KR101036606B1 - Substrates coating unit, substrates treating apparatus having the same and method of treating substrates using the same - Google Patents
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Abstract
기판 코팅 유닛은 기판을 지지하는 기판 지지부재, 기판에 박막을 형성하는 코팅 노즐 및 기판의 단부를 세정하는 세정 부재를 구비한다. 세정부재는 기판의 단부에 세정 유체를 분사하는 제1 분사 노즐, 및 기판에 차단 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 제2 분사 노즐을 구비한다. 제2 분사 노즐은 차단 가스를 분사하여 제1 분사 노즐로부터 분사된 세정 유체가 기판의 중앙부측으로 유입되는 것을 방지한다. 이에 따라, 기판 코팅 유닛은 세정 유체의 역유입으로 인한 박막 불량을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
The substrate coating unit includes a substrate supporting member for supporting the substrate, a coating nozzle for forming a thin film on the substrate, and a cleaning member for cleaning the end of the substrate. The cleaning member includes a first injection nozzle for injecting a cleaning fluid to an end of the substrate, and a second injection nozzle for injecting a blocking gas to the substrate to form an air curtain. The second injection nozzle injects a blocking gas to prevent the cleaning fluid injected from the first injection nozzle from flowing into the center portion of the substrate. Accordingly, the substrate coating unit can prevent thin film defects due to backflow of the cleaning fluid and improve the yield of the product.
Description
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판 처리 시 반도체 기판에 박막을 코팅하는 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor substrate, and more particularly, to a substrate coating unit for coating a thin film on a semiconductor substrate when processing the semiconductor substrate, a substrate processing apparatus having the same and a substrate processing method using the same.
일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정은 박막을 코팅하는 코팅 공정, 기판을 가열하는 베이크 공정 및 현상 공정 등을 포함하며, 이러한 공정들을 통해 반도체 기판 상에 소정의 회로 패턴이 형성된다.In general, a manufacturing process of a semiconductor device includes a coating process for coating a thin film, a baking process for heating a substrate, a developing process, and the like, and through these processes, a predetermined circuit pattern is formed on the semiconductor substrate.
이러한 공정들을 수행하기 위한 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 형성하기 위한 코팅 유닛들, 박막을 형성하기 전에 기판을 예열시키거나 패터닝된 박막을 경화시키는 가열 유닛들, 노광 처리된 박막을 현상하기 위한 현상 유닛들, 가열된 반도체 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛들, 및 기판들을 이송하는 이송 로봇들을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus for performing these processes includes coating units for forming a thin film on the substrate, heating units for preheating the substrate or curing the patterned thin film before forming the thin film, and developing the exposed thin film. Developing units, cooling units for cooling the heated semiconductor substrate, and transfer robots for transporting the substrates.
이러한 기판 처리 장치를 이용한 기판의 박막 코팅 과정을 살펴보면, 먼저, 가열 유닛에서 기판을 예열하고, 이송 로봇은 예열된 기판을 코팅 유닛에 제공한다. 코팅 유닛에서는 기판에 코팅 약액을 분사하여 기판 상에 박막을 형성한다. 이어, 박막이 형성된 기판의 단부에 세정액을 분사하여 기판의 단부를 세정한다. 그러나, 기판의 단부를 세정하는 과정에서 기판에 분사된 세정액이 기판의 중앙부측으로 역유입되어 박막의 불량을 발생시킨다.Looking at the thin film coating process of the substrate using the substrate processing apparatus, first, preheat the substrate in the heating unit, the transfer robot provides the preheated substrate to the coating unit. In the coating unit, a coating chemical is sprayed onto the substrate to form a thin film on the substrate. Subsequently, the cleaning liquid is sprayed on the end of the substrate on which the thin film is formed to clean the end of the substrate. However, in the process of cleaning the end of the substrate, the cleaning liquid sprayed on the substrate flows back to the center portion of the substrate, causing defects in the thin film.
본 발명의 목적은 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 기판 코팅 유닛을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate coating unit capable of improving the yield of a product.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 코팅 유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus having the substrate coating unit described above.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 코팅 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a method of treating a substrate using the substrate coating unit described above.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 코팅 유닛은 기판 지지부재, 코팅 노즐 및 세정 부재로 이루어진다.A substrate coating unit according to one feature for realizing the above object of the present invention comprises a substrate supporting member, a coating nozzle and a cleaning member.
기판 지지부재는 기판을 지지하고, 회전 가능하다. 코팅 노즐은 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 세정 부재는 상기 기판 지지부재에 안착된 기판의 단부에 세정 유체를 분사하는 제1 분사 노즐, 및 상기 제1 분사 노즐과 인접하게 위치하고 상기 기판에 차단 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 제2 분사 노즐을 구비한다.The substrate support member supports the substrate and is rotatable. The coating nozzle sprays a coating fluid onto a substrate seated on the substrate support member to form a thin film on the substrate. The cleaning member includes a first injection nozzle for injecting a cleaning fluid to an end portion of the substrate seated on the substrate support member, and a second injection nozzle adjacent to the first injection nozzle and injecting a blocking gas to the substrate to form an air curtain. With a nozzle.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치는 베이크 유닛 및 기판 코팅 유닛으로 이루어진다. Further, the substrate processing apparatus according to one feature for realizing the above object of the present invention comprises a baking unit and a substrate coating unit.
구체적으로, 베이크 유닛은 기판을 가열한다. 기판 코팅 유닛은 상기 베이크 유닛으로부터 가열된 기판을 제공받아 상기 기판에 박막을 형성한다. 기판 코팅 유 닛은 기판 지지부재, 코팅 노즐 및 세정 부재를 구비한다. 기판 지지부재는 기판을 지지하고, 회전 가능하다. 코팅 노즐은 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 세정 부재는 상기 기판 지지부재에 안착된 기판의 단부에 세정 유체를 분사하는 제1 분사 노즐, 및 상기 제1 분사 노즐과 인접하게 위치하고 상기 기판에 차단 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 제2 분사 노즐을 구비한다.Specifically, the bake unit heats the substrate. The substrate coating unit receives a heated substrate from the bake unit to form a thin film on the substrate. The substrate coating unit has a substrate support member, a coating nozzle and a cleaning member. The substrate support member supports the substrate and is rotatable. The coating nozzle sprays a coating fluid onto a substrate seated on the substrate support member to form a thin film on the substrate. The cleaning member includes a first injection nozzle for injecting a cleaning fluid to an end portion of the substrate seated on the substrate support member, and a second injection nozzle adjacent to the first injection nozzle and injecting a blocking gas to the substrate to form an air curtain. With a nozzle.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 방법은 다음과 같다. 먼저, 기판을 가열한다. 가열된 기판을 기판 지지부재에 안착시킨다. 상기 기판 지지부재를 회전시키면서 상기 기판의 상면에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 상기 박막이 형성된 기판의 단부에 세정 유체를 분사하여 상기 기판의 단부를 세정하고, 이와 동시에 상기 기판에 차단 가스를 분사하여 상기 세정 유체가 상기 기판의 중앙부측으로 유입되는 것을 방지하는 에어 커튼을 형성한다.Further, the substrate processing method according to one feature for realizing the above object of the present invention is as follows. First, the substrate is heated. The heated substrate is mounted on the substrate support member. While rotating the substrate support member, a coating fluid is sprayed onto the upper surface of the substrate to form a thin film on the substrate. A cleaning fluid is injected to an end of the substrate on which the thin film is formed to clean the end of the substrate, and at the same time, an air curtain is formed to prevent the cleaning fluid from flowing to the center side of the substrate by spraying a blocking gas onto the substrate. .
상술한 본 발명에 따르면, 제2 분사 노즐은 차단 가스를 분사하여 제1 분사 노즐로부터 분사된 세정 유체가 기판의 중앙부측으로 유입되는 것을 방지한다. 이에 따라, 기판 코팅 유닛은 세정 유체의 역유입으로 인한 박막 불량을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention described above, the second injection nozzle injects the blocking gas to prevent the cleaning fluid injected from the first injection nozzle from flowing into the center side of the substrate. Accordingly, the substrate coating unit can prevent thin film defects due to backflow of the cleaning fluid and improve the yield of the product.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하 게 설명한다. 한편, 이하에서는 웨이퍼를 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. In the following, the wafer is described as an example of the substrate, but the technical spirit and scope of the present invention are not limited thereto.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 로딩/언로딩부(110), 인덱스 로봇(Index Robot)(200), 버퍼부(300), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(500), 다수의 베이크 유닛(600), 및 다수의 기판 코팅 유닛(700)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
상기 로딩/언로딩부(110)는 다수의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 포한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(110)는 네 개의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 구비하나, 상기 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.The loading /
상기 로드 포트들(110a, 110b, 110c, 110d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(120a, 120b, 120c, 120d)이 안착된다. 각 풉(120a, 120b, 120c, 120d)은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(120a, 120b, 120c, 120d)에는 상기 기판 코팅 유닛(700)에서 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 기판 코팅 유닛(700)에 투입할 웨이퍼들을 수납한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 상기 기판 코팅 유 닛(700)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.Front open unified pods (FOUPs) 120a, 120b, 120c, and 120d in which wafers are accommodated are mounted in the
상기 로딩/언로딩부(110)와 상기 버퍼부(300) 사이에는 제1 이송 통로(410)가 위치하고, 상기 제1 이송 통로(410)에는 제1 이송 레일(420)이 설치된다. 상기 제1 이송 레일(420)에는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치되고, 상기 인덱스 로봇(200)은 상기 제1 이송 레일(420)을 따라 이동하면서 상기 로딩/언로딩부(110)와 상기 버퍼부(300) 간에 웨이퍼들을 이송한다. 즉, 상기 인덱스 로봇(200)은 다수의 인덱스 암(210)을 구비하고, 각 인덱스 암에는 1 매의 웨이퍼가 안착된다.A
상기 인덱스 로봇(200)은 상기 로딩/언로딩부(110)에 안착된 풉(120a, 120b, 120c, 120d)으로부터 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 버퍼부(300)에 적재하고, 상기 버퍼부(300)로부터 가공 웨이퍼를 인출하여 상기 로딩/언로딩부(110)에 안착된 풉(120a, 120b, 120c, 120d)에 적재한다.The
한편, 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치된 영역의 일측에 설치된다. 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 기판 코팅 유닛들(700)에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.On the other hand, the
상기 메인 이송 로봇(500)은 제2 이송 통로(430)에 설치되고, 상기 제2 이송 통로(430)는 상기 베이크 유닛들(600)과 상기 기판 코팅 유닛들(700)과의 사이에 위치한다. 상기 제2 이송 통로(430)에는 제2 이송 레일(440)이 설치되며, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 제2 이송 레일(440)에 결합되어 상기 제2 이송 레 일(440)을 따라 이동하면서 웨이퍼를 이송한다.The
구체적으로, 상기 메인 이송 로봇(500)은 다수의 이송 암(510)을 구비하고, 각 이송 암에는 1매의 웨이퍼가 안착된다. 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 버퍼부(300)와 상기 베이크 유닛들(600) 간에, 상기 베이크 유닛들(600)과 상기 기판 코팅 유닛들(700) 간에 및 상기 버퍼부(300)와 상기 기판 코팅 유닛들(700) 간에 웨이퍼를 이송한다. 즉, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 버퍼부(300)로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 베이크 유닛(600)에 제공하고, 상기 베이크 유닛(600)에서 처리된 웨이퍼를 상기 기판 코팅 유닛(700)에 제공한다. 또한, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 기판 코팅 유닛(700)에서 처리된 웨이퍼, 즉 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(300)에 적재한다.In detail, the
상기 베이크 유닛들(600)과 상기 기판 코팅 유닛들(700)은 상기 제2 이송 레일(912)이 설치된 이송 통로(400)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된다. 각 베이크 유닛(600)은 베이크 플레이트(610) 및 냉각 플레이트(620)를 구비한다. 상기 베이크 플레이트(610)는 상기 원시 웨이퍼를 가열하고, 상기 냉각 플레이트(620)는 상기 베이크 플레이트(610)에서 가열된 원시 웨이퍼를 적정 온도로 냉각시킨다. 본 발명의 일례로, 상기 베이크 유닛들(600)은 3개 내지 5개가 수직 방향으로 적층된 다층으로 구조로 배치될 수 있다.The
상기 베이크 유닛(600)에서 예열된 웨이퍼는 상기 메인 이송 로봇(500)에 의해 상기 기판 코팅 유닛(700)에 투입된다. 각 기판 코팅 유닛(700)은 투입된 원시 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하여 가공 웨이퍼 생성한다.The wafer preheated in the
이하, 도면을 참조하여 각 기판 코팅 유닛(700)에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each
도 2는 도 1에 도시된 기판 코팅 유닛을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 제1 및 제2 분사 노즐을 나타낸 측면도이다.FIG. 2 is a schematic view of the substrate coating unit illustrated in FIG. 1, and FIG. 3 is a side view illustrating the first and second spray nozzles illustrated in FIG. 2.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 기판 지지부재(710), 처리 용기(720), 승강 부재(730), 코팅 노즐(740), 및 세정 부재(750)를 포함할 수 있다.2 and 3, the
구체적으로, 상기 기판 지지부재(710)는 스핀 헤드(711), 회전축(712) 및 구동부(713)를 포함할 수 있다. 상기 스핀 헤드(711)는 대체로 원판 형상을 갖고, 상기 베이크 유닛(600)에서 예열된 웨이퍼(10)가 안착된다. 상기 스핀 헤드(711)는 상기 웨이퍼(10)의 지름보다 작은 지름을 갖으며, 상기 웨이퍼(10)의 중앙부를 지지한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(10)는 중앙부를 제외한 영역, 즉, 단부가 상기 스핀 헤드(711)의 외측에 위치한다. 상기 스핀 헤드(711)는 진공척 또는 전정척의 구조로 이루어져 상기 웨이퍼(10)를 상면에 고정시킨다.In detail, the
상기 스핀 헤드(711)의 배면에는 상기 회전축(712)이 결합된다. 상기 회전축(712)은 상기 스핀 헤드(711)를 지지하고, 상기 구동부(713)로부터 전달된 회전력에 의해 회전하여 상기 스핀 헤드(711)를 회전시킨다.The
상기 스핀 헤드(711)는 상기 처리 용기(720) 내에 수용되며, 상기 처리 용기(720)는 코팅 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상기 처리 용기(720)는 대체로 원형의 플레이트 형상을 갖는 바닥면(721), 상기 바닥면(721)으로부터 수직하게 연장되어 대체로 링 형상을 갖는 측벽(722), 및 상기 측벽(722)의 상단부로부터 상기 바닥면(721)과 마주하게 연장된 상면(723)을 포함할 수 있다. 상기 처리 용기(720)의 상면(723)은 중앙부가 개구되고, 상기 측벽(722)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 처리 용기(720)의 바닥면(721)에는 배기구(724)가 구비되며, 상기 배기구(724)는 코팅 공정을 진행하는 과정에서 발생된 상기 처리 용기(720) 안의 공정 잔여물들을 외부로 배출한다.The
상기 처리 용기(720)의 외측에는 상기 승강 부재(730)가 설치된다. 상기 승강 부재(730)는 상기 처리 용기(720)를 상하 방향으로 이동시켜 상기 처리 용기(720)의 바닥면(721)과 상기 스핀 헤드(711) 간의 거리를 변경시킨다. 이에 따라, 상기 처리 용기(720)의 바닥면(721)에 대한 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)의 수직 위치가 조절된다.The elevating
이 실시예에 있어서, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 두 개의 승강 부재(730)를 구비하나, 상기 승강 부재(730)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.In this embodiment, the
한편, 상기 코팅 노즐(740)은 상기 처리 용기(740)의 외부에 설치된다. 상기 코팅 노즐(740)은 상기 웨이퍼(10)의 상면에 포토레지스트와 같은 박막을 도포하기 위한 코팅액을 분사한다. 구체적으로, 상기 코팅 노즐(740)은 상기 코팅액을 분사하는 분사부(741), 상기 분사부(741)의 상부에서 상기 분사부(741)와 결합된 수직암(742), 및 상기 수직암(742)의 상부에서 상기 수직암(742)과 결합된 수평암(743)을 구비한다. 상기 코팅 공정시 상기 분사부(741) 및 상기 수직암(742)은 상기 스 핀 헤드(711)의 중앙부 상부에 배치되고, 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)에 상기 코팅액을 분사한다.Meanwhile, the
상기 세정 부재(750)는 박막이 도포된 웨이퍼(10)의 단부에 린스액을 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 단부를 세정한다. 구체적으로, 상기 세정 부재(750)는 제1 및 제2 분사 노즐(751, 752), 연결암(753) 및 이동암(754)을 포함할 수 있다. The cleaning
상기 제1 및 제2 분사 노즐(751, 752)은 서로 인접하게 위치하고, 상기 연결암(753)의 하면에 설치된다. 상기 제1 및 제2 분사 노즐(751, 752)은 상기 웨이퍼(10) 세정시 상기 웨이퍼(10)의 단부 상에 배치된다. 상기 제1 분사 노즐(751)은 린스액 공급부(760)로부터 제공되는 상기 린스액을 상기 웨이퍼(10)의 단부에 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 단부를 세정한다.The first and
상기 제2 분사 노즐(752)은 가스 공급부(770)로부터 제공되는 차단 가스를 상기 웨이퍼(10)의 단부에 분사하여 에어 커튼을 형성한다. 상기 웨이퍼(10) 상에서 상기 제2 분사 노즐(752)은 상기 제1 분사 노즐(751) 보다 내측에 위치하며, 상기 웨이퍼 상에서 상기 에어 커튼이 형성되는 영역은 상기 린스액이 분사되는 영역보다 내측에 위치한다. 이에 따라, 상기 차단 가스에 의해 형성된 에어 커튼은 상기 웨이퍼(10)에 분사된 린스액이 리바운드되어 상기 웨이퍼(10)의 중앙부측으로 유입되는 것을 차단할 수 있다. 그 결과, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 상기 웨이퍼(10)의 세정 불량 및 박막 훼손을 방지할 수 있고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The
본 발명의 일례로, 상기 차단 가스로는 질소 가스가 이용될 수 있다.In one example of the present invention, nitrogen gas may be used as the blocking gas.
또한, 상기 제2 분사 노즐(751)은 상기 차단 가스를 분사하는 분사각이 조절 가능하다. 즉, 상기 제2 분사 노즐(751)은 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)에 대한 기울기가 조절가능하며, 상기 제2 분사 노즐(751)의 기울기 조절을 통해 상기 제2 분사 노즐(751)의 분사각이 조절될 수 있다.In addition, the
상기 연결암(753)은 상기 이동암(754)의 하부에 결합되고, 상기 이동암(754)은 수직 이동 및 수평 이동이 가능하다. 상기 이동암(754)의 수직 이동 및 수평 이동에 의해 상기 제1 및 제2 분사 노즐(751, 752)의 위치가 조절된다. 상기 이동암(754)은 린스액 공급 라인(781)을 통해 상기 린스액 공급부(760)와 연결되고, 가스 공급 라인(782)을 통해 상기 가스 공급부(770)와 연결된다. 상기 린스액 공급부(760) 및 상기 가스 공급부(770)로부터 각각 배출된 린스액과 차단 가스는 상기 이동암(754) 및 상기 연결암(753)을 통해 상기 제1 및 제2 분사 노즐(751, 752)에 제공된다.The connecting
이하, 도면을 참조하여 기판 코팅 유닛(700)에서 웨이퍼(10)에 박막을 도포하는 과정을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a process of applying a thin film to the
도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 기판 코팅 유닛의 박막 코팅 과정을 나타낸 도면이다.4A and 4B are views illustrating a thin film coating process of the substrate coating unit shown in FIG. 2.
도 1 및 도 4a를 참조하면, 먼저, 메인 이송 로봇(500)이 베이크 유닛(600)으로부터 예열된 웨이퍼(10)를 스핀 헤드(711)에 안착시킨다.1 and 4A, first, the
상기 웨이퍼(10)의 상부에 상기 코팅 노즐(740)을 배치시키고, 상기 코팅 노 즐(740)은 상기 스핀 헤드(711)에 의해 회전하고 있는 웨이퍼(10)의 상면에 코팅액(CL)을 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 상면에 박막을 형성한다.The
도 4b를 참조하면, 상기 박막(20)이 형성된 웨이퍼(10)의 상부에 세정 부재(750)의 제1 및 제2 분사 노즐(751, 752)을 배치한다.Referring to FIG. 4B, first and
상기 제1 분사 노즐(751)이 상기 웨이퍼(10)의 단부에 린스액(RL)을 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 단부를 세정하고, 이와 동시에, 상기 제2 분사 노즐(752)이 차단 가스를 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 상부에 에어 커튼(AC)을 형성한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(10)의 단부에 형성된 박막이 제거된다. 상기 웨이퍼(10)로부터 리바운드된 린스액(RL)은 상기 에어 커튼(AC)에 의해 상기 웨이퍼(10)의 중앙부측으로 유입되는 것이 차단된다. 이에 따라, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 상기 세정액(RL)의 역유입으로 인한 웨이퍼(10)의 박막 불량을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the above embodiments, those skilled in the art will understand that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 기판 코팅 유닛을 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a schematic view of the substrate coating unit shown in FIG. 1.
도 3은 도 2에 도시된 제1 및 제2 분사 노즐을 나타낸 측면도이다.FIG. 3 is a side view illustrating the first and second spray nozzles shown in FIG. 2.
도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 기판 코팅 유닛이 기판에 박막을 코팅하는 과정을 나타낸 도면이다.4A and 4B illustrate a process in which the substrate coating unit illustrated in FIG. 2 coats a thin film on a substrate.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Description of the Related Art [0002]
110 : 로딩/언로딩부 200 : 인덱스 로봇110: loading / unloading unit 200: index robot
300 : 버퍼부 500 : 메인 이송 로봇300: buffer unit 500: main transport robot
600 : 베이크 유닛 700 : 기판 코팅 유닛600: baking unit 700: substrate coating unit
1000 : 기판 처리 시스템1000: Substrate Processing System
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