Next, a photolithography process including an exposure process and a development process is performed on the first photoresist film to selectively expose the surface of the light blocking film 210. The pattern 220 is formed.

도 4를 참조하면, 제1 포토레지스트막 패턴(220)을 마스크로 노출된 광차단막(210)을 식각하여 광차단막 패턴(225)을 형성한다. 계속해서 제1 포토레지스트막 패턴(220) 및 광차단막 패턴(225)을 식각 마스크로 위상반전막(205)을 식각하여 위상반전막 패턴(230)을 형성한다. 다음에 제1 포토레지스트막 패턴(220)은 제거한다. 이와 같이 형성된 광차단막 패턴(225) 및 위상반전막 패턴(230)에 의해 기판(200)의 일부 영역이 노출된다. Referring to FIG. 4, the light blocking layer 210 exposed by using the first photoresist layer pattern 220 as a mask is etched to form the light blocking layer pattern 225. Subsequently, the phase shift layer 205 is etched using the first photoresist layer pattern 220 and the light blocking layer pattern 225 as an etching mask to form the phase shift layer pattern 230. Next, the first photoresist film pattern 220 is removed. A portion of the substrate 200 is exposed by the light blocking layer pattern 225 and the phase inversion layer pattern 230 formed as described above.

다음에 기판(200) 상에 불순물을 검출하는 검사를 진행하여 광차단막 패턴(225) 및 위상반전막 패턴(230)을 형성하는 과정에서 발생된 불순물(235)을 검출한다. 이 불순물(235)은 제1 포토레지스트막 패턴(220)이 미처 제거되지 않고 남아 있는 잔여물 또는 광차단막 패턴(225) 및 위상반전막 패턴(230)을 형성하기 위해 진행하는 식각 과정에서 발생된 불순물일 수도 있다. 이와 같이 발생한 불순물(235)은 인접하는 패턴들을 연결시키는 브릿지성 결함의 원인이 되거나, 이후 세정 공정에서 성장성 결함 원인 물질이 되어 포토마스크의 특성을 저하시키는 원인으로 작용한다. 이를 개선하기 위해 종래의 경우, 세정을 진행하거나 FIB 장치를 이용하여 직접적으로 불순물을 제거하는 방법을 이용하였으나, 이러한 방법은 공정 단계가 증가하거나 광차단막 패턴(225) 및 위상반전막 패턴(230) 상에 영향을 미쳐 포토마스크의 특성이 변화할 수 있다. 이에 따라 직접적으로 불순물을 제거하지 않으면서 불순물(235)이 발생된 영역을 수정(repair)할 수 있는 방법이 요구된다. Next, an inspection for detecting impurities is performed on the substrate 200 to detect impurities 235 generated in the process of forming the light blocking film pattern 225 and the phase inversion film pattern 230. The impurity 235 may be generated during an etching process in which the first photoresist layer pattern 220 is left without being removed, or the light blocking layer pattern 225 and the phase shift layer pattern 230 are formed. It may be an impurity. The impurity 235 generated as described above may cause bridging defects connecting adjacent patterns, or may be a cause of growth defects in a subsequent cleaning process, thereby degrading the characteristics of the photomask. In order to improve this, in the conventional case, a method of cleaning or removing impurities directly by using an FIB device has been used. However, such a method increases the process steps or the light blocking film pattern 225 and the phase inversion film pattern 230. The influence of the phase may change the characteristics of the photomask. Accordingly, there is a need for a method capable of repairing a region where impurities 235 are generated without directly removing impurities.

도 5를 참조하면, 기판(200)의 후면부 상에 형성된 하드마스크막(215) 위에 제2 포토레지스트막을 형성한다. 다음에 제2 포토레지스트막을 패터닝하여 기판(200)의 전면부에 형성된 불순물(235)과 대응하는 영역의 기판(200)의 후면부 상에 형성된 하드마스크막(215)을 노출시키는 제2 포토레지스트막 패턴(240)을 형성한다. Referring to FIG. 5, a second photoresist film is formed on the hard mask film 215 formed on the rear surface of the substrate 200. Next, the second photoresist film is patterned to expose the hard mask film 215 formed on the rear surface of the substrate 200 in the region corresponding to the impurities 235 formed on the front surface of the substrate 200. The pattern 240 is formed.

도 6을 참조하면, 제2 포토레지스트막 패턴(240)을 마스크로 노출된 하드마스크막(215)을 식각한다. 여기서 하드마스크막(215)은 기판이 노출될 때까지 식각한다. 계속해서 노출된 기판(200)의 표면으로부터 소정 깊이(d)만큼 식각하여 기판(200) 내에 트렌치(245)를 형성한다. 여기서 트렌치(245)는 기판(200)의 전면부에 불순물(235)이 생성된 영역과 대응하는 기판(200)의 후면부 내에 형성된다.Referring to FIG. 6, the hard mask layer 215 exposed with the second photoresist layer pattern 240 as a mask is etched. The hard mask layer 215 is etched until the substrate is exposed. Subsequently, the trench 245 is formed in the substrate 200 by etching a predetermined depth d from the exposed surface of the substrate 200. The trench 245 is formed in the rear surface of the substrate 200 corresponding to the region where impurities 235 are formed in the front surface of the substrate 200.

현재 일반적인 하프톤 위상반전 마스크를 형성하기 위해 공급하는 블랭크 마스크(blank mask)는 대략 6%의 투과도(transmittance)를 갖는다. 여기서 블랭크 마스크는 기판 위에 위상반전막 및 광차단막이 형성되어 있으며, 상기 막들을 포함한 기판의 투과도가 6%인 것으로 이해할 수 있다. 이때, 본 발명의 실시예에서는 기판(200)의 전면부에는 위상반전막(205) 및 광차단막(210)이 형성되고, 기판(200)의 후면부에는 하드마스크막(215)이 형성된 블랭크 마스크를 이용하며, 이 하드마스크막(215)을 포함한 기판(200)의 투과도가 6%인 것으로 이해한다. 이 경우, 기판(200)의 전면부 상에 브릿지 유발 지점이 발생하였을 때, 이 브릿지 유발 지점과 대응되는 기판(200)의 후면부의 소정 영역을 트렌치(245) 형태로 노출시킨다. The blank masks currently supplied to form a typical halftone phase shift mask have a transmission of approximately 6%. In the blank mask, a phase inversion film and a light blocking film are formed on the substrate, and the transmittance of the substrate including the films is 6%. At this time, in the embodiment of the present invention, a phase mask 205 and a light blocking film 210 are formed on the front surface of the substrate 200, and a blank mask having a hard mask film 215 is formed on the rear surface of the substrate 200. It is understood that the transmittance of the substrate 200 including the hard mask film 215 is 6%. In this case, when a bridge induction point is generated on the front surface of the substrate 200, a predetermined region of the rear part of the substrate 200 corresponding to the bridge induction point is exposed in the form of a trench 245.

다음에 도 7의 화살표로 도시한 바와 같이, 기판(200) 상에 빛을 조사하면, 기판(200)의 후면부의 트렌치(245) 형태로 노출된 영역은 하드마스크막(215)에 의해 차단된 영역보다 상대적으로 투과도가 높아진다. 그러면 기판(200) 전면부에 형성된 불순물(235)에 의한 브릿지 유발 지점은 웨이퍼에 전사되지 않을 정도로 투과도 변화가 발생한다. 이에 따라 직접적으로 마스크 상에 불순물에 의한 결함 발생영역을 수정(repair)하지 않더라도 수정한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다. 이때, 브릿지 유발 지점을 웨이퍼에 전사시키기 않기 위해 높은 투과도를 구현해야 하므로 기판(200)까지 식각을 충분히 진행하여 기판 내에 트렌치를 형성하는 것이 바람직하다. Next, as shown by arrows of FIG. 7, when light is irradiated onto the substrate 200, the exposed area in the form of the trench 245 in the rear portion of the substrate 200 is blocked by the hard mask layer 215. The transmittance is relatively higher than that of the region. Then, a change in transmittance occurs so that the bridge inducing point due to the impurities 235 formed on the front surface of the substrate 200 is not transferred to the wafer. As a result, the same effect as the correction can be obtained even if the defect generation region caused by the impurities is not directly repaired on the mask. In this case, since a high transmittance must be implemented in order not to transfer the bridge induction point to the wafer, it is preferable to form an trench in the substrate by sufficiently etching the substrate 200.

본 발명에 따른 반도체 소자의 포토마스크 형성방법은, 기판 상에 형성된 불순물 형성되는 영역과 대응되는 반대 영역을 노출시켜 기판의 투과도를 증가시킴으로써 불순물이 형성된 마스크 상에 직접적으로 수정 공정을 진행하지 않더라도 실제로 수정을 진행한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다. 이에 따라 세정 또는 FIB 장치로 수정이 어려운 결함을 수정할 수 있다. 또한, 헤이즈 결함 발생시 펠리클을 제거하지 않고 결함을 제거할 수 있고, 헤이즈 결함을 유발할 수 있는 세정 용액을 이용하지 않고 결함을 제거할 수 있다. The method of forming a photomask of a semiconductor device according to the present invention actually increases the transmittance of a substrate by exposing an opposite region corresponding to a region in which an impurity is formed on the substrate, so that a modification process is not performed directly on the mask on which the impurity is formed. You can get the same effect as you did with the modification. This makes it possible to correct defects that are difficult to fix with cleaning or FIB devices. In addition, when a haze defect occurs, the defect can be removed without removing the pellicle, and the defect can be removed without using a cleaning solution that can cause the haze defect.

도 1은 종래 기술에 따른 포토마스크를 개략적으로 나타내보인 도면이다.1 is a view schematically showing a photomask according to the prior art.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 포토마스크 형성방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.2 to 7 are diagrams for explaining a method of forming a photomask of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

Claims (6)

기판의 제1면 위에 마스크막 패턴을 형성하면서, 상기 제1면과 대응하는 상기 기판의 제2면 위에 하드마스크막을 형성하는 단계;Forming a mask layer pattern on the first surface of the substrate and forming a hard mask layer on the second surface of the substrate corresponding to the first surface; 상기 마스크막 패턴 형성시 불순물이 발생된 영역과 대응하는 상기 기판의 제2면 상의 하드마스크막을 노출시키는 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계;Forming a photoresist film pattern exposing a hard mask film on a second surface of the substrate corresponding to a region where impurities are generated when the mask film pattern is formed; 상기 포토레지스트막 패턴을 마스크로 상기 하드마스크막을 식각하면서 상기 기판 내에 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 단계; 및Forming a trench of a predetermined depth in the substrate while etching the hard mask layer using the photoresist pattern as a mask; And 상기 포토레지스트막 패턴을 제거하여 포토마스크를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법.Forming a photomask by removing the photoresist layer pattern. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 마스크막은 위상반전막 또는 광차단막을 하나 이상 포함하여 형성하는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법.The mask film is a method of forming a photomask of a semiconductor device comprising at least one phase inversion film or light blocking film. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 화합물을 포함하여 형성하고, 상기 광차단막은 크롬(Cr)을 포함하여 형성하는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법.The phase inversion film is formed by including a compound containing molybdenum (Mo), the light blocking film is a method of forming a photomask of a semiconductor device comprising a chromium (Cr). 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판은 상기 기판의 제1면 위에 형성된 마스크막 및 상기 기판의 제2면 위에 형성된 하드마스크막을 포함하여 투과도를 적어도 6%로 유지하는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법.And the substrate includes a mask film formed on the first surface of the substrate and a hard mask film formed on the second surface of the substrate to maintain transmittance at least 6%. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 트렌치는 상기 불순물이 발생된 영역과 대등한 크기로 형성하는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법.And forming the trench with a size equal to that of the region where the impurities are generated. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1면은 상기 기판의 전면부이고, 상기 제2면은 상기 기판의 후면부인 반도체 소자의 포토마스크 형성방법.And the first surface is a front portion of the substrate, and the second surface is a rear portion of the substrate.
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